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電致色變反射裝置的制作方法

文檔序號(hào):2731581閱讀:257來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:電致色變反射裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電致色變反射裝置,特別地涉及一種電池式的電 致色變反射裝置。
背景技術(shù)
電致色變反射裝置是目前極為熱門的反射裝置之一,目前各汽車 大廠逐步開始采用電致色變反射裝置作為汽車防眩后視鏡,由此可 見,這種電致色變反射裝置在汽車零組件的使用上具有相當(dāng)大的潛 力。而目前已知的電致色變反射裝置一般可分為溶液相式
(solution-phase)、混合式(hybrid)及電池式(battery-like)電致色 變反射裝置。
溶液相式的電致色變反射裝置包含透明基板、透明導(dǎo)電層、電致 色變?nèi)芤?、反射?dǎo)電層及基板,在對(duì)該裝置施以數(shù)伏特的直流電后, 存在于該電致色變?nèi)芤褐械年?yáng)極電致色變化合物會(huì)往作為陽(yáng)極的透 明基板擴(kuò)散,而該溶液中的陰極電致色變化合物會(huì)往作為陰極的反射 導(dǎo)電層擴(kuò)散,進(jìn)而使該電致色變反射裝置呈現(xiàn)深藍(lán)色,而當(dāng)移除直流 電后,該陽(yáng)極電致色變化合物及該陰極電致色變化合物會(huì)擴(kuò)散返回該 電致色變?nèi)芤簝?nèi)使得該電致色變反射裝置呈現(xiàn)較透光,例如Gentex 公司在US 5, 278, 693專利中即公開一種溶液型自我去色式電致色變 反射鏡,其是可以穩(wěn)定地循環(huán)于亮態(tài)(light state)及暗態(tài)(dark state)之間。由上述可知,溶液相式反射裝置需要通過(guò)持續(xù)供應(yīng)電 源才能維持在著色較不透光反射的狀態(tài),因而較為耗費(fèi)能源。
混合式(hybrid)電致色變反射裝置與溶液相式電致色變反射裝 置的差異在于原來(lái)溶液相式電致色變反射裝置中的電致色變?nèi)芤禾?改為以電致色變層及電解質(zhì)層取代,在對(duì)此混合式電致色變反射裝置 施以數(shù)伏特的直流電后,該電解質(zhì)層中的堿性離子如Li+陽(yáng)離子或質(zhì)
子(Proton)會(huì)往作為陰極的電致色變層,而電子則往作為陽(yáng)極的反射 導(dǎo)電層移動(dòng)而使得電致色變反射裝置呈現(xiàn)深藍(lán)色,而當(dāng)將直流電作正 極與負(fù)極反向連接,也就是說(shuō)當(dāng)電致色變層作為陽(yáng)極而反射導(dǎo)電層作 為陰極時(shí),Li+陽(yáng)離子或質(zhì)子會(huì)返回電解質(zhì)層內(nèi),使得電致色變反射 裝置呈現(xiàn)較透光。例如Donnelly公司在US 7, 004, 592專利中所公開 的即為一種混合式電致色變反射裝置,此混合式電致色變反射裝置的 電解質(zhì)層除了需要包含堿性離子外,還需要氧化還原反應(yīng)促進(jìn)劑及提 供質(zhì)子的含水的有機(jī)或無(wú)機(jī)酸,使得制備電解質(zhì)層的成本較高,此外, 反射導(dǎo)電層還需涂覆于基板上,也使成本提高。
電池式(battery like)電致色變反射裝置則是包含第一基板、透 明導(dǎo)電層、對(duì)極層(或稱離子儲(chǔ)存層或輔助電致色變層)、電解質(zhì)層、 電致色變層、第二基板及反射導(dǎo)電層,其中該第二基板也可以不用存 在,例如當(dāng)所述層是固態(tài)層狀時(shí)。在對(duì)此型的電致色變反射裝置施以 數(shù)伏特的直流電后,電解質(zhì)層中的Li+陽(yáng)離子或質(zhì)子會(huì)往作為陰極的 電致色變層移動(dòng),而離子儲(chǔ)存層中的離子或質(zhì)子則會(huì)遷出往電解質(zhì)層 移動(dòng)而注入,使得電致色變反射裝置呈現(xiàn)深藍(lán)色,而當(dāng)將直流電作正 極與負(fù)極反向接上,也就是說(shuō)當(dāng)電致色變層作為陽(yáng)極而離子儲(chǔ)存層作 為陰極吋,該電致色變層中的Li+陽(yáng)離子或質(zhì)子會(huì)遷出并返回電解質(zhì) 層內(nèi),而Li+陽(yáng)離子或質(zhì)子則會(huì)注入離子儲(chǔ)存層,使得電致色變反射 裝置呈現(xiàn)較透光。例如Donnelly公司在US 4, 712, 819專利中所提出
的電致色變反^1"鏡即為電池式電致色變反射裝置,如圖1所示,其是 包含疊置的基板90、導(dǎo)電層91、陽(yáng)極電致色變層92 (相當(dāng)于前述的 對(duì)極層)、電解質(zhì)層93、陰極電致色變層(即一般所稱的電致色變 層)94及反射層95,因此電池式電致色變反射裝置具有著色及去色 記憶功能且較為節(jié)能,但是由于該反射層是設(shè)置于后方,使得該電致 色變反射鏡有反射重影較為明顯的缺點(diǎn),且多層結(jié)構(gòu)也會(huì)導(dǎo)致穿透率 變差且工藝成本較高。
綜上所述,目前仍有需要發(fā)展出能兼顧具有著色及去色記憶、節(jié) 能以及低成本等優(yōu)點(diǎn),且不致產(chǎn)生嚴(yán)重的反射重影的電致色變反射裝

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述各電致色變反射裝置的問(wèn)題,申請(qǐng)人想到將現(xiàn)有電 致色變反射裝置中分別具有光反射、導(dǎo)電及離子儲(chǔ)存等不同功能的各 層結(jié)合在同一基板上,進(jìn)而降低因多層結(jié)構(gòu)而導(dǎo)致的高成本及反射重 影的問(wèn)題,于是,申請(qǐng)人通過(guò)前置處理使基板同時(shí)具有光反射、導(dǎo)電 及離子儲(chǔ)存功能,并以該基板取代現(xiàn)有電池式電致色變反射裝置所需 的離子儲(chǔ)存層/電解質(zhì)層/基板/反射導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu),以降低工藝 的成本,并同時(shí)改善反射重影的問(wèn)題,這樣的概念是并未在現(xiàn)有專利 及文獻(xiàn)中出現(xiàn)過(guò)的。
于是,本發(fā)明的目的即為提供一種電致色變反射裝置,其是包含 透明單元、光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板,及夾在該透明單元與該光反射 導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板之間的中間單元。該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板是由 具有多數(shù)摻雜質(zhì)的金屬材料所構(gòu)成,且包括鄰近該透明單元的反射
