專利名稱：基板處理方法、基板處理系統(tǒng)以及基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及將基板處理裝置與曝光裝置連接而成的基板處理系統(tǒng)、使用該系統(tǒng)的基板處理方法、以及在該系統(tǒng)中使用的基板處理裝置，其中該基板處理裝置是對(duì)半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盤用基板等(以下簡(jiǎn)稱為“基板”)進(jìn)行抗蝕劑涂布處理和顯影處理的裝置，而該曝光裝置是對(duì)涂布了抗蝕劑的基板進(jìn)行曝光處理的裝置。
背景技術(shù)：
眾所周知，半導(dǎo)體和液晶顯示器等產(chǎn)品，是通過對(duì)上述基板實(shí)施清洗、抗蝕劑涂布、曝光、顯影、蝕刻、層間絕緣膜的形成、熱處理、切割等一系列處理而制造出來(lái)的。在這些處理中，曝光處理是將標(biāo)線(reticle) (用于印相的掩模)的圖案轉(zhuǎn)印到涂布了抗蝕劑的基板上的處理、即成為所謂的光刻處理的核心的處理。通常，由于圖案非常微細(xì)，所以不會(huì)對(duì)基板整個(gè)表面統(tǒng)一進(jìn)行曝光，而會(huì)分為數(shù)片，反復(fù)進(jìn)行曝光，也就是進(jìn)行所謂的分級(jí)曝光。
另一方面，近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體器件等急速地高密度化，要求掩模圖案進(jìn)一步微細(xì)化也越來(lái)越強(qiáng)烈。因此，作為進(jìn)行曝光處理的曝光裝置的光源，取代以往的紫外線燈，波長(zhǎng)相對(duì)較短的、稱為KrF準(zhǔn)分子激光光源或者ArF準(zhǔn)分子激光光源的遠(yuǎn)紫外線光源(Deep UV)占據(jù)著主流。但是，對(duì)于現(xiàn)在的進(jìn)一步的微細(xì)化要求，甚至ArF準(zhǔn)分子激光光源也不能夠滿足要求。為了對(duì)此進(jìn)行應(yīng)對(duì)，考慮過在曝光裝置中采用波長(zhǎng)更短的光源、例如F2激光光源，但是，作為能夠降低成本方面的負(fù)擔(dān)并能夠使圖案進(jìn)一步微細(xì)化的曝光技術(shù)而提出有液浸(immersion)曝光處理法(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
液浸曝光處理法是這樣的技術(shù)通過在使投影光學(xué)系統(tǒng)與基板之間充滿折射率n大于大氣(n＝1)的液體(例如，n＝1.44的純水)的狀態(tài)下進(jìn)行“液浸曝光”，從而增大開口數(shù)(numerical aperture)而使析像度提高。根據(jù)該液浸曝光處理法，即使直接挪用現(xiàn)有的ArF準(zhǔn)分子激光光源(波長(zhǎng)193nm)，也能夠使其等效波長(zhǎng)為134nm，從而能夠抑制成本負(fù)擔(dān)增加的同時(shí)，使抗蝕劑掩模圖案微細(xì)化。
與現(xiàn)有的干式曝光相同，在這種液浸曝光處理法中，使掩模圖案圖像與基板上的曝光區(qū)域正確地對(duì)準(zhǔn)也很重要。因此，在與液浸曝光處理法對(duì)應(yīng)的曝光裝置中也進(jìn)行校準(zhǔn)(alignment)處理，該校準(zhǔn)處理是對(duì)基板載物臺(tái)的位置和標(biāo)線位置進(jìn)行校正而調(diào)節(jié)圖案圖像的曝光位置的處理。但是，由于在對(duì)應(yīng)于液浸曝光處理法的曝光裝置中，可能會(huì)在校準(zhǔn)處理時(shí)因液體(液浸液體)侵入到基板載物臺(tái)內(nèi)部而產(chǎn)生不良，因此在專利文獻(xiàn)2中公開了在基板載物臺(tái)上配置仿真(dummy)基板來(lái)進(jìn)行校準(zhǔn)處理的方法。這樣一來(lái)，與通常的曝光處理時(shí)相同，由于載物臺(tái)凹部由仿真基板堵住，所以能夠防止液體侵入到載物臺(tái)內(nèi)部。
專利文獻(xiàn)1國(guó)際公開99/49504號(hào)手冊(cè)，專利文獻(xiàn)2JP特開2005-268747號(hào)公報(bào)。
但是，在使用了如專利文獻(xiàn)2中所述那樣的仿真基板的校準(zhǔn)處理中，當(dāng)仿真基板本身的背面被污染時(shí)，該污染有可能會(huì)轉(zhuǎn)印到載物臺(tái)凹部上。當(dāng)在曝光裝置的載物臺(tái)凹部上附著了顆粒等而被污染時(shí)，不僅該顆粒會(huì)附著在處理對(duì)象基板上，而且也有可能在曝光處理時(shí)基板的高度位置會(huì)發(fā)生微妙的偏差而影響正確的圖案曝光。
此外，在曝光裝置的載物臺(tái)被污染的情況下，需要對(duì)載物臺(tái)自身進(jìn)行清掃。但是，不停止曝光裝置而對(duì)載物臺(tái)進(jìn)行清掃并不容易。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述情況而做出的，其目的在于提供一種能夠降低曝光裝置內(nèi)的載物臺(tái)等機(jī)構(gòu)的污染的基板處理技術(shù)。
此外，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠容易地清掃曝光裝置內(nèi)的載物臺(tái)的污染的基板處理技術(shù)。
為了解決上述課題，本發(fā)明的第一方案是一種基板處理方法，將在基板處理裝置中進(jìn)行了抗蝕劑涂布處理后的基板搬送到曝光裝置中而進(jìn)行圖案曝光之后，使該基板返回到所述基板處理裝置而進(jìn)行顯影處理，其特征在于，該方法包括送出工序，將仿真基板搬送到所述基板處理裝置中，其中所述仿真基板在所述曝光裝置內(nèi)用于調(diào)整圖案圖像的曝光位置，第一反轉(zhuǎn)工序，在所述基板處理裝置內(nèi)，以使所述仿真基板的背面成為上表面的方式反轉(zhuǎn)所述仿真基板，清洗工序，在所述基板處理裝置內(nèi)對(duì)所述仿真基板的背面進(jìn)行清洗，第二反轉(zhuǎn)工序，在所述基板處理裝置內(nèi)，以使背面清洗后的所述仿真基板的背面成為下表面的方式反轉(zhuǎn)所述仿真基板，歸還工序，將清洗后的所述仿真基板搬送到所述曝光裝置中。
此外，本發(fā)明的第二方案是如第一方案所述的基板處理方法，其特征在于，所述清洗工序是在所述曝光裝置內(nèi)對(duì)曝光位置進(jìn)行調(diào)整之前和/或之后執(zhí)行。
此外，本發(fā)明的第三方案是如第一方案或第二方案所述的基板處理方法，其特征在于，定期地執(zhí)行所述清洗工序。
此外，本發(fā)明的第四方案是如第一～第三方案的任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，該方法還包括在所述基板處理裝置內(nèi)對(duì)所述仿真基板的表面進(jìn)行清洗的工序。
此外，本發(fā)明第五方案是一種基板處理方法，將在基板處理裝置中進(jìn)行了抗蝕劑涂布處理的基板搬送到曝光裝置中而進(jìn)行圖案曝光之后，使該基板返回到所述基板處理裝置而進(jìn)行顯影處理，其特征在于，該方法包括送出工序，將清潔基板搬送到所述基板處理裝置中，其中，所述清潔基板在所述曝光裝置內(nèi)用于清潔承載基板的載物臺(tái)，第一反轉(zhuǎn)工序，在所述基板處理裝置內(nèi)，以使所述清潔基板的背面成為上表面的方式反轉(zhuǎn)所述清潔基板，清洗工序，在所述基板處理裝置內(nèi)對(duì)所述清潔基板的背面進(jìn)行清洗，第二反轉(zhuǎn)工序，在使所述基板處理裝置內(nèi)，以背面清洗后的所清潔基板的背面成為下表面的方式反轉(zhuǎn)所述清潔基板，歸還工序，將清洗后的所述清潔基板搬送到所述曝光裝置中。
此外，本發(fā)明第六方案是一種基板處理系統(tǒng)，其由基板處理裝置和曝光裝置連接而成，其中該基板處理裝置對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑涂布處理和顯影處理，該曝光裝置對(duì)涂布了抗蝕劑的基板進(jìn)行曝光處理，其特征在于，所述曝光裝置包括存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)仿真基板，所述仿真基板用于調(diào)整圖案圖像的曝光位置；第一搬送裝置，其在所述存儲(chǔ)部與所述基板處理裝置之間搬送仿真基板，所述基板處理裝置包括反轉(zhuǎn)部，其使仿真基板的上下表面反轉(zhuǎn)；背面清洗部，其對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗；第二搬送裝置，其在所述第一搬送裝置與所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部之間搬送仿真基板。
此外，本發(fā)明的第七方案是如第六方案所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述基板處理裝置還包括對(duì)仿真基板的表面進(jìn)行清洗的表面清洗部，所述第二搬送裝置，在所述第一搬送裝置與所述反轉(zhuǎn)部、所述表面清洗部以及所述背面清洗部之間搬送仿真基板。
此外，本發(fā)明的第八方案是如第六方案或者第七方案所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述曝光裝置還包括清洗請(qǐng)求部，該清洗請(qǐng)求部向所述基板處理裝置發(fā)送對(duì)仿真基板的清洗請(qǐng)求信號(hào)，所述基板處理裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部接收所述清洗請(qǐng)求部的清洗請(qǐng)求信號(hào)，對(duì)所述第二搬送裝置、所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理。
此外，本發(fā)明的第九方案是如第六方案或者第七方案所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述基板處理裝置還包括搬出請(qǐng)求部，該搬出請(qǐng)求部向所述曝光裝置發(fā)送請(qǐng)求搬出仿真基板的搬出請(qǐng)求信號(hào)，所述曝光裝置還包括搬送控制部，該搬送控制部接收所述搬出請(qǐng)求部的搬出請(qǐng)求信號(hào)時(shí)，對(duì)所述第一搬送裝置進(jìn)行控制而將仿真基板搬送到所述基板處理裝置中。
此外，本發(fā)明的第十方案是如第六方案或者第七方案所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)還包括主計(jì)算機(jī)，該主計(jì)算機(jī)對(duì)所述基板處理裝置以及所述曝光裝置進(jìn)行管理，所述曝光裝置還包括搬送控制部，該搬送控制部接收所述主計(jì)算機(jī)的清洗開始信號(hào)，對(duì)所述第一搬送裝置進(jìn)行控制而將仿真基板搬送到所述基板處理裝置中，所述基板處理裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部接收所述主計(jì)算機(jī)的清洗開始信號(hào)，對(duì)所述第二搬送裝置、所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理。
此外，本發(fā)明的第十一方案是如第六方案或者第七方案所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)還包括主計(jì)算機(jī)，該主計(jì)算機(jī)對(duì)所述基板處理裝置以及所述曝光裝置進(jìn)行管理，所述曝光裝置還包括搬送控制部，該搬送控制部對(duì)所述第一搬送裝置進(jìn)行控制而將仿真基板搬送到所述基板處理裝置中，所述基板處理裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部對(duì)所述第二搬送裝置、所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板進(jìn)行背面清洗處理，該系統(tǒng)包括有計(jì)劃管理部，該計(jì)劃管理部使所述搬送控制部以及所述清洗控制部定期地執(zhí)行仿真基板的背面清洗處理。
此外，本發(fā)明第十二方案是一種基板處理系統(tǒng)，其由基板處理裝置與曝光裝置連接而成，該基板處理裝置對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑涂布處理和顯影處理，該曝光裝置對(duì)涂布了抗蝕劑的基板進(jìn)行曝光處理，其特征在于，所述曝光裝置包括載物臺(tái)，其在曝光處理時(shí)對(duì)基板進(jìn)行承載；存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)清潔基板，該清潔基板用于清潔所述載物臺(tái)；第一搬送裝置，其在所述存儲(chǔ)部與所述基板處理裝置之間搬送清潔基板，所述基板處理裝置包括反轉(zhuǎn)部，其使清潔基板的上下表面反轉(zhuǎn)；背面清洗部，其對(duì)清潔基板的背面進(jìn)行清洗；第二搬送裝置，其在所述第一搬送裝置與所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部之間搬送清潔基板。
此外，本發(fā)明的第十三方案是一種基板處理裝置，與對(duì)基板進(jìn)行曝光處理的曝光裝置相鄰配置，對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑涂布處理和顯影處理，其特征在于，該裝置包括背面清洗部，其對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗，該仿真基板在所述曝光裝置內(nèi)用于調(diào)整圖案圖像的曝光位置；反轉(zhuǎn)部，其使仿真基板的上下表面反轉(zhuǎn)；搬送裝置，其在所述曝光裝置與所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部之間搬送仿真基板。
此外，本發(fā)明的第十四方案是如第十三方案所述的基板處理裝置，其特征在于，該裝置還包括對(duì)仿真基板的表面進(jìn)行清洗的表面清洗部，所述搬送裝置在所述曝光裝置與所述反轉(zhuǎn)部、所述表面清洗部以及所述背面清洗部之間搬送仿真基板。
此外，本發(fā)明的第十五方案是如第十三方案或者第十四方案所述的基板處理裝置，其特征在于，該裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部接收曝光裝置發(fā)出的對(duì)仿真基板進(jìn)行清洗的請(qǐng)求，對(duì)所述搬送裝置、所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理。
此外，本發(fā)明的第十六方案是如第十三方案或者第十四方案所述的基板處理裝置，其特征在于，該裝置還包括搬送請(qǐng)求部，該搬送請(qǐng)求部向所述曝光裝置發(fā)送請(qǐng)求搬出仿真基板的搬出請(qǐng)求信號(hào)。
此外，本發(fā)明的第十七方案是如第十六方案所述的基板處理裝置，其特征在于，該裝置還包括計(jì)劃管理部，該計(jì)劃管理部使所述搬出請(qǐng)求部定期地發(fā)送搬出請(qǐng)求信號(hào)。
此外，本發(fā)明的第十八方案是一種基板處理裝置，與對(duì)基板進(jìn)行曝光處理的曝光裝置相鄰配置，對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑涂布處理和顯影處理，其特征在于，該裝置包括背面清洗部，其對(duì)清潔基板的背面進(jìn)行清洗，該清潔基板在所述曝光裝置內(nèi)用于清潔承載基板的載物臺(tái)；反轉(zhuǎn)部，其使清潔基板的上下表面反轉(zhuǎn)；搬送裝置，其在所述曝光裝置與所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部之間搬送清潔基板。
