專利名稱：陣列基板及其制造方法和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示裝置，尤其涉及一種 適用于半透過型液晶顯示裝置的陣列基板和該陣列基板的制造方法，以及采 用該陣列基板的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置因其體積輕薄、耗電量低等諸多優(yōu)點(diǎn)，逐漸成為主流的顯
示裝置，特別是薄膜晶體管液晶顯示裝置(ThinFilmTransistor -LiquidCrystal Display,以下簡(jiǎn)稱TFT - LCD )，是目前液晶顯示裝置中的 常見類型。
液晶顯示裝置是依靠液晶對(duì)光的透過性能來(lái)顯示圖像的，液晶自身不發(fā) 光，所以需要外部提供光源。按照光源的不同，液晶顯示裝置可分為透過型、 反射型和半透過型。透過型液晶顯示裝置是在陣列基板下設(shè)置背光燈，由背 光燈為液晶層提供光源。反射型液晶顯示裝置是設(shè)置反射膜來(lái)代替背光燈， 通過反射膜表面反射外界環(huán)境射入的光，將光線反射入液晶層從而提供光源。 半透過型液晶顯示裝置是上述兩種類型的結(jié)合，在陣列基板上設(shè)置部分區(qū)域 為透過區(qū)，并在另外的部分區(qū)域設(shè)置反射膜以形成反射區(qū)，則使用時(shí)，既可 以通過背光燈從透過區(qū)提供光源，避免對(duì)外界光線的依賴，同時(shí)可以通過反 射膜反射外界光線，節(jié)約能耗，半透過型液晶顯示裝置兼具透過光線和反射 光線的功能。
為提高可視性范圍，現(xiàn)有的半透過型液晶顯示裝置中，往往需要在整個(gè) 陣列基板上形成反射膜。在整個(gè)陣列基板上形成反射膜必然對(duì)陣列基板上其他層結(jié)構(gòu)的掩模曝光(Photo Mask)工藝和刻蝕(etch)工藝等加工工序造 成一定影響。為解決這一問題，現(xiàn)有技術(shù)提出了一種方法采用樹脂作為反 射膜中的凸起，再在樹脂凸起上覆蓋金屬膜，從而形成反射膜，光線在反射 膜上可發(fā)生漫反射，從而為液晶提供光源。
如圖1所示為一半透過型液晶顯示裝置中陣列基板的剖面示意圖，該陣 列基板包括襯底基板1;設(shè)置在襯底基板1上的柵極掃描線(圖中未示) 和數(shù)據(jù)線(圖中未示)，由柵極2、有源層8，源電極5和漏電極6組成的薄 膜晶體管20，在各層結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有氮化硅(SiNx)材料制成的絕緣層3; 在薄膜晶體管2G和數(shù)據(jù)線2之上還覆蓋有鈍化層9;在鈍化層9之上，除薄 膜晶體管20以外的部分形成有像素電極10,包括透過區(qū)30和反射區(qū)40，像 素電極10通過鈍化層過孔7與漏電極6相連。通常，采用樹脂凸起14和金 屬膜13形成的反射膜設(shè)置在像素電極10的上方，也可以為下方或與像素電 極10同層設(shè)置，當(dāng)光線照射到金屬膜13上時(shí)會(huì)發(fā)生漫反射，從而為陣列基 板與彩膜基板之間的液晶層提供光源。為制造上述結(jié)構(gòu)的陣列基板，現(xiàn)有技 術(shù)通常采用掩模板曝光刻蝕的構(gòu)圖工藝形成各層薄膜。該構(gòu)圖工藝的具體方 法為首先沉積當(dāng)前制備層所需的材料；在該層上涂覆光刻膠；用掩模板進(jìn) 行曝光，該層上需要保留的部位在掩模板的遮擋下不會(huì)被曝光，其上的光刻 膠在顯影時(shí)得以保留；采用刻蝕劑進(jìn)行刻蝕，有光刻膠保護(hù)的材料不會(huì)被刻 蝕；洗去光刻膠殘余物，當(dāng)前制備層最終形成的形狀是在掩模板下未被曝光 的部分，當(dāng)前層結(jié)構(gòu)需要什么形狀可以通過改變掩模板來(lái)實(shí)現(xiàn)。除采用上述 方法制備的樹脂凸起14外，現(xiàn)有技術(shù)還可以采用SiNx材料制備凸起，能夠
