專利名稱：Tft-lcd對盒結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，特別是一種TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，具有高品質(zhì)、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越性能的 薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)已經(jīng)逐漸成為市場的主流。
TFT-LCD的制造工藝主要包括分別在二個基板上制備數(shù)個以矩陣方式 排列的面板區(qū)域，將二個基板準(zhǔn)確貼合形成液晶面板，安裝外圍電路、組裝 背光源等。隨著技術(shù)進步和基板尺寸的不斷增大，目前在形成液晶面板制備 工藝中采用滴下式液晶注入法(0DF)，先將液晶直接滴在基板上，然后再進 行二個基板的對位粘接，使面板區(qū)域上的彩色樹脂圖案與像素圖案一一對正， 因此該制程在超大尺寸面板制造中具有絕對的優(yōu)勢。具體地，上述的對位粘 接是采用二個基板上的對位標(biāo)記進行的。
目前現(xiàn)有技術(shù)中基板上設(shè)置的數(shù)個面板區(qū)域只是位置不同，其內(nèi)部的陣 列結(jié)構(gòu)和彩膜結(jié)構(gòu)完全一樣，通過對位標(biāo)記實現(xiàn)一個基板上每個陣列結(jié)構(gòu)與 另一個基板上相對應(yīng)的彩膜結(jié)構(gòu)的一一對正。但實際生產(chǎn)中，由于基板彎曲 或二個基板的不準(zhǔn)確貼合等因素存在，貼合時二個基板出現(xiàn)一個基板大、一 個基板小的情況，因此出現(xiàn)二個基板中部位置的陣列結(jié)構(gòu)與彩膜結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)較 好，基板四周(上部或下部、左部或右部)位置則會出現(xiàn)貼合錯位(misalign) 現(xiàn)象，使基板上下或者左右方向出現(xiàn)錯位性漏光不良缺陷，導(dǎo)致漏光不良發(fā) 生率提高，降低了畫面品質(zhì)和產(chǎn)品質(zhì)量。為了解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)一般 采用擴大黑矩陣覆蓋區(qū)域的解決方案，但這種解決辦法直接導(dǎo)致開口率降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)，根據(jù)面板區(qū)域的位置設(shè)置 彩膜結(jié)構(gòu)或陣列結(jié)構(gòu)，有效解決現(xiàn)有技術(shù)對盒時出現(xiàn)錯位性漏光不良等技術(shù) 缺陷。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了 一種TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)，包括對盒的 陣列基板和彩膜基板，每個基板上形成有數(shù)個以矩陣方式排列的面板區(qū)域， 陣列基板的每個面板區(qū)域內(nèi)形成陣列結(jié)構(gòu)，彩膜基板的每個面板區(qū)域內(nèi)形成 彩膜結(jié)構(gòu)，每個彩膜結(jié)構(gòu)至少包括黑矩陣，相對于中部面板區(qū)域彩膜結(jié)構(gòu)中 的黑矩陣位置，左側(cè)面板區(qū)域彩膜結(jié)構(gòu)中的黑矩陣設(shè)置有一向左的左偏移距
離，右側(cè)面板區(qū)域彩膜結(jié)構(gòu)中的黑矩陣設(shè)置有一向右的右偏移距離。
所述左偏移距離為精確對位裕度的15%~30%，所述右偏移距離為精確對 位裕度的15°/。~ 30°/。。
優(yōu)選地，所述精確對位裕度為7 ja m ~ 10 ili m,所述左偏移距離為2 ja m ~ 3 iam，所述右偏移3巨離為2 jim 3 iim。
