專利名稱：各向異性導(dǎo)電膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及各向異性導(dǎo)電膜，特別涉及粘接TCP時(shí)防止導(dǎo)電粒子聚集的 各向異性導(dǎo)電膜。
背景技術(shù)：
各向異性導(dǎo)電膜(Anisotropy Conductive Film,簡(jiǎn)稱為ACF),指含有 導(dǎo)電性粒子的熱硬化或熱可塑性的樹脂薄膜。主要用于液晶顯示面板與驅(qū)動(dòng) 集成電路的信號(hào)傳輸連接。
現(xiàn)有的ACF是在樹脂薄膜內(nèi)均勻地分布了導(dǎo)電粒子，并且導(dǎo)電粒子之間 設(shè)有一定間隙，使得ACF處于不導(dǎo)電的狀態(tài)。在芯片帶載封裝(Tape Carrier Package,以下簡(jiǎn)稱為TCP )粘接時(shí)，首先在TCP的引腳上預(yù)設(shè)ACF，然后用 擠壓工具將ACF向TCP方向擠壓，減少ACF的厚度。這時(shí)，由于TCP引腳和 TCP引腳之間的高度不同，因此在TCP引腳上和在TCP引腳之間產(chǎn)生不同的變 化，具體為在TCP引腳上的導(dǎo)電粒子通過(guò)擠壓過(guò)程緊密接觸，使得位于TCP 引腳上的ACF導(dǎo)電；在TCP引腳之間的導(dǎo)電粒子通過(guò)擠壓過(guò)程雖然可以減少 導(dǎo)電粒子之間的間距，但不能完全地接觸，所以TCP引腳之間的ACF仍然不 能導(dǎo)電。
圖la為現(xiàn)有ACF擠壓之前的結(jié)構(gòu)示意圖，圖lb為現(xiàn)有ACF擠壓之后的 結(jié)構(gòu)示意圖。如圖la和圖lb所示，在粘接(bonding)芯片帶載封裝(Tape Carrier Package,以下簡(jiǎn)稱為TCP)時(shí)，首先在TCP引腳2上預(yù)設(shè)各向異性 導(dǎo)電膜l，然后用擠壓工具將各向異性導(dǎo)電膜1向TCP方向擠壓，減少各向異 性導(dǎo)電膜1的厚度。這時(shí)，由于TCP引腳2和TCP引腳2之間的區(qū)域高度不同，因此在TCP引腳2上和在TCP引腳之間的區(qū)域產(chǎn)生不同的變化，具體為 在TCP引腳上的導(dǎo)電粒子通過(guò)擠壓過(guò)程緊密接觸，使得位于TCP引腳上的ACF 導(dǎo)電；在TCP引腳2之間的導(dǎo)電粒子通過(guò)擠壓過(guò)程雖然可以減少導(dǎo)電粒子之 間的間距，但不能完全地接觸，所以TCP引腳2之間的各向異性導(dǎo)電膜1仍 然不能導(dǎo)電。
但是在大量的生產(chǎn)實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)，因擠壓工具和擠壓過(guò)程的精度限制，經(jīng) 過(guò)擠壓后的ACF上，出現(xiàn)導(dǎo)電粒子向ACF兩側(cè)游動(dòng)的現(xiàn)象，并且在ACF兩側(cè) 聚集相對(duì)較多的導(dǎo)電粒子，從而在ACF兩側(cè)的TCP引腳2之間聚集的導(dǎo)電粒 子使相鄰的兩個(gè)TCP引腳2之間(如圖lb中的A區(qū)域)相互導(dǎo)電，并且這種 缺陷，直接會(huì)引發(fā)液晶顯示裝置的面板4上出現(xiàn)輝線5，即輝線不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種各向異性導(dǎo)電膜，克服了現(xiàn)有技術(shù)粘接TCP時(shí) 出現(xiàn)導(dǎo)電粒子聚集的缺陷，實(shí)現(xiàn)了一種防止導(dǎo)電粒子聚集的各向異性導(dǎo)電膜。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種各向異性導(dǎo)電膜，包括樹脂薄膜和 導(dǎo)電粒子，所述樹脂薄膜設(shè)有中部區(qū)域和外圍區(qū)域，位于所述中部區(qū)域的具
有第一密度的導(dǎo)電粒子通過(guò)導(dǎo)電粒子的游出防止導(dǎo)電粒子聚集；位于所述外
圍區(qū)域的具有第二密度的導(dǎo)電粒子通過(guò)導(dǎo)電粒子的游進(jìn)防止導(dǎo)電粒子聚集，
所述第一導(dǎo)電粒子密度大于所述第二導(dǎo)電粒子密度。
其中，所述中部區(qū)域?yàn)槎鄠€(gè)，靠近外圍區(qū)域的一中部區(qū)域的導(dǎo)電粒子密 度小于遠(yuǎn)離該外圍區(qū)域的另一中部區(qū)域的導(dǎo)電粒子密度。
其中，所述外圍區(qū)域?yàn)槎鄠€(gè)，靠近中部區(qū)域的一外圍區(qū)域的導(dǎo)電粒子密 度大于遠(yuǎn)離該中部區(qū)域的另 一外圍區(qū)域的導(dǎo)電粒子密度。
本發(fā)明，通過(guò)中部區(qū)域的具有第一密度的導(dǎo)電粒子和外圍區(qū)域的具有第
