專利名稱：薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)及制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD, Thin Film Transistor- Liquid Crystal Display )技術(shù)，尤其涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)及其制 作方法。
背景技術(shù)：
近年來，TFT-LCD因其體積小、重量輕、功耗低且無輻射等優(yōu)點(diǎn)，在當(dāng)前 的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD顯示屏是由陣列玻璃基板和彩膜 玻璃基板對(duì)盒，其間抽真空后封灌液晶材料。TFT-LCD顯示屏形成幾十萬到上 百萬的像素陣列，每個(gè)像素通過TFT的控制來顯示圖像。
圖1為現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的放大示意圖，如圖l所示， 現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)包括柵線IO和數(shù)據(jù)線11，柵線IO和數(shù)據(jù) 線11交叉定義一個(gè)像素單元，每一像素單元包括一像素電極和一薄膜晶體管， 每一薄膜晶體管包括柵極、有源層12、源極和漏極；其中有源層12形成在柵 極上，源漏電極形成在有源層12上；柵極與柵線一體連接，源極與數(shù)據(jù)線一體 連接，漏極通過過孔110與像素電極13連接，上述結(jié)構(gòu)源、漏極之間的有源層 12區(qū)域形成圖示的TFT溝道。柵極打開后，源漏極通過溝道向像素電極層13 提供電流，電流的強(qiáng)度與TFT溝道的寬長(zhǎng)比有著密切關(guān)系，寬長(zhǎng)比越高，TFT 溝道的電流強(qiáng)度就越大，像素電極13的充電效率越高，顯示效果就越好。如圖 1所示，TFT溝道的寬W=a+b+c， TFT溝道的長(zhǎng)L=d。雖然圖示TFT溝道的電 流強(qiáng)度可滿足目前液晶顯示器的顯示要求，但顯示效果仍有較大的提升空間， 由于結(jié)構(gòu)的限制，目前TFT溝道的寬長(zhǎng)比基本已達(dá)到極限值。另外，現(xiàn)有的 TFT溝道構(gòu)圖工藝采用的是傳統(tǒng)的4mask技術(shù)中的狹縫構(gòu)圖工藝，因此TFT溝道部分容易產(chǎn)生殘留短路現(xiàn)象，或者導(dǎo)致過刻斷路， 一旦出現(xiàn)短路或斷路，相
應(yīng)的TFT-LCD像素即失效，這將嚴(yán)重影響TFT-LCD的顯示品質(zhì)。
以下介紹現(xiàn)有TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的4mask (在像素結(jié)構(gòu)的制造過程中，掩 膜曝光工藝所需的成本最高，因此業(yè)內(nèi)將像素結(jié)構(gòu)制造完成所需要的掩膜次數(shù), 視為工藝的復(fù)雜程度，需要幾次掩膜工藝，則稱為幾mask工藝)制作工藝。
為了提高產(chǎn)能，TFT-LCD制作工藝已由原來的五次掩膜(5mask)改進(jìn)為 四次掩膜(4mask )設(shè)計(jì)工藝，目前4mask普遍的設(shè)計(jì)工藝過程如下
步驟l:在襯底基板上進(jìn)行柵金屬層沉積，進(jìn)行光刻膠涂敷、掩膜、曝光、 刻蝕等構(gòu)圖工藝形成事先設(shè)計(jì)的柵線和柵極等圖形；
步驟2:多層膜沉積，進(jìn)行光刻膠涂敷、掩膜、曝光、刻蝕等構(gòu)圖工藝形 成事先設(shè)計(jì)的有源層、數(shù)據(jù)線、源漏極和溝道等圖形；該步驟構(gòu)圖工藝中掩膜 工藝為灰色調(diào)掩膜(GTM， Gray Tone Mask )工藝或半色調(diào)掩膜(HTM， Half Tone Mask)工藝；
步驟3:鈍化層沉積，進(jìn)行光刻膠涂敷、掩膜、曝光、刻蝕等構(gòu)圖工藝， 形成事先設(shè)計(jì)的鈍化層圖形，并在漏極需要與像素電極連接的部位等部分形成 過孔；
步驟4:像素電極層沉積，進(jìn)行光刻膠涂敷、掩膜、曝光、刻蝕等構(gòu)圖工 藝，形成事先設(shè)計(jì)的像素電極圖形。
