專(zhuān)利名稱(chēng)：像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種可提升顯示品質(zhì)的像 素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今社會(huì)多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達(dá)，多半受惠于半導(dǎo)體元件與顯示裝置的進(jìn) 步。就顯示器而言，具有高畫(huà)質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無(wú)輻射等優(yōu) 越特性的液晶顯示器已逐漸成為市場(chǎng)的主流。為了讓液晶顯示器有更好的顯示 品質(zhì)，目前市面上已發(fā)展出了各種廣視角的液晶顯示器，常見(jiàn)的例如有共平面
切換式(in-plane switching, IPS)液晶顯示器、邊際場(chǎng)切換式(fringe field switching)液晶顯示器與多域垂直酉己向式(multi-domain vertically alignment, MVA)液晶顯示器等。
圖1是現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。請(qǐng)參考圖1，現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)100主 要包括一基板112、 一薄膜晶體管T、 一電容耦合電極118c (capacitor-coupling electrode)、 一第一像素電極119a、 一第二像素電極119b與一配向膜PI。具 體而言，薄膜晶體管T主要是由一柵極114、 一柵絕緣層116、 一半導(dǎo)體層117、 一源極118a與一漏極118b所構(gòu)成。由圖l可知，薄膜晶體管T為底柵極(bottom gate)結(jié)構(gòu)，且保護(hù)層120覆蓋此薄膜晶體管T。詳細(xì)地說(shuō)，薄膜晶體管T配 置于基板112上，且電容耦合電極118c會(huì)與薄膜晶體管T的漏極118b電性連 接。此外，第一像素電極119a是與薄膜晶體管T的漏極118b電性連接，而電 容耦合電極118c是位于第二像素電極119b與基板112之間。
理想情況下，第一像素電極U9a會(huì)與第二像素電極U9b電性絕緣，而第 二像素電極119b可與其下方的電容耦合電極U8c耦合(coupling)。換言之， 在主動(dòng)元件T開(kāi)啟后，第一像素電極119a與第二像素電極119b能分別具有不 同的電壓，而使對(duì)應(yīng)第一像素電極119a與第二像素電極119b的液晶(未繪示)能分別呈現(xiàn)不同的傾倒?fàn)顟B(tài)。值得注意的是，由于第二像素電極119b為浮置
(floating)狀態(tài)，因此第二像素電極119b與配向膜PI上的殘留電荷不容易被 導(dǎo)出。如此一來(lái)，第二像素電極119b的效能便會(huì)受到殘留電荷的影響，進(jìn)而 使下一個(gè)顯示畫(huà)面有不良的影像殘留問(wèn)題，因此有進(jìn)行改進(jìn)的必要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其可有效避免顯示畫(huà)面有影像殘留的現(xiàn)象。 本發(fā)明提供另一種像素結(jié)構(gòu)，其具有良好的顯示品質(zhì)。 本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其適于配置于一基板上。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)包 括一薄膜晶體管、 一第一像素電極、 一第二像素電極、 一掃描線與一數(shù)據(jù)線。 其中，薄膜晶體管配置于基板上。本發(fā)明的薄膜晶體管包括一柵極、 一源極、 一第一漏極、 一第二漏極與一第三漏極。上述的柵極、源極與第一漏極構(gòu)成一 第一薄膜晶體管，柵極、源極與第二漏極構(gòu)成一第二薄膜晶體管，柵極、第二 漏極與第三漏極構(gòu)成一次薄膜晶體管。當(dāng)次薄膜晶體管與第二薄膜晶體管開(kāi)啟 時(shí)，次薄膜晶體管的導(dǎo)通電流小于第二薄膜晶體管的導(dǎo)通電流且成一特定比 例。此外，第一像素電極與第一薄膜晶體管的第一漏極電性連接，而第二漏極 延伸至第二像素電極與基板之間，以形成一電容耦合電極。另外，第二像素電 極與次薄膜晶體管的第三漏極電性連接。上述的掃描線配置于基板上，且掃描 線與柵極電性連接，而數(shù)據(jù)線與源極電性連接。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，上述的特定比例例如為0.05 0.3倍之間。 本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，上述的第一像素電極具有多個(gè)狹縫。 本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，上述的第二像素電極具有多個(gè)狹縫。 本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，上述的像素結(jié)構(gòu)還包括一共用配線圖案，其配置于 基板上且電性連接至一共用電壓。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，上述的共用配線圖案至少部分沿著第一像素電極與 第二像素電極的邊緣而延伸。
