專利名稱：：一種等離子刻蝕殘留物清洗液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝中的清洗液，具體的涉及一種等離子刻蝕殘留物清洗液。
背景技術(shù)：
：在半導(dǎo)體元器件制造過程中，光阻層的涂敷、曝光和成像對(duì)元器件的圖案制造來說是必要的工藝步驟。在圖案化的最后(即在光阻層的涂敷、成像、離子植入和蝕刻之后)進(jìn)行下一工藝步驟之前，光阻層材料的殘留物需徹底除去。在摻雜步驟中離子轟擊會(huì)硬化光阻層聚合物，因此使得光阻層變得不易溶解從而更難于除去。至今在半導(dǎo)體制造工業(yè)中一般使用兩步法(干法灰化和濕蝕刻)除去這層光阻層膜。第一步利用干法灰化除去光阻層(PR)的大部分；第二步利用等離子刻蝕殘留物清洗液進(jìn)行清洗工藝，以除去剩余的光阻層，其步驟一般為先用等離子刻蝕殘留物清洗液清洗，然后用溶劑或去離子水漂洗，最后再用去離子水漂洗。在這個(gè)過程中只能除去殘留的光阻層聚合物和無機(jī)物，而不能攻擊損害金屬層如鋁層?，F(xiàn)有技術(shù)中典型的等離子刻蝕殘留物清洗液有以下幾種胺類清洗液，半水性胺基(非羥胺類)清洗液以及氟化物類清洗液。其中前兩類清洗液需要在高溫下清洗，一般在6(TC到8(TC之間，這類清洗液目前主要是有EKC和ACT兩家公司開發(fā)，并占有較大的市場。其典型的專利有US6319885、US5672577、US6030932、US6825156和US5419779等。經(jīng)過不斷改進(jìn)，其溶液本身對(duì)金屬鋁的腐蝕速率已經(jīng)大幅降低，但該類清洗液由于其在水中漂洗時(shí)金屬鋁的腐蝕速率較高，在清洗完等離子蝕刻殘留物后，常采用溶劑漂洗。所用的溶劑主要有異丙醇和N-甲基吡咯烷酮。前者由于閃點(diǎn)比較低、易5揮發(fā)，在一些半導(dǎo)體制造公司已經(jīng)逐步被淘汰；而后者雖然閃點(diǎn)比較高、不易揮發(fā)，很多半導(dǎo)體制造公司一直在使用；但是隨著環(huán)保意識(shí)增強(qiáng)和成本壓力加大，越來越多的公司希望能用去離子水直接漂洗，而不造成金屬的腐蝕。而現(xiàn)存的氟化物類清洗液雖然能在較低的溫度(室溫到5(TC)下進(jìn)行清洗，然后用去離子水漂洗，但仍然存在著各種各樣的缺點(diǎn)，例如不能同時(shí)控制金屬和非金屬基材的腐蝕，清洗后容易造成通道特征尺寸的改變，從而改變半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；另一方面由于其漂洗時(shí)較大的金屬蝕刻速率，清洗操作窗口比較小等。US6，828,289公開的清洗液組合物包括酸性緩沖液、有機(jī)極性溶劑、含氟物質(zhì)和水，且pH值在37之間，其中的酸性緩沖液由有機(jī)羧酸或多元酸與所對(duì)應(yīng)的銨鹽組成，組成比例為10:l至l:IO之間。如US5，698，503公開了含氟清洗液，但大量使用乙二醇，其清洗液的粘度與表面張力都很大，從而影響清洗效果。如US5,972,862公開了含氟物質(zhì)的清洗組合物，其包括含氟物質(zhì)、無機(jī)或有機(jī)酸、季銨鹽和有機(jī)極性溶劑，pH為711，由于其清洗效果不是很穩(wěn)定，存在多樣的問題。因此盡管已經(jīng)揭示了一些清洗液組合物，但還是需要而且近來更加需要制備一類更合適的清洗組合物或體系，適應(yīng)新的清洗要求，比如環(huán)境更為友善、低缺陷水平、低刻蝕率以及較大操作窗口。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是為了克服傳統(tǒng)的等離子刻蝕殘留物清洗液清洗所需溫度較高，清洗完后需要用溶劑漂洗，用去離子水漂洗時(shí)金屬蝕刻速率較高，清洗操作窗口較小，清洗液的粘度和表面張力較大的缺陷而提供了一種可以有效去除等離子刻蝕后的光阻殘留物，同時(shí)可以高效的抑制金屬(尤其是鋁)和非金屬的腐蝕，有較大的清洗和漂洗的操作窗口的等離子刻蝕殘留物清洗液。本發(fā)明的等離子刻蝕殘留物清洗液包含溶劑、水和氟化物，其還含有含其中，所述的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)較佳的為0.001%3%，更佳的為0.001%~1%;所述的溶劑的質(zhì)量分?jǐn)?shù)較佳的為20%~85%;所述的水的質(zhì)量分?jǐn)?shù)較佳的為10%~70%;所述的氟化物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)較佳的為0.1%~30%。