專(zhuān)利名稱(chēng)：：液晶顯示面板、其制造方法和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及液晶顯示面板、面板的制造方法和液晶顯示裝置。技術(shù)背景液晶顯示(LCD)裝置具有厚度薄、重量輕和功耗低的優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用于諸如視聽(tīng)設(shè)備和辦公室自動(dòng)設(shè)備的許多種設(shè)備中。圖15是LCD裝置的斷面圖。這種LCD裝置包括作為主要部件的LCD面板32和背光單元33。LCD面板32包括TFT(薄膜晶體管)基板34、相對(duì)基板36、液晶35和密封劑38。TFT基板34包括排列為矩陣形式的多個(gè)開(kāi)關(guān)元件如TFT。相對(duì)基板36包括濾色器和黑矩陣等等。液晶35被安排在TFT基板34與相對(duì)基板36之間的空間中。TFT基板34和相對(duì)基板36中的每一個(gè)包含有偏振板37。密封劑38提供在LCD面板32的周?chē)?。如圖16所示，TFT基板34包括掃描線41、數(shù)據(jù)線43和公共線42。TFT包括柵電極、漏電極和源電極。柵電極與掃描線41相連，漏電極與數(shù)據(jù)線43相連，以及源電極與像素電極39相連。公共線42是將確定的公共電壓施加到公共電極40的布線。如圖16所示，TFT基板34具有其中TFT排列成矩陣形式的顯示區(qū)44，和在顯示區(qū)44周邊的端子區(qū)45。端子區(qū)45包括端子塊45a，用作掃描線41的掃描線輸入端子(第一輸入端子)，和端子塊45b，用作數(shù)據(jù)線43的數(shù)據(jù)線輸入端子(第二輸入端子)。結(jié)果，從端子塊45a中的第一輸入端子輸入的掃描信號(hào)，流過(guò)掃描線41進(jìn)入TFT的柵電極對(duì)這個(gè)TFT進(jìn)行接通/斷開(kāi)的控制。從端子塊45b中的第二輸入端子輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)流過(guò)數(shù)據(jù)線43進(jìn)入TFT的漏電極。然后，當(dāng)TFT進(jìn)入接通狀態(tài)時(shí)，輸入到漏電極的數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)源電極施加到像素電極39。結(jié)果在像素電極39與公共電極40之間產(chǎn)生電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)使液晶分子旋轉(zhuǎn)。來(lái)自背光單元33的光線穿過(guò)面板的透射率取決于液晶分子的旋轉(zhuǎn)角度。在圖15中，符號(hào)E表示像素電極39和公共電極40之間的電場(chǎng)。粗線箭頭Kl指示來(lái)自背光單元33的光線，粗線箭頭K2指示透射LCD面板32的光線。因?yàn)橄袼刂械亩鄠€(gè)TFT被連接至掃描線41和數(shù)據(jù)線43，所以每個(gè)TFT與端子區(qū)的45的距離隨像素的位置而各不相同。點(diǎn)A處的像素在圖16中舉例表示為位置靠近端子區(qū)45的像素。點(diǎn)B處的像素在圖16中舉例表示為位置遠(yuǎn)離端子區(qū)45的像素。在下文中，位置靠近端子區(qū)45的像素描述為點(diǎn)A，而位置遠(yuǎn)離端子區(qū)45的像素描述為點(diǎn)B。從端子塊45a中的第一輸入端子輸入的掃描信號(hào)Sl在流過(guò)掃描線41期間因?yàn)榫€的電阻而呈現(xiàn)出"延遲"、"信號(hào)波形失真"和"信號(hào)電平下降"。在圖16中，掃描信號(hào)Sla指示處于點(diǎn)A的掃描信號(hào)Sl，掃描信號(hào)Slb指示處于點(diǎn)B的掃描信號(hào)Sl。類(lèi)似地，從端子塊45b中的第二輸入端子輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)S2在流過(guò)數(shù)據(jù)線43期間因?yàn)榫€的電阻而呈現(xiàn)"延遲"、"信號(hào)波形失真"和"信號(hào)電平下降"。在圖16中，數(shù)據(jù)信號(hào)S2a指示處于點(diǎn)A的數(shù)據(jù)信號(hào)S2，數(shù)據(jù)信號(hào)S2b指示處于點(diǎn)B的數(shù)據(jù)信號(hào)S2。在圖17A中，垂直軸表示點(diǎn)A的掃描信號(hào)Sla、數(shù)據(jù)信號(hào)S2a和公共電壓S3的值，水平軸表示時(shí)間。在圖17B中，垂直軸表示點(diǎn)B的掃描信號(hào)Slb、數(shù)據(jù)信號(hào)S2b和公共電壓S3的值，水平軸表示時(shí)間。如圖17A所示，點(diǎn)A的掃描信號(hào)Sla和數(shù)據(jù)信號(hào)S2a的波形顯示幾乎與從端子塊45a中的第一輸入端子輸入的波形相同的矩形。另一方面，如圖17B所示，點(diǎn)B的掃描信號(hào)Slb和數(shù)據(jù)信號(hào)S2b的波形與如圖17A所示的輸入到端子塊45b中的第二輸入端子的波形相比呈現(xiàn)"延遲"、"信號(hào)波形失真"和"信號(hào)電平下降"。同時(shí)，圖17A和17B中的符號(hào)Va、Vb分別表示像素電極39與公共電極40之間的最大電壓差，并且顯示出V&Vb的幅度關(guān)系。在下文中，掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)的"延遲"、"信號(hào)波形失真"和"信號(hào)電平下降"統(tǒng)稱(chēng)為"信號(hào)退化"。圖18說(shuō)明柵電壓對(duì)漏電流的特性。因?yàn)閽呙杈€41與TFT的柵電極相連，所以掃描信號(hào)S1的信號(hào)電平的起伏引起柵電壓的起伏。隨著柵電壓的起伏，漏電流表現(xiàn)出不同的值。像素電極39和公共電極40形成電容器的一對(duì)電極。由此，當(dāng)流入像素電極39的漏電流變化時(shí)，電容器的充電電壓和充電時(shí)間變得不同。由于這個(gè)充電電壓的差別，不同像素的液晶分子暴露在不同的電場(chǎng)強(qiáng)度中，因此在像素間引起透射率的差別。因?yàn)閿?shù)據(jù)線43具有類(lèi)似于掃描線41的電阻，所以流入TFT的漏電流取決于從端子塊45b中的第二輸入端子到TFT的布線電阻而呈現(xiàn)不同的值。因此，由于掃描信號(hào)Sl和數(shù)據(jù)信號(hào)S2的延遲等，像素之間的透射率是不同的。由此，圖16中所示的TFT基板34的透射率部分地下降，例如，按左上、左下、右上和右下的順序下降。因此TFT基板34呈現(xiàn)不均勻的透射率分布。所以即使背光單元33以均勻亮度(brightness)對(duì)TFT基板34的表面進(jìn)行照射，LCD裝置也呈現(xiàn)取決于透射率分布的顯示輝度(luminance)分布。