本發(fā)明另提供一種像素結(jié)構(gòu)，其適于配置于一基板上，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu) 包括一薄膜晶體管、 一第一像素電極、 一第二像素電極、 一掃描線與一數(shù)據(jù)線。 其中，薄膜晶體管配置于基板上。本發(fā)明的薄膜晶體管包括一柵極、 一源極、一第一漏極與一第二漏極。此外，柵極、源極與第一漏極構(gòu)成一主薄膜晶體管， 柵極、第一漏極與第二漏極構(gòu)成一次薄膜晶體管。當(dāng)主薄膜晶體管與次薄膜晶 體管開(kāi)啟時(shí)，次薄膜晶體管的導(dǎo)通電流遠(yuǎn)小于主薄膜晶體管的導(dǎo)通電流且成一 特定比例。本發(fā)明的第一像素電極與第一漏極電性連接，而部分的第一漏極延 伸至第二像素電極與基板之間以形成一電容耦合電極。此外，第二像素電極與 次薄膜晶體管的第二漏極電性連接。另外，上述的掃描線配置于基板上，且掃 描線與柵極電性連接，數(shù)據(jù)線與源極電性連接。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，上述的特定比例例如為0.05 0.3倍的間。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，上述的第一像素電極具有多個(gè)狹縫。 本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，上述的第二像素電極具有多個(gè)狹縫。 本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，上述的像素結(jié)構(gòu)還包括一共用配線圖案，其配置于
基板上且電性連接至一共用電壓。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，上述的共用配線圖案至少部分沿著第一像素電極與
第二像素電極的邊緣而延伸。
本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)因采用導(dǎo)通電流相當(dāng)小的次薄膜晶體管來(lái)與電容耦合
電極對(duì)應(yīng)的第二像素電極電性連接。因此，第二像素電極便可借由本發(fā)明的次
薄膜晶體管而導(dǎo)出多余的殘留電荷，以避免第二像素電極的正常效能，進(jìn)而可
有效抑制顯示畫(huà)面有影像殘留的問(wèn)題。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)
明的具體實(shí)施方式
作詳細(xì)說(shuō)明，其中
圖1是現(xiàn)有像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖2A是本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2B是本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖。
圖3A是本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3B是本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的電路圖。
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例
圖2A是本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖，而圖2B是本發(fā)明第一實(shí)施 例的像素結(jié)構(gòu)的電路示意圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖2A與圖2B，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu) (pixel structure) 200包括一薄膜晶體管220、 一第一像素電極230a、 一第二 像素電極230b、 一掃描線240與一數(shù)據(jù)線250。其中，薄膜晶體管220配置于 一基板210上，并與掃描線240以及數(shù)據(jù)線250電性連接。實(shí)際制作中，開(kāi)關(guān) 信號(hào)可以通過(guò)掃描線240的傳遞而將薄膜晶體管220開(kāi)啟，在薄膜晶體管220 開(kāi)啟后顯示信號(hào)可以通過(guò)數(shù)據(jù)線250而傳遞至第一像素電極230a與第二像素電 極230b中。
詳細(xì)地說(shuō)，本發(fā)明的薄膜晶體管220包括一柵極222、 一半導(dǎo)體層223、 一源極224、 一第一漏極226a、 一第二漏極226b與一第三漏極226c。這里要 說(shuō)明的是，圖2A所示的薄膜晶體管220為底柵極(bottom gate)的結(jié)構(gòu)，當(dāng) 然薄膜晶體管220也可以選用頂柵極(top gate)的結(jié)構(gòu)，在此僅舉例說(shuō)明，并 不刻意限制。