本發(fā)明中，所述的顏料親和基團(tuán)是指含有氧、氮和硫中的一種或多種元素的基團(tuán)，較佳的為羥基、氨基或羧基；所述的星形聚合物是指以分子中一個(gè)對(duì)稱中心為中心，以放射形式聯(lián)接三條或三條以上分子鏈的聚合物。所述的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物中所含的顏料親和基團(tuán)的種類可為一種或多種。所述的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物可為均聚物或共聚物。形成該聚合物的聚合單體較佳的包括下列中的一種或多種含顏料親和基團(tuán)的丙烯酸類單體、含顏料親和基團(tuán)的丙烯酸酯類單體和含顏料親和基團(tuán)的丙烯酰胺類單體。所述的顏料親和基團(tuán)較佳的為羥基、氨基或羧基。其中，所述的丙烯酸類單體較佳的為丙烯酸或甲基丙烯酸；所述的丙烯酸酯類單體較佳的為丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸羥乙酯或甲基丙烯酸羥乙酯；所述的丙烯酰胺類單體較佳的為丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺。較佳的，形成上述含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物中的單體還可以含有其他不含顏料親和基團(tuán)的聚合單體，如其他乙烯基類單體，優(yōu)選乙烯、丙烯或苯乙烯。本發(fā)明中，所述的乙烯基單體是指含乙烯基單元的聚合單體。本發(fā)明中，優(yōu)選的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物為聚丙烯酸星形均聚物，苯乙烯與丙烯酸羥乙酯的二元星形共聚物，丙烯酸甲酯與丙烯酸羥乙酯的二元星形共聚物，丙烯酸與丙烯酸羥乙酯的二元星形共聚物，以及丙烯酸、丙烯酸丁酯和丙烯酰胺的三元星形共聚物中的一種或多種。本發(fā)明中，所述的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物的數(shù)均分子量較佳的為800-50000，更佳的為800-10000。本發(fā)明中，所述的溶劑為本領(lǐng)域等離子刻蝕殘留物清洗液中常規(guī)的溶劑，較佳的選自亞砜、砜、咪唑垸酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、醇、醚和酰胺中的一種或多種。其中，所述的亞砜較佳的為CVC4亞砜和/或C7-CH)的芳基亞砜，更佳的為二甲基亞砜；所述的砜較佳的為d-C4砜和/或C7-Cu)的芳基砜，更佳的為環(huán)丁砜；所述的咪唑烷酮較佳的為1，3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的吡咯垸酮較佳的為N-甲基吡咯垸酮和域羥乙基吡咯烷酮；所述的咪唑啉酮較佳的為l，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI);所述的醇較佳的為CrC4烷基醇和/或C7-C1Q的芳基醇，更佳的為丙二醇和/或二乙二醇；所述的醚較佳的為C3-C2()的醚，更佳的為丙二醇單甲醚和/或二丙二醇單甲醚；所述的酰胺較佳的為Q-C6烷基酰胺，更佳的為二甲基甲酰胺和/或二甲基乙酰胺。本發(fā)明所述的氟化物為本領(lǐng)域含氟類清洗液中常用的氟化物。較佳的為氟化氫、氟硅酸、氟硅酸銨、氟硼酸、氟硼酸銨和氟化氫與堿形成的鹽中的一種或多種，該堿較佳的為氨水、季胺氫氧化物或醇胺。其中，所述的氟化氫與堿形成的鹽更佳的為氟化氫銨(NH4HF2)、四甲基氟化銨(N(CH3)4F)和三羥乙基氟化銨(N(CH2OH)3HF)中的一種或多種。本發(fā)明的清洗液可采用本領(lǐng)域常規(guī)的pH調(diào)節(jié)劑進(jìn)行pH調(diào)節(jié)。本發(fā)明中，較佳的為本領(lǐng)域調(diào)節(jié)pH常用的有機(jī)酸、堿或它們的鹽。其中，所述的有機(jī)酸較佳的為乙酸、乳酸、草酸、檸檬酸和亞氮基二乙酸中的一種或多種；所述的堿較佳的為氨水、有機(jī)氫氧化物、醇胺和有機(jī)胺中的一種或多種；所述的鹽較佳的為乙酸銨、檸檬酸銨、羥胺硫酸鹽、乙酸四甲基銨鹽和檸檬酸四甲基銨鹽中的一種多種。其中，所述的有機(jī)氫氧化物較佳的為四甲基氫氧化銨和/或三甲基乙基氫氧化銨；所述的醇胺較佳的為羥胺、乙醇胺、異丙醇胺、N，N-二甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺和三乙醇胺中的一種或多種；所述的有機(jī)胺較佳的為乙胺、二乙胺、三乙胺、五甲基二乙烯三胺和多乙烯多胺中的一種或多種。