專利名稱：Ffs反透過型陣列基板及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種FFS (Fringe Field Switching)反透過型陣列基板及制 造方法，尤其涉及一種在玻璃基板位于反射區(qū)域的表面上形成壓花的反透過 型陣列基板及制造方法，屬于電子設(shè)備制造領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
為了獲得較寬的視角，提高室外環(huán)境中陣列基板的可讀性，現(xiàn)有的反透 過型陣列基板通過以下方法來獲得最大化的反射率如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中FFS反透過型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖，在玻 璃基板10上依次形成柵極和柵線11、柵絕緣層12、有源層13、樹脂層14、 像素電極15、源漏電極16、反射板17、鈍化層18、公共電極19，其中形成 樹脂層14具體為在反射區(qū)域施涂光敏樹脂，對(duì)光敏樹脂進(jìn)行刻蝕形成具有 微凹凸壓花的樹脂層14;樹脂層14和反射板17共同作用使得反透過型陣列 基板獲得反射率。上述現(xiàn)有技術(shù)中FFS反透過型陣列基板獲得反射率的方法具有以下缺點(diǎn)(1 )相比于現(xiàn)有的透過型陣列基板，反透過型陣列基板需要增加施涂光 敏樹脂、壓花以及形成反射板17等若干掩膜工藝，因此該反透過型陣列基板 的制造方法需要7層掩膜工藝和7個(gè)掩膜版，工藝較復(fù)雜，成本較高，導(dǎo)致產(chǎn)量低下；(2 )反透過型陣列基板利用樹脂層形成壓花，因?yàn)楣饷魳渲男阅苁芄?程環(huán)境影響較大，最終形成的壓花與理想的壓花結(jié)構(gòu)存在誤差，影響了反射 率。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種FFS反透過型陣列基板及制造方法，能夠提 高反射率，相比于現(xiàn)有技術(shù)，能減少掩膜工藝，并使工藝更加簡(jiǎn)單，從而減 少成本，提高產(chǎn)量。本發(fā)明提供的FFS反透過型陣列基板制造方法包括步驟1、在玻璃基板上沉積透明電極層，通過掩膜工藝在反射區(qū)域形成 透明電極圖案；步驟2、在完成步驟1的玻璃基板上，同時(shí)刻蝕透明電極圖案和玻璃基 板，在玻璃基板上形成壓花；步驟3、在完成步驟2的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成柵極和柵線； 步驟4、在完成步驟3的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成柵絕緣層和有源層；步驟5、在完成步驟4的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成源漏電極； 步驟6、在完成步驟5的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成像素電極； 步驟7、在完成步驟6的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成鈍化層； 步驟8、在完成步驟7的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成公共電極。 本發(fā)明提供的FFS反透過型陣列基板包括玻璃基板和在所述玻璃基板 上形成的陣列結(jié)構(gòu)，所述玻璃基板設(shè)置有反射區(qū)域和透射區(qū)域，所述玻璃基 板位于反射區(qū)域的表面上形成有起反射作用的壓花。本發(fā)明4是供的FFS反透過型陣列基板及制造方法，通過刻蝕透明電極圖 案和玻璃基板，在玻璃基板上形成壓花，減少了施涂光敏樹脂、壓花以及形 成反射板等若干個(gè)掩膜工藝，使得工藝更加簡(jiǎn)單，減少了成本，提高了產(chǎn)量； 同時(shí)，由于在玻璃基板上形成的壓花受工程環(huán)境的影響較小，使得形成的壓 花與理想的壓花結(jié)構(gòu)的誤差很小，從而提高了反射率。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中FFS反透過型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為本發(fā)明FFS反透過型陣列基板制造方法一具體實(shí)施例流程圖； 圖3A為本發(fā)明FFS反透過型陣列基板一具體實(shí)施例中玻璃基板刻蝕前的 示意圖；圖3B為本發(fā)明FFS反透過型陣列基板一具體實(shí)施例中玻璃基板刻蝕中的 示意圖；圖3C為本發(fā)明FFS反透過型陣列基板一具體實(shí)施例中玻璃基板刻蝕后的 示意圖；圖4為本發(fā)明FFS反透過型陣列基板一具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面通過附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)描述。