根據(jù)本發(fā)明的第一方案，將在曝光裝置內(nèi)調(diào)整圖案圖像的曝光位置時(shí)所使用的仿真基板搬送到基板處理裝置中并對(duì)該基板的背面清洗之后，將背面被清洗了的仿真基板搬送到曝光裝置中，因此能夠用從背面除去了污染物質(zhì)的清潔的仿真基板調(diào)整曝光位置，而能夠降低曝光裝置內(nèi)的載物臺(tái)等機(jī)構(gòu)的污染。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第二方案，由于清洗工序在上述曝光裝置內(nèi)調(diào)整曝光裝置之前以及之后執(zhí)行，因此能夠用清洗后的背面清潔的仿真基板調(diào)整曝光位置，以及/或者，在調(diào)整曝光位置中附著了液滴的情況下，在液滴干燥之前也能夠清洗仿真基板。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第三方案，由于定期地執(zhí)行清洗工序，因此能夠維持曝光裝置內(nèi)的機(jī)構(gòu)的污染降低的狀態(tài)。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第四方案，由于也清洗仿真基板的表面，所以能夠更可靠地降低曝光裝置內(nèi)的機(jī)構(gòu)的污染。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第五方案，由于將對(duì)在曝光裝置內(nèi)承載基板的載物臺(tái)清潔時(shí)使用的清潔基板搬送到基板處理裝置中，并對(duì)其背面清洗之后，將背面被清洗的清潔基板搬送到曝光裝置中，因此能夠用從背面除去了污染的干凈的清潔基板清潔載物臺(tái)，而能夠容易地清掃曝光裝置內(nèi)的載物臺(tái)的污染。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第六方案，由于曝光裝置包括存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)仿真基板，仿真基板在調(diào)整圖案圖像的曝光位置時(shí)使用；第一搬送裝置，其在存儲(chǔ)部與基板處理裝置之間搬送仿真基板，基板處理裝置包括反轉(zhuǎn)部，其使仿真基板的上下表面反轉(zhuǎn)；背面清洗部，其對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗；第二搬送裝置，其在第一搬送裝置與反轉(zhuǎn)部以及背面清洗部之間搬送仿真基板，因此能夠用從背面除去了污染物質(zhì)的干凈的仿真基板調(diào)整曝光位置，而能夠降低曝光裝置內(nèi)的載物臺(tái)等機(jī)構(gòu)的污染。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第七方案，由于還包括對(duì)仿真基板的表面進(jìn)行清洗的表面清洗部，所以能夠更可靠地降低曝光裝置內(nèi)機(jī)構(gòu)的污染。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第八方案，曝光裝置還包括清洗請(qǐng)求部，該清洗請(qǐng)求部向基板處理裝置發(fā)送對(duì)仿真基板的清洗請(qǐng)求信號(hào)，基板處理裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部在從清洗請(qǐng)求部接收到清洗請(qǐng)求信號(hào)時(shí)，對(duì)第二搬送裝置、反轉(zhuǎn)部以及背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理，因此能夠根據(jù)來(lái)自曝光裝置側(cè)的清洗請(qǐng)求而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第九方案，基板處理裝置還包括搬出請(qǐng)求部，該搬出請(qǐng)求部向曝光裝置發(fā)送請(qǐng)求搬出仿真基板的搬出請(qǐng)求信號(hào)，曝光裝置還包括搬送控制部，該搬送控制部在從搬出請(qǐng)求部接收到搬出請(qǐng)求信號(hào)時(shí)，以將仿真基板搬送到所述基板處理裝置中的方式對(duì)第一搬送裝置進(jìn)行控制，因此能夠根據(jù)來(lái)自基板處理裝置側(cè)的清洗請(qǐng)求而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第十方案，曝光裝置還包括搬送控制部，該搬送控制部在從主計(jì)算機(jī)接收到清洗開始信號(hào)時(shí)，以將仿真基板搬送到基板處理裝置中的方式對(duì)第一搬送裝置進(jìn)行控制，基板處理裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部在從主計(jì)算機(jī)接收到清洗開始信號(hào)時(shí)，對(duì)第二搬送裝置、反轉(zhuǎn)部以及背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理，因此能夠根據(jù)來(lái)自主計(jì)算機(jī)側(cè)的清洗請(qǐng)求來(lái)進(jìn)行仿真基板的背面清洗處理。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第十一方案，由于包括定期地對(duì)仿真基板的背面執(zhí)行清洗處理的計(jì)劃管理部，因此能夠維持曝光裝置內(nèi)機(jī)構(gòu)的污染降低。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第十二方案，曝光裝置包括載物臺(tái)，其在曝光處理時(shí)對(duì)基板進(jìn)行承載；存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)清潔基板，該清潔基板在對(duì)所述載物臺(tái)進(jìn)行清潔時(shí)使用；第一搬送裝置，其在存儲(chǔ)部與基板處理裝置之間搬送清潔基板，基板處理裝置包括反轉(zhuǎn)部，其使清潔基板的上下表面反轉(zhuǎn)；背面清洗部，其對(duì)清潔基板的背面進(jìn)行清洗；第二搬送裝置，其在第一搬送裝置與反轉(zhuǎn)部以及背面清洗部之間搬送清潔基板，因此能用從背面除去了污染物質(zhì)的干凈的基板清潔載物臺(tái)，并能降低曝光裝置內(nèi)的載物臺(tái)等機(jī)構(gòu)的污染。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第十三方案，包括背面清洗部，其對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗，該仿真基板在曝光裝置內(nèi)對(duì)圖案圖像的曝光位置進(jìn)行調(diào)整時(shí)使用；反轉(zhuǎn)部，其使仿真基板的上下表面反轉(zhuǎn)；搬送裝置，其在曝光裝置與反轉(zhuǎn)部以及背面清洗部之間搬送仿真基板，因此能夠用從背面除去了污染物質(zhì)的干凈的基板調(diào)整曝光位置，而能夠降低曝光裝置內(nèi)的載物臺(tái)等機(jī)構(gòu)的污染。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第十四方案，還包括對(duì)仿真基板的表面進(jìn)行清洗的表面清洗部，所以能夠更可靠地降低曝光裝置內(nèi)機(jī)構(gòu)的污染。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第十五方案，該裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部在從曝光裝置接收到仿真基板的清洗請(qǐng)求時(shí)，對(duì)搬送裝置、反轉(zhuǎn)部以及背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理，因此能夠根據(jù)來(lái)自曝光裝置的清洗請(qǐng)求來(lái)進(jìn)行仿真基板的背面清洗處理。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第十六方案，還包括向曝光裝置發(fā)送請(qǐng)求搬出仿真基板的搬出請(qǐng)求信號(hào)的搬送請(qǐng)求部，因此能夠根據(jù)來(lái)自基板處理裝置側(cè)的清洗請(qǐng)求而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第十七方案，還包括使搬出請(qǐng)求部定期地發(fā)送搬送請(qǐng)求信號(hào)的計(jì)劃管理部，因此能夠降低曝光裝置內(nèi)的機(jī)構(gòu)的污染。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第十八方案，該裝置包括背面清洗部，其對(duì)清潔基板的背面進(jìn)行清洗，該清潔基板在曝光裝置內(nèi)對(duì)承載基板的載物臺(tái)進(jìn)行清潔時(shí)使用；反轉(zhuǎn)部，其使清潔基板的上下表面反轉(zhuǎn)；搬送裝置，其在曝光裝置與反轉(zhuǎn)部以及背面清洗部之間搬送清潔基板，因此能夠用從背面除去了污染物質(zhì)的干凈的清潔基板對(duì)載物臺(tái)清潔，而能夠容易地清掃曝光裝置內(nèi)的載物臺(tái)的污染。


圖1是本發(fā)明的基板處理裝置的俯視圖。
圖2是基板處理裝置的液處理部的主視圖。
圖3是基板處理裝置的熱處理部的主視圖。
圖4是表示基板承載部的周邊結(jié)構(gòu)的圖。
圖5A、圖5B是用于說(shuō)明搬送機(jī)械手的圖。
圖6是用于說(shuō)明表面清洗處理單元的結(jié)構(gòu)的圖。
圖7是用于說(shuō)明背面清洗處理單元的結(jié)構(gòu)的圖。
圖8A、圖8B是表示帶有基板暫置部的加熱部的概略結(jié)構(gòu)的圖。
圖9是表示接口區(qū)的側(cè)視圖。
圖10是表示反轉(zhuǎn)單元的主要部分結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖11是反轉(zhuǎn)單元的概略主視圖。
圖12A、圖12B是表示保持臂的圖。
圖13是示意性地表示保持臂進(jìn)入各搬送對(duì)象部時(shí)的狀態(tài)的圖。
圖14是表示與基板處理裝置相鄰連接的曝光單元的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖15是表示基板處理系統(tǒng)的控制機(jī)構(gòu)的概略的框圖。
圖16是表示在基板處理系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)的功能處理部的功能框圖。
圖17是表示仿真基板的清洗順序的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1是本發(fā)明的基板處理裝置的俯視圖。此外，圖2是基板處理裝置的液處理部的主視圖。圖3是熱處理部的主視圖。圖4是表示基板承載部的周邊結(jié)構(gòu)的圖。另外，在圖1以及以后的各圖中，為了明確它們的方向關(guān)系，建立將Z軸方向作為鉛垂方向、將XY平面作為水平面的XYZ垂直坐標(biāo)系。
基板處理裝置SP是在半導(dǎo)體晶片等基板上涂布形成反射防止膜或光致抗蝕膜、并對(duì)圖案曝光后的基板進(jìn)行顯影處理的裝置(所謂的涂布機(jī)、顯影機(jī))。另外，成為本發(fā)明基板處理裝置的處理對(duì)象的基板并不僅限于半導(dǎo)體晶片，也可以是液晶顯示裝置用的玻璃基板等。
本實(shí)施方式的基板處理裝置SP由并列設(shè)置的五個(gè)處理區(qū)構(gòu)成，即分度器區(qū)1、剝離(bark)區(qū)2、抗蝕劑涂布區(qū)3、顯影處理區(qū)4以及接口區(qū)5。在接口區(qū)5連接配置有曝光單元(stepper步進(jìn)曝光裝置)EXP，該曝光單元EXP對(duì)涂布了抗蝕劑的基板進(jìn)行曝光處理。也就是說(shuō)，基板處理裝置SP與曝光單元EXP相鄰配置。此外，本實(shí)施方式的基板處理裝置SP以及曝光單元EXP經(jīng)由主計(jì)算機(jī)100和LAN線路而相連。
分度器區(qū)1是處理區(qū)，其用于將從裝置外接受到的待處理基板送到剝離區(qū)2和抗蝕劑涂布區(qū)3，并且將從顯影處理區(qū)4接受到的處理結(jié)束的基板搬出到裝置外。分度器區(qū)1包括承載臺(tái)11，其并排放置有多個(gè)運(yùn)載器C(在本實(shí)施方式中為4個(gè))；基板移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)12，其從各運(yùn)載器C取出待處理基板W，并且，將處理結(jié)束的基板W容置在各運(yùn)載器C中?；逡苿?dòng)承載機(jī)構(gòu)12具有能夠沿著承載臺(tái)11(沿Y軸方向)水平移動(dòng)的可動(dòng)臺(tái)12a，并在該可動(dòng)臺(tái)12a上安裝有將基板W以水平姿勢(shì)進(jìn)行保持的保持臂12b。保持臂12b能夠在可動(dòng)臺(tái)12a上進(jìn)行升降(Z軸方向)移動(dòng)、水平面內(nèi)的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)、以及旋轉(zhuǎn)半徑方向上的進(jìn)退移動(dòng)。由此，基板移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)12能夠使保持臂12b進(jìn)入各運(yùn)載器C而取出待處理的基板W和容置處理結(jié)束的基板W。另外，作為運(yùn)載器C的形式，除了將基板W容置在密閉空間中的FOUP(front opening unified pod前開式標(biāo)準(zhǔn)箱)之外，也可以是SMIF(standardmechanical inter face標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面)盒或者將容置基板W暴露在外部氣體中的OC(open cassette開放式盒子)。
剝離區(qū)2與分度器區(qū)1相鄰設(shè)置。在分度器區(qū)1與剝離區(qū)2之間設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁13。為了在分度器區(qū)1和剝離區(qū)2之間交接基板W，而在該隔斷壁13上上下層疊地設(shè)置有對(duì)基板W進(jìn)行承載的兩個(gè)基板承載部PASS1、PASS2。
上側(cè)的基板承載部PASS1用于將基板W從分度器區(qū)1向剝離區(qū)2搬送?；宄休d部PASS1具有3根支撐銷，分度器區(qū)1的基板移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)12將從運(yùn)載器C取出的待處理的基板W放置在基板承載部PASS1的3根支撐銷上。然后，后述的剝離區(qū)2的搬送機(jī)械手TR1接受在基板承載部PASS1上放置著的基板W。另一方面，下側(cè)的基板承載部PASS2用于將基板W從剝離區(qū)2向分度器區(qū)1搬送?；宄休d部PASS2也具有3根支撐銷，并且，剝離區(qū)2的搬送機(jī)械手TR1將處理結(jié)束的基板W放置在基板承載部PASS2的3根支撐銷上。然后，基板移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)12接受在基板承載部PASS2上放置的基板W并將其容置在運(yùn)載器C中。另外，后述的基板承載部PASS3～PASS10的結(jié)構(gòu)也與基板承載部PASS1、PASS2相同。
基板承載部PASS1、PASS2局部地貫通設(shè)置在隔斷壁13的一部分上。此外，在基板承載部PASS1、PASS2設(shè)置有對(duì)基板W的有無(wú)進(jìn)行檢測(cè)的光學(xué)式傳感器(省略圖示)，基于各傳感器的檢測(cè)信號(hào)，判斷基板移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)12和剝離區(qū)的搬送機(jī)械手TR1是否處于能夠向基板承載部PASS1、PASS2交接基板W的狀態(tài)。
接著，對(duì)剝離區(qū)2進(jìn)行說(shuō)明。剝離區(qū)2是處理區(qū)，其用于為了減少曝光時(shí)產(chǎn)生的駐波和光暈而在光致抗蝕膜的基底上涂布形成反射防止膜。剝離區(qū)2具有基底涂布處理部BRC，其用于在基板W的表面上涂布形成反射防止膜；兩個(gè)熱處理塔21、21，其伴隨于反射防止膜的涂布形成而進(jìn)行熱處理；搬送機(jī)械手TR1，其向基底涂布處理部BRC以及兩個(gè)熱處理塔21、21交接基板W。
在剝離區(qū)2中，基底涂布處理部BRC和兩個(gè)熱處理塔21、21隔著搬送機(jī)械手TR1對(duì)置。具體來(lái)說(shuō)，基底涂布處理部BRC位于裝置正面?zhèn)?，兩個(gè)熱處理塔21，21位于裝置背面?zhèn)?。此外，在熱處理?1、21的正面?zhèn)仍O(shè)置有未圖示的熱隔斷壁。通過將基底涂布處理部BRC和熱處理塔21、21分隔開配置并設(shè)置熱隔斷壁，從而可以避免由熱處理塔21、21對(duì)基底涂布處理部BRC帶來(lái)熱影響。