解決樹脂材料在高溫下無(wú)法被加工的問題，改善在低溫工藝中的技術(shù)。
但是，現(xiàn)有技術(shù)中存在以下問題樹脂材料所形成的凸起尺寸較大，限 制了產(chǎn)品的厚度，所以使得現(xiàn)有光刻工藝受到較大的制約；引入了對(duì)樹脂材 料的刻蝕，所以掩模曝光和刻蝕的次數(shù)相比于原有技術(shù)增加了 2~3次；漫反 射效果不佳，因?yàn)槁瓷涞姆瓷湫ЧQ于凸起的厚度尺寸以及凸起之間溝槽的形狀尺寸，而刻蝕形成的樹脂凸起往往尺寸較大，且間隙較大，反射率
均一化(uniform),所以漫反射效果差導(dǎo)致光線的射出角度有限。因此，采 用現(xiàn)有技術(shù)制造的陣列基板，漫反射效果不佳，工序復(fù)雜，生產(chǎn)效率低，使 得產(chǎn)品產(chǎn)量下降、成本增加。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示裝置，以改 善陣列基板中反射膜的漫反射效果，同時(shí)簡(jiǎn)化陣列基板的制造工序，提高陣 列基板的生產(chǎn)效率，降低制造成本，從而降低液晶顯示裝置的整體成本。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制造方法，包括如下步
驟
步驟1、在襯底基板上采用構(gòu)圖工藝形成柵極掃描線、薄膜晶體管、數(shù) 據(jù)線、以及覆蓋在最上層的鈍化層及過孔；
步驟2、在完成步驟1的襯底基板上、在設(shè)定溫度下沉積a型氧化銦錫， 在a型氧化銦錫中結(jié)晶形成聚乙烯型氧化銦錫晶粒；
步驟3、在完成步驟2的襯底基板上，采用構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成 像素電極，該像素電極包括透過區(qū)和反射區(qū)，并采用曝光刻蝕工藝刻蝕掉反 射區(qū)的a型氧化銦錫而露出聚乙烯型氧化錮錫晶粒以形成反射區(qū)圖形；
步驟4、在完成步驟3的襯底基板上沉積金屬材料，采用構(gòu)圖工藝在反 射區(qū)圖形上形成金屬膜。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括襯底基板和形成 在襯底基板上的柵極掃描線、薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線、以及覆蓋在最上層的鈍 化層及過孔，其中鈍化層上還設(shè)置有包括透過膜和反射膜的像素電極，像 素電極覆蓋在除薄膜晶體管以外的襯底基板上；透過膜的材質(zhì)為含有聚乙烯 型氧化銦錫晶粒的a型氧化銦錫；反射膜包括作為反射區(qū)圖形的聚乙烯型氧 化銦錫晶粒和覆蓋在反射區(qū)圖形上的金屬膜。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置
采用本發(fā)明的陣列基板，具體包括由彩膜基板和該陣列基板對(duì)盒形成的液 晶面板；設(shè)置在彩膜基板和陣列基板之間的液晶層；設(shè)置在液晶面板的陣列 基板外側(cè)的背光模組。
由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明利用了氧化銦錫材料的結(jié)晶性能，采用a 型氧化銦錫中的聚乙烯型氧化銦錫晶粒作為反射膜中所需的凸起，相比于現(xiàn) 有技術(shù)采用樹脂和SiNx材料制備的凸起，其優(yōu)點(diǎn)在于
1、在制備像素電極的同時(shí)可以制備該聚乙烯型氧化銦錫晶粒，且刻蝕形 成聚乙烯型氧化銦錫晶粒的工藝相比于樹脂顆粒物的刻蝕工藝，其復(fù)雜程度 要顯著降低，因此本發(fā)明能夠簡(jiǎn)化陣列基板的制備工序，提高生產(chǎn)效率，降 低生產(chǎn)成本；
2 、利用現(xiàn)有制備像素電極的材料制備聚乙烯型氧化銦錫晶粒作為顆粒 物，避免了對(duì)原有的像素電極的影響，也消除了對(duì)現(xiàn)有加工工藝的限制；
