專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及顯示裝置及制造該顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)設(shè)備利用具有電介質(zhì)各向異性的液晶材料的光學和電學特性來顯示圖像。LCD設(shè)備包括介于濾色器基板和薄膜晶體管(TFT)陣列基板之間的液晶材料。公共電極形成在濾色器基板的整個表面上以提供公共電壓。像素電極形成在TFT陣列基板上以接收數(shù)據(jù)信號。多個用以控制TFT的柵極線和用以向TFT提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線形成在TFT陣列基板上。
TFT陣列基板可包括用以修復開線(open-line)缺陷的修復線。當在檢查過程中發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線開線缺陷，則采用例如激光焊接方式修復該開線缺陷，所以數(shù)據(jù)線和修復線電連接。
然而，修復成功率可能依賴于用在數(shù)據(jù)線和修復線中的金屬而改變。修復數(shù)據(jù)線以后，數(shù)據(jù)線修復部分處電流的增加導致隨著時間推移的發(fā)展的開線缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
在本發(fā)明的一個示范性實施例中，顯示裝置包括信號線，形成在基板上；修復線，形成在基板上，與信號線交叉并絕緣；第一冗余傳導圖案，形成在信號線與修復線交叉的基板的第一區(qū)域，其中第一冗余傳導圖案與信號線和修復線絕緣。
第一冗余傳導圖案可以是電浮置(electrically-floating)傳導圖案。當信號線被修復時，信號線和修復線可以在第一區(qū)域電連接到第一冗余傳導圖案。
在本發(fā)明的一個示范性實施例中，制造顯示裝置的方法包括在基板上形成信號線；在基板上形成修復線，該修復線與信號線交叉并與信號線絕緣；以及形成第一冗余傳導圖案，該第一冗余傳導圖案在信號線和修復線交叉的基板第一區(qū)域上與信號線和修復線絕緣。


當參考附圖對示范性實施例加以描述時，對所屬領(lǐng)域技術(shù)人員來說本發(fā)明將變得更加顯而易見，圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置的平面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖；圖3A和圖3B是沿圖2中線III-III’的截面圖；圖3C是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復后的圖2的截面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖；圖5是沿圖4中線V-V’的截面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖；圖7是沿圖6中線VII-VII’的截面圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖；圖9是沿圖8中線IX-IX’的截面圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖；圖11是沿圖10中線XI-XI’的截面圖；圖12A和圖12B是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖；圖13是沿圖12中線XIII-XIII’的截面圖；圖14A和圖14B是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖；圖15是沿圖14中線XV-XV’的截面圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖。
具體實施例方式
應(yīng)當理解，當提及一元件或?qū)印霸?.....上”、“連接到”或“耦合到”另一元件或?qū)樱梢允侵苯釉谥?、連接或耦合到其它元件或?qū)樱蛘叽嬖谥虚g元件或?qū)?。在整個附圖描述中，相同的附圖標記代表相同或類似的元件。
以下將參考附圖詳細描述本發(fā)明的示范性實施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置的平面圖。
參見圖1，圖像顯示部分(10)包括多個相互交叉的柵極線12和數(shù)據(jù)線14，以及形成在該多個柵極線12和多個數(shù)據(jù)線14交叉處的像素，像素由薄膜晶體管(TFT)獨立驅(qū)動。像素由像素電極電壓和公共電極電壓之間的電壓差來進行電充電。顯示裝置通過向像素電極和公共電極施加電壓以在液晶層中產(chǎn)生電場從而顯示圖像，其中該電場排列該液晶層的液晶分子以控制入射光的偏振。顯示裝置通過調(diào)整像素電極和公共電極之間的電壓來實現(xiàn)灰度等級。