所述的pH調(diào)節(jié)劑的含量較佳的為質(zhì)量分?jǐn)?shù)￡30%。本發(fā)明的清洗液還可含有其他本領(lǐng)域的常規(guī)添加劑，如金屬銅的腐蝕抑制劑(如苯并三氮唑)。添加劑的含量較佳的為質(zhì)量分?jǐn)?shù)30%。本發(fā)明中的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物可以高效的抑制金屬(尤其是鋁)的腐蝕，因此它還可以應(yīng)用在制備其他等離子刻蝕殘留物清洗液中。本發(fā)明所用的原料和試劑均市售可得。本發(fā)明的清洗液由上述成分簡單均勻混合即可制得。本發(fā)明的清洗液的使用方法如下在用本發(fā)明的等離子刻蝕殘留物清洗液去除晶圓上刻蝕殘留物以后，直接用去離子水漂洗之后干燥即可。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于1)本發(fā)明的清洗液能有效清除光阻殘留，同時(shí)對(duì)金屬(尤其是鋁)和非金屬的腐蝕速率較小，有效的改善了一般氟類清洗液不能同時(shí)控制金屬和非金屬腐蝕速率的問題。2)該清洗液在清洗完光阻殘留物后可以直接用水漂洗，且在水中漂洗時(shí)，金屬腐蝕速率小，增加了晶圓漂洗的操作窗口。具體實(shí)施例方式下面用實(shí)施例來進(jìn)一步說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受其限制。實(shí)施例1~28表1為實(shí)施例128，將每一實(shí)施例中的各組分簡單混勻即可得等離子刻蝕殘留物清洗液。其中，Mn均為數(shù)均分子量。表l等離子刻蝕殘留物清洗液實(shí)施例128實(shí)溶劑氟化物去離子水含量Wt°/o含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物pH調(diào)節(jié)劑其他添加劑施例名稱含量wt%名稱含量wt%名稱含量wt%名稱，wt%名稱，含量wt%1二甲基亞砜20三羥乙基氟3049.9丙烯酸甲酯與丙烯酰胺0.100化銨的星形共聚物，Mn=30009<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>0效果實(shí)施例為了進(jìn)一步體現(xiàn)本發(fā)明的效果，選擇了清洗液2944和對(duì)比清洗液12進(jìn)行了各項(xiàng)測試。表2為清洗液2944和對(duì)比清洗液12，按表中配方，將各組分簡單混勻即可制得各清洗液。其中，Mn均為數(shù)均分子量。表2清洗液2944和對(duì)比清洗液12的配方對(duì)比清洗液<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>其中，NMP:N-甲基吡咯烷酮；DMAC:二甲基乙酰胺；AcNH4:醋酸銨；Ac:醋酸；BTA:苯并三氮唑。l,本發(fā)明的部分清洗液在不同溫度下的金屬鋁及非金屬TEOS腐蝕速率測試溶液的金屬腐蝕速率測試方法1)利用Napson四點(diǎn)探針儀測試4X4cm鋁空白硅片的電阻初值(Rsl);2)將該4X4cm鋁空白硅片浸泡在預(yù)先已經(jīng)恒溫到指定溫度的溶液中30分鐘；3)取出該4X4cm鋁空白硅片，用去離子水清洗，高純氮?dú)獯蹈?，再利用Napson四點(diǎn)探針儀測試4X4cm鋁空白硅片的電阻值(Rs2);4)重復(fù)第二和第三步再測試一次，電阻值記為Rs3;5)把上述電阻值和浸泡時(shí)間輸入到合適的程序可計(jì)算出其腐蝕速率。溶液的非金屬腐蝕速率測試方法1)利用Nanospec6100測厚儀測試4X4cmPETEOS硅片的厚度(Tl);2)將該4X4cmPETEOS硅片浸泡在預(yù)先已經(jīng)恒溫到指定溫度的溶液中30分鐘；3)取出該4X4cmPETEOS硅片，用去離子水清洗，高純氮?dú)獯蹈?，再利用Nanospec6100測厚儀測試4X4cmPETEOS硅片的厚度(T2);4)重復(fù)第二和第三步再測試一次厚度記為T3;5)把上述厚度值和浸泡時(shí)間輸入到合適的程序可計(jì)算出其腐蝕速率。測試結(jié)果見表3。表3部分清洗液在不同溫度下的金屬鋁及非金屬TEOS腐蝕速率<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>結(jié)論:在半導(dǎo)體清洗業(yè)界，一般要求清洗液能有效去除光阻殘留物，而對(duì)接觸到的金屬和非金屬的腐蝕速率要求小于2A/min。從表3中可以看出，在不加任何聚合物時(shí)，對(duì)比例l的腐蝕速率較大G.09A/min)，對(duì)比例2加入了0.1%的線性聚丙烯酸，有利于金屬鋁腐蝕速率的降低(1.88A/min)，而清洗液29加入同樣是0.1%的星形聚丙烯酸，其金屬鋁的腐蝕速率更低(1.52A/min)。