本發(fā)明提出了 一種TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)，根據(jù)面板區(qū)域的位置設(shè)置彩膜結(jié) 構(gòu)或陣列結(jié)構(gòu)，將位于基板左側(cè)位置的左側(cè)面板區(qū)域的黑矩陣向左偏移，將 位于基板右側(cè)位置的右側(cè)面板區(qū)域的黑矩陣向右偏移，而位于中部位置的中 部面板區(qū)域的黑矩陣不偏移，因此與中部面板區(qū)域相比，本發(fā)明既提高了左 側(cè)面板區(qū)域的對位裕度，又提高了右側(cè)面板區(qū)域的對位裕度，使對盒后位于 基板左側(cè)位置的左側(cè)面板區(qū)域的黑矩陣最大限度地減小了左側(cè)位置的貼合錯 位現(xiàn)象，位于基板右側(cè)位置的右側(cè)面板區(qū)域的黑矩陣最大限度地減小了右側(cè) 位置的貼合錯位現(xiàn)象，使基板左、右方向出現(xiàn)錯位性漏光不良缺陷的發(fā)生率 降低，提高畫面品質(zhì)和產(chǎn)品質(zhì)量。
下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細(xì)描述。


圖la為本發(fā)明TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)的示意圖lb為圖la中的局部放大圖lc為圖lb中A-A向的剖; 見圖2a為圖la中B-B向剖視圖2b為圖la中C-C向剖視圖2c為圖la中D-D向剖視圖3a ~圖3c為本發(fā)明貼合時彩 板大、陣列差襲小情況的位置示意圖; 圖4a ~圖4c為本發(fā)明貼合時彩膜^^反小、陣列基板大情況的位置示意圖。 附圖標(biāo)記說明
l一基板； 2 —面板區(qū)域； 3—對位標(biāo)記；
41一黑矩陣； 42—數(shù)據(jù)線； 43—遮擋條；
44一像素電極。
具體實施例方式
圖la為本發(fā)明TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)的示意圖，圖lb為圖la中的局部放大 圖，圖lc為圖lb中A-A向的剖視圖。如圖la、圖lb和圖lc所示，本發(fā)明 TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)包括對盒的二個基板(陣列基板和彩膜基板)1,每個基板 1上形成有數(shù)個以矩陣方式排列的面板區(qū)域2，陣列基板的每個面板區(qū)域內(nèi)形 成陣列結(jié)構(gòu)，彩膜基板的每個面板區(qū)域內(nèi)形成彩膜結(jié)構(gòu)，對位標(biāo)記3分別設(shè) 置在二個基板l的四角，作為本發(fā)明陣列基板和彩膜基板對位粘接時的對位 基準(zhǔn)。每個彩膜結(jié)構(gòu)至少包括黑矩陣41，每個陣列結(jié)構(gòu)至少包括分別形成在 各層的數(shù)據(jù)線42、遮擋條43和像素電極44，像素電極44設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)， 遮擋條43與數(shù)據(jù)線42平行，并分別位于數(shù)據(jù)線42的兩側(cè)。
為清楚起見，下面以圖l所示的3x3個面板區(qū)域為例來說明本發(fā)明的技 術(shù)方案。3x3個面板區(qū)域分別為位于第一行第一列的面板區(qū)域(1, 1)11、 第一行第二列的面板區(qū)域(1, 2)12、第一行第三列的面板區(qū)域(1， 3)13;位于第二行第一列的面板區(qū)域(2, 1)21、第二行第二列的面板區(qū)域(2, 2) 22、第二行第三列的面板區(qū)域(2， 3)23;位于第三行第一列的面板區(qū)域(3， 1) 31、第三行第二列的面板區(qū)域(3， 2) 32、第三行第三列的面板區(qū)域(3， 3) 33。
圖2a~圖2c為本發(fā)明TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)的示意圖，其中，圖2a為圖la 中B-B向剖^L圖，圖2b為圖la中C-C向剖視圖，圖2c為圖la中D-D向剖 視圖。圖2a-圖2c所示，本發(fā)明中，每個面板區(qū)域中的彩膜結(jié)構(gòu)至少包括 黑矩陣41，每個面板區(qū)域中的陣列結(jié)構(gòu)至少包括數(shù)據(jù)線42、遮擋條43和像 素電極44。其中，每個彩膜結(jié)構(gòu)中的黑矩陣41寬度相同，每個陣列結(jié)構(gòu)中 的數(shù)據(jù)線42寬度相同、遮擋條43寬度相同以及像素電極44寬度相同，且數(shù) 據(jù)線42、遮擋條43和像素電極44三者之間的位置關(guān)系相同，為左右對稱結(jié) 構(gòu)。
