專利名稱：：用于聚合配向工藝的曝光裝置及曝光系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是有關(guān)于一種用于聚合配向工藝的曝光裝置及曝光系統(tǒng)，且特別是有關(guān)于一種避免聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板產(chǎn)生顯像不均或亮暗區(qū)塊的問題的曝光裝置及曝光系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：市場對于液晶顯示面板的性能要求是朝向高對比(highcontrastmtio)、無灰階反轉(zhuǎn)(nograyscaleinversion)、色偏小(littlecolorshift)、亮度高(highluminance)、高色彩豐富度、高色彩飽和度、快速反應與廣視角等特性。目前，能夠達成廣視角要求的技術(shù)有扭轉(zhuǎn)向列型(twistnematic,TN)液晶加上廣視角膜(wideviewingfilm)、共平面切換型(in-planeswitching,IPS)液晶顯示面板、邊際場切換型(fringefieldswitching)液晶顯示面板、多域垂直配向型(multi-domainverticallyalignment,MVA)液晶顯示面板等方式。己知的多域垂直配向式液晶顯示面板是利用配向結(jié)構(gòu)(alignmentstructure)的配置以令不同區(qū)域內(nèi)的液晶分子以不同角度傾倒，而達到廣視角的功效。配向結(jié)構(gòu)包括有配向凸塊(alignmentprotrusion)以及設(shè)置于電極上的配向狹縫(alignmentslit)。然而，配向凸塊與配向狹縫周邊液晶分子的傾倒方向往往不明確(disdination)，而造成漏光的情形，進一步使得液晶顯示面板的顯示對比降低。若為了遮蔽漏光的情形而配置對應于配向凸塊或配向狹縫的遮光層，又會使顯示開口率受到限制。因此，一種聚合物穩(wěn)定配向(Poiymei'StabilityAlignment)以形成多領(lǐng)域配向的配向方式被提出，以改善多域垂直配向式液晶顯示面板顯示對比不佳的問題。聚合物穩(wěn)定配向工藝須先將反應性單體摻雜于液晶層中，并施與液晶層特定的電壓。在此電壓下以一光線或熱源照射液晶層，則反應性單體會聚合并固化，以于液晶層兩側(cè)的基板上同時形成穩(wěn)定層(stabilizinglayer)。其中，穩(wěn)定層的分子會呈現(xiàn)特定的排列方式，有助于使液晶分子以不同的方向傾倒與排列，而達到廣視角顯示效果。由于，穩(wěn)定層的配置不會使液晶顯示面板發(fā)生漏光的現(xiàn)象，因而有助于提高液晶顯示面板的顯示對比。可惜的是，聚合物穩(wěn)定配向的工藝過程中往往會因該曝光機臺的機構(gòu)設(shè)計不良而產(chǎn)生一些缺陷，而使部分液晶分子的倒向不符合理想，因此仍有進一步改善的需要。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種用于聚合配向工藝的曝光裝置以及具有該曝光裝置的曝光系統(tǒng)，以解決在制造聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板時，聚合物穩(wěn)定配向式像素結(jié)構(gòu)的液晶分子排列不符合理想的問題。本發(fā)明提供一種用于聚合配向工藝的曝光裝置以及具有該曝光裝置的曝光系統(tǒng)，避免聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板產(chǎn)生顯像不均或亮暗區(qū)塊的問題。本發(fā)明提出一種用于聚合配向工藝的曝光裝置，包括一座臺以及一光源。該至少一光源是位于該座臺上方。該座臺包括一下板、一上板以及至少一加熱件。上板位于該下板上并與該下板接合。該上板具有至少一主動區(qū)(activearea);至少一虛構(gòu)區(qū)(dummyarea)大體環(huán)繞該主動區(qū)；以及復數(shù)第一吸附結(jié)構(gòu)位于該至少一虛構(gòu)區(qū)內(nèi)。本發(fā)明提出一種用于聚合配向工藝的曝光系統(tǒng)，包括上述曝光裝置；以及一液晶顯示面板，設(shè)置于該座臺上。在本發(fā)明的一實施例中，上述的上板更具有復數(shù)第二吸附結(jié)構(gòu)位于該至少一主動區(qū)內(nèi)。本發(fā)明的一實施例中，上述的第二吸附結(jié)構(gòu)是為復數(shù)真空孔，該些真空孔的孔徑是小于或等于1.2毫米，或者是上述的第二吸附結(jié)構(gòu)是為復數(shù)真空溝槽，該些真空溝槽的寬度是小于或等于1.2毫米。在本發(fā)明的一實施例中，上述的上板包括一底板，其中該底板是為一實心板材；以及一抗反射層，形成于該底板的一上表面。