3、聚乙烯型氧化銦錫晶粒的尺寸、間隙及分布可以通過控制a型氧化銦 錫的沉積溫度、沉積厚度來(lái)進(jìn)行調(diào)整，且聚乙烯型氧化銦錫晶粒分布的尺寸 均一化低，能夠顯著提高反射膜的漫反射效果。
下面通過具體實(shí)施例并結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
圖l為現(xiàn)有技術(shù)中一種液晶顯示裝置陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明陣列基板制造方法具體實(shí)施例一的流程圖； 圖3為本發(fā)明陣列基板制造方法具體實(shí)施例一中完成步驟1后的陣列基 板剖面結(jié)構(gòu)圖4為本發(fā)明陣列基板制造方法具體實(shí)施例一中完成步驟2后的陣列基 板剖面結(jié)構(gòu)圖5為本發(fā)明陣列基板制造方法具體實(shí)施例一中完成步驟31后的陣列基板剖面結(jié)構(gòu)圖6為本發(fā)明陣列基板制造方法具體實(shí)施例一中完成步驟32后的陣列基 板剖面結(jié)構(gòu)圖7為本發(fā)明陣列基板制造方法具體實(shí)施例一中完成步驟33后的陣列基 板剖面結(jié)構(gòu)圖8為本發(fā)明陣列基板制造方法具體實(shí)施例一中完成步驟34后的陣列基 板剖面結(jié)構(gòu)圖9為本發(fā)明陣列基板制造方法具體實(shí)施例一中完成步驟4后的陣列基 板剖面結(jié)構(gòu)圖10為本發(fā)明陣列基板制造方法具體實(shí)施例二的流程圖； 圖11為本發(fā)明液晶顯示裝置具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。 圖中
1襯底基氺反2柵極3絕緣層
4數(shù)據(jù)線5源電極6漏電極
7鈍化層過孔8有源層9鈍化層
10像素電極11反射膜12透過膜
13金屬膜14樹脂顆粒15a-ITO
16poly-ITO晶粒17光刻膠171全厚度光刻膠
172半厚度光刻膠20薄膜晶體管30透過區(qū)
40反射區(qū)100外框架200背光模組
300陣列基板400液晶層500彩膜基板
具體實(shí)施例方式
陣列基板制造方法實(shí)施例一
如圖2所示為本發(fā)明陣列基板制造方法具體實(shí)施例一的流程圖，該方法 適用于制造半透過型的陣列基板，具體包括如下步驟
8步驟1、在襯底基板1上采用構(gòu)圖工藝形成柵極掃描線、薄膜晶體管20、 數(shù)據(jù)線、以及覆蓋在最上層的鈍化層9等各層薄膜，以及鈍化層9上的鈍化 層過孔7，所謂的構(gòu)圖工藝即沉積、涂覆光刻膠、掩模板掩模、曝光、刻蝕 等一系列工藝。該薄膜晶體管20包括柵極2、有源層8、源電極5和漏電極 6，如圖3所示為完成步驟1后的陣列基板剖面結(jié)構(gòu)圖，首先在陣列基板上沉 積柵極掃描線(圖中未示)和柵極2所需的金屬材料，采用構(gòu)圖后形成相連 的柵極掃描線和柵極2;然后沉積絕緣層3薄膜；在絕緣層3上采用構(gòu)圖工 藝形成有源層8薄膜、覆蓋在有源層8上的源電極5和漏電極6以及與源電 極5相連的數(shù)據(jù)線；而后在形成上述層結(jié)構(gòu)的陣列基板上沉積鈍化層材料 SiNx，并在鈍化層9薄膜上形成鈍化層過孔7，該鈍化層過孔7位于漏電極6 上，以便之后形成的像素電極能夠通過鈍化層過孔7與漏電極6相連；
步驟2、在完成步驟1的襯底基板1上、在設(shè)定溫度下沉積a型氧化銦 錫(以下簡(jiǎn)稱a-IT0)，以便在a-IT015中結(jié)晶形成聚乙烯型氧化銦錫(以 下簡(jiǎn)稱poly-IT0 )晶粒，使a-IT0 15沉積時(shí)發(fā)生結(jié)晶現(xiàn)象的較佳溫度是80 ~ 15(TC的中等溫度環(huán)境，如圖4所示為完成步驟2后的陣列基板剖面結(jié)構(gòu)圖， 在鈍化層9上沉積有a-IT0 15， a-IT0 15中形成有poly-IT0晶粒16;
