專利名稱：使用第一最小值底部抗反射涂層組合物制備圖像的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及抗反射涂層領域并涉及一種使用抗反射涂層組合物在襯底上形成圖像的方法。
背景技術：
在制備半導體器件中，采用光成圖案抗蝕劑的膜涂覆集成電路襯底，將其在光化輻射下曝光，并且進行顯影以在集成電路襯底的上方限定抗蝕劑圖像?？刮g劑圖像可以例如包括線條和空白，其中被除去的光成圖案抗蝕劑的部分形成空白，而留下的部分形成線條。通過對襯底的曝光部分進行修飾，而將抗蝕劑圖像轉印到集成電路襯底上。這種修飾可以通過用蝕刻法除去一部分襯底，通過將原子種類注入襯底，或通過本領域技術人員已知的其它方法來完成。在這樣的方法的過程中，光成圖案抗蝕劑線條起掩模的作用，以防止對在抗蝕劑線條的下方的襯底部分的修飾。轉印到襯底上的圖像的分辨率取決于抗蝕劑圖像的分辨率。
在光成圖案抗蝕劑于集成電路襯底上曝光的過程中，典型地發(fā)生光化輻射從集成電路襯底的一定的反射。這種反射導致薄膜干涉效應，這種效應改變了在芯片內(nèi)部、穿過晶片和在晶片與晶片之間的有效的曝光強度。如果有效的曝光強度發(fā)生變化，則典型地發(fā)生不可接受的數(shù)量的線寬變化。在現(xiàn)代制造(其中將激光曝光工具用作光化輻射源并且反射特別普遍)中特別是這樣的情況。
為了防止光化輻射向光成圖案抗蝕劑中反射，可以在襯底和光成圖案抗蝕劑膜之間提供一層或多層抗反射涂層(A.R.C.)。A.R.C.經(jīng)常包括分散于聚合物粘合劑中的輻射吸收染料，但是，存在一些含有能充分吸收光化輻射的合適的生色團的聚合物(即生色團用作染料)，這樣就不需要額外的吸收性染料。通過選擇合適的吸收性染料或具有合適的生色團的聚合物，可以使A.R.C.適合于將用于使光成圖案抗蝕劑曝光的特定波長的輻射衰減。
但是，使用A.R.C.并不是沒有問題。一旦將光成圖案抗蝕劑膜顯影，露出位于下方的A.R.C.，必須將A.R.C.除去以露出位于下方的用于隨后的如上所述的修飾的集成電路襯底。通常，使用反應性離子蝕刻法除去A.R.C.，但是，可以使用本領域技術人員已知的其它類型的干蝕刻和濕蝕刻。
底部抗反射涂層(B.A.R.C.)通常分為兩類，可溶于顯影劑類(其中在抗蝕劑顯影時，B.A.R.C.溶于顯影劑)或不溶于顯影劑的B.A.R.C.(其中在干刻蝕步驟中，通過B.A.R.C.轉印圖像)?？扇苡陲@影劑的B.A.R.C.典型地是微溶于顯影劑，并且在顯影法的過程中，位于它們上方的抗蝕劑一溶解，它們就各向同性地溶解的材料。這樣的邏輯結果是，當B.A.R.C.在抗蝕劑下方溶解掉時，出現(xiàn)抗蝕劑的顯著的凹蝕；并且出現(xiàn)傾斜的B.A.R.C.邊緣斷面。凹蝕和傾斜的斷面促進了除去小的抗蝕劑圖形(fea ture)，并限制了這種B.A.R.C.的分辨率。因而，目前可得到的溶于顯影劑的B.A.R.C.不具有所需要的高分辨率(例如，在低于1/4微米的范圍內(nèi))并且不滿足下述諸如淺注入法的需要。因此，目前所用的所有高分辨率的B.A.R.C.是不溶于顯影劑的。例如，如大多數(shù)高分辨率的有機B.A.R.C.一樣，通常無機B.A.R.C.是不溶于顯影劑類的。以上已闡述了這一點的原因——即，由于采用基本上是B.A.R.C.的各向同性的濕蝕刻法避免了沉積或凹蝕的問題。即使在用于成像式印刷的正確曝光狀態(tài)下B.A.R.C.溶解速率與抗蝕劑的溶解速率恰好相配，獲得無凹蝕和無沉積的垂直斷面充其量也僅為極短的瞬間。盡管這對于較大的圖形是可以接受的，但對于高分辨率成像，這種行為導致低工藝寬容度(參見圖1)。
對于許多應用，例如對于淺注入，期望避免由等離子體處理對襯底的損壞。同時，控制從表面的反射和控制搖擺曲線可以使B.A.R.C.的使用是所期望的。通過使用可溶于顯影劑的B.A.R.C.，可以同時滿足這些技術要求，但是如果要求高分辨率，例如在低于1/4微米區(qū)域則不可以。目前，看起來沒有既避免干蝕刻又為上述應用提供足夠的分辨率的B.A.R.C.。
本發(fā)明通過提供在抗蝕劑顯影的時候進行顯影的第一最小值B.A.R.C.而解決這個僵局。通過使用光敏性B.A.R.C.，或以可供選擇的方式表述，可以在沒有或僅有最低限度的互混的條件下在其上施涂第二光刻膠成像層的高度染色的光刻膠，解決了差的側壁控制問題。在光刻膠曝光步驟的過程中將本發(fā)明的光敏性B.A.R.C.曝光；在光刻膠的顯影之后沒有第二曝光步驟。B.A.R.C.的曝光在B.A.R.C.中產(chǎn)生溶解度梯度，這使得可能在B.A.R.C.溶解過程中獲得各向異性的組分，這與常規(guī)可溶于顯影劑的B.A.R.C.的各向同性的顯影相反。
發(fā)明人Holmes等人的在2000年8月29日公開的美國專利No.6,110,653公開了一種方法，該方法包括如下步驟在襯底上施涂輻射吸收層并由此形成對酸敏感、不溶于水的A.R.C.，在A.R.C.上施涂光成圖案抗蝕劑(PPR)層，將部分PPR層在光化輻射下曝光，將PPR層顯影以形成抗蝕劑圖像，使A.R.C.變?yōu)榭扇苡谒缓髮.R.C.顯影以露出襯底的選定部分。


圖1說明不同類型的抗反射底涂層。
圖2為用于第一和第二最小值施涂的接近最佳的B.A.R.C.的實施例，n和k的值，對于抗蝕劑1.7043、0.007 1；對于B.A.R.C.1.68、0.60(左)和0.30(右)；對于襯底(Si)0.95、2.64。曝光波長193nm。