二密度的導(dǎo)電粒子，在現(xiàn)有的擠壓工具和擠壓過(guò)程的精度下，粘接TCP時(shí)中
部區(qū)域的導(dǎo)電粒子游到兩側(cè)的外圍區(qū)域，增加外圍區(qū)域的導(dǎo)電粒子、同時(shí)減少中部區(qū)域的導(dǎo)電粒子，使得各向異性導(dǎo)電膜的中部區(qū)域和外圍區(qū)域的導(dǎo)電
粒子密度大致相等，從而克服了用現(xiàn)有的ACF，粘接TCP時(shí)各向異性導(dǎo)電膜兩 側(cè)聚集大量導(dǎo)電粒子，導(dǎo)致相鄰的兩個(gè)TCP引腳之間相互導(dǎo)電并引發(fā)輝線不 良的缺陷，提高了各向異性導(dǎo)電膜的質(zhì)量，特別是提高了用于液晶顯示裝置 中的各向異性導(dǎo)電膜的質(zhì)量。
下面通過(guò)附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。


圖la為現(xiàn)有ACF擠壓之前的結(jié)構(gòu)示意圖lb為現(xiàn)有ACF擠壓之后的結(jié)構(gòu)示意圖2a為本發(fā)明一種各向異性導(dǎo)電膜擠壓之前的結(jié)構(gòu)示意圖2b為本發(fā)明一種各向異性導(dǎo)電膜擠壓之后的結(jié)構(gòu)示意圖3a為本發(fā)明另一種各向異性導(dǎo)電膜擠壓之前的結(jié)構(gòu)示意圖3b為本發(fā)明另一種各向異性導(dǎo)電膜擠壓之后的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明各向異性導(dǎo)電膜第 一 實(shí)施例
圖2a為本發(fā)明一種各向異性導(dǎo)電膜擠壓之前的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2b為本 發(fā)明一種各向異性導(dǎo)電膜擠壓之后的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖2a和圖2b所示，該
各向異性導(dǎo)電膜包括寬度為H的樹脂薄膜和導(dǎo)電粒子，其中樹脂薄膜設(shè)有 中部區(qū)域102和兩個(gè)外圍區(qū)域101,兩個(gè)外圍區(qū)域101分別位于中部區(qū)域102 的兩側(cè)，并且位于中部區(qū)域102的具有第一密度的導(dǎo)電粒子通過(guò)導(dǎo)電粒子的 游出防止聚集、位于外圍區(qū)域101的具有第二密度的導(dǎo)電粒子通過(guò)導(dǎo)電粒子 的游進(jìn)防止聚集，第一密度大于第二密度。
本發(fā)明各向異性導(dǎo)電膜第一實(shí)施例，通過(guò)中部區(qū)域的具有第一密度的導(dǎo) 電粒子和外圍區(qū)域的具有第二密度的導(dǎo)電粒子，在現(xiàn)有的擠壓工具和擠壓過(guò)程的精度下，粘接TCP時(shí)中部區(qū)域的導(dǎo)電粒子游到兩側(cè)的外圍區(qū)域，增加外 圍區(qū)域的導(dǎo)電粒子、同時(shí)減少中部區(qū)域的導(dǎo)電粒子，使得各向異性導(dǎo)電膜的 中部區(qū)域和外圍區(qū)域的導(dǎo)電粒子密度大致相等，從而克服了用現(xiàn)有的ACF，粘 接TCP時(shí)各向異性導(dǎo)電膜兩側(cè)聚集大量導(dǎo)電粒子，導(dǎo)致相鄰的兩個(gè)TCP引腳 之間相互導(dǎo)電并引發(fā)輝線不良的缺陷，提高了各向異性導(dǎo)電膜的質(zhì)量，特別 是提高了用于液晶顯示裝置中的各向異性導(dǎo)電膜的質(zhì)量。
在本發(fā)明向異性導(dǎo)電膜第 一 實(shí)施例中，ACF的中部區(qū)域和外圍區(qū)域的劃分 方法具體為沿著引腳的方向(與引腳平行的方向)設(shè)置中部區(qū)域和外圍區(qū) 域，其中中部區(qū)域在中間，外圍區(qū)域分別在中部區(qū)域的兩側(cè)，并且中部區(qū)域 和外圍區(qū)域向ACF的纏繞方向延伸。因此將ACF粘貼在TCP引腳上時(shí)，每個(gè) 引腳的起始段和末端各自對(duì)應(yīng)ACF的外圍區(qū)域，每個(gè)引腳的中間部位對(duì)應(yīng)ACF 的中部區(qū)域。
根據(jù)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，最好將各向異性導(dǎo)電膜的寬度H設(shè)置為1. 2mm。 本發(fā)明各向異性導(dǎo)電膜第二實(shí)施例
