專利名稱：母板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置及其制造方法，特別是一種母板及其制造 方法。
背景技術(shù)：
近年來，液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,簡稱LCD)產(chǎn)品發(fā) 展十分迅猛，越來越多高品質(zhì)的液晶顯示器逐漸上市，其應(yīng)用領(lǐng)域也不斷拓 寬。液晶顯示面板的主體結(jié)構(gòu)包括對盒在一起將液晶物質(zhì)填充其間的彩膜基 板和陣列基板，利用電場進(jìn)行液晶分子的取向控制，通過液晶折射率各向異 性使透射率發(fā)生變化，以進(jìn)行顯示。為使液晶分子得到一樣的排列，彩膜基 板和陣列基板的內(nèi)表面上均涂敷有取向膜。目前的取向技術(shù)主要采用摩擦 (robbing)法實現(xiàn)，所謂摩擦法就是利用尼龍、纖維或棉絨等材料按一定方 向摩擦取向膜，使取向膜表面狀況發(fā)生改變，對液晶分子產(chǎn)生均一的錨定作 用，從而使液晶分子在彩膜基板和陣列基板之間的某一區(qū)域內(nèi)以一定的預(yù)傾 角呈現(xiàn)均勻、 一致的排列。在LCD生產(chǎn)過程中，液晶分子取向技術(shù)是十分重 要的，取向效果對于LCD的均一性、視角、色差、響應(yīng)速度、閣值電壓等基 本性能都有重要影響，好的取向可以增大顯示容量、提高顯示品質(zhì)。
圖10為現(xiàn)有技術(shù)母板形成取向膜后的平面圖，圖11為圖10中C-C向剖 面圖。如圖10、圖11所示，玻璃基板10上形成二個面板區(qū)域20,面板區(qū)域 20內(nèi)的有效顯示區(qū)域為取向膜30，每個面板區(qū)域20的四周分別設(shè)置有虛擬 區(qū)域40，虛擬區(qū)域40與面板區(qū)域20相距一定距離?，F(xiàn)有技術(shù)設(shè)置虛擬區(qū)域 40的目的是為了在取向膜摩擦取向處理中減少摩擦水印(robbing mura ), 一般在虛擬區(qū)域40內(nèi)設(shè)置有與取向膜30高度相同的虛擬圖案Uu,ypattern )。
隨著液晶顯示裝置生產(chǎn)線從第一代發(fā)展到第六代，所加工的基板玻璃尺 寸也由第一代的320mm x 400 mm發(fā)展到第六代的1500mm x 1800,、 1800mm x 2000nim。隨著所加工的基板玻璃尺寸的增大，摩擦取向使用的摩擦頭重量增 加，在整個基板范圍內(nèi)獲得完全均一取向的難度也越來越大，同時陣列邊緣 區(qū)域出現(xiàn)嚴(yán)重的取向角不均勻。
圖12為現(xiàn)有技術(shù)摩擦取向的示意圖，摩擦頭50從玻璃基板的左側(cè)向右 側(cè)摩擦?xí)r，由于面板區(qū)域與虛擬區(qū)域的高度不同，使摩擦?xí)r位于面板區(qū)域兩 端的摩擦頭沒有支撐，導(dǎo)致上部邊緣區(qū)域31和下部邊緣區(qū)域32摩擦?xí)r受到 摩擦壓力不同，尤其是在摩擦開始時發(fā)生取向膜方向誤差時，該誤差將在后 續(xù)摩擦?xí)r繼續(xù)施加影響，在取向膜上部邊緣區(qū)域31和下部邊緣區(qū)域32引發(fā) 取向角的急劇不均勻，進(jìn)而產(chǎn)生摩擦水印，降低了畫面品質(zhì)。。
圖13為現(xiàn)有技術(shù)摩擦取向后取向膜邊緣區(qū)域取向角變化曲線圖，圖中橫 坐標(biāo)為距離母板上部的距離，縱坐標(biāo)為取向角變化量，a處為母板上部，b處 為距離母板上部5mm位置。圖13表明，現(xiàn)有技術(shù)一般會在5mm左右的取向膜 邊緣區(qū)域產(chǎn)生O. 5° ~2°的取向角不均勻變化，導(dǎo)致在同一電壓下的該邊緣 區(qū)域透射率增加，使得該邊緣區(qū)域與正常區(qū)域相比顯得更亮，很容易被肉眼 識別。相同地，距離母板下部5ram位置的取向膜邊緣區(qū)域也會出現(xiàn)取向角不 均勻現(xiàn)象。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種母板及其制造方法，有效解決現(xiàn)有技術(shù)摩擦取 向處理時邊緣區(qū)域取向角不均勻的缺陷。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種母板，包括至少一個面板區(qū)域和 至少一個虛擬區(qū)域，位于摩擦頭推進(jìn)起始側(cè)的所述虛擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置有依次排 列的數(shù)個水平臺，所述水平臺的高度從母板的端部到母板的中部逐漸降低。所述水平臺的高度可以是從母板的上部到母板的中部逐漸降低，也可以 是從母板的下部到母板的中部逐漸降低，還可以是從母板的上部和下部到母 板的中部逐漸降低。