如圖2所示，基底涂布處理部BRC通過從下方開始依次層疊配置具有同樣結(jié)構(gòu)的3個(gè)涂布處理單元BRC1、BRC2、BRC3而構(gòu)成。另外，在沒有對(duì)3個(gè)涂布處理單元BRC1、BRC2、BRC3特別區(qū)分的情況下，將它們統(tǒng)稱為基底涂布處理部BRC。各涂布處理單元BRC1、BRC2、BRC3包括如下機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)卡盤22，其以近似水平姿勢(shì)吸附保持基板W并使其在近似水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)；涂布噴嘴23，其向在該旋轉(zhuǎn)卡盤22上所保持的基板W上噴出反射防止膜用的涂布液；旋轉(zhuǎn)馬達(dá)(圖示省略)，其使旋轉(zhuǎn)卡盤22旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)；以及杯(圖示省略)，其圍繞著在旋轉(zhuǎn)卡盤22上所保持的基板W的周圍。
如圖3所示，在與分度器區(qū)1接近一側(cè)的熱處理塔21上設(shè)置有6個(gè)加熱板HP1～HP6，其將基板W加熱到給定的溫度；冷卻板CP1～CP3，其對(duì)被加熱過的基板W進(jìn)行冷卻而使其下降到給定的溫度，并且，將基板W維持在該給定的溫度上。在該熱處理塔21上從下方開始依次層疊配置有冷卻板CP1～CP3、加熱板HP1～HP6。另一方面，在遠(yuǎn)離分度器區(qū)1一側(cè)的熱處理塔21上，為了提高抗蝕膜與基板W的粘合性，而從下方依次開始層疊配置有3個(gè)粘合強(qiáng)化處理部AHL1～AHL3，該粘合強(qiáng)化處理部AHL1～AHL3在HMDS(Hexamethyldisilazane六甲基二硅氮烷)的蒸氣環(huán)境中對(duì)基板W進(jìn)行熱處理。另外，在圖3中，在用“×”標(biāo)記表示的位置上分配著配管配線部和備用的空置空間。
這樣，通過對(duì)涂布處理單元BRC1～BRC3和熱處理單元(在剝離區(qū)2中為加熱板HP1～HP6、冷卻板CP1～CP3、粘合強(qiáng)化處理部AHL1～AHL3)進(jìn)行多級(jí)層疊配置，由此能夠縮小基板處理裝置的占有空間并削減占用面積。此外，還具有這樣的優(yōu)點(diǎn)通過并排地設(shè)置兩個(gè)熱處理塔21、21，而使熱處理單元的維護(hù)變得容易，并且，不需要將在熱處理單元中必需的管道配管和供電設(shè)備拉伸到太高的位置上。
圖5A、圖5B是用于說(shuō)明在剝離區(qū)2中設(shè)置的搬送機(jī)械手TR1的圖。圖5A是搬送機(jī)械手TR1的俯視圖，圖5B是搬送機(jī)械手TR1的主視圖。搬送機(jī)械手TR1具備上下接近的將基板W以近似水平姿勢(shì)進(jìn)行保持的兩個(gè)保持臂6a、6b。保持臂6a、6b的前端部在俯視狀態(tài)下呈“C”字形狀，保持臂6a、6b利用多根銷7從下方支撐基板W的周邊，多根銷7從該“C”字形狀的臂的內(nèi)側(cè)向內(nèi)部突出。
搬送機(jī)械手TR1的基臺(tái)8固定設(shè)置在裝置基臺(tái)(裝置框體)上。在該基臺(tái)8上，豎立設(shè)置有導(dǎo)向軸9c，并且，豎立設(shè)置并支撐有能夠旋轉(zhuǎn)的螺桿軸9a。此外，在基臺(tái)8上固定設(shè)置有對(duì)螺桿軸9a進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的馬達(dá)9b。并且，在螺桿軸9a上螺合有升降臺(tái)10a，升降臺(tái)10a相對(duì)導(dǎo)向軸9c能夠自由滑動(dòng)。利用這樣的結(jié)構(gòu)，通過馬達(dá)9b旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)螺桿軸9a，從而升降臺(tái)10a被導(dǎo)向軸9c引導(dǎo)而在鉛垂方向(Z方向)上進(jìn)行升降移動(dòng)。
此外，在升降臺(tái)10a上安裝有臂基臺(tái)10b，該臂基臺(tái)10b圍繞沿鉛垂方向的軸心能夠自由旋轉(zhuǎn)。在升降臺(tái)10a中內(nèi)置有對(duì)臂基臺(tái)10b進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的馬達(dá)10c。并且，在該臂基臺(tái)10b上，上下配置有上述的兩個(gè)保持臂6a、6b。各保持臂6a、6b，通過設(shè)置在臂基臺(tái)10b上的滑動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(圖示省略)，而能夠分別獨(dú)立地在水平方向(臂基臺(tái)10b的旋轉(zhuǎn)半徑方向)進(jìn)行進(jìn)退移動(dòng)。
利用這樣的結(jié)構(gòu)，如圖5A所示，搬送機(jī)械手TR1能夠使兩個(gè)保持臂6a、6b分別單獨(dú)地進(jìn)入基板承載部PASS1、PASS2、在熱處理塔21中設(shè)置的熱處理單元、在基底涂布處理部BRC上設(shè)置的涂布處理單元以及后述的基板承載部PASS3、PASS4，并且能夠在和它們之間進(jìn)行基板W的交接。
接著，對(duì)抗蝕劑涂布區(qū)3進(jìn)行說(shuō)明。以?shī)A在剝離區(qū)2與顯影處理區(qū)4之間的方式設(shè)置有抗蝕劑涂布區(qū)3。在該抗蝕劑涂布區(qū)3與剝離區(qū)2之間還設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁25。為了在剝離區(qū)2與抗蝕劑涂布區(qū)3之間交接基板W，而在該隔斷壁25上上下層疊設(shè)置有對(duì)基板W進(jìn)行承載的兩個(gè)基板承載部PASS3、PASS4?；宄休d部PASS3、PASS4也具有與基板承載部PASS1、PASS2相同的結(jié)構(gòu)。
上側(cè)的基板承載部PASS3用于將基板W從剝離區(qū)2向抗蝕劑涂布區(qū)3搬送。即，抗蝕劑涂布區(qū)3的搬送機(jī)械手TR2接受剝離區(qū)2的搬送機(jī)械手TR1放置在基板承載部PASS3上的基板W。另一方面，下側(cè)的基板承載部PASS4用于將基板W從抗蝕劑涂布區(qū)3向剝離區(qū)2搬送。即，剝離區(qū)2的搬送機(jī)械手TR1接受抗蝕劑涂布區(qū)3的搬送機(jī)械手TR2放置在基板承載部PASS4上的基板W。
基板承載部PASS3、PASS4局部貫通設(shè)置在隔斷壁25的一部分上。此外，在基板承載部PASS3、PASS4上設(shè)置有對(duì)基板W的有無(wú)進(jìn)行檢測(cè)的光學(xué)式傳感器(省略圖示)，基于各傳感器的檢測(cè)信號(hào)，判斷搬送機(jī)械手TR1、TR2是否處于能夠向基板承載部PASS3、PASS4交接基板W的狀態(tài)。并且，在基板承載部PASS3、PASS4的下側(cè)，貫通隔斷壁25而上下設(shè)置有水冷式的兩個(gè)冷卻板WCP(參照?qǐng)D4)，兩個(gè)冷卻板WCP用于粗略地對(duì)基板W進(jìn)行冷卻。
抗蝕劑涂布區(qū)3是處理區(qū)，其向在剝離區(qū)2中涂布形成了反射防止膜的基板W上涂布抗蝕劑而形成抗蝕膜。另外，在本實(shí)施方式中，作為光致抗蝕膜而使用化學(xué)增幅型抗蝕劑?？刮g劑涂布區(qū)3具有抗蝕劑涂布處理部SC，其在基底涂布了的反射防止膜之上涂布抗蝕劑；兩個(gè)熱處理塔31、31，其伴隨于抗蝕劑涂布處理而進(jìn)行熱處理；搬送機(jī)械手TR2，其向抗蝕劑涂布處理部SC和熱處理塔31、31交接基板W。
在抗蝕劑涂布區(qū)3中，抗蝕劑涂布處理部SC和熱處理塔31、31隔著搬送機(jī)械手TR2對(duì)置。具體來(lái)說(shuō)，抗蝕劑涂布處理部SC位于裝置正面?zhèn)龋瑑蓚€(gè)熱處理塔31、31位于裝置背面?zhèn)?。此外，在熱處理?1、31的正面?zhèn)仍O(shè)置有未圖示的熱隔斷壁。通過將抗蝕劑涂布處理部SC和熱處理塔31、31分隔開配置并設(shè)置熱隔斷壁，從而可以避免由熱處理塔31、31對(duì)抗蝕劑涂布處理部SC帶來(lái)熱影響。
如圖2所示，抗蝕劑涂布處理部SC，從下方開始依次層疊配置具有同樣結(jié)構(gòu)的3個(gè)涂布處理單元SC1、SC2、SC3。另外，在對(duì)3個(gè)涂布處理單元SC1、SC2、SC3沒有特別區(qū)分的情況下，將它們統(tǒng)稱為抗蝕劑涂布處理部SC。各涂布處理部SC1、SC2、SC3具有如下機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)卡盤32，其以近似水平姿勢(shì)吸附保持基板W并使其在近似水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)；涂布噴嘴33，在向在該旋轉(zhuǎn)卡盤32上所保持的基板W上噴出抗蝕劑；旋轉(zhuǎn)馬達(dá)(圖示省略)，其使旋轉(zhuǎn)卡盤32旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)；以及杯(圖示省略)，其圍繞著在旋轉(zhuǎn)卡盤3上所保持的基板W的周圍。
如圖3所示，在與分度器區(qū)1接近一側(cè)的熱處理塔31上從下方開始依次層疊設(shè)置有6個(gè)加熱部PHP1～PHP6，各加熱部PHP1～PHP6將基板W加熱到給定的溫度。另一方面，在遠(yuǎn)離分度器區(qū)1一側(cè)的熱處理塔31上，從下方開始依次層疊配置有冷卻板CP4～CP9，冷卻板CP4～CP9對(duì)加熱了的基板W進(jìn)行冷卻而使其下降到給定的溫度，并且，將基板W維持在該給定的溫度上。
各加熱部PHP1～PHP6是熱處理單元，其除了承載基板W而進(jìn)行熱處理的通常的加熱板之外，還包括基板暫置部，其在與該加熱板隔開的上方位置上承載基板W；局部搬送機(jī)構(gòu)34(參照?qǐng)D1)，其在該加熱板與基板暫置部之間搬送基板W。局部搬送機(jī)構(gòu)34具有這樣的機(jī)構(gòu)能夠進(jìn)行升降移動(dòng)和進(jìn)退移動(dòng)，并且通過使冷卻水循環(huán)而對(duì)搬送過程中的基板W進(jìn)行冷卻。
局部搬送機(jī)構(gòu)34隔著上述加熱板以及基板暫置部而設(shè)置在與搬送機(jī)械手TR2相反一側(cè)、即裝置背面?zhèn)壬?。并且，基板暫置部在搬送機(jī)械手TR2側(cè)以及局部搬送機(jī)構(gòu)34側(cè)都開口，而加熱板僅向局部搬送機(jī)構(gòu)34側(cè)開口，在搬送機(jī)械手TR2一側(cè)是閉塞的。因此，搬送機(jī)械手TR2以及局部搬送機(jī)構(gòu)34雙方都能夠到達(dá)基板暫置部，但是，只有局部搬送機(jī)構(gòu)34能夠到達(dá)加熱板。另外，加熱部PHP1～PHP6具有與后述的顯影處理區(qū)4的加熱部PHP7～PHP12大概相同的結(jié)構(gòu)(圖8A、圖8B)。
在將基板W搬入到具有這樣結(jié)構(gòu)的各加熱部PHP1～PHP6中時(shí)，首先，搬送機(jī)械手TR2將基板W放置在基板暫置部上。然后，局部搬送機(jī)構(gòu)34從基板暫置部接受基板W并將其搬送到加熱板上，而對(duì)該基板W實(shí)施加熱處理。由加熱板進(jìn)行過加熱處理的基板W，由局部搬送機(jī)構(gòu)34取出并被搬送到基板暫置部中。此時(shí)，利用局部搬送機(jī)構(gòu)34所具備的冷卻功能來(lái)對(duì)基板W進(jìn)行冷卻。其后，由搬送機(jī)械手TR2取出被搬送到基板暫置部中的熱處理后的基板W。
這樣，在加熱部PHP1～PHP6中，由于搬送機(jī)械手TR2僅向常溫的基板暫置部交接基板W，而不會(huì)向加熱板直接交接基板W，因此能夠抑制搬送機(jī)械手TR2的溫度上升。此外，由于加熱板僅在局部搬送機(jī)構(gòu)34側(cè)開口，所以可以防止因從加熱板漏出的熱空氣而使搬送機(jī)械手TR2和抗蝕劑涂布處理部SC受到熱影響。另外，搬送機(jī)械手TR2向冷卻板CP4～CP9直接交接基板W。
搬送機(jī)械手TR2的結(jié)構(gòu)與搬送機(jī)械手TR1完全相同。因此，搬送機(jī)械手TR2能夠使兩個(gè)保持臂分別單獨(dú)地到達(dá)基板承載部PASS3、PASS4、在熱處理塔31、31上設(shè)置的熱處理單元、在抗蝕劑涂布處理部SC上設(shè)置的涂布處理單元以及后述的基板承載部PASS5、PASS6，并且能夠在和它們之間進(jìn)行基板W的交接。
接著，對(duì)顯影處理區(qū)4進(jìn)行說(shuō)明。以?shī)A在抗蝕劑涂布區(qū)3與接口區(qū)5之間的方式設(shè)置有顯影處理區(qū)4。在該抗蝕劑涂布區(qū)3與顯影處理區(qū)4之間也設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁35。為了在抗蝕劑涂布區(qū)3與顯影處理區(qū)4之間交接基板W，而在該隔斷壁35上上下層疊設(shè)置有對(duì)基板W進(jìn)行承載的兩個(gè)基板承載部PASS5、PASS6?；宄休d部PASS5、PASS6也具有與上述的基板承載部PASS1、PASS2相同的結(jié)構(gòu)。
上側(cè)的基板承載部PASS5用于將基板W從抗蝕劑涂布區(qū)3向顯影處理區(qū)4搬送。即，顯影處理區(qū)4的搬送機(jī)械手TR3接受抗蝕劑涂布區(qū)3的搬送機(jī)械手TR2放置在基板承載部PASS5上的基板W。另一方面，下側(cè)的基板承載部PASS6用于將基板W從顯影處理區(qū)4向抗蝕劑涂布區(qū)3搬送。即，抗蝕劑涂布區(qū)3的搬送機(jī)械手TR2接受顯影處理區(qū)4的搬送機(jī)械手TR3放置在基板承載部PASS6上的基板W。
基板承載部PASS5、PASS6局部貫通設(shè)置在隔斷壁35的一部分上。此外，在基板承載部PASS5、PASS6設(shè)置有對(duì)基板W的有無(wú)進(jìn)行檢測(cè)的光學(xué)式傳感器(省略圖示)，基于各傳感器的檢測(cè)信號(hào)，判斷搬送機(jī)械手TR2、TR3是否處于能夠向基板承載部PASS5、PASS6交接基板W的狀態(tài)。并且，在基板承載部PASS5、PASS6的下側(cè)，貫通隔斷壁35而上下設(shè)置有水冷式的兩個(gè)冷卻板WCP，兩個(gè)冷卻板WCP用于粗略對(duì)基板W進(jìn)行冷卻(參照?qǐng)D4)。
顯影處理區(qū)4是對(duì)曝光處理后的基板W進(jìn)行顯影處理的處理區(qū)。此外，在顯影處理區(qū)4中，也能夠?qū)M(jìn)行了液浸曝光處理的基板W進(jìn)行清洗和干燥。顯影處理區(qū)4具有顯影處理部SD，其對(duì)圖案曝光的基板W供給顯影液而進(jìn)行顯影處理；清洗處理部SOAK，其對(duì)液浸曝光處理后的基板W進(jìn)行清洗處理和干燥處理；兩個(gè)熱處理塔41、42，其伴隨于顯影處理而進(jìn)行熱處理；搬送機(jī)械手TR3，其向顯影處理部SD、清洗處理部SOAK和熱處理塔41、42交接基板W。另外，搬送機(jī)械手TR3具有與上述的搬送機(jī)械手TR1、TR2完全相同的結(jié)構(gòu)。
如圖2所示，顯影處理部SD，從下方開始依次層疊配置具有同樣結(jié)構(gòu)的3個(gè)顯影處理單元SD1、SD2、SD3。另外，在對(duì)3個(gè)顯影處理單元SD1～SD3沒有特別區(qū)分的情況下將它們統(tǒng)稱為顯影處理部SD。各顯影處理部SC1～SC3具有如下機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)卡盤43，其以近似水平姿勢(shì)吸附保持基板W并使其在近似水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)；噴嘴44，其向在該旋轉(zhuǎn)卡盤43上所保持的基板W上供給顯影液；旋轉(zhuǎn)馬達(dá)(圖示省略)，其使旋轉(zhuǎn)卡盤43旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)；以及杯(圖示省略)，其圍繞著在旋轉(zhuǎn)卡盤43上所保持的基板W的周圍。
清洗處理部SOAK具有表面清洗處理單元SOAK1以及背面清洗處理單元SOAK2。如圖2所示，在表面清洗處理單元SOAK1的上層配置背面清洗處理單元SOAK2，在背面清洗處理單元SOAK2的上層配置有顯影處理單元SD1。圖6是用于說(shuō)明表面清洗處理單元SOAK1的結(jié)構(gòu)的圖。表面清洗處理單元SOAK1具有旋轉(zhuǎn)卡盤421，該旋轉(zhuǎn)卡盤421用于將基板W保持為水平姿勢(shì)，并且使基板W圍繞通過基板W中心的鉛垂旋轉(zhuǎn)軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