步驟31、在完成步驟2的襯底基板1上涂覆光刻膠l7，采用掩模板進(jìn)行 曝光處理形成像素電極，對(duì)像素電極的透過區(qū)30和反射區(qū)40以外的區(qū)域進(jìn) 行全曝光，使光刻膠17全部去除，且對(duì)反射區(qū)40上的光刻膠17進(jìn)行半曝光 處理，以去除反射區(qū)40上的部分光刻膠17，使反射區(qū)40上光刻膠17的厚 度小于透過區(qū)30上光刻膠17的厚度。較佳的是使透過區(qū)30光刻膠17的厚 度為反射區(qū)40光刻膠17厚度的2倍左右，此時(shí)可稱透過區(qū)30上為全厚度光 刻膠171，反射區(qū)40上為半厚度光刻膠172,如圖5所示，本步驟中的半曝 光處理可通過在掩模板對(duì)應(yīng)位置滑刻出紋路以透過少部分的光線來(lái)實(shí)現(xiàn)；
步驟32、采用氧化銦錫刻蝕劑刻蝕掉襯底基板1上除像素電極透過區(qū)30 和反射區(qū)40之外的區(qū)域上的a-ITO 15和poly-ITO晶粒16，形成像素電極 的透過區(qū)30和反射區(qū)40。該氧化銦錫刻蝕劑是對(duì)a-ITO 15和poly-ITO材質(zhì)均有刻蝕作用的刻蝕劑。襯底基板1上透過區(qū)30和反射區(qū)40的相對(duì)位置 和面積大小是預(yù)先設(shè)定的，由半透過型液晶顯示裝置的預(yù)期透過反射性能決 定，通常是襯底基板1上除薄膜晶體管20以外的區(qū)域，如圖6所示為完成步 驟32后的陣列基板剖面結(jié)構(gòu)步驟33、采用光刻膠灰化劑去除像素電極反射區(qū)40上涂覆的半厚度光 刻膠172，此步驟是對(duì)光刻膠17進(jìn)行適當(dāng)程度的灰化處理，使灰化處理可去 除一定厚度的光刻膠17，由于反射區(qū)40上半厚度光刻膠172的厚度小于透 過區(qū)30上全厚度光刻膠171的厚度，所以步驟31中形成的半厚度光刻膠172 會(huì)被完全灰化去除，全厚度光刻膠171會(huì)被灰化去除一部分，保留一定厚度， 反射區(qū)40與透過區(qū)30上全厚度光刻膠171與半厚度光刻膠172的厚度差可 根據(jù)具體情況設(shè)定，要使透過區(qū)30保留的全厚度光刻膠171足夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)無(wú)需 刻蝕的材料進(jìn)行保護(hù)，且厚度差不必過大，否則會(huì)增加材料成本，如圖7所 示為完成步驟33后的陣列基板剖面結(jié)構(gòu)步驟34、采用a-ITO刻蝕劑刻蝕掉反射區(qū)40的a-ITO 15而露出poly-IT0 晶粒16，構(gòu)成反射區(qū)圖形，如圖8所示為完成步驟34后的陣列基板剖面結(jié) 構(gòu)圖，在本步驟中，a-IT0刻蝕劑是專用于刻蝕a-IT0 15的刻蝕劑，對(duì) poly-ITO不起作用，另外，透過區(qū)30的a-ITO 15因?yàn)橛惺Ｓ嗳穸裙饪棠z 171的保護(hù)而保留下來(lái)；
步驟4、洗去光刻膠17殘余物之后，在完成步驟34的襯底基板1上沉 積金屬材料，采用構(gòu)圖工藝在反射區(qū)40的poly-IT0晶粒16上，即在反射區(qū) 圖形上采用構(gòu)圖工藝形成金屬膜13，具體為重新沉積光刻膠17,采用掩模板 曝光保留反射區(qū)40的光刻膠17,從而在刻蝕時(shí)將透過區(qū)30和薄膜晶體管20 的金屬材料刻蝕去，保留反射區(qū)40的金屬膜13,金屬膜13和poly-ITO晶 粒16共同構(gòu)成反射膜11，完成陣列基板的制造過程，如圖9所示為完成步 驟4后的陣列基板剖面結(jié)構(gòu)圖。