相鄰水平臺之間的高度差為400A~ 4000A。優(yōu)選地，相鄰水平臺之間的 高度差為400A 800A。
所述面板區(qū)域包括數(shù)個疊置的第 一薄膜層。
所述水平臺包括至少一個疊置的第二薄膜層，所述第二薄膜層的材料和 厚度與所述第一薄膜層的材料和厚度相同。
所述水平臺可以由數(shù)個通過數(shù)量或厚度調(diào)整所述水平臺高度的第二薄膜 層組成。
在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述面板區(qū)域可以是LCD陣列面板，也可以是 LCD彩膜面板。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種母板的制造方法，包括步驟 準(zhǔn)備一個母板；
在所述母板上制備由數(shù)個第一薄膜層形成的至少一個面板區(qū)域和由至少 一個第二薄膜層形成的至少一個虛擬區(qū)域，位于摩擦頭推進(jìn)起始側(cè)的所述虛
擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置有依照第 一方向線性排列的數(shù)個水平臺，依照第 一方向所述水 平臺的高度從所述虛擬區(qū)域的端部到中部逐漸降低；
按照與第 一方向垂直的第二方向，摩擦頭從所述母板的一端向母板的另 一端移動并摩擦所述母板的表面。
相鄰水平臺之間的高度差為400A 4000A。優(yōu)選地，相鄰水平臺之間的 高度差為400A 800A。
所述水平臺可以由數(shù)個通過數(shù)量或厚度調(diào)整所述水平臺高度的第二薄膜 層組成。
所述水平臺的第 一薄膜層與面板區(qū)域的第二薄膜層同時形成。 在上述技術(shù)方案基礎(chǔ)上，所述面板區(qū)域可以是LCD陣列面板，也可以是LCD彩膜面板。
本發(fā)明提出了一種母板及其制造方法，通過在虛擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置階梯狀的 水平臺，改變了上部邊緣區(qū)域和/或下部邊緣區(qū)域內(nèi)摩擦頭對取向膜施加的壓 力，由此克服了現(xiàn)有技術(shù)摩擦取向處理時邊緣區(qū)域取向角不均勻的缺陷。與 現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生0.5。 ~2°的取向角不均勻變化相比，本發(fā)明在5mm左右的邊 緣區(qū)域只產(chǎn)生O. 2° ~0. 3°的取向角變化，不僅減少了摩擦水印的發(fā)生率， 而且可以弱化不良現(xiàn)象，降低不良現(xiàn)象造成的影響。
下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
圖1為本發(fā)明母板第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為圖1中A-A向剖視圖3為本發(fā)明摩擦取向后取向膜邊緣區(qū)域取向角變化曲線圖4為本發(fā)明母板第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖5為圖4中B-B向剖視圖6為本發(fā)明母板第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖7為本發(fā)明母板第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖8為本發(fā)明母板第五實施例的結(jié)構(gòu)示意圖9為本發(fā)明母板的制造方法的流程圖IO為現(xiàn)有技術(shù)母板形成取向膜后的平面圖U為圖10中C-C向剖面圖12為現(xiàn)有^t支術(shù)摩擦取向的示意圖13為現(xiàn)有技術(shù)摩擦取向后取向膜邊緣區(qū)域取向角變化曲線圖。 附圖標(biāo)記說明
10—玻璃基板； 20—面板區(qū)域； 30—取向膜；
