專利名稱：反透過型陣列基板的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板，特別涉及一種反透過型陣列基板。
背景技術：
液晶顯示裝置是現在使用最多的平板顯示裝置中的 一種，其主要由兩個 基板結構和基板結構之間注入的液晶層組成，兩個基板結構上設有可產生電 場的電極，電極產生電壓后液晶層的液晶分子隨電場移動，液晶分子在電場 的作用下按照一定方向旋轉，使光線按照一定折射率穿過液晶層。
液晶顯示裝置根據其顯示模式可分為透過型，反透過型和反射型。所謂 透過型是利用背光源顯示畫面的顯示模式，反射型是利用從外部射入的光線 顯示畫面的顯示模式，反透過型是介于透過型和反透過型之間的顯示模式， 即反透過型既可以利用背光源也可以利用從外部射入的光線。
液晶顯示裝置根據其驅動液晶的電場方向分為垂直電場型液晶顯示裝 置和橫向電場型液晶顯示裝置，其中垂直電場型液晶顯示裝置中包括扭曲 向列型(Twist Nematic,以下簡稱為"TN")結構和垂直取向型(Vertical Align,以下簡稱為"VA")結構等；橫向電場型液晶顯示裝置中包括邊緣 場切換型(Fringe Field Switch,以下簡稱為"FFS")結構和面內切換型 (InPlane Switch,以下簡稱為"IPS")結構等。垂直電場型液晶顯示裝置 是通過分別設置在陣列基板上的像素電極和設置在彩色濾光片基板上的公共 電極形成垂直電場；橫向電場型液晶顯示裝置是通過設置在陣列基板上的像 素電極和公共電極以形成橫向電場?，F在垂直電場型和橫向電場型液晶顯示 裝置為公知技術，并且相應的產品早已進入產品市場，因此在這里對其具體
結構不再進一步詳細介紹。另外，TN型液晶顯示裝置其構造簡單，被廣泛應 用于小型平板顯示裝置中；FFS型液晶顯示裝置和IPS型液晶顯示裝置等則相 比其他模式具有更好的視角性能，因此廣泛應用于高質量平板顯示裝置中。反透過型液晶顯示裝置需要用反射板反射從外部射入的光線，因此在結 構上比透過型液晶顯示裝置增加了用于形成反射板壓花的樹脂層和用于反射 光線的反射板結構。反透過型液晶顯示裝置在原來的透過型液晶顯示裝置中 相應增加了上述多層結構，因此半透射型液晶顯示裝置的陣列基板表面呈現 出極為不平整的表面，具體地說由于在像素區(qū)域內的透射區(qū)域和反射區(qū)域 結構不同，在像素區(qū)域呈現出不平整的表面，從而導致了設計液晶盒的過程 中增加了設定各項參數(樹脂層的厚度、鈍化層的厚度、液晶盒間隙等)的 難度。圖1為現有反透過型陣列基板結構示意圖。如圖1所示，在玻璃基板1 表面依次形成了柵線(圖中未畫出)和柵電極2、柵絕緣層3、有源層4、源 漏電極5、數據線(圖中未畫出)、樹脂層6、反射板7、鈍化層8和像素電 極9,具體為玻璃基板1上設置柵線和柵電極2以及柵絕緣層3;有源層4 位于柵電極2上方，并且有源層4和柵電極2之間隔有柵絕緣層3;源漏電極 5位于有源層4上并設置隔離溝道，源漏電極5—端與數據線連結、另一端與 像素電極9連接；樹脂層6位于柵絕緣層3上，其表面設有凹凸不平的壓花； 反射板7位于樹脂層6上，其表面同樣形成有凹凸不平的壓花，以提高反射 率；鈍化層8位于源漏電極5和反射板7上；像素電極9位于鈍化層8表面， 覆蓋用于顯示顏色的像素區(qū)域，通過鈍化層8上的過孔81與源漏電極5的一 端連接。由于現有技術在像素區(qū)域的反射區(qū)域內通過樹脂層形成壓花，并在其上 設置反射板，導致原本應平整的像素區(qū)域變成了起伏的表面，使得像素區(qū)域 內液晶注入量不同，同時像素區(qū)域內的透射區(qū)域和反射區(qū)域具有不同的光傳 播距離，因此設計液晶盒時增加了設定各項參數(樹脂的厚度、鈍化層的厚