在本發(fā)明的一實施例中，上述的下板更包括一第一平板；以及一第二平板，位于該第一平板上并與該第一平板接合，其中該加熱件是大體位于該第一平板內(nèi)，以及與該第二平板之間。在本發(fā)明的一實施例中，上述的液晶顯示面板包括一第一基板、一第二基板，相對于該第一基板設(shè)置以及一液晶層，設(shè)置于該第一基板以及該第二基板之間。該液晶層包括復數(shù)液晶分子以及復數(shù)單體與該些液晶分子混合。本發(fā)明是利用具有至少一加熱件以及/或吸附結(jié)構(gòu)的曝光裝置以及/或具有此曝光裝置的曝光系統(tǒng)，在制造聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板時，藉由加熱件為熱源，提供熱能給聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板內(nèi)的單體，加速及穩(wěn)定該單體的聚合行為而成為理想中的聚合物，使得液晶分子藉由該些聚合物，具有適當?shù)念A傾角，而避免聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板產(chǎn)生顯像不均或亮暗區(qū)塊的問題，并且可加速聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板的生產(chǎn)速度。此外藉由吸附結(jié)構(gòu)的設(shè)置，可避免聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板在制造過程中發(fā)生因空氣殘存于液晶顯示面板與座臺間，造成面板彎曲的現(xiàn)象。因此，本發(fā)明的曝光裝置及曝光系統(tǒng)應用于制造聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板時，有助于改善液晶分子傾倒方向不明確的情形以及加速聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板的生產(chǎn)速度以及避免聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板在制造過程中發(fā)生彎曲的現(xiàn)象。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。圖1為本發(fā)明的曝光裝置及具有該曝光裝置的曝光系統(tǒng)的示意圖；圖2A為本發(fā)明的第一實施例的液晶顯示面板、座臺、定位件以及電壓提供裝置的相對位置配置上視圖；圖2B為圖2A沿剖面線I-I'所繪制的剖面圖；圖2C為圖2A的座臺的剖面圖；圖2D為利用圖2A的座臺承載液晶顯示面板進行曝光作業(yè)的示意圖；圖3是為本發(fā)明的第二實施例的液晶顯示面板、座臺、定位件以及電壓提供裝置的相對位置配置上視圖；圖4是為本發(fā)明的第三實施例的液晶顯示面板、座臺、定位件以及電壓提供裝置的相對位置配置上視圖；圖5是為本發(fā)明的第四實施例的液晶顯示面板、座臺、定位件以及電壓提供裝置的相對位置配置上視圖；圖6是為本發(fā)明的第五實施例的液晶顯示面板、座臺、定位件以及電壓提供裝置的相對位置配置上視圖；圖7是為本發(fā)明的第六實施例的液晶顯示面板、座臺、定位件以及電壓提供裝置的相對位置配置上視圖；圖8是為本發(fā)明的第七實施例的液晶顯示面板、座臺、定位件以及電壓提供裝置的相對位置配置上視圖；圖9A為本發(fā)明實驗例的座臺、液晶顯示面板以及光源的相對位置圖；圖9B為圖9A中的座臺沿剖面線II-II'的剖面圖；圖9C為圖9A中的液晶顯示面板的部分區(qū)域剖面圖。附圖標號1:曝光系統(tǒng)10:曝光裝置100、200、300、400、500、600、700:座臺1001:上板1001a:底板1001b:抗反射層1002:下板1002a:第一平板腦2b:第二平板1002c:加熱件畫d:鎖固件101:光源102、202、302、402、502、602、702:定位件103:抬舉件11、21、31、41、51、61、71:電壓提供裝置12、22、32、42、52、62、72:液晶顯示面板120:第二基板121:第一基板122:液晶層122a:單體122a':聚合物122b:液晶分子13:腔體A:主動區(qū)D:虛構(gòu)區(qū)Dl、D2、D3:區(qū)域HO:抬舉件容置孔HI:真空孔H2:輔助吸附結(jié)構(gòu)H3:真空孔Tl、T2:溝槽L:光線具體實施例方式在制造聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板時，在進行單體聚合工藝時，是利用電壓提供裝置對封合有液晶分子以及單體的液晶顯示面板施與特定的電壓并將液晶顯示面板設(shè)置于一曝光裝置下，以光線照射液晶層，則反應性單體會聚合并固化，以于液晶層兩側(cè)的基板上同時形成穩(wěn)定層(stabilizinglayer),此時，此曝光裝置、電壓提供以及液晶顯示面板便構(gòu)成一曝光系統(tǒng)。