對于位于基板中間位置的中部面板區(qū)域(第二列)，如面板區(qū)域(l, 2) 12、面板區(qū)域(2， 2)22和面板區(qū)域(3， 2)32，本發(fā)明的彩膜結(jié)構(gòu)和陣列 結(jié)構(gòu)均采用現(xiàn)有技術(shù)通常采用的結(jié)構(gòu)對應(yīng)形式，即彩膜結(jié)構(gòu)上的黑矩陣"設(shè) 置成左右對稱，即黑矩陣41與數(shù)據(jù)線42、遮擋條43和像素電極44三者的 位置關(guān)系對稱。此時，遮擋條43內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41外側(cè)邊緣之間的距離 X (稱之為精確對位裕度，Accurate Align Margin)與現(xiàn)有技術(shù)的對位裕度 相同(如圖2b所示)。
對于位于基板左側(cè)位置的左側(cè)面板區(qū)域(第一列)，如面板區(qū)域(l, 1) 11、面板區(qū)域(2， 1)21和面板區(qū)域(3， 1)31，本發(fā)明的陣列結(jié)構(gòu)采用現(xiàn) 有技術(shù)通常采用的結(jié)構(gòu)形式，但彩膜結(jié)構(gòu)中黑矩陣41的位置具有一向左側(cè)偏 移的偏移距離AY，使黑矩陣41與數(shù)據(jù)線42、遮擋條"和像素電極"三者 的位置關(guān)系發(fā)生相應(yīng)改變。此時，該面板區(qū)域內(nèi)左側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與 黑矩陣41左側(cè)邊緣之間的距離為X+AY，大于現(xiàn)有技術(shù)的對位裕度，而該面 板區(qū)域內(nèi)右側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41右側(cè)邊緣之間的距離為X-AY (如圖2a所示)。
對于位于基板右側(cè)位置的右側(cè)面板區(qū)域(第三列)，如面板區(qū)域(1,3) 13、面板區(qū)域(2， 3)23和面板區(qū)域(3， 3)33，本發(fā)明的陣列結(jié)構(gòu)采用現(xiàn) 有技術(shù)通常采用的結(jié)構(gòu)形式，但彩膜結(jié)構(gòu)中黑矩陣41的位置具有一向右側(cè)偏 移的偏移距離AY,使黑矩陣41與數(shù)據(jù)線42、遮擋條43和像素電極44三者 的位置關(guān)系發(fā)生相應(yīng)改變。此時，該面板區(qū)域內(nèi)右側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與 黑矩陣41右側(cè)邊緣之間的距離為X+AY,大于現(xiàn)有技術(shù)的對位裕度，而該面 板區(qū)域內(nèi)左側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41左側(cè)邊緣之間的距離為X-A
Y (如圖2c所示)。
本發(fā)明上述技術(shù)方案中，偏移距離(offset)厶Y為精確對位裕度X的 15% ~ 30°/。，優(yōu)選地，精確對位裕度X為7 ju m ~ 10 ju m，左偏移距離△ Y為2 )a m~3|im，右偏移距離AY為2|im~3|im，可以適應(yīng)于現(xiàn)有各種規(guī)格面板的生 產(chǎn)情況。本發(fā)明由于將位于基板左側(cè)位置的左側(cè)面板區(qū)域的黑矩陣向左偏移， 將位于基板右側(cè)位置的右側(cè)面板區(qū)域的黑矩陣向右偏移，而位于中部位置的 中部面板區(qū)域的黑矩陣不偏移，因此與中部面板區(qū)域相比，本發(fā)明既提高了 左側(cè)面板區(qū)域的對位裕度，又提高了右側(cè)面板區(qū)域的對位裕度，與現(xiàn)有技術(shù) 容易在基板左側(cè)位置和基板右側(cè)位置發(fā)生貼合錯位相比，本發(fā)明使對盒后位 于基板左側(cè)位置的左側(cè)面板區(qū)域的黑矩陣最大限度地減小了左側(cè)位置的貼合 錯位現(xiàn)象，位于基板右側(cè)位置的右側(cè)面板區(qū)域的黑矩陣最大限度地減小了右 側(cè)位置的貼合錯位現(xiàn)象，使基板左、右方向出現(xiàn)錯位性漏光不良缺陷的發(fā)生 率降低，提高畫面品質(zhì)和產(chǎn)品質(zhì)量。