區(qū),所述摻雜質(zhì)是選自于H+、 Li+、 Na+、 K+,或它們的組合。該透明 單元包括透明導(dǎo)電層,該中間單元包括由該透明單元朝該光反射導(dǎo)電 離子儲(chǔ)存基板的方向依次疊置的電致色變層及電解質(zhì)層。
本發(fā)明的有益效果在于本發(fā)明電致色變反射裝置因包含兼具光 反射、導(dǎo)電及離子儲(chǔ)存功能的光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板,使原先需要 多層結(jié)構(gòu)才能具有的各項(xiàng)功能集合在同一基板上,確實(shí)能提供一種兼 顧具有著色及去色記憶、節(jié)能以及低成本等優(yōu)點(diǎn),且不致產(chǎn)生嚴(yán)重的 反射重影的電致色變反射裝置。


圖1是說(shuō)明現(xiàn)有電致色變反射裝置的示意圖2是說(shuō)明本發(fā)明電致色變反射裝置的第一優(yōu)選實(shí)施例的示意
圖3是說(shuō)明本發(fā)明電致色變反射裝置的第二優(yōu)選實(shí)施例的示意
圖4是說(shuō)明本發(fā)明電致色變反射裝置的第三優(yōu)選實(shí)施例的示意
圖5是說(shuō)明本發(fā)明電致色變反射裝置的第四優(yōu)選實(shí)施例的示意
圖6是說(shuō)明本發(fā)明電致色變反射裝置的第五優(yōu)選實(shí)施例的示意
圖7是說(shuō)明本發(fā)明電致色變反射裝置的第六優(yōu)選實(shí)施例的示意
圖8是說(shuō)明本發(fā)明電致色變反射裝置的第七優(yōu)選實(shí)施例的示意
圖9是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1的電致色變反射裝置進(jìn)行反射率測(cè) 試的結(jié)果的光譜圖,其中縱軸座標(biāo)為反射率,橫軸座標(biāo)為循環(huán)數(shù);
圖10是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2的電致色變反射裝置進(jìn)行反射率 測(cè)試的結(jié)果的光譜圖,其中縱軸座標(biāo)為反射率,橫軸座標(biāo)為循環(huán)數(shù);
圖11是說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例3的電致色變反射裝置進(jìn)行反射率 測(cè)試的結(jié)果的光譜圖,其中縱軸座標(biāo)為反射率,橫軸座標(biāo)為循環(huán)數(shù)。
具體實(shí)施例方式
雖然己有人使用過(guò)金屬材料的基板,但是并未有人對(duì)經(jīng)鏡面處理 過(guò)的金屬材料的基板進(jìn)行過(guò)離子注入處理,然而,本專利申請(qǐng)人通過(guò) 在經(jīng)鏡面處理的金屬基板上預(yù)先注入離子而使其具有離子儲(chǔ)存功能, 進(jìn)而得到含有兼具有光反射、導(dǎo)電及離子儲(chǔ)存功能的光反射導(dǎo)電離子 儲(chǔ)存基板,并進(jìn)一步將其使用于制備本發(fā)明電致色變反射裝置,如此 一來(lái),確實(shí)能降低工藝成本且不會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的反射重影現(xiàn)象。
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明
在本發(fā)明被詳細(xì)描述之前,要注意的是,在以下的說(shuō)明內(nèi)容中, 類似的元件是以相同的標(biāo)號(hào)來(lái)表示。
如圖2所示,本發(fā)明電致色變反射裝置的第一優(yōu)選實(shí)施例包含透 明單元l、光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2、夾在該透明單元l與該光反
射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2之間的中間單元3、粘著部分4、多數(shù)間隙物 質(zhì)5,及涂覆于該透明單元1遠(yuǎn)離該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2的側(cè)
面上的抗反射薄膜6。該透明單元1包括透明導(dǎo)電層11及涂覆于該 透明導(dǎo)電層11遠(yuǎn)離該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2的側(cè)面上的透明基 板12。該中間單元3包括由該透明基板1朝該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存 基板2的方向依次疊置的電致色變層31及電解質(zhì)層32,且所述間隙 物質(zhì)5摻雜于該粘著部分4與該電解質(zhì)層32中。
視使用者需要,也可以不需要涂覆該透明基板12及抗反射薄膜 6,如圖3所示的本發(fā)明電致色變反射裝置的第二優(yōu)選實(shí)施例。當(dāng)然, 視使用者需要,也可以只涂覆該透明基板12或只涂覆該抗反射薄膜 6。也就是說(shuō),雖然下述的本發(fā)明電致色變反射裝置的第三至第七優(yōu) 選實(shí)施例中皆以包含該透明基板12的電致色變反射裝置為例,但是 實(shí)際使用時(shí),也可以不需要該透明基板12的存在,特別是當(dāng)該電解 質(zhì)層32是固態(tài)時(shí)。
該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2是由具有多數(shù)摻雜質(zhì)21的金屬材 料所構(gòu)成,且包括鄰近該透明基板1的反射區(qū)22,所述摻雜質(zhì)21是 選自于H+、 Li+、 Na+、 K+,或它們的組合。
上述的"摻雜質(zhì)"的意思可以是指分布于該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存 基板2的內(nèi)部及表面各處的摻雜質(zhì),也可以是指只存在于該光反射導(dǎo) 電離子儲(chǔ)存基板2的鄰近表面處的注入離子。
優(yōu)選地,該金屬材料選自于不銹鋼、Ni、 Cr、 Mn、 V、 Co、 Fe、 Ir、 Rh、 Ti 、 W、 Mo、 Nb、 Ta、 La、 Ce、 Cu、 Ba、 Bi、 In,或它們的 組合。更優(yōu)選地,該金屬材料為不銹鋼。
優(yōu)選地,所述摻雜質(zhì)21位于該反射區(qū)22內(nèi),此時(shí)的反射區(qū)22 是通過(guò)將該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2經(jīng)鏡面處理及離子注入處理 而形成。
上述的"鏡面處理"可分為下述方式進(jìn)行(l)在制作該光反射 導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2時(shí),直接以鏡面模具制成,及(2)利用表面拋光 法,例如以拋光砂紙或拋光布將預(yù)制成該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板 2的基材表面拋光成鏡面。