圖3顯示第二最小值B.A.R.C.模擬結果，指示在約λ/(2n)膜厚處，B.A.R.C.中存在駐波節(jié)點。
圖4顯示第一最小值B.A.R.C.模擬結果，指示在潛像中不存在駐波節(jié)點。
圖5說明通過球面疊加所給出的蝕刻鋒的幾何軌跡。左邊的圖表示由光刻膠所保護的各向同性材料層的濕蝕刻。右邊的圖表示進行蝕刻以除去整個膜厚度。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明概述本發(fā)明提供一種在襯底上形成圖像的方法，其包括如下步驟(a)在襯底上涂覆第一層輻射敏感性抗反射組合物；(b)將第二層光刻膠組合物涂覆到第一層抗反射組合物上；(c)選擇性地將得自步驟(b)的涂覆襯底在光化輻射下曝光；和(d)將得自步驟(c)的經(jīng)曝光的涂覆襯底顯影；其中，將光刻膠組合物和抗反射組合物都在步驟(c)中曝光；使用單一的顯影劑在步驟(d)中將兩者都顯影；其中步驟(a)的抗反射組合物是第一最小值底部抗反射涂層(B.A.R.C.)組合物，具有的固含量最高至約8％固體分，并且涂覆襯底的最大涂層厚度為λ/2n，其中λ為步驟(c)中光化輻射的波長，且n為B.A.R.C.組合物的折射率。
發(fā)明詳述本發(fā)明提供一種在襯底上形成圖像的方法，其包括如下步驟(a)在襯底上涂覆第一層輻射敏感性抗反射組合物；(b)將第二層光刻膠組合物涂覆到第一層抗反射組合物上；(c)選擇性地將得自步驟(b)的涂覆襯底在光化輻射下曝光；和(d)將得自步驟(c)的經(jīng)曝光的涂覆襯底顯影；其中，將光刻膠組合物和抗反射組合物都在步驟(c)中曝光；使用單一的顯影劑在步驟(d)中將兩者都顯影；其中步驟(a)的抗反射組合物是第一最小值底部抗反射涂層(B.A.R.C.)組合物，具有的固含量最高至約8％固體分，并且涂覆襯底的最大涂層厚度為λ/2n，其中λ為步驟(c)中光化輻射的波長，且n為B.A.R.C.組合物的折射率。
如本文中所用，“第一最小值B.A.R.C.組合物”指的是B.A.R.C.組合物，其中B.A.R.C.涂層厚度接近于某個膜厚度值，所述膜厚度值相當于歸一化的(即相對的)反射率或歸一化的反射率的平方根對膜厚度的標準曲線中的第一最小值。(參見例如圖2)。這樣的曲線對于本領域普通技術人員而言是公知的，并且可以使用本領域普通技術人員公知的方程進行繪制。相似地，“第二最小值B.A.R.C.組合物”指的是其中涂層厚度接近于某個膜厚度的組合物，該膜厚度相當于上述標準曲線中的第二最小值。
通過Brunner方程(T.Brunner，Proc.SPIE 1466，297(1991))，可以求出對于給定厚度db的底涂層的擺幅與無底涂層(db＝0)的襯底的擺幅的比值。以這種方式，獲得的相對于襯底的擺幅衰減Srel作為進入抗蝕劑中的反射率比值的平方根形式。相似地，可以確定多重薄膜疊層對襯底的Srel。
SB.A.R.C.(db)=4RtRB.A.R.C.(db)e-α·dr]]>SSubstrate=SB.A.R.C.(0)]]>=4RtRB.A.R.C.(0)e-α·dr]]>Srel(db)=SB.A.R.C.(db)SSubstrate]]>=RB.A.R.C.(db)RB.A.R.C.(0)]]>在上述方程中，SB.A.R.C.(db)是對于給定厚度db的B.A.R.C.層的擺幅；Rt為抗蝕劑層表層的反射率，例如，向空氣中或向表層抗反射層中的反射率，RB.A.R.C.(db)為B.A.R.C.層在厚度為db處的反射率；RB.A.R.C.(0)為襯底的反射率(db＝0)；α為抗蝕劑吸光度，且dr為抗蝕劑厚度。
第一最小值B.A.R.C.層的最大厚度為λ/2n，其中λ為用于將涂覆襯底曝光的光化輻射的波長，且n為B.A.R.C.組合物的折射率。在一個實施方案中，對于157和193nm的曝光，第一最小值B.A.R.C.組合物具有的最大涂層厚度為50納米(nm)；且在一個實施方案中，對于248nm的曝光為70nm；且在一個實施方案中，對于365nm的曝光為120nm。
在本發(fā)明的一個實施方案中，輻射敏感性抗反射組合物和光刻膠組合物包含正性作用組合物，其中，抗反射組合物和光刻膠組合物最初不可溶于顯影劑，但在光化輻射下曝光時變得可溶于顯影劑。
在一個實施方案中，輻射敏感性抗反射組合物和光刻膠組合物包含負性作用組合物，其中抗反射組合物和光刻膠組合物最初可溶于顯影劑，但在光化輻射下曝光時變得不可溶于顯影劑。
在一個實施方案中，B.A.R.C.組合物基本上無交聯(lián)且不溶于光刻膠溶劑(即本發(fā)明的步驟(b)中使用的光刻膠組合物中所用的溶劑。典型地，使用光刻膠組合物在合適的光刻膠溶劑中的溶液進行步驟(b)中的第二層光刻膠組合物的涂覆)。合適的光刻膠溶劑包括丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)、3-甲氧基-3-甲基丁醇、2-庚酮(甲基戊基酮)、丙二醇甲基醚(PGME)、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、二甘醇單乙醚、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單甲醚乙酸酯或單氧代一元羧酸酯，如羥基乙酸甲酯、羥基乙酸乙酯、羥基乙酸丁酯、甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯、丙酸乙氧基乙酯、3-氧代丙酸甲酯、3-氧代丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、2-氧代丙酸甲酯、2-氧代丙酸乙酯、2-羥基丙酸乙酯(乳酸乙酯(EL))、3-羥基丙酸乙酯、2-氧代丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸丙酯及其混合物。
