專利名稱：：一種厚膜光刻膠清洗劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝中的一種清洗劑，具體的涉及一種厚膜光刻膠清洗劑。
背景技術(shù)：
：在通常的半導(dǎo)體制造工藝中，通過在二氧化硅、Cu(銅)等金屬以及低k材料等表面上形成光刻膠的掩模，曝光后利用濕法或干法刻蝕進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。100pm以上的厚膜光刻膠越來越多地應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片制造工藝中，因而用于厚膜光刻膠的清洗劑日益成為半導(dǎo)體晶片制造工藝的重要研究方向。尤其是100pm以上的厚膜負(fù)性光刻膠正逐漸應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片制造工藝中，而目前工業(yè)上大部分的光刻膠清洗劑都不能徹底去除晶片上經(jīng)曝光和刻蝕后的具有交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的負(fù)性光刻膠。另外，在半導(dǎo)體晶片進(jìn)行光刻膠的化學(xué)清洗過程中，清洗劑(尤其是含有氫氧化鉀等強(qiáng)堿的清洗劑)常會造成晶片圖形和基材的腐蝕。特別是在利用化學(xué)清洗劑除去刻蝕殘余物的過程中，金屬腐蝕是較為普遍而且非常嚴(yán)重的問題，往往導(dǎo)致晶片良率的顯著降低。目前，光刻膠清洗劑主要由極性有機(jī)溶劑、強(qiáng)堿和/或水等組成，通過將半導(dǎo)體晶片浸入清洗劑中或者利用清洗劑沖洗半導(dǎo)體晶片，去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠。JP1998239865將四甲基氫氧化銨(TMAH)、二甲基亞砜(DMSO)、1，3，-5二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水等組成堿性清洗劑，將晶片浸入該清洗劑中，在50100。C下除去金屬和電介質(zhì)基材上的20pm以上的厚膜光刻膠。該清洗劑對半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導(dǎo)體晶片的光刻膠，清洗能力不足。US5529887由氫氧化鉀(KOH)、烷基二醇單烷基醚、水溶性氟化物和水等組成堿性清洗劑，將晶片浸入該清洗劑中，在4090'C下除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。該清洗劑對半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕較高。US5962197由氫氧化鉀、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、丙二醇醚、水和表面活性劑等組成堿性清洗劑，將晶片浸入該清洗劑中，在105'C下除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。該清洗劑適用的清洗溫度較高，易造成半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕。US2004025976和WO2004113486由季銨氫氧化物、水溶性有機(jī)溶劑、水、緩蝕劑和質(zhì)量百分含量小于1.0wtn/。的氫氧化鉀等組成堿性清洗劑，將晶片浸入該清洗劑中，在2085'C下浸沒l40min，除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。該清洗劑對于厚膜光刻膠尤其是厚膜負(fù)性光刻膠的清洗能力不佳。US5139607由氫氧化鉀、四氫呋喃醇、乙二醇和水等組成堿性清洗劑，將晶片浸入該清洗劑中，在低于9(TC的溫度下浸沒140min，除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。