目前TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的4mask設(shè)計(jì)工藝雖然提高了 TFT-LCD的產(chǎn)能， 但仍不能滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求?，F(xiàn)有的源漏平面溝道結(jié)構(gòu)，利用第2次掩 膜工藝中的灰色調(diào)掩膜工藝或半色調(diào)掩膜工藝而形成的，由于該工藝目前生產(chǎn) 條件的不穩(wěn)定，非常容易在TFT溝道內(nèi)形成殘留短路和過刻斷路，嚴(yán)重影響良 品率。并且，現(xiàn)有TFT溝道的寬長(zhǎng)比基本達(dá)到設(shè)計(jì)極限，基本沒有提升TFT-LCD 顯示效果的空間。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種側(cè)柵極TFT結(jié)構(gòu)且是3次mask的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)及制作方法，能顯著改善像素的顯示效果、
提高產(chǎn)品生產(chǎn)效率。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的
一種薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，包括有柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù) 據(jù)線交叉形成像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括至少 一薄膜晶體管和一像素電極， 所述薄膜晶體管的源極形成在最底層，所述源極上依次為有源層和漏極，所述
源極與數(shù)據(jù)線連接、漏極與像素電極連接；所述柵極形成在有源層的側(cè)面，并 與柵線連接；所述有源層的側(cè)面、與有源層的側(cè)面相對(duì)的柵才及部分構(gòu)成垂直向 的電流溝道，即形成側(cè)^H及溝道。
優(yōu)選地，所述有源層為三層結(jié)構(gòu)，由上至下依次為摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo) 體層、摻雜半導(dǎo)體層；
所述像素電極連接于有源層的上摻雜半導(dǎo)體層，所述源極與有源層的下?lián)?雜半導(dǎo)體層連接。
優(yōu)選地，所述摻雜半導(dǎo)體層為N+a-Si層，所述半導(dǎo)體層為a-Si層。 優(yōu)選地，所述像素電極、漏極及柵極與所述柵線、數(shù)據(jù)線及有源層之間形 成有絕緣層。
優(yōu)選地，所述漏極與有源層之間通過絕緣層上的過孔連接；所述柵極與所 述柵線之間通過絕緣層上的過孔連接。
優(yōu)選地，所述柵線、數(shù)據(jù)線及源極由同一次構(gòu)圖工藝中的相同材質(zhì)形成。 優(yōu)選地，所述像素電極、漏極及柵極由同一次構(gòu)圖工藝中的相同材質(zhì)形成。 一種薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括
步驟一在村底基板上沉積金屬層和有源層，進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成柵線、 數(shù)據(jù)線和有源層的結(jié)構(gòu)；其中，數(shù)據(jù)線的一部分作為源極，所述有源層形成于 源極上；
步驟二在當(dāng)前的襯底基板上沉積絕緣層，在柵線及有源層連接電極層處 進(jìn)行構(gòu)圖，去除連接電極層處的絕緣層，形成過孔；
步驟三沉積電極層，進(jìn)行構(gòu)圖，至少形成像素電極、柵極；其中像素電極的一部分用作薄膜晶體管的漏極，通過過孔與有源層連接；柵極形成在有源
層的側(cè)面，并通過過孔與柵線連接，有源層的側(cè)面、與有源層的側(cè)面相對(duì)的柵 極部分構(gòu)成垂直向的電流溝道，即形成側(cè)一冊(cè)^l溝道。
優(yōu)選地，步驟一中的構(gòu)圖釆用的是灰色調(diào)掩膜工藝或半色調(diào)掩膜工藝。
優(yōu)選地，所述有源層為三層結(jié)構(gòu)，由上至下依次為摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo) 體層、摻雜半導(dǎo)體層；
所述像素電極連接于有源層的上N+ a-Si層，所述源極與有源層的下N+ a-Si層連接。