在一個實施方案中，本發(fā)明的方法進一步包括在溫度為40℃-240℃，并且在一個實施方案中為90℃-150℃，并且在一個實施方案中為100℃-130℃下，在步驟(b)之前烘烤步驟(a)的涂覆襯底(即采用第一最小值B.A.R.C.組合物涂覆的襯底)少于3分鐘的時間。雖然能引入交聯(lián)的這樣的烘烤步驟并不排除在本發(fā)明的范圍之外，但優(yōu)選這樣的烘烤步驟基本上無交聯(lián)步驟，即優(yōu)選烘烤工藝基本上不在第一最小值B.A.R.C.組合物中引入交聯(lián)。
B.A.R.C.用作干涉器件，所謂的Fabry-Perot標準器。就此，將存在反射率方面最大值和最小值的序列，該序列的位置和高度取決于B.A.R.C.、抗蝕劑和襯底的光學常數(shù)以及曝光波長。圖2中給出了對于兩種材料而言B.A.R.C.的干涉行為的實施例，上述兩種材料具有對于在第一和第二干涉最小值附近操作而言近乎最佳的光學常數(shù)?？刮g劑中駐波的強度以復合方式取決于反射率，而擺動曲線的擺幅取決于反射率的平方根。圖2中的曲線表示具有不同吸光度的材料。在左邊的曲線中，B.A.R.C.組合物的吸光度非常高，以致于在或接近第一最小值附近的厚度為優(yōu)選的操作厚度。在右邊的曲線中，B.A.R.C.組合物以其較低吸光度，即使得它適合于在相當于或接近第二最小值的厚度下使用的吸光度使用。對于不溶于顯影劑的B.A.R.C.，優(yōu)選的操作區(qū)域經(jīng)常在或接近第二最小值附近，這對B.A.R.C.組合物的厚度變化和襯底中的表面形態(tài)顯示較好的耐受力。
本發(fā)明的第一最小值B.A.R.C.組合物可以是任意的化學組合物，條件是它具有本發(fā)明所要求的性能。典型地，A.R.C.組合物包括可以是或可以不是聚合物鍵合的染料部分。合適的染料(包括聚合物鍵合的染料，和非聚合物鍵合的染料，即未鍵合到聚合物上的染料)的一些普通例子有取代的和未取代的芳族化合物，例如取代的或未取代的苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯、萘(例如，萘酚AS、萘酚ASBI)、氯苯乙烯、硝基苯乙烯、甲基丙烯酸芐酯或丙烯酸芐酯，羥基二苯甲酮、蒽(例如，9-甲基蒽)、雙苯(包括羥基雙酚)、次甲基類染料、蒽醌和羥基取代的芳族偶氮染料。也可以使用包含雜原子如氧、氮、硫或其組合的取代和未取代的雜環(huán)芳香環(huán)。這些雜環(huán)染料的一些例子包括吖啶、吡唑、吡唑啉、咪唑、吡咯烷、吡喃、哌啶和喹啉。可用于制備聚合物鍵合的染料的含染料的單體的一些例子包括N-甲基馬來酰亞胺、甲基丙烯酸-9-蒽基甲基酯、甲基丙烯酸芐酯、羥基苯乙烯、苯甲酸乙烯酯、4-叔丁基苯甲酸乙烯酯、乙二醇苯醚丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基丙基酯、丙烯酸-2-(4-苯甲酰基-3-羥基苯氧基)乙基酯、丙烯酸-2-羥基-3-苯氧基丙基酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸-9-蒽基甲基酯、9-乙烯基蒽、2-乙烯基萘、N-乙烯基鄰苯二甲酰亞胺、N-(3-羥基)苯基甲基丙烯酰胺、N-(3-羥基-4-羥基羰基苯基偶氮)苯基甲基丙烯酰胺、N-(3-羥基-4-乙氧基羰基苯基偶氮)苯基甲基丙烯酰胺、N-(2，4-二硝基苯基氨基苯基)馬來酰亞胺、3-(4-乙酰氨基苯基)偶氮-4-羥基苯乙烯、甲基丙烯酸-3-(4-乙氧基羰基苯基)偶氮-乙酰乙酰氧基乙酯、甲基丙烯酸-3-(4-羥基苯基)偶氮-乙酰乙酰氧基乙酯，和甲基丙烯酸-3-(4-磺苯基)偶氮-乙酰乙酰氧基乙酯的硫酸四氫銨鹽。也可以使用在U.S.專利6,114,085、5,652,297、5,981,145和6,187,506中描述的染料。非聚合物鍵合的染料的具體例子包括香豆素7、香豆素138、香豆素314、姜黃素和蘇丹橙G和9-蒽甲醇。聚合物鍵合的染料可以是任意的在所關心的波長處吸收光的吸光組合物。盡管在本發(fā)明的范圍內(nèi)也包括能夠被交聯(lián)的聚合物鍵合的染料，但優(yōu)選這樣的聚合物鍵合的染料在加工條件下不交聯(lián)。
通過具有能顯示抗反射涂層所期望的性能，例如吸收波長、吸收強度、溶解特性、折射率和涂覆性能的那些類型和比例的單體單元(即含有吸收光的染料的單體)，可以對聚合物鍵合的染料的最終化學結構進行優(yōu)化。將抗反射涂層的聚合物的波長與輻射波長相匹配。典型地，這些波長為145nm-450nm，優(yōu)選對于g線和i線曝光分別為436nm和365nm，對于KrF激光為248nm，對于ArF激光為193nm，且對于F2激光為157nm。寬帶曝光裝置需要能在寬的波長范圍內(nèi)吸收的聚合物。強吸收聚合物防止了光背反射入光刻膠，并起有效的抗反射涂層的作用。共聚單體和取代基的選擇允許優(yōu)化聚合物的折射率和吸收波長和強度以得到進入光刻膠的最小背反射。此外，強吸收聚合物允許在光刻膠的下方使用較薄的涂層，這樣導致較好的圖像轉印。