度、液晶盒間隙等)的難度。另外，設有壓花的樹脂層和反射板結構給其他 各項參數之間的穩(wěn)定性產生諸多不利影響，因此即使產品下線之后對其穩(wěn)定 工作產生一些潛在的不利影響。發(fā)明內容本發(fā)明的目的是提供一種反透過型陣列基板，有效解決現有的反透過型 陣列基板各項參數設定難度過大的缺陷。為實現上述目的，本發(fā)明提供了一種反透過型陣列基板，包括玻璃基 板和陣列主體，玻璃基板包括相對的第一面和第二面，玻璃基板設有透射區(qū) 域河反射區(qū)域，在玻璃基板第一面的反射區(qū)域形成有壓花，在壓花上設置反 射板；在玻璃基板第二面設置陣列主體。其中，陣列主體為扭曲向列型結構主體、垂直取向型結構主體、邊緣場 切換型結構主體或面內切換型結構主體。其中，壓花為點陣形。其中，反射板的材料為鋁、鉬、鈦、鋁合金或鈦合金。 其中，在玻璃基板第一面上還設置保護膜。 其中，保護膜的材料為硅的氮化物或樹脂。本發(fā)明提出的反透過型陣列基板，通過在玻璃基板的一面上形成壓花， 并且在壓花上設置反射板，可以使原本位于陣列主體內的反射板與陣列主體 分離，使得像素區(qū)域內的液晶盒間隙趨于均勻，同時使得像素電極表面形成 沒有起伏的結構，這樣像素電極產生電場強度均勻的電場時，均勻的液晶分 子在均勻電場的作用下整齊地排列，提高液晶顯示裝置的質量。另外，反射 板與陣列主體分離的反透過型陣列基板結構，對像素區(qū)域的表面高低不產生 任何影響，因此不需要考慮現有技術中樹脂層和反射板引起的高低問題、液 晶注入量問題和光傳播路徑問題等，還避免了導致上述問題的各項參數之間 相互影響，不利于液晶顯示裝置穩(wěn)定工作的問題，不僅提高了液晶顯示裝置
的質量，而且還簡化了液晶顯示裝置的制造工程。
下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細描述。


圖1為現有反透過型陣列基板結構示意圖； 圖2為本發(fā)明第一實施例的結構示意圖； 圖3為本發(fā)明第二實施例的結構示意圖； 圖4為本發(fā)明第三實施例的結構示意圖。 附圖標記說明
1—玻璃基板； 2—柵電極；
4—有源層； 5 —源漏電極；
7—反射板； 8—鈍化層； IO—公共電極； 11—保護膜；
3—柵絕緣層; 6—樹脂層； 9一像素電極; 81—過孔。
具體實施例方式
本發(fā)明反透過型陣列基板，包括玻璃基板和陣列主體，玻璃基板包括 相對的第一面和第二面，玻璃基板設有透射區(qū)域和反射區(qū)域，在玻璃基板第 一面的反射區(qū)域形成有壓花，在壓花上設置反射板；在玻璃基板第二面設置 陣列主體。
本發(fā)明第一實施例
圖2為本發(fā)明第一實施例的結構示意圖。如圖2所示，反透過型陣列基 板包括玻璃基板l和陣列主體，其中玻璃基板l設有透射區(qū)域和反射區(qū)域， 在對應反射區(qū)域的玻璃基板1的第一面形成有壓花，壓花為向玻璃基板1的 第二面凹進的結構，在玻璃基板1第一面的壓花上設置厚度均勻的反射板7， 反射板7的形狀與壓花形狀相同；與玻璃基板1的第一面相對的玻璃基板1 的第二面上設置陣列主體，其中陣列主體包括了柵線(圖中未畫出)、柵電