上述的"離子注入處理"可分為濕式工藝及干式工藝,其中濕式 工藝即是將預(yù)制成該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2的基材置入含有H+、Li+、 Na+、 K+,或它們的組合的溶液內(nèi),以電化學(xué)反應(yīng)、加電壓或加 熱等方式注入離子,而干式工藝又可分為(l)將該預(yù)制成該光反射 導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2的基材置入含有H+、 Li+、 Na+、 K+,或它們的組 合的蒸氣內(nèi),以產(chǎn)生等離子體、加電壓或以加熱等方式注入離子;(2) 在濺射鍍覆系統(tǒng)內(nèi)將含有H+、 Li+、 Na+、 K+,或它們的組合的離子濺 射鍍覆至該基材的鄰近表面處。
優(yōu)il地,該反射區(qū)22內(nèi)的摻雜質(zhì)的注入電量密度介于0. lmC/cm2 至100mC/cii^之間。優(yōu)選地,該注入電量密度介于lmC/cm'至50mC/cm2 之間,更優(yōu)選地,摻雜質(zhì)的注入電量密度介于4mC/ci^至40mC/cn^之 間。所謂的"電量密度"的定義如下式(I)所示
電量密度q (mC/cm^fw, (I)
其中j二電流密度(mA/cm2)=電流(mA) /注入面積(cm2) dt-通電時(shí)間42-t,
選擇性地,該透明導(dǎo)電層11為透明導(dǎo)電薄膜。優(yōu)選地,該透明 導(dǎo)電薄膜的材料選自于氧化鉈、氧化錫、氧化鋅、氧化銦錫、經(jīng)摻 雜處理的氧化錫、經(jīng)摻雜處理的氧化鋅,或它們的組合。更優(yōu)選地, 該經(jīng)摻雜處理的氧化錫為摻雜銻的氧化錫或摻雜氟的氧化錫。更優(yōu)選 地,該經(jīng)摻雜處理的氧化鋅為摻雜銻的氧化鋅或摻雜鋁的氧化鋅。
優(yōu)選地,該電致色變層31的材料選自于氧化鎳、氧化鉻、氧 化錳、氧化釩、氧化鈷、氧化鐵、氧化銥、氧化銠、氧化鈦、氧化錦、 氧化鉬、氧化鈮、氧化鉭、氧化鑭、氧化鈰氧化銅、氧化鋇、氧化鉍、 氧化銦、聚苯胺、聚噻吩(polythiophene)、聚吡咯(polypyrrole)、 普魯士藍(lán)(Prussian blue)、聯(lián)吡啶鑰鹽(bipyridinium,又名 viologen),或它們的組合。
選擇性地,該電解質(zhì)層32是氧化鉭(Ta205)薄膜或氧化鋰鈮 (LiNb03)薄膜。
選擇性地,該電解質(zhì)層32含有可解離的基質(zhì)、溶劑及高分子添 加劑,該可解離的基質(zhì)選自于鋰鹽、鈉鹽、鉀鹽、鹽酸、硼酸、硫 酸或磷酸,或它們的組合。
當(dāng)該電解質(zhì)層32含有的可解離的基質(zhì)是鋰鹽時(shí),優(yōu)選地,該鋰
鹽選自于過(guò)氯酸鋰(LiC104)、四氟硼酸鋰(LiBF》、碘化鋰(LiI)、 六氟磷酸鋰(LiPFe)、六氟砷酸鋰(LiAsFe)、苯乙烯磺酸鋰、三氟甲基 磺酸鋰(LiCF3S03)、甲基丙烯酸鋰、氯化鋰、溴化鋰、三氟醋酸鋰 (CF3C00Li)、三氟甲基磺酰胺鋰(Li(CF3S02)2N)、硫氰酸鋰(LiSCN), 或它們的組合。
當(dāng)該電解質(zhì)層32含有的可解離的基質(zhì)是鈉鹽時(shí),優(yōu)選地,該鈉 鹽選自于碘化鈉、硫氰酸鈉(NaSCN)、過(guò)氯酸鈉(NaClO》、四氟硼 鈉(NaBF4)、四氟砷鈉(NaAsF4)、六氟砷鈉(NaAsFe),或它們的組合。
當(dāng)該電解質(zhì)層32含有的可解離的基質(zhì)是鉀鹽時(shí),優(yōu)選地,該鉀 鹽選自于硫氰酸鉀(KSCN)、氯化鉀,或它們的組合。
優(yōu)選地,該電解質(zhì)層32的溶劑選自于乙腈、3-羥基丙腈 (3-hydroxypropionitrile)、 甲氧基丙腈(methoxypropionitrile)、 3-乙氧基丙腈(3-ethoxypropionitrile) 、 2-乙?;阴0?(2-acetylbutyrolactone)、碳酸丙二酉旨(propylene carbonate, 以 下簡(jiǎn)稱PC)、 碳酸丁二酯、丙烯腈蔗糖(cyanoethylene sucrose)、 碳酸乙二酯(ethylene carbonate,以下簡(jiǎn)稱EC)、碳酸甘油酯 (glycerine carbonate) 、 二甲基甲酰胺、N,N'-二甲基甲酰胺 (N,N, -dimethylformamide) 、 3-甲基環(huán)丁砜(3-methylsulfolane)、 戊二腈、Y-丁酸內(nèi)酯、N-甲基咯垸酮(N-methylpyrrolidone)、四亞 甲基砜(tetramethylene sulfone)、 氰乙基蔗糖(cyanoethyi sucrose) 、 2-二甲基戊二腈、3, 3,-氧二丙腈、甲基乙基酮、環(huán)戊酮、 環(huán)己酮、苯基丙酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮 (4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone)、乙酰苯、2-甲氧基乙基醚、三 甘醇二甲醚(triethylene glycol dimethyl ether) 、 4-乙烯基-1, 3-雙草酸_2-酮(4-ethenyl-1, 3-dioxalane-2-one) 、 1, 2-碳酸丁二酯、 縮水甘油醚碳酸酯(glycidyl ether carbonates),或它們的組合。
優(yōu)選地,該電解質(zhì)層32的高分子添加劑選自于聚甲基丙烯酸 甲酯、聚乙二醇二丙烯酸醋、聚乙二醇、聚二甲氧基乙氧基乙氧基磷 腈(poly-bismethoxy-ethoxy-ethoxide-phosphazene,簡(jiǎn)禾爾MEEP)、 聚丙烯腈(polyacrylonitrile,簡(jiǎn)稱PAN)、聚乙烯氯、聚乙烯丁醛、
聚乙烯縮甲醛、聚丙二醇、聚乙烯甲基酮、聚乙烯吡咯垸酮(polyvinyl pyrrolidone,簡(jiǎn)稱PVP)、羧甲基纖維素、聚氨酯、聚丙烯酸酯、聚 甲基丙烯酸酯、聚環(huán)己基甲基丙烯酸酯(polycyclohexyl methacrylate)、 聚異丁基甲基丙烯酸酯(polyisobutyl methacrylate)、聚二氟乙烯(polyvinylidene fluoride,簡(jiǎn)稱PVDF)、 聚亞酰胺、聚碳酸酯、聚丙酰胺(polyacryliamide)、纖維素、聚酯、 聚乙烯對(duì)苯二甲酯、聚丙二醇(polypropylene glycol,簡(jiǎn)稱PPG)、 聚丙烯氧化物(polypropylene oxide)、聚四氟乙烯磺酸共聚合物 (sulfonated tetrafl匿ethylene copolymer,其來(lái)源于例如杜邦的 產(chǎn)品名為Nafion的產(chǎn)品)、經(jīng)改性的聚亞烷基氧化物(modified polyalkylene oxide),或它們的組合。