本實(shí)施例技術(shù)方案巧妙利用了氧化銦錫材料的結(jié)晶性能。a-ITO通常在 常溫，例如25。C時(shí)能夠完全成型，而poly-ITO通常是在25(TC的條件下能夠完全成型，所以在適當(dāng)溫度下可以使a-1 TO材料中結(jié)晶形成po 1 y -1 TO晶粒。 例如在步驟2中，在80 150。C的溫度環(huán)境下沉積a-ITO,則a-ITO將發(fā)生結(jié) 晶現(xiàn)象，在a-ITO中會(huì)出現(xiàn)poly-ITO晶粒。沉積的溫度越高，形成的poly-ITO 晶粒越多，通過設(shè)定a-ITO的沉積厚度和沉積溫度可以得到粒度適當(dāng)?shù)木Я＃?較佳的是沉積厚度為2000A的a-ITO。晶粒的形狀、尺寸、間隙和分布都是 漫反射效果的決定因素，本實(shí)施例技術(shù)方案，采用poly-ITO晶粒作為反射膜 的晶粒，可以通過設(shè)定沉積厚度、沉積溫度來(lái)得到適當(dāng)?shù)木Я３叽纭㈤g隙距 離。且采用結(jié)晶形式形成的晶粒，相比于樹脂刻蝕形成的顆粒物，避免了顆 粒物分布均一化高的缺陷。現(xiàn)有技術(shù)的樹脂顆粒物只適應(yīng)于反射波長(zhǎng)為入， 入/2的光線，而本實(shí)施例中的poly-ITO晶粒適應(yīng)于反射波長(zhǎng)為人，入/2，入 /4,入/8的光線，使得陣列基板上反射膜的漫反射效果顯著提高。
本實(shí)施例技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)不僅在于反射效果的改善，還在于陣列基板制 造工序的簡(jiǎn)化。沉積a-ITO形成poly-ITO晶粒后，需要刻蝕掉反射區(qū)的a-ITO, 本實(shí)施例技術(shù)方案充分利用了 a-ITO和poly-ITO材料的不同性能，通過使用 半曝光工藝以及對(duì)應(yīng)成份的刻蝕劑，可以實(shí)現(xiàn)在一次曝光后，通過兩次刻蝕 先后完成薄膜晶體管a-ITO和poly-ITO的同時(shí)刻蝕，以及反射區(qū)a-ITO的單 獨(dú)刻蝕。該技術(shù)方案不必反復(fù)的使用掩模板曝光刻蝕，在形成像素電極的同 時(shí)形成了漫反射所需的顆粒物，從而簡(jiǎn)化了制備帶有反射膜的陣列基板的工 序。并且，對(duì)像素電極的刻蝕是對(duì)原有刻蝕步驟的細(xì)微改進(jìn)，對(duì)現(xiàn)有其他層 結(jié)構(gòu)的形成工藝不會(huì)造成影響。顆粒物采用了現(xiàn)有氧化銦錫材質(zhì)， 一方面避 免了材料的浪費(fèi)，另一方面不需要增加新的材料，能夠節(jié)省費(fèi)用。綜上可知， 該技術(shù)方案能夠顯著的提高陣列基板的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
陣列基板制造方法實(shí)施例二
如圖IO所示為陣列基板制造方法具體實(shí)施例二的流程圖，本實(shí)施例與實(shí) 施例一的區(qū)別在于將步驟31 ~ 34替換為執(zhí)行下述步驟
步驟301、在完成步驟2的襯底基板上涂覆光刻膠，而后采用掩模板進(jìn) 行曝光處理，保留透過區(qū)和反射區(qū)上的光刻膠；步驟302、在完成步驟301的襯底基板上，采用氧化銦錫刻蝕劑同時(shí)刻 蝕掉透過區(qū)和反射區(qū)之外區(qū)域的a-IT0和poly-IT0晶粒，形成像素電極的透 過區(qū)和反射區(qū)；
步驟303、在完成步驟302的襯底基板上涂覆光刻膠，而后采用掩模板 進(jìn)行曝光處理，保留透過區(qū)上的光刻膠；
步驟304、在完成步驟303的襯底基板上，采用a-IT0刻蝕劑僅刻蝕掉 反射區(qū)的a-IT0，從而在反射區(qū)形成poly-ITO晶粒以形成反射區(qū)圖形。