為了解決上述問(wèn)題，一種可能方法是按照透射率分布控制背光單元的亮度分布，從而減少顯示輝度的不均勻分布。例如，在具有邊緣光系統(tǒng)的背光單元的LCD裝置中，一種通過(guò)改變光導(dǎo)板中的反射器密度來(lái)改善顯示輝度分布的均勻性的方法，披露在曰本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)卦S公開(kāi)NO:Hei6-313883(文獻(xiàn)l)中。改善LCD裝置的顯示輝度分布的均勻性的另一種方法，包括控制燈的亮度的電路，和根據(jù)顯示數(shù)據(jù)計(jì)算燈的亮度校正系數(shù)的電路，披露在日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)卦S公開(kāi)NO:2006-330187(文獻(xiàn)2)中。圖16中的TFT基板34具有所謂的一側(cè)提取結(jié)構(gòu)，其中端子區(qū)45配置在LCD面板32周?chē)囊粋?cè)上。另一方面，TFT基板34也可以具有所謂的雙側(cè)提取結(jié)構(gòu)，其中掃描線41和數(shù)據(jù)線43分別被劃分成左側(cè)和右側(cè)，或者上側(cè)和下側(cè)，而端子區(qū)45則分別安排在左側(cè)和右側(cè)上，或者上側(cè)和下側(cè)上。在這種結(jié)構(gòu)中，從端子區(qū)45到最遠(yuǎn)的TFT的距離變得較短，因此，由布線電阻引起的信號(hào)下降變得較小。此外，LCD裝置的不均勻顯示輝度分布除了因上述掃描線41和數(shù)據(jù)線43的布線電阻的存在以外，也因光源例如背光單元的不均勻亮度分布而引起。關(guān)于這個(gè)問(wèn)題，日本專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)卦S公開(kāi)NO:2001-33782(文獻(xiàn)3)提出一種方法控制LCD裝置的透射率分布以使平面光源的不均亮度分布能得以補(bǔ)償。順便說(shuō)一下，作為L(zhǎng)CD裝置的圖像質(zhì)量性能之一的顯示輝度的均勻性有時(shí)候在在技術(shù)規(guī)范(specification)中通過(guò)指定全襯度顯示模式(foilcontrastdisplaymode)的輝度均勻性表示。但是，關(guān)于醫(yī)學(xué)應(yīng)用的顯示裝置的圖像質(zhì)量，建立了與常規(guī)液晶電視不同的一些特定標(biāo)準(zhǔn)值(或要求值)，如表1所示，如DIN(德國(guó)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)DeutschlnstitutfUrNormunge.V.)、AAPM(美國(guó)醫(yī)學(xué)物理學(xué)會(huì)的標(biāo)準(zhǔn)AmericanAssociationofphysicistsinMedicine)等等。例如，這些規(guī)則要求在半色調(diào)顯示模式中的高均勻性輝度，以便從X射線圖片中找出受影響的部分。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>因此，對(duì)于也要應(yīng)用于醫(yī)學(xué)用途的LCD裝置，不僅在全襯度顯示模式而且在半色調(diào)顯示模式中都要求均勻的輝度。但是，由上述信號(hào)退化引起的透射率差別在半色調(diào)顯示模式中比在全襯度顯示模式中變得更為嚴(yán)重。因此，產(chǎn)生了半色調(diào)顯示模式的輝度均勻性變得低于標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格的問(wèn)題，雖然全襯度顯示模式的輝度均勻性還在標(biāo)準(zhǔn)范圍內(nèi)。圖19表示LCD面板的電壓對(duì)透射率的特性。LCD面板的全襯度顯示模式通常設(shè)置在電壓-透射率特性變得平坦的電壓區(qū)Rl內(nèi)。但是，在這種設(shè)置中，半色調(diào)顯示模式的電壓區(qū)進(jìn)入電壓-透射率特性陡峭地變化的區(qū)域R2。因?yàn)樵趨^(qū)域R2內(nèi)信號(hào)退化的影響變得更加嚴(yán)重，所以顯示輝度分布的不均勻性在半色調(diào)顯示模式中也變得較大。圖20A說(shuō)明分隔成多個(gè)區(qū)的TFT基板34的表面。圖20B表示在全襯度顯示模式中的每一區(qū)域的透射率，而圖20C表示在半色調(diào)顯示模式中的每一區(qū)域的透射率。如圖20B所示，當(dāng)以全襯度顯示模式顯示時(shí)，每一區(qū)域透射率的差別不太大。但是如圖20C所示，當(dāng)以半色調(diào)顯示模式顯示時(shí)，遠(yuǎn)離端子區(qū)45的區(qū)域c和區(qū)域f的透射率與靠近端子區(qū)45的區(qū)域a和d相比，有更顯著的下降趨勢(shì)。對(duì)于這個(gè)問(wèn)題，可應(yīng)用在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中披露的方法，即調(diào)整光源的亮度，以便使半色調(diào)顯示模式中的輝度變得均勻。但是，如果這樣調(diào)整的LCD以全襯度顯示模式工作，則將引起輝度分布明顯的不均勻性。這是因?yàn)檎{(diào)整光源亮度使半色調(diào)顯示模式中的輝度變得均勻，等效于使光源的亮度分布不均勻。因此，當(dāng)LCD面板以全襯度顯示模式工作時(shí)，來(lái)自不均勻亮度分布的光源的光線正是按它本來(lái)的樣子透射的。根據(jù)上述專(zhuān)利文獻(xiàn)2的方法，即使當(dāng)LCD面板的透射率分布在全襯度顯示模式和半色調(diào)顯示模式之間表現(xiàn)為不同時(shí)，LCD面板的透射率也能通過(guò)隨意控制光源的亮度分布來(lái)調(diào)整。但是，為了進(jìn)行這種控制，需要很復(fù)雜的昂貴的光源控制器。輝度分布在半色調(diào)顯示模式與全襯度顯示模式之間不同的問(wèn)題，即使在劃分掃描線41和數(shù)據(jù)線43的雙側(cè)提取結(jié)構(gòu)中也不能解決，因?yàn)樵谌魏吻樾蜗虏季€電阻不會(huì)消失。在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)3中，披露了控制LCD裝置的透射率分布的方法，包括確定液晶層的厚度、透光區(qū)的比率和類(lèi)似梳狀的電極的電極間距的方法。但是，因?yàn)檫@些方法只能適用于光源不均勻亮度分布的情形，所以它們不能解決由掃描線41和數(shù)據(jù)線43的布線電阻導(dǎo)致的、從而與光源亮度不均勻分布無(wú)關(guān)的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種在全襯度顯示模式和半色調(diào)顯示模式兩種模式中都能在整個(gè)平面上有均勻的輝度分布的LCD面板，該LCD面板的制造方法以及LCD裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例方面的LCD面板包括與配備有輸入端子的布線相連的TFT;與TFT相連的像素電極；以及與像素電極相對(duì)的公共電極，其中，取決于信號(hào)從輸入端子流過(guò)布線至TFT而引起的信號(hào)退化量，調(diào)整像素電極與公共電極之間的電極間距。