相互交叉的多個柵極線12和多個數(shù)據(jù)線14通過絕緣層而相互絕緣。為了修復數(shù)據(jù)線14中的開線缺陷，多個修復線16形成環(huán)形結(jié)構(gòu)的配置并且通過第一絕緣層與多個數(shù)據(jù)線14相交叉。例如，多個修復線16和多個柵極線12通過第一傳導層形成。多個數(shù)據(jù)線14通過使用第二傳導層形成并且通過第一絕緣層而與第一傳導層絕緣。
當在檢查過程中發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)線14開線缺陷時，則向數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分照射激光，所以數(shù)據(jù)線14和修復線16被焊接。修復線16通過激光而在數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分的上部和下部被焊接。因而，數(shù)據(jù)線開線缺陷下方的數(shù)據(jù)線14從穿過修復線16的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路部分接收數(shù)據(jù)信號。
根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的顯示裝置包括冗余傳導圖案和增加的激光焊接點中的至少一個，并且可以增加激光焊接的成功率、以及可以抑制開線缺陷的發(fā)展。以下，根據(jù)本發(fā)明示范性實施例的位于數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分將參考圖2-圖16得以描述。
圖2是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖，圖3A和圖3B是沿圖2中線III-III’的截面圖。圖3C是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的被修復后的圖2的截面圖。參見圖2到圖3B，數(shù)據(jù)線14和修復線16交叉并且通過第一絕緣層32而相互絕緣。冗余傳導圖案20形成在數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分，并且通過第二絕緣層34而與數(shù)據(jù)線14和修復線16絕緣。
在圖像顯示部分10中的柵極線12被圖案化并且通過采用第一傳導金屬層形成的同時，修復線16形成。例如，修復線16具有重疊在數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分上的窄寬度部分，以減少由數(shù)據(jù)線14和修復線16之間重疊導致的寄生電容。柵極金屬層可以是鉬、鋁、鉻或其合金，并且形成為一層或超過兩層。例如，柵極金屬層可以是鋁和鉬雙層。作為第一絕緣層的柵極絕緣層32形成在具有修復線16的絕緣基板(30)上。柵極絕緣層32可以是例如氧化硅(Si0x)和氮化硅(SiNx)的無機材料。
數(shù)據(jù)線14通過圖案化源/漏金屬層、第二傳導層而形成在柵極絕緣層32上。數(shù)據(jù)線14與修復線16交叉并與修復線16絕緣。源/漏金屬層可以包括鉬、鋁、鉻及其合金，并可以形成為一層或更多層。例如，源/漏金屬層可以形成為鉬/鋁/鉬三層。另外，半導體圖案24可以在形成數(shù)據(jù)線14之前就形成在修復線16和數(shù)據(jù)線14之間的交叉部分上，以通過增加數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的距離來減少寄生電容。如圖3B所示，半導體圖案24可以省略。
當圖像顯示部分10中薄膜晶體管的溝道被圖案化時，半導體圖案24可以通過圖案化非晶硅而形成。作為第二絕緣層的保護層34可以形成在其上形成有數(shù)據(jù)線14的柵極絕緣層32上。保護層34可以包含例如氧化硅(SiOx)和氮化硅(SiNx)的無機絕緣材料，或者可以采用有機絕緣材料。冗余傳導圖案20形成在數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分處的保護層34上。例如，當圖像顯示部分10中的像素電極形成時，作為第三傳導層的冗余傳導圖案20可以通過圖案化透明傳導層而形成，其中冗余傳導圖案20覆蓋數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分。透明傳導層可以包含ITO(氧化銦錫)、TO(氧化錫)、IZO(氧化銦鋅)和/或ITZO。在圖像顯示部分10中具有反射電極的透反模式(trans-reflective mode)情況下，冗余傳導圖案20可以在反射電極形成時通過圖案化反射金屬層而形成。例如，冗余傳導圖案20可以形成為雙層，例如透明傳導層/反射金屬層。為了減少寄生電容，冗余傳導圖案20可以是電浮置傳導圖案。
當數(shù)據(jù)線14被修復時，冗余傳導圖案20與修復線16和數(shù)據(jù)線14一起熔化并且冗余傳導圖案20電連接到數(shù)據(jù)線14和修復線16。如圖3C所示，冗余傳導圖案20可以在焊接點22處加強數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的電接觸。參考圖3B和圖3C，數(shù)據(jù)線14和修復線16例如通過激光26焊接而通過冗余傳導圖案10電連接成為雙電接觸。