本實(shí)施例釆用兩次曝光刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)上述像素電極透過區(qū)的制備，以及 反射區(qū)poly-IT0晶粒的制備。采用本實(shí)施例技術(shù)方案在陣列基板上形成的反 射膜以poly-IT0晶粒作為顆粒物，形成工藝簡(jiǎn)單，所形成的晶粒尺寸能夠滿 足提高漫反射效果的要求。并且，該制造方法是在現(xiàn)有陣列基板制造方法上 的改進(jìn)，沒有引入新的材料，沿用與原有層結(jié)構(gòu)制備工藝相同的曝光刻蝕工 藝，所以對(duì)于原有其他層結(jié)構(gòu)制備工藝沒有限制，能夠達(dá)到簡(jiǎn)化工藝，提高 生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本的效果。
本發(fā)明陣列基板制造方法中形成反射區(qū)的晶粒的步驟并不限于上述實(shí)施 例一和實(shí)施例二中的兩種，只要能夠在完成步驟2的襯底基板上，采用曝光
刻蝕工藝在襯底基板上形成像素電極的透過區(qū)和反射區(qū)，并采用曝光刻蝕工 藝刻蝕掉反射區(qū)的a型氧化銦錫而露出聚乙烯型氧化銦錫晶粒以形成反射區(qū) 圖形即可。
陣列基板實(shí)施例
本發(fā)明陣列基板實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖可參見圖9,可采用本發(fā)明陣列基 板制造方法的任一實(shí)施例技術(shù)方案來(lái)制造。該陣列基板包括襯底基板1， 形成在襯底基板l上的柵極掃描線、薄膜晶體管20、數(shù)據(jù)線、以及覆蓋在最 上層的鈍化層9及鈍化層過孔7,該薄膜晶體管20包括柵極2、有源層8、 源電極5和漏電極6，其中鈍化層9上還設(shè)置有包括透過膜12和反射膜11 的像素電極，像素電極的較佳厚度是2000 A左右，該像素電極的透過膜12 和反射膜11同層設(shè)置，且覆蓋在除薄膜晶體管20以外的襯底基板1上；該
12透過膜12的材質(zhì)為含有poly-ITO晶粒的a-ITO;該反射膜11包括作為反射 區(qū)圖形的poly-ITO晶粒和覆蓋在反射區(qū)圖形，即poly-ITO晶粒上的金屬膜 13。
本實(shí)施例陣列基板采用poly-ITO晶粒作為反射膜中所需的顆粒物。晶粒 的形狀、尺寸、間隙和分布可以通過設(shè)定a型氧化銦錫沉積厚度和沉積溫度 來(lái)控制，且釆用結(jié)晶形式形成的晶粒，相比于樹脂刻蝕形成的顆粒物，避免 了顆粒物分布均一化高的缺陷。現(xiàn)有技術(shù)的樹脂顆粒物只適應(yīng)于反射波長(zhǎng)為 入，入/2的光線，而本實(shí)施例中的poly-ITO晶粒適應(yīng)于反射波長(zhǎng)為入，入/2， 入/4，入/8的光線，使得陣列基板上反射膜的漫反射效果顯著提高。
本實(shí)施例技術(shù)方案poly-ITO晶粒可以a-ITO結(jié)晶形成，所以不必在制備 過程中引入新的材料，該陣列基板充分利用了已有的陣列基板生產(chǎn)材料，能 夠降低材料成本。并且因?yàn)椴灰胄虏牧?，所以避免了新材料的加工?duì)原有 結(jié)構(gòu)或加工工藝的影響限制，能夠簡(jiǎn)化生產(chǎn)工序，提高生產(chǎn)效率，降#<生產(chǎn) 成本。
本實(shí)施例陣列基板的技術(shù)方案可以適用于多種形式的半透過型液晶顯示 裝置的反射部分，例如扭曲向列(Twisted Nematic，簡(jiǎn)稱TN)型，平面轉(zhuǎn) 換(In-Plane Switching,簡(jiǎn)稱IPS)型，邊緣場(chǎng)開關(guān)(Fringe Field Switching,簡(jiǎn)稱FFS)型，充分發(fā)揮各類液晶顯示裝置的優(yōu)點(diǎn)。
液晶顯示裝置實(shí)施例