優(yōu)選地，所述摻雜半導(dǎo)體層為N+a-Si層，所述半導(dǎo)體層為a-Si層。 本發(fā)明將柵金屬層、數(shù)據(jù)金屬層設(shè)計(jì)為同層結(jié)構(gòu)，柵金屬層形成于數(shù)據(jù)金 屬層的一側(cè)，有源層層形成于數(shù)據(jù)金屬層上，最后沉積電極層，并將電極層刻 蝕、剝離為至少兩部分用作像素點(diǎn)的像素電極層、用作柵極的電極層，其中， 用作像素點(diǎn)的電極層與有源層連接并作為源極，用作柵極的電極層與柵金屬層 連接作為柵電極，用作柵極的電極層的一部分與有源層之間構(gòu)成垂直向的TFT 溝道，而柵極在垂直TFT溝道的側(cè)面，即側(cè)柵極TFT結(jié)構(gòu)?；谶@種結(jié)構(gòu)，本 發(fā)明TFT溝道的寬W與溝道的長(zhǎng)L之間有數(shù)量級(jí)上的差異，因此其比值遠(yuǎn)大 于現(xiàn)有TFT溝道的寬長(zhǎng)比，明顯提高了 TFT溝道的電流強(qiáng)度，很好地改善了 TFT-LCD的顯示效果。本發(fā)明的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)采用3次mask即可實(shí)現(xiàn)， 因此減少了 TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作步驟，提高了 TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作 效率，降低了成本。另外，由于本發(fā)明形成TFT溝道的構(gòu)圖工藝為普通的構(gòu)圖 技術(shù)，TFT溝道部分不容易產(chǎn)生殘留短路和過刻斷路現(xiàn)象，提高了良品率。


圖l為現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器像素結(jié)構(gòu)的放大示意圖2為本發(fā)明第一實(shí)施列的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖3為圖2中A-A剖面示意圖4為圖2中B-B剖面示意圖；圖5為圖2中C-C剖面示意圖6為本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)第一次構(gòu)圖工藝完成后的 示意圖7為本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)第二構(gòu)圖工藝后的示意
圖8為本發(fā)明第二實(shí)施例薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖； 圖9為圖8中D-D剖面示意圖IO為本發(fā)明第三實(shí)施例薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖； 圖11為圖10中E-E剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，包括柵線和數(shù)據(jù)線、 柵線和數(shù)據(jù)線交叉定義一個(gè)像素區(qū)域，每一個(gè)像素區(qū)域包括至少一薄膜晶體管 和一像素電極，其中所述的薄膜晶體管的源極形成在最底層，其上依次為摻雜 半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層和漏極，薄膜晶體管的源極與數(shù)據(jù)線連接、 漏極與像素電極連接；薄膜晶體管的柵極形成在摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層、摻 雜半導(dǎo)體層的側(cè)面，并與柵線連接。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，由于柵 極形成在有源層(摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層、摻雜半導(dǎo)體層)的側(cè)面從而構(gòu)成 垂直向的TFT溝道，即側(cè)柵極TFT結(jié)構(gòu)。基于這種結(jié)構(gòu)，本發(fā)明TFT溝道的 寬W與溝道的長(zhǎng)L之間有數(shù)量級(jí)上的差異，因此其比值遠(yuǎn)大于現(xiàn)有TFT溝道 的寬長(zhǎng)比，明顯提高了 TFT溝道的電流強(qiáng)度，很好地改善了 TFT-LCD的顯示 效果。
以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖2為本發(fā)明第一實(shí)施列的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖，圖 3為圖2中A-A剖面示意圖、圖4為圖2中B-B剖面示意圖、圖5為圖2中 C-C剖面示意圖，以下結(jié)合圖3、圖4及圖5詳細(xì)說明本發(fā)明TFT-LCD的像素 結(jié)構(gòu)。