在本發(fā)明的一個示范性實施例中，通過包括冗余傳導圖案20，修復數(shù)據(jù)線14中開線缺陷的成功率可以增加并且開線缺陷的發(fā)展可以得到抑制。
圖4是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖，而圖5是沿圖4中線V-V’的截面圖。
參考圖4和圖5，冗余傳導圖案40與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分分離。冗余傳導圖案40的第一部分在與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分不同的部分處與數(shù)據(jù)線14重疊，并且冗余傳導圖案40的第二部分在與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分不同的部分處與修復線16重疊。冗余傳導圖案40通過保護層34與數(shù)據(jù)線14重疊，并且通過保護層34和柵極絕緣層32與修復線16重疊。冗余傳導圖案40通過使用透明傳導層和反射金屬層中的至少一個而形成在保護層32上，以形成電浮置傳導圖案，并且由冗余傳導圖案導致的寄生電容的增加可以得到抑制。
當數(shù)據(jù)線14被修復時，數(shù)據(jù)線14在數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分處采用例如激光焊接方式經(jīng)由焊接點22電連接到修復線16。數(shù)據(jù)線14可以經(jīng)由冗余傳導圖案40，并經(jīng)由數(shù)據(jù)線14和冗余傳導圖案40之間重疊部分處的焊接點42以及修復線16和冗余傳導圖案40之間重疊部分處的焊接點44，而電連接到修復線。在本發(fā)明的一個示范性實施例中，數(shù)據(jù)線14在多個焊接點22、42、44處經(jīng)由冗余傳導圖案40而電連接到修復線16，并且修復數(shù)據(jù)線14的成功率得到增加。從數(shù)據(jù)線14提供到修復線16的電流可以被分布到多個焊接點22、42、44，從而每個焊接點處的電流量可以得到減少并且開線缺陷的發(fā)展得到抑制。
圖6是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖，圖7是沿圖6中線VII-VII’的截面圖。
參考圖6和圖7，第一冗余傳導圖案20重疊在數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分。第二冗余傳導圖案40的一部分與數(shù)據(jù)線14在與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分不同的部分處重疊，并且第二冗余傳導圖案40的另一部分與修復線16在與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分不同的部分處重疊。第一和第二冗余傳導圖案20、40采用透明傳導層和/或反射金屬層而形成在保護層34上，并且可以電浮置，從而由第一和第二冗余傳導圖案20、40導致的寄生電容的增加可以得到抑制。第一冗余傳導圖案20通過保護層34與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分重疊。第二冗余傳導圖案40的一部分在與數(shù)據(jù)線和修復線交叉部分不同的部分處通過保護層34與數(shù)據(jù)線14重疊，并且第二冗余傳導圖案40的另一部分在與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分不同的部分處通過保護層34和柵極絕緣層32與修復線16重疊。
當數(shù)據(jù)線14被修復時，數(shù)據(jù)線14和修復線16在數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分處采用例如激光焊接方式經(jīng)由焊接點22電連接到第一冗余傳導圖案20。數(shù)據(jù)線14可以通過第二冗余傳導圖案40，經(jīng)由數(shù)據(jù)線14和第二冗余傳導圖案40之間重疊部分處的焊接點42以及修復線16和第二冗余傳導圖案40之間重疊部分處的焊接點44，而電連接到修復線。在本發(fā)明的一個示范性實施例中，數(shù)據(jù)線14經(jīng)由多個焊接點22、42、44處的第一和第二冗余傳導圖案20、40而電連接到修復線16，并且修復數(shù)據(jù)線14的成功率得到增加。從數(shù)據(jù)線14提供到修復線16的電流被分布到多個焊接點22、42、44，從而每個焊接點處的電流量得到減少并且開線缺陷的發(fā)展可以得到抑制。
圖8是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖，圖9是沿圖8中線IX-IX’的截面圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖，圖11是圖10中沿線XI-XI’的截面圖。