從下面結(jié)合附圖所作的詳細(xì)描述中，對(duì)本發(fā)明的典型特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)看得更清楚，附圖中圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的LCD裝置的結(jié)構(gòu)的斷面圖；圖2是根據(jù)第一實(shí)施例的TFT基板的結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖3是根據(jù)第一實(shí)施例的TFT基板的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的頂視圖；圖4A和4B是根據(jù)第一實(shí)施例的TFT基板的一個(gè)像素的結(jié)構(gòu)的斷面圖；圖5A和5B是根據(jù)第一實(shí)施例的處于離掃描線或數(shù)據(jù)線的輸入端子較遠(yuǎn)和較近的區(qū)域中的像素部分的斷面圖和頂視圖；圖6A至6E是說(shuō)明根據(jù)第一實(shí)施例TFT基板的制造方法部分的工藝斷面圖；圖7A至7E是顯示根據(jù)第一實(shí)施例TFT基板的一部分制造方法的步驟斷面圖；圖8表示根據(jù)第一實(shí)施例的LCD裝置的效果，示出電極間距比與透射率之間的相互關(guān)系；圖9A至9E是根據(jù)第二實(shí)施例TFT基板的制造方法的工藝斷面圖；圖IOA和IOB說(shuō)明根據(jù)第二實(shí)施例的蝕刻步驟；圖11A和11B表示根據(jù)第二實(shí)施例的LCD裝置的效果，示出不同蝕刻步驟的透射率分布的變化；圖12A和12B是根據(jù)第三實(shí)施例的處于離掃描線或數(shù)據(jù)線的輸入端子較遠(yuǎn)和較近的區(qū)域中的像素部分的斷面圖和頂視圖；圖13A至13C是根據(jù)第三實(shí)施例的相對(duì)基板的一部分制造方法的工藝斷面圖；圖14表示根據(jù)第三實(shí)施例的LCD裝置的效果，示出遲滯比(基板間距比)與相對(duì)透射率之間的相互關(guān)系。圖15是LCD裝置操作的斷面圖；圖16表示TFT基板的結(jié)構(gòu)和信號(hào)延遲；圖17A和17B表示掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)中的波形變化；圖18表示由掃描信號(hào)的電壓降引起的TFT的漏電流的變化；圖19表示液晶的電壓-透射率特性；以及圖20A至20C表示在全襯度顯示模式和半色調(diào)顯示模式中有關(guān)LCD裝置的透射率分布。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。在LCD裝置中，公知面內(nèi)切換(IPS)型通過(guò)在平行于TFT基板表面的方向?qū)σ壕┘与妶?chǎng)而使LCD裝置具有寬視角。在IPS型裝置中，液晶的光學(xué)閾電壓Vc表示為公式(1):Vc=(兀xL/d)(K22/(s0xAs))1/2(1)這里，L:電極間距d:基板間隔K22:液晶的扭轉(zhuǎn)彈性系數(shù)So:真空介電常數(shù)AS:液晶的介電各向異性公式(1)表明如下的方法對(duì)于降低液晶的光學(xué)閾電壓VC是有效的減小像素電極與公共電極之間的電極間距L和擴(kuò)大TFT基板和相對(duì)基板之間的基板間隔d。考慮LCD面板的驅(qū)動(dòng)電壓與透射率之間的關(guān)系，當(dāng)液晶的光學(xué)閾電壓Vc變得比較小時(shí)，對(duì)于同樣的驅(qū)動(dòng)電壓，LCD面板的相對(duì)透射率會(huì)變得較大。然后，通過(guò)改變LCD面板的結(jié)構(gòu)，由掃描線和數(shù)據(jù)線的布線電阻引起的信號(hào)退化所致的透射率分布的不均勻性能得到改善。為了這個(gè)目的，一種可能的方法是改變像素電極和公共電極寬度，使得對(duì)于其中因信號(hào)退化而透射率下降的區(qū)域的像素而言，像素電極與公共電極之間的電極間距L相對(duì)較小。另一種可能的方法是改變柱狀襯墊(spacer)的高度或絕緣膜的厚度，使TFT基板與相對(duì)基板之間的基板間隔d變得相對(duì)較大。下面將參考附圖進(jìn)行詳細(xì)的描述。首先描述第一實(shí)施例。圖1是LCD裝置結(jié)構(gòu)的斷面圖。LCD裝置1配備有背光單元7和LCD面板2，LCD面板2包括TFT基板3、相對(duì)基板5、液晶4和偏振板6。TFT基板3是一個(gè)在其上多個(gè)開(kāi)關(guān)元件形成矩陣形式的基板，相對(duì)基板5是與TFT基板3相對(duì)的基板。液晶4夾在TFT基板3與相對(duì)基板5之間。偏振板6安排在TFT基板3和相對(duì)基板5上。背光單元7安排在TFT基板3的外面，并照射LCD面板2。圖2是TFT基板結(jié)構(gòu)的頂視圖。雖然在圖2中TFT基板3沿水平方向?yàn)殚L(zhǎng)度，但是高與寬的比可以選擇。TFT基板3包括掃描線11、公共線12和數(shù)據(jù)線17。多條掃描線11、公共線12和數(shù)據(jù)線17分別按預(yù)定的方向形成。在圖2中指示的情形是，掃描線11按水平方向形成，數(shù)據(jù)線17按垂直于掃描線11的方向形成，以及公共線12平行于掃描線11而形成。每一像素安排在由掃描線11和數(shù)據(jù)線17圍繞的區(qū)域，這些像素的集合形成顯示區(qū)8。提供有端子塊9a和端子塊9b的端子區(qū)9在顯示區(qū)8的周邊形成。掃描線11的輸入端子在端子塊9a中形成，數(shù)據(jù)線17的線輸入端子在端子塊9b中形成。圖3是TFT基板一個(gè)像素結(jié)構(gòu)的頂視圖。圖4A是沿圖3中的線A-A'所得的斷面圖，圖4B是沿圖3中的線B-B'所得的斷面圖。像素包括在掃描線11與數(shù)據(jù)線17相交處附近形成的TFT16、類(lèi)似梳狀的像素電極18和與這個(gè)像素電極18相對(duì)的公共電極13。像素電極18與TFT16的源電極相連，公共電極13與公共線12相連。另一方面，雖然附圖中未示，但在相對(duì)基板5上形成顏色層、黑矩陣和保護(hù)膜。顏色層包括進(jìn)行彩色顯示的每一RGB顏色層，黑矩陣用來(lái)截?cái)喙饩€使之不進(jìn)入每一顏色層之間的間隙。保護(hù)膜保護(hù)顏色層和黑矩陣。沿預(yù)定方向進(jìn)行研磨(rubbing)處理的對(duì)準(zhǔn)膜(alignmentfilm)加在TFT基板3和相對(duì)基板5的表面上。柱狀襯墊安置在TFT基板3與相對(duì)基板5之間的間隙中，由此確定基板之間的間隔。