具體而言，掃描線240是與柵極222電性連接，而數(shù)據(jù)線250是與源極224 電性連接。其中，柵極222可以是掃描線240的部份所延伸而成，而源極224 可以是數(shù)據(jù)線250的部份延伸而成。這里要特別說(shuō)明的是，本發(fā)明的柵極222、 源極224與第一漏極226a可構(gòu)成如圖2B所示的第一薄膜晶體管220a，而柵極 222、源極224與第二漏極226b可構(gòu)成如圖2B所示的第二薄膜晶體管220b， 而柵極222、第二漏極226b與第三漏極226c可構(gòu)成如圖2B所示的次薄膜晶體 管(sub-thin film transistor, sub-TFT) 220c。特別的是，當(dāng)次薄膜晶體管220c 與第二薄膜晶體管220b開(kāi)啟時(shí)，次薄膜晶體管220c的導(dǎo)通電流遠(yuǎn)小于第二薄 膜晶體管220b且成一特定比例。舉例來(lái)說(shuō)，次薄膜晶體管220c的導(dǎo)通電流可 為第二薄膜晶體管220b的導(dǎo)通電流的0.05至0.3倍之間。
由圖2A與2B可知，本發(fā)明的第一像素電極230a可通過(guò)接觸窗開(kāi)口 CI 而與第一薄膜晶體管220a的第一漏極226a電性連接。此外，第二薄膜晶體管 220b的第二漏極226b延伸至第二像素電極230b與基板210之間，以形成一電 容耦合電極230c。特別的是，第二像素電極230b可通過(guò)接觸窗開(kāi)口 C2而與次 薄膜晶體管220c的第三漏極226c電性連接。 一般而言，第一像素電極230a
7與第二像素電極230b可以具有多個(gè)狹縫S，以使液晶(未繪示)能劃分出多個(gè) 領(lǐng)域(domain)。
另一方面，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)200還可包括一共用配線圖案242，其配置 于基板210上。本發(fā)明的共用配線圖案242至少部分沿著第一像素電極230a 與第二像素電極230b的邊緣而延伸。當(dāng)然，如圖2A所示的共用配線圖案242 也可以選擇性地采用其它形狀，在此僅用以舉例說(shuō)明，并不做局限。實(shí)際制作 中，共用配線圖案242只要電性連接至一共用電壓即可。
具體而言，在第一薄膜晶體管220a、第二薄膜晶體管220b與次薄膜晶體 管220c開(kāi)啟后，顯示信號(hào)可經(jīng)由第一薄膜晶體管220a，而傳遞至第一像素電 極230a中。這里要說(shuō)明的是，第一像素電極230a可與其下方的共用配線圖案 242形成一第一儲(chǔ)存電容Cstl (如圖2B所示)，并與上方彩色濾光基板(color filter)(未繪示)上的共用電極形成一第一液晶電容Clcl。
此外，第二像素電極230b可與其下方的電容耦合電極(capacitor-coupling electrode) 230c耦合(coupling)，以形成一耦合電容Cc (如圖2B所示)，并 與共用配線圖案242形成一第二儲(chǔ)存電容Cst2。另一方面，第二像素電極230b 可與上方彩色濾光基板(color filter)(未繪示)上的共用電極形成一第二液晶 電容Clc2。換言之，第一像素電極230a與第二像素電極230b能分別具有不同 的電壓，而使對(duì)應(yīng)第一像素電極230a與第二像素電極230b的液晶(未繪示) 能分別呈現(xiàn)不同的傾倒?fàn)顟B(tài)，以達(dá)到廣視角的顯示效果。
值得注意的是，由于次薄膜晶體管220c的導(dǎo)通電流極小，因此并不會(huì)影 響到第二像素電極230b的效能。這里要特別說(shuō)明的是，本發(fā)明第二像素電極 230b上前次顯示畫(huà)面的殘留電荷，可借由次薄膜晶體管220c而導(dǎo)出，進(jìn)而能 有效解決現(xiàn)有的第二像素電極119b (如圖1所示)會(huì)有電荷殘留的問(wèn)題。如此 一來(lái)，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)200能有效抑制影像殘留的現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示品質(zhì)。 這里要特別說(shuō)明的是，次薄膜晶體管220c的導(dǎo)通電流大小可視實(shí)際需求而作適 當(dāng)調(diào)整，只要不影響第二像素電極230b的正常效能即可。
第二實(shí)施例
圖3A是本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)示意圖，而圖3B是本發(fā)明第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的電路圖。請(qǐng)同時(shí)參考圖3A與圖3B，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)300包 括一薄膜晶體管320、 一第一像素電極330a、 一第二像素電極330b、 一掃描線 340與一數(shù)據(jù)線350。其中，薄膜晶體管320配置于一基板310上，并與掃描 線340以及數(shù)據(jù)線350電性連接。實(shí)際制作中，開(kāi)關(guān)信號(hào)可以通過(guò)掃描線340 的傳遞而將薄膜晶體管320開(kāi)啟，在薄膜晶體管320開(kāi)啟后顯示信號(hào)可以通過(guò) 數(shù)據(jù)線350而傳遞至第一像素電極330a與第二像素電極330b中。