根據(jù)圖8到圖11，冗余傳導圖案40的一部分在與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分不同的部分處與數(shù)據(jù)線14和修復線16之一絕緣并重疊，并且冗余傳導圖案的另一部分電連接到數(shù)據(jù)線14和修復線16之一。如圖8和圖9所示，冗余傳導圖案40的一部分通過保護層34和柵極絕緣層32與修復線16重疊，冗余傳導圖案40的另一部分通過穿過保護層34的接觸孔46電連接到數(shù)據(jù)線14。如圖10和圖11所示，冗余傳導圖案40的一部分通過保護層34與數(shù)據(jù)線14重疊，冗余傳導圖案40的另一部分經(jīng)由穿過保護層34和柵極絕緣層32的接觸孔48電連接到修復線16。冗余傳導圖案40的一部分可以電浮置，從而由冗余傳導圖案40導致的寄生電容不會增加。冗余傳導圖案40可以采用透明傳導層和/或反射金屬層而形成在保護層34上。
當數(shù)據(jù)線14被修復時，數(shù)據(jù)線14在數(shù)據(jù)線14和修復線16的交叉部分處經(jīng)由焊接點22電連接到修復線16。數(shù)據(jù)線14可以經(jīng)由冗余傳導圖案40，經(jīng)由位于數(shù)據(jù)線14之間重疊部分處的焊接點42而電連接到修復線16，如圖10和圖11所示，數(shù)據(jù)線14可以經(jīng)由冗余傳導圖案40和位于修復線16和冗余傳導圖案40之間的重疊部分處的焊接點44而電連接到修復線16，如圖8和圖9所示。如圖6和圖7所示，冗余傳導圖案20可以形成在數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分處。在本申請的一個示范性實施例中，數(shù)據(jù)線14經(jīng)由位于多個焊接點22、42、44處的冗余傳導圖案40和接觸孔46、48而電連接到修復線16，并且修復數(shù)據(jù)線14的成功率可以得到增加。從數(shù)據(jù)線14提供到修復線16的電流分布到多個焊接點22、42或22、44，從而每個焊接點的電流量得到減少并且開線缺陷的發(fā)展得到抑制。激光焊接的數(shù)量可以通過采用接觸孔46、48而得到減少。
圖12A和圖12B是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖。圖13是沿圖12中線XIII-XIII’的截面圖。
參考圖12和圖13，冗余傳導圖案50與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分重疊，并且沿著數(shù)據(jù)線14和沿著修復線16延伸，且冗余傳導圖案50與數(shù)據(jù)線14或修復線16在與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分不同的部分處重疊。換句話說，冗余傳導圖案50通過保護層34與數(shù)據(jù)線14和修復線16之間的交叉部分重疊，并且冗余傳導圖案50的一部分延伸并通過保護層34與數(shù)據(jù)線14重疊，且冗余傳導圖案50的另一部分延伸并通過保護層34和柵極絕緣層32與修復線16重疊。
冗余傳導圖案50可以具有正方形，如圖12A所示，或者可以具有“L”形，如圖12B所示。如圖12A所示冗余傳導圖案50的結(jié)構(gòu)可以與圖6和圖7所示第一和第二冗余傳導圖案20、40的結(jié)合結(jié)構(gòu)相同。冗余傳導圖案50可以采用透明傳導層和/或反射金屬層而形成在保護層上。冗余傳導圖案50可以電浮置，并且由冗余傳導圖案50導致的寄生電容的增加可以得到抑制。
當數(shù)據(jù)線14被修復時，數(shù)據(jù)線14和修復線16在數(shù)據(jù)線14和修復線16之間交叉部分處通過例如激光26焊接方式經(jīng)由焊接點22而電連接到冗余傳導圖案50。另外，數(shù)據(jù)線14可以在數(shù)據(jù)線14和冗余傳導圖案50之間重疊部分處通過例如激光26焊接方式經(jīng)由焊接點42而電連接到冗余傳導圖案50。另外，修復線16可以在修復線16和冗余傳導圖案50之間重疊部分處通過例如激光26焊接方式經(jīng)由焊接點44而電連接到冗余傳導圖案50。
在本發(fā)明的一個示范性實施例中，數(shù)據(jù)線14和修復線16通過冗余傳導圖案50以及多個焊接點22、42、44而相互電連接，從而修復數(shù)據(jù)線14的成功率可以增加，且由于電流分布使得每個焊接點22、42、44的電流量可以減少，且每個焊接點22、42、44處開線缺陷的發(fā)展可以得到抑制。
圖14A和圖14B是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖。圖15是沿圖14中線XV-XV’的截面圖。
除了第二冗余傳導圖案52在第一冗余傳導圖案50和修復線16之間形成，如圖14和圖15所示數(shù)據(jù)線14的修復部分與如圖12和圖13所示數(shù)據(jù)線14的修復部分類似。第二冗余傳導圖案52形成在柵極絕緣層32上，并具有用在數(shù)據(jù)線14中的第二傳導層，換句話說，就是源/漏金屬層。第二冗余傳導圖案52通過第一冗余傳導圖案50用例如激光26焊接方式經(jīng)由焊接點44而電連接到修復線16，并且焊接點44處的冗余傳導圖案50和修復線16之間的連接可以得到加強。第二冗余傳導圖案52可以提供在圖4到圖9所示數(shù)據(jù)線14的修復部分中。