待曝光作業(yè)完成后，便可利用機械手臂，將完成單體聚合的聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板夾持至下一個工站而進行下一個工藝，該下一個工藝譬如為另一曝光作業(yè)、切裂作業(yè)或磨邊導角作業(yè)。圖1為本發(fā)明的曝光裝置及具有該曝光裝置的曝光系統(tǒng)的示意圖。曝光系統(tǒng)1包括曝光裝置10、電壓提供裝置11以及液晶顯示面板12。選擇性地，曝光系統(tǒng)1可更包括腔體13，曝光裝置10、電壓提供裝置11以及液晶顯示面板12均位于腔體13內(nèi)，可避免曝光工藝中，光線對操作人員或是其他非進行曝光工藝的其他作業(yè)造成不良影響，此外，也可確保曝光工藝的完整性及成功性。電壓提供裝置11是對封合有液晶分子以及單體的液晶顯示面板12施與特定的電壓，使液晶層內(nèi)的液晶分子旋轉(zhuǎn)或移動，進而帶動液晶層內(nèi)的單體全面性且均勻地以特定角度在特定位置產(chǎn)生光聚合反應。曝光裝置IO包括座臺100、位于座臺IOO上方的光源101以及定位件102。光源101以及定位件102視設(shè)計而定，可為單個或是復數(shù)個。光源101舉例而言是為紫外光燈管。本發(fā)明的各實施例中的主要部件及運作原理是在下述說明中佐以圖示詳細解釋，但所述內(nèi)容并不局限而用以限制本發(fā)明的范圍。第一實施例請參考圖2A至圖2C。圖2A為本發(fā)明的第一實施例的液晶顯示面板12、座臺100、定位件102以及電壓提供裝置11的相對位置配置上視圖。圖2B為圖2A沿剖面線W'所繪制的剖面圖。圖2C為座臺100的剖面圖。請先參考圖2A及圖2C,座臺100包括上板1001以及下板1002，上板1001的厚度為等于或小于2毫米，以方便維護以及修繕時的置換作業(yè)，上板1001位于下板1002上，下板1002上的上表面可具有復數(shù)輔助吸附結(jié)構(gòu)H2，用以真空吸附上板1001。輔助吸附結(jié)構(gòu)H2舉例是為真空孔或是真空溝槽，若為真空孔，其孔徑約等于或小于5毫米，若為真空溝槽，其寬度約等于或小于5毫米，輔助吸附結(jié)構(gòu)H2的形狀、位置或尺寸大小并不局限，以達到穩(wěn)固地真空吸附上板1001且不致使上板1001彎曲變形的目的即可。上板1001包括底板1001a以及形成于底板1001a上表面的抗反射層1001b。舉例而言，底板1001a是為一實心板材，材質(zhì)是包括鋁、不銹鋼、鋁鎂合金或其他高強度的材質(zhì)。抗反射層1001b的材質(zhì)是包括黑色的聚四氟乙烯、黑色的鋁陽極處理材或黑色的鋁無電鍍材，而抗反射層1001b的厚度約為30微米至50微米。當座臺100具有抗反射層1001b于其上表面時，液晶顯示面板12與座臺100之間的磨擦阻力是可降低，使得曝光裝置10對液晶顯示面板12進行對位移動或是工站移轉(zhuǎn)時，能夠順利移動液晶顯示面板12，不致使液晶顯示面板12與座臺100之間的對位動作失效或失誤，亦可避免液晶顯示面板12邊緣破裂或定位件102受損。而因為抗反射層1001b若使用聚四氟乙烯，因聚四氟乙烯的特殊材料特性，不容易與另一導電物質(zhì)產(chǎn)生靜電效應，故在液晶顯示面板12升舉的過程中，對液晶顯示面板12產(chǎn)生靜電擊傷的可能性大大降低。此外，若使用黑色的聚四氟乙烯制作抗反射層1001b，在曝光裝置10對液晶顯示面板12執(zhí)行曝光作業(yè)時，如圖2D所示，圖2D為利用圖2A的座臺100承載液晶顯示面板12進行曝光作業(yè)的示意圖，光源101提供光線L給位于上板1001上的液晶顯示面板12，光線L舉例為紫外光，使得液晶顯示面板12的液晶層122中的單體122a可進行聚合固化反應，因為抗反射層1001b為黑色的聚四氟乙烯材質(zhì)，故光線L發(fā)射至抗反射層1001b的表面時，不易/不會產(chǎn)生反射，是故便沒有反射的光線會再次進入液晶層122而造成液晶顯示面板12的曝光能量不均，液晶層122內(nèi)各處的單體聚合反應速度不一，迸而影響液晶顯示面板12的對比值或穿透率，使得液晶顯示面板12的生產(chǎn)良率降低。為了避免座臺100的上表面平坦度不足而影響到曝光作業(yè)時的液晶層122內(nèi)電場以及溫度的均勻性，使得液晶分子122b形成不均一的預傾角，而產(chǎn)生顯像不均(mura)、液晶分子122b反應速度、液晶顯示面板12的對比值或穿透率等等問題，座臺100的上表面或是抗反射層1001b的上表面的粗糙度高度的差異為小于或等于土100微米/100平方毫米，且整個座臺100的上表面或是抗反射層1001b的上表面的粗糙度高度的差異應小于或等于500微米。上板1001具有至少一主動區(qū)(activearea)A以及至少一虛構(gòu)區(qū)(dummyarea)D大體環(huán)繞該主動區(qū)。如圖2A所示，是以兩個主動區(qū)A為例，而四周被虛構(gòu)區(qū)D環(huán)繞，可視工藝或生產(chǎn)需求，改變主動區(qū)A的數(shù)目，譬如為單個或是大于兩個。