清洗液30中，溶劑用二甲基乙酰胺去代替N-甲基吡咯烷酮，金屬鋁的腐蝕速率仍然較低(1.45A/min)。說明該星形聚合物的腐蝕抑制效率對(duì)溶劑沒有選擇性，一直保持著對(duì)金屬鋁的良好的抗腐蝕性能。一般而言，含氟清洗液的腐蝕速率會(huì)隨溫度的升高而增加。為此，進(jìn)一步測試了在35"C下部分溶液的腐蝕速率。從表3中可以看出，即使在35"C下，清洗液39、41和44的金屬鋁和非金屬TEOS的腐蝕速率仍然小于2A/min的業(yè)界要求。說明該類清洗液具有良好的金屬和非金屬的腐蝕抑制效率，并具有較大的溫度操作窗口。2，傳統(tǒng)羥胺類的清洗液、某含氟清洗液及清洗液44在漂洗過程中金屬鋁腐蝕速率變化情況比較表4列舉了傳統(tǒng)羥胺類的清洗液、含氟清洗液及清洗液44在漂洗過程中金屬鋁腐蝕速率變化情況。表4傳統(tǒng)羥胺類的清洗液、某含氟清洗液及清洗液44在漂洗過程金屬鋁腐蝕速率變化情況清洗液與水的比例(體積比)1:11:41:99鋁腐蝕速率(A/miii)羥胺類清洗液55%的乙醇胺、30%的羥胺水溶液(此羥胺水溶液中羥胺與水的質(zhì)量比為1:1)、7%的水、8%的鄰苯二酚115.03269.21183.21含氟清洗液60.4%二甲基乙酰胺、25%水、7.6%醋酸銨、6%醋酸、1%氟化銨75.69跳367.49清洗液4427.1935.390.97上表中，百分比為質(zhì)量百分比。結(jié)論從表4中可以看出，清洗液44在漂洗過程金屬鋁腐蝕速率比商業(yè)化的傳統(tǒng)羥胺類的清洗液和商業(yè)化的含氟清洗液均要低，故本發(fā)明的清洗液不僅可以直接用水漂洗，而且其由于在漂洗過程中金屬鋁的腐蝕速率較小而具有較大的漂洗操作窗口。各清洗液配方中的各物質(zhì)含量均為質(zhì)量百分比。3，清洗液29、33、35、36、39和41對(duì)晶圓清洗的結(jié)果清洗結(jié)果見表5。表5清洗液29、33、35、36、39、41對(duì)晶圓清洗的結(jié)果測試溶液金屬線(Metal)通道(Via)金屬墊(Pad)清洗條件清洗結(jié)果清洗條件清洗結(jié)果清洗條件清洗結(jié)果清洗液2930°C/15min干凈，無腐蝕30°C/10min干凈，基本無腐蝕30。C/30min千凈，無腐蝕17<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>結(jié)論表5選擇了一些清洗液配方對(duì)三種晶圓(金屬線，Metal;通道，Via;金屬墊，Pad)進(jìn)行了清洗，通過實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)該類配方均能有效地去除光阻殘留物，而未對(duì)金屬和非金屬產(chǎn)生明顯的腐蝕。綜上所述，1)本發(fā)明的清洗液能有效清除光阻殘留，同時(shí)可以高效的抑制金屬(尤其是鋁)的腐蝕，并且對(duì)非金屬的腐蝕速率較小，有效的改善了一般氟類清洗液不能同時(shí)控制金屬和非金屬腐蝕速率的問題；2)本發(fā)明的清洗液在清洗完光阻殘留物后，在水中漂洗時(shí)，金屬腐蝕速率小，增加了晶圓漂洗的操作窗口。權(quán)利要求1、一種等離子刻蝕殘留物清洗液，包含溶劑、水和氟化物，其特征在于其還含有含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物。2、如權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.001%3%。3、如權(quán)利要求2所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.001%~1%。4、如權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的溶劑的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%~85%。5、如權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的水的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%~70%。6、如權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的氟化物的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1%~30%。