圖3a為本發(fā)明另一種各向異性導(dǎo)電膜擠壓之前的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3b為 本發(fā)明另一種各向異性導(dǎo)電膜擠壓之后的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3a和圖3b所示， 該各向異性導(dǎo)電膜包括樹脂薄膜和導(dǎo)電粒子，其中樹脂薄膜設(shè)有中部區(qū)域 102和兩個(gè)外圍區(qū)域，兩個(gè)外圍區(qū)域還分別設(shè)有遠(yuǎn)離中部區(qū)域102的第一外圍 區(qū)域IOII和靠近中部區(qū)域102的第二外圍區(qū)域1012，并且第一外圍區(qū)域1011 的導(dǎo)電粒子密度小于第二外圍區(qū)域1012的導(dǎo)電粒子密度，另外第二外圍區(qū)域 1012的導(dǎo)電粒子密度小于中部區(qū)域102的導(dǎo)電粒子密度。
本發(fā)明各向異性導(dǎo)電膜第二實(shí)施例，通過(guò)從中部區(qū)域向外圍區(qū)域逐漸減 小的導(dǎo)電粒子密度，克服了用現(xiàn)有的ACF，粘接TCP時(shí)各向異性導(dǎo)電膜兩側(cè)聚 集大量導(dǎo)電粒子，導(dǎo)致相鄰的兩個(gè)TCP引腳之間相互導(dǎo)電并引發(fā)輝線不良的 缺陷，并且可以進(jìn)一步減少相鄰區(qū)域之間的導(dǎo)電粒子密度差，從而可以進(jìn)一 步提高各向異性導(dǎo)電膜的質(zhì)量。在本發(fā)明各向異性導(dǎo)電膜第二實(shí)施例中，還可以進(jìn)一步地增加中間區(qū)域 的個(gè)數(shù)，其中，靠近外圍區(qū)域的一中部區(qū)域的導(dǎo)電粒子密度小于遠(yuǎn)離該外圍 區(qū)域的另一中部區(qū)域的導(dǎo)電粒子密度。這樣的話，可以進(jìn)一步減少相鄰區(qū)域 之間的導(dǎo)電粒子密度差，從而可以進(jìn)一步提高各向異性導(dǎo)電膜的質(zhì)量。
最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其 限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或 者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技
術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種各向異性導(dǎo)電膜，包括樹脂薄膜和導(dǎo)電粒子，所述樹脂薄膜設(shè)有中部區(qū)域和外圍區(qū)域，其特征在于位于所述中部區(qū)域的具有第一密度的導(dǎo)電粒子通過(guò)導(dǎo)電粒子的游出防止導(dǎo)電粒子聚集；位于所述外圍區(qū)域的具有第二密度的導(dǎo)電粒子通過(guò)導(dǎo)電粒子的游進(jìn)防止導(dǎo)電粒子聚集，所述第一密度大于所述第二密度。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的各向異性導(dǎo)電膜，其特征在于所述中部區(qū)域 為多個(gè)，靠近外圍區(qū)域的一中部區(qū)域的導(dǎo)電粒子密度小于遠(yuǎn)離該外圍區(qū)域的 另一中部區(qū)域的導(dǎo)電粒子密度。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的各向異性導(dǎo)電膜，其特征在于所述外圍區(qū)域 為多個(gè)，靠近中部區(qū)域的一外圍區(qū)域的導(dǎo)電粒子密度大于遠(yuǎn)離該中部區(qū)域的 另一外圍區(qū)域的導(dǎo)電粒子密度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種各向異性導(dǎo)電膜，包括樹脂薄膜和導(dǎo)電粒子，所述樹脂薄膜設(shè)有中部區(qū)域和外圍區(qū)域，位于所述中部區(qū)域的具有第一密度的導(dǎo)電粒子通過(guò)導(dǎo)電粒子的游出防止導(dǎo)電粒子聚集；位于所述外圍區(qū)域的具有第二密度的導(dǎo)電粒子通過(guò)所述導(dǎo)電粒子的游進(jìn)防止導(dǎo)電粒子聚集，所述第一密度大于所述第二密度。本發(fā)明克服了用現(xiàn)有的ACF粘接TCP時(shí)各向異性導(dǎo)電膜兩側(cè)聚集大量導(dǎo)電粒子，導(dǎo)致相鄰的兩個(gè)TCP引腳之間相互導(dǎo)電并引發(fā)輝線不良的缺陷，提高了各向異性導(dǎo)電膜的質(zhì)量，特別是提高了用于液晶顯示裝置中的各向異性導(dǎo)電膜的質(zhì)量。
文檔編號(hào)G02F1/133GK101556838SQ20081010360
公開日2009年10月14日 申請(qǐng)日期2008年4月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月9日
發(fā)明者姜旼成 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司