液晶4填充在基板之間的間隙中。通過(guò)公共線12將固定的公共電壓施加到所有的公共電極13。當(dāng)TFT16接通時(shí)，電位加到像素電極18，其在像素電極18與公共電極13之間產(chǎn)生水平電場(chǎng)。由于這個(gè)水平電場(chǎng)，液晶4在平行于基板的平面中進(jìn)行扭轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)變，因此透射率改變。如圖2所示，每一像素的透射率表現(xiàn)為不同，與由布線電阻引起的信號(hào)退化相應(yīng)，這是因?yàn)閺亩俗訁^(qū)9到每一像素的掃描線11和數(shù)據(jù)線17的長(zhǎng)度是不同的。根據(jù)公式(1)，當(dāng)像素電極18與公共電極13之間的電極間距L較小時(shí)，則能得到相對(duì)較高的透射率，即使液晶的光學(xué)閾電壓Vc小。因此，在這個(gè)實(shí)施例中，電極間距L的設(shè)置與從端子區(qū)9到每一像素的距離有關(guān)。圖5A和5B說(shuō)明沿圖3C-C'線所得的斷面圖和相關(guān)的頂視圖。圖5A說(shuō)明點(diǎn)A像素部分的斷面圖和頂視圖，圖5B說(shuō)明點(diǎn)B像素部分的斷面圖和頂視圖。像素電極18與公共電極13之間的電極間距L選擇為使點(diǎn)B像素的電極間距L2小于點(diǎn)A像素的電極間距L,(L^L2)。即使在點(diǎn)B像素電極18與公共電極13之間的電位差較小，通過(guò)選擇較小的電極間距L2，電場(chǎng)E2也能等于電場(chǎng)El(E1=E2)。因?yàn)橄袼亻g隔取決于顯示技術(shù)規(guī)范的觀點(diǎn)，所以在本實(shí)施例中采用改變像素電極18和公共電極13的電極寬度的方法。此外，也可以采用雙側(cè)提取結(jié)構(gòu)，盡管在圖2中，端子塊9b放置在TFT基板3的一條長(zhǎng)邊上，而端子塊9a放置在TFT基板3的一條短邊上。雖然在圖3中對(duì)于一個(gè)像素安排兩條公共線12，但是公共線12的數(shù)目和配置同樣不限制本發(fā)明。雖然在圖3、圖4A和圖4B中一個(gè)像素中安排兩個(gè)像素電極18和三個(gè)公共電極13，但像素電極18和公共電極13的數(shù)目和形狀不限制本發(fā)明。雖然在圖3、圖4A和圖4B中公共線12和公共電極13在同一層形成，但也能應(yīng)用另一種結(jié)構(gòu)，其中公共電極13在層間絕緣膜19的上層形成，并且公共電極13和公共線12相互連接。假如這樣，經(jīng)過(guò)層間絕緣膜19形成接觸孔，公共電極13和公共線12經(jīng)過(guò)這個(gè)接觸孔連接。同時(shí)，公共電極13可用類(lèi)似ITO(氧化銦錫)的透明導(dǎo)體形成。在該情形下，優(yōu)點(diǎn)是即使公共電極13的寬度較寬也不減小透光區(qū)的面積。即使圖4A中的TFT16被描述為倒置的交錯(cuò)(stagger)型(底柵電極型)，其中源電極和漏電極在柵電極的上側(cè)形成，但TFT也可以是交錯(cuò)型(頂柵電極型)，其中源電極和漏電極在柵電極下側(cè)形成。雖然圖5說(shuō)明的是其中像素電極18和公共電極13兩者寬度都變化的情形，但是另一種可能情形是其中通過(guò)改變或像素電極18或公共電極13中任一個(gè)電極的寬度，改變像素電極18與公共電極13之間的電極間距L。下面將參見(jiàn)圖6和圖7的工藝斷面圖描述本實(shí)施例制造TFT基板的方法。圖6A至6E和圖7A至7E是點(diǎn)A和點(diǎn)B處的TFT基板的一部分制造步驟的流程斷面圖。此外，圖6和圖7的左側(cè)表示圖2中點(diǎn)A的像素的一部分，右側(cè)表示圖2中點(diǎn)B像素的一部分。首先將參見(jiàn)圖6A至6E描述公共電極13的成形過(guò)程。將作為掃描線11、公共線12和公共電極13材料的Cr金屬20a等，利用濺射方法等沉積在玻璃、塑料等絕緣基板10上。然后將抗蝕劑21涂敷在這個(gè)金屬20a上，此后使抗蝕劑21干燥(參見(jiàn)圖6A)。接著，利用曝光掩模22使抗蝕劑21圖形化(參見(jiàn)圖6B)。這個(gè)曝光掩模22具有透光的開(kāi)口22a和22b，并且開(kāi)口22b具有比開(kāi)口22a大的開(kāi)口寬度。開(kāi)口22a對(duì)應(yīng)于點(diǎn)A的公共電極13的電極寬度，而開(kāi)口22b對(duì)應(yīng)于類(lèi)似點(diǎn)B處的較低透射率區(qū)中的公共電極13的電極寬度。在曝光完成之后，沒(méi)有曝光的一部分抗蝕劑22用顯影液除去，形成抗蝕劑圖形21a和21b(參見(jiàn)圖6C)。然后，以抗蝕劑圖形21a和21b為蝕刻掩模蝕刻金屬20a(參見(jiàn)圖6D)。之后，利用灰化(ashing)、有機(jī)溶液等除去抗蝕劑圖形21a和21b(參見(jiàn)圖6E)。結(jié)果，完成公共電極13a和13b。較高透射率區(qū)中的公共電極13a具有相應(yīng)于抗蝕劑圖形21a的較窄的電極寬度Wcl。較低透射率區(qū)中的公共電極13b具有相應(yīng)于抗蝕劑21b的較寬的電極寬度Wc2。然后，形成如圖4A所示的島狀半導(dǎo)體層15。雖然附圖中未示，但這一過(guò)程能按照下面的步驟完成。首先，采用等離子體CVD方法等形成柵電極絕緣膜14。作為一個(gè)例子，可使用氧化硅膜或氮化硅膜作為柵電極絕緣膜14。將非晶硅、多晶硅等沉積在這個(gè)柵電極絕緣膜14上，并且接著將抗蝕劑涂敷在非晶硅或多晶硅上。然后，在利用具有與半導(dǎo)體層15對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的曝光掩模進(jìn)行曝光之后，形成對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體層15的抗蝕劑圖形。用抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模，通過(guò)干法蝕刻等蝕刻非晶硅、多晶硅等。結(jié)果，島狀半導(dǎo)體層15得以形成。下面將參見(jiàn)圖7A至7E描述數(shù)據(jù)線17、像素電極18等的制造步驟。將作為數(shù)據(jù)線17、像素電極、源電極和漏電極的材料的Cr金屬20b等利用濺射方法等在基板10上形成。之后，將抗蝕劑23涂敷在金屬20b上，并將抗蝕劑23干燥(參見(jiàn)圖7A)。然后，采用具有與數(shù)據(jù)線17、像素電極18、源電極和漏電極對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的曝光掩模24進(jìn)行曝光(參見(jiàn)圖7B)。這個(gè)曝光掩模24包括與像素電極18對(duì)應(yīng)的開(kāi)口24a和24b。開(kāi)口24a對(duì)應(yīng)于點(diǎn)A的像素電極18a的電極寬度，而開(kāi)口24b對(duì)應(yīng)于類(lèi)似點(diǎn)B所處的較低透射率區(qū)中的像素電極18b的電極寬度。