旋轉(zhuǎn)卡盤421固定在旋轉(zhuǎn)軸425的上端上，旋轉(zhuǎn)軸425由省略圖示的電動(dòng)馬達(dá)旋轉(zhuǎn)。此外，在旋轉(zhuǎn)卡盤421上形成有吸氣路徑(未圖示)，通過在旋轉(zhuǎn)卡盤421上承載有基板W的狀態(tài)下對(duì)吸氣路徑進(jìn)行排氣，從而將基板W的下表面真空吸附在旋轉(zhuǎn)卡盤421上，從而能夠以水平姿勢(shì)保持基板W。
在旋轉(zhuǎn)卡盤421的側(cè)方設(shè)置有第一轉(zhuǎn)動(dòng)馬達(dá)460。在第一轉(zhuǎn)動(dòng)馬達(dá)460上連接有第一轉(zhuǎn)動(dòng)軸461。此外，在第一轉(zhuǎn)動(dòng)軸461上連接有在水平方向上延伸的第一臂462，在第一臂462的前端上設(shè)置有清洗處理用噴嘴450。通過第一轉(zhuǎn)動(dòng)馬達(dá)460的驅(qū)動(dòng)，第一轉(zhuǎn)動(dòng)軸461進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，并且第一臂462進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，從而清洗處理用噴嘴450向在旋轉(zhuǎn)卡盤421上保持的基板W的上方移動(dòng)。
在清洗處理用噴嘴450上連通并連接有清洗用供給管463的前端。清洗用供給管463經(jīng)由閥Va以及閥Vb而與清洗液供給源R1以及表面處理液供給源R2連通并連接。通過控制閥Va、閥Vb的開閉，而能夠選擇供給到清洗用供給管463的處理液以及調(diào)整供給到清洗用供給管463的處理液的供給量。即通過打開閥Va而能夠向清洗用供給管463供給清洗液，通過打開閥Vb而能夠向清洗用供給管463供給表面處理液。
從清洗液供給源R1或表面處理液供給源R2所供給的清洗液或者表面處理液經(jīng)由清洗用供給管463而輸送到清洗處理用噴嘴450中。由此，能夠從清洗處理用噴嘴450向基板W的上表面供給清洗液或者表面處理液。清洗液可以使用例如純水或者在純水中溶有絡(luò)合物(離子化的物質(zhì))的溶液等。表面處理液可以使用例如氫氟酸等。另外，清洗處理用噴嘴450也可以使用在氣體中混合液滴而噴出的二流體噴嘴。進(jìn)而，可以在供給作為清洗液的純水的同時(shí)，用清洗刷清洗基板W的上表面。
另一方面，在與上述不同的旋轉(zhuǎn)卡盤421的側(cè)方設(shè)置有第二轉(zhuǎn)動(dòng)馬達(dá)470。在第二轉(zhuǎn)動(dòng)馬達(dá)470上連接有第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸471。此外，在第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸471上連接有在水平方向上延伸的第二臂472，在第二臂472的前端上設(shè)置有干燥處理用噴嘴451。通過第二轉(zhuǎn)動(dòng)馬達(dá)470的驅(qū)動(dòng)，從而第二轉(zhuǎn)動(dòng)軸471進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，并且第二臂472進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，從而干燥處理用噴嘴451向在旋轉(zhuǎn)卡盤421上保持的基板W的上方移動(dòng)。
在干燥處理用噴嘴451上連通并連接著干燥用供給管473的前端。干燥用供給管473經(jīng)由閥Vc而與惰性氣體供給源R3連通并連接。通過控制閥Vc的開閉，而能夠調(diào)整向干燥用供給管473供給的惰性氣體的供給量。
從惰性氣體供給源R3供給的惰性氣體，經(jīng)由干燥用供給管473而輸送到干燥處理用噴嘴451中。由此，能夠從干燥處理用噴嘴451向基板W的上表面供給惰性氣體。惰性氣體可以使用例如氮?dú)?N2)或氬氣(Ar)。
在向基板W的上表面供給清洗液或者表面處理液時(shí)，清洗處理用噴嘴450位于在旋轉(zhuǎn)卡盤421上保持的基板W的上方，并且，干燥處理用噴嘴451退讓到給定的位置。相反，在向基板W的上表面供給惰性氣體時(shí)，如圖6所示，干燥處理用噴嘴451位于在旋轉(zhuǎn)卡盤421上保持的基板W的上方，并且，清洗處理用噴嘴450退讓到給定的位置。
處理杯423圍繞著在旋轉(zhuǎn)卡盤421上保持的基板W。在處理杯423的內(nèi)側(cè)設(shè)置有圓筒狀的分隔壁433。此外，排液空間431以包圍旋轉(zhuǎn)卡盤421的周圍的方式形成在分隔壁433的內(nèi)側(cè)，排液空間431用于排出在基板W的處理中使用的處理液(清洗液或者表面處理液)。并且，回收液空間432以包圍排液空間431的方式形成在處理杯423與分隔壁433之間，回收液空間432用于回收在基板W的處理中使用的處理液。
在排液空間431上連接有用于向排液處理裝置(未圖示)引導(dǎo)處理液的排液管434，在回收液空間432上連接有用于向回收處理裝置(未圖示)引導(dǎo)處理液的回收管435。
在處理杯423的上方設(shè)置有擋板424，該擋板424用于防止來(lái)自基板W的處理液向外部飛散。該擋板424形成為相對(duì)旋轉(zhuǎn)軸425而旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的形狀。在擋板424上端部的內(nèi)表面上呈環(huán)狀地形成有截面為く字形狀的排液引導(dǎo)槽441。此外，在擋板424下端部的內(nèi)表面上形成有回收液引導(dǎo)部442，該回收液導(dǎo)向部442由向外側(cè)下方傾斜的傾斜面形成。在回收液引導(dǎo)部442的上端附近形成有分隔壁容置槽443，該容置槽443用于接受處理杯423的分隔壁433。
該擋板424通過由滾珠螺桿機(jī)構(gòu)等構(gòu)成的導(dǎo)向升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)而沿著鉛垂方向被升降驅(qū)動(dòng)。導(dǎo)向升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，使擋板424在回收位置和排液位置之間升降，該回收位置是指回收液引導(dǎo)部442包圍保持在旋轉(zhuǎn)卡盤421上的基板W的端緣部的位置，該排液位置是指排液引導(dǎo)槽441包圍保持在旋轉(zhuǎn)卡盤421上的基板W的端緣部的位置。在擋板424處于回收位置(圖6所示的位置)時(shí)，從基板W的端緣部飛散的處理液通過回收液引導(dǎo)部442而被導(dǎo)入至回收液空間432中，并經(jīng)由回收管435而被回收。另一方面，在擋板424處于排液位置時(shí)，從基板W的端緣部飛散的處理液通過排液引導(dǎo)槽441而被導(dǎo)入至排液空間431中，并經(jīng)由排液管434而被排出。由此，能夠切換執(zhí)行處理液的排出和回收。另外，在使用氫氟酸等作為表面處理液時(shí)，必須進(jìn)行嚴(yán)格的環(huán)境管理，以避免泄漏到裝置內(nèi)。
圖7是用于說(shuō)明背面清洗處理單元SOAK2的結(jié)構(gòu)的圖。背面清洗處理單元SOAK2與表面清洗處理單元SOAK1不同的是旋轉(zhuǎn)卡盤427的形式。表面清洗處理單元SOAK1的旋轉(zhuǎn)卡盤421是對(duì)基板W的下表面進(jìn)行真空吸附類型的裝置，而背面清洗處理單元SOAK2的旋轉(zhuǎn)卡盤427是對(duì)基板W的端緣部進(jìn)行把持類型的裝置。即，在旋轉(zhuǎn)卡盤427的上表面周緣部上，沿同一圓周上豎立設(shè)置有多個(gè)(本實(shí)施方式為6個(gè))支撐銷428。各支撐銷428包括圓筒狀的支撐部，其從下方支撐基板W的下表面周緣部；銷部，其突出設(shè)置在該支撐部的上表面上，且與基板W的端緣部相抵接而進(jìn)行按壓。6個(gè)支撐銷428中的3個(gè)是固定設(shè)置在旋轉(zhuǎn)卡盤427上的固定支撐銷。固定支撐銷在圓筒狀支撐部的軸心上突出設(shè)置有銷部。另一方面，6個(gè)支撐銷428中的剩余3個(gè)為可動(dòng)支撐銷，可動(dòng)支撐銷自由旋轉(zhuǎn)(自轉(zhuǎn))地設(shè)置在旋轉(zhuǎn)卡盤427上。在可動(dòng)支撐銷上，從圓筒狀支撐部的軸心稍偏離地突出設(shè)置有銷部。3個(gè)可動(dòng)支撐銷通過圖示省略的鏈桿(link)機(jī)構(gòu)以及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而連動(dòng)并被驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)動(dòng)。通過使可動(dòng)支撐銷轉(zhuǎn)動(dòng)，從而可以用6個(gè)銷部把持基板W的端緣部，也可以解除基板W的把持。通過用6個(gè)支撐銷428把持基板W的端緣部，從而旋轉(zhuǎn)卡盤427不與基板W的下表面中央部接觸就能夠?qū)錡進(jìn)行保持。
背面清洗處理單元SOAK2的其余結(jié)構(gòu)與上述的表面清洗處理單元SOAK1相同，對(duì)同一個(gè)部件標(biāo)有與圖6相同的附圖標(biāo)記。因此，背面清洗處理單元SOAK2，能夠從清洗處理用噴嘴450向由旋轉(zhuǎn)卡盤427把持著端緣部的基板W的上表面供給清洗液或者表面處理液，也能夠從干燥處理用噴嘴451向由旋轉(zhuǎn)卡盤427把持著端緣部的基板W的上表面供給惰性氣體。
回到圖3，在與離分度器區(qū)1接近一側(cè)的熱處理塔41中設(shè)置有5個(gè)加熱板HP7～HP11，其將基板W加熱到給定的溫度；冷卻板CP10～CP13，其對(duì)被加熱過的基板W進(jìn)行冷卻而使其溫度降低到給定的溫度，并且將基板W維持在該給定的溫度上。在該熱處理塔41中，從下方開始依次層疊配置有冷卻板CP10～CP13、加熱板HP7～HP11。
另一方面，在遠(yuǎn)離分度器區(qū)1一側(cè)的熱處理塔42中層疊配置有6個(gè)加熱部PHP7～PHP12和冷卻板CP14。與上述的加熱部PHP1～PHP6相同，各加熱部PHP7～PHP12是具有基板暫置部以及局部搬送機(jī)構(gòu)的熱處理單元。
圖8A、圖8B是表示帶有基板暫置部的加熱部PHP7的概略結(jié)構(gòu)的圖。圖8A是加熱部PHP7的側(cè)剖視圖，圖8B是俯視圖。另外，雖然在圖8A、圖8B中表示了加熱部PHP7，但是加熱部PHP8～PHP12的結(jié)構(gòu)也是完全相同的結(jié)構(gòu)。加熱部PHP7具有加熱板710，其承載基板W并對(duì)基板W進(jìn)行加熱處理；基板暫置部719，其在離開該加熱板710的上方位置或者下方位置(在本實(shí)施方式中為上方位置)上承載基板W；熱處理部用的局部搬送機(jī)構(gòu)720，其在加熱板710與基板暫置部719之間搬送基板W。在加熱板710上設(shè)置有出沒于板表面的多根可動(dòng)支撐銷721。在加熱板710的上方設(shè)置有在加熱處理時(shí)覆蓋基板W的、并可自由升降的上蓋722。在基板暫置部719上設(shè)置有對(duì)基板W進(jìn)行支撐的多根固定支撐銷723。
局部搬送機(jī)構(gòu)720具有對(duì)基板W以近似水平姿勢(shì)進(jìn)行保持的保持板724，該保持板724通過螺旋進(jìn)給驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)725而進(jìn)行升降移動(dòng)，并通過傳送帶驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)726而進(jìn)行進(jìn)退移動(dòng)。在保持板724上形成有多條狹縫724a，使得在保持板724進(jìn)入到加熱板710的上方和基板暫置部719時(shí)，與可動(dòng)支撐銷721和固定支撐銷723不相干涉。
此外，局部搬送機(jī)構(gòu)720包括有冷卻裝置，該冷卻裝置在從加熱板710向基板暫置部719搬送基板W的過程中對(duì)基板W進(jìn)行冷卻。如圖8B所示，該冷卻裝置如下構(gòu)成在保持板724的內(nèi)部設(shè)置有冷卻水流路724b，而使冷卻水在該冷卻水流路724b中流通。另外，冷卻裝置也可以在保持板724的內(nèi)部中設(shè)置例如珀?duì)柼取?br> 相比加熱板710和基板暫置部719，上述的局部搬送機(jī)構(gòu)720設(shè)置在裝置背面?zhèn)?即(+Y)側(cè))。此外，在加熱板710和基板暫置部719的(+X)側(cè)上設(shè)置有接口區(qū)5的搬送機(jī)械手TR4，在(-Y)側(cè)上設(shè)置有顯影處理區(qū)4的搬送機(jī)械手TR3。并且，在覆蓋加熱板710和基板暫置部719的筐體727的上部、即在覆蓋基板暫置部719的部位上，在其(+X)側(cè)上設(shè)置有允許搬送機(jī)械手TR4進(jìn)入的開口部719a，在其(+Y)側(cè)上設(shè)置有允許局部搬送機(jī)構(gòu)720進(jìn)入的開口部719b。此外，在筐體727的下部、即覆蓋加熱板710的部位上，其(+X)側(cè)和(-Y)側(cè)封閉(也就是說(shuō)，與搬送機(jī)械手TR3以及搬送機(jī)械手TR4相對(duì)向的面閉塞)，另一方面，在(+Y)側(cè)上設(shè)置有允許局部搬送機(jī)構(gòu)720進(jìn)入的開口部719c。
基板W出入上述加熱部PHP7的動(dòng)作如下進(jìn)行。首先，接口區(qū)5的搬送機(jī)械手TR4保持曝光后的基板W，并將基板W放置在基板暫置部719的固定支撐銷723之上。接著，局部搬送機(jī)構(gòu)720的保持板724進(jìn)入到基板W的下側(cè)之后稍稍上升，由此從固定支撐銷723接受到基板W。保持著基板W的保持板724從筐體727退出，并下降到與加熱板710對(duì)置的位置為止。此時(shí)，使加熱板710的可動(dòng)支撐銷721下降，并且使上蓋722上升。保持著基板W的保持板724進(jìn)入到加熱板710的上方?？蓜?dòng)支撐銷721上升并在接受位置接受到基板W之后，保持板724退出。接著，使可動(dòng)支撐銷721下降并而將基板W放置在加熱板710上，并且，使上蓋722下降而覆蓋基板W。在該狀態(tài)下對(duì)基板W進(jìn)行加熱處理。當(dāng)加熱處理結(jié)束時(shí)，使上蓋722上升，并且使可動(dòng)支撐銷721上升而舉起基板W。接著，保持板724進(jìn)入到基板W之下之后，通過使可動(dòng)支撐銷721下降，由此將基板W交接到保持板724上。保持基板W的保持板724退出而再次上升，將基板W搬送到基板暫置部719上。在該搬送過程中，在保持板724上支撐的基板W被保持板724所具有的冷卻裝置冷卻。保持板724將冷卻后(大概恢復(fù)到常溫)的基板W移動(dòng)放置在基板暫置部719的固定支撐銷723上。搬送機(jī)械手TR4取出并搬送該基板W。
由于搬送機(jī)械手TR4僅對(duì)基板暫置部719交接基板W，而不對(duì)加熱板710交接基板W，所以能夠避免搬送機(jī)械手TR4的溫度上升。此外，由于僅在局部搬送機(jī)構(gòu)720一側(cè)上形成有用于使基板W出入加熱板710的開口部719c，所以搬送機(jī)械手TR3以及搬送機(jī)械手TR4的溫度不會(huì)因從開口部719c泄漏的熱空氣而上升，另外，顯影處理部SD以及清洗處理部SOAK也不會(huì)受到從開口部719c泄漏的熱空氣的壞影響。
如上所述，接口區(qū)5的搬送機(jī)械手TR4能夠到達(dá)加熱部PHP7～PHP12以及冷卻板CP14，但是顯影處理區(qū)4的搬送機(jī)械手TR4不能夠到達(dá)加熱部PHP7～PHP12以及冷卻板CP14。此外，顯影處理區(qū)4的搬送機(jī)械手TR3部能夠到達(dá)在熱處理塔41中安裝的熱處理單元。
此外，在熱處理塔42的最上層，上下接近地組裝有兩個(gè)基板承載部PASS7、PASS8，該兩個(gè)基板承載部PASS7、PASS8用于在顯影處理區(qū)4和與其相鄰的接口區(qū)5之間交接基板W。上側(cè)的基板承載部PASS7用于從顯影處理區(qū)4向接口區(qū)5搬送基板W。即，接口區(qū)5的搬送機(jī)械手TR4接受顯影處理區(qū)4的搬送機(jī)械手TR3放置在基板承載部PASS7上的基板W。另一方面，下側(cè)的基板承載部PASS8用于從接口區(qū)5向顯影處理區(qū)4搬送基板W。即，顯影處理區(qū)4的搬送機(jī)械手TR3接受接口區(qū)5的搬送機(jī)械手TR4放置在基板承載部PASS8上放置的基板W。另外，基板承載部PASS7、PASS8相對(duì)顯影處理區(qū)4的搬送機(jī)械手TR3以及接口區(qū)5的搬送機(jī)械手TR4的兩側(cè)開口。