該清洗劑對半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導(dǎo)體晶片的厚膜光刻膠，清洗能力不足。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的問題是為了克服現(xiàn)有的厚膜光刻膠清洗劑或者清洗能力不足，或者對半導(dǎo)體晶片圖形和基材腐蝕性較強(qiáng)的缺陷，而提供一種對厚膜光刻膠清洗能力強(qiáng)且對半導(dǎo)體晶片基材和圖形腐蝕性較低的光刻膠清洗劑。本發(fā)明的厚膜光刻膠清洗劑含有二甲基亞砜、氫氧化鉀、醇胺類化合物、芳基垸基醇和/或其衍生物以及聚羧酸類化合物。其中，所述的二甲基亞砜的含量較佳的為質(zhì)量百分比197%，更佳的為質(zhì)量百分比30~90%。其中，所述的氫氧化鉀的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.1~5%，更佳的為質(zhì)量百分比1~4%。其中，所述的醇胺類化合物較佳的選自一乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羥乙基乙二胺(AEEA)中的一種或多種，更佳的為一乙醇胺、三乙醇胺和甲基二乙醇胺中的一種或多種。所述的醇胺類化合物的含量較佳的為質(zhì)量百分比150%，更佳的為質(zhì)量百分比5~35%。其中，所述的芳基垸基醇和/或其衍生物較佳的選自苯甲醇、苯乙醇、二苯甲醇、對氨基苯甲醇、鄰氨基苯甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、三甲基苯甲醇、鄰苯二甲醇、間苯二甲醇、對苯二甲醇、甲基苯乙醇、對氨基苯乙醇、苯丙醇、苯丁醇、苯戊醇和苯己醇中的一種或多種，更佳的為苯甲醇、苯乙醇、鄰苯二甲醇和甲基苯乙醇中的一種或多種。所述的芳基烷基醇和/或其衍生物的含量較佳的為質(zhì)量百分比1~50%，更佳的為質(zhì)量百分比5~30%。其中，所述的聚羧酸類化合物較佳的選自聚丙烯酸類化合物及其衍生物、聚環(huán)氧琥珀酸類化合物及其衍生物、聚天冬氨酸類化合物及其衍生物和聚馬來酸類化合物及其衍生物中的一種或多種，更佳的選自聚丙烯酸及其共聚物、聚甲基丙烯酸及其共聚物、聚丙烯酸酯及其共聚物、聚甲基丙烯酸酯及其共聚物、聚丙烯酸醇胺鹽及其共聚物、聚甲基丙烯酸醇胺鹽及其共聚物、聚氧乙烯醚改性聚丙烯酸及其衍生物、聚氧乙烯醚改性聚甲基丙烯酸及其衍生物、聚氧乙烯醚改性聚環(huán)氧琥珀酸及其衍生物、聚氧乙烯醚改性聚天冬氨酸及其衍生物和聚氧乙烯醚改性聚馬來酸及其衍生物中的一種或多種，最佳的為聚甲基丙烯酸及其共聚物、聚甲基丙烯酸酯及其共聚物、聚丙烯酸醇胺鹽及其共聚物、聚甲基丙烯酸醇胺鹽及其共聚物、聚氧乙烯醚改性聚丙烯酸及其衍生物和聚氧乙烯醚改性聚甲基丙烯酸及其衍生物中的一種或多種。所述的聚羧酸類化合物的分子量較佳的為500-100000，更佳的為1000~50000。所述的聚羧酸類化合物的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.0015%，更佳的為質(zhì)量百分比0.05~2.5%。所述的聚羧酸類化合物對鋁的腐蝕表現(xiàn)出極強(qiáng)的抑制作用。本發(fā)明的厚膜光刻膠清洗劑還可含有氨基唑類緩蝕劑、極性有機(jī)共溶劑、表面活性劑，以及除氨基唑類化合物和聚羧酸類化合物以外的其它緩蝕劑中的一種或多種。所述的氨基唑類緩蝕劑的含量較佳的為質(zhì)量百分比0~5%，更佳的為質(zhì)量百分比0.05~2.5%;所述的極性有機(jī)共溶劑含量較佳的為質(zhì)量百分比0~50%，更佳的為質(zhì)量百分比530%;所述的表面活性劑含量較佳的為質(zhì)量百分比0~5%，更佳的為質(zhì)量百分比0.05~3%;所述的除氨基唑類化合物和聚羧酸類化合物以外的其它緩蝕劑含量較佳的為質(zhì)量百分比05%，更佳的為質(zhì)量百分比0.05~3%。