如圖2、圖3、圖4和圖5所示，本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)包括柵線25和數(shù)據(jù)線22,數(shù)據(jù)線22在與柵線21交叉的位置處斷開，本實(shí) 施例中優(yōu)選柵線25和數(shù)據(jù)線22為同一層金屬層進(jìn)行構(gòu)圖形成的，材質(zhì)相同； 薄膜晶體管的源極為數(shù)據(jù)線22的一部分，其上依次形成有有源層27 (包括摻 雜半導(dǎo)體層N十a(chǎn)-Si層、半導(dǎo)體層a-Si層、摻雜半導(dǎo)體層N+a-Si層)，本實(shí)施 例中最上層為摻雜半導(dǎo)體層270,中間為半導(dǎo)體層271,最下層為摻雜半導(dǎo)體層 272，其中，摻雜半導(dǎo)體層270、 271具體為N+ a-Si層，半導(dǎo)體層271為a-Si 層；絕緣層28形成在上述部件上方，并在有源層27上方的絕緣層28上形成漏 極過孔230、在4冊(cè)線21上方的絕緣層28上形成一冊(cè)4及過孔210、數(shù)據(jù)線22斷開 位置處形成數(shù)據(jù)線連接過孔260以及陣列基板其他需要連接的部位形成過孔； 像素電極23形成在柵線25和數(shù)據(jù)線22交叉限定的像素區(qū)域的絕緣層28上， 像素電極23的一部分用作薄膜晶體管的漏極，該漏極通過漏極過孔230與有源 層27上方的摻雜半導(dǎo)體層連接；薄膜晶體管的柵極21形成于源層27的側(cè)面、 或側(cè)面及側(cè)面上的絕緣層28上，呈U形將有源層27環(huán)繞起來，柵極21通過 柵極過孔210與柵線連接；數(shù)據(jù)線連接線26形成在數(shù)據(jù)線22斷開位置處絕緣 層28的上方，并通過數(shù)據(jù)線連接過孔26將斷開的數(shù)據(jù)線連接起來；本實(shí)施例 中，優(yōu)選柵極21、數(shù)據(jù)線連接線26和像素電極23為同一薄膜構(gòu)圖形成的，材 質(zhì)相同。
上述側(cè)面構(gòu)成垂直向的TFT溝道的寬W即為圖2所示的Wl+2xW2， TFT 溝道的長(zhǎng)L為圖3所示的有源層27的厚度。
圖8為本發(fā)明第二實(shí)施列的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖，圖 9為圖8中D-D剖面示意圖，本實(shí)施列中的薄膜晶體管顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意 圖同第一實(shí)施列中的相比，區(qū)別特征在于，本實(shí)施例中的柵極21僅形成于有源 層27的一邊的側(cè)邊、或側(cè)邊及側(cè)邊上的絕緣層28上。
上述TFT溝道的寬W即為圖8所示的W3, TFT溝道的長(zhǎng)L為圖9所示的 有源層27的厚度。
圖10為本發(fā)明第三實(shí)施例薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)示意圖，圖 11為圖10中E-E剖面示意圖，本實(shí)施例薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)與第二實(shí)施例類似，區(qū)別之處在于，圖10中的像素電極的形狀與圖8中的像素電極形狀不同。柵極21也是僅形成于有源層27的一邊的側(cè)邊、或側(cè)邊及側(cè)邊上的絕緣層28上，這里不再贅述。上述側(cè)面構(gòu)成垂直向的TFT溝道的寬W即為圖IO所示的W4， TFT溝道的長(zhǎng)L為圖11所示的有源層27的厚度。
上述各實(shí)施例中，TFT溝道的寬W是微米量級(jí)，有源層的厚度即為溝道的長(zhǎng)L，有源層的厚度是零點(diǎn)幾個(gè)微米量級(jí)，相比較現(xiàn)有源漏平面溝道結(jié)構(gòu)中的寬長(zhǎng)比，至少可以提高一個(gè)數(shù)量級(jí)，進(jìn)而大大提高了溝道的充電效率，提高了顯示器的品質(zhì)。
另外，上述實(shí)施例中，柵線25和數(shù)據(jù)線22交叉時(shí)，數(shù)據(jù)線22斷開，通過后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線連接線26進(jìn)行連接；同樣也可在柵線25和數(shù)據(jù)線22交叉時(shí)，將柵線25斷開，通過后續(xù)形成柵線連接線26進(jìn)行連接，其基本原理一樣，這里也不再贅述。
以下說明本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作方法。
本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟
步驟一在襯底基板20上沉積金屬層和有源層27，進(jìn)行光刻膠涂敷、掩膜、曝光和刻蝕等構(gòu)圖工藝(簡(jiǎn)稱第l次mask),形成柵線25、數(shù)據(jù)線22和有源層27的結(jié)構(gòu)，圖6為本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)第一次構(gòu)圖工藝完成后的示意圖，如圖6所示，其中，數(shù)據(jù)線22在與柵線25交叉的位置處斷開，數(shù)據(jù)線22的一部分形成薄膜晶體管的源極；有源層27層形成于源極上。
步驟二在當(dāng)前的襯底基板上沉積絕緣層28,即在圖6所示的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上再沉積絕緣層28，進(jìn)行光刻膠涂敷、掩膜、曝光和刻蝕等構(gòu)圖工藝，在需要進(jìn)行電連接的部位形成過孔，圖7為本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)第二構(gòu)圖工藝后的示意圖，如圖7所示，形成的過孔包括漏極過孔230、柵極過孔210、數(shù)據(jù)線連接過孔260。
步驟三沉積電極層，進(jìn)行光刻膠涂敷、掩膜、曝光和刻蝕等構(gòu)圖工藝，形成像素電極23、柵極21和數(shù)據(jù)線連接線26等圖形；其中像素電極23圖形的一部分用作薄膜晶體管的漏極，并通過漏極過孔230與有源層27連接；柵極21形成在有源層的側(cè)面、或側(cè)面及側(cè)面上的絕緣層28上，其形成的形狀可以為環(huán)繞有源層的U型或者為與有源層27—面相對(duì)的直線型，具體可參照?qǐng)D2、圖8和圖10所示，4冊(cè)極21通過過孔與^f冊(cè)線25連接。
其中，步驟一 中構(gòu)圖采用的是灰色調(diào)掩膜(GTM， Gray Tone Mask)工藝或半色調(diào)掩膜(HTM, Half Tone Mask )工藝，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，GTM、HTM工藝均為現(xiàn)有成熟工藝，這里不再贅述其細(xì)節(jié)。有源層27為三層結(jié)構(gòu)，具體可依次為最上層為摻雜半導(dǎo)體層270，中間為半導(dǎo)體層271，最下層為摻雜半導(dǎo)體層272，其中，摻雜半導(dǎo)體層270、 271具體為N+ a-Si層，半導(dǎo)體層271為a-Si層；有源層27的摻雜半導(dǎo)體層272直接連接于數(shù)據(jù)線22構(gòu)成漏極；像素電極23的一部分通過過孔230連接于有源層的摻雜半導(dǎo)體層270，構(gòu)成源極；柵極21的一部分形成于有源層27的側(cè)面，有源層27的側(cè)面、與有源層27的側(cè)面相對(duì)的 一冊(cè)^l構(gòu)成垂直向的TFT溝道。
本發(fā)明TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的寬W與溝道的長(zhǎng)L之間有數(shù)量級(jí)上的差異，其比值較現(xiàn)有技術(shù)有數(shù)量級(jí)上的差異，明顯提高了 TFT溝道的充電的效率，從而很好地改善了 TFT-LCD的顯示效果。本發(fā)明的TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)采用3次mask即可實(shí)現(xiàn)，因此減少了 TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作步驟，提高了TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作效率，降低了成本。另外，由于本發(fā)明形成TFT溝道的構(gòu)圖工藝為普通的構(gòu)圖技術(shù)，TFT溝道部分不易產(chǎn)生殘留短路和過刻斷路現(xiàn)象，提高了良品率。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，包括有柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括至少一薄膜晶體管和一像素電極，其特征在于，所述薄膜晶體管的源極形成在最底層，所述源極上依次為有源層和漏極，所述源極與數(shù)據(jù)線連接、漏極與像素電極連接；所述柵極形成在有源層的側(cè)面，并與柵線連接；所述有源層的側(cè)面、與有源層的側(cè)面相對(duì)的柵極部分構(gòu)成垂直向的電流溝道，即形成側(cè)柵極溝道。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述有源層為三層結(jié)構(gòu)，由上至下依次為摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層、摻雜半 導(dǎo)體層；所述像素電極連接于有源層的上摻雜半導(dǎo)體層，所述源極與有源層的下?lián)?雜半導(dǎo)體層連接。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述摻雜半導(dǎo)體層為N+a-Si層，所述半導(dǎo)體層為a-Si層。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述像素電極、漏極及柵極與所述柵線、數(shù)據(jù)線及有源層之間形成有絕緣層。