31—上端邊緣區(qū)域； 32 —下端邊緣區(qū)域； 40—虛擬區(qū)域；40a—水平臺； 40b—水平臺； 50—摩擦頭。
具體實施例方式
圖1為本發(fā)明母板第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1中A-A向剖視 圖。如圖1、圖2所示，本實施例母板包括玻璃基板10，形成在玻璃基板IO 上的至少一個面板區(qū)域20和至少一個虛擬區(qū)域40,面板區(qū)域20內(nèi)的有效顯 示區(qū)域形成取向膜30，虛擬區(qū)域40設(shè)置在面板區(qū)域20的外部，虛擬區(qū)域40 與最外側(cè)的面板區(qū)域20相距一定距離，摩擦頭50用于對面板區(qū)域20內(nèi)的取 向膜30進(jìn)行摩擦取向處理。在摩擦頭50的推進(jìn)起始側(cè)(圖1中左側(cè))，從 母板的上部到母板的下部，虛擬區(qū)域40內(nèi)設(shè)置有數(shù)個依次排列的水平臺40a， 數(shù)個水平臺40a的高度從母板的上部到母板的中部逐漸降低。
本實施例通過在虛擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置階梯狀的水平臺，即母板上部的水平臺 高度高，從母板的上部到母板的中部水平臺高度逐漸降低。在摩擦取向開始 前摩擦頭經(jīng)過階梯狀水平臺時，摩擦頭被數(shù)個水平臺擠壓形成階梯狀的凹坑， 在摩擦取向過程中，當(dāng)摩擦頭摩擦取向膜上端邊緣區(qū)域31時，由于摩擦頭上 階梯狀凹坑的存在，改變了摩擦頭對取向膜上端邊緣區(qū)域31施加的壓力，在 摩擦取向進(jìn)行中使取向膜上端邊緣區(qū)域31獲得均勻的取向角，由此克服了現(xiàn) 有技術(shù)摩擦取向中邊緣區(qū)域取向角不均勻的缺陷。由于取向角不均勻 一般出 現(xiàn)在取向膜的邊緣區(qū)域，本實施例中階梯式水平臺可以只設(shè)置在取向膜的邊 緣區(qū)域，例如在母板上部5mm的邊緣區(qū)域。本實施例中，階梯式水平臺為分 體形態(tài)，由數(shù)個相互間隔的柱體組成，相鄰水平臺之間的高度差△ h為400A ~ 4000A,優(yōu)選為400A 800A,以保證取向角變化在允許范圍內(nèi)。
由于水平臺的最低高度等于取向膜的高度，因此水平臺的其它相關(guān)參數(shù) 可以根據(jù)實際生產(chǎn)確定。對于陣列基板，柵線和數(shù)據(jù)線金屬層厚度為4000A~ 4500A,柵絕緣層的厚度為4000A左右，半導(dǎo)體層(包括摻雜半導(dǎo)體層)的 厚度為2000A~ 2500A，鈍化層的厚度為2300A左右，像素電極層的厚度為800A左右，取向膜的厚度為800A左右，所以水平臺的最大高度h為1. 9 jam ~ 2. 5 n m 。
圖3為本發(fā)明摩擦取向后取向膜邊緣區(qū)域取向角變化曲線圖，圖中橫坐 標(biāo)為距離母板上部的距離，縱坐標(biāo)為取向角變化量，a處為母板上部，b處為 距離母板上部5mm位置。圖3表明，本實施例在5mm左右的邊緣區(qū)域只產(chǎn)生 0.2° ~0.3°的取向角變化，與現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)生0.5。 ~2°的取向角不均勻變 化相比，本實施例上述技術(shù)方案使邊緣區(qū)域具有非常小的取向角變化，不僅 減少了摩擦水印的發(fā)生率，而且可以弱化不良現(xiàn)象，降低不良現(xiàn)象造成的影 響。
本實施例中，面板區(qū)域可以是形成的LCD陣列面板，也可以是形成的LCD 彩膜面板。面板區(qū)域(LCD陣列面板或LCD彩膜面板)由數(shù)個疊置的第一薄 膜層組成，水平臺由至少一個疊置的第二薄膜層組成，優(yōu)選地，第二薄膜層 的材料和厚度與第一薄膜層的材料和厚度相同。在實際使用中，水平臺可以 通過第二薄膜層的數(shù)量來調(diào)整水平臺的高度，也可以通過第二薄膜層的厚度 來調(diào)整水平臺的高度。此外，母板的上部和下部還可以形成高度相同的虛擬 區(qū)域。