在曝光以后，利用顯影液將沒(méi)有曝光的一部分抗蝕劑23除去，然后，形成抗蝕劑圖形，如與開(kāi)口24a對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖形23a和與開(kāi)口24b對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖形23b(參見(jiàn)圖7C)。然后，采用抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模對(duì)金屬20b進(jìn)行蝕刻(參見(jiàn)圖7D)。之后，利用灰化、有機(jī)溶液等除去抗蝕劑圖形23a和23b(參見(jiàn)圖7E)。結(jié)果，在較低透射率區(qū)中形成的與像素電極18b的抗蝕劑圖形23b對(duì)應(yīng)的電極寬度Wp2，變成寬于在較高透射率區(qū)中形成的與像素電極18a的抗蝕劑圖形23a對(duì)應(yīng)的電極寬度Wpl。因此，在較低透射率區(qū)中的公共電極13b與像素電極18b之間的電極間距L2能夠小于較高透射率區(qū)中的公共電極13a與像素電極18a之間的電極間距Lj。在如上所述形成像素電極18以后，由TFT16的源電極和漏電極作為曝光掩模經(jīng)過(guò)曝光形成抗蝕劑圖形，然后，采用這個(gè)抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模通過(guò)干法蝕刻等蝕刻半導(dǎo)體層15，形成這個(gè)TFT的溝道。之后，利用等離子體CVD方法等形成如圖4B所示的層間絕緣膜19，包括氧化硅膜、氮化硅膜等。另一方面，在絕緣基板上形成相對(duì)基板5，接著形成每一RGB顏色的顏色層、黑矩陣、保護(hù)膜和柱狀襯墊。每一RGB顏色的顏色層與每一像素區(qū)對(duì)應(yīng)形成，黑矩陣則在每一顏色層之間的區(qū)域中形成。之后，形成保護(hù)膜覆蓋顏色層和黑矩陣，并在保護(hù)膜上形成柱狀襯墊。然后，將聚酰亞胺溶液作為對(duì)準(zhǔn)膜的材料利用印刷機(jī)涂敷在TFT基板3和相對(duì)基板5上，然后烘烤。經(jīng)過(guò)燒烤的對(duì)準(zhǔn)膜的表面用纏繞在旋轉(zhuǎn)的金屬滾筒上的研磨布等單向研磨，由此對(duì)對(duì)準(zhǔn)膜進(jìn)行研磨處理。然后，將光固化的密封劑或熱固化的密封劑將在基板之一上，液晶滴落到由密封劑包圍的區(qū)域。此后，TFT基板3和相對(duì)基板5兩個(gè)基板重疊地放在一起，并對(duì)密封劑進(jìn)行紫外線固化或熱固化處理，由此TFT基板3和相對(duì)基板5結(jié)合在一起。上面的步驟完成LCD面板2的制造。通過(guò)將背光單元7與用上述方法制造的LCD面板2進(jìn)行組合，制成LCD裝置1。圖8表示這種LCD裝置的透射率的測(cè)量結(jié)果。水平軸表示電極間距比，垂直軸表示相對(duì)透射率。在測(cè)量中，結(jié)果是相對(duì)于緊靠顯示區(qū)8中心的像素的電極間距和透射率的參考值而測(cè)得的。圖8示出相對(duì)透射率隨著電極間距比變得較小而變得較高。這個(gè)結(jié)果表示因掃描線11和數(shù)據(jù)線17的布線電阻引起的透射率的下降能通過(guò)控制電極間距L得到補(bǔ)償。通過(guò)與公共電極13的電極寬度對(duì)應(yīng)的曝光掩模22的開(kāi)口22a和22b的大小，與像素電極18b的電極寬度對(duì)應(yīng)的曝光掩模24的開(kāi)口24a和24b的大小，抗蝕劑21和23的涂敷條件，曝光條件，顯影條件等的變化，可以調(diào)整該電極間距L。電極間距L的控制目標(biāo)能通過(guò)下面考慮了實(shí)際LCD面板2中透射率變化的公式進(jìn)行計(jì)算。如果以T,表示相對(duì)接近端子區(qū)9的像素的透射率，以T2表示相對(duì)遠(yuǎn)離端子區(qū)9的像素的透射率，則相對(duì)透射率T/T,表示如下T產(chǎn)axsin2(2xij/i)T2=axsin2(2xn/2)T2/T產(chǎn)sin2(2xvj/2)/sin2(2xij/,)(2)oc=l/2xsin2(丌xAnxd/入)XK:液晶的旋轉(zhuǎn)角An:液晶的折射率各向異性d:基板間隔入光的波長(zhǎng)另一方面，下面的關(guān)系式在有關(guān)IPS的基本公式(1)的基礎(chǔ)上能成立，其中，相對(duì)接近端子區(qū)9的像素的電極間距是L,，相對(duì)遠(yuǎn)離端子區(qū)9的像素的電極間距是L2。K22xd2v];/dz2-SoxAsx(V/L，)2xsin(v)^)xcos(i)/')K22xd\|//dz=SoxAsx(V/L2)xsin(v(/2)xcos(\)/2)因此，電極間距比L2/L,表示為L(zhǎng)2/Li-((sin(ij/2)xcos(vj/2))/(sin(Vj/i)xcos(xi;i)))"2(3)與相對(duì)透射率T2/Ti—致的v]/i和化由公式(2)確定。假設(shè)M/,和vj/2以后，電極間距比L2/L,能根據(jù)公式(3)進(jìn)行計(jì)算。在具有圖8特性的LCD面板的情形下，曲線的斜率接近-7。因此，例如，如果假定每一像素的TFT16的特性固定的話，則近似15%的相對(duì)透射率T/^意味著電極間距比L2/L,應(yīng)當(dāng)調(diào)整為減小僅2.2%。利用上述實(shí)施例，可以提供在全襯度顯示模式和半色調(diào)顯示模式兩種模式中在整個(gè)顯示區(qū)域上透射率的均勻性都得到改善的LCD面板和LCD裝置。隨后，將參見(jiàn)圖9至11描述根據(jù)第二實(shí)施例的LCD面板和LCD裝置。在前面描述的第一實(shí)施例中，像素電極18和公共電極13之間的電極間距L通過(guò)改變曝光掩模22和24上的開(kāi)口22a、22b、24a和24b的大小進(jìn)行調(diào)整。相反，在第二實(shí)施例中，通過(guò)改變蝕刻條件來(lái)進(jìn)行調(diào)整電極間距L，而不改變曝光掩模22和24上的開(kāi)口22a、22b、24a和24b的大小。在下文中，將參見(jiàn)圖9A至9E的工藝斷面圖描述本實(shí)施例中和制造TFT基板3的方法。圖9是在點(diǎn)A和點(diǎn)B的像素處的制造TFT基板3的部分步驟的工藝斷面圖。圖9的左側(cè)表示圖2中點(diǎn)A的像素部分，圖9的右側(cè)表示圖2中點(diǎn)B的像素部分。如第一實(shí)施例那樣，首先將作為掃描線11、公共線12和公共電極13的材料的Cr金屬20a等，利用濺射方法等沉積在玻璃、塑料等絕緣基板10上。然后將抗蝕劑21涂敷在這個(gè)金屬20a上，之后使抗蝕劑21干燥(參見(jiàn)圖9A)。然后，利用具有開(kāi)口22c(對(duì)于點(diǎn)A和點(diǎn)B的像素電極18與公共電極13，開(kāi)口22c的大小相同)的曝光掩模22，使抗蝕劑21曝光(參見(jiàn)圖9B)。