5 、根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述漏極與有源層之間通過絕緣層上的過孔連接；所述柵極與所述柵線之間通 過絕緣層上的過孔連接。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述柵線、數(shù)據(jù)線及源極由同 一次構(gòu)圖工藝中的相同材質(zhì)形成。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于， 所述像素電極、漏才及及4冊(cè)極由同 一次構(gòu)圖工藝中的相同材質(zhì)形成。
8、 一種薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，該方 法包括步驟一在襯底基板上沉積金屬層和有源層，進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成柵線、數(shù)據(jù)線和有源層的結(jié)構(gòu)；其中，數(shù)據(jù)線的一部分作為源極，所述有源層形成于 源極上；步驟二在當(dāng)前的襯底基板上沉積絕緣層，在柵線及有源層連接電極層處 進(jìn)行構(gòu)圖，去除連接電極層處的絕緣層，形成過孔；步驟三沉積電極層，進(jìn)行構(gòu)圖，至少形成像素電極、柵極；其中像素電 極的一部分用作薄膜晶體管的漏極，通過過孔與有源層連接；柵極形成在有源 層的側(cè)面，并通過過孔與一冊(cè)線連接，有源層的側(cè)面、與有源層的側(cè)面相對(duì)的柵 極部分構(gòu)成垂直向的電流溝道，即形成側(cè)一冊(cè)4及溝道。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于，步驟一中的構(gòu)圖釆用的是灰色調(diào)掩膜工藝或半色調(diào)掩膜工藝。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制作方法， 其特征在于，所述有源層為三層結(jié)構(gòu)，由上至下依次為摻雜半導(dǎo)體層、半導(dǎo) 體層、摻雜半導(dǎo)體層；所述像素電極連接于有源層的上摻雜半導(dǎo)體層，所述源極與有源層的下?lián)?雜半導(dǎo)體層連接。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)的制作方 法，其特征在于，所述摻雜半導(dǎo)體層為N+a-Si層，所述半導(dǎo)體層為a-Si層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，涉及TFT-LCD技術(shù)，為解決當(dāng)前TFT-LCD顯示效果不佳及工藝繁雜而提出，所采用的技術(shù)方案是包括有柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線交叉形成像素區(qū)域，所述像素區(qū)域包括至少一薄膜晶體管和一像素電極，所述薄膜晶體管的源極形成在最底層，所述源極上依次為有源層和漏極，所述源極與數(shù)據(jù)線連接、漏極與像素電極連接；所述柵極形成在有源層的側(cè)面，并與柵線連接；所述有源層的側(cè)面、與有源層的側(cè)面相對(duì)的柵極部分構(gòu)成垂直向的電流溝道，即形成側(cè)柵極溝道。本發(fā)明同時(shí)公開了一種前述像素結(jié)構(gòu)的制作方法。本發(fā)明明顯提高了TFT溝道的電流強(qiáng)度，改善了TFT-LCD的顯示效果，提高了TFT-LCD像素結(jié)構(gòu)的制作效率。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101546077SQ200810102789
公開日2009年9月30日 申請(qǐng)日期2008年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月26日
發(fā)明者何祥飛, 威 王 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司