圖16是根據(jù)本發(fā)明一個示范性實施例的修復部分的平面圖。
參考圖16，數(shù)據(jù)線14和數(shù)據(jù)線56之間交叉部分的面積增加以包括多個焊接點22。例如，交叉部分的面積可以通過增加交叉部分處修復線56的寬度而增加。例如，修復線56的寬度可以在交叉部分處增加以能夠包括至少4個焊接點22。交叉部分的面積可以通過增加整個修復線56的寬度而增加。
當數(shù)據(jù)線14被修復時，數(shù)據(jù)線14經(jīng)由例如6個焊接點的多個焊接點22電連接到修復線56，并且修復數(shù)據(jù)線14的成功率可以得到增加，且每個焊接點22處的電流量得到減少，且每個焊接點22處開線缺陷的發(fā)展可以得到抑制。在本發(fā)明的一個示范性實施例中，數(shù)據(jù)線14的寬度增加以擴大數(shù)據(jù)線14和修復線56之間的交叉部分，使得交叉部分包括至少4個焊接點22。應(yīng)當理解，圖2-圖15所示修復部分的修改可以應(yīng)用到圖16所示修復部分中。
如圖2到圖16所示修復數(shù)據(jù)線的上述結(jié)構(gòu)和方法可以應(yīng)用于修復柵極線或存儲線。
盡管本發(fā)明的示范性實施例已經(jīng)參考用作示例目的的附圖作了詳細描述，應(yīng)當理解，發(fā)明方法和設(shè)備不應(yīng)被理解為對其的限制。在不背離本發(fā)明范圍內(nèi)可以對前述示范性實施例作出各種修改，這對所屬領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的，而本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書限定，權(quán)利要求書的等同物也包括在內(nèi)。
本申請要求于2006年3月8日提交的申請?zhí)枮?006-0021688的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容在此被結(jié)合用作參考。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括信號線，形成在基板上；修復線，形成在所述基板上，且與所述信號線交叉并絕緣；以及第一冗余傳導圖案，形成在所述信號線與修復線交叉的基板的第一區(qū)域上，其中，所述第一冗余傳導圖案與所述信號線和修復線絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中，所述第一冗余傳導圖案為電浮置傳導圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中，當所述信號線被修復時，所述信號線和修復線在所述第一區(qū)域電連接到所述第一冗余傳導圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，還包括第二冗余傳導圖案，所述第二冗余傳導圖案包括在與第一區(qū)域不同的基板的第二區(qū)域上與信號線重疊的第一部分，其中所述第一部分與信號線絕緣，以及在與第一區(qū)域不同的基板的第三區(qū)域上與修復線重疊的第二部分，其中所述第二部分與修復線絕緣。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示裝置，其中，所述第二冗余傳導圖案為與第一冗余傳導圖案分離的圖案或與第一冗余傳導圖案結(jié)合的圖案之一。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示裝置，其中，當所述信號線被修復時，所述信號線和修復線在第一區(qū)域電連接到第一冗余傳導圖案，其中所述信號線在第二區(qū)域電連接到第二冗余傳導圖案，并且其中所述修復線在第三區(qū)域電連接到第二冗余傳導圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示裝置，其中，所述信號線通過接觸孔電連接到第二冗余傳導圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的顯示裝置，其中，當所述信號線被修復時，所述信號線和修復線在第一區(qū)域電連接到第一冗余傳導圖案，并且所述信號線在第二區(qū)域電連接到第二冗余傳導圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求4的顯示裝置，其中，所述修復線通過接觸孔電連接到所述第二冗余傳導圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的顯示裝置，其中，當所述信號線被修復時，所述信號線和修復線在第一區(qū)域電連接到第一冗余傳導圖案，并且所述修復線在第三區(qū)域電連接到第二冗余傳導圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示裝置，還包括至少兩個形成在所述修復線和第二冗余傳導圖案之間交叉部分處的絕緣層；以及形成在所述絕緣層之間并與所述第二冗余傳導圖案重疊的第三冗余傳導圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中，所述第一冗余傳導圖案從所述第一區(qū)域沿信號線延伸，且所述第一冗余傳導圖案與信號線重疊并絕緣，并且其中所述第一冗余傳導圖案從第一區(qū)域沿修復線延伸，且所述第一冗余傳導圖案與修復線重疊并絕緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示裝置，其中，所述信號線是柵極線、數(shù)據(jù)線或存儲線至少之一。