圖4為本發(fā)明母板第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為圖4中B-B向剖視 圖。如圖4、圖5所示，本實施例母板包括玻璃基板10、形成在玻璃基板IO 上的至少一個面板區(qū)域20和至少一個虛擬區(qū)域40，面板區(qū)域20內(nèi)的有效顯 示區(qū)域形成取向膜30，虛擬區(qū)域40設(shè)置在面板區(qū)域20的外部，虛擬區(qū)域40 與最外側(cè)的面板區(qū)域20相距一定距離，摩擦頭50用于對面板區(qū)域20內(nèi)的取 向膜30進(jìn)行摩擦取向處理。在摩擦頭50的推進(jìn)起始側(cè)(圖1中左側(cè))，從 母板的上部到母板的下部，虛擬區(qū)域40內(nèi)設(shè)置有數(shù)個依次排列的水平臺40b， 數(shù)個水平臺40b的高度從母板的下部到母板的中部逐漸降低。
本實施例通過在虛擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置階梯狀的水平臺，即母板下部的水平臺 高度高，從母板的下部到母板的中部水平臺高度逐漸降低，在摩擦取向進(jìn)行中使取向膜下端邊緣區(qū)域32獲得均勻的取向角。本實施例的工作原理、水平 臺參數(shù)、相關(guān)結(jié)構(gòu)以及技術(shù)效果與前述實施例相同，不再贅述。
圖6為本發(fā)明母板第三實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖6所示，本實施例是 前述母板第一實施例和母板第二實施例的結(jié)合，即從母板上部開始，沿著距 離母板上部的距離增加方向，虛擬區(qū)域40內(nèi)設(shè)置有高度逐漸降低的階梯狀水 平臺40a，同時從母板下部開始，沿著距離母板下部的距離增加方向，虛擬 區(qū)域40內(nèi)設(shè)置有高度逐漸降低的階梯狀水平臺40b。本實施例可以同時在取 向膜的上端邊緣區(qū)域31和下端邊緣區(qū)域32實現(xiàn)非常小的取向角變化，不僅 減少了摩擦水印的發(fā)生率，而且可以弱化不良現(xiàn)象，降低不良現(xiàn)象造成的影 響。本實施例的工作原理、水平臺參數(shù)、相關(guān)結(jié)構(gòu)以及技術(shù)效果與前述實施 例相同，不再贅述。
圖7為本發(fā)明母板第四實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖7所示，本實施例是 前述母板第一、第二和第三實施例基礎(chǔ)上，階梯式水平臺40a (和/或40b) 為整體形態(tài)，每個水平臺之間沒有間隔，水平臺的高度差和最大高度等參數(shù) 與母板前述實施例相同，使邊緣區(qū)域只產(chǎn)生O. 2° ~0. 3°的取向角變化，不 僅減少了摩擦水印的發(fā)生率，而且可以弱化不良現(xiàn)象，降低不良現(xiàn)象造成的 影響。
圖8為本發(fā)明母板第五實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，本實施例是 前述母板第一、第二、第三和第四實施例基礎(chǔ)上，摩擦頭50的推進(jìn)起始側(cè)位 于母板的上部，因此階梯式水平臺40a (和/或40b)位于母板的上部的虛擬 區(qū)域40內(nèi)，位于母板右側(cè)的數(shù)個水平臺40a的高度從母板的右側(cè)到母板的中 部逐漸降低，位于母板左側(cè)的數(shù)個水平臺40b的高度從母板的左側(cè)到母板的 中部逐漸降低。此時，母板的左側(cè)和右側(cè)還可以形成高度相同的虛擬區(qū)域。 本實施例的工作原理、水平臺參數(shù)、相關(guān)結(jié)構(gòu)以及技術(shù)效果與前述實施例相 同，不再贅述。
在本發(fā)明上述實施例基礎(chǔ)上，本發(fā)明階梯狀水平臺還可以分別形成在每
10個面板區(qū)域的上端位置和/或下端位置。
圖9為本發(fā)明母板的制造方法的流程圖，具體為 步驟l、準(zhǔn)備一個母板；
步驟2、在所述母板上制備由數(shù)個第一薄膜層形成的至少一個面板區(qū)域 和由至少一個第二薄膜層形成的至少一個虛擬區(qū)域，位于摩擦頭推進(jìn)起始側(cè) 的所述虛擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置有依照第 一方向線性排列的數(shù)個水平臺，依照第 一方 向所述水平臺的高度從所述虛擬區(qū)域的端部到中部逐漸降低；
步驟3、按照與第一方向垂直的第二方向，摩擦頭從所述母板的一端向 母板的另 一端移動并摩擦所述母板的表面。