圖2為本發(fā)明FFS反透過型陣列基板制造方法一具體實(shí)施例的流程圖， 圖4為利用圖2所示的方法制造出的FFS反透過型陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。 如圖2所示，F(xiàn)FS反透過型陣列基板制造方法執(zhí)行以下步驟步驟IOI、在玻璃基板40上沉積透明電極層，通過第一次掩膜工藝在反 射區(qū)域形成透明電極圖案31，如圖3A所示，為本實(shí)施例玻璃基板刻蝕前的 示意圖，透明電極圖案31的厚度可以為40 - 100皮米，長(zhǎng)度為3-IO微米；步驟102、在完成步驟101的玻璃基板上同時(shí)刻蝕透明電極圖案31和玻 璃基板40,因?yàn)椴ＡЩ?0的刻蝕率比較大，所以會(huì)被先刻蝕掉，從而在 透明電極圖案31之間的玻璃基板40處形成微凹谷，如圖3B所示，為本實(shí)施 例玻璃基板刻蝕中的示意圖；繼續(xù)刻蝕直至透明電極圖案31被完全刻蝕掉， 在玻璃基板40上就形成由數(shù)個(gè)連續(xù)的凹谷組成的壓花，如圖3C所示，為本 實(shí)施例玻璃基板刻蝕后的示意步驟103、在完成步驟102的玻璃基板40上，通過第二次掩膜工藝形成 柵極和^f冊(cè)線41 (如圖4所示)；步驟104、在完成步驟103的玻璃基板上，通過第三次掩膜工藝形成柵 絕緣層42和有源層43;步驟105、在完成步驟104的玻璃基板上，通過第四次掩膜工藝形成源 漏電極44;步驟106、在完成步驟105的玻璃基板上，通過第五次掩膜工藝形成像 素電極45;步驟107、在完成步驟106的玻璃基板上，通過第六次掩膜工藝形成鈍 化層46;步驟108、在完成步驟107的玻璃基板上，通過第七次掩膜工藝形成公 共電極47。本實(shí)施例中，進(jìn)一步地，步驟101中第一次掩膜工藝和步驟108中第七 次掩膜工藝可以采用同一掩膜版，均采用制作梳齒狀電極的掩膜版，與現(xiàn)有 技術(shù)相比，減少了一個(gè)掩膜版，從而減少了成本。本實(shí)施例中，還可以在步驟105中形成源漏電極44的同時(shí)，形成反射電 極48。本實(shí)施例中通過利用制作梳齒狀電極的掩膜版在反射區(qū)域形成透明電極 圖案，與形成公共電極47的掩膜工藝使用同一掩膜版，用6個(gè)掩膜版實(shí)現(xiàn)了 7個(gè)掩膜工藝，減少了成本；通過刻蝕透明電極圖案和玻璃基板40，在玻璃 基板上形成壓花，并在形成源漏電極44的同時(shí)，形成反射電極48,減少了 施涂光敏樹脂、壓花以及形成反射板等若干個(gè)掩膜工藝，使得工藝更加簡(jiǎn)單， 減少了成本，提高了產(chǎn)量；同時(shí)，由于在玻璃基板上形成的壓花受工程環(huán)境 的影響較小，使得形成的壓花與理想的壓花結(jié)構(gòu)的誤差很小，從而提高了反 射率。如圖4所示，為本發(fā)明FFS反透過型陣列基板一具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例包括玻璃基板40和在玻璃基板上形成的陣列結(jié)構(gòu)，該玻璃基板 40設(shè)置有反射區(qū)域和透射區(qū)域。如圖3C所示，在玻璃基板40位于反射區(qū)域的表面上形成有起反射作用 的壓花，該壓花由數(shù)個(gè)連續(xù)的凹谷32組成，凹谷32的深度一般小于1微米。如圖4所示，在玻璃基板上形成的陣列結(jié)構(gòu)包括柵極和柵線41、柵絕 緣層42、有源層43、源漏電極44、反射電極48、像素電極45、鈍化層46 以及公共電極47，其中在柵線41上方覆蓋柵絕緣層42,使柵線41與其他層 互相絕緣；在柵絕緣層42的表面，位于柵線41的正上方設(shè)置有源層43;在 有源層43的上部設(shè)置源漏電極44,源漏電極44設(shè)有隔離溝道，源漏電極44 的一端與數(shù)據(jù)線(圖中未示出)連接，另一端通過反射電極48與像素電極45 連接；在源漏電極44的表面設(shè)置鈍化層46，用于保護(hù)源漏電極44;在鈍化 層46之上還設(shè)置有公共電極47。本實(shí)施例中，在玻璃基板40上形成壓花的過程中所使用的掩膜版與形成 公共電極47的掩膜版相同，減少了成本；通過在玻璃基板40上形成壓花， 受工程環(huán)境的影響較小，使得形成的壓花與理想的壓花結(jié)構(gòu)的誤差很小，提 高了反射率。