聚合物鍵合的染料在較低毒性的溶劑中的可溶性是本發(fā)明的另一個非常重要的特征。這樣的較低毒性溶劑的例子包括丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇甲基醚(PGME)、乳酸乙酯(EL)、丙酮酸甲酯(MP)、甲基戊基酮(MAK)、雙丙酮醇或丙酸乙氧基乙酯(EEP)。但是，為此可溶性設計聚合物必須考慮到防止底部抗反射層和光刻膠的互混的需要。例如，如果聚合物鍵合的染料可溶于EL而不溶于PGMEA，那么EL是與基于PGMEA的表層抗蝕劑一起使用的合適的溶劑。使用水或水與有機溶劑(特別是醇)的混合物在原則上也是可能的，條件是在未曝光的狀態(tài)下，B.A.R.C.在含水堿顯影劑中的溶解速率足夠慢，而在曝光、烘烤和化學轉變的狀態(tài)下此溶解速率足夠高以產(chǎn)生基本上為各向異性的顯影過程。改變在聚合物上的取代基可進一步地優(yōu)化聚合物的溶解特性。
在一個實施方案中，本發(fā)明的第一最小值B.A.R.C.組合物包含衍生自包含甲羥戊酸內(nèi)酯甲基丙烯酸酯(MLMA)的單體的聚合物，并且在一個實施方案中為包含甲基丙烯酸-2-甲基金剛烷基酯(MAdMA)的單體的聚合物。在一個實施方案中，聚合物為N-甲基馬來酰亞胺、MLMA和MAdMA的三元共聚物。
用于制備用于本發(fā)明的第一最小值B.A.R.C.組合物的聚合物的聚合方法可以是任意一種本領域已知的將乙烯基/丙烯酸類單體聚合的方法，如離子、自由基或配位聚合。形成的聚合物結構可以由交替、嵌段或無規(guī)共聚物組成。聚合物的重均分子量為約500-約50,000，且在一個實施方案中為1,000-40,000，并且在一個實施方案中為2,000-20,000。
在最終聚合物中，包含染料的單體的mol％可以為約5-95％，和一種或多種共聚單體的mol％可以為約5-約95％。此外，聚合物可以包含由制備聚合物的合成步驟得到的未反應的前體和/或單體。染料官能度可以在聚合之前引入單體或在聚合之后與聚合物進行反應。
本發(fā)明的第一最小值B.A.R.C.組合物可以包含額外的非必要組分，這些組分可以加入以提高B.A.R.C.組合物或最終圖像的性能。這樣的組分包括表面流平劑、粘合促進劑、消泡劑等。通過適當?shù)倪x擇在染料官能度上的取代基，可以對于一定的波長或波長范圍優(yōu)化抗反射涂層的吸收。使用吸電子或供電子的取代基一般將吸收波長分別移向更長或更短的波長。此外，通過適當?shù)倪x擇在單體上的取代基，可以調(diào)節(jié)抗反射聚合物在特別優(yōu)選的溶劑中的溶解性。
本發(fā)明的第一最小值B.A.R.C.組合物具有的固含量最高至8％固體分，并且在一個實施方案中最高至6％，并且在一個實施方案中最高至2％固體分。所使用的準確重量取決于聚合物的分子量和其它用于制備B.A.R.C.組合物的組分，和所需的涂層的膜厚度?？梢允褂玫淖鳛榛旌衔锘騿为毷褂玫牡湫偷娜軇┦荘GME、PGMEA、EL、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、己酮和γ-丁內(nèi)酯。
由于將抗反射膜涂覆在襯底的上方并且可以進一步進行干蝕刻，所以可以預見膜具有足夠低的金屬離子水平和純度，使得不會不利地影響半導體器件的性能?？梢允褂美鐚.A.R.C.組合物的溶液流經(jīng)離子交換柱，過濾，和抽提方法的處理，以降低金屬離子的濃度和減少顆粒。
使用本領域技術人員公知的技術，如浸漬、旋涂或噴涂，將抗反射涂層組合物涂覆在襯底之上。如上述所公開的，可以進一步將涂層在加熱板或?qū)α骷訜釥t上加熱以除去任何殘余的溶劑，引起交聯(lián)(如果需要)或為了非必要的進一步加工。
在B.A.R.C.層的上方所涂覆的光刻膠組合物可以是半導體工業(yè)中使用的任一種類型，條件是光刻膠中的光活性化合物的感光性與抗反射涂層的感光性相匹配。
存在兩種類型的光刻膠組合物，負性作用的和正性作用的。當將負性作用光刻膠組合物在輻射下成像式曝光時，輻射下曝光的抗蝕劑組合物的區(qū)域變得較不溶于顯影劑溶液(例如，發(fā)生交聯(lián)反應)，而光刻膠涂層的未曝光區(qū)域保持相對可溶于這種溶液。因此，采用顯影劑處理曝光的負性作用抗蝕劑導致除去光刻膠涂層的未曝光區(qū)域和在涂層中產(chǎn)生負像，從而露出位于下方的其上沉積有光刻膠組合物的襯底表面的所需部分。
另一方面，當將正性作用光刻膠組合物在輻射下成像式曝光時，輻射下曝光的光刻膠組合物的那些區(qū)域變得更可溶于顯影劑溶液(例如，發(fā)生重排反應)，而未曝光的那些區(qū)域保持相對不可溶于顯影劑溶液。因此，采用顯影劑處理經(jīng)曝光的正性作用光刻膠導致除去涂層的曝光區(qū)域和在光刻膠涂層中產(chǎn)生正像。再一次，露出位于下方的表面的所需部分。
目前，正性作用光刻膠組合物比負性作用抗蝕劑更受青睞，因為前者通常具有更好的分辨能力和圖案轉印特性。光刻膠分辨率定義為能被抗蝕劑組合物在曝光和顯影之后，以高度圖像邊緣銳度從光掩模轉印至襯底上的最小特征。目前在許多制造應用中，小于一微米數(shù)量級的抗蝕劑分辨率是必需的。此外，幾乎總是期望顯影的光刻膠壁面輪廓相對于襯底是近乎垂直的。抗蝕劑涂層的顯影的和未顯影的區(qū)域的這種分界轉變?yōu)檠谀D像到襯底上的精確圖案轉印。由于向微型化的推進減小了器件上的臨界尺寸，這一點變得更為關鍵。