本發(fā)明母板的制造方法通過在虛擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置階梯狀的水平臺，即母板 端部的水平臺高度高，從母板的端部到母板的中部水平臺高度逐漸降低。在 摩擦取向開始前摩擦頭經(jīng)過階梯狀水平臺時，摩擦頭被數(shù)個水平臺擠壓形成 階梯狀的凹坑，在摩擦取向過程中，當(dāng)摩擦頭摩擦取向膜端部邊緣區(qū)域時， 由于摩擦頭上階梯狀凹坑的存在，改變了摩擦頭對取向膜端部邊緣區(qū)域施加 的壓力，在摩擦取向進(jìn)行中使取向膜端部邊緣區(qū)域獲得均勻的取向角，由此 克服了現(xiàn)有技術(shù)摩擦取向中邊緣區(qū)域取向角不均勻的缺陷。上述技術(shù)方案中， 相鄰水平臺之間的高度差為400A 4000A，優(yōu)選為400A 800A,以保證取向 角變化在允許范圍內(nèi)。
本發(fā)明母板的制造方法中，面板區(qū)域可以是形成的LCD陣列面板，也可 以是形成的LCD彩膜面板。面板區(qū)域(LCD陣列面板或LCD彩膜面板)由數(shù) 個疊置的第一薄膜層組成，水平臺由至少一個疊置的第二薄膜層組成，優(yōu)選 地，水平臺的第一薄膜層與面板區(qū)域的第二薄膜層同時形成。在形成水平臺 時，水平臺可以由數(shù)個通過數(shù)量調(diào)整水平臺高度的第二薄膜層組成，水平臺 可以通過第二薄膜層的數(shù)量來調(diào)整水平臺的高度，水平臺也可以由數(shù)個通過 厚度調(diào)整水平臺高度的第二薄膜層組成，通過第二薄膜層的厚度來調(diào)整水平 臺的高度。在實際使用中，當(dāng)摩擦頭推進(jìn)起始側(cè)位于母板的左(或右)側(cè)時，第 一 方向為母板的上下方向，依照上下方向水平臺的高度從虛擬區(qū)域的端部 到中部逐漸降低，第二方向為母板的左右方向，摩擦頭從母板的左(或右) 側(cè)向母板的右(或左)移動并摩擦母板的表面，形成母板。當(dāng)摩擦頭推進(jìn)起 始側(cè)位于母板的上(或下)部時，第一方向為母板的左右方向，依照左右方 向水平臺的高度從虛擬區(qū)域的端部到中部逐漸降低，第二方向為母板的上下 方向，摩擦頭從母板的上(或下)部向母板的下(或上)部移動并摩擦母板 的表面，形成母板。此外，在母板的其他端部還可以形成高度相同的虛擬區(qū) 域。
最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制， 盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng) 理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技 術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種母板，包括至少一個面板區(qū)域和至少一個虛擬區(qū)域，其特征在于，位于摩擦頭推進(jìn)起始側(cè)的所述虛擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置有依次排列的數(shù)個水平臺，所述水平臺的高度從母板的端部到母板的中部逐漸降低。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的母板，其特征在于，所述水平臺的高度從母板的上部和/或下部到母板的中部逐漸降低。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的母板，其特征在于，相鄰水平臺之間的高度差 為400A 4000A。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的母板，其特征在于，相鄰水平臺之間的高度差 為400A 800A。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的母板，其特征在于，所述面板區(qū)域包括數(shù)個疊 置的第一薄膜層。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的母板，其特征在于，所述水平臺包括至少一個 疊置的第二薄膜層，所述第二薄膜層的材料和厚度與所述第一薄膜層的材料 和厚度相同。