7、如權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于形成所述的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物的聚合單體包括下列中的一種或多種含顏料親和基團(tuán)的丙烯酸類單體、含顏料親和基團(tuán)的丙烯酸酯類單體和含顏料親和基團(tuán)的丙烯酰胺類單體。8、如權(quán)利要求1或7所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的顏料親和基團(tuán)為羥基、氨基或羧基。9、如權(quán)利要求7所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的丙烯酸類單體為丙烯酸或甲基丙烯酸；所述的丙烯酸酯類單體為丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸丙酯、丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸羥乙酯或甲基丙烯酸羥乙酯；所述的丙烯酰胺類單體為丙烯酰胺或甲基丙烯酰胺。10、如權(quán)利要求7所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于形成所述的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物中的單體還包括其他乙烯基類單體。11、如權(quán)利要求10所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的其他乙烯基類單體為乙烯、丙烯或苯乙烯。12、如權(quán)利要求7所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物為聚丙烯酸星形均聚物，苯乙烯與丙烯酸羥乙酯的二元星形共聚物，丙烯酸甲酯與丙烯酸羥乙酯的二元星形共聚物，丙烯酸與丙烯酸羥乙酯的二元星形共聚物，以及丙烯酸、丙烯酸丁酯和丙烯酰胺的三元星形共聚物中的一種或多種。13、如權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物的數(shù)均分子量為800-50000。14、如權(quán)利要求1所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的溶劑為亞砜、砜、咪唑垸酮、吡咯垸酮、咪唑啉酮、醇、醚和酰胺中的一種或多種。15、如權(quán)利要求14所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的亞砜為Q-Q亞砜和/或C7-C1Q的芳基亞砜；所述的砜為d-C4砜和/或C7-do的芳基砜；所述的咪唑垸酮為1，3-二甲基-2-咪唑垸酮；所述的吡咯烷酮為N-甲基吡咯垸酮和/或羥乙基吡咯烷酮；所述的咪唑啉酮為l，3-二甲基-2-咪唑啉酮；所述的醇為Q-C4烷基醇和/或C7-Cu)的芳基醇；所述的醚為C3-C2。的醚；所述的酰胺為d-C6垸基酰胺。16、如權(quán)利要求15所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的亞砜為二甲基亞砜；所述的砜為環(huán)丁砜；所述的醇為丙二醇和/或二乙二醇；所述的醚為丙二醇單甲醚和/或二丙二醇單甲醚；所述的酰胺為二甲基甲酰胺和/或二甲基乙酰胺。17、如權(quán)利要求l所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的氟化物為氟化氫、氟硅酸、氟硅酸銨、氟硼酸、氟硼酸銨和氟化氫與堿形成的鹽中的一種或多種。18、如權(quán)利要求17所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的堿為氨水、季胺氫氧化物或醇胺。19、如權(quán)利要求17所述的等離子刻蝕殘留物清洗液，其特征在于所述的氟化氫與堿形成的鹽為氟化氫銨、四甲基氟化銨和三羥乙基氟化銨中的一種或多種。全文摘要本發(fā)明公開了一種等離子刻蝕殘留物清洗液，其包含溶劑、水和氟化物，其還含有含顏料親和基團(tuán)的星形聚合物。本發(fā)明的等離子刻蝕殘留物清洗液可以有效去除等離子刻蝕后的光阻殘留物、同時(shí)可以高效的抑制金屬(尤其是鋁)和非金屬的腐蝕、有較大的清洗和漂洗的操作窗口。文檔編號(hào)G03F7/42GK101666984SQ200810042569公開日2010年3月10日申請(qǐng)日期2008年9月5日優(yōu)先權(quán)日2008年9月5日發(fā)明者昊于,兵劉,杏彭,彭洪修申請(qǐng)人:安集微電子科技(上海)有限公司