虛構(gòu)區(qū)D對應液晶顯示面板12的非顯示區(qū)或所謂的周邊區(qū)，主動區(qū)A對應液晶顯示面板12的顯示區(qū)。復數(shù)第一吸附結(jié)構(gòu)是位于虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)，在本實施例中，第一吸附結(jié)構(gòu)舉例是為真空孔H1，真空孔H1的孔徑邊緣須距離液晶顯示面板12的顯示區(qū)達l.O毫米以上，換句話說，真空孔H1的孔徑邊緣須距離主動區(qū)A達1.0毫米以上。真空孔H1可為均勻排列或是散亂排列。此外，舉例而言，真空孔H1為貫穿抗反射層1001b且底板1001a的孔洞，并且可具有與輔助吸附結(jié)構(gòu)H2相同的深度。復數(shù)抬舉件容置孔HO是位于虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)，抬舉件103是位于抬舉件容置孔HO內(nèi)。液晶顯示面板12包括第一基板121、第二基板120以及設(shè)置于該第一基板121以及該第二基板120之間的液晶層122,液晶層122包括復數(shù)液晶分子以及復數(shù)單體與該些液晶分子混合。第一基板121舉例而言為彩色濾光片基板且第二基板120舉例而言為薄膜電晶體基板。第一基板121上具有電極1201。在液晶顯示面板12準備放置于曝光裝置10的座臺100上時，真空孔HI可先吹氣，也就是由下往上提供微小氣流于座臺100以及液晶顯示面板12的間，暫時讓液晶顯示面板12大體呈現(xiàn)氣浮狀態(tài)而不被座臺100完全接觸性支持，此時，可調(diào)整或移動復數(shù)定位件102，讓液晶顯示面板12準確地定位于適當位置，以進行后續(xù)的曝光作業(yè)。待液晶顯示面板12定位后，利用真空孔H1來真空吸附液晶顯示面板12。須特別注意的是，真空孔Hl是位在虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)，虛構(gòu)區(qū)D是對應液晶顯示面板12的非顯示區(qū)。座臺100的下板1002包括至少一加熱件1002c、第一平板1002a以及第二平板1002b。第二平板1002b位于該第一平板1002a上并與該第一平板1002a接合，其中該加熱件1002c是大體位于該第一平板1002a內(nèi)，以及與該第二平板1002b之間。該第一平板1002a以及該第二平板1002b的材質(zhì)舉例是包括鋁、不銹鋼、鋁鎂合金或其他高強度的材質(zhì)。加熱件1002c舉例是包括至少一含液體管線或至少一電阻加熱器。含液體管線舉例是為容納有水的管線，加熱管線內(nèi)的水后，便可提供所需的熱能。舉例而言，復數(shù)加熱件1002c可對座臺100在水平方向的不同區(qū)塊表面獨立進行溫度控制，在進行曝光作業(yè)時，可使得液晶層122內(nèi)對應上述各區(qū)塊的單體122a所處的溫度一致，而得到相同的反應速率，是故在施加相同的曝光能量時，單體122a在各個區(qū)域能均勻且一致的聚合，而使得各區(qū)的液晶分子122b具有均勻的預傾角，避免液晶顯示面板12產(chǎn)生顯像不均或是亮暗不均區(qū)塊的現(xiàn)象發(fā)生，而座臺100水平方向各區(qū)的溫度差異舉例而言須小于5度C。此外，可利用鎖固件1002d用以接合該第一平板1002a以及該第二平板1002b，鎖固件1002d舉例為螺絲，當然，可以用粘貼膠或是鉚釘來替代鎖固件1002d，以達到接合該第一平板1002a以及該第二平板1002b的目的即可。待液晶顯示面板12是吸附固定于座臺IOO上之后。便開始進行對液晶顯示面板12曝光、施加電壓以及/或加熱的步驟。光源101舉例是提供紫外光給液晶顯示面板12中液晶層內(nèi)的單體進行聚合；電壓提供裝置11舉例是提供電壓給液晶顯示面板12，特別是液晶顯示面板12的電極1201，電壓提供裝置11的數(shù)目及對應座臺100的位置并不局限，本實施例以一個電壓提供裝置ll為例，但可視工藝需求，在座臺100周邊設(shè)置復數(shù)電壓提供裝置11;加熱件1002c是對液晶顯示面板12提供熱能，以加速單體聚合的速度。舉例而言，該紫外光的波長約為200納米至400納米，該電壓約為10Vpp至100Vpp，該熱能約為0度C至90度C，曝光時間約為10秒至500秒，上述參數(shù)并不局限，視工藝需求及單體種類而定，可適度調(diào)整，以達到成功聚合單體且液晶分子具有期望中的預傾角為目的即可。待曝光步驟成功完成后，便準備利用機械手臂將液晶顯示面板12移動至下一個工站而進行下一個工藝。將液晶顯示面板12與座臺IOO分離的方式舉例是為利用真空孔H1破真空使液晶顯示面板12與座臺100吸附現(xiàn)象消失，之后利用位于虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)的抬舉件容置孔HO的抬舉件103將液晶顯示面板12向上抬舉。抬舉件容置孔HO的孔徑邊緣須距離液晶顯示面板12的顯示區(qū)達1.0毫米以上，換句話說，抬舉件容置孔HO的孔徑邊緣須距離主動區(qū)A達l.O毫米以上。