其中，所述的氨基唑類緩蝕劑較佳的選自3-氨基-1,2,4-三氮唑、4-氨基-1，2，4-三氮唑、5-氨基-四氮唑、l-甲基-5-氨基-四氮唑、3-氨基-5-巰基-l,2,4-三氮唑、2-氨基咪唑、2-氨基苯并咪唑、二氨基苯并咪唑、2-氨基噻唑、2-氨基苯并噻唑、2-氨基噁唑、2-氨基苯并噁唑、3-氨基吡唑、3-氨基咔唑、6-氨基吲唑、2-氨基-1,3，4-噻二唑、2-氨基-5-巰基-l,3,4-噻二唑和5-氨基-l,2，3-噻二唑中的一種或多種，更佳的為3-氨基-l，2，4-三氮唑、4-氨基-l,2,4-三氮唑、5-氨基-四氮唑、l-甲基-5-氨基-四氮唑和3-氨基-5-巰基-l,2,4-三氮唑中的一種或多種。氨基唑類化合物對銅等金屬的腐蝕表現(xiàn)出很強(qiáng)的抑制作用，并可以進(jìn)一步抑制晶片圖形上腐蝕暗點(點蝕)的產(chǎn)生。其中，所述的極性有機(jī)共溶劑較佳的選自亞砜、砜、咪唑垸酮和垸基二醇單烷基醚中的一種或多種。其中，所述的亞砜較佳的為二乙基亞砜和/或甲乙基亞砜；所述的砜較佳的為甲基砜、乙基砜和環(huán)丁砜中的一種或多種，更佳的為環(huán)丁砜；所述的咪唑烷酮為2-咪唑垸酮、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮和1,3-二乙基-2-咪唑烷酮中的一種或多種，更佳的為1,3-二甲基-2-咪唑烷酮；所述的垸基二醇單烷基醚較佳的選自乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚和二丙二醇單丁醚中的一種或多種，更佳的為二乙二醇單甲醚和/或二丙二醇單甲醚。其中，所述的表面活性劑較佳的選自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯垸酮、聚氧乙烯醚中的一種或多種，更佳的為聚乙烯吡咯垸酮、聚氧乙烯醚中的一種或多種。所述的上述化合物的分子量較佳的為500~20000，更佳的為1000~10000。其中，所述的除氨基唑類化合物和聚羧酸類化合物以外的其它緩蝕劑較佳的選自胺類和/或除氨基唑類以外的唑類。其中，所述的胺類緩蝕劑較佳的為二乙烯三胺、三乙烯四胺、五乙烯六胺、多乙烯多胺和氨基乙基哌嗪中的一種或多種，更佳的為多乙烯多胺和/或氨基乙基哌嗪；所述的除氨基唑類以外的唑類為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑三乙醇胺鹽、l-苯基-5-巰基四氮唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噁唑和二巰基噻二唑中的一種或多種，更佳的為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、l-苯基-5-巰基四氮唑和2-巰基苯并噻唑中的一種或多種。將上述成分簡單均勻混合即可制得本發(fā)明的清洗劑。本發(fā)明所用試劑及原料均市售可得。本發(fā)明中的光刻膠清洗劑，可以在45-90。C下清洗100Mm以上厚度的光刻膠。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于本發(fā)明的清洗劑含有的芳基烷基醇和/或其衍生物、醇胺類化合物、聚羧酸類化合物能夠在晶片圖形和基材表面形成一層保護(hù)膜，阻止鹵素原子、氫氧根離子等對晶片圖形和基材的攻擊，從而降低晶片圖形和基材的腐蝕；尤其是其含有的聚羧酸類化合物對金屬鋁的腐蝕表現(xiàn)出極強(qiáng)的抑制作用。附加優(yōu)選的氨基唑類化合物對銅等金屬的腐蝕表現(xiàn)出很強(qiáng)的抑制作用，并可以進(jìn)一步抑制晶片圖形上腐蝕暗點(點蝕)的產(chǎn)生。本發(fā)明的清洗劑可有效除去金屬、金屬合金或電介質(zhì)基材上的lOOpm以上厚度的厚膜光刻膠(光阻)，同時對鋁和銅等金屬以及二氧化硅等非金屬材料具有很低的腐蝕性，使其對晶片圖形和基材表現(xiàn)出很低的腐蝕性，在半導(dǎo)體晶片清洗等微電子領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。