選擇性地,該電解質(zhì)層32還含有紫外光穩(wěn)定劑。優(yōu)選地,該紫 外光穩(wěn)定劑是選自于2,4-二羥基苯甲酮、2,2' _二羥基-4,4, -二 甲氧基苯甲酮、乙基-2-氰基-3, 3-二苯基丙烯酸酯、2-乙基-己基-2-^1基-3, 3-二苯基丙烯酸酯、2-氫基-4-甲氧基苯甲酮、2-氫基-4-辛 氧基苯甲酮、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4甲基苯基 (2-(2H-be勤triazole-2-yl)-4-methylphenyl)、 2-(3, 5, -二丁基 -2,-羥基苯基)-5-氯苯并三唑)(2-(3, ,5, -di-1-butyl-2 , -hydroxyphenyl)-5-chlorobenzotriazole) 、 2_(3, 5, -二-n-戊基 _2,—羥基苯基)-苯并三唑)(2_(3 , ,5, -di-n-pentyl-2 , -hydroxyphenyl) -benzotriazole) 、 2, 2, -二羥基-4-甲氧基-苯甲酮, 或它們的組合。
選擇性地,該電解質(zhì)層32可為固態(tài)、液態(tài)或凝膠狀(gel)。該電 解質(zhì)層32可通過(guò)進(jìn)一步含有可聚合組分,或以真空烘箱去除多余的 溶劑而成為固態(tài)。該可聚合組分是選自于環(huán)氧化物、丙烯酸、環(huán)氧化 物衍生物或丙烯酸衍生物,或它們的組合。優(yōu)選地,該環(huán)氧化物衍生 物為環(huán)氧化硅酮(印oxidized silicone),該丙烯酸衍生物是選自于 丙烯酸化硅酮(acrylated silicone)、丙烯酸酯(acrylates)、丙烯 酸化寡聚物(acrylated oligomers)、丙烯酸胺酯(urethane acrylate)、四甘醇二丙烯酸酯(tetraethylene glycol diacrylate;
TEGDA)、聚乙二醇二丙烯酸酯(poly (ethylene glycol diacrylate); PEGDA),或它們的組合。其中,環(huán)氧化物、環(huán)氧化硅酮是通過(guò)催化 劑協(xié)助產(chǎn)生聚合反應(yīng),而丙烯酸、丙烯酸硅酮、丙烯酸酯、丙烯酸類 寡聚物及胺基丙烯酸是通過(guò)光起始劑產(chǎn)生聚合反應(yīng)。
該粘著部分4涂布于該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2與該中間單元 3的電致色變層31鄰近周邊處且介于該二者之間,該三者包圍住該 電解質(zhì)層32。該粘著部分4也可以如本發(fā)明電致色變反^t裝置的第 三優(yōu)選實(shí)施例,即如圖4所示地涂布于該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2 與該透明導(dǎo)電層11鄰近周邊處且介于該二者之間,且該光反射導(dǎo)電 離子儲(chǔ)存基板2、該電致色變層31及該粘著部分4包圍住該電解質(zhì) 層32。此外,該粘著部分4還可以如本發(fā)明電致色變反射裝置的第 四優(yōu)選實(shí)施例,即如圖5所示地部分涂布于該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基 板2與該透明導(dǎo)電層11鄰近周邊處并介于該二者之間,且部分涂布 于光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2與該透明基板12鄰近周邊處并介于該 二者之間,且該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2、該電致色變層31及該 粘著部分4包圍住該電解質(zhì)層32。
該粘著部分4的材料可以是已知任何具有粘著性的材料,且可利 用圖案化(patterned)印刷或其他方式涂布在該中間單元3、該透明 導(dǎo)電層11、該透明基板12及/或該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2上, 但是當(dāng)該電解質(zhì)層32本身具有粘著能力時(shí),可以不需要該粘著部分 4。
間隙物質(zhì)5材料選自于氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、石 英玻璃、鈉鈣玻璃、丙烯酸、聚碳酸丙二酯、以乙烯基苯為主的樹脂、 含氟丙烯酸樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、酚,或它們的組合。該間隙物 質(zhì)5是為維持整體間隙厚度的均勻性,因此,視使用者的需求,也可 以如圖4所示的本發(fā)明電致色變反射裝置的第三優(yōu)選實(shí)施例一樣,只 存在于該粘著部分4內(nèi),或是如圖5所示的本發(fā)明電致色變反射裝置 的第四優(yōu)選實(shí)施例一樣,無(wú)需存在任何間隙物質(zhì)5。
選擇性地,該抗反射薄膜6包括至少一個(gè)低折射率層61及至少 一個(gè)高折射率層62,優(yōu)選地,該低折射率層61的折射率介于1. 38
至2. 10之間,該高折射率層62的折射率介于2. 10至2. 60之間。但 是該低折射率層61及該高折射率層62的折射率并不以上述為限。
優(yōu)選地,該低折射率層61的材料選自于氧化硅、碳氧化硅、 氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化鋁、碳氧化鋁、氮氧化鋁、碳氮氧化鋁, 或它們的組合;該高折射率層62的材料選自于氧化鈦、氧化鉭, 或它們的組合。但是該低折射率層61及該高折射率層62的材料并不 以上述為限。在本申請(qǐng)具體例中的抗反射薄膜6包括一低折射率層 61及一高折射率層62。
如圖6所示,本發(fā)明電致色變反射裝置的第五優(yōu)選實(shí)施例與該第 一優(yōu)選實(shí)施例相似,不同的處在于本實(shí)施例是以一防刮薄膜7取代 該抗反射薄膜6。當(dāng)然,也可以同時(shí)涂覆該抗反射薄膜6及該防刮薄 膜7。
如圖7所示,本發(fā)明電致色變反射裝置的第六優(yōu)選實(shí)施例與該第 五優(yōu)選實(shí)施例相似,不同的處在于該第六優(yōu)選實(shí)施例不具有任何間 隙物質(zhì)5。如圖8所示,本發(fā)明電致色變反射裝置的第七優(yōu)選實(shí)施例
與該第五優(yōu)選實(shí)施例相似,不同的處在于該第七優(yōu)選實(shí)施例的間隙
物質(zhì)5只存在于該粘著部分4內(nèi)。
選擇性地,該防刮薄膜7的材料是選自于環(huán)氧樹脂、丙烯酸系
樹脂、胺基甲酸酯樹脂、硅膠樹脂、聚對(duì)環(huán)二甲苯樹脂、聚酰亞胺、 氧化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化鋁、碳氧化鋁、碳 氮氧化鋁、氮化硅、碳氮化硅、氧化鈦、碳氧化鈦、氮氧化鈦、碳氮
氧化鈦、石英、類金剛石膜(diamond-like coating),或它們的組合。