抬舉件容置孔HO舉例是貫穿座臺100，抬舉件容置孔HO舉例是為常壓孔或是真空孔。在本實施例中，抬舉件容置孔HO的結(jié)構(gòu)、形狀、大小或位置并不局限，以達到順利利用抬舉件103將液晶顯示面板12向上抬舉并不致使液晶顯示面板12破裂為目的即可。是故，在此便完成聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板的曝光工藝。第二實施例第二實施例與第一實施例不同處僅在于座臺的吸附結(jié)構(gòu)的設(shè)計，其余部分是相同，在此不贅述。圖3是為本發(fā)明的第二實施例的液晶顯示面板22、座臺200、定位件202以及電壓提供裝置21的相對位置配置上視圖。與第一實施例不同，本實施例在虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)，除了具有復數(shù)真空孔Hl夕卜，更具有復數(shù)溝槽T1，復數(shù)溝槽T1的功能及目的與復數(shù)真空孔H1相同，溝槽Tl的寬度邊緣須距離液晶顯示面板22的顯示區(qū)達1.0毫米以上，換句話說，溝槽T1的寬度邊緣須距離主動區(qū)A達1.0毫米以上。直條狀的溝槽T1可提供較大的吹氣/抽真空面積或范圍。復數(shù)溝槽T1以及真空孔H1的排列方式可為均勻排列或是散亂排列，并不局限。第三實施例第三實施例與第一實施例不同處僅在于座臺的吸附結(jié)構(gòu)的設(shè)計，其余部分是相同，在此不贅述。圖4是為本發(fā)明的第三實施例的液晶顯示面板32、座臺300、定位件302以及電壓提供裝置31的相對位置配置上視圖。與第一實施例不同，本實施例在虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)，復數(shù)溝槽T1是完全取代第一實施例中的真空孔H1，復數(shù)溝槽T1的功能及目的與復數(shù)真空孔H1相同，溝槽Tl的寬度邊緣須距離液晶顯示面板32的顯示區(qū)達1.0毫米以上，換句話說，溝槽Tl的寬度邊緣須距離主動區(qū)A達1.0毫米以上。直條狀的溝槽Tl可提供較大的吹氣/抽真空面積或范圍。復數(shù)溝槽Tl的排列方式可為均勻排列或是散亂排列，并不局限。第四實施例第四實施例與第一實施例不同處僅在于座臺的主動區(qū)A上的設(shè)計，其余部分是相同，在此不贅述。圖5是為本發(fā)明的第四實施例的液晶顯示面板42、座臺400、定位件402以及電壓提供裝置41的相對位置配置上視圖。需特別注意的是，除了虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)具有第一吸附結(jié)構(gòu)(真空孔H1)，主動區(qū)A內(nèi)是具有復數(shù)第二吸附結(jié)構(gòu)，在本實施例中，第二吸附結(jié)構(gòu)舉例為真空孔H3。因為座臺400是全面性地具有吸附結(jié)構(gòu)，故可全面性地承載液晶顯示面板42。在液晶顯示面板42準備放置于曝光裝置的座臺400上時，真空孔H1以及真空孔H3可先吹氣，也就是由下往上提供微小氣流于座臺400以及液晶顯示面板42之間，暫時讓液晶顯示面板42大體呈現(xiàn)氣浮狀態(tài)而不被座臺400完全接觸性支持，此時，可調(diào)整或移動復數(shù)定位件402，讓液晶顯示面板42準確地定位于適當位置，以進行后續(xù)的曝光作業(yè)。因為吸附結(jié)構(gòu)(真空孔Hl以及真空孔H3)是全面性地形成于座臺400表面，故可均勻地且足夠地對液晶顯示面板42進行吹氣或吸附液晶顯示面板42作用，避免液晶顯示面板42產(chǎn)生不適當?shù)膬A斜、彎曲或是凹陷，而影響工藝操作。待液晶顯示面板42定位后，利用真空孔Hl以及真空孔H3來真空吸附液晶顯示面板42。須特別注意的是，真空孔H1是位在虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)，虛構(gòu)區(qū)D是對應液晶顯示面板42的非顯示區(qū)，且真空孔H3是位在主動區(qū)A內(nèi)，主動區(qū)A是對應液晶顯示面板42的顯示區(qū)。待曝光步驟成功完成后，便準備利用機械手臂將液晶顯示面板42移動至下一個工站而進行下一個工藝。將液晶顯示面板42與座臺400分離的方式舉例是為利用真空孔Hl、H3破真空使液晶顯示面板42與座臺400吸附現(xiàn)象消失，之后利用位于虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)的抬舉件容置孔HO的抬舉件將液晶顯示面板42向上抬舉。是故，在此便完成聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板的曝光工藝。第五實施例-第五實施例與第四實施例不同處僅在于座臺的吸附結(jié)構(gòu)的設(shè)計，其余部分是相同，在此不贅述。例的液晶顯示面板52、座臺500、定位件502以及電壓提供裝置51的相對位置配置上視圖。