具體實施例方式下面通過實施例的方式進(jìn)一步說明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實施例范圍之中。實施例1~25表1給出了本發(fā)明的清洗劑實施例125，按表中配方將各成分簡單均勻混合即可制得各清洗劑。表1本發(fā)明的清洗劑實施例1~25實施例二甲基亞砜wt%氫氧化鉀wt%醇胺類化合物芳基烷基醇和/或其衍生物聚羧酸類化合物其他具體物質(zhì)含量wt0/o具體物質(zhì)Wt0/o具體物質(zhì)含量wt%具體物質(zhì)含量1300.1一乙醇胺50苯甲醇19.899聚丙烯酸(分子量為500)0扁\\2300.1一乙醇胺50苯甲醇19.889聚丙烯酸(分子量為500)o纖3-氨基-1，2，4-三氮唑0.013901二乙醇胺1苯乙醇7.9丙烯酸-馬來酸共聚物(分子量為1500)0.05二乙烯三胺0.05475.954三乙醇胺1二苯甲醇17.5聚丙烯酸乙醇胺鹽(分子量為50000)1.5聚乙烯醇(分子量為500)0.0512.5異丙醇胺35對氨基苯甲醇15聚丙烯酸三乙醇胺鹽(分子量為100000)2.5二乙基亞砜30612甲基二乙醇胺16.5鄰氨基苯甲醇30聚甲基丙烯酸(分子量為2500)0.23-氨基-5-巰基陽1，2,4-三氮唑0.2甲乙基亞砜50聚乙烯吡咯垸酮(分子量為20000)0.05三乙烯四胺0.055二甲基乙醇胺45甲基苯甲醇20聚甲基丙烯酸乙醇胺鹽(分子量為10000)52-氨基咪唑甲基砜5聚氧乙烯醚(分子量為10000)五乙烯六胺511<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>將對比清洗劑l'5'和本發(fā)明的清洗劑1~12用于清洗空白Cu晶片，測定其對于金屬Cu的腐蝕情況。測試方法和條件將4X4cm空白Cu晶片浸入清洗劑，在459(TC下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動頻率振蕩60分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮氣吹干，利用四極探針儀測定空白Cu晶片蝕刻前后表面電阻的變化計算得到。結(jié)果如表2所示。將對比清洗劑l'5鄰本發(fā)明的清洗劑1~12用于清洗空白Al晶片，觀!l定其對于金屬Al的腐蝕情況。測試方法和條件將4X4cm空白Al晶片浸入清洗劑，在459(TC下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動頻率振蕩60分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮氣吹干，利用四極探針儀測定空白Al晶片蝕刻前后表面電阻的變化計算得到。結(jié)果如表2所示。將對比清洗劑r5，和本發(fā)明的清洗劑112清洗劑用于清洗空白的四乙氧基硅垸(TEOS)晶片，測定其對于非金屬TEOS的腐蝕情況。測試方法和條件將4X4cm空白TEOS晶片浸入清洗劑，在4590。C下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動頻率振蕩60分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮氣吹干。利用Nanospec6100測厚儀測定空白TEOS晶片清洗前后TEOS厚度的變化計算得到，結(jié)果如表2所示。本發(fā)明中，利用光刻膠清洗劑清洗半導(dǎo)體晶片上光刻膠的方法如下將含有負(fù)性丙烯酸酯光刻膠(厚度約為120微米，且經(jīng)過曝光和刻蝕)的半導(dǎo)體晶片(含有圖案)浸入清洗劑中，在459(TC下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動頻率振蕩15-150分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮氣吹干。