專利名稱：基板清洗方法及基板清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在一個處理槽內(nèi)對半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用玻璃基 板、光掩模用玻璃基板等被處理基板依次進行藥液處理和沖洗處理的基板清 洗裝置。
背景技術(shù)：
己知，以往以來，存在一種所謂單槽式基板清洗裝置，該單槽式基板清 洗裝置在基板的制造工序中，于一個處理槽內(nèi)對基板依次進行藥液處理和沖 洗處理。單槽式基板清洗裝置，通過將基板浸漬于貯留在處理槽內(nèi)的藥液中， 并一邊從處理槽的底部供給藥液， 一邊使藥液從處理槽的上部溢出，從而對 基板進行藥液處理。而且，若規(guī)定時間的藥液處理結(jié)束，則單槽式基板清洗 裝置通過從處理槽底部供給純水，將處理槽內(nèi)的藥液緩慢地置換為純水。然 后， 一邊使純水從處理槽上部溢出， 一邊進行規(guī)定時間的沖洗處理。
這種現(xiàn)有的基板清洗裝置在開始進行沖洗處理之后，當(dāng)經(jīng)過規(guī)定時間， 則計測貯留在處理槽內(nèi)的純水的電阻率。所計測的電阻率若大于或等于規(guī)定 閾值，則判斷為在處理槽內(nèi)沒有殘留有藥液成分等雜質(zhì)，并正常結(jié)束沖洗處 理。另一方面，若所計測的電阻率小于規(guī)定閾值，則判斷為在處理槽內(nèi)殘留 有藥液成分等雜質(zhì)，并對操作員發(fā)出警報。如此地，在現(xiàn)有的基板清洗裝置 中，基于純水的電阻率控制沖洗處理的結(jié)束工作。
例如，在專利文獻1中公開了現(xiàn)有的單槽式基板清洗裝置。而且，例如，
在專利文獻2中公開了在現(xiàn)有基板清洗裝置中對電阻率進行的處理。 專利文獻1: JP特開2000-68241號公報 專利文獻2: JP特開平08-103739號公報
圖4是表示出了處理槽內(nèi)的液體電阻率發(fā)生變動的例子的曲線圖，該處 理槽內(nèi)的液體電阻率發(fā)生變動的例子，是在單槽式基板清洗裝置中， 一邊以 稀氫氟酸(藥液)—純水—SC-1液(藥液)—純水—SC-2液(藥液)—純水 的順序置換液體， 一邊進行清洗處理時，處理槽內(nèi)的液體電阻率發(fā)生變動的例子。如圖4所示，液體的電阻率在進行藥液處理時下降，在進行沖洗處理
時恢復(fù)。在現(xiàn)有的基板清洗裝置中，確認這種電阻率恢復(fù)到大于或等于規(guī)定
閾值的情況，從而正常地結(jié)束沖洗處理。然而，如圖4所示，沖洗處理時的 電阻率的恢復(fù)曲線隨著在此之前的藥液處理中所使用的藥液種類的不同而大 有不同。例如，存在下述趨勢，g卩，在稀氫氟酸的藥液處理之后進行沖洗處 理比在SC-1液或者SC-2液的藥液處理之后進行沖洗處理難于提升電阻率。
另 一方面，在現(xiàn)有的基板清洗裝置中，通過使用如圖5所示的條件(recipe) 設(shè)定畫面，設(shè)定藥液處理及沖洗處理的處理內(nèi)容。在該條件設(shè)定畫面中也設(shè) 定了在結(jié)束各個處理時是否進行電阻率的檢査(圖5中的區(qū)域A2)，并且以 在其它參數(shù)文件中作為單一數(shù)值的方式，規(guī)定成為檢査基準(zhǔn)的閾值。因此， 雖然如上所述藥液種類不同而電阻率的恢復(fù)曲線不同，但是不能按照用于藥 液處理的藥液種類來設(shè)定不同數(shù)值的電阻率閾值。
在半導(dǎo)體器件的制造工序中，為了防止成品率及器件特性下降，使用如 上所述的單槽式基板清洗裝置來清洗半導(dǎo)體晶片，且從半導(dǎo)體晶片的表面除 去顆粒及金屬雜質(zhì)。然而，如上所述地，在不能按照藥液種類單個地設(shè)定電 阻率閾值的情況下，當(dāng)進行沖洗處理時，液體電阻率有可能不能充分地恢復(fù)。 若這樣，即使通過藥液處理能夠從基板表面除去顆粒及金屬雜質(zhì)，在進行沖 洗處理之后，半導(dǎo)體晶片表面也殘留有藥液成分，從而該藥液成分有可能引 起成品率及器件特性的下降。尤其是，在柵絕緣膜的形成工序及電容器的形 成工序中，有可能發(fā)生絕緣膜抗壓能力差等的可靠性問題。