包含線型酚醛清漆樹脂和醌-二疊氮化物化合物作為光活性化合物的正性作用光刻膠是本領域公知的。線型酚醛清漆樹脂典型地通過在酸催化劑如草酸存在下，將甲醛與一種或多種多取代酚縮合進行制備。光活性化合物通常通過將羥基酚類化合物與萘醌二疊氮化物酸及其衍生物反應而獲得。這些類型抗蝕劑的感光性為約350nm-440nm。
也可以使用對在約145nm和約350nm之間的短波長敏感的光刻膠。在248nm附近敏感的這些抗蝕劑通常包含聚羥基苯乙烯或取代的聚羥基苯乙烯衍生物、光活性化合物(在化學放大體系的情況下，包括光酸產(chǎn)生劑)和非必要地溶解性抑制劑。以下參考文獻列舉了所用光刻膠的類型U.S.專利No.4,491,628、U.S.專利No.5,069,997和U.S.專利No.5,350,660。
相似地，也可以使用在193nm附近敏感的抗蝕劑。193nm抗蝕劑的例子包括聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯，基于環(huán)烯烴(例如降冰片烯、四環(huán)十八碳烯和這些單體的衍生物)與馬來酸酐的共聚物，和基于環(huán)烯烴、馬來酸酐和丙烯酸酯/甲基丙烯酸酯的混合共聚物或共聚物的混合物。
在采用本發(fā)明的B.A.R.C.組合物涂覆襯底，并且烘烤該涂覆襯底之后，采用本領域公知的方法施用邊緣珠滴去除劑以使涂覆襯底的邊緣干凈。優(yōu)選的溫度范圍為約70℃-約140℃。然后將光刻膠膜涂覆在抗反射涂層的上方并進行烘烤以基本上除去光刻膠溶劑或用于其它加工。例如，在一個實施方案中，本發(fā)明進一步包括在步驟(d)之前烘烤步驟(c)的涂覆襯底。在一個實施方案中，該烘烤溫度為80℃-150℃。將具有涂覆的B.A.R.C.層和光刻膠層的襯底進行成像式曝光和在含水顯影劑中顯影以除去曝光的(對于正性光刻膠)或未曝光的(對于負性光刻膠)區(qū)域。優(yōu)選顯影劑為含水堿性顯影劑，如含水的無金屬離子的氫氧化物。這樣的無金屬離子的氫氧化物的合適的例子包括氫氧化四烷基銨(例如氫氧化四甲基銨)?？梢栽陲@影之前和曝光之后向此方法中引入非必要的加熱步驟。將光刻膠涂覆和成像的方法對于本領域技術人員而言是公知的，并且對于所用的具體類型的抗蝕劑而進行優(yōu)化。如果必要，可以接著對已形成圖案的襯底在合適的蝕刻室中進行干蝕刻以除去任何殘留的痕量的抗反射膜，其中殘留的光刻膠起蝕刻掩模的作用。
在本發(fā)明的一個實施方案中，通過所要求保護的方法而制備的圖像基本上無凹蝕和沉積。雖然不希望被理論所束縛，但據(jù)信這是因為在B.A.R.C.溶解過程中存在各向異性的組份(通過光化輻射引入)。這可以通過下文進行解釋說明。在非光敏性的可溶于顯影劑的底部抗反射涂層(非本發(fā)明的)的情況下，如果在這種B.A.R.C.組合物的上方使用光敏層，則在其中所限定的結構將對于底層起濕蝕刻掩模的作用。將本發(fā)明與這種非光敏性的可溶于顯影劑的B.A.R.C.組合物以及與傳統(tǒng)的濕蝕刻法(不存在B.A.R.C.)相比是有指導意義的。在傳統(tǒng)的濕蝕刻中，例如采用稀釋的氟化氫溶液蝕刻二氧化硅，首先使用含水堿顯影劑限定光刻膠結構。隨后各向同性地對底層進行蝕刻，即蝕刻速率在所有方向上是相同的。如果蝕刻劑在垂直方向上已溶解了厚度“d”的二氧化硅，則它也將在水平方向上溶解厚度“d”。在第一近似法中，在初始蝕刻劑/二氧化硅界面處通過球面疊加給出了蝕刻鋒的幾何軌跡，其中由r＝vt給出了球面半徑，其中v為蝕刻速率(以長度/時間為量綱)且t為蝕刻時間(參見圖5)。明顯地，這種方法將總是會導致凹蝕并且不適于例如非常細的線條，如果凹蝕超過臨界值，所述線條會傾斜。
在非光敏性但可溶于顯影劑的B.A.R.C.之上的光刻膠的情況下，由于含水堿顯影劑具有兩種功能，光刻膠顯影和B.A.R.C.蝕刻在一個步驟中發(fā)生，因而情況是不同的。高對比度的光刻膠的顯影在空間像強度最高的中心區(qū)域快速發(fā)生。顯影鋒將到達抗蝕劑的底部，然后使抗蝕劑大部分側向地進行顯影。在可溶于顯影劑的B.A.R.C.的情況下，顯影劑鋒一到達抗蝕劑/B.A.R.C.界面，就開始各向同性地蝕刻B.A.R.C.。新的球面蝕刻鋒從接觸的起點通過B.A.R.C.而傳播開，并且隨著抗蝕劑逐漸從B.A.R.C.表面消失，在曝光區(qū)域中將產(chǎn)生另外的球面蝕刻鋒。所有的B.A.R.C.蝕刻仍是各向同性的，但此時在抗蝕劑的邊緣處的區(qū)域在更遲得多的時候清楚形成圖形，以致于它們附近的B.A.R.C.對顯影劑曝光較短的時間。由于在對二氧化硅層的濕蝕刻的上述實施例中這些區(qū)域?qū)Π嘉g的貢獻最多，所以可能提高可溶于顯影劑的B.A.R.C.的凹蝕的量(相對于在二氧化硅實施例中的情況)。但是，實際上，由于B.A.R.C.蝕刻的各向同性的特征，從沉積到凹蝕的過渡在很短的時間內(nèi)就發(fā)生，因此仍舊難以獲得沒有沉積或凹蝕的圖像。這使得可溶于顯影劑的B.A.R.C.法本質(zhì)上是不穩(wěn)定的。