接著，針對(duì)用于與曝光單元EXP連接的接口區(qū)5進(jìn)行說(shuō)明。接口區(qū)5與顯影處理區(qū)4相鄰設(shè)置，從抗蝕劑涂布區(qū)3接受通過進(jìn)行抗蝕涂布處理而形成有抗蝕膜的基板W，將其交接到曝光單元EXP上，并且，從曝光單元EXP接受完成曝光的基板W，將其交接到顯影處理區(qū)4上。在本實(shí)施方式的接口區(qū)5上，除了用于在與曝光單元EXP之間交接基板W的搬送機(jī)構(gòu)55之外，還包括邊緣曝光部EEW，其對(duì)形成有抗蝕膜的基板W的周緣部進(jìn)行曝光；搬送機(jī)械手TR4，其向配置在顯影處理區(qū)4內(nèi)的加熱部PHP7～PHP12、冷卻板CP14和邊緣曝光部EEW交接基板W。
邊緣曝光部EEW包括邊緣曝光單元EEW1，如圖2所示，邊緣曝光單元EEW1具有如下等機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)卡盤56，其將基板W以近似水平姿勢(shì)吸附保持，并使其在近似水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)；光照射器57，其向在該旋轉(zhuǎn)卡盤56上保持的基板W的周緣照射光而進(jìn)行曝光。邊緣曝光單元EEW1配置在接口區(qū)5的中央部上。與該邊緣曝光部EEW和顯影處理區(qū)4的熱處理塔42相鄰而配置的搬送機(jī)械手TR4，具有與上述的搬送機(jī)械手TR1～TR3相同的結(jié)構(gòu)。
此外，如圖2所示，在邊緣曝光單元EEW1的下側(cè)上設(shè)置有反轉(zhuǎn)單元REV。圖10是表示反轉(zhuǎn)單元REV的主要部分結(jié)構(gòu)的立體圖。此外，圖11是從圖10的箭頭AR10方向所觀察到的反轉(zhuǎn)單元REV的概略主視圖。反轉(zhuǎn)單元REV是使基板W的上下表面反轉(zhuǎn)的單元。反轉(zhuǎn)單元REV具有升降載物臺(tái)210和反轉(zhuǎn)卡盤230。
升降載物臺(tái)210通過省略圖示的升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而能夠沿著鉛垂方向進(jìn)行升降，該升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)例如利用氣缸而構(gòu)成。在升降載物臺(tái)210的上表面上沿同一圓周而豎立設(shè)直有多個(gè)(在本實(shí)施方式中為6個(gè))支撐銷218。各支撐銷218由從下方對(duì)基板W的下表面周緣部進(jìn)行支撐的支撐部218a和在該支撐部的上表面上突出設(shè)置的銷部218b構(gòu)成。另外，反轉(zhuǎn)單元REV的升降載物臺(tái)210不是像背面清洗處理單元SOAK2的旋轉(zhuǎn)卡盤427那樣地使基板W旋轉(zhuǎn)的裝置，由于缺乏牢固地保持基板W的必要性，6個(gè)支撐銷218全部固定設(shè)置在升降載物臺(tái)210上。即，升降載物臺(tái)210的銷部218b是僅對(duì)基板W的水平方向位置進(jìn)行限制的部件。
左右一對(duì)的反轉(zhuǎn)卡盤230沿圓盤形狀的旋轉(zhuǎn)臺(tái)235的徑方向設(shè)置。反轉(zhuǎn)卡盤230通過內(nèi)置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)235中的滑動(dòng)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，而進(jìn)行如圖11的箭頭AR11所示那樣地滑動(dòng)移動(dòng)。一對(duì)的反轉(zhuǎn)卡盤230、230連動(dòng)并進(jìn)行滑動(dòng)移動(dòng)，由此來(lái)使兩卡盤之間的距離伸縮。在反轉(zhuǎn)卡盤230上設(shè)置有用于把持基板W的端緣部的開口、即把持部231。在升降載物臺(tái)210將基板W保持在與反轉(zhuǎn)卡盤230相同的高度位置上的狀態(tài)下，使兩個(gè)反轉(zhuǎn)卡盤230、230以縮小其間隔的方式進(jìn)行滑動(dòng)移動(dòng)，由此能夠利用把持部231來(lái)把持基板W的端緣部。另外，在把持部231上形成有用于避免升降載物臺(tái)210與支撐銷218相干涉的切口。
此外，旋轉(zhuǎn)臺(tái)235通過在基臺(tái)239上設(shè)置的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，而能夠在鉛直面內(nèi)沿圖11的箭頭AR12所示的方向旋轉(zhuǎn)。通過使旋轉(zhuǎn)臺(tái)235旋轉(zhuǎn)，從而使一對(duì)反轉(zhuǎn)卡盤230、230也在箭頭AR12所示的方向上旋轉(zhuǎn)。
在反轉(zhuǎn)單元REV使基板W的表面和背面反轉(zhuǎn)時(shí)，首先，升降載物臺(tái)210上升到比反轉(zhuǎn)卡盤230更靠上方的搬出搬入位置。在搬出搬入位置從后述的搬送機(jī)構(gòu)55將基板W接受到支撐銷218上的升降載物臺(tái)210，下降到將基板W交接到反轉(zhuǎn)卡盤230上的交接位置。該交接位置是沿水平方向相對(duì)向而靜止的反轉(zhuǎn)卡盤230與在升降載物臺(tái)210上保持的基板W處在相同高度的位置。另外，在升降載物臺(tái)210下降到交接位置時(shí)，反轉(zhuǎn)卡盤230進(jìn)行移動(dòng)，使得一對(duì)反轉(zhuǎn)卡盤230之間為基板W能夠通過的間隔。
在升降載物臺(tái)210下降到交接位置的狀態(tài)，一對(duì)反轉(zhuǎn)卡盤230以縮短它們之間的間隔的方式開始滑動(dòng)移動(dòng)，不久通過兩反轉(zhuǎn)卡盤230的把持部231而把持基板W的端緣部。由此，基板W保持在反轉(zhuǎn)卡盤230上，升降載物臺(tái)210進(jìn)一步下降到下方的待避位置。所謂待避位置是在接下來(lái)的反轉(zhuǎn)工序中反轉(zhuǎn)卡盤230與升降載物臺(tái)210不沖突的位置。
接著，旋轉(zhuǎn)臺(tái)235進(jìn)行180°的旋轉(zhuǎn)動(dòng)作(半旋轉(zhuǎn))而使基板W的表面和背面反轉(zhuǎn)。其后，升降載物臺(tái)210再次從待避位置上升到交接位置，而將基板W接到支撐銷218上，并且，一對(duì)反轉(zhuǎn)卡盤230以擴(kuò)大它們之間的間隔的方式開始滑動(dòng)移動(dòng)。然后，接受到反轉(zhuǎn)后的基板W的升降載物臺(tái)210進(jìn)一步上升到上述搬出搬入位置，搬送機(jī)構(gòu)55從支撐銷218接受反轉(zhuǎn)后的基板W。另外，由于支撐銷218支撐基板W的端緣部，所以即使通過反轉(zhuǎn)而使形成了圖案的基板W的表面變?yōu)橄卤砻妫膊粫?huì)損壞該圖案。
參照?qǐng)D2以及圖9繼續(xù)說(shuō)明接口區(qū)5的結(jié)構(gòu)。圖9是從(+X)側(cè)所觀察到的接口區(qū)5的側(cè)面圖。在邊緣曝光單元EEW1的下側(cè)設(shè)置有反轉(zhuǎn)單元REV，在反轉(zhuǎn)單元REV的下側(cè)設(shè)置有返回基板用的返回緩沖器RBF。并且，在返回緩沖器RBF的下側(cè)上下層疊地設(shè)置有兩個(gè)基板承載部PASS9、PASS10。返回緩沖器RBF是這樣的裝置在由于某些障礙而導(dǎo)致顯影處理區(qū)4不能對(duì)基板W進(jìn)行顯影處理的情況下，在顯影處理區(qū)4的加熱部PHP7～PHP12進(jìn)行曝光后的加熱處理之后，暫時(shí)容置保管該基板W。該返回緩沖器RBF包括能將多張基板W多層容置的收容架。此外，上側(cè)的基板承載部PASS9用于從搬送機(jī)械手TR4向搬送機(jī)構(gòu)55交接基板W，下側(cè)的基板承載部PASS10用于從搬送機(jī)構(gòu)55向搬送機(jī)械手TR4交接基板W。另外，搬送機(jī)械手TR4到達(dá)返回緩沖器RBF。
如圖9所示，搬送機(jī)構(gòu)55的可動(dòng)臺(tái)55a與螺桿軸522螺合。螺桿軸522以其旋轉(zhuǎn)軸沿Y軸方向的方式被兩個(gè)支撐臺(tái)523自由旋轉(zhuǎn)地支撐著。在螺桿軸522的一端部上連接有馬達(dá)M1，通過該馬達(dá)M1的驅(qū)動(dòng)而使螺桿軸522旋轉(zhuǎn)，從而可動(dòng)臺(tái)55a沿Y軸方向進(jìn)行水平移動(dòng)。
此外，在可動(dòng)臺(tái)55a上安裝有把手支撐臺(tái)55b。把手支撐臺(tái)55b通過在可動(dòng)臺(tái)55a中內(nèi)置的升降機(jī)構(gòu)以及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，而能夠在鉛垂方向(Z軸方向)升降，并且能夠圍繞鉛垂方向軸旋轉(zhuǎn)。進(jìn)而，在把手支撐臺(tái)55b上以上下并列的方式設(shè)置有保持基板W的兩個(gè)保持臂59a、59b。兩個(gè)保持臂59a、59b通過在可動(dòng)臺(tái)55a中內(nèi)置的滑動(dòng)機(jī)構(gòu)而能夠分別獨(dú)立地在把手支撐臺(tái)55b的旋轉(zhuǎn)半徑方向進(jìn)行進(jìn)退移動(dòng)。
圖12A、圖12B是表示保持臂59a、59b的圖。圖12A是保持臂59a的平面圖，圖12B是保持臂59a的側(cè)剖視圖。另外，在此僅說(shuō)明保持臂59a，而下側(cè)的保持臂59b的結(jié)構(gòu)與保持臂59a完全相同。保持臂59a是將2個(gè)臂部件591形成為叉狀而構(gòu)成的。在臂部件591的上表面形成有凹部592，該凹部592為比基板W的外周大少許的形狀。并且，在各凹部592的兩端上形成有導(dǎo)向部件593。
保持臂59a將基板W嵌入到凹部592中而進(jìn)行保持。此時(shí)，基板W通過其端緣部與各導(dǎo)向部件593的棱線點(diǎn)接觸，而被4點(diǎn)支撐。即，保持臂59a是低接觸型搬送臂，其與基板W的下表面不接觸而通過點(diǎn)接觸以4個(gè)點(diǎn)支撐基板W。因此，在搬送機(jī)構(gòu)55搬送表面朝下的基板W時(shí)，基板W的表面與保持臂59a不接觸，所以不會(huì)損壞所形成的圖案等。
通過上述結(jié)構(gòu)，搬送機(jī)構(gòu)55在與曝光單元EXP之間交接基板W，并與基板承載部PASS9、PASS10之間交接基板W，與反轉(zhuǎn)單元REV之間交接基板W，并對(duì)送給基板用的輸送緩沖器SBF進(jìn)行基板W的收容和取出。輸送緩沖器SBF在曝光單元EXP不能接受基板W時(shí)，暫時(shí)收容保管曝光處理前的基板W，輸送緩沖器SBF包括能夠?qū)⒍鄰埢錡多層容置的收容架。
此外，如圖9所示，在表面清洗處理單元SOAK1的(+X)側(cè)上形成有開口部480，在背面清洗處理單元SOAK2的(+X)側(cè)上形成有開口部490。因此，搬送機(jī)構(gòu)55能夠經(jīng)由開口部480、490分別對(duì)表面清洗處理單元SOAK1和背面清洗處理單元SOAK2也進(jìn)行基板W的交接。
圖13是示意性地表示保持臂59a進(jìn)入各搬送對(duì)象部時(shí)的狀態(tài)的圖。首先，搬送機(jī)構(gòu)55交接基板W的對(duì)象中，背面清洗處理單元SOAK2和反轉(zhuǎn)單元REV通過支撐銷428、218來(lái)支撐基板W的周緣部。在搬送機(jī)構(gòu)55向背面清洗處理單元SOAK2交接基板W時(shí)，如圖13所示，兩個(gè)臂部件591以通過支撐銷428之間的方式進(jìn)行進(jìn)退。此外，在背面清洗處理單元SOAK2中，在從開口部490進(jìn)入的保持臂59a和支撐銷428不干涉的位置(圖13的位置)上設(shè)置有停止旋轉(zhuǎn)卡盤427的機(jī)構(gòu)。作為這種機(jī)構(gòu)，只要是如下這樣的機(jī)構(gòu)即可通過編碼器檢測(cè)出旋轉(zhuǎn)卡盤427的旋轉(zhuǎn)角度，并以旋轉(zhuǎn)卡盤427在給定的角度停止的方式對(duì)旋轉(zhuǎn)馬達(dá)進(jìn)行控制。
搬送機(jī)構(gòu)55對(duì)反轉(zhuǎn)單元REV交接基板W時(shí)的方式與對(duì)背面清洗處理單元SOAK2交接基板W是相同的。但是，由于反轉(zhuǎn)單元REV的升降載物臺(tái)210不旋轉(zhuǎn)，所以不需要上述的編碼器等停止機(jī)構(gòu)。
另一方面，表面清洗處理單元SOAKi是通過旋轉(zhuǎn)卡盤421對(duì)基板W的下表面中央部進(jìn)行真空吸附的裝置。搬送機(jī)構(gòu)55對(duì)表面清洗處理單元SOAK1交接基板W時(shí)，如圖13所示，保持臂59a以旋轉(zhuǎn)卡盤421進(jìn)入到兩個(gè)臂部件591之間的方式進(jìn)退移動(dòng)。
并且，后述的曝光單元EXP是由3根支撐銷911支撐基板W的下表面中央部的裝置。3根支撐銷911的配置區(qū)域在俯視狀態(tài)下處在旋轉(zhuǎn)卡盤421的范圍內(nèi)。由此，在搬送機(jī)構(gòu)55對(duì)曝光單元EXP交接基板W時(shí)，如圖13所示，保持臂59a以三根支撐銷911進(jìn)入到兩個(gè)臂部件591之間的方式進(jìn)行進(jìn)退移動(dòng)。另外，基板承載部PASS9、PASS10以及輸送緩沖器SBF也與曝光單元EXP同樣地由3根支撐銷911支撐基板W，搬送機(jī)構(gòu)55能以與相對(duì)曝光單元EXP交接基板W相同的方式交接基板W。
這樣，搬送機(jī)構(gòu)55相對(duì)保持方式不同的任意搬送對(duì)象部也能夠交接基板W。另外，上述是關(guān)于保持臂59a的說(shuō)明，但是，關(guān)于保持臂59b也是同樣。
向以上的分度器區(qū)1、剝離區(qū)2、抗蝕劑涂布區(qū)3、顯影處理區(qū)4以及接口區(qū)5總是供給作為下降流的清潔空氣，從而可以在各區(qū)內(nèi)避免產(chǎn)生上揚(yáng)的顆粒和由氣流給工藝帶來(lái)的惡劣影響。此外，各區(qū)內(nèi)相對(duì)外部環(huán)境稍保持為正壓狀態(tài)，從而可以防止來(lái)自外部環(huán)境的顆粒或污染物質(zhì)的進(jìn)入。
此外，上述的分度器區(qū)1、剝離區(qū)2、抗蝕劑涂布區(qū)3、顯影處理區(qū)4以及接口區(qū)5是將本實(shí)施方式的基板處理裝置按機(jī)構(gòu)分割的單位。各區(qū)分別組裝在單獨(dú)的區(qū)用板(框體)上，將各區(qū)用板連接起來(lái)而構(gòu)成基板處理裝置。
另一方面，在本實(shí)施方式中，有關(guān)基板搬送的搬送控制單位與機(jī)械性分割開的區(qū)分別獨(dú)立地構(gòu)成。在本說(shuō)明書中，將這種有關(guān)基板搬送的搬送控制單位稱為“模塊(cell)”。一個(gè)模塊包括承擔(dān)基板搬送的搬送機(jī)械手和通過該搬送機(jī)械手能夠搬送基板的搬送對(duì)象部。并且，上述的各基板承載部發(fā)揮用于向模塊內(nèi)放入基板W的入口基板承載部或者從模塊中取出基板W的出口基板承載部的功能。即，在模塊之間交接基板W也經(jīng)由基板承載部來(lái)進(jìn)行。另外，作為構(gòu)成模塊的搬送機(jī)械手，也包括分度器區(qū)1的基板移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)12和接口區(qū)5的搬送機(jī)構(gòu)55。
在本實(shí)施方式的基板處理裝置SP中包括6個(gè)模塊，即分度器模塊、剝離模塊、抗蝕劑涂布模塊、顯影處理模塊、曝光后烘干模塊以及接口模塊。分度器模塊包括承載臺(tái)11和基板移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)12，并且具有與作為機(jī)械性分割開的單位的分度器區(qū)1本質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。此外，剝離模塊包括基底涂布處理部BRC、兩個(gè)熱處理塔21、21和搬送機(jī)械手TR1。該剝離模塊也具有與作為機(jī)械性分割開的單位的剝離區(qū)2本質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。并且，抗蝕劑涂布模塊包括抗蝕劑涂布處理部SC、兩個(gè)熱處理塔31、31和搬送機(jī)械手TR2。該抗蝕劑涂布模塊也具有與作為機(jī)械性分割開的單位的抗蝕劑涂布區(qū)3本質(zhì)上相同的結(jié)構(gòu)。另外，在抗蝕劑涂布模塊上也可以設(shè)置在抗蝕膜上形成保護(hù)膜的保護(hù)膜涂布處理部，使得在曝光時(shí)抗蝕劑不溶解。