如圖11所示為本發(fā)明液晶顯示裝置具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，該液晶顯 示裝置采用本發(fā)明的陣列基板300，陣列基板300的具體結(jié)構(gòu)可參見圖9所 示，該液晶顯示裝置的主要部件還包括與該陣列基板300對(duì)盒設(shè)置形成液 晶面板的彩膜基板500;設(shè)置在彩膜基板500和陣列基板300之間的液晶層 400;設(shè)置在液晶面板的陣列基板300外側(cè)的背光模組200,背光模組200發(fā) 出的光線可以通過陣列基板300上的透過區(qū)的透過膜射出，為液晶層4 00提 供光源，同時(shí)陣列基板300的反射膜可以對(duì)從彩膜基板500射入液晶面板的 外界光線進(jìn)行漫反射，從而為液晶層400提供光源。該液晶顯示裝置的外側(cè)還設(shè)有外框架IOO,起固定支撐作用。
本實(shí)施例液晶顯示裝置可以采用本發(fā)明陣列基板任一實(shí)施例的技術(shù)方 案，可以兼具透過型液晶顯示裝置和反射型液晶顯示裝置的優(yōu)點(diǎn)，既可以獲
取背光模組提供的光源，也能夠利用外界光線作為光源，且采用poly-IT0晶 粒作為反射膜中所需的顆粒物，可以通過設(shè)定a型氧化銦錫沉積厚度和沉積 溫度來(lái)控制晶粒的尺寸和間隙分布，提高漫反射的反射效率。本實(shí)施例技術(shù) 方案poly-IT0晶?？梢詀-IT0結(jié)晶形成，所以不必在制備過程中引入新的材 料，充分利用了已有的陣列基板生產(chǎn)材料，能夠降低材料成本。并且因?yàn)椴?會(huì)引入新材料，所以避免了新材料的加工對(duì)原有結(jié)構(gòu)或加工工藝的影響限制， 因此能夠筒化生產(chǎn)工序，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其 限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或 者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技
術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種陣列基板制造方法，其特征在于包括步驟1、在襯底基板上采用構(gòu)圖工藝形成柵極掃描線、薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線、以及覆蓋在最上層的鈍化層及過孔；步驟2、在完成步驟1的所述襯底基板上、在設(shè)定溫度下沉積a型氧化銦錫，在所述a型氧化銦錫中結(jié)晶形成聚乙烯型氧化銦錫晶粒；步驟3、在完成步驟2的所述襯底基板上，采用構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成像素電極，所述像素電極包括透過區(qū)和反射區(qū)，并采用曝光刻蝕工藝刻蝕掉所述反射區(qū)的a型氧化銦錫而露出所述聚乙烯型氧化銦錫晶粒以形成反射區(qū)圖形；步驟4、在完成步驟3的所述襯底基板上沉積金屬材料，采用構(gòu)圖工藝在所述反射區(qū)圖形上形成金屬膜。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制造方法，其特征在于所述步驟2 中的設(shè)定溫度取值范圍是80 ~ 15 0°C 。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟3 具體為步驟31、在完成步驟2的所述襯底基板上涂覆光刻膠，采用掩模板進(jìn)行 曝光處理，且對(duì)所述反射區(qū)的光刻膠進(jìn)行半曝光處理，以使所述反射區(qū)光刻 膠的厚度小于所述透過區(qū)光刻膠的厚度；步驟32、采用氧化銦錫刻蝕劑刻蝕掉襯底基板上除所述透過區(qū)和反射區(qū) 之外的區(qū)域上的a型氧化銦錫和聚乙烯型氧化銦錫晶粒，形成像素電極的所 述透過區(qū)和反射區(qū)；步驟33、采用光刻膠灰化劑去除反射區(qū)上涂覆的光刻膠；步驟34、采用a型氧化銦錫刻蝕劑刻蝕掉所述反射區(qū)的a型氧化銦錫而 露出所述聚乙烯型氧化銦錫晶粒以形成反射區(qū)圖形。