例如，在半導(dǎo)體晶片表面形成柵絕緣膜的工序中，作為前期清洗進行如 上所述的清洗處理(即， 一邊以稀氫氟酸—純水—SC-1液—純水—SC-2液— 純水的順序置換液體， 一邊進行清洗處理)。在這種情況下，在藥液處理之 后進行水洗處理時，若不能充分除去藥液成分，則有可能引起如下問題。
稀氫氟酸主要用于除去犧牲氧化膜，但是，若在沖洗處理后殘留有稀氫 氟酸成分，則有可能使形成柵絕緣膜的硅表面的粗糙度惡化。而且，受此牽 連，使硅表面的結(jié)晶缺陷及凹坑(pit)擴大，因此在此之后形成的柵絕緣膜 的膜質(zhì)變粗，并有可能引起柵絕緣膜的抗壓能力差等的可靠性的惡化。
另外，SC-1液主要用于除去顆粒，但是，若在沖洗處理之后，殘存SC-1 液中的氨成分，則有可能使形成柵絕緣膜的硅表面的粗糙度惡化。而且，受此牽連，使硅表面的結(jié)晶缺陷及凹坑(pit)擴大，因此在此之后形成的柵絕 緣膜的膜質(zhì)變粗，并有可能引起柵絕緣膜的抗壓能力差等的可靠性的惡化。
另外，SC-2液主要用于除去金屬雜質(zhì)，若在進行沖洗處理之后，殘存SC-2 液中的氯成分，則鈣(Ca)等輕金屬容易附著在半導(dǎo)體晶片表面。因此，所 附著的輕金屬，有可能成為顆粒從而導(dǎo)致柵絕緣膜的抗壓能力差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供一種如下所述的技術(shù)， 即，在單槽式基板清洗裝置中，使用對應(yīng)藥液種類的最合適的閾值進行電阻 率的檢查，從而能夠使沖洗處理的結(jié)束工作更為恰當(dāng)。尤其是，提供一種通 過應(yīng)用到半導(dǎo)體器件的制造工序而能夠抑制成品率及器件特性的下降的技 術(shù)。
為了解決上述問題，本發(fā)明的第一技術(shù)方案為一種基板清洗方法，其在 一個處理槽內(nèi)，對基板依次進行藥液的藥液處理和純水的沖洗處理，其特征 在于，根據(jù)用于藥液處理的藥液種類來設(shè)定用于所述沖洗處理時進行的電阻 率檢查的閾值，其中，所述藥液處理在緊接著所述沖洗處理之前實施。
本發(fā)明的第二技術(shù)方案為一種基板清洗方法，其在一個處理槽內(nèi)，對基
板依次進行藥液的藥液處理和純水的沖洗處理，其特征在于，包括
第一工序，其在所述處理槽內(nèi)，用第一藥液進行第一藥液處理；第二工 序，其向所述處理槽內(nèi)供給純水，從而排出第一藥液，用純水進行第一沖洗 處理；第三工序，其向所述處理槽內(nèi)供給第二藥液，從而排出純水，用第二 藥液進行第二藥液處理；第四工序，其向所述處理槽內(nèi)供給純水，從而排出 第二藥液，用純水進行第二沖洗處理，
而且，單個地設(shè)定下述閾值，即，用于在所述第二工序的第一沖洗處理 時所進行的處理液電阻率檢査的閾值，以及用于在所述第四工序的第二沖洗 處理時所進行的處理液電阻率檢査的閾值。
本發(fā)明的第三技術(shù)方案為第二技術(shù)方案所述的基板清洗方法，其特征在 于，第一藥液為氫氟酸，第二藥液為SC-1。
本發(fā)明的第四技術(shù)方案為第二技術(shù)方案所述的基板清洗方法，其特征在 于，第一藥液為SC-1，第二藥液為SC-2。本發(fā)明的第五技術(shù)方案為第二技術(shù)方案所述的基板清洗方法，其特征在
于，第一藥液為氫氟酸，第二藥液為SC-2。
本發(fā)明的第六技術(shù)方案為第二技術(shù)方案至第五技術(shù)方案中任一技術(shù)方案 所述的基板清洗方法，其特征在于，在所述第二工序及所述第四工序中，若 貯留在所述處理槽內(nèi)的處理液電阻率達到對各個工序所設(shè)定的閾值，則分別 正常結(jié)束第一沖洗處理及第二沖洗處理。
本發(fā)明的第七技術(shù)方案為一種基板清洗裝置，其用處理液對基板進行清 洗，其特征在于，具有處理槽，其貯留處理液；保持裝置，其在貯留于所 述處理槽的處理液中使基板浸漬的同時保持基板；電阻率測定裝置，其測定
貯留在所述處理槽的處理液的電阻率；供給裝置，其向所述處理槽內(nèi)供給作 為處理液的第一藥液、純水以及第二藥液；控制裝置，其控制所述供給裝置 的處理液的供給工作，使在所述處理槽內(nèi)依次進行第一藥液的第一藥液處理、 純水的第一沖洗處理、第二藥液的第二藥液處理以及純水的第二沖洗處理； 電阻率檢查裝置，其當(dāng)進行所述第一沖洗處理時，將第一閾值作為基準(zhǔn)而檢 查由所述電阻率測定裝置所測定的電阻率，同時當(dāng)進行所述第二沖洗處理時， 將第二閾值作為基準(zhǔn)而檢査由所述電阻率測定裝置所測定的電阻率。