本發(fā)明的光敏性B.A.R.C.提供了一種穩(wěn)定的方法，采用該方法通過在B.A.R.C.蝕刻中提供強各向異性的組分而可以防止凹蝕或沉積。此B.A.R.C.與光刻膠進行相同的空間成像，并且在保持在暗區(qū)不可溶的同時，在曝光區(qū)域的中心將是高度可溶的。換句話說，從展開的圖形的中心到它的邊緣將存在負的側向溶解度梯度。由于它是在光刻膠中，所以隨著顯影鋒從曝光區(qū)域的中心向邊緣推進，顯影將減慢并且基本上停止。通過恰當?shù)恼{(diào)節(jié)工藝條件，這使得可能獲得導致無沉積和凹蝕的圖像的穩(wěn)定的方法。下面的具體實施例將提供制備和利用本發(fā)明的組合物的方法的詳細說明。但是，這些實施例無論如何不意于限定或限制本發(fā)明的范圍，并且不應該將其看作是在提供為了實踐本發(fā)明所必須唯一使用的條件、參數(shù)或數(shù)值。
具體實施例方式
實施例合成和性能實施例實施例1向裝配有冷凝器、溫度計、氮氣導管和機械攪拌器的250mL的4頸燒瓶中加入甲基丙烯酸芐酯(6.5g；0.037摩爾)、甲羥戊酸內(nèi)酯的甲基丙烯酸酯(MLMA)(13.5g；0.068摩爾)、偶氮二異丁腈(AIBN)(3g)和四氫呋喃(THF)(50g)。獲得一種溶液并將其脫氣10分鐘。將反應體系回流6小時，然后將其浸入600mL己烷中。將沉淀出的聚合物過濾并干燥。接著將聚合物溶于60g環(huán)戊酮中，然后緩慢地將其加入600mL甲醇中再沉淀。將聚合物過濾、沖洗并干燥。將再沉淀的聚合物再溶解于60g的環(huán)戊酮中，然后再沉淀入600mL甲醇中。將聚合物過濾、沖洗并干燥。通過J.A.Woollam WVASE 32TM橢率計所測得的在193nm下聚合物涂層具有折射率n和k分別為1.85和0.34。
實施例2(比較實施例)向以上制備的由實施例1得到的聚合物(3.45wt％)中加入九氟丁磺酸三苯基锍(0.00871wt％)、十三烷基胺(0.0034wt％)、三甲氧基乙氧基乙基胺(0.123wt％)、FluoradTMFC-4430(0.10 wt％)(購自3M的含氟表面活性劑)和乳酸乙酯(96.5wt％)。將溶液混合并通過0.1微米(μm)的過濾器過濾。
首先采用110℃輕烘烤(SB)60秒，用780(78nm)的上述B.A.R.C.溶液涂覆硅晶片。然后采用130℃SB 60秒，用3300的AZEXP AX2020P抗蝕劑(購自AZ Electronic Materials Business Unit of ClariantCorporation，包含衍生自混合的丙烯酸酯、環(huán)烯烴和馬來酸酐的共聚物的商業(yè)光刻膠)涂覆經(jīng)B.A.R.C.涂覆的晶片。使用ISI 193nm微型步進投影曝光機將涂覆的晶片曝光。伴隨用AZ300MIF顯影劑(購自AZElectronic Materials Business Unit of Clariant Corporation的氫氧化四甲基銨的水溶液)膠泥顯影60秒，將曝光的晶片在120℃下進行60秒的曝光后烘烤(PEB)。結果顯示，對于0.18μm的線條，抗蝕劑曝光過度，但未將B.A.R.C.完全除去。
實施例3(比較實施例)向以上制備的由實施例1得到的聚合物(3.46wt％)中加入九氟丁磺酸三苯基锍(0.0340wt％)、氫氧化三甲基锍(0.0035wt％)、FluoradTMFC-4430(0.10wt％)和乳酸乙酯(96.5wt％)。將溶液混合并通過0.1μm過濾器過濾。
首先采用110℃SB 60秒，用600(60nm)的上述B.A.R.C.溶液涂覆硅晶片。接著采用130℃烘烤60秒，用3300(330nm)的AZEXP AX1050P(購自AZ Electronic Materials Business Unit of ClariantCorporation，包含聚甲基丙烯酸酯的商業(yè)光刻膠，作為PGMEA中的溶液形式)抗蝕劑涂覆經(jīng)B.A.R.C.涂覆的晶片。使用ISI 193nm微型步進投影曝光機將涂覆的晶片曝光。伴隨用AZ300MIF顯影劑膠泥顯影60秒，將曝光的晶片在120℃下進行60秒的PEB。結果顯示，對于0.18μm的線條，需要23毫焦耳/cm2(mJ/cm2)以清除這些隔離的線條。即使最高至25mJ/cm2也沒有展開密集線條處的B.A.R.C.層并且抗蝕劑嚴重曝光過度。
實施例4如下制備B.A.R.C.溶液。向以上實施例1中制備的聚合物(1.77wt％)中加入九氟丁磺酸三苯基锍(0.0270wt％)、十三烷基胺(0.0023wt％)、FluoradTMFC-4430(0.10wt％)和乳酸乙酯(98.2wt％)。將所得到的溶液通過0.1μm過濾器進行過濾。
采用110℃SB 60秒，用300(30nm)的上述B.A.R.C.溶液涂覆硅晶片。接著采用130℃/60秒的SB，用3300(330nm)的AZEXP AX2020P抗蝕劑涂覆經(jīng)B.A.R.C.涂覆的晶片。使用ISI 193nm微型步進投影曝光機將涂覆的晶片曝光。伴隨用AZ300MIF顯影劑膠泥顯影60秒，將曝光的晶片在120℃下進行60秒的PEB。
相反地，此結果顯示，需要11mJ/cm2以干凈地展開0.18μm的隔離的線條。相反地，很好地形成了線條，并且未曝光過度。以干凈的外形精美的密集的1∶1線條，以17mJ/cm2清除密集的線條(1∶1)。
實施例5如下制備B.A.R.C.溶液。向以上實施例1中制備的聚合物(1.77wt％)中加入九氟丁磺酸三苯基锍(0.0270wt％)、金剛烷胺(0.0028wt％)、FluoradTMFC-4430(0.10wt％)和乳酸乙酯(98.2wt％)。將所得到的溶液通過0.1μm過濾器進行過濾。