此后，利用顯影液將未曝光的抗蝕劑21除去，由此形成抗蝕劑圖形21c(參見(jiàn)圖9C)。然后，將基板10浸漬在蝕刻劑中，采用抗蝕劑圖形21c作為蝕刻掩模蝕刻金屬20a。當(dāng)基板10浸漬在蝕刻劑中時(shí)，將類(lèi)似點(diǎn)A的具有較高透射率的一部分基板10首先浸入蝕刻劑。當(dāng)從蝕刻劑取出基板10時(shí)，同時(shí)取出整個(gè)基板10(參見(jiàn)圖9D)。之后，利用灰化、有機(jī)溶液等除去抗蝕劑21。這樣，形成具有電極寬度Wcl的公共電極13a和具有電極寬度Wc2的公共電極13b(參見(jiàn)圖9E)。圖10A和10B說(shuō)明基板10浸入蝕刻劑的過(guò)程。圖10A表示基板10從點(diǎn)B側(cè)浸入蝕刻劑的情形，圖10B表示基板10從點(diǎn)A側(cè)浸入蝕刻劑的情形。因此，當(dāng)基板10浸漬在蝕刻劑中時(shí)，通過(guò)使點(diǎn)A和點(diǎn)B之間浸漬的定時(shí)不同，可以使得點(diǎn)A和點(diǎn)B的蝕刻持續(xù)時(shí)間不同。在這個(gè)實(shí)施例中，如圖IOB所示，采用的是基板10從點(diǎn)A側(cè)浸入蝕刻劑的情形。因此，像素越靠近點(diǎn)A，蝕刻時(shí)間變得越長(zhǎng)，在抗蝕劑21下面金屬20a進(jìn)一步過(guò)蝕刻，因而公共電極13a的電極寬度Wcl變得窄于公共電極13b的電極寬度Wc2。公共電極13a的較窄的電極寬度Wcl意味著在公共電極13a與像素電極18之間的電極間距L加寬。接著，通過(guò)附圖未示的步驟，產(chǎn)生半導(dǎo)體層15、數(shù)據(jù)線17、源電極、漏電極和像素電極18。首先，利用等離子體CVD方法等，形成包括氧化硅膜、氮化硅膜等柵電極絕緣膜14。在非晶硅或多晶硅沉積在這個(gè)柵電極絕緣膜14上以后，將抗蝕劑涂敷在非晶硅、多晶硅等層上。然后，利用具有與半導(dǎo)體層15對(duì)應(yīng)的開(kāi)口的曝光掩模使基板曝光，形成與這個(gè)半導(dǎo)體層15對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖形。采用這個(gè)抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模通過(guò)干法蝕刻等蝕刻非晶硅、多晶硅等。結(jié)果，可以形成島狀半導(dǎo)體層15。然后，通過(guò)采用濺射的方法等，形成將成為數(shù)據(jù)線17、源電極、漏電極和像素電極18的金屬Cr等。進(jìn)行蝕刻，使得蝕刻時(shí)間存在差別，類(lèi)似于公共電極13的情形。因此，例如靠近端子區(qū)9類(lèi)似點(diǎn)A的像素電極18的電極寬度可以比較窄。此后，利用與第一實(shí)施例同樣的方法形成LCD面板2。因而，通過(guò)引入蝕刻時(shí)間差，使得在較高透射率的顯示區(qū)中的公共電極13和像素電極18的電極寬度較窄，可以獲得與第一實(shí)施例類(lèi)似的效果。為了證實(shí)引入上述蝕刻時(shí)間差的方法的效果，對(duì)通過(guò)這個(gè)方法制造的TFT基板3的透射率分布進(jìn)行了測(cè)量。圖11A和11B示出LCD面板2的相對(duì)透射率分布，相對(duì)于靠近顯示區(qū)8的中心的像素測(cè)量相對(duì)透射率。圖11A表示基板10首先從遠(yuǎn)離端子區(qū)9的區(qū)域浸入蝕刻劑時(shí)的相對(duì)透射率，圖11B則表示基板10首先從緊靠端子區(qū)9的區(qū)域浸入蝕刻劑時(shí)的相對(duì)透射率。圖IIA表明首先從較低透射率區(qū)域浸入蝕刻劑的基板IO相對(duì)透射率變化較大。這是因?yàn)檩^低透射率區(qū)域存在著更顯著的過(guò)蝕刻，因此，較低透射率區(qū)域(右側(cè)區(qū)域)中的公共電極13與像素電極18之間的電極間距比較高透射率區(qū)域(左側(cè)區(qū)域)的電極間距變得較寬，從而增大了這些區(qū)域之間的透射率差別。另一方面，圖IIB表明當(dāng)基板首先從較高透射率區(qū)域浸入蝕刻劑時(shí)，相對(duì)透射率在整個(gè)顯示區(qū)呈現(xiàn)均勻性。這是因?yàn)檩^高透射率區(qū)域(左側(cè)區(qū)域)存在更顯著的過(guò)蝕刻，因此，這個(gè)區(qū)域中的公共電極13與像素電極18之間的電極間距比較低透射率區(qū)域(右側(cè)區(qū)域)中的電極間距變得較寬，從而減小這些區(qū)域之間的透射率差別。通過(guò)上述實(shí)施例，可以提供在全襯度顯示模式和半色調(diào)顯示模式兩種模式中在整個(gè)顯示區(qū)域上透射率的均勻性都得到改善的LCD面板和LCD裝置。下面將描述第三實(shí)施例。在前面所述的第一和第二實(shí)施例中，透射率通過(guò)改變像素電極18與公共電極13之間的電極間距L而調(diào)整。相反，在第三實(shí)施例中，透射率通過(guò)改變TFT基板3與相對(duì)基板5之間的基板間隔d來(lái)調(diào)整。如從公式(l)了解到的，當(dāng)TFT基板3與相對(duì)基板5之間的基板間隔d較大時(shí)，液晶的光學(xué)閾電壓Vc變得較小，因此，對(duì)于同樣施加的電壓，LCD面板的透射率整體上較高。TFT基板3與相對(duì)基板5之間的基板間隔d通常由在相對(duì)基板5上形成的抗蝕劑圖形的柱狀襯墊來(lái)確定。因此，在本實(shí)施例中，抗蝕劑圖形的高度根據(jù)距端子區(qū)9的圖形距離來(lái)調(diào)整。圖12A是靠近端子區(qū)9點(diǎn)A的像素的斷面圖和頂視圖，圖12B則是遠(yuǎn)離端子區(qū)9點(diǎn)B的像素的斷面圖和頂視圖。如圖12A所示，點(diǎn)A像素的基板間隔d是較小的間距d,。結(jié)果是液晶4受到較大的取向約束力fl。另一方面，如圖12B所示，點(diǎn)B像素的基板間隔d是較大的間隔d2。結(jié)果是液晶4受到較小的取向約束力f2。因此，即使在同樣條件下進(jìn)行研磨處理，但取向約束力f還是隨基板間隔d而變化。這個(gè)取向約束力f對(duì)液晶4的旋轉(zhuǎn)角度有影響，而這里的旋轉(zhuǎn)角決定透射率。所以透射率能通過(guò)改變基板間隔d來(lái)調(diào)整。柱狀襯墊29c和29d可在TFT基板3上形成，或者可同時(shí)在相對(duì)基板5和TFT基板3上形成。在其他修改中，柱狀襯墊29c和29d的高度為常數(shù)，TFT基板3和相對(duì)基板5之間的基板間隔d可以通過(guò)改變基板上的薄膜厚度而變化，如TFT基板3上的層間絕緣膜19、平面化層和對(duì)準(zhǔn)膜，以及相對(duì)基板5上的黑矩陣、保護(hù)膜和對(duì)準(zhǔn)膜。下面將描述采用改變柱狀襯墊29c和29d的高度的制造LCD面板2的一個(gè)例子。圖13A至圖13C是制造這個(gè)LCD面板的一部分步驟的工藝斷面圖。在這些圖中，點(diǎn)A的像素的斷面圖表示在圖13的左側(cè)，點(diǎn)B的像素的斷面圖則表示在圖13的右側(cè)。