本發(fā)明的第八技術(shù)方案為第七技術(shù)方案所述的基板清洗裝置，其特征在 于，在所述電阻率檢查裝置中，若電阻率達到第一閾值及第二閾值，則所述 控制裝置分別正常結(jié)束第一沖洗處理及第二沖洗處理。
本發(fā)明的第九技術(shù)方案為第七或第八技術(shù)方案所述的基板清洗裝置，其 特征在于，還具有閾值設(shè)定裝置，該閾值設(shè)定裝置單個地設(shè)定所述第一閾值 及所述第二閾值。
本發(fā)明的第十技術(shù)方案為第九技術(shù)方案所述的基板清洗裝置，其特征在 于，所述閾值設(shè)定裝置，根據(jù)決定清洗處理的處理內(nèi)容的處理條件設(shè)定所述 第一閾值及所述第二閾值。
根據(jù)本發(fā)明的第一技術(shù)方案，根據(jù)用于藥液處理的藥液種類來設(shè)定用于 沖洗處理時進行的電阻率檢査的閾值，其中，在所述藥液處理之后緊接著進 行所述沖洗處理。因此，能夠使用與在沖洗處理時所排出的藥液種類相對應(yīng) 的最合適的閾值檢査電阻率。
根據(jù)本發(fā)明的第二技術(shù)方案至第六技術(shù)方案，單個地設(shè)定以下閾值，艮口，在第二工序的第一沖洗處理時進行的處理液的電阻率檢査所使用的閾值，以 及在第四工序的第二沖洗處理時進行的處理液的電阻率檢査所使用的閾值。 因此，能夠使用與在第一沖洗處理時以及第二沖洗處理時分別排出的藥液種 類相對應(yīng)的最合適的閾值檢査電阻率。
尤其是，根據(jù)本發(fā)明的第六技術(shù)方案，在第二工序及第四工序中，若貯 留在處理槽內(nèi)的處理液電阻率達到對每一個工序所設(shè)定的閾值，則分別正常 結(jié)束第一沖洗處理及第二沖洗處理。因此，能夠?qū)Ω鱾€工序單個地設(shè)定的 閾值作為基準(zhǔn)，恰當(dāng)?shù)亟Y(jié)束沖洗處理。
另外，根據(jù)本發(fā)明的第七技術(shù)方案至第十技術(shù)方案，基板清洗裝置當(dāng)進 行第一沖洗處理時，將第一閾值作為基準(zhǔn)檢査由電阻率測定裝置所測定的電 阻率，同時，當(dāng)進行第二沖洗處理時，將第二閾值作為基準(zhǔn)檢查由電阻率測 定裝置所測定的電阻率。因此，能夠按照第一沖洗處理及第二沖洗處理時分 別排出的藥液種類而使用最合適的閾值檢査電阻率。
尤其是，根據(jù)本發(fā)明的第八技術(shù)方案，在電阻率檢査裝置中，若電阻率 達到第一閾值及第二閾值，則控制裝置分別正常結(jié)束第一沖洗處理及第二沖 洗處理。因此，能夠?qū)⒌谝婚撝导暗诙撝底鳛榛鶞?zhǔn)，恰當(dāng)?shù)亟Y(jié)束沖洗處理。
尤其是，根據(jù)本發(fā)明的第九技術(shù)方案，還具有單個地設(shè)定第一閾值及所 述第二閾值的閾值設(shè)定裝置。因此，能夠按照藥液種類任意地設(shè)定第一閾值 及第二閾值。
尤其是，根據(jù)本發(fā)明的第十技術(shù)方案，閾值設(shè)定裝置，根據(jù)決定清洗處 理的處理內(nèi)容的處理條件設(shè)定第一閾值及第二閾值。因此，在設(shè)定處理條件 之際，能夠容易地對每一個工序設(shè)定第一閾值及第二閾值。


圖1是表示本發(fā)明一個實施方式的基板清洗裝置的結(jié)構(gòu)的圖形。
圖2是表示顯示在顯示部上的條件(recipe)設(shè)定畫面的一個例子的圖形。 圖3是表示基板清洗裝置的工作流程的流程圖。
圖4是表示單槽(one bath)式基板清洗裝置的電阻率的變動的一個例子 的曲線圖。
圖5是表示現(xiàn)有條件設(shè)定畫面的一個例子的圖形。其中，附圖標(biāo)記說明如下
1基板清洗裝置10處理槽
.13噴出噴嘴15電阻率
20升降機22驅(qū)動部
30處理液供給部31氫氟酸供給源
32氫氧化銨供給源33鹽酸供給源
34過氧化氫供給源35純水供給源
36混合閥37a 37f配管
38a 38e開關(guān)閥40控制部
41存儲部41a處理條件
42顯示部42a條件設(shè)定畫面
43輸入部W基板
具體實施例方式