詳細(xì)地說(shuō)，本發(fā)明的薄膜晶體管320包括一柵極322、 一半導(dǎo)體層323、 一源極324、 一第一漏極326a與一第二漏極326b。這里要說(shuō)明的是，圖3A所 示的薄膜晶體管320為底柵極(bottom gate)的結(jié)構(gòu)，當(dāng)然薄膜晶體管320也 可以選用頂柵極(top gate)的結(jié)構(gòu)，在此僅舉例說(shuō)明，并不刻意限制。
實(shí)際制作中，掃描線340是與柵極322電性連接，而數(shù)據(jù)線350是與源極 324電性連接。其中，柵極322可以是掃描線340的部份所延伸而成，而源極 324可以是數(shù)據(jù)線350的部份延伸而成。這里要特別說(shuō)明的是，本發(fā)明的柵極 322、源極324與第一漏極326a可構(gòu)成如圖3B所示的主薄膜晶體管320a，而 柵極322、第一漏極326a與第二漏極326b可構(gòu)成如圖3B所示的次薄膜晶體管 320b。特別的是，當(dāng)主薄膜晶體管320a與次薄膜晶體管320b開(kāi)啟時(shí)，次薄膜 晶體管320b的導(dǎo)通電流遠(yuǎn)小于主薄膜晶體管320a的導(dǎo)通電流且成一特定比例。 舉例來(lái)說(shuō)，次薄膜晶體管320b的導(dǎo)通電流可為主薄膜晶體管320a的導(dǎo)通電流 的0.05至0.3倍之間。
由圖3A與3B可知，本發(fā)明的第一像素電極330a可通過(guò)接觸窗開(kāi)口 C3 而與第一漏極326a電性連接。此外，部分的第一漏極326a延伸至第二像素電 極330b與基板310之間，以形成一電容耦合電極330c。特別的是，第二像素 電極330b可通過(guò)接觸窗開(kāi)口 C4而與次薄膜晶體管320b的第二漏極326b電性 連接。 一般而言，第一像素電極330a與第二像素電極330b可以具有多個(gè)狹縫 S，以使液晶(未繪示)能劃分出多個(gè)領(lǐng)域(domain)。
另一方面，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)300還可包括一共用配線圖案342，其配置 于基板310上。本發(fā)明的共用配線圖案342至少部分沿著第一像素電極330a 與第二像素電極330b的邊緣而延伸。當(dāng)然，如圖3A所示的共用配線圖案342 也可以選擇性地采用其它形狀，在此僅用以舉例說(shuō)明，并無(wú)意局限。實(shí)際制作中，共用配線圖案342只要電性連接至一共用電壓即可。
實(shí)際制作中，在主薄膜晶體管320a與次薄膜晶體管320b開(kāi)啟后，顯示信 號(hào)可經(jīng)由主薄膜晶體管320a，而傳遞至第一像素電極330a中。這里要說(shuō)明的 是，第一像素電極330a可與其下方的共用配線圖案342形成一第一儲(chǔ)存電容 Cstl (如圖3B所示)，并與上方彩色濾光基板(color filter)(未繪示)上的 共用電極形成一第一液晶電容Clcl 。
此外，第二像素電極330b可與其下方的電容耦合電極(capacitor-coupling electrode) 330c耦合(coupling)，以形成一耦合電容Cc，并與共用配線圖案 342形成一第二儲(chǔ)存電容Cst2。另一方面，第二像素電極330b可與上方彩色濾 光基板(color filter)(未繪示)上的共用電極形成一第二液晶電容Clc2。換言 之，第一像素電極330a與第二像素電極330b能分別具有不同的電壓，而使對(duì) 應(yīng)第一像素電極330a與第二像素電極330b的液晶(未繪示)能分別呈現(xiàn)不同 的傾倒?fàn)顟B(tài)，以達(dá)到廣視角的顯示效果。
值得注意的是，由于次薄膜晶體管320b的導(dǎo)通電流極小，因此并不會(huì)影 響到第二像素電極330b的效能。這里要特別說(shuō)明的是，本發(fā)明第二像素電極 330b上前次顯示畫(huà)面的殘留電荷，可借由次薄膜晶體管320b而導(dǎo)出，進(jìn)而可 有效解決現(xiàn)有的第二像素電極119b (如圖1所示)會(huì)有電荷殘留的問(wèn)題。如此 一來(lái)，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)300能有效抑制影像殘留的現(xiàn)象，進(jìn)而提高顯示品質(zhì)。 這里要特別說(shuō)明的是，次薄膜晶體管320b的導(dǎo)通電流大小可視實(shí)際需求而作 適當(dāng)調(diào)整，只要不影響第二像素電極330b的正常效能即可。
綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)因采用導(dǎo)通電流相當(dāng)小的次薄膜晶體管來(lái)與 電容耦合電極對(duì)應(yīng)的第二像素電極電性連接。因此，第二像素電極便可借由本 發(fā)明的次薄膜晶體管而導(dǎo)出前次顯示畫(huà)面所殘留的電荷，以避免第二像素電極 的效能受到殘留電荷的不良影響，進(jìn)而有效抑制影像殘留的現(xiàn)象，并提升顯示 品質(zhì)。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的修改和完善， 因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求書(shū)所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，適于配置于一基板上，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)包括一薄膜晶體管，配置于該基板上，該薄膜晶體管包括一柵極、一源極、一第一漏極、一第二漏極與一第三漏極，其中該柵極、該源極與該第一漏極構(gòu)成一第一薄膜晶體管，該柵極、該源極與該第二漏極構(gòu)成一第二薄膜晶體管，該柵極、該第二漏極與該第三漏極構(gòu)成一次薄膜晶體管，其中當(dāng)該次薄膜晶體管與該第二薄膜晶體管開(kāi)啟時(shí)，該次薄膜晶體管的導(dǎo)通電流小于該第二薄膜晶體管的導(dǎo)通電流且成一特定比例；一第一像素電極，與該第一薄膜晶體管的第一漏極電性連接；一第二像素電極，該第二漏極延伸至該第二像素電極與該基板之間，以形成一電容耦合電極，其中該次薄膜晶體管的第三漏極與該第二像素電極電性連接；一掃描線，配置于該基板上，該掃描線與該柵極電性連接；以及一數(shù)據(jù)線，與該源極電性連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該特定比例為0.05-0.3倍之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一像素電極具有多個(gè) 狹縫。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二像素電極具有多個(gè) 狹縫。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一共用配線圖案， 配置于該基板上，且電性連接至一共用電壓。
6. 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共用配線圖案至少部分 沿著該第一像素電極與該第二像素電極的邊緣而延伸。
7. —種像素結(jié)構(gòu)，適于配置于一基板上，其特征在于，該像素結(jié)構(gòu)包括 一薄膜晶體管，配置于該基板上，該薄膜晶體管包括一柵極、 一源極、一第一漏極、 一第二漏極，其中該柵極、該源極與該第一漏極構(gòu)成一主薄膜晶體 管，該柵極、該第一漏極與該第二漏極構(gòu)成一次薄膜晶體管，其中當(dāng)該主薄膜晶體管與該次薄膜晶體管開(kāi)啟時(shí)，該次薄膜晶體管的導(dǎo)通電流小于該主薄膜晶 體管的導(dǎo)通電流且成一特定比例；一第一像素電極，與該第一漏極電性連接；一第二像素電極，部分的該第一漏極延伸至該第二像素電極與該基板之間 以形成一電容耦合電極，其中該次薄膜晶體管的第二漏極與該第二像素電極電性連接；一掃描線，配置于該基板上，該掃描線與該柵極電性連接；以及 一數(shù)據(jù)線，與該源極電性連接。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該特定比例為0.05~0.3倍 之間。
9. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一像素電極具有多個(gè) 狹縫。
10. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二像素電極具有多個(gè) 狹縫。
11. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一共用配線圖案， 配置于該基板上，且電性連接至一共用電壓。
12. 如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該共用配線圖案至少部 分沿著該第一像素電極與該第二像素電極的邊緣而延伸。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種像素結(jié)構(gòu)，包括一柵極、一源極、一第一漏極、一第二漏極與一第三漏極、一第一像素電極、一第二像素電極、一掃描線與一數(shù)據(jù)線。上述的柵極、源極與第一漏極構(gòu)成一第一薄膜晶體管，柵極、源極與第二漏極構(gòu)成一第二薄膜晶體管，柵極、第二漏極與第三漏極構(gòu)成一次薄膜晶體管。此外，第一像素電極與第一漏極電性連接，而第二漏極延伸至第二像素電極與基板之間，以形成一電容耦合電極。另外，第二像素電極與次薄膜晶體管的第三漏極電性連接。上述的掃描線配置于基板上，且掃描線與柵極電性連接，而數(shù)據(jù)線與源極電性連接。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)可有效避免顯示畫(huà)面有影像殘留的現(xiàn)象，而具有良好的顯示品質(zhì)。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101320180SQ20071012644
公開(kāi)日2008年12月10日 申請(qǐng)日期2007年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月8日
發(fā)明者張?jiān)聸€, 戴孟杰, 柳智忠, 王明宗 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司