選擇性地,該防刮薄膜7包括高分子主體71及多數(shù)分散于該高 分子主體71內(nèi)的氧化物粒子72,該高分子主體71材料是選自于環(huán) 氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯樹脂、硅膠樹脂、聚對(duì)環(huán)二甲苯 樹脂、聚酰亞胺,或它們的組合,該氧化物72是選自于氧化硅、碳 氧化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化鋁、碳氧化鋁、碳氮氧化鋁、 氮化硅、碳氮化硅、氧化鈦、碳氧化鈦、氮氧化鈦、碳氮氧化鈦,或 它們的組合。選擇性地,該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2可以是撓性的或非撓性 的。當(dāng)該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2為撓性的時(shí),優(yōu)選地,其厚度介 于5iiiD至500um之間,更優(yōu)選地,該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2的 厚度介于25 u m至400 u m之間。當(dāng)該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2為 非撓性的時(shí),優(yōu)選地,其厚度介于501 ixm至2000 um之間,更優(yōu)選 地,該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板2的厚度介于700um至1500ym之 間。
所謂的"撓性材料"是表示"具彎折性且不易脆的材料",所謂 的"非撓性材料"是表示"材料較為堅(jiān)硬且具有支撐效果的材料"。
優(yōu)選地,該透明基板12的材料是選自于玻璃、聚碳酸酯、聚 乙烯對(duì)苯二甲酯、聚亞酰胺、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate,簡(jiǎn)稱PMMA)、聚萘乙烯(Polyethylene N印hthalate, 簡(jiǎn)稱PEN)、聚醚砜,或它們的組合。
選擇性地,該透明基板12可以是撓性材料,其目的在于增加整 個(gè)裝置的耐沖擊性,且在制作時(shí)可以依裾該高分子材料的性質(zhì),適當(dāng) 控制該高分子材料的密度及厚度,以使其具有彎折性。優(yōu)選地,該透 明基板l的厚度介于5um至200um之間,更優(yōu)選地,該透明基板1 的厚度介于25um至175um之間。
選擇性地,該透明基板12也可以是非撓性材料,其目的主要在 支撐整個(gè)裝置以及減少影像扭曲或皺折現(xiàn)象的產(chǎn)生,可為玻璃或高分 子材料,其中,當(dāng)利用高分子材料作為非撓性材料時(shí),可通過(guò)工藝的 變化或是通過(guò)其他現(xiàn)有方法,并依據(jù)該高分子材料的性質(zhì),適當(dāng)控制 該高分子材料的密度及厚度來(lái)加強(qiáng)支撐效果。優(yōu)選地,該透明基板的 厚度介于201 um至5000um之間,更優(yōu)選地,該透明基板的厚度介 于300 u m至3000u m之間。
特別說(shuō)明的是,本發(fā)明的電致色變反射裝置的所述的優(yōu)選實(shí)施例 的透明基板、透明導(dǎo)電層、電致色變層、抗反射薄膜及防刮薄膜可依 據(jù)任何現(xiàn)有方法進(jìn)行制備,例如物理氣相沉積法(physical vapor d印osition)、溶膠凝膠法(so1-gel)、化學(xué)溶液沉積法(chemical solution deposition)、 化學(xué)氣相沉積法(chemical vapor*
d印osition)、涂布(coating)法、等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(plasma assisted chemical vapor deposition)法、電鍍(plating)法、無(wú)電 電鍍(electroless plating)法及真空沉積(vacuum d印osition)法等 方式。
實(shí)際使用本發(fā)明的電致色變反射裝置時(shí),利用直流電源將該裝置 通電導(dǎo)通,即可使產(chǎn)生電致色變的效果。除了直接再加工制作成后續(xù) 產(chǎn)品外,本發(fā)明的電致色變反射裝置也可依據(jù)后續(xù)用途來(lái)變化其形 狀,例如使用弧形基板則后續(xù)可制作為廣角后視鏡等。此外,還可用 于制作成后視鏡或其他鏡體等。 電致色變反射裝置的制備 <實(shí)施例1>
本實(shí)施例的電致色變反射裝置的制法如下
(1) 取一經(jīng)鏡面處理的不銹鋼板,并以電化學(xué)分析儀(廠牌-Jiehan,型號(hào)5000,參數(shù)設(shè)定為-2V/1000 sec)將Li+離子注入該 不銹鋼板內(nèi),以形成該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板。
(2) 取一玻璃作為透明基板,并在該透明基板上涂覆一層氧化 銦錫(ITO),以形該透明導(dǎo)電層(所制成的半成品表示為
"glass/ITO")。
(3) 使用鎢靶材在室溫及40mtorr的壓力下,利用等離子體濺 射鍍覆技術(shù),在glass/IT0上涂覆一層氧化鎢,以形成該電致色變層 (所制成的半成品表示為"glass/ITO/W03")。
(4) 將框膠涂覆在該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板四周圍,但是空 出供電解質(zhì)充填的入口及排氣口,再將glass/IT0/W03置于該光反射 導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板上,使框膠作交聯(lián)結(jié)反應(yīng)。
(5) 將一含有重量比依次為1; 0. 5: 0. 05的PC、 EC及PAN的 混合物溶于濃度為0. 5M的LiC104水溶液中成為液態(tài)電解質(zhì),并將該 電解質(zhì)透過(guò)該入口充填于glaSS/ITO/W03及該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基 板之間,以形成該電解質(zhì)層,再以UV封口膠將該入口及該排氣口封 止,以制得如圖2所示的電致色變反射裝置(由上至下依序疊置為 Glass/IT0/W03/PC-LiC10廠EC-PAN/光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板)。
<實(shí)施例2>
實(shí)施例2是以與實(shí)施例1相同的步驟制備電致色變反射裝置,不 同的處在于該P(yáng)C、 EC及PAN的重量比為1: 0.5: 0.3,進(jìn)而得到
含有凝膠狀電解質(zhì)的電致色變反射裝置。
<實(shí)施例3>
實(shí)施例3是將實(shí)施例1制得的電致色變反射裝置置于溫度6(TC 的真空烘箱中烘干以去除多余的溶劑,使其中的電解質(zhì)層成固態(tài)狀, 進(jìn)而得到含有固態(tài)電解質(zhì)的電致色變反射裝置。 反射率(reflectance)測(cè)試