另一方面，顯影處理模塊包括顯影處理部SD、熱處理塔41和搬送機(jī)械手TR3。如上所述，搬送機(jī)械手TR3不能到達(dá)熱處理塔42的加熱部PHP7～PHP12和冷卻板CP14，并在顯影處理模塊中不包含熱處理塔42。此外，由于接口區(qū)5的搬送機(jī)構(gòu)55到達(dá)清洗處理部SOAK的表面清洗處理單元SOAK1和背面清洗處理單元SOAK2，所以清洗處理部SOAK也不包含在顯影處理模塊中。在這些點(diǎn)上，顯影處理模塊與作為機(jī)械性分割開的單位的顯影處理區(qū)4不同。
此外，曝光后烘干模塊包含位于顯影處理區(qū)4的熱處理塔42、位于接口區(qū)5的邊緣曝光部EEW和搬送機(jī)械手TR4。即，曝光后烘干模塊是跨越作為機(jī)械性分割開的單位的顯影處理區(qū)4和接口區(qū)5的模塊。這樣，由于包括進(jìn)行曝光后的加熱處理的加熱部PHP7～PHP12和搬送機(jī)械手TR4而構(gòu)成一個(gè)模塊，所以能夠迅速地將曝光后的基板W搬入到加熱部PHP7～PHP12中而進(jìn)行熱處理。這種結(jié)構(gòu)，適用于在圖案曝光后需要盡可能快速地進(jìn)行加熱處理的、使用了化學(xué)增幅型抗蝕劑的情況。
另外，在熱處理塔42中包含的基板承載部PASS7、PASS8是為了在顯影處理模塊的搬送機(jī)械手TR3和曝光后烘干模塊的搬送機(jī)械手TR4之間交接基板W而安裝的。
接口模塊包括對(duì)曝光單元EXP交接基板W的搬送機(jī)構(gòu)55、反轉(zhuǎn)單元REV和清洗處理部SOAK而構(gòu)成。該接口模塊包括位于顯影處理區(qū)4的清洗處理部SOAK，并且不包括搬送機(jī)械手TR4和邊緣曝光部EEW，在這一點(diǎn)上與作為機(jī)械性分割開的單位的接口區(qū)5不同。另外，在邊緣曝光部EEW的下方設(shè)置的基板承載部PASS9、PASS10是為了在曝光后烘干模塊的搬送機(jī)械手TR4和接口模塊的搬送機(jī)構(gòu)55之間交接基板W而安裝的。
接著，對(duì)曝光單元EXP進(jìn)行說(shuō)明。曝光單元EXP對(duì)在基板處理裝置SP中涂布了抗蝕劑的基板W進(jìn)行曝光處理。此外，本實(shí)施方式的曝光單元EXP是對(duì)應(yīng)于“液浸曝光處理法”的液浸曝光裝置，“液浸曝光處理法”是使曝光波長(zhǎng)實(shí)質(zhì)性地變短而提高析像度、并且使焦深實(shí)質(zhì)性地變大的方法。在投影光學(xué)系統(tǒng)和基板W之間充滿折射率大的液體(例如，折射率n＝1.44的純水)的狀態(tài)下進(jìn)行曝光處理。
圖14是表示與基板處理裝置SP相鄰而連接的曝光單元EXP的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。在曝光單元EXP內(nèi)部的曝光區(qū)域EA中執(zhí)行基板W的曝光處理。在曝光區(qū)域EA除了在曝光處理時(shí)承載基板W的載物臺(tái)98之外，還具有照明光學(xué)系統(tǒng)、投影光學(xué)系統(tǒng)、掩模載物臺(tái)、載物臺(tái)移動(dòng)機(jī)構(gòu)、液體供給機(jī)構(gòu)以及液體回收機(jī)構(gòu)等(全部省略圖示)用于液浸曝光處理的機(jī)構(gòu)。此外，在曝光單元EXP的內(nèi)部設(shè)置有搬送基板W的搬送機(jī)構(gòu)95。搬送機(jī)構(gòu)95具有彎曲式的臂部95b和對(duì)臂部95b進(jìn)行引導(dǎo)的導(dǎo)軌部95a，并且，臂部95b沿著導(dǎo)軌部95a進(jìn)行移動(dòng)。
此外，在與基板處理裝置SP的接口區(qū)5相連的曝光單元EXP的側(cè)部附近上，設(shè)置有兩個(gè)承載臺(tái)91、92。基板處理裝置SP和曝光單元EXP以接口區(qū)5的搬送機(jī)構(gòu)55相對(duì)該承載臺(tái)91、92能夠進(jìn)行基板W的交接的方式而連接。承載臺(tái)91用于交接曝光后的基板W，承載臺(tái)92用于交接曝光前的基板W。上述的3根支撐銷911豎立設(shè)置在承載臺(tái)91、92的上表面上。在曝光單元EXP內(nèi)，除了搬送機(jī)構(gòu)95之外，還設(shè)置有相對(duì)曝光區(qū)域EA直接交接基板W的、省略圖示的移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)，搬送機(jī)構(gòu)95將從承載臺(tái)92接受到的完成了抗蝕劑涂布的基板W交接到該移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)上，并且將從該移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)接受到的曝光后的基板W放置在承載臺(tái)91上。
此外，在曝光單元EXP上設(shè)置有存儲(chǔ)仿真基板DW的存儲(chǔ)部99。仿真基板DW是用于在對(duì)應(yīng)于液浸法的曝光單元EXP中進(jìn)行校準(zhǔn)處理時(shí)防止純水侵入到載物臺(tái)98內(nèi)部的基板，其中，該校準(zhǔn)處理是進(jìn)行載物臺(tái)位置校正等的調(diào)整圖案圖像的曝光位置的處理。仿真基板DW具有與通常(半導(dǎo)體器件制造用)的基板W近似相同的形狀和大小。仿真基板DW的材料可以是與通常的基板W相同的材料(例如硅)，但也可以只要是在液浸曝光處理時(shí)不會(huì)向液體溶出污染物的材料即可。此外，對(duì)仿真基板DW的表面也可以賦予憎水性。作為賦予憎水性的方法，例如有使用了氟化物、硅化物、或者丙烯樹脂、聚乙烯等具有憎水性的材料的涂布處理。此外，也可以用上述具有憎水性的材料形成仿真基板DW本身。在通常的曝光處理時(shí)等，由于在不進(jìn)行校準(zhǔn)處理時(shí)不需要仿真基板DW，而將仿真基板DW存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部99中。另外，存儲(chǔ)部99也可以是具有多層的架結(jié)構(gòu)而能夠容置多張仿真基板DW的裝置。
搬送機(jī)構(gòu)95將仿真基板DW搬入搬出于存儲(chǔ)部99。即，通過移動(dòng)到導(dǎo)軌部95a的(+X)側(cè)端部位置的臂部95b進(jìn)行升降動(dòng)作以及屈伸動(dòng)作，而執(zhí)行仿真基板DW向存儲(chǔ)部99的搬入搬出。此外，搬送機(jī)構(gòu)95在存儲(chǔ)部99和基板處理裝置SP之間搬送仿真基板DW。具體來(lái)說(shuō)，搬送機(jī)構(gòu)95將從存儲(chǔ)部95取出的仿真基板DW搬送并放置在承載臺(tái)91上，并且，將被放置在承載臺(tái)92上的仿真基板DW搬送并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部99中。另外，基板處理裝置SP的搬送機(jī)構(gòu)55能夠接受在承載臺(tái)91上放置的仿真基板DW，并且能夠?qū)⒈３值姆抡婊錎W放置在承載臺(tái)92上。
接著，針對(duì)本實(shí)施方式的基板處理裝置的控制機(jī)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖15是表示本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)的控制機(jī)構(gòu)的概略的框圖。如圖15所示，基板處理裝置SP以及曝光單元EXP經(jīng)由主計(jì)算機(jī)100與LAN線路101而連接?；逄幚硌b置SP具有由主控制器MC、模塊控制器CC、單元控制器這三層構(gòu)成的控制層。主控制器MC、模塊控制器CC、單元控制器的硬件結(jié)構(gòu)，與通常的計(jì)算機(jī)相同。即，各控制器具有如下等裝置CPU，其進(jìn)行各種運(yùn)算處理；只讀存儲(chǔ)器、即ROM，其存儲(chǔ)基本程序；自由讀寫的存儲(chǔ)器、即RAM，其存儲(chǔ)各種信息；磁盤，其預(yù)先存儲(chǔ)控制用應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)等。
第一級(jí)的主控制器MC在整個(gè)基板處理裝置SP中設(shè)置有一個(gè)，主要承擔(dān)裝置整體的管理、主面板MP的管理以及模塊控制器CC的管理。主面板MP發(fā)揮作為主控制器MC的顯示器的功能。此外，可以從鍵盤KB向主控制器MC輸入各種命令和參數(shù)。另外，可以由觸摸面板構(gòu)成主面板MP，而從主面板MP向主控制器MC進(jìn)行輸入作業(yè)。
第二級(jí)的模塊控制器CC相對(duì)6個(gè)模塊(分度器模塊、剝離模塊、抗蝕劑涂布模塊、顯影處理模塊、曝光后烘干模塊以及接口模塊)分別單獨(dú)設(shè)置。各模塊控制器CC主要承擔(dān)對(duì)應(yīng)的模塊內(nèi)的基板搬送管理和單元管理。具體來(lái)說(shuō)，各模塊的模塊控制器CC如下進(jìn)行信息的發(fā)送和接收將在給定的基板承載部上放置了基板W這樣的信息發(fā)送到相鄰模塊的模塊控制器CC中，接受了該基板W的模塊的模塊控制器CC將從該基板承載部接受到基板W這樣的信息返回到原模塊的模塊控制器CC。這種信息的發(fā)送接收通過主控制器MC而進(jìn)行。并且，各模塊控制器CC將向模塊內(nèi)搬入了基板W的情況的信息提供給搬送機(jī)械手控制器TC，該搬送機(jī)械手控制器TC控制搬送機(jī)械手而在模塊內(nèi)按照給定的順序循環(huán)搬送基板W。另外，搬送機(jī)械手控制器TC是通過在模塊控制器CC上使給定的應(yīng)用程序進(jìn)行動(dòng)作而實(shí)現(xiàn)的控制部。
此外，作為第三級(jí)的單元控制器而設(shè)置有例如旋轉(zhuǎn)控制器和烘干控制器。旋轉(zhuǎn)控制器根據(jù)模塊控制器CC的指示而對(duì)在模塊內(nèi)配置的旋轉(zhuǎn)單元(涂布處理單元、顯影處理單元以及清洗處理單元)直接進(jìn)行控制。具體來(lái)說(shuō)，旋轉(zhuǎn)控制器例如控制旋轉(zhuǎn)單元的旋轉(zhuǎn)馬達(dá)而調(diào)整基板W的旋轉(zhuǎn)數(shù)。此外，烘干控制器根據(jù)模塊控制器CC的指示而對(duì)在模塊內(nèi)配置的熱處理單元(加熱板、冷卻板、加熱部等)直接進(jìn)行控制。具體來(lái)說(shuō)，烘干控制器控制例如在加熱板內(nèi)置的加熱器而調(diào)整板的溫度等。
另一方面，在曝光單元EXP中設(shè)置有與上述的基板處理裝置SP的控制機(jī)構(gòu)獨(dú)立的單獨(dú)的控制部、即控制器EC。即，曝光單元EXP不是在基板處理裝置的主控制器MC的控制下進(jìn)行動(dòng)作的裝置，而是獨(dú)自進(jìn)行本身的動(dòng)作控制的裝置。作為曝光單元EXP的控制器EC的硬件結(jié)構(gòu)而具有與通常的計(jì)算機(jī)相同的結(jié)構(gòu)，除了控制在曝光區(qū)域EA的曝光處理之外，還控制搬送機(jī)構(gòu)95的動(dòng)作。
此外，主計(jì)算機(jī)100作為在基板處理裝置SP上設(shè)置的由3級(jí)構(gòu)成的控制級(jí)以及曝光單元EXP的控制器EC的上位控制機(jī)構(gòu)而存在。主計(jì)算機(jī)100具有如下裝置CPU，其進(jìn)行各種運(yùn)算處理；只讀存儲(chǔ)器、即ROM，其存儲(chǔ)基本程序；自由讀寫的存儲(chǔ)器、即RAM，其存儲(chǔ)各種信息；磁盤，其預(yù)先存儲(chǔ)控制用應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)等，具有與通常的計(jì)算機(jī)相同的結(jié)構(gòu)。在主計(jì)算機(jī)100上通常連接有多臺(tái)本實(shí)施方式的基板處理裝置SP和曝光單元EXP。主計(jì)算機(jī)100向所連接的各個(gè)基板處理裝置SP以及曝光單元EXP傳送記錄有處理順序以及處理?xiàng)l件的記錄信息(recipe)。從主計(jì)算機(jī)100傳送來(lái)的記錄信息被存儲(chǔ)在各基板處理裝置SP的主控制器MC和曝光單元EXP的控制器EC的存儲(chǔ)部(例如存儲(chǔ)器)中。
圖16是表示在本發(fā)明的基板處理系統(tǒng)中所實(shí)現(xiàn)的功能處理部的功能框圖。清洗控制部105、搬出請(qǐng)求部106以及計(jì)劃(schedule)管理部107是通過基板處理裝置SP的主控制器MC執(zhí)行給定的應(yīng)用軟件而實(shí)現(xiàn)的功能處理部。同樣地，清洗請(qǐng)求部108以及搬送控制部109是通過曝光單元EXP的控制器EC執(zhí)行給定的應(yīng)用軟件而實(shí)現(xiàn)的功能處理部。這些各功能處理部的功能的內(nèi)容將在后面敘述。另外，清洗控制部105、搬出請(qǐng)求部106以及計(jì)劃管理部107的一部分或者全部也可以通過基板處理裝置SP的接口模塊的模塊控制器CC來(lái)實(shí)現(xiàn)。
接著，針對(duì)本實(shí)施方式的基板處理裝置SP的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。在此，首先，說(shuō)明基板處理裝置SP中的通常的基板W的循環(huán)搬送的概略順序。下面說(shuō)明的處理順序是與從主計(jì)算機(jī)100接收到的記錄信息中的記述內(nèi)容對(duì)應(yīng)的順序。
首先，從裝置外部將待處理的基板W在容置于運(yùn)載器C中的狀態(tài)下，通過AGV等而將基板W搬入到分度器區(qū)1中。接著，從分度器區(qū)1取出待處理的基板W。具體來(lái)說(shuō)，分度器模塊(分度器區(qū)1)的基板移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)12從給定的運(yùn)載器C取出待處理的基板W，并將其放置在上側(cè)的基板承載部PASS1上。當(dāng)待處理的基板W放置在基板承載部PASS1上時(shí)，剝離模塊的搬送機(jī)械手TR1使用保持臂6a、6b中的任意一個(gè)來(lái)接受基板W。并且，搬送機(jī)械手TR1將所接受到的待處理的基板W搬送到涂布處理單元BRC1～BRC3的任意一個(gè)中。在涂布處理單元BRC1～BRC3中，在基板W上旋轉(zhuǎn)涂布有反射防止膜用的涂布液。
涂布處理結(jié)束之后，基板W通過搬送機(jī)械手TR1而被搬送到加熱板HP1～HP6的任意一個(gè)中。由加熱板對(duì)基板W加熱，從而涂布液被干燥，而在基板W上形成基底的反射防止膜。其后，由搬送機(jī)械手TR1從加熱板取出的基板W被搬送到冷卻板CP1～CP3的任意一個(gè)上而進(jìn)行冷卻。另外，此時(shí)，也可以由冷卻板WCP對(duì)基板W進(jìn)行冷卻。冷卻后的基板W通過搬送機(jī)械手TR1而放置在基板承載部PASS3上。
此外，搬送機(jī)械手TR1也可以將在基板承載部PASS1上放置的待處理的基板W搬送到粘合強(qiáng)化處理部AHL1～AHL3的任意一個(gè)中。在粘合強(qiáng)化處理部AHL1～AHL3中，在HMDS蒸氣環(huán)境中對(duì)基板W進(jìn)行熱處理而提高抗蝕膜與基板W的粘合性。完成了粘合強(qiáng)化處理的基板W由搬送機(jī)械手TR1取出，并被搬送到冷卻板CP1～CP3的任意一個(gè)上而進(jìn)行冷卻。由于在進(jìn)行了粘合強(qiáng)化處理的基板W上未形成有反射防止膜，所以冷卻后的基板W由搬送機(jī)械手TR1直接放置在基板承載部PASS3上。
此外，也可以在涂布反射防止膜用的涂布液之前進(jìn)行脫水處理。此時(shí)，首先，搬送機(jī)械手TR1將在基板承載部PASS1上放置的待處理的基板W搬送到粘合強(qiáng)化處理部AHL1～AHL3的任意一個(gè)中。在粘合強(qiáng)化處理部AHL1～AHL3中，不供給HMDS蒸氣而僅對(duì)基板W進(jìn)行用于脫水的加熱處理(去水烘烤)。結(jié)束了用于脫水的加熱處理的基板W由搬送機(jī)械手TR1取出，并被搬送到冷卻板CP1～CP3的任意一個(gè)中進(jìn)行冷卻，冷卻后的基板W由搬送機(jī)械手TR1搬送到涂布處理單元BRC1～BRC3的任意一個(gè)中，旋轉(zhuǎn)涂布反射防止膜用的涂布液。然后，基板W由搬送機(jī)械手TR1搬送到加熱板HP1～HP6的任意一個(gè)上，通過加熱處理而在基板W上形成有基底的反射防止膜。并且，其后，由搬送機(jī)械手TR1而從加熱板取出的基板W被搬送到冷卻板CP1～CP3的任意一個(gè)上而冷卻之后，被放置在基板承載部PASS3上。