采用110℃SB 60秒，用300(30nm)的上述B.A.R.C.溶液涂覆硅晶片。接著采用130℃/60秒的SB，用3300(330nm)的AZEXP AX2020P抗蝕劑涂覆經(jīng)B.A.R.C.涂覆的晶片。使用ISI 193nm微型步進投影曝光機將涂覆的晶片曝光。伴隨用AZ300MIF顯影劑膠泥顯影60秒，將曝光的晶片在120℃下進行60秒的PEB。
相反地，結果顯示，需要13mJ/cm2以干凈地展開0.18μm的隔離的線條。以21mJ/cm2清除密集的線條(1∶1)。
實施例6如下制備B.A.R.C.溶液。向以上實施例1中制備的聚合物(1.77wt％)中加入九氟丁磺酸三苯基锍(0.0270wt％)、氫氧化三甲基锍(0.0023wt％)、FluoradTMFC-4430(0.10wt％)和乳酸乙酯(98.2wt％)。將所得到的溶液通過0.1μm過濾器進行過濾。
采用110℃SB 60秒，用300(30nm)的上述B.A.R.C.溶液涂覆硅晶片。接著采用130℃/60秒的SB，用3300(330nm)的AZEXP AX2020P抗蝕劑涂覆經(jīng)B.A.R.C.涂覆的晶片。使用ISI 193nm微型步進投影曝光機將涂覆的晶片曝光。伴隨用AZ300MIF顯影劑膠泥顯影60秒，將曝光的晶片在120℃下進行60秒的PEB。
相反地，結果顯示，需要15mJ/cm2以干凈地展開0.18μm的隔離的線條。甚至最高至15mJ/cm2展開密集的線條。
將實施例4、5和6(使用第一最小值B.A.R.C.)與實施例2和3(使用第二最小值B.A.R.C.)加以比較，揭示了從第二最小值到第一最小值的發(fā)展中的優(yōu)點。在第二最小值下，B.A.R.C.和抗蝕劑的成像都不好。在第一最小值下，此組合成像好并且很好地起B(yǎng).A.R.C.作用，減少了駐波。
實施例7(比較實施例)首先采用110℃/60秒的SB，用3300的AZEXP AX2020P抗蝕劑涂覆硅晶片(不使用B.A.R.C.)。使用ISI 193nm微型步進投影曝光機進行曝光。伴隨用AZ300MIF膠泥顯影30秒，將曝光的晶片在130℃下進行90秒的PEB。使用用于印刷的最佳劑量。此實施例清楚地顯示出較多的駐波。
實施例8
向裝配有冷凝器、溫度計、氮氣導管和機械攪拌器的250mL的4頸燒瓶中加入9-蒽甲醇的甲基丙烯酸酯(AMMA)(6.4g；0.0227摩爾)、MLMA(8.6g；0.0434摩爾)、AIBN(3g)和環(huán)戊酮(40g)。獲得一種溶液并將其脫氣10分鐘。將反應體系回流4.5小時，然后將其浸入600mL己烷中。將沉淀出的聚合物過濾并干燥。
向上述聚合物(0.26g)中加入九氟丁磺酸三苯基锍(0.016g)、FluoradTMFC-4430(0.01g)和9.73g乳酸乙酯。將溶液(2.6％固體分)混合并通過0.1μm過濾器進行過濾。
首先采用600(60nm)的制備的B.A.R.C.溶液涂覆硅晶片并在110℃/60秒下進行輕烘烤。接著采用90℃/60秒的烘烤，用6310(631nm)的AZDX5200P光刻膠(購自AZ Electronic Materials Business Unitof Clariant Corporation的混合的縮醛抗蝕劑)涂覆經(jīng)B.A.R.C.涂覆的晶片。使用ISI 193nm微型步進投影曝光機成像式曝光經(jīng)涂覆的晶片。將曝光的晶片在120℃下進行60秒的PEB，隨后采用AZ300MIF顯影劑膠泥顯影60秒。SEM結果顯示，采用20mJ/cm2的劑量，除去直至襯底的B.A.R.C.。通過J.A.Woollam WVASE 32TM橢率計所測，在248nm下B.A.R.C.涂層也顯示折射率和吸收分別為，n和k分別為1.45和0.38。
模擬實施例對于本發(fā)明，開發(fā)出許多有前景的配方，這些配方顯示出與用于試驗的光刻膠非常相似的光敏性，并且看起來基本上無互混現(xiàn)象。首先在厚度相當于進入光刻膠中的B.A.R.C.的第二反射率最小值的情況下測試所有的配方。這樣做的原因在于，從合成的角度看，認為這樣較易于在B.A.R.C.中包括較少的高度吸收性單元，并且如從圖2所能看到的，對于第二或更高級的最小值而言較低的吸光度得到更好的性能。實驗結果一致顯示，光敏性第二最小值B.A.R.C.非常合理地展開了大圖形，但對于精細的圖形強烈地形成浮渣。在高曝光劑量下浮渣可消除，但對于這些劑量已觀察到相當多的凹蝕。已令人驚奇地發(fā)現(xiàn)，當以適于在第一最小值的情況下工作的厚度施涂相同的B.A.R.C.時，沒有發(fā)生這種行為。然后，將抗蝕劑充分地清除，并且即使對于低于1/4微米的圖形也不產(chǎn)生浮渣。在許多情況下，獲得無凹蝕和沉積的垂直的側壁，對于這種情況，在光刻膠與B.A.R.C.之間不能辨別出坡度方面清楚的不連續(xù)。
這種令人驚奇的和未預料的行為導致實現(xiàn)在底部A.R.C.中光分布和潛像的模擬。這對于底部A.R.C.通常是沒有效的，因為這對于非光敏性變體是無意義的，并且它需要改進或特殊的手段以采用標準的工業(yè)程序來進行。例如，采用普遍性的PROLITH/2模擬程序，為了能夠進行模擬，需要將光刻膠定義為對比提高層和B.A.R.C.作為光刻膠。
采用PROLITH/2模擬程序模擬的結果顯示，在大約λ/(2n)的厚度處，在B.A.R.C.中存在駐波節(jié)點。即使在考慮到曝光后烘烤中的擴散之后，這種駐波仍舊是可見的(圖3中所示，對于化學增強的B.A.R.C.)。光敏B.A.R.C.的浮渣是這種駐波節(jié)點和偶合入B.A.R.C.的較低部分的少量的光的結果。