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板制造方法，其特征在于所述步驟 31中形成在所述透過區(qū)上的光刻膠厚度為所述反射區(qū)上光刻膠厚度的2倍。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟3 具體為步驟301、在完成步驟2的所述襯底基板上涂覆光刻膠，而后采用掩模板 進(jìn)行曝光處理，保留所述透過區(qū)和所述反射區(qū)上的光刻膠；步驟302、在完成步驟301的所述襯底基板上，采用氧化銦錫刻蝕劑刻蝕 掉襯底基板上除所述透過區(qū)和反射區(qū)之外的區(qū)域上的a型氧化銦錫和聚乙烯 型氧化銦錫晶粒，形成像素電極的所述透過區(qū)和反射區(qū)；步驟303、在完成步驟302的所述襯底基板上涂覆光刻膠，而后采用掩模 板進(jìn)行曝光處理，保留所述透過區(qū)上的光刻膠；步驟304、在完成步驟303的所述襯底基板上，采用a型氧化銦錫刻蝕劑 刻蝕掉所述反射區(qū)上的a型氧化銦錫而露出所述聚乙烯型氧化銦錫晶粒以形 成反射區(qū)圖形。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1 5所述的任一陣列基板制造方法，其特征在于，步 驟2中在完成步驟1的所述襯底基板上沉積a型氧化銦錫具體為在完成步 驟1的所述襯底基板上沉積厚度為2000A的a型氧化銦錫。
7、 一種陣列基板，包括村底基板和形成在所述襯底基板上的柵極掃描 線、薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線、以及覆蓋在最上層的鈍化層及過孔，其特征在于 所述鈍化層上還設(shè)置有包括透過膜和反射膜的像素電極，所述像素電極覆蓋 在除所述薄膜晶體管以外的襯底基板上；所述透過膜的材質(zhì)為含有聚乙烯型 氧化銦錫晶粒的a型氧化銦錫；所述反射膜包括作為反射區(qū)圖形的聚乙烯型 氧化銦錫晶粒和覆蓋在所述反射區(qū)圖形上的金屬膜。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于所述像素電極的厚度 為2000A。
9、 一種采用權(quán)利要求7或8所述的陣列基板的液晶顯示裝置，其特征在 于包括由彩膜基板和所述陣列基板對(duì)盒形成的液晶面板；設(shè)置在所述彩膜 基板和所述陣列基板之間的液晶層；設(shè)置在所述液晶面板的所述陣列基板外 側(cè)的背光模組。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示裝置。該方法包括在襯底基板已形成的鈍化層上、在設(shè)定溫度下沉積a型氧化銦錫，并結(jié)晶形成聚乙烯型氧化銦錫晶粒；采用構(gòu)圖工藝形成像素電極的透過區(qū)和反射區(qū)，并刻蝕掉反射區(qū)的a型氧化銦錫而露出聚乙烯型氧化銦錫晶粒；在反射區(qū)的聚乙烯型氧化銦錫晶粒上形成金屬膜。該陣列基板的鈍化層上還設(shè)置有同層設(shè)置的透過膜和反射膜作為像素電極，透過膜的材質(zhì)為含有聚乙烯型氧化銦錫晶粒的a型氧化銦錫；反射膜包括聚乙烯型氧化銦錫晶粒和覆蓋在聚乙烯型氧化銦錫晶粒上的金屬膜。該液晶顯示裝置采用本發(fā)明的陣列基板。本發(fā)明改善了液晶顯示裝置反射膜的反射效果，且能提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101552241SQ20081010343
公開日2009年10月7日 申請(qǐng)日期2008年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月3日
發(fā)明者劉圣烈 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司