下面，參照附圖，說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。 1.基板清洗裝置的整體結(jié)構(gòu)
圖1是表示本發(fā)明一個實施方式的基板清洗裝置1的結(jié)構(gòu)的圖形。該基
板清洗裝置1是所謂的單槽式基板清洗裝置，其通過在一個處理槽10內(nèi)對基 板W依次進行藥液的藥液處理及純水的沖洗處理對基板W進行清洗。如圖1 所示，基板清洗裝置1具有用于貯留藥液或純水的處理槽10、用于保持基板 9的升降機20，用于向處理槽10供給藥液及純水(下面，將藥液和純水總稱 為"處理液")的處理液供給部30以及用于對裝置內(nèi)各部分的工作進行控制的 控制部40。
處理槽10由耐腐蝕性構(gòu)件構(gòu)成，且為貯留藥液或純水的容器。處理槽10 具有內(nèi)槽ll和外槽12，其中，該內(nèi)槽11貯留藥液或純水并使多張基板W在 其內(nèi)部浸漬，該外槽12形成在內(nèi)槽11的外周面的上端部。另外，在內(nèi)槽ll 的底部，設(shè)置有向內(nèi)槽11內(nèi)部噴出藥液或純水的噴出噴嘴13。噴出噴嘴13 具有一對噴管13a，并且在每一個噴管13a形成有多個噴出口 (未圖示)。由 此，供給到噴管13a的藥液或純水從多個噴出口噴出，并貯留在內(nèi)槽ll的內(nèi) 部。另外，貯留到內(nèi)槽11上部的處理液從內(nèi)槽11的上部溢出被回收到外槽12，并經(jīng)由連接于外槽12的配管14向工廠內(nèi)的排液線路排出。
在貯留到處理槽10內(nèi)的處理液液面附近，設(shè)置有電阻率計15。電阻率計 15具有一對金屬電極，且具有對貯留在處理槽10內(nèi)的處理液電阻進行計測的 功能。電阻率計15在沖洗處理之后進行電阻率的檢査(check)之際，計測 處理液的電阻率，并將所得到的電阻率作為電信號發(fā)送至控制部40。也可以 在電阻率計15的金屬電極中內(nèi)置溫度傳感器，將電阻率對應(yīng)規(guī)定溫度的換算 值發(fā)送到控制部40。
升降機20為將多張基板W —起保持并上下搬運的搬運機構(gòu)。升降機20 具有沿著垂直于圖1紙面的方向延伸的3條保持棒21，且每一個保持棒21 刻有多個保持槽(未圖示)。多張基板W以其周緣部與保持槽相嵌合的狀態(tài) 且相互平行站立的狀態(tài)保持在3條保持棒21上。而且，升降機20與在圖1 中示意性表示的驅(qū)動部22連接。若使驅(qū)動部22進行工作，則保持基板W的 升降機20進行升降移動，并且在處理槽10內(nèi)的浸漬位置(圖1狀態(tài))和處 理槽10上方的被提升的位置之間搬運基板W。
處理液供給部30為用于向處理槽10內(nèi)供給藥液或純水的配管系統(tǒng)。處 理液供給部30由氫氟酸供給源31、氫氧化銨供給源32、鹽酸供給源33、過 氧化氫供給源34、純水供給源35、混合閥36、多條配管37a 37f以及多個開 關(guān)閥38a 38e組合構(gòu)成。氫氟酸供給源31、氫氧化銨供給源32、鹽酸供給 源33、過氧化氫供給源34以及純水供給源35分別通過配管37a、 37b、 37c、 37d、 37e與混合閥36連接，并且在配管37a、 37b、 37c、 37d、 37e的路徑上 分別連接有開關(guān)閥38a、 38b、 38c、 38d、 38e。另外，混合閥36通過配管37f 與處理槽10內(nèi)的噴出噴嘴13連接。
在這種處理液供給部30中，若關(guān)閉開關(guān)閥38b 38d的同時打開開關(guān)閥 38a、 38e，則來自氫氟酸供給源31的氫氟酸和來自純水供給源35的純水分 別通過配管37a、 37e供給到混合閥36，并在混合閥36內(nèi)混合成稀氫氟酸。 然后，所生成的稀氫氟酸從混合閥36通過配管37f供給到噴出噴嘴13，并從 噴出噴嘴13噴出到處理槽10內(nèi)。
而且，在這種處理液供給部30中，若關(guān)閉開關(guān)閥38a、 38c的同時打開 開關(guān)閥38b、 38d、 38e，則來自氫氧化銨供給源32的氫氧化氨、來自過氧化 氫供給源34的過氧化氫以及來自純水供給源35的純水分別通過配管37b、37d、 37e供給到混合閥36，并在混合閥36內(nèi)混合成SC-1液。然后，所生成 的SC-1液從混合閥36通過配管37f供給到噴出噴嘴13，并從噴出噴嘴13噴 出到處理槽10內(nèi)。