與第四實施例不同，本實施例在虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)，除了具有復數(shù)真空孔HI外，更具有復數(shù)溝槽T1，復數(shù)溝槽T1的功能及目的與復數(shù)真空孔H1相同，溝槽Tl的寬度邊緣須距離液晶顯示面板52的顯示區(qū)達1.0毫米以上，換句話說，溝槽T1的寬度邊緣須距離主動區(qū)A達l.O毫米以上。直條狀的溝槽T1可提供較大的吹氣/抽真空面積或范圍。復數(shù)溝槽T1以及真空孔H1的排列方式可為均勻排列或是散亂排列，并不局限。第六實施例第六實施例與第四實施例不同處僅在于座臺的吸附結(jié)構(gòu)的設(shè)計，其余部分是相同，在此不贅述。圖7是為本發(fā)明的第六實施例的液晶顯示面板62、座臺600、定位件602以及電壓提供裝置61的相對位置配置上視圖。與第四實施例不同，本實施例在虛構(gòu)區(qū)D內(nèi)，復數(shù)溝槽T1是完全取代第一實施例中的真空孔H1，復數(shù)溝槽T1的功能及目的與復數(shù)真空孔H1相同，溝槽Tl的寬度邊緣須距離液晶顯示面板52的顯示區(qū)達1.0毫米以上，換句話說，溝槽T1的寬度邊緣須距離主動區(qū)A達l.O毫米以上。直條狀的溝槽T1可提供較大的吹氣/抽真空面積或范圍。復數(shù)溝槽Tl的排列方式可為均勻排列或是散亂排列，并不局限。第七實施例第七實施例與第五實施例不同處僅在于座臺的吸附結(jié)構(gòu)的設(shè)計，其余部分是相同，在此不贅述。圖8是為本發(fā)明的第七實施例的液晶顯示面板72、座臺700、定位件702以及電壓提供裝置71的相對位置配置上視圖。與第五實施例不同，在本實施例中，復數(shù)溝槽T2是完全取代第五實施例真空孔H3，換句話說，主動區(qū)A內(nèi)僅有復數(shù)溝槽T2作為吸附結(jié)構(gòu)。然而，雖然本實施例是以主動區(qū)A內(nèi)僅有復數(shù)溝槽T2作為吸附結(jié)構(gòu)為例，但可視使用者或工藝需求，將復數(shù)溝槽T2以及真空孔H3同時設(shè)置于主動區(qū)A內(nèi)，也就是說，可同時利用具有較大作用面積的復數(shù)溝槽T2以及具有較小作用面積的真空孔H3來對液晶顯示面板72進行吹氣及/或真空吸附的動作。此外，舉例而言，若控制真空孔H3以及溝槽T2的氣體來源處，使真空孔H3以及溝槽T2獨立運作，曝光裝置的調(diào)配性以及彈性更大，更易于曝光作業(yè)的彈控。實驗例請參考圖9A至圖9C，圖9A至圖9C為本發(fā)明的實驗例，用以說明座臺與液晶顯示面板之間的各區(qū)域溫度不同對曝光作業(yè)時的液晶顯示面板造成的影響。圖9A為本發(fā)明實驗例的座臺、液晶顯示面板以及光源的相對位置圖。圖9B為圖9A中的座臺沿剖面線II-ir的剖面圖。圖9C為圖9A中的液晶顯示面板的部分區(qū)域剖面圖。圖9A為本發(fā)明實驗例的座臺、液晶顯示面板以及光源的相對位置圖。座臺100劃分成區(qū)域Dl-D3，區(qū)域D2位于區(qū)域Dl及區(qū)域D3之間，區(qū)域D2為凹陷處，而區(qū)域Dl及區(qū)域D3的表面大體為平坦。液晶顯示面板12設(shè)置于座臺100上，光源101設(shè)于座臺100上方而對液晶顯示面板12進行曝光作業(yè)。圖9B為圖9A中的座臺lOO沿剖面線n-II，的剖面圖，如圖9B所示，區(qū)域D2為凹陷處，故對應區(qū)域D2的座臺100平均厚度小于對應區(qū)域D1及D3的座臺100平均厚度。因為區(qū)域D2為凹陷處，故當液晶顯示面板12設(shè)置于座臺100上時，對應區(qū)域D2的部分為液晶顯示面板12與座臺100的非接觸區(qū)域，而另外的部分即為接觸區(qū)域。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>表1為利用7個液晶顯示面板12作為實驗，在座臺100溫度分別為18度C以及室溫下，對應液晶顯示面板12與座臺100接觸區(qū)域(對應區(qū)域D1、D3)以及對應液晶顯示面板12與座臺100非接觸區(qū)域(對應區(qū)域D2)于曝光作業(yè)下的溫度差異平均的記錄。在對應區(qū)域D1及區(qū)域D3處的液晶顯示面板12與座臺100接觸區(qū)域量測IO個點的溫度后，計算其彼此間差值之后平均，而在對應區(qū)域D2的液晶顯示面板12與座臺100非接觸區(qū)域量測5個點的溫度后，計算其彼此間差值之后平均。請同時參照圖9A、圖9B及表1。進行曝光作業(yè)時，由表1可知在座臺100溫度為18度C時，液晶顯示面板12編號1-3對應的接觸區(qū)域差異平均值依序為2.3、3以及4.5度C，而對應的非接觸區(qū)域差異平均值依序為7.1、6.3以及7.9度C，由此可知，對應于凹陷處的區(qū)域D2，各點溫度的差值較大，溫度較不平均，是故對曝光作用的單體聚合反應的均勻度較小，易造成液晶顯示面板12顯像不均。