極2、柵絕緣層3、有源層4、源漏電極5、數據線(圖中未畫出)、鈍化層8 和像素電極9;陣列主體結構具體為在玻璃基板l第二面設置柵線和柵電極 2;在柵線和柵電極2上方覆蓋柵絕緣層3，使柵線和柵電極2與其他層相互 絕緣；在柵絕緣層3的表面，位于柵電極2的正上方設置有源層4;在有源層 4的上部設置源漏電極5和數據線，并且源漏電極5設有隔離溝道，源漏電極 5的一端與數據線連接、另一端與像素電極9連接，因此柵電極2提供電平信 號時源漏電極5的兩端通過有源層4相互電連接；在源漏電極5表面設置鈍 化層8,使鈍化層8可以起到保護源漏電極5的作用；在鈍化層8表面設置像 素電極9,像素電極9對應像素區(qū)域，并且通過鈍化層8上的過孔81與源漏 電極5的一端電連接，使得像素電極9接收從源漏電極5的另一端發(fā)送的數 據信號。本實施例提出的反透過型陣列基板，通過在玻璃基板第 一面形成壓花， 并且在壓花上設置反射板，可以使原本位于陣列主體內的反射板與陣列主體 分離，使得像素區(qū)域內的液晶盒間隙趨于均勻，同時使得像素電極表面形成 沒有起伏的結構，這樣像素電極產生電場強度均勻的電場時，均勻的液晶分 子在均勻電場的作用下整齊地排列，提高液晶顯示裝置的質量。另外，反射 板與陣列主體分離的反透過型陣列基板結構，對像素區(qū)域的表面高低不產生 任何影響，因此不需要考慮現有技術中樹脂層和反射板引起的高低問題、液 晶注入量問題和光傳播路徑問題等，進一步地還避免了導致上述問題的各項 參數之間相互影響，不利于液晶顯示裝置穩(wěn)定工作的問題，不僅提高了液晶 顯示裝置的質量，而且還簡化了液晶顯示裝置的制造工程。本實施例中，通過壓花掩模工藝形成壓花，具體為在玻璃基板表面涂 布光刻膠，使光刻膠均勻地覆蓋玻璃基板表面；使用設有點陣圖案的掩模版 曝光光刻膠，去掉被曝光的光刻膠；使用化學腐蝕劑蝕刻沒有被光刻膠覆蓋 玻璃基板表面，形成向下凹進的壓花；最后剝離剩余的光刻膠，結束壓花掩 模工藝。通過反射板掩模工藝形成反射板，具體為在形成有壓花的玻璃基 板上沉積反射板材料；涂布光刻膠，使光刻膠均勻地覆蓋反射材料表面；使 用設有反射區(qū)域圖案的掩模版曝光光刻膠，去掉被曝光的光刻膠；使用化學 腐蝕劑蝕刻沒有被光刻膠覆蓋的反射材料，留下反射區(qū)域的反射材料；最后 剝離剩余光刻膠，結束反射板掩模工藝。
另外，本實施例中通過調整鈍化層的厚度把反射區(qū)域光傳播路徑簡單地 變化為A、入/2、入/4、 A/8，因此大大改善了以往將光傳播路徑只能設置 為入或入/2的不足。其中，入為光波波長。
本實施例提出的陣列主體為TN型結構，因此產生垂直電場的前提下，陣 列主體內部各個層間結構和各個電子元件的圖形可以任意變化，并且關于形 成垂直電場的TN型陣列主體的技術內容為公知技術，因此在這里本發(fā)明結構 如何應用在各種TN型陣列主體的實施例不再——進行贅述。并且，在本實施 例中玻璃基板第 一面為正對背光源的 一面；玻璃基板第二面為正對液晶盒的 一面。
進一步的，在本實施例中壓花為點陣形，這樣可以最大化反射效率。另 外，本實施例中所使用的反射板材料為鋁(Al)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、 鋁合金或鈦合金等。
本發(fā)明第二實施例