首先，每一RGB顏色的顏色層在玻璃、塑料等絕緣基板25上形成。此后，黑矩陣27在顏色層26之間的區(qū)域中形成，保護(hù)膜28在它的上面形成。接著，將光敏抗蝕劑29涂敷在保護(hù)膜28上，此后使抗蝕劑29干燥(參見(jiàn)圖13A)。然后，利用具有開(kāi)口30a和30b的曝光掩模30將基板曝光(參見(jiàn)圖13B)。曝光以后，通過(guò)蝕刻方法將未曝光的抗蝕劑除去，形成抗蝕劑圖形(參見(jiàn)圖13C)。在掩模上，點(diǎn)A的開(kāi)口30a設(shè)置為小于點(diǎn)B的開(kāi)口30b。因?yàn)檫M(jìn)入抗蝕劑29的光線在抗蝕劑29中進(jìn)行散射，所以出現(xiàn)在垂直于入射方向的橫向上傳播的光線分量。由此，抗蝕劑29的曝光區(qū)域變成具有梯形形狀的曝光區(qū)29a和29b，其頂面分別對(duì)應(yīng)于開(kāi)口30a和30b。因?yàn)殚_(kāi)口面積較小，所以在水平方向傳播的光能量在通過(guò)開(kāi)口的總能量中的比率增加。因此，由于開(kāi)口面積變得較小，正好在開(kāi)口下面的抗蝕劑29中吸收的能量勢(shì)必會(huì)減小，所以曝光變得不充分。當(dāng)在上述情形下蝕刻時(shí)，因較小開(kāi)口面積而曝光不充分的曝光區(qū)29a的表面?zhèn)?開(kāi)口30a傻lj)勢(shì)必會(huì)比較大開(kāi)口面積下的曝光區(qū)29b的表面?zhèn)?開(kāi)口30b側(cè))更容易過(guò)蝕刻。因此，與較小開(kāi)口面積下的曝光區(qū)29a對(duì)應(yīng)的柱狀襯墊29c的高度變得小于與較大開(kāi)口面積下的曝光區(qū)29b對(duì)應(yīng)的柱狀襯墊29d的高度。接著，在按照上述步驟形成的TFT基板3和相對(duì)基板5上形成對(duì)準(zhǔn)膜，然后對(duì)對(duì)準(zhǔn)膜進(jìn)行研磨處理。然后在一個(gè)基板上配備光固化或熱固化密封劑，然后將液晶滴落在被密封包圍的區(qū)域。在完成液晶滴落以后，將兩個(gè)基板重疊在一起，并進(jìn)行密封劑的紫外線固化或熱固化。通過(guò)上述方法可以形成LCD面板2。在將通過(guò)上述方法制成的LCD面板2與背光單元7組合起來(lái)以后，對(duì)顯示區(qū)8的每一部分的透射率進(jìn)行了測(cè)量。圖14示出所測(cè)得的遲滯比(retardationratio)與相對(duì)透射率的相互之間的關(guān)系，也示出所測(cè)得的基板間隔比與相對(duì)透射率相互之間的關(guān)系，分別相對(duì)于靠近顯示區(qū)8的中心像素的基板間隔和透射率的參考值測(cè)量。在上文中，因?yàn)檫t滯比是基板間隔乘以折射率的各向異性，所以遲滯比等效于基板間隔比。圖14表示基板間隔比與相對(duì)透射率成比例。因而，這個(gè)結(jié)果證明了因掃描線11或數(shù)據(jù)線17的布線電阻所引起的透射率差別能通過(guò)調(diào)整基板間隔d得以補(bǔ)償。這些柱狀襯墊29c和29d之間的垂直高度差別可以通過(guò)曝光掩模30的開(kāi)口30a和30b的大小，以及通過(guò)在諸如抗蝕劑29的涂敷、曝光和顯影中的若干條件進(jìn)行調(diào)整。因此，考慮實(shí)際LCD面板2中透射率變化，決定基板間隔比的目標(biāo)值?？梢杂上旅娴牡仁接?jì)算基板間隔比的值。當(dāng)靠近端子區(qū)9的像素的透射率表示為T(mén),、它的相應(yīng)基板間隔表示為dp遠(yuǎn)離端子區(qū)9的像素的透射率為T(mén)2和相應(yīng)基板間隔為d2時(shí)，透射率T,和T2表示如下<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>這里<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>M/:液晶的旋轉(zhuǎn)角An:液晶的折射率各向異性人光的波長(zhǎng)因此，相對(duì)透射率T/T,表示為<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>(4)由公式(4)，可以計(jì)算符合T/Ti的Anx山和Anxd2。圖14中的斜率近似為10。因此，當(dāng)較低透射率區(qū)域與較高透射率區(qū)域之間的相對(duì)透射率近似為15%時(shí)，假定每一像素的TFT16的特性相同，則相對(duì)遲滯比調(diào)整為近似1.5%。按此方式，透射率的調(diào)整成為可能。在第一和第二實(shí)施例中，改變公共電極13與像素電極18之間的電極間距，在第三實(shí)施例中，改變TFT基板3與相對(duì)基板5之間的基板間隔。但是，本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。例如，改變電極間距和基板間隔的組合配置也是可以的。盡管在第一至第三實(shí)施例中描述了IPS型的LCD面板，但上述方法也能應(yīng)用于其他類(lèi)型的LCD面板，如VA(垂直對(duì)準(zhǔn))型面板。如上面已經(jīng)描述的，本發(fā)明可以提供在全襯度顯示模式和半色調(diào)顯示模式兩種模式中在整個(gè)顯示區(qū)域上透射率的均勻性都得到改善的LCD面板、制造該面板的方法、以及LCD裝置。盡管已參考實(shí)施例具體示出和描述了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)了解，在不違背權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情形下，可進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的修改。權(quán)利要求1.一種液晶顯示面板，包括與配備有輸入端子的布線相連的TFT；與所述TFT相連的像素電極；以及與像素電極相對(duì)的公共電極，其中取決于信號(hào)從所述輸入端子流過(guò)所述布線至所述TFT所引起的信號(hào)退化量，調(diào)整像素電極和公共電極之間的電極間距。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中相對(duì)透射率T/T,和電極間距比L2/L,滿足下面的等式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>其中，T,、1^和w分別表示相對(duì)靠近所述輸入端子的像素的像素透射率、公共電極與像素電極之間的電極間距和液晶旋轉(zhuǎn)角；T2、k和分別表示相對(duì)遠(yuǎn)離所述輸入端子的像素的像素透射率、公共電極與像素電極之間的電極間距和液晶旋轉(zhuǎn)角。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中通過(guò)改變公共電極寬度和像素電極寬度中的至少一個(gè)來(lái)調(diào)整公共電極與像素電極之間的電極間距。