首先將該實(shí)施例1至3制得的電致色變反射裝置的該透明導(dǎo)電層 及該光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板連接2. 0V直流電壓,再反復(fù)且持續(xù)施 加+2.0V或一2.0V電壓(當(dāng)施加一2.0V電壓時(shí),該電致色變裝置會(huì) 轉(zhuǎn)變?yōu)橹珷顟B(tài),而當(dāng)通入+2.0V電壓時(shí),該電致色變裝置則轉(zhuǎn)變 為去色狀態(tài)),同時(shí)利用紫外光-可見光光譜儀于650 nrn的波長(zhǎng)下進(jìn) 行該實(shí)施例1的電致色變反射裝置的反射率測(cè)試,所得的結(jié)果如圖9 至11所示,所述的附圖中的縱軸座標(biāo)為反射率(Reflectance),橫 軸座標(biāo)為循環(huán)數(shù)(Cycles)。由圖9至11可知,實(shí)施例1至3的反 射率調(diào)幅(Reflectance Modulation)皆可達(dá)55% (以最小調(diào)幅的實(shí) 施例3來(lái)看,其反射率調(diào)幅AR二完全去色時(shí)的反射率65%_完全著 色時(shí)的反射率10%),且隨著時(shí)間的改變,可穩(wěn)定地維持此反射率調(diào) 幅,由此可證明該實(shí)施例1至3的電致色變反射裝置確實(shí)具有極佳的 光調(diào)節(jié)度。
綜上所述,本發(fā)明的電致色變反射裝置因?yàn)槭菍儆陔姵厥诫娭律?變反射裝置,具有著色及去色記憶功能,較為節(jié)能,加上其中的光反 射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板將原先需要多層結(jié)構(gòu)來(lái)達(dá)成的反射、導(dǎo)電及離子 儲(chǔ)存功能合在同一基板上,且不需要在該基板的背面上加裝的反射 層,確實(shí)能降低工藝成本,此外,光反射時(shí)所需經(jīng)過(guò)的介質(zhì)層變少、 路經(jīng)縮短,又可以降低光反射所產(chǎn)生的反射重影缺陷,所以本發(fā)明的 電致色變反射裝置確實(shí)可以達(dá)到本發(fā)明的目的。
權(quán)利要求
1、一種電致色變反射裝置,包含包括透明導(dǎo)電層的透明單元;其特征在于所述電致色變反射裝置還包含光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板,其是由具有多數(shù)摻雜質(zhì)的金屬材料所構(gòu)成,且包括鄰近所述透明單元的反射區(qū),所述摻雜質(zhì)離子是選自于H+、Li+、Na+、K+,或它們的組合;以及中間單元,夾在所述透明單元與所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板之間,且所述中間單元包括由所述透明單元朝所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板的方向依次疊置的電致色變層及電解質(zhì)層。
2、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述金 屬材料選自于不銹鋼、Ni、 Cr、 Mn、 V、 Co、 Fe、 Ir、 Rh、 Ti 、 W 、Mo、 Nb、 Ta、 La、 Ce、 Cu、 Ba、 Bi、 In,或它們的組合。
3、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述金 屬材料為不銹鋼。
4、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述摻 雜質(zhì)位于所述反射區(qū)內(nèi)。
5、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述反射區(qū)是通過(guò)將所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板經(jīng)過(guò)鏡面處理及離子注 入處理而形成。
6、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述反 射區(qū)的摻雜質(zhì)的注入電量密度介于O. lmC/cm寶100mC/cn^之間。
7、 如權(quán)利要求6所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述反 射區(qū)的摻雜質(zhì)的注入電量密度介于lmC/cm2至50mC/cm2之間。
8、 如權(quán)利要求7所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述反 射區(qū)的摻雜質(zhì)的注入電量密度介于4mC/cm寶40mC/ci^之間。
9、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述透 明導(dǎo)電層為透明導(dǎo)電薄膜。
10、 如權(quán)利要求9所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 透明導(dǎo)電薄膜的材料是選自于氧化鉈、氧化錫、氧化鋅、氧化銦錫 、經(jīng)摻雜處理的氧化錫、經(jīng)摻雜處理的氧化鋅,或它們的組合。
11、 如權(quán)利要求10所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 經(jīng)摻雜處理的氧化錫為摻雜銻的氧化錫或摻雜氟的氧化錫。
12、 如權(quán)利要求10所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 經(jīng)摻雜處理的氧化鋅為摻雜銻的氧化鋅或摻雜鋁的氧化鋅。
13、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 電解質(zhì)層是氧化鉭薄膜或氧化鋰鈮薄膜。
14、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 電解質(zhì)層含有可解離的基質(zhì)、溶劑及高分子添加劑,所述可解離的基 質(zhì)選自于鋰鹽、鈉鹽、鉀鹽、鹽酸、硼酸、硫酸、磷酸,或它們的 組合。
15、 如權(quán)利要求14所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 鋰鹽選自于過(guò)氯酸鋰、四氟硼酸鋰、碘化鋰、六氟磷酸鋰、六氟砷 酸鋰、苯乙烯磺酸鋰、三氟甲基磺酸鋰、甲基丙烯酸鋰、氯化鋰、溴 化鋰、三氟醋酸鋰、三氟甲基磺酰胺鋰、硫氰酸鋰,或它們的組合。
16、 如權(quán)利要求14所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 鈉鹽選自于碘化鈉、硫氰酸鈉、過(guò)氯酸鈉、四氟硼酸鈉、四氟砷鈉 、四氟砷鈉,或它們的組合。