光刻膠的清洗效果和清洗劑對晶片圖案的腐蝕情況如表3所示。表3將對比清洗劑1，~5，和本發(fā)明的清洗劑1~12對金屬Cu和Al以及非金屬TEOS的腐蝕性及其對厚膜光刻膠的清洗情況清洗劑清洗溫度rc)金屬Cu的腐蝕情況金屬A1的腐蝕情況非金屬TEOS的腐蝕情況光刻膠清洗時間(min)光刻膠清洗結(jié)果晶片圖案的腐蝕情況r90△XO120X◎2，90O〇◎120△X3，75XX〇60OO4，75o△〇90◎△5，75◎〇◎90◎△180◎◎(1.05A/min)◎90◎◎285◎◎(0.95A/min)◎80◎◎360◎◎(0.50A/min)◎100◎◎465◎◎(0.85A/min)◎110◎◎570◎◎◎50◎◎675◎◎◎70◎◎785◎◎◎30◎◎890◎◎◎15◎◎955◎◎◎120◎◎1050◎◎◎135◎◎1170◎◎◎150◎◎1245◎◎◎60◎◎16<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>從表3可以看出，與對比清洗劑l'5'相比，本發(fā)明的清洗劑1~12對厚膜光刻膠具有良好的清洗效果，使用溫度范圍廣，同時對金屬Cu和Al以及非金屬TEOS的腐蝕性低，對晶片圖案無損壞且無腐蝕暗點(點蝕)現(xiàn)象。權(quán)利要求1.一種厚膜光刻膠清洗劑，其特征在于其含有二甲基亞砜、氫氧化鉀、醇胺類化合物、芳基烷基醇和/或其衍生物以及聚羧酸類化合物。2.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的二甲基*亞砜的含量為質(zhì)量百分比1~97%。3.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的氫氧化鉀的含量為質(zhì)量百分比0.15%。4.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的醇胺類化合物選自一乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羥乙基乙二胺中的一種或多種。5.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的醇胺類化合物的含量為質(zhì)量百分比1~50%。6.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的芳基烷基醇和/或其衍生物選自苯甲醇、苯乙醇、二苯甲醇、對氨基苯甲醇、鄰氨基苯甲醇、甲基苯甲醇、二甲基苯甲醇、三甲基苯甲醇、鄰苯二甲醇、間苯二甲醇、對苯二甲醇、甲基苯乙醇、對氨基苯乙醇、苯丙醇、苯丁醇、苯戊醇和苯己醇中的一種或多種。7.如權(quán)利要求.l所述的清洗劑，其特征在于所述的芳基烷基醇和/或其衍生物的含量為質(zhì)量百分比1~50%。8.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的聚羧酸類化合物選自聚丙烯酸類化合物及其衍生物、聚環(huán)氧琥珀酸類化合物及其衍生物、聚天冬氨酸類化合物及其衍生物和聚馬來酸類化合物及其衍生物中的一種或多種。9.如權(quán)利要求8所述的清洗劑，其特征在于所述的聚羧酸類化合物選自聚丙烯酸及其共聚物、聚甲基丙烯酸及其共聚物、聚丙烯酸酯及其共聚物、聚甲基丙烯酸酯及其共聚物、聚丙烯酸醇胺鹽及其共聚物、聚甲基丙烯酸醇胺鹽及其共聚物、聚氧乙烯醚改性聚丙烯酸及其衍生物、聚氧乙烯醚改性聚甲基丙烯酸及其衍生物、聚氧乙烯醚改性聚環(huán)氧琥珀酸及其衍生物、聚氧乙烯醚改性聚天冬氨酸及其衍生物和聚氧乙烯醚改性聚馬來酸及其衍生物中的一種或多種，10.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的聚羧酸類化合物的分子量為500-100000。11.如權(quán)利要求l所述的清洗劑，其特征在于所述的聚羧酸類化合物的含量為質(zhì)量百分比0.001~5%。12.