圖3a 圖3c為本發(fā)明貼合時彩膜基板大、陣列基板小情況的位置示意 圖，其中，圖3a為圖la中B-B向剖一見圖，圖3b為圖la中C-C向剖視圖， 圖3c為圖la中D-D向剖視圖。圖3a~圖3c所示，當(dāng)貼合時彩膜基板大、 陣列基板小時，對于位于基板中間位置的中部面板區(qū)域(第二列)，如面板 區(qū)域(l， 2)12、面板區(qū)域(2， 2)22和面板區(qū)域(3， 2)32，由于貼合時彩膜基板大、陣列基板小，每側(cè)黑矩陣41寬度比正常寬度增加AU，使遮擋 條43內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41外側(cè)邊緣之間的距離為X+AU (如圖3b所示)。 對于位于基板左側(cè)位置的左側(cè)面板區(qū)域(第一列)，如面板區(qū)域(1, 1)11、 面板區(qū)域(2, 1) 21和面板區(qū)域(3, 1) 31,由于每側(cè)黑矩陣41寬度比正 常寬度增加AU，使該面板區(qū)域內(nèi)左側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41左側(cè) 邊緣之間的距離為X+AU+AY,而該面板區(qū)域內(nèi)右側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與 黑矩陣41右側(cè)邊緣之間的距離為X+AU-AY (如圖3a所示)。對于位于基 板右側(cè)位置的右側(cè)面板區(qū)域(第三列)，如面板區(qū)域(l， 3) 13、面板區(qū)域 (2, 3) 23和面板區(qū)域(3， 3) 33，由于每側(cè)黑矩陣41寬度比正常寬度增 力口AU，使該面板區(qū)域內(nèi)右側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41右側(cè)邊緣之間 的距離為X+AU+厶Y,而該面板區(qū)域內(nèi)左側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41 左側(cè)邊緣之間的距離為X+AU-AY (如圖3c所示)。
圖4a 圖4c為本發(fā)明貼合時彩膜基板小、陣列基板大情況的位置示意 圖，其中，圖4a為圖la中B-B向剖視圖，圖4b為圖la中C-C向剖視圖， 圖4c為圖la中D-D向剖視圖。圖4a~圖4c所示，當(dāng)貼合時彩膜基板小、 陣列基板大時，對于位于基板中間位置的中部面板區(qū)域(第二列)，如面板 區(qū)域(l， 2)12、面板區(qū)域(2, 2)22和面板區(qū)域(3， 2)32，由于貼合時 彩膜基板小、陣列基板大，每側(cè)黑矩陣41寬度比正常寬度減小AV,使遮擋 條43內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41外側(cè)邊緣之間的距離為X-AV (如圖4b所示)。
對于位于基板左側(cè)位置的左側(cè)面板區(qū)域(第一列)，如面板區(qū)域U, 1) 11、 面板區(qū)域(2， 1) 21和面板區(qū)域(3， 1) 31，由于每側(cè)黑矩陣41寬度比正 常寬度減小AV,使該面板區(qū)域內(nèi)左側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41左側(cè) 邊緣之間的距離為X-AV+AY,而該面板區(qū)域內(nèi)右側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與 黑矩陣41右側(cè)邊緣之間的距離為X-AV-AY (如圖4a所示)。對于位于基 板右側(cè)位置的右側(cè)面板區(qū)域(第三列)，如面板區(qū)域(l, 3) 13、面板區(qū)域 (2, 3) 23和面板區(qū)域(3, 3) 33,由于每側(cè)黑矩陣41寬度比正常寬度減小△ V，使該面板區(qū)域內(nèi)右側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41右側(cè)邊緣之間 的距離為X-AV+AY,而該面板區(qū)域內(nèi)左側(cè)遮擋條43的內(nèi)側(cè)邊緣與黑矩陣41 左側(cè)邊緣之間的距離為X-AV-AY (如圖4c所示)。