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的顯示裝置，還包括形成在所述第一區(qū)域的半導體圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求5的顯示裝置，其中，所述信號線和修復線包括包含鉬的金屬層，并且其中所述第一和第二冗余傳導圖案通過圖案化至少透明傳導層或金屬層之一而形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的顯示裝置，其中，所述信號線和修復線包括包含鉬和鋁的金屬層，并且其中所述第一和第二冗余傳導圖案通過圖案化至少透明傳導層或金屬層之一而形成。
17.一種制造顯示裝置的方法，包括在基板上形成信號線；在基板上形成與所述信號線交叉并與所述信號線絕緣的修復線；以及在所述信號線和修復線交叉的所述基板的第一區(qū)域上形成與信號線和修復線絕緣的第一冗余傳導圖案。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中，所述第一冗余傳導圖案為浮置的。
19.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，還包括修復所述信號線，從而所述信號線和修復線在第一區(qū)域電連接到第一冗余傳導圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，還包括形成第二冗余傳導圖案，該第二冗余傳導圖案包括在與信號線和修復線之間交叉部分不同的部分處與信號線重疊并與信號線絕緣的一部分，以及在與信號線和修復線之間交叉部分不同的部分處與修復線重疊并與修復線絕緣的另一部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中，所述第二冗余傳導圖案形成為與第一冗余傳導圖案分離的圖案或與第一冗余傳導圖案結(jié)合的圖案之一。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，還包括修復所述信號線，從而所述信號線和修復線電連接到第一冗余傳導圖案，并且所述信號線在信號線和第二冗余傳導圖案之間的重疊部分處電連接到第二冗余傳導圖案，并且所述修復線在修復線和第二冗余傳導圖案之間的重疊部分處電連接到第二冗余傳導圖案。
23.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，還包括形成至少一個電連接信號線到第二冗余傳導圖案的接觸孔。
24.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，還包括形成至少一個電連接信號線或修復線到第二冗余傳導圖案的接觸孔。
25.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，還包括在所述修復線和第二冗余傳導圖案之間重疊部分處形成至少兩個絕緣層；在所述絕緣層之間形成第三冗余傳導圖案，且該第三冗余傳導圖案與第二冗余傳導圖案重疊。
26.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中，所述第一冗余傳導圖案從所述第一區(qū)域沿所述信號線延伸，并且所述第一冗余傳導圖案與所述信號線重疊并絕緣，并且其中所述第一冗余傳導圖案從所述第一區(qū)域沿修復線延伸，并且所述第一冗余傳導圖案與修復線重疊并絕緣。
27.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，還包括形成與所述第一區(qū)域重疊的半導體圖案。
28.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，其中，所述修復線包括包含鋁/鉬的雙金屬層，其中所述信號線包括包含鉬/鋁/鉬的三金屬層，并且其中所述第一和第二冗余傳導圖案通過圖案化透明傳導層或金屬層至少之一形成。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種顯示裝置及其制造方法，該顯示裝置包括形成在基板上的信號線，形成在基板上的與信號線交叉并絕緣的修復線，以及形成在信號線和修復線交叉的基板第一區(qū)域上的第一冗余傳導圖案，其中第一冗余傳導圖案與信號線和修復線絕緣。
文檔編號G02F1/136GK101055352SQ20071010167
公開日2007年10月17日 申請日期2007年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月8日
發(fā)明者孫東一, 白范基 申請人:三星電子株式會社