圖3為本發(fā)明第二實施例的結構示意圖。如圖3所示，反透過型陣列基 板包括玻璃基板l和陣列主體，其中玻璃基板l設有透射區(qū)域和反射區(qū)域， 在對應反射區(qū)域的玻璃基板l的第一面形成有壓花，壓花為向玻璃基板1的 第二面凹進的結構，在玻璃基板1第一面的壓花上設置厚度均勻的反射板7， 反射板7的形狀與壓花形狀相同，在反射板7上設置保護膜11，保護膜11均 勻地覆蓋在玻璃基板1的第一面；與玻璃基板1的第一面相對的玻璃基板1 的第二面設置陣列主體，其中陣列主體包括了柵線(圖中未畫出)、柵電極2、 柵絕緣層3、有源層4、源漏電極5、數據線(圖中未畫出)、鈍化層8和像 素電極9;陣列主體結構具體為在玻璃基板1第二面設置柵線和柵電極2;
在柵線和柵電極2上方覆蓋柵絕緣層3，使柵線和柵電極2與其他層相互絕緣; 在柵絕緣層3的表面，位于柵電極2的正上方設置有源層4;在有源層4的上 部設置源漏電極5和數據線，并且源漏電極5設有隔離溝道，源漏電極5的 一端與數據線連接、另一端與像素電極9連接，因此柵電極2提供電平信號 時源漏電極5的兩端通過有源層4相互電連接；在源漏電極5表面設置鈍化 層8，使鈍化層8可以起到保護源漏電極5的作用；在鈍化層8表面設置像素 電極9,像素電極9對應像素區(qū)域，并且通過鈍化層8上的過孔81與源漏電 極5的一端電連接，使得像素電極9接收從源漏電極5的另一端發(fā)送的數據 信號。
本實施例提出的反透過型陣列基板，通過在玻璃基板第 一面形成壓花， 在壓花上設置反射板，并且在反射板上設置保護膜，防止已形成的反射板結 構在后續(xù)的陣列主體制造過程中受到物理損傷或化學腐蝕，有效保證了已形 成的反射板結構的穩(wěn)定性。
更進一步的，保護膜可以為硅的氮化物(SiNx)或者為樹脂。
本發(fā)明第三實施例
圖4為本發(fā)明第三實施例的結構示意圖。如圖4所示，反透過型陣列基 板包括玻璃基板l和陣列主體，其中玻璃基板l設有透射區(qū)域和反射區(qū)域， 在對應反射區(qū)域的玻璃基板l的第一面形成有壓花，壓花為向玻璃基板1的 第二面凹進的結構，在玻璃基板1第一面的壓花上設置厚度均勻的反射板7, 反射板7的形狀與壓花形狀相同；與玻璃基板1的第一面相對的玻璃基板1 的第二面上設置陣列主體，其中陣列主體包括了柵線(圖中未畫出)、柵電 極2、柵絕緣層3、有源層4、源漏電極5、數據線(圖中未畫出)、鈍化層8、 像素電極9和公共電極10;陣列主體結構具體為在玻璃基板l的第二面設 置柵線、柵電極2和公共電極10，公共電極10位于像素區(qū)域內，用于提供常 值電壓并且與柵線和柵電極2相互絕緣設置；在柵線、柵電極2和公共電極 10上方覆蓋柵絕緣層3，使柵線、柵電極2和公共電極10與其他層相互絕緣；
在柵絕緣層3的表面，位于柵電極2的正上方設置有源層4;在有源層4的上 部設置源漏電極5和數據線，并且源漏電極5設有隔離溝道，源漏電極5的 一端與數據線連接、另一端與像素電極9連接，因此柵電極2提供電平信號 時源漏電極5的兩端通過有源層4相互電連接；在源漏電極5表面設置鈍化 層8，使鈍化層8可以起到保護源漏電極5的作用；在鈍化層8表面設置像素 電極9，像素電極9對應像素區(qū)域，像素電極9表面還設有縫隙用于產生橫向 電場，并且通過鈍化層8上的過孔81與源漏電極5的一端電連接，使得像素 電極9接收從源漏電極5的另 一端發(fā)送的數據信號。