17、 如權(quán)利要求14所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 鉀鹽選自于硫氰酸鉀、氯化鉀,或它們的組合。
18、 如權(quán)利要求14所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 溶劑選自于乙腈、3-羥基丙腈、甲氧基丙腈、3-乙氧基丙腈、2-乙酰基乙酰胺、碳酸丙二酯、碳酸丁二酯、丙烯腈蔗糖、碳酸乙二酯、碳酸甘油酯、二甲基甲酰胺、N,N'-二甲基甲酰胺、3-甲基環(huán)丁 砜、戊二腈、Y-丁酸內(nèi)酯、N-甲基咯垸酮、四亞甲基砜、氰乙基蔗 糖、2-二甲基戊二腈、3,3'-氧二丙腈、甲基乙基酮、環(huán)戊酮、環(huán)己 酮、苯基丙酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、乙酰苯、2-甲氧基乙基醚、 三甘醇二甲醚、4-乙烯基-1, 3-雙草酸-2-酮、1,2-碳酸丁二酯、縮水 甘油醚碳酸酯,或它們的組合。
19、 如權(quán)利要求14所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 高分子添加劑選自于聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙二醇二丙烯酸醋、聚乙二醇、聚甲氧基乙氧基乙氧基磷腈、聚丙烯腈、聚乙烯氯、聚乙烯 丁醛、聚乙烯縮甲醛、聚丙二醇、聚乙烯甲基酮、聚乙烯吡咯烷酮、 羧甲基纖維素、聚氨酯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚環(huán)己基甲 基丙烯酸酯、聚異丁基甲基丙烯酸酯、聚二氟乙烯、聚亞酰胺、聚碳 酸酯、聚丙酰胺、纖維素、聚酯、聚乙烯對(duì)苯二甲酯、聚丙二醇、聚 丙烯氧化物、聚四氟乙烯磺酸共聚合物、經(jīng)改性的聚亞烷基氧化物, 或它們的組合。
20、 如權(quán)利要求14所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述電解質(zhì)層還含有紫外光穩(wěn)定劑。
21、 如權(quán)利要求20所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 紫外光穩(wěn)定劑選自于2,4-二羥基苯甲酮、2, 2' -二羥基-4,4, -二 甲氧基苯甲酮、乙基-2-氰基-3, 3-二苯基丙烯酸酯、2-乙基-己基-2-氰基-3,3-二苯基丙烯酸酯、2-氫基-4-甲氧基苯甲、2-氫基-4-辛氧 基苯甲酮、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4甲基苯基、2-(3' 5, -二丁基-2 ,-羥基苯基)-5-氯苯并三唑)、2-(3, 5, -二-n-戊基-2,-羥基苯基 )-苯并三唑)、2,2' -二羥基-4-甲氧基-苯甲酮,或它們的組合。
22、 如權(quán)利要求14所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 電解質(zhì)層進(jìn)一步含有可聚合組分。
23、 如權(quán)利要求22所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 可聚合組分選自于環(huán)氧化物、丙烯酸、環(huán)氧化物衍生物或丙烯酸衍生 物,或它們的組合。
24、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于還包 含至少一個(gè)摻雜于所述電解質(zhì)層中的間隙物質(zhì),所述間隙物質(zhì)的材料 選自于氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、石英玻璃、鈉鈣玻璃、丙烯酸、聚碳酸丙二酯、以乙烯基苯為主的樹脂、含氟丙烯酸樹脂、 聚甲基丙烯酸甲酯、酚,或它們的組合。
25、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 電致色變層的材料選自于氧化鎳、氧化鉻、氧化錳、氧化釩、氧化 鈷、氧化鐵、氧化銥、氧化銠、氧化鈦、氧化鎢、氧化鉬、氧化鈮、 氧化鉭、氧化鑭、氧化鈰氧化銅、氧化鋇、氧化鉍、氧化銦、聚苯胺 、聚噻吩、聚吡咯、普魯士藍(lán)、聯(lián)吡啶鑰鹽,或它們的組合。
26、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于還包 含粘著部分,所述粘著部分涂布于所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板與所 述中間單元的電致色變層鄰近周邊處且介于該二者之間,該三者包圍 住所述電解質(zhì)層。
27、 如權(quán)利要求26所述的電致色變反射裝置,其特征在于進(jìn)一 步包含至少一摻雜于所述粘著部分中的間隙物質(zhì),所述間隙物質(zhì)的材料選自于氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、石英玻璃、鈉鈣玻璃 、丙烯酸、聚碳酸丙二酯、以乙烯基苯為主的樹脂、含氟丙烯酸樹脂 、聚甲基丙烯酸甲酯、酚,或它們的組合。
28、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于還包 含粘著部分,所述粘著部分涂布于所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板與所 述透明導(dǎo)電層鄰近周邊處且介于所述二者之伺,且所述光反射導(dǎo)電離 子儲(chǔ)存基板、所述電致色變層及所述粘著部分包圍住所述電解質(zhì)層。
29、 如權(quán)利要求28所述的電致色變反射裝置,其特征在于進(jìn)一步包含至少一摻雜于所述粘著部分中的間隙物質(zhì),所述間隙物質(zhì)的材料選自于氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、石英玻璃、鈉鈣玻璃 、丙烯酸、聚碳酸丙二酯、以乙烯基苯為主的樹脂、含氟丙烯酸樹脂 、聚甲基丙烯酸甲酯、酚,或它們的組合。
30、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 透明單元還包括涂覆于所述透明導(dǎo)電層的遠(yuǎn)離所述光反射導(dǎo)電離子 儲(chǔ)存基板的側(cè)面上的透明基板。
31、 如權(quán)利要求30所述的電致色變反射裝置,其特征在于還包 含粘著部分,所述粘著部分部分涂布于所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板 與所述透明導(dǎo)電層鄰近周邊處并介于所述二者之間,且部分涂布于光 反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板與所述透明基板鄰近周邊處并介于所述二者 之間,且所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板、所述電致色變層及所述粘著 部分包圍住所述電解質(zhì)層。