另外，在這種處理液供給部30中，若關(guān)閉開關(guān)閥38a、 38b的同時打開 開關(guān)閥38c 38e，則來自鹽酸供給源33的鹽酸、來自過氧化氫供給源34的 過氧化氫以及來自純水供給源35的純水分別通過配管37c、 37d、 37e供給到 混合閥36，并在混合閥36內(nèi)混合成SC-2液。然后，所生成的SC-2液從混 合闊36通過配管37f供給到噴出噴嘴13，并從噴出噴嘴13噴出到處理槽10 內(nèi)。
而且，在這種處理液供給部30中，若關(guān)閉開關(guān)閥38a 38d的同時打開 開關(guān)閥38e，則來自純水供給源35的純水通過配管37e、混合閥36、配管37f 供給到噴出噴嘴13，并從噴出噴嘴13噴出到處理槽10內(nèi)。
控制部40為用于對基板清洗裝置1內(nèi)各部分的工作進行控制的計算機裝 置。控制部40與上述電阻率計15、驅(qū)動部22以及開關(guān)閥38a 38e電連接。 而且，在控制部40連接有由硬盤及存儲器構(gòu)成的存儲部41。在存儲部41內(nèi)， 存儲有決定了基板清洗裝置1的處理內(nèi)容的處理條件41a?？刂撇?0通過使 驅(qū)動部22及開關(guān)閥38a 38e按照存儲在存儲部41內(nèi)的處理條件41a進行工 作，從而對基板W進行清洗處理。
另外，如圖1所示，控制部40連接有由液晶顯示裝置等構(gòu)成的顯示部42、 由鍵盤及鼠標(biāo)構(gòu)成的輸入部43?？刂撇?0能夠在顯示部42上顯示條件設(shè)定 畫面42a，該條件設(shè)定畫面42a用于設(shè)定存儲在存儲部41內(nèi)的處理條件41a。 基板清洗裝置1的操作員通過一邊參照顯示在顯示部42上的條件設(shè)定畫面 42a， 一邊從輸入部43進行輸入操作，能夠?qū)μ幚項l件41a進行設(shè)定處理。
圖2是表示顯示在顯示部42上的條件設(shè)定畫面42a的一個例子的圖形。 如圖2所示，在條件設(shè)定畫面42a中，能夠?qū)Χ鄠€工序的每一個工序設(shè)定處 理時間、供給的處理液種類。而且，如圖2中的區(qū)域A1所示，在條件設(shè)定畫 面42a中，針對在各個工序中所進行的電阻率的檢査處理，能夠?qū)γ恳粋€工 序設(shè)定作為固有數(shù)值的成為檢査基準(zhǔn)的閾值。S卩，在該基板清洗裝置1中， 能夠?qū)γ恳粋€工序設(shè)定不同的閾值，且在各個工序中，能夠?qū)⒉煌拈撝底?為基準(zhǔn)進行電阻率的檢査處理。例如，在圖2的條件設(shè)定畫面42a中，將工序2的檢査處理的閾值設(shè)定 為800，與此相對地，將工序4、 6的檢査處理的閾值設(shè)定為1000，從而這些 閾值為不同的數(shù)值。從而，基板清洗裝置1在工序2和工序4、 6中使用不同 的閾值來進行電阻率的檢查。此外，在圖2的條件設(shè)定畫面中，雖然工序l、 3、 5的檢査處理的閾值為0，但是，這表示在工序1、 3、 5中不進行實質(zhì)性 的電阻率檢查。在顯示部42上的條件設(shè)定畫面42a中所設(shè)定的內(nèi)容通過控制 部40被發(fā)送到存儲部41，并作為處理條件41a存儲(或者更新)到存儲部 41內(nèi)。
2.基板清洗裝置的工作
接下來，參照圖1和圖3的流程圖來說明具有上述結(jié)構(gòu)的基板清洗裝置1 的清洗處理工作。
在該基板清洗裝置l中進行基板W的清洗處理時，首先，操作員一邊參 照顯示在顯示部42上的條件設(shè)定畫面42a， 一邊從輸入部43進行操作輸入， 從而進行處理條件41a的設(shè)定(步驟S1)。操作員對每一個工序設(shè)定處理時 間及供給的處理液種類。而且，操作員在條件設(shè)定畫面42a內(nèi)的區(qū)域Al中， 對每一個工序設(shè)定用于電阻率檢査處理的閾值。此外，下面，參照根據(jù)圖2 的條件設(shè)定畫面42a所示設(shè)定進行的處理，進行說明。
若條件設(shè)定處理結(jié)束，則操作員將未處理的基板W安裝到升降機20上， 并從輸入部43輸入規(guī)定的處理開始指令?；迩逑囱b置1的控制部40接收 到來自輸入部43的處理開始指令，則首先通過對驅(qū)動部22進行驅(qū)動使升降 機20下降。這樣，基板W與升降機20—起下降至處理槽10內(nèi)的浸漬位置 (步驟S2)。