當(dāng)基板W放置在基板承載部PASS3上時(shí)，抗蝕劑涂布模塊的搬送機(jī)械手TR2接受該基板W并將其搬送到涂布處理單元SC1～SC3的任意一個(gè)中。在涂布處理單元SC1～SC3中，在基板W上旋轉(zhuǎn)涂布抗蝕劑。另外，由于在抗蝕劑涂布處理中要求精密的基板調(diào)溫，因此也可以在將基板W搬送到涂布處理單元SC1～SC3中之前，將其搬送到冷卻板CP4～CP9的任意一個(gè)上。
抗蝕劑涂布處理結(jié)束后，基板W由搬送機(jī)械手TR2搬送到加熱部PHP1～PHP6的任意一個(gè)中。通過由加熱部PHP1～PHP6對(duì)基板W進(jìn)行加熱處理，從而除去抗蝕劑中的溶媒成分，并在基板W上形成有抗蝕膜。其后，由搬送機(jī)械手TR2從加熱部PHP1～PHP6取出的基板W被搬送到冷卻板CP4～CP9的任意一個(gè)上而進(jìn)行冷卻。冷卻后的基板W由搬送機(jī)械手TR2放置在基板承載部PASS5上。
當(dāng)將進(jìn)行抗蝕劑涂布處理而形成了抗蝕膜的基板W放置在基板承載部PASS5上時(shí)，顯影處理模塊的搬送機(jī)械手TR3接受該基板W并直接放置在基板承載部PASS7上。然后，在基板承載部PASS7上放置的基板W由曝光后烘干模塊的搬送機(jī)械手TR4接受，并被搬入到邊緣曝光單元EEW1中。在邊緣曝光單元EEW1中，對(duì)基板W的周緣部進(jìn)行曝光處理。邊緣曝光處理結(jié)束的基板W由搬送機(jī)械手TR4放置在基板承載部PASS9上。并且，在基板承載部PASS9上放置的基板W由接口模塊的搬送機(jī)構(gòu)55接受，并被搬入到曝光單元EXP中。此時(shí)，搬送機(jī)構(gòu)55使用保持臂59a而將基板W從基板承載部PASS9搬送到曝光單元EXP的承載臺(tái)92上。在承載臺(tái)92上放置的完成了抗蝕劑涂布的基板W，經(jīng)由搬送機(jī)構(gòu)55被取入到曝光區(qū)域EA中，而進(jìn)行圖案曝光處理。
由于在本實(shí)施方式中使用化學(xué)增幅型抗蝕劑，所以在基板W上形成的抗蝕膜中被曝光的部分，因光化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生酸。此外，在曝光單元EXP中，由于對(duì)基板W進(jìn)行液浸曝光處理，所以幾乎不用變更現(xiàn)有的光源和曝光工藝就能夠?qū)崿F(xiàn)高析像度。另外，在將結(jié)束了邊緣曝光處理的基板W搬入到曝光單元EXP中之前，可以由搬送機(jī)械手TR4將其搬入到冷卻板14上而進(jìn)行冷卻處理。
完成了圖案曝光處理的曝光結(jié)束的基板W經(jīng)由搬送機(jī)構(gòu)95而被搬到承載臺(tái)91上。在承載臺(tái)91上放置的基板W由搬送機(jī)構(gòu)55取出，由此從曝光單元EXP再次返回到接口模塊中。然后，曝光后的基板W由搬送機(jī)構(gòu)55搬入到表面清洗處理單元SOAK1中。此時(shí)，搬送機(jī)構(gòu)55使用保持臂59b而將基板W從曝光單元EXP搬送到表面清洗處理單元SOAK1中。雖然還存在液體附著在液浸曝光處理后的基板W上的情況，但是由于在搬送曝光前的基板W時(shí)使用保持臂59a，而在搬送曝光后的基板W時(shí)專門使用保持臂59b，因此至少在保持臂59a上不會(huì)附著有液體，從而能夠防止液體轉(zhuǎn)印在曝光前的基板W上。
在表面清洗處理單元SOAK1中，進(jìn)行使用了清洗處理用噴嘴450的基板W的清洗處理和使用了干燥處理用噴嘴451的干燥處理。完成了清洗以及干燥處理的基板W，由搬送機(jī)構(gòu)55從表面清洗處理單元SOAK1取出，并放置在基板承載部PASS10上。另外，在此時(shí)，搬送機(jī)構(gòu)55使用保持臂59a將基板W從表面清洗處理單元SOAK1搬送到基板承載部PASS10上。當(dāng)曝光后的基板W放置在基板承載部PASS10上時(shí)，曝光后烘干模塊的搬送機(jī)械手TR4接受該基板W并將其搬送到加熱部PHP7～PHP12的任意一個(gè)中。在加熱部PHP7～PHP12中的處理動(dòng)作如上所述。在加熱部PHP7～PHP12中，進(jìn)行加熱處理(Post Exposure Bake曝光后烘干)，該加熱處理是這樣的處理將因曝光時(shí)的光化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生的生成物作為酸催化劑，促進(jìn)抗蝕劑樹脂的交聯(lián)·聚合等反應(yīng)，而使相對(duì)于顯影液的溶解度僅在曝光部分局部地發(fā)生變化。完成了曝光后加熱處理的基板W通過由具有冷卻機(jī)構(gòu)的局部搬送機(jī)構(gòu)720搬送而被冷卻，從而使上述化學(xué)反應(yīng)停止。接著，基板W由搬送機(jī)械手TR4從加熱部PHP7～PHP12取出，并放置在基板承載部PASS8上。
當(dāng)基板W放置在基板承載部PASS8上時(shí)，顯影處理模塊的搬送機(jī)械手TR3接受該基板W并將其搬送到冷卻板CP10～CP13的任意一個(gè)上。在冷卻板CP10～CP13中，完成了曝光后加熱處理的基板W進(jìn)一步被冷卻，從而正確地調(diào)節(jié)到給定溫度。其后，搬送機(jī)械手TR3從冷卻板CP10～CP13取出基板W并將其搬到顯影處理單元SD1～SD3的任意一個(gè)中。在顯影處理單元SD1～SD3中，將顯影液供給到基板W上而進(jìn)行顯影處理。不久，顯影處理結(jié)束后，基板W由搬送機(jī)械手TR3搬送到加熱板HP7～HP11的任意一個(gè)上，然后，又被搬送到冷卻板CP10～CP13的任意一個(gè)上。
其后，基板W由搬送機(jī)械手TR3放置在基板承載部PASS6上。在基板承載部PASS6上放置的基板W由抗蝕劑涂布模塊的搬送機(jī)械手TR2直接放置在基板承載部PASS4上。進(jìn)而，在基板承載部PASS4上放置的基板W，通過由剝離模塊的搬送機(jī)械手TR1直接放置在基板承載部PASS2上，而存儲(chǔ)在分度器區(qū)1中。在基板承載部PASS2上放置的處理結(jié)束的基板W通過分度器模塊的基板移動(dòng)承載機(jī)構(gòu)12而容置在給定的運(yùn)載器C中。其后，容置有給定張數(shù)的完成處理的基板W的運(yùn)載器C被搬出到裝置外部，從而完成了一系列的光刻處理。
如上所述，本實(shí)施方式的曝光單元EXP進(jìn)行液浸曝光處理，為了在對(duì)圖案圖像的曝光位置進(jìn)行調(diào)整的校準(zhǔn)處理時(shí)防止純水侵入到載物臺(tái)98內(nèi)部中，而使用仿真基板DW。具體來(lái)說(shuō)，在載物臺(tái)98的載物臺(tái)凹部上嵌入仿真基板DW而進(jìn)行校準(zhǔn)處理。這樣一來(lái)，雖然能夠防止液體侵入到載物臺(tái)98內(nèi)部中，但是有可能在仿真基板DW上附著有液體并作為液滴而殘留下來(lái)，若對(duì)這種液滴置之不理，則有可能這種液滴在干燥后會(huì)成為污染源，或者會(huì)損壞仿真基板DW的憎水性。此外，當(dāng)仿真基板DW本身的背面被污染時(shí)，該污染也有可能被轉(zhuǎn)印到載物臺(tái)凹部上，而產(chǎn)生如上所述的各種不良。
因此，在本實(shí)施方式中，在基板處理裝置SP側(cè)，對(duì)曝光單元EXP保有的仿真基板DW、特別是仿真基板DW的背面進(jìn)行清洗。在此，仿真基板DW的“表面”是指在曝光單元EXP進(jìn)行校準(zhǔn)處理時(shí)朝向上側(cè)的主面。此外，仿真基板DW的“背面”是指與表面相反一側(cè)的主面，是在校準(zhǔn)處理時(shí)與載物臺(tái)凹部直接接觸的面。另外，通常的基板W的表面是指形成圖案的主面，背面是指與表面相反一側(cè)的面。此外，仿真基板DW以及基板W的上表面(下表面)是指朝向上側(cè)(下側(cè))的面，背面有時(shí)是上表面有時(shí)是下表面。
圖17是表示仿真基板DW的清洗順序的流程圖。首先，以給定的定時(shí)從曝光單元EXP將仿真基板DW搬出到基板處理裝置SP中(步驟S1)。在此，給定的定時(shí)可以在曝光單元EXP內(nèi)的上述校準(zhǔn)處理(曝光位置調(diào)整)之前，或者也可以在之后。另外，也可以在校準(zhǔn)處理之前以及之后，也可以是后述的其他的定時(shí)。如果在校準(zhǔn)處理之前將仿真基板DW交給基板處理裝置SP而進(jìn)行清洗，則能夠利用清潔的仿真基板DW執(zhí)行校準(zhǔn)處理。此外，如果在校準(zhǔn)處理之后將仿真基板DW交給基板處理裝置SP而進(jìn)行清洗，則能夠在校準(zhǔn)處理時(shí)附著在仿真基板DW上的液滴干燥而成為污染源之前，進(jìn)行清洗處理。另外，在校準(zhǔn)處理之前搬出仿真基板DW時(shí)，搬送機(jī)構(gòu)95從存儲(chǔ)部99取出仿真基板DW并將其放在承載臺(tái)91上，而在校準(zhǔn)處理之后搬出仿真基板DW時(shí)，搬送機(jī)構(gòu)95將從曝光區(qū)域EA接受到的剛處理結(jié)束的仿真基板DW直接放置在承載臺(tái)91上。
在承載臺(tái)91上放置的仿真基板DW由搬送機(jī)構(gòu)55從曝光單元EXP向基板處理裝置SP側(cè)取出，并搬送到反轉(zhuǎn)單元REV中(步驟S2)。在反轉(zhuǎn)單元REV中的反轉(zhuǎn)動(dòng)作如上所述，仿真基板DW以背面成為上表面的方式被反轉(zhuǎn)。并且，仿真基板DW由搬送機(jī)構(gòu)55從反轉(zhuǎn)單元REV搬送到背面清洗處理單元SOAK2中，在背面清洗處理單元SOAK2中執(zhí)行仿真基板DW的背面清洗處理(步驟S3)。
在此，對(duì)在背面清洗處理單元SOAK2中的處理動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。首先，在背面清洗處理單元SOAK2中，搬入仿真基板DW時(shí)，擋板424下降，并且，搬送機(jī)構(gòu)55將仿真基板DW放置在旋轉(zhuǎn)卡盤427上。通過由旋轉(zhuǎn)卡盤427的6個(gè)支撐銷428來(lái)把持仿真基板DW的端緣部，從而旋轉(zhuǎn)卡盤427使仿真基板DW的背面朝向上側(cè)并以水平姿勢(shì)進(jìn)行保持。
接著，擋板424移動(dòng)到上述的排液位置，并且，清洗處理用噴嘴450移動(dòng)到仿真基板DW的中心部上方。其后，旋轉(zhuǎn)軸425開始旋轉(zhuǎn)，伴隨于此，在旋轉(zhuǎn)卡盤427上保持的仿真基板DW進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。其后，打開閥Va，而從清洗處理用噴嘴450向仿真基板DW的上表面(在此為背面)噴出清洗液。在本實(shí)施方式中，向仿真基板DW的背面噴出作為清洗液的純水。由此，進(jìn)行仿真基板DW的背面清洗處理，從而沖洗掉附著在仿真基板DW的背面上的顆粒等。在離心力的作用下而從旋轉(zhuǎn)的仿真基板DW飛散的液體由排液引導(dǎo)槽441導(dǎo)向排液空間431中，并從排液管434排出。
經(jīng)過給定時(shí)間后，旋轉(zhuǎn)軸425的旋轉(zhuǎn)速度降低。由此，通過仿真基板DW的旋轉(zhuǎn)而被甩掉的作為清洗液的純水的量減少，而在仿真基板DW背面的整個(gè)面上形成水膜，即成為所謂的充滿液體狀態(tài)。另外，也可以停止旋轉(zhuǎn)軸425的旋轉(zhuǎn)，而在仿真基板DW背面的整個(gè)面上形成水膜。
接著，停止供給作為清洗液的純水，使清洗處理用噴嘴450避讓到給定位置，并且使干燥處理用噴嘴451移動(dòng)到仿真基板DW的中心部上方。其后，打開閥Vc，而從干燥處理用噴嘴451向仿真基板DW的上表面中心部附近噴出惰性氣體。在此，作為惰性氣體而噴出氮?dú)?。由此，仿真基板DW的背面中心部的水分被沖到仿真基板DW的周緣部，從而成為僅在仿真基板DW的背面周緣部上殘留有水膜的狀態(tài)。
接著，使旋轉(zhuǎn)軸425的旋轉(zhuǎn)數(shù)再次上升，并且使干燥處理用噴嘴451從仿真基板DW的背面中心部上方向周緣部上方慢慢移動(dòng)。由此，在殘留在仿真基板DW背面上的水膜上受到較大的離心力的作用，并且，由于能夠向仿真基板DW背面整個(gè)表面上噴射惰性氣體，因此能夠可靠地去除仿真基板DW上的水膜。其結(jié)果是，能夠可靠地使仿真基板DW干燥。
接著，停止供給惰性氣體，干燥處理用噴嘴451避讓到給定位置上，并且使旋轉(zhuǎn)軸425停止旋轉(zhuǎn)。然后，使擋板424下降，并且使支撐銷428解除仿真基板DW端緣部的把持，搬送機(jī)構(gòu)55將仿真基板DW從背面清洗處理單元SOAK2搬出。由此，結(jié)束在背面清洗處理單元SOAK2中的處理動(dòng)作。另外，在清洗和干燥處理中，優(yōu)選擋板424的位置根據(jù)回收和排出處理液的需要而進(jìn)行適當(dāng)?shù)刈兏?br> 結(jié)束了背面清洗處理的仿真基板DW由搬送機(jī)構(gòu)55再次搬送到反轉(zhuǎn)單元REV中，仿真基板DW以背面成為下表面的方式被反轉(zhuǎn)(步驟S4)。并且，再次被反轉(zhuǎn)的仿真基板DW由搬送機(jī)構(gòu)55從反轉(zhuǎn)單元REV搬送到表面清洗處理單元SOAK1中，在表面清洗處理單元SOAK1中執(zhí)行仿真基板DW的表面清洗處理(步驟S5)。
在表面清洗處理單元SOAK1中，搬入仿真基板DW時(shí)，搬送機(jī)構(gòu)55將仿真基板DW放置在旋轉(zhuǎn)卡盤421上。旋轉(zhuǎn)卡盤421將仿真基板DW以水平姿勢(shì)進(jìn)行吸附保持。其后的在表面清洗處理單元SOAK1中的清洗處理動(dòng)作與上述的背面清洗處理單元SOAK2的處理動(dòng)作相同。但是，表面清洗處理單元SOAK1，對(duì)仿真基板DW的表面執(zhí)行使用了清洗處理用噴嘴450的表面清洗處理、和使用了干燥處理用噴嘴451的干燥處理，而清洗附著在仿真基板DW上的液浸曝光用的液體。另外，在表面清洗處理單元SOAK1或者背面清洗處理單元SOAK2中，即使在清洗通常的曝光處理后基板W的情況下，也執(zhí)行與上述的仿真基板DW相同的處理動(dòng)作。
結(jié)束了在清洗處理單元SOAK1中的清洗以及干燥處理的仿真基板DW，由搬送機(jī)構(gòu)55搬送到曝光單元EXP中(步驟S6)，并放置在承載臺(tái)92上。在上述的清洗處理在校準(zhǔn)處理之后的情況下，在承載臺(tái)92上放置的仿真基板DW通過搬送機(jī)構(gòu)95而存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部99中。此外，在上述的清洗處理在校準(zhǔn)處理之前的情況下，在承載臺(tái)92上放置的仿真基板DW由搬送機(jī)構(gòu)95交接到曝光區(qū)域EA中。另外，在曝光單元EXP保有多個(gè)仿真基板DW的情況下，對(duì)它們?nèi)歼M(jìn)行上述的清洗處理。
這樣一來(lái)，由于在基板處理裝置SP的背面清洗處理單元SOAK2中對(duì)曝光單元EXP保有的仿真基板DW的背面進(jìn)行清洗，因此仿真基板DW的背面維持在清潔的狀態(tài)，其結(jié)果是，能夠防止在曝光單元EXP進(jìn)行校準(zhǔn)處理時(shí)載物臺(tái)凹部被污染。此外，通過將仿真基板DW的背面維持在清潔狀態(tài)，從而不僅能夠降低對(duì)曝光單元EXP內(nèi)的載物臺(tái)98的污染，還能夠降低對(duì)搬送機(jī)構(gòu)95等其他機(jī)構(gòu)的污染。
此外，即使因在曝光單元EXP進(jìn)行的校準(zhǔn)處理而使液體附著在仿真基板DW上，由于將該仿真基板DW搬送到基板處理裝置SP中進(jìn)行清洗，因此，也能夠防止基板仿真基板DW被污染。然后，使清洗后的仿真基板DW返回到曝光單元EXP中，而在曝光單元EXP側(cè)能夠使用清潔的仿真基板DW執(zhí)行校準(zhǔn)處理，因此能夠降低載物臺(tái)98等在曝光單元EXP內(nèi)的機(jī)構(gòu)的污染。
此外，仿真基板DW具有憎水性時(shí)，有時(shí)也會(huì)因污染而導(dǎo)致憎水性惡化，但是，通過利用上述清洗處理來(lái)除去污染物，而能夠恢復(fù)基板表面的憎水性。其結(jié)果是，在校準(zhǔn)處理時(shí)也能夠通過仿真基板DW可靠地保持液浸液體。此外，若與對(duì)憎水性惡化了的仿真基板DW逐一地進(jìn)行交換的方法相比，能夠顯著地降低成本。