本實施例提出的陣列主體為FFS型結構，因此產生橫向電場的前提下， 陣列主體內部各個層間結構和各個電子元件的圖形可以任意變化，并且關于 形成橫向電場的FFS型陣列主體的技術內容為公知技術，因此在這里本發(fā)明 結構如何應用在各種FFS型陣列主體的實施例不再一一進行贅述。并且，在 本實施例中玻璃基板第 一面為正對背光源的 一面；玻璃基板第二面為正對液 晶盒的一面。
本發(fā)明第一實施例提出的TN型陣列主體為以垂直電場驅動液晶的一種方 式，另外VA型陣列主體也屬于垂直電場驅動方式，并且VA型陣列主體的結 構對于所屬技術領域人員來講是公知技術，因此本發(fā)明結構如何應用于VA型 陣列主體的實施例不再進行贅述。同樣本發(fā)明第三實施例中提出的FFS型陣 列主體為以橫向電場驅動液晶的一種方式，另外IPS型陣列主體也屬于橫向 電場驅動方式，并且IPS型陣列主體的結構對于所屬技術領域人員來講是公 知技術，因此本發(fā)明結構如何應用于IPS型陣列主體的實施例也不再進行贅 述。
另外，本發(fā)明中陣列基板上的反射區(qū)域可位于像素區(qū)域的任何部位，不 限于實施例中給出的部位。
最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其 限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術
人員應當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或 者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技
術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精神和范圍。
權利要求
1、一種反透過型陣列基板，包括玻璃基板和陣列主體，所述玻璃基板包括相對的第一面和第二面，所述玻璃基板設有透射區(qū)域和反射區(qū)域，其特征在于在玻璃基板第一面的反射區(qū)域形成有壓花，在所述壓花上設置反射板；在玻璃基板第二面設置陣列主體。
2、 根據權利要求l所述的反透過型陣列基板，其特征在于所述陣列主 體為扭曲向列型結構主體、垂直取向型結構主體、邊緣場切換型結構主體或 面內切換型結構主體。
3、 根據權利要求1所述的反透過型陣列基板，其特征在于所述壓花為 點陣形。
4、 根據權利要求1所述的反透過型陣列基板，其特征在于所述反射板 的材料為鋁、鉬、鈦、鋁合金或鈥合金。
5、 根據權利要求1-4任一權利要求所述的反透過型陣列基板，其特征 在于在所述玻璃基板第一面上還設置保護膜。
6、 根據權利要求5所屬的反透過型陣列基板，其特征在于所述保護膜 的材料為硅的氮化物或樹脂。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種反透過型陣列基板，包括玻璃基板和陣列主體，玻璃基板包括相對的第一面和第二面，在玻璃基板第一面形成壓花，在壓花上設置反射板；在玻璃基板第二面設置陣列主體。本發(fā)明有效解決了現有的反透過型陣列基板在設計過程中樹脂層厚度、鈍化層厚度、液晶盒間隙等各參數設定困難的缺陷，并且提高了液晶顯示裝置的質量。
文檔編號G02F1/137GK101398557SQ20071017520
公開日2009年4月1日 申請日期2007年9月27日 優(yōu)先權日2007年9月27日
發(fā)明者劉圣烈, 崔瑩石, 柳在一 申請人:北京京東方光電科技有限公司