相反地，如果將第一最小值B.A.R.C成像，則通過復合公式給出它的厚度，但它將總是低于駐波節(jié)點的λ/(2n)厚度(可能除了透明襯底以外)。潛像不顯示駐波節(jié)點，并且可溶性區(qū)域干凈地下沉至圖像的中央，特別是在曝光后烘烤之后。如從相應的模擬(圖4)中所看到的，預見將第一最小值B.A.R.C.干凈地展開直至襯底，如實驗上真實觀察到的一樣。從以上清楚地看出，使用第一最小值光敏性B.A.R.C.具有固有的成像優(yōu)點，優(yōu)于設計用于在較高膜厚度下進行操作的B.A.R.C.。
為了所有的目的，以上所涉及的每一篇文獻在此全文引入作為參考。除了在實施例中，或另外明確指出的以外，對在說明書中規(guī)定材料的用量和濃度、反應和工藝條件(如溫度、時間)等所有的數(shù)值量應理解為是用詞“約”修飾。
雖然已關于優(yōu)選的實施方案解釋了本發(fā)明，但應理解為對于本領域技術人員而言，在閱讀本說明書時其各種改進將是顯而易見的。因此，應理解為，本文所公開的本發(fā)明意于覆蓋落入所附的權利要求書的范圍內(nèi)的這樣的改進。
權利要求
1.包含聚合物的輻射敏感性可光成像抗反射組合物，其能夠在含水堿性顯影劑中顯影，其中該抗反射涂層組合物能夠在光刻膠層下方形成具有最大涂層厚度為λ/2n且最小涂層厚度大于0的抗反射層，其中λ是曝光波長，并且n是抗反射涂層組合物的折射率。
2.權利要求1的抗反射組合物，其中抗反射層涂覆在光刻膠層上方，并且抗反射層和光刻膠層在單一步驟中顯影。
3.權利要求1的抗反射組合物，其中該抗反射組合物最初不溶于顯影劑，但是在光化輻射下曝光后變得可溶于顯影劑。
4.權利要求1的抗反射組合物，其中該抗反射組合物最初可溶于顯影劑，但是在光化輻射下曝光后變得不溶于顯影劑。
5.權利要求1的抗反射組合物，其中該抗反射組合物進一步包含光敏性化合物。
6.權利要求1的抗反射組合物，其中抗反射層能夠形成潛像。
7.權利要求1的抗反射組合物，其中所述聚合物包含染料。
8.權利要求1的抗反射組合物，其中該抗反射組合物進一步包含染料。
9.權利要求8的抗反射組合物，其中染料是聚合物鍵合的。
10.權利要求1的抗反射組合物，其中聚合物包含取代的芳族部分或未取代的芳族部分。
11.權利要求10的抗反射組合物，其中芳族部分選自蒽、萘和雜環(huán)。
12.權利要求10的抗反射組合物，其中芳族部分選自苯乙烯、萘、甲基丙烯酸芐酯、蒽、雙苯、蒽醌、羥基取代的芳族染料，和雜環(huán)芳族化合物。
13.權利要求1的抗反射組合物，其中聚合物衍生自至少一種選自如下單體的單體N-甲基馬來酰亞胺、甲羥戊酸內(nèi)酯甲基丙烯酸酯(MLMA)、甲基丙烯酸-2-甲基金剛烷基酯(MAdMA)、甲基丙烯酸芐酯、甲基丙烯酸-9-蒽基甲基酯(AMMA)、苯乙烯、羥基苯乙烯、乙酰氧基苯乙烯、苯甲酸乙烯酯、4-叔丁基苯甲酸乙烯酯、乙二醇苯醚丙烯酸酯、丙烯酸苯氧基丙基酯、丙烯酸-2-(4-苯甲酰基-3-羥基苯氧基)乙基酯、丙烯酸-2-羥基-3-苯氧基丙基酯、甲基丙烯酸苯酯、9-乙烯基蒽、2-乙烯基萘、N-乙烯基鄰苯二甲酰亞胺、N-(3-羥基)苯基甲基丙烯酰胺、N-(3-羥基-4-羥基羰基苯基偶氮)苯基甲基丙烯酰胺、N-(3-羥基-4-乙氧基羰基苯基偶氮)苯基甲基丙烯酰胺、N-(2，4-二硝基苯基氨基苯基)馬來酰亞胺、3-(4-乙酰氨基苯基)偶氮-4-羥基苯乙烯、甲基丙烯酸-3-(4-乙氧基羰基苯基)偶氮-乙酰乙酰氧基乙基酯、甲基丙烯酸-3-(4-羥基苯基)偶氮-乙酰乙酰氧基乙基酯，和甲基丙烯酸-3-(4-磺苯基)偶氮乙酰乙酰氧基乙基酯的硫酸四氫銨鹽。
14.權利要求1的抗反射組合物，其中該抗反射組合物是可交聯(lián)的組合物。
15.權利要求1的抗反射組合物，其中該抗反射組合物是非可交聯(lián)的組合物。
16.權利要求1的抗反射組合物，其中該組合物的固含量為最高至8％固體分。
17.權利要求1的抗反射組合物，其中曝光波長為約145nm-450nm。
18.權利要求17的抗反射組合物，其中波長選自365nm、248nm、193nm和157nm。
19.權利要求1的抗反射組合物，其中顯影劑是氫氧化四甲基銨的水溶液。
全文摘要
本發(fā)明公開一種在襯底上形成圖像的方法，其包括以下步驟(a)在襯底上涂覆第一層輻射敏感性抗反射組合物；(b)將第二層光刻膠組合物涂覆到第一層抗反射組合物上；(c)選擇性地將得自步驟(b)的涂覆襯底在光化輻射下曝光；和(d)將得自步驟(c)的經(jīng)曝光的涂覆襯底顯影以形成圖像；其中，將光刻膠組合物和抗反射組合物都在步驟(c)中曝光；使用單一的顯影劑在步驟(d)中將兩者都顯影；其中步驟(a)的抗反射組合物是第一最小值底部抗反射涂層(B.A.R.C.)組合物，具有的固含量最高至約8％固體分，并且涂覆襯底的最大涂層厚度為[λ/2n]，其中λ為步驟(c)中光化輻射的波長，且n為B.A.R.C.組合物的折射率。
文檔編號G03F7/09GK101034259SQ200710101248
公開日2007年9月12日 申請日期2003年1月3日 優(yōu)先權日2002年1月9日
發(fā)明者M·O·尼瑟爾, J·E·奧伯蘭德, M·A·圖卡伊, R·薩卡穆里, 李丁術季 申請人:Az電子材料日本株式會社