32、 如權(quán)利要求31所述的電致色變反射裝置,其特征在于進(jìn)一步包含至少一摻雜于所述粘著部分中的間隙物質(zhì),所述間隙物質(zhì)的材料選自于氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氮化硅、石英玻璃、鈉鈣玻璃 、丙烯酸、聚碳酸丙二酯、以乙烯基苯為主的樹脂、含氟丙烯酸樹脂 、聚甲基丙烯酸甲酯、酚,或它們的組合。
33、 如權(quán)利要求30所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述透明基板的材料選自于玻璃、聚碳酸酯、聚乙烯對(duì)苯二甲酯、聚亞 酰胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚萘乙烯、聚醚砜,或它們的組合。
34、 如權(quán)利要求30所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述透明基板為撓性材料,所述透明基板的厚度介于5 y m至200 u m之間。
35、 如權(quán)利要求34所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 透明基板的厚度介于25 u m至175 u m之間。
36、 如權(quán)利要求30所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 透明基板為非撓性材料,所述透明基板的厚度介于201 u m至5000 P m 之間。
37、 如權(quán)利要求36所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 透明基板的厚度介于300 P m至3000 y m之間。
38、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于還包 含涂覆于所述透明單元的遠(yuǎn)離所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板的側(cè)面 上的抗反射薄膜。
39、 如權(quán)利要求38所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 抗反射薄膜包括至少一個(gè)低折射率層及至少一個(gè)高折射率層。
40、 如權(quán)利要求39所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述低折射率層的材料選自于氧化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、碳氮氧化 硅、氧化鋁、碳氧化鋁、氮氧化鋁、碳氮氧化鋁,或它們的組合,所 述高折射率層的材料選自于氧化鈦、氧化鉅,或它們的組合。
41、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于還包 含涂覆于所述透明單元的遠(yuǎn)離所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板的側(cè)面 上的防刮薄膜。
42、 如權(quán)利要求41所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 防刮薄膜的材料選自于環(huán)氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯樹脂 、硅膠樹脂、聚對(duì)環(huán)二甲苯樹脂、聚酰亞胺、氧化硅、碳氧化硅、氮 氧化硅、碳氮氧化硅、氧化鋁、碳氧化鋁、碳氮氧化鋁、氮化硅、碳 氮化硅、氧化鈦、碳氧化鈦、氮氧化硅、碳氮氧化硅、石英、類金剛 石膜,或它們的組合。
43、 如權(quán)利要求41所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 防刮薄膜包括高分子主體及多數(shù)氧化物粒子,所述主體材料選自于環(huán) 氧樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯樹脂、硅膠樹脂、聚對(duì)環(huán)二甲苯 樹脂、聚酰亞胺,或它們的組合,所述氧化物選自于氧化硅、碳氧化 硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化鋁、碳氧化鋁、碳氮氧化鋁、氮化 硅、碳氮化硅、氧化鈦、碳氧化鈦、氮氧化硅、碳氮氧化硅,或它們 的組合。
44、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板為撓性材料,所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板的厚度介于5 U m至500 y m之間。
45、 如權(quán)利要44所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述光 反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板的厚度介于25ii m至400u m之間。
46、 如權(quán)利要求l所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板為非撓性材料,所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基 板的厚度介于501 u m至2000 u m之間。
47、 如權(quán)利要求46所述的電致色變反射裝置,其特征在于所述 光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板的厚度介于700 u m至1500 ii m之間。
全文摘要
本發(fā)明的電致色變反射裝置包含透明單元、光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板,及夾在所述透明單元與所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板之間的中間單元。所述中間單元包括由所述透明單元朝所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板的方向依次疊置的電致色變層及電解質(zhì)層。所述光反射導(dǎo)電離子儲(chǔ)存基板是由具有多數(shù)摻雜質(zhì)的金屬材料所構(gòu)成,且包括鄰近所述透明單元的反射區(qū),所述摻雜質(zhì)選自于H<sup>+</sup>、Li<sup>+</sup>、Na<sup>+</sup>、K<sup>+</sup>,或它們的組合,因此,所述基板同時(shí)能具有反射、導(dǎo)電及離子儲(chǔ)存的功能。
文檔編號(hào)G02F1/01GK101377599SQ200710148188
公開日2009年3月4日 申請(qǐng)日期2007年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月28日
發(fā)明者林永森 申請(qǐng)人:逢甲大學(xué)
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