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的清洗劑還含有氨基唑類緩蝕劑、極性有機(jī)共溶劑、表面活性劑，以及除氨基唑類化合物和聚羧酸類化合物以外的其它緩蝕劑中的一種或多種。13.如權(quán)利要求12所述的清洗劑，其特征在于所述的氨基唑類緩蝕劑的含量為質(zhì)量百分比0~5%;所述的極性有機(jī)共溶劑的含量為質(zhì)量百分比0~50%;所述的表面活性劑的含量為質(zhì)量百分比0~5%;所述的除氨基唑類化合物和聚羧酸類化合物以外的其它緩蝕劑的含量為質(zhì)量百分比05%。14.如權(quán)利要求13所述的清洗劑，其特征在于所述的氨基唑類緩蝕劑的含量為質(zhì)量百分比0.052.5%;所述的極性有機(jī)共溶劑的含量為質(zhì)量百分比530%;所述的表面活性劑的含量為質(zhì)量百分比0.05~3%;所述的除氨基唑類化合物和聚羧酸類化合物以外的其它緩蝕劑的含量為質(zhì)量百分比0.05~3%。15.如權(quán)利要求12所述的清洗劑，其特征在于所述的氨基唑類緩蝕劑為3-氨基-l,2，4-三氮唑、4-氨基-l,2，4-三氮唑、5-氨基-四氮唑、l-甲基-5-氨基-四氮唑、3-氨基-5-巰基-l，2，4-三氮唑、2-氨基咪唑、2-氨基苯并咪唑、二氨基苯并咪唑、2-氨基噻唑、2-氨基苯并噻唑、2-氨基噁唑、2-氨基苯并噁唑、3-氨基吡唑、3-氨基咔唑、6-氨基吲唑、2-氨基-l,3，4-噻二唑、2-氨基-5-巰基-1,3，4-噻二唑和5-氨基-1，2，3-噻二唑中的一種或多種；所述的極性有機(jī)共溶劑選自亞砜、砜、咪唑烷酮和烷基二醇單烷基醚中的一種或多種；所述的表面活性劑選自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯垸酮和聚氧乙烯醚中的一種或多種；所述的除氨基唑類化合物和聚羧酸類化合物以外的其它緩蝕劑選自胺類和/或除氨基唑類以外的唑類。16.如權(quán)利要求15所述的清洗劑，其特征在于所述的亞砜為二乙基亞砜和/或甲乙基亞砜；所述的砜為甲基砜、乙基砜和環(huán)丁砜中的一種或多種；所述的咪唑烷酮為2-咪唑烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑垸酮和1，3-二乙基-2-咪唑垸酮中的一種或多種；所述的垸基二醇單垸基醚選自乙二醇單丁醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚和二丙二醇單丁醚中的一種或多種；所述的胺類選自二乙烯三胺、三乙烯四胺、五乙烯六胺、多乙烯多胺和氨基乙基哌嗪中的一種或多種；所述的除氨基唑類以外的唑類選自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑三乙醇胺鹽、l-苯基-5-巰基四氮唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噁唑和二巰基噻二唑中的一種或多種。17.如權(quán)利要求15所述的清洗劑，其特征在于所述的表面活性劑的分子量為500~20000。全文摘要本發(fā)明的一種厚膜光刻膠清洗劑，其含有二甲基亞砜、氫氧化鉀、醇胺類化合物、芳基烷基醇和/或其衍生物以及聚羧酸類化合物。本發(fā)明的厚膜光刻膠清洗劑可以有效除去金屬、金屬合金或電介質(zhì)基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻膠(光阻)，同時對鋁和銅等金屬以及二氧化硅等非金屬材料具有很低的腐蝕性，使其對晶片圖形和基材表現(xiàn)出很低的腐蝕性，在半導(dǎo)體晶片清洗等微電子領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。文檔編號G03F7/42GK101487993SQ20081003283公開日2009年7月22日申請日期2008年1月18日優(yōu)先權(quán)日2008年1月18日發(fā)明者兵劉,史永濤,彭洪修,曹惠英申請人:安集微電子(上海)有限公司