接著，控制部40關(guān)閉開關(guān)閥38b 38d的同時打開開關(guān)閥38a、 38e。由 此，則來自氫氟酸供給源31的氫氟酸和來自純水供給源35的純水混合成稀 氫氟酸，所生成的稀氫氟酸從噴出噴嘴13噴出到處理槽10內(nèi)。從噴出噴嘴 13噴出的稀氫氟酸被貯留到處理槽10內(nèi)，并最終從內(nèi)槽11上部向外槽12 溢出?；錡成為浸漬在貯留于處理槽10內(nèi)的稀氫氟酸中的狀態(tài)，并被進 行稀氫氟酸的藥液處理(處理條件上工序l，步驟S3)。
若規(guī)定時間的藥液處理結(jié)束，則控制部40將狀態(tài)設(shè)定成關(guān)閉開關(guān)閥38a 的僅打開開關(guān)閥38e的狀態(tài)。這樣，僅僅來自純水供給源35的純水通過混合閥36供給到噴出噴嘴13，并從噴出噴嘴13噴出到處理槽10內(nèi)。噴出到處理 槽10內(nèi)的純水緩慢地從處理槽10排出處理槽10內(nèi)的稀氫氟酸，從而將處理 槽10內(nèi)的稀氫氟酸置換為純水。然后，通過貯留在處理槽10內(nèi)的純水對基 板W進行沖洗處理(處理條件上工序2，步驟S4)。在沖洗處理開始之后，經(jīng)過規(guī)定處理時間，控制部40接收電阻率計15 所計測的電阻率，并對所接收的電阻率進行檢查(步驟S5)。具體而言，控 制部40將在處理條件41a上的工序2中所設(shè)定的閾值與從電阻率計15接收 的電阻率比較，若電阻率大于或等于閾值，則正常結(jié)束沖洗處理。另一方面， 在電阻率小于閾值的情況下，控制部40在顯示部42顯示規(guī)定的警告信息， 等待操作員的處理(步驟S6)。若沖洗處理正常結(jié)束，則接下來，控制部40在關(guān)閉開關(guān)閥38a、 38c的 狀態(tài)下，打開開關(guān)闊38b、 38d、 38e。這樣，來自氫氧化銨供給源32的氫氧 化氨、來自過氧化氫供給源34的過氧化氫以及來自純水供給源35的純水混 合而生成SC-1液，所生成的SC-1液從噴出噴嘴13噴出到處理槽10內(nèi)。噴 出到處理槽10內(nèi)的SC-1液緩慢地從處理槽10排出處理槽10內(nèi)的純水，從 而將處理槽10內(nèi)的純水置換為SC-1液。然后，通過貯留在處理槽10內(nèi)的 SC-1液對基板W進行藥液處理(處理條件上的工序3，步驟S7)。若規(guī)定時間的藥液處理結(jié)束，則控制部40將狀態(tài)設(shè)定成關(guān)閉開關(guān)閥38b、 38d的僅打開開關(guān)閥38e的狀態(tài)。這樣，僅僅來自純水供給源35的純水通過 混合閥36向噴出噴嘴13供給，并從噴出噴嘴13噴出到處理槽10內(nèi)。噴出 到處理槽10內(nèi)的純水緩慢地從處理槽10排出處理槽10內(nèi)的SC-1液，從而 將處理槽10內(nèi)的SC-1液置換為純水。然后，通過貯留在處理槽10內(nèi)的純水 對基板W進行沖洗處理(處理條件上的工序4，步驟S8)。在沖洗處理開始之后，經(jīng)過規(guī)定的處理時間，則控制部40接收電阻率計 15所計測的電阻率，并對所接收的電阻率進行檢查(步驟S9)。具體而言， 控制部40將在處理條件41a上的工序4中所設(shè)定的閾值與電阻率計15所接 收的電阻率比較，若電阻率大于或等于閾值，則正常結(jié)束沖洗處理。另一方 面，在電阻率小于閾值的情況下，控制部40在顯示部42顯示規(guī)定的警告信 息，等待操作員的處理(步驟SIO)。若沖洗處理正常結(jié)束，則接著，控制部40在關(guān)閉開關(guān)閥38a、 38b的狀態(tài)下，打開開關(guān)閥38c、 38d、 38e。這樣，來自鹽酸供給源33的鹽酸、來自 過氧化氫供給源34的過氧化氫以及來自純水供給源35的純水混合而生成 SC-2液，所生成的SC-2液從噴出噴嘴13噴出到處理槽10內(nèi)。噴出到處理 槽10內(nèi)的SC-2液緩慢地從處理槽10排出處理槽10內(nèi)的純水，從而將處理 槽10內(nèi)的純水置換為SC-2液。