在座臺100溫度為室溫時，液晶顯示面板12編號4-7對應的接觸區(qū)域差異平均值依序為3.3、2.8、1.6以及2.5度C，而對應的非接觸區(qū)域差異平均值依序為7.7、7.7、7.7以及7.5度C，由此可知，對應于凹陷處的區(qū)域D2，各點溫度的差值仍舊較大。所以當座臺100的表面為不平坦且具有凹陷部時，對應于凹陷部處的溫度差異較大，對液晶顯示面板12中單體聚合反應影響較大。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>表2為接續(xù)表1，本實驗例量測對應區(qū)域D1、區(qū)域D2及區(qū)域D3處的液晶顯示面板12與座臺100區(qū)域量測15個點的溫度后，計算其彼此間差值的最大值及最小值。由表2可知，最大溫度差異值約涵蓋11.8-13.9度C(對應液晶顯示面板編號5及1估計得出)，也就是說對應座臺100的平坦處以及凹陷處去量測，其溫度差異最大約涵蓋11.8-13.9度C，平均值為12.8度C。而最小溫度差異值約涵蓋4.7-7.4度C(對應液晶顯示面板編號5及1估計得出)，平均值為5.8度C。是故，因為對應區(qū)域D2有熱累積的現(xiàn)象，而導致對應區(qū)域D1(或D3)與區(qū)域D2有極大的溫度差異。所以座臺100的上表面若是不平坦，則會大大的影響曝光作業(yè)的結(jié)果。請參照圖9C，圖9C為圖9A中的液晶顯示面板12的部分區(qū)域剖面圖。在本實驗例中，液晶顯示面板12對應區(qū)域D2及D3處可知，區(qū)域D2因為為凹陷處，有熱累積的現(xiàn)象，故溫度較高，單體聚合成為較密集的聚合物122a'后，會使得液晶分子122b在對應區(qū)域D2的區(qū)域有較大的預傾角a，然而，區(qū)域D3因為為平坦處，故其溫度會比對應區(qū)域D2處較低，單體聚合成為較稀疏的聚合物122a'后，會使得液晶分子122b在對應區(qū)域D3的區(qū)域有較小的預傾角卩，是故，因為對應區(qū)域D2及D3的液晶分子122b的預傾角不一致，亮暗區(qū)塊的不良現(xiàn)象便產(chǎn)生而導致液晶顯示面板12有顯像不均的問題。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>表3為利用本發(fā)明的各實施例的具有平坦上表面的座臺100來進行曝光作業(yè)的座臺100溫度與單體反應率的記錄，在相同曝光時間下，針對座臺100為25度C以及40度C作比較。如表3可知，利用本發(fā)明的各實施例的加熱件，均勻且全面提高座臺100溫度，可使得單體反應率較高，也就是說，單體有相當大的比例可成功聚合，利用加熱件將座臺100溫度控制在40度C時，單體反應率為53.89%會比利用加熱件將座臺100溫度控制在25度C時的單體反應率(45.35%)大。是故，利用本發(fā)明的各實施例的加熱件可有效增進曝光裝置的效率。綜上所述，本發(fā)明的曝光裝置及具有此曝光裝置的曝光系統(tǒng)可在曝光作業(yè)時，有效避免聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板產(chǎn)生顯像不均或亮暗區(qū)塊的問題。雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當視前附的權(quán)利要求所界定者為準。權(quán)利要求1.一種用于聚合配向工藝的曝光裝置，其特征在于，該裝置包括一座臺，該座臺包括一下板，包括至少一加熱件；以及一上板，位于該下板上并與該下板接合，該上板具有至少一主動區(qū)；至少一虛構(gòu)區(qū)大體環(huán)繞該主動區(qū)；以及復數(shù)第一吸附結(jié)構(gòu)位于所述的至少一虛構(gòu)區(qū)內(nèi)；以及至少一光源，位于所述的座臺上方。2.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述的上板更具有復數(shù)第二吸附結(jié)構(gòu)位于所述的至少一主動區(qū)內(nèi)。3.如權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其特征在于，所述的這些第二吸附結(jié)構(gòu)是為復數(shù)真空孔，所述的這些真空孔的孔徑是小于或等于1.2毫米。4.如權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其特征在于，所述的這些第二吸附結(jié)構(gòu)是為復數(shù)真空溝槽，所述的這些真空溝槽的寬度是小于或等于1.2毫米。5.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，該曝光裝置更包括復數(shù)定位件，大體環(huán)繞所述的座臺。6.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述的上板包括一底板，其中該底板是為一實心板材；以及一抗反射層，形成于所述的底板的一上表面，其中所述的底板的材質(zhì)是包括鋁、不銹鋼或鋁鎂合金，其中所述的抗反射層的材質(zhì)是包括黑色的聚四氟乙烯、黑色的鋁陽極處理材或黑色的鋁無電鍍材，其中所述的抗反射層的厚度為30微米至50微米。