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的母板，其特征在于，所述水平臺由數(shù)個通過數(shù) 量調(diào)整所述水平臺高度的第二薄膜層組成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的母板，其特征在于，所述水平臺由數(shù)個通過厚 度調(diào)整所述水平臺高度的第二薄膜層組成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~ 8中任一權(quán)利要求所述的母板，其特征在于，所述面 板區(qū)域是LCD陣列面板。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一權(quán)利要求所述的母板，其特征在于，所 述面板區(qū)域是LCD彩膜面板。
11. 一種母板的制造方法，其特征在于，包括步驟 準(zhǔn)備一個母板；在所述母板上制備由數(shù)個第一薄膜層形成的至少一個面板區(qū)域和由至少一個第二薄膜層形成的至少一個虛擬區(qū)域，位于摩擦頭推進(jìn)起始側(cè)的所述虛 擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置有依照第 一方向線性排列的數(shù)個水平臺，依照第 一方向所述水平臺的高度從所述虛擬區(qū)域的端部到中部逐漸降低；按照與第 一方向垂直的第二方向，摩擦頭從所述母板的 一端向母板的另 一端移動并摩擦所述母板的表面。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的母板的制造方法，其特征在于，相鄰水平 臺之間的高度差為400A 4000A。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的母板的制造方法，其特征在于，相鄰水平 臺之間的高度差為400A 800A。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的母板的制造方法，其特征在于，所述水平 臺由數(shù)個通過數(shù)量調(diào)整所述水平臺高度的第二薄膜層組成。
15. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的母板的制造方法，其特征在于，所述水平 臺由數(shù)個通過厚度調(diào)整所述水平臺高度的第二薄膜層組成。
16. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的母板的制造方法，其特征在于，所述水平 臺的第 一薄膜層與面板區(qū)域的第二薄膜層同時形成。
17. 根據(jù)權(quán)利要求11~16中任一權(quán)利要求所述母板的制造方法，其特 征在于，所述面板區(qū)域是LCD陣列面板。
18. 根據(jù)權(quán)利要求11~16中任一權(quán)利要求所述母板的制造方法，其特 征在于，所述面板區(qū)域是LCD彩膜面板。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種母板及其制造方法。母板包括至少一個面板區(qū)域和至少一個虛擬區(qū)域，位于摩擦頭推進(jìn)起始側(cè)的虛擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置有依次排列的數(shù)個水平臺，水平臺的高度從母板的端部到中部逐漸降低。制造方法包括準(zhǔn)備一個母板；在母板上制備至少一個面板區(qū)域和至少一個虛擬區(qū)域，位于摩擦頭推進(jìn)起始側(cè)的虛擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置有依照第一方向線性排列的數(shù)個水平臺，依照第一方向水平臺的高度從虛擬區(qū)域的端部到中部逐漸降低；按照與第一方向垂直的第二方向，摩擦頭從母板的一端向另一端移動并摩擦母板的表面。本發(fā)明通過在虛擬區(qū)域內(nèi)設(shè)置階梯狀水平臺，不僅減少了摩擦水印的發(fā)生率，而且可以弱化不良現(xiàn)象，降低不良現(xiàn)象造成的影響。
文檔編號G02F1/13GK101526697SQ200810101460
公開日2009年9月9日 申請日期2008年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月6日
發(fā)明者宋省勲, 林莊奎 申請人:北京京東方光電科技有限公司