上述反射區(qū)域可以設(shè)置在像素區(qū)域的任何部位，不應(yīng)該限于本實(shí)施例中 給出的部位。由于FFS反透過型陣列基板與全反射型陣列基板的區(qū)別在于反射區(qū)域的 面積不同，因此本發(fā)明FFS反透過型陣列基板及制造方法同樣也適用于全反 射型陣列基板。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其 限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或 者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1、一種FFS反透過型陣列基板制造方法，其特征在于，包括步驟1、在玻璃基板上沉積透明電極層，通過掩膜工藝在反射區(qū)域形成透明電極圖案；步驟2、在完成步驟1的玻璃基板上，同時(shí)刻蝕透明電極圖案和玻璃基板，在玻璃基板上形成壓花；步驟3、在完成步驟2的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成柵極和柵線；步驟4、在完成步驟3的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成柵絕緣層和有源層；步驟5、在完成步驟4的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成源漏電極；步驟6、在完成步驟5的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成像素電極；步驟7、在完成步驟6的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成鈍化層；步驟8、在完成步驟7的玻璃基板上，通過掩膜工藝形成公共電極。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的FFS反透過型陣列基板制造方法，其特征在 于，所述步驟1和步驟8中所述掩膜工藝均采用制作梳齒狀電極的掩膜版。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的FFS反透過型陣列基板制造方法，其特 征在于，^/斤述步驟5中形成源漏電極的同時(shí)，在所述反射區(qū)域形成反射電極。
4、 一種FFS反透過型陣列基板，包括玻璃基板和在所述玻璃基板上形 成的陣列結(jié)構(gòu)，所述玻璃基板設(shè)置有反射區(qū)域和透射區(qū)域，其特征在于，所 述玻璃基板位于反射區(qū)域的表面上形成有起反射作用的壓花。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的FFS反透過型陣列基板，其特征在于，所述 壓花由數(shù)個(gè)連續(xù)的凹谷組成。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的FFS反透過型陣列基板，其特征在于，所述 凹谷的深度小于l微米。
7、 根據(jù)權(quán)利要求4 - 6任一所述的FFS反透過型陣列基板，其特征在于， 所述陣列結(jié)構(gòu)包括柵極、柵線、柵絕緣層、有源層、源漏電極、像素電極、 鈍化層以及公共電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種FFS反透過型陣列基板及制造方法，其中FFS反透過型陣列基板制造方法包括在玻璃基板上沉積透明電極層，在反射區(qū)域形成透明電極圖案；刻蝕透明電極圖案和玻璃基板，在玻璃基板上形成壓花；依次形成柵極、柵線、柵絕緣層、有源層、源漏電極、像素電極、鈍化層、公共電極；FFS反透過型陣列基板包括玻璃基板和陣列結(jié)構(gòu)，玻璃基板設(shè)置有反射區(qū)域和透射區(qū)域，玻璃基板位于反射區(qū)域的表面上形成有起反射作用的壓花。本發(fā)明使得工藝更加簡(jiǎn)單，減少了成本，提高了產(chǎn)量，同時(shí)提高了反射率。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101399235SQ20071017520
公開日2009年4月1日 申請(qǐng)日期2007年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月27日
發(fā)明者崔承鎮(zhèn), 柳在一, 金秉勳 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司