7.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述的下板更包括一第一平板；以及一第二平板，位于所述的第一平板上并與所述的第一平板接合，其中所述的加熱件是大體位于所述的第一平板以及所述的第二平板之間，其中所述的第一平板以及所述的第二平板的材質(zhì)是包括鋁、不銹鋼或鋁鎂合金，所述的曝光裝置更包括一鎖固件用以接合所述的第一平板以及所述的第二平板。8.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述的至少一加熱件是包括至少一含液體管線或至少一電阻加熱器。9.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述的下板具有復數(shù)輔助吸附結(jié)構(gòu)形成于所述的上表面，用以真空吸附所述的上板。10.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述的這些第一吸附結(jié)構(gòu)是為復數(shù)真空孔，所述的這些真空孔的孔徑的邊緣與所述的主動區(qū)的最小距離為大于1毫米。11.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述的座臺具有復數(shù)抬舉件容置孔，大體設(shè)置于所述的虛構(gòu)區(qū)內(nèi)，所述的曝光裝置更包括復數(shù)抬舉件對應設(shè)置于所述的這些抬舉件容置孔內(nèi)，其中所述的這些抬舉件容置孔的孔徑的邊緣與所述的主動區(qū)的最小距離為大于1毫米，其中所述的這些抬舉件容置孔是貫穿所述的座臺。12.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述的至少一光源是包括至少一紫外光燈管。13.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述的座臺的一上表面的粗糙度高度的差異為小于或等于土100微米/100平方毫米，且整個座臺的上表面或是所述的抗反射層的上表面的粗糙度高度的差異為小于或等于500微米。14.如權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，所述的這些第一吸附結(jié)構(gòu)是為復數(shù)真空溝槽，所述的這些真空溝槽的寬度的邊緣的邊緣與所述的主動區(qū)的最小距離為大于1毫米。15.—種曝光系統(tǒng)，其特征在于，該曝光系統(tǒng)包括一種用于聚合配向工藝的曝光裝置，該裝置包括一座臺，該座臺包括一下板，該下板包括至少一加熱件；以及一上板，位于該下板上并與該下板接合，該上板具有至少一主動區(qū)；至少一虛構(gòu)區(qū)大體環(huán)繞該主動區(qū)；以及復數(shù)第一吸附結(jié)構(gòu)位于該至少一虛構(gòu)區(qū)內(nèi)；以及至少一光源，位于所述的座臺上方；以及一液晶顯示面板，設(shè)置于所述的座臺上，其中所述的液品顯不面板包括一第一基板；一第二基板，相對于該第一基板設(shè)置；以及一液晶層，設(shè)置于所述的第一基板以及所述的第二基板之間，所述的液晶層包括復數(shù)液晶分子以及復數(shù)單體與所述的這些液晶分子混合。16.如權(quán)利要求15所述的曝光系統(tǒng)，其特征在于，該曝光系統(tǒng)更包括一電壓提供裝置，用以提供一電壓于所述的液晶顯示面板。17.如權(quán)利要求15所述的曝光系統(tǒng)，其特征在于，該曝光系統(tǒng)更包括一腔體，其中所述的曝光裝置以及所述的液晶顯示面板是位于所述的腔體內(nèi)。18.如權(quán)利要求15所述的曝光系統(tǒng)，其特征在于，所述的第一基板是為一彩色濾光片基板，且直接設(shè)置于所述的座臺的一上表面。全文摘要一種用于聚合配向工藝的曝光裝置及曝光系統(tǒng)。該曝光裝置包括一座臺以及一光源。該至少一光源是位于該座臺上方。該座臺包括一下板、一上板以及至少一加熱件。上板位于該下板上并與該下板接合。該上板具有至少一主動區(qū)(activearea)；至少一虛構(gòu)區(qū)(dummyarea)大體環(huán)繞該主動區(qū)；以及復數(shù)第一吸附結(jié)構(gòu)位于該至少一虛構(gòu)區(qū)內(nèi)。以解決在制造聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板時，聚合物穩(wěn)定配向式像素結(jié)構(gòu)的液晶分子排列不符合理想的問題。文檔編號G02F1/139GK101251671SQ200810090140公開日2008年8月27日申請日期2008年4月7日優(yōu)先權(quán)日2008年4月7日發(fā)明者杉浦規(guī)生,趙志鴻,鄭德勝申請人:友達光電股份有限公司