然后，通過貯留在處理槽10內(nèi)的SC-2液對 基板W進行藥液處理(處理條件上的工序5，步驟Sll)。若規(guī)定時間的藥液處理結(jié)束，則控制部40將狀態(tài)設(shè)定成關(guān)閉開關(guān)閥38c、 38d的僅打開開關(guān)閥38e的狀態(tài)。這樣，僅僅來自純水供給源35的純水通過 混合閥36向噴出噴嘴13供給，并從噴出噴嘴13噴出到處理槽10內(nèi)。噴出 到處理槽10內(nèi)的純水從處理槽10緩慢地排出處理槽10內(nèi)的SC-2液，從而 將處理槽10內(nèi)的SC-2液置換為純水。然后，通過貯留在處理槽10內(nèi)的純水 對基板W進行沖洗處理(處理條件上的工序6，步驟S12)。在沖洗處理開始之后，經(jīng)過規(guī)定的處理時間，則控制部40接收電阻率計 15所計測的電阻率，并對所接收的電阻率進行檢査(步驟S13)。具體而言， 控制部40將在處理條件41a上的工序6中所設(shè)定的閾值與電阻率計15所接 收的電阻率比較，若電阻率大于或等于閾值，則正常結(jié)束沖洗處理。另一方 面，在電阻率小于閾值的情況下，控制部40在顯示部42顯示規(guī)定的警告信 息，等待操作員的處理(步驟S14)。若沖洗處理正常結(jié)束，則控制部40關(guān)閉開關(guān)閥38e從而停止純水的供給。 然后，控制部40通過使驅(qū)動部22工作，從而使升降機20上升，并將基板W 與升降機20 —起提升至處理槽10的上方(步驟S15)。通過上述步驟，結(jié) 束對一組基板W所進行的一連串的清洗處理。如上所述地，在本實施方式的基板清洗裝置1中，能夠在條件設(shè)定畫面 42a上，對各個工序單個地設(shè)定用于電阻率檢査的閾值，所述電阻率檢査是在 沖洗處理時進行的。因此，若對應(yīng)在緊接著進行沖洗處理之前使用的藥液種 類設(shè)定各個閾值，則能夠在各個工序的沖洗處理時采用最合適的閾值檢査電 阻率。由此，能夠適當(dāng)?shù)亟Y(jié)束各工序的沖洗處理。3.半導(dǎo)體器件制造工序的應(yīng)用例在半導(dǎo)體器件的制造工序中，能夠使用上述基板清洗裝置1來進行在半 導(dǎo)體晶片的表面形成柵絕緣膜之前的清洗。即，能夠?qū)⒆鳛榛錡的半導(dǎo)體晶片安裝到升降機20上，并按照圖3的步驟S1 S15進行半導(dǎo)體晶片的清洗 處理。在稀氫氟酸的藥液處理(步驟S3)中，主要除去半導(dǎo)體晶片表面的犧 牲氧化膜，而且，在SC-1液的藥液處理(步驟S7)以及SC-2液的藥液處理 (步驟Sll)中，主要除去半導(dǎo)體晶片表面的顆粒及金屬雜質(zhì)。而且，基板清洗裝置1能夠單個地設(shè)定在各個藥液處理后的沖洗處理時 所使用的電阻率的閾值。因此，使用各個對氫氟酸、SC-1以及SC-2的最合 適的閾值，從而能夠適當(dāng)?shù)鼗謴?fù)電阻率，并且在藥液處理之后的沖洗處理中 能夠充分地除去各藥液成分(氫氟酸成分、SC-1、 SC-2)。從而，能夠?qū)π?成在半導(dǎo)體晶片表面上的柵絕緣膜的膜質(zhì)進行致密化處理，同時能夠形成抗 壓能力強的可靠性高的柵絕緣膜。4.變形例上面，對本發(fā)明的一個實施方式進行了說明，但是本發(fā)明不限于上述例 子。例如，在上述例子中，作為藥液使用了氫氟酸、SC-1液以及SC-2液， 但是在本發(fā)明中所供給的藥液也可以是其它的藥液。而且，在一次清洗處理 中所進行的藥液處理及沖洗處理的次數(shù)也不限于上述次數(shù)。另外，在上述基板清洗裝置1中，對基板W僅進行藥液處理及沖洗處理， 但是，在基板清洗裝置1內(nèi)，也可以對沖洗處理之后的基板W進行干燥處理。 例如，可將基板W提升至處理槽1上方之后，通過供給IPA(iso propyl alcohol: 異丙醇)蒸汽及對處理空間進行減壓，從而干燥基板W的表面。
權(quán)利要求
1.一種基板清洗方法，在一個處理槽內(nèi)對基板依次進行使用藥液的藥液處理和使用純水的沖洗處理，其特征在于，對應(yīng)于藥液處理時所使用的藥液種類來設(shè)定所述沖洗處理時進行的電阻率檢查時所使用的閾值，其中，所述藥液處理是在緊接著所述沖洗處理之前實施的藥液處理。