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板，其中所述輸入端子是與所述TFT的柵電極相連的第一輸入端子；以及隨著所述第一輸入端子與所述TFT之間的距離的增加，將像素電極與公共電極之間的電極間距設(shè)置得較小。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板，其中所述輸入端子是與所述TFT的漏電極相連的第二輸入端子；以及隨著所述第二輸入端子與所述TFT之間的距離的增加，將像素電極與公共電極之間的電極間距設(shè)置得較小。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示面板，其中所述輸入端子是與所述TFT的柵電極相連的第一輸入端子和與所述TFT的漏電極相連的第二輸入端子；以及隨著所述第一輸入端子、所述第二輸入端子與所述TFT之間的距離的增加，將像素電極與公共電極之間的電極間距設(shè)置得較小。7.—種液晶顯示面板，具有夾在一對(duì)相對(duì)基板之間的液晶，所述液晶顯示面板包括-與配備有輸入端子的布線相連的TFT;與所述TFT相連的像素電極；與所述像素電極相對(duì)的公共電極，以及取決于信號(hào)從所述輸入端子流過(guò)所述布線至所述TFT所引起的信號(hào)退化量，調(diào)整像素電極與公共電極之間的電極間距。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其中基板間隔d,和d2滿足下面的關(guān)系式；T2/Tsin2(pxAnxd2)/sin2(J3xAiixd！)射相對(duì)地靠近所述輸入端子的像素的透射率是Tp所述像素處的基板間隔是山；相對(duì)地遠(yuǎn)離所述輸入端子的像素的透射率是T2，所述像素處的基板間隔是4;禾口An表示液晶的折射率各向異性。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其中所述輸入端子是與所述TFT的柵電極相連的第一輸入端子；以及隨著所述第一輸入端子與所述TFT之間的距離的增加，將基板間隔設(shè)置得較小。10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其中所述輸入端子是與所述TFT的漏電極相連的第二輸入端子；以及隨著所述第二輸入端子與所述TFT之間的距離的增加，將基板間隔設(shè)置得較小。11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其中所述輸入端子是與所述TFT的柵電極相連的第一輸入端子和與所述TFT的漏電極相連的第二輸入端子；以及隨著所述第一輸入端子、所述第二輸入端子與所述TFT之間的距離的增加，將像素電極與公共電極之間的電極間距設(shè)置得較小。12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板，其中設(shè)置限定一對(duì)基板的間隔的柱狀襯墊，通過(guò)改變柱狀襯墊的高度來(lái)調(diào)整所述基板的間隔。13.—種制造具有多個(gè)像素和一個(gè)輸入端子的液晶顯示面板的方法，所述像素安排成矩陣形式并且具有一對(duì)電極，所述輸入端子安排在基板的周邊中，并且向每一像素的所述電極提供信號(hào)，所述方法包括以下步驟形成將成為所述電極的材料的金屬膜；將抗蝕劑涂敷在金屬膜上；利用曝光掩模使所述抗蝕劑曝光，所述曝光掩模具有與一對(duì)所述電極的間距對(duì)應(yīng)的開(kāi)口，隨著所述電極與所述輸入端子之間的距離的增加，將所述電極的間距設(shè)置得較小；使抗蝕劑顯影以形成抗蝕劑圖形；以及利用所述抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模，蝕刻所述金屬膜。14.一種制造具有多個(gè)像素和一個(gè)輸入端子的液晶顯示面板的方法，所述像素安排成矩陣形式并且具有一對(duì)電極，所述輸入端子安排在基板的周邊，并且向每一像素的所述電極提供信號(hào)，所述方法包括以下步驟形成將成為所述電極的材料的金屬膜；將抗蝕劑涂敷在金屬膜上；在所述金屬膜上形成與所述電極對(duì)應(yīng)的抗蝕劑圖形；以及通過(guò)首先從其中包括所述輸入端子的邊緣開(kāi)始將基板浸入蝕刻劑，蝕刻上面具有所述抗蝕劑圖形的所述金屬膜。15.—種制造液晶顯示面板的方法，所述液晶顯示面板具有按照由襯墊限定的預(yù)定間隔相對(duì)的一對(duì)基板，對(duì)每一基板施加研磨處理，所述方法包括以下步驟在所述基板上形成供信號(hào)流動(dòng)的布線；將抗蝕刻劑涂敷在所述基板上；按照所述預(yù)定高度形成抗蝕劑襯墊，包括以下過(guò)程利用具有開(kāi)口的曝光掩模使所述抗蝕劑曝光，隨著距所述信號(hào)進(jìn)入所述布線處的所述輸入端子的距離的增加，將所述開(kāi)口設(shè)置得較大，以及使所述抗蝕劑顯影，以形成高度與所述開(kāi)口的大小一致的抗蝕劑圖形。16.—種液晶顯示裝置，包括液晶顯示面板和提供穿透液晶顯示面板的光源的背光單元，所述液晶顯示面板包括與配備有輸入端子的布線相連的TFT;與所述TFT相連的像素電極；與像素電極相對(duì)的公共電極，其中，取決于信號(hào)從所述輸入端子流過(guò)所述布線至所述TFT所引起的信號(hào)退化量，調(diào)整所述像素電極與所述公共電極之間的電極間距。17.—種液晶顯示裝置，包括液晶顯示面板和提供穿透液晶顯示面板的光源的背光單元，所述液晶顯示面板包括與配備有輸入端子的布線相連的TFT;與所述TFT相連的像素電極；與像素電極相對(duì)的公共電極，其中，取決于信號(hào)從輸入端子流過(guò)所述布線至所述TFT所引起的信號(hào)退化量，通過(guò)改變所述公共電極和所述像素電極中的至少一個(gè)的電極寬度來(lái)調(diào)整所述像素電極與所述公共電極之間的電極間距。18.—種液晶顯示裝置，包括配備有一對(duì)相對(duì)基板的液晶顯示面板和提供穿透液晶顯示面板的光源的背光單元，所述液晶顯示面板包括與配備有輸入端子的布線相連的TFT;與所述TFT相連的像素電極；與像素電極相對(duì)的公共電極，其中，取決于信號(hào)從所述輸入端子流過(guò)所述布線至所述TFT所引起的信號(hào)退化量，調(diào)整所述基板的間隔。全文摘要本發(fā)明涉及液晶顯示面板、其制造方法和液晶顯示裝置。所述液晶顯示面板包括與配備有輸入端子的布線相連的TFT；與TFT相連的像素電極；和與像素電極相對(duì)的公共電極，其中，取決于信號(hào)從所述輸入端子流過(guò)所述布線至所述TFT所引起的信號(hào)退化量，調(diào)整像素電極與公共電極之間的電極間距。文檔編號(hào)G02F1/1362GK101276111SQ200810090019公開(kāi)日2008年10月1日申請(qǐng)日期2008年3月31日優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日發(fā)明者春日康二申請(qǐng)人:Nec液晶技術(shù)株式會(huì)社