由于實際生產(chǎn)中存在基板彎曲或二個基板貼合不準(zhǔn)確等因素存在，導(dǎo)致 現(xiàn)有技術(shù)容易在基板左側(cè)位置和基板右側(cè)位置發(fā)生貼合錯位，本發(fā)明提出了 將左側(cè)面板區(qū)域、右側(cè)面板區(qū)域的結(jié)構(gòu)設(shè)置成與中部面板區(qū)域的結(jié)構(gòu)不同的 技術(shù)方案。從本發(fā)明上述實施例可以看出，本發(fā)明通過設(shè)置偏移距離，使偏 移距離有效消除了黑矩陣寬度增加或黑矩陣寬度減小造成的貼合錯位，無論 對于彩膜基板大、陣列基板小或彩膜基板小、陣列基板大情況都能有效地降 低左側(cè)區(qū)域或右側(cè)區(qū)域的貼合錯位現(xiàn)象，可以達到減少錯位性漏光不良的發(fā) 生率。
本發(fā)明前述技術(shù)方案是采用數(shù)據(jù)線、遮擋條和像素電極位置不變、黑矩 陣位置改變來實現(xiàn)減少貼合錯位現(xiàn)象，在本發(fā)明上述指導(dǎo)思想的前提下，也 可以采用黑矩陣位置不變、數(shù)據(jù)線、遮擋條和像素電極位置改變的技術(shù)方案， 一樣可以實現(xiàn)減少貼合錯位現(xiàn)象，不再贅述。
最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技 術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)，包括對盒的陣列基板和彩膜基板，每個基板上形成有數(shù)個以矩陣方式排列的面板區(qū)域，陣列基板的每個面板區(qū)域內(nèi)形成陣列結(jié)構(gòu)，彩膜基板的每個面板區(qū)域內(nèi)形成彩膜結(jié)構(gòu)，每個彩膜結(jié)構(gòu)至少包括黑矩陣，其特征在于，相對于中部面板區(qū)域彩膜結(jié)構(gòu)中的黑矩陣位置，左側(cè)面板區(qū)域彩膜結(jié)構(gòu)中的黑矩陣設(shè)置有一向左的左偏移距離，右側(cè)面板區(qū)域彩膜結(jié)構(gòu)中的黑矩陣設(shè)置有一向右的右偏移距離。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述左偏移 距離為精確對位裕度的15%~ 30%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述右偏移 距離為精確對位裕度的15%~ 30%。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述精 確對位裕度為7 , ~ 10 " m。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述左偏移 3巨離為2jnm — 3jLim。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述右偏移 3巨離為2jam—3jum。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT-LCD對盒結(jié)構(gòu)，包括對盒的陣列基板和彩膜基板，每個基板上形成有數(shù)個以矩陣方式排列的面板區(qū)域，陣列基板的每個面板區(qū)域內(nèi)形成陣列結(jié)構(gòu)，彩膜基板的每個面板區(qū)域內(nèi)形成彩膜結(jié)構(gòu)，每個彩膜結(jié)構(gòu)至少包括黑矩陣，每個陣列結(jié)構(gòu)至少包括數(shù)據(jù)線、遮擋條和像素電極，相對于中部面板區(qū)域彩膜結(jié)構(gòu)中的黑矩陣位置，左側(cè)面板區(qū)域彩膜結(jié)構(gòu)中的黑矩陣設(shè)置有一向左的左偏移距離，右側(cè)面板區(qū)域彩膜結(jié)構(gòu)中的黑矩陣設(shè)置有一向右的右偏移距離。本發(fā)明使基板左、右方向出現(xiàn)錯位性漏光不良缺陷的發(fā)生率降低，提高畫面品質(zhì)和產(chǎn)品質(zhì)量。
文檔編號G02F1/13GK101556393SQ200810103488
公開日2009年10月14日 申請日期2008年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月7日
發(fā)明者林莊奎 申請人:北京京東方光電科技有限公司