2. —種基板清洗方法，在一個處理槽內(nèi)對基板依次進行使用藥液的藥液處理和使用純水的沖洗處理，其特征在于，包括第一工序，其在所述處理槽內(nèi)，使用第一藥液進行第一藥液處理； 第二工序，其向所述處理槽內(nèi)供給純水而排出第一藥液，并使用純水進行第一沖洗處理；第三工序，其向所述處理槽內(nèi)供給第二藥液而排出純水，并使用第二藥 液進行第二藥液處理；第四工序，其向所述處理槽內(nèi)供給純水而排出第二藥液，并使用純水進 行第二沖洗處理；而且，單個地設(shè)定下述閾值，即，在所述第二工序的第一沖洗處理時進 行的處理液的電阻率檢查時所使用的閾值，以及在所述第四工序的第二沖洗 處理時進行的處理液的電阻率檢査時所使用的閾值。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板清洗方法，其特征在于， 第一藥液為氫氟酸，第二藥液為SC-1。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板清洗方法，其特征在于， 第一藥液為SC-1，第二藥液為SC-2。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板清洗方法，其特征在于， 第一藥液為氫氟酸，第二藥液為SC-2。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2 5中任一項所述的基板清洗方法，其特征在于， 在所述第二工序及所述第四工序中，若貯留在所述處理槽內(nèi)的處理液的電阻率達到對各個工序所設(shè)定的閾值時，則分別正常結(jié)束第一沖洗處理及第 二沖洗處理。
7. —種基板清洗裝置，用處理液進行基板的清洗，其特征在于，具有:保持裝置，其使基板浸漬在貯留于所述處理槽的處理液中的同時保持該基板；電阻率測定裝置，其測定貯留在所述處理槽的處理液的電阻率； 供給裝置，其向所述處理槽內(nèi)供給作為處理液的第一藥液、純水以及第 二藥液；控制裝置，其控制所述供給裝置的處理液的供給工作，以便在所述處理 槽內(nèi)依次進行使用第一藥液的第一藥液處理、使用純水的第一沖洗處理、使 用第二藥液的第二藥液處理以及使用純水的第二沖洗處理；電阻率檢査裝置，其在進行所述第一沖洗處理時，將第一閾值作為基準(zhǔn) 檢査由所述電阻率測定裝置所測定的電阻率，同時，在進行所述第二沖洗處 理時，將第二閾值作為基準(zhǔn)檢査由所述電阻率測定裝置所測定的電阻率。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板清洗裝置，其特征在于， 在所述電阻率檢査裝置中，當(dāng)電阻率達到第一閾值及第二閾值時，所述控制裝置分別正常結(jié)束第一沖洗處理及第二沖洗處理。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的基板清洗裝置，其特征在于， 還具有閾值設(shè)定裝置，該閾值設(shè)定裝置單個地設(shè)定所述第一閾值及所述第二閾值。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板清洗裝置，其特征在于， 所述閾值設(shè)定裝置，根據(jù)決定清洗處理的處理內(nèi)容的處理條件設(shè)定所述第一閾值及所述第二閾值。
全文摘要
本發(fā)明提供一種技術(shù)，其在單槽式基板清洗裝置中，使用對應(yīng)藥液種類的最合適的閾值進行電阻率的檢查，從而能夠更加恰當(dāng)?shù)厥箾_洗處理結(jié)束工作。在本發(fā)明的基板清洗裝置中，在條件設(shè)定畫面(42a)上，能夠?qū)Ω鱾€工序單個地設(shè)定用于沖洗處理時進行的電阻率檢查的閾值。因此，若對應(yīng)緊接著沖洗處理之前使用的藥液的種類來設(shè)定各個閾值，則能夠在各個工序的沖洗處理中使用最合適的閾值檢查電阻率。而且，由此能夠恰當(dāng)結(jié)束各個工序的沖洗處理。
文檔編號G03F7/42GK101314159SQ20081010054
公開日2008年12月3日 申請日期2008年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月28日
發(fā)明者巖元勇人, 足立訓(xùn)章 申請人:索尼株式會社;大日本網(wǎng)目版制造株式會社