但是，如上所述，由于基板處理裝置SP和曝光單元EXP分別進(jìn)行獨(dú)立的動(dòng)作控制，所以在清洗仿真基板DW時(shí)，必須預(yù)先向兩個(gè)裝置傳遞開始清洗仿真基板的信號(hào)。在本實(shí)施方式中，如圖16所示，曝光單元EXP的清洗請(qǐng)求部108向基板處理裝置SP發(fā)送清洗請(qǐng)求信號(hào)CS1。具體來(lái)說(shuō)，在校準(zhǔn)處理之前以及/或者之后，曝光單元EXP的控制器EC發(fā)送清洗請(qǐng)求信號(hào)CS1。在接收到清洗請(qǐng)求信號(hào)CS1的基板處理裝置SP中，清洗控制部105對(duì)搬送機(jī)構(gòu)55、反轉(zhuǎn)單元REV、表面清洗處理單元SOAK1以及背面清洗處理單元SOAK2進(jìn)行控制而對(duì)仿真基板DW進(jìn)行清洗處理。即，從判斷需要清洗仿真基板DW的曝光單元EXP側(cè)，向基板處理裝置SP發(fā)出清洗請(qǐng)求。
以上說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本發(fā)明在不脫離其宗旨的范圍內(nèi)，除了上述的方式以外還可以進(jìn)行各種變更。例如，在上述實(shí)施方式中從曝光單元EXP側(cè)發(fā)出清洗請(qǐng)求，但是也可以與此相反，而從基板處理裝置SP側(cè)發(fā)出清洗請(qǐng)求。具體來(lái)說(shuō)，基板處理裝置SP的搬出請(qǐng)求部106向曝光單元EXP發(fā)送請(qǐng)求搬出仿真基板DW的搬出請(qǐng)求信號(hào)CS2(圖16)。在接收到搬出請(qǐng)求信號(hào)CS2的曝光單元EXP中，搬送控制部109控制搬送機(jī)構(gòu)95而使仿真基板DW搬送到基板處理裝置SP中。
此外，也可以由更上位的控制器即主計(jì)算機(jī)100指示仿真基板DW的清洗。具體來(lái)說(shuō)，主計(jì)算機(jī)100向基板處理裝置SP和曝光單元EXP雙方發(fā)送清洗開始信號(hào)CS3。在接收到清洗開始信號(hào)CS3的曝光單元EXP中，搬送控制部109控制搬送機(jī)構(gòu)95而使仿真基板DW搬送到基板處理裝置SP中。另一方面，在接收到清洗開始信號(hào)CS3的基板處理裝置SP中，清洗控制部105對(duì)搬送機(jī)構(gòu)55、反轉(zhuǎn)單元REV、表面清洗處理單元SOAK1以及背面清洗處理單元SOAK2進(jìn)行控制，從而對(duì)仿真基板DW進(jìn)行清洗處理。
此外，作為進(jìn)行仿真基板DW的清洗處理的定時(shí)，并不限定在校準(zhǔn)處理之前以及/或者之后，例如，也可以以規(guī)定的間隔定期地執(zhí)行仿真基板DW的清洗處理方式來(lái)進(jìn)行安排。具體來(lái)說(shuō)，如圖16所示，在基板處理裝置SP中設(shè)置計(jì)劃管理部107，該計(jì)劃管理部107使向搬送請(qǐng)求部106定期地發(fā)送搬送請(qǐng)求信號(hào)CS2，而使搬送控制部109以及清洗控制部105定期地執(zhí)行仿真基板DW的清洗處理。另外，當(dāng)然也可以在主計(jì)算機(jī)100或者曝光單元EXP中設(shè)置計(jì)劃管理部107。
作為定期地進(jìn)行仿真基板DW的清洗處理的定時(shí)，例如可以舉出基板處理系統(tǒng)的定期維護(hù)時(shí)間。如果在定期維護(hù)時(shí)進(jìn)行維護(hù)作業(yè)之一而執(zhí)行仿真基板DW的清洗處理，則由于不會(huì)與通常基板的光刻處理相干涉，所以清洗和搬送的控制變得容易。而且，校準(zhǔn)處理之前執(zhí)行了仿真基板DW的清洗處理的情況下，能夠使用剛剛完成清洗的干凈的仿真基板DW來(lái)進(jìn)行校準(zhǔn)處理，另外，若在校準(zhǔn)處理之后進(jìn)行仿真基板DW的清洗處理，則所附著的液體干燥之前，就能可靠地除去污染源。
此外，在上述實(shí)施方式中，將對(duì)仿真基板DW進(jìn)行清洗的表面的清洗處理單元SOAK1和背面清洗處理單元SOAK2配置在顯影處理區(qū)4上，但是也可以將其中任意一個(gè)或兩個(gè)配置在接口區(qū)5上。伴隨于此，也可以將反轉(zhuǎn)單元REV配置在顯影處理區(qū)4上。在這樣配置的情況下，基板W的光刻處理以及仿真基板DW的清洗處理動(dòng)作與上述實(shí)施方式相同。由此，與上述實(shí)施方式相同，能夠?qū)ζ毓鈫卧狤XP內(nèi)的仿真基板DW清洗，而降低基板的載物臺(tái)等曝光單元EXP內(nèi)機(jī)構(gòu)的污染。此外，如果將表面清洗處理單元SOAK1以及背面清洗處理單元SOAK2配置在接口區(qū)5內(nèi)，則能夠?qū)⒆鳛榘崴涂刂频膯挝坏慕涌谀K全部容置在按照機(jī)械結(jié)構(gòu)的分割單位即接口區(qū)5內(nèi)，因此搬送基板處理裝置SP整體的搬送控制變得容易。
此外，在上述實(shí)施方式中，在對(duì)仿真基板DW進(jìn)行背面清洗處理后，進(jìn)行了表面清洗處理，但是也可以將此順序顛倒過來(lái)，在進(jìn)行了表面清洗處理之后而執(zhí)行背面清洗處理。即，搬送機(jī)構(gòu)55將從曝光單元EXP接受到的仿真基板DW直接搬到表面清洗處理單元SOAK1中，先執(zhí)行表面清洗處理。接著，將仿真基板DW搬送到反轉(zhuǎn)單元REV上，并使仿真基板DW以背面成為上表面的方式反轉(zhuǎn)之后，將其搬到背面清洗處理單元SOAK2中而執(zhí)行背面清洗處理。其后，將仿真基板DW再次搬送到反轉(zhuǎn)單元REV中，使仿真基板DW以背面成為下表面的方式反轉(zhuǎn)之后，通過搬送機(jī)構(gòu)55將其搬到曝光單元EXP中。可以根據(jù)清洗仿真基板DW的目的來(lái)決定先執(zhí)行表面清洗處理還是背面清洗處理。在想要使仿真基板DW背面確實(shí)變清潔時(shí)，最好在進(jìn)行表面清洗處理之后進(jìn)行背面清洗處理，在重視表面的清潔度的情況下，最好在進(jìn)行背面清洗處理之后進(jìn)行表面清洗處理。
此外，并不限定于必須執(zhí)行仿真基板DW的表面清洗處理和背面清洗處理，也可以僅執(zhí)行其中的任意一個(gè)。即使使用背面清洗處理單元SOAK2以及反轉(zhuǎn)單元REV而僅執(zhí)行仿真基板DW的背面清洗處理，由于至少背面的污染可靠地被除去，所以在曝光單元EXP進(jìn)行校準(zhǔn)處理時(shí)也能夠防止載物臺(tái)98的載物臺(tái)凹部被污染。此外，如果僅是表面清洗處理或背面清洗處理的任意一個(gè)，則能夠縮短仿真基板DW的清洗處理所需要的時(shí)間。
此外，在上述實(shí)施方式中，在表面清洗處理單元SOAK1中進(jìn)行仿真基板DW的表面清洗處理，而在背面清洗處理單元SOAK2中進(jìn)行背面清洗處理，但是也可以在背面清洗處理單元SOAK2進(jìn)行仿真基板DW的表面清洗處理和背面清洗處理。由于背面清洗處理單元SOAK2是由旋轉(zhuǎn)卡盤427把持仿真基板DW的端緣部這種類型的裝置，因此，無(wú)論仿真基板DW的背面是為上表面還是為下表面，都能夠可靠地執(zhí)行清洗處理。
此外，在上述實(shí)施方式中，對(duì)于通常的處理對(duì)象基板W，也可以在反轉(zhuǎn)單元REV中反轉(zhuǎn)之后，在背面清洗處理單元SOAK2中進(jìn)行背面清洗處理。對(duì)于通常的基板W，可以進(jìn)行表面清洗處理以及背面清洗處理，也可以僅進(jìn)行其中的任一種處理。在對(duì)通常的基板W進(jìn)行表面清洗處理以及背面清洗處理時(shí)，也可以先執(zhí)行其中的任一種處理。
此外，可以取代在表面清洗處理單元SOAK1中對(duì)仿真基板DW進(jìn)行清洗處理，或者在進(jìn)行了清洗處理之后，向仿真基板DW供給藥液而進(jìn)行表面處理。在表面清洗處理單元SOAK1中，作為藥液而供給例如氫氟酸。在仿真基板DW與通常的基板W相同地是硅晶片時(shí)，在表面上形成有氧化硅膜(自然氧化膜)而具有親水性。通過向其供給作為藥液的氫氟酸，從而剝離氧化硅膜而露出硅基材，能夠?qū)Ψ抡婊錎W的表面賦予憎水性。即，通過供給藥液而能夠?qū)Ψ抡婊錎W的表面賦予(或者恢復(fù))憎水性。具體來(lái)說(shuō)，使在旋轉(zhuǎn)卡盤421上保持的仿真基板DW旋轉(zhuǎn)，并打開閥Vb，并從表面處理液供給源R2向清洗處理用噴嘴450輸送氫氟酸，并將其向仿真基板DW的表面噴出。另外，向仿真基板DW供給的藥液不僅限于氫氟酸，根據(jù)仿真基板DW的材質(zhì)而可以供給例如氟化物或者丙烯樹脂等材料，在表面清洗處理單元SOAK1中也可以進(jìn)行用于賦予憎水性的涂布處理。
此外，對(duì)仿真基板DW進(jìn)行清洗的清洗處理單元和用于對(duì)通常的基板W進(jìn)行清洗的清洗處理單元可以分別為專用的裝置。例如，可以在顯影處理區(qū)4中設(shè)置通常的基板W用的清洗處理單元，而在接口區(qū)5中設(shè)置仿真基板DW用的清洗處理單元。特別是，由于涂布了化學(xué)增幅型抗蝕劑的曝光之后的基板W極其容易受堿性環(huán)境影響，所以在清洗處理單元中進(jìn)行藥液供給處理時(shí)，優(yōu)選設(shè)置仿真基板DW專用的清洗處理單元。
此外，也可以在曝光單元EXP內(nèi)相對(duì)于仿真基板DW另外獨(dú)立具有載物臺(tái)的清潔(cleaning)專用的清潔基板，并在基板處理裝置SP中對(duì)該清潔基板的背面進(jìn)行清洗。清潔基板相對(duì)于仿真基板DW另外獨(dú)立地存儲(chǔ)在曝光單元EXP的存儲(chǔ)部99內(nèi)。與仿真基板DW同樣地以適當(dāng)?shù)亩〞r(shí)將清潔基板搬送到基板處理裝置SP中，在背面清洗處理單元SOAK2中至少清洗其背面。該背面清洗處理的方式與在上述實(shí)施方式所述的仿真基板DW的背面清洗處理完全相同。在載物臺(tái)98的清潔處理時(shí)，通過將背面保持清潔的清潔基板嵌入到載物臺(tái)凹部中，從而在載物臺(tái)凹部上附著的顆粒等污染物質(zhì)附著在清潔基板的背面上而被回收。由此，不用停止曝光單元EXP就能夠容易地清掃載物臺(tái)98的污染。另外，清潔處理后的吸附了污染物質(zhì)的清潔基板的背面在背面清洗處理單元SOAK2中再次進(jìn)行清洗。
此外，本發(fā)明的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)不僅限于圖1至圖4所示的形式，只要是通過由搬送機(jī)械手相對(duì)多個(gè)處理部循環(huán)搬送基板W而對(duì)基板W進(jìn)行給定的處理的形式即可，可以進(jìn)行各種變形。
權(quán)利要求
1.一種基板處理方法，將在基板處理裝置中進(jìn)行了抗蝕劑涂布處理后的基板搬送到曝光裝置中進(jìn)行圖案曝光之后，使該基板返回到所述基板處理裝置而進(jìn)行顯影處理，其特征在于，該方法包括送出工序，將仿真基板搬送到所述基板處理裝置中，其中所述仿真基板在所述曝光裝置內(nèi)用于調(diào)整圖案圖像的曝光位置，第一反轉(zhuǎn)工序，在所述基板處理裝置內(nèi)，以使所述仿真基板的背面成為上表面的方式反轉(zhuǎn)所述仿真基板，清洗工序，在所述基板處理裝置內(nèi)對(duì)所述仿真基板的背面進(jìn)行清洗，第二反轉(zhuǎn)工序，在所述基板處理裝置內(nèi)，以使背面清洗后的所述仿真基板的背面成為下表面的方式反轉(zhuǎn)所述仿真基板，歸還工序，將清洗后的所述仿真基板搬送到所述曝光裝置中。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，所述清洗工序是在所述曝光裝置內(nèi)對(duì)曝光位置進(jìn)行調(diào)整之前和/或之后執(zhí)行。
3.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，定期地執(zhí)行所述清洗工序。
4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于，該方法還包括在所述基板處理裝置內(nèi)對(duì)所述仿真基板的表面進(jìn)行清洗的工序。
5.一種基板處理方法，將在基板處理裝置中進(jìn)行了抗蝕劑涂布處理的基板搬送到曝光裝置中而進(jìn)行圖案曝光之后，使該基板返回到所述基板處理裝置而進(jìn)行顯影處理，其特征在于，該方法包括送出工序，將清潔基板搬送到所述基板處理裝置中，其中所述清潔基板在所述曝光裝置內(nèi)用于清潔承載基板的載物臺(tái)，第一反轉(zhuǎn)工序，在所述基板處理裝置內(nèi)，以使所述清潔基板的背面成為上表面的方式反轉(zhuǎn)所述清潔基板，清洗工序，在所述基板處理裝置內(nèi)對(duì)所述清潔基板的背面進(jìn)行清洗，第二反轉(zhuǎn)工序，在所述基板處理裝置內(nèi)，以使背面清洗后的所清潔基板的背面成為下表面的方式反轉(zhuǎn)所述清潔基板，歸還工序，將清洗后的所述清潔基板搬送到所述曝光裝置中。
6.一種基板處理系統(tǒng)，其由基板處理裝置和曝光裝置連接而成，其中該基板處理裝置對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑涂布處理和顯影處理，該曝光裝置對(duì)涂布了抗蝕劑的基板進(jìn)行曝光處理，其特征在于，所述曝光裝置包括存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)仿真基板，所述仿真基板用于調(diào)整圖案圖像的曝光位置；第一搬送裝置，其在所述存儲(chǔ)部與所述基板處理裝置之間搬送仿真基板，所述基板處理裝置包括反轉(zhuǎn)部，其使仿真基板的上下表面反轉(zhuǎn)；背面清洗部，其對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗；第二搬送裝置，其在所述第一搬送裝置與所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部之間搬送仿真基板。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述基板處理裝置還包括對(duì)仿真基板的表面進(jìn)行清洗的表面清洗部，所述第二搬送裝置，在所述第一搬送裝置與所述反轉(zhuǎn)部、所述表面清洗部以及所述背面清洗部之間搬送仿真基板。
8.如權(quán)利要求6或7所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述曝光裝置還包括清洗請(qǐng)求部，該清洗請(qǐng)求部向所述基板處理裝置發(fā)送對(duì)仿真基板的清洗請(qǐng)求信號(hào)，所述基板處理裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部接收所述清洗請(qǐng)求部的清洗請(qǐng)求信號(hào)，對(duì)所述第二搬送裝置、所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理。
9.如權(quán)利要求6或7所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，所述基板處理裝置還包括搬出請(qǐng)求部，該搬出請(qǐng)求部向所述曝光裝置發(fā)送請(qǐng)求搬出仿真基板的搬出請(qǐng)求信號(hào)，所述曝光裝置還包括搬送控制部，該搬送控制部接收所述搬出請(qǐng)求部的搬出請(qǐng)求信號(hào)，對(duì)所述第一搬送裝置進(jìn)行控制而將仿真基板搬送到所述基板處理裝置中。
10.如權(quán)利要求6或7所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)還包括主計(jì)算機(jī)，該主計(jì)算機(jī)對(duì)所述基板處理裝置以及所述曝光裝置進(jìn)行管理，所述曝光裝置還包括搬送控制部，該搬送控制部接收所述主計(jì)算機(jī)的清洗開始信號(hào)，對(duì)所述第一搬送裝置進(jìn)行控制而將仿真基板搬送到所述基板處理裝置中，所述基板處理裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部接收所述主計(jì)算機(jī)的清洗開始信號(hào)，對(duì)所述第二搬送裝置、所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理。
11.如權(quán)利要求6或7所述的基板處理系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)還包括主計(jì)算機(jī)，該主計(jì)算機(jī)對(duì)所述基板處理裝置以及所述曝光裝置進(jìn)行管理，所述曝光裝置還包括搬送控制部，該搬送控制部對(duì)所述第一搬送裝置進(jìn)行控制而將仿真基板搬送到所述基板處理裝置中，所述基板處理裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部對(duì)所述第二搬送裝置、所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板進(jìn)行背面清洗處理，該系統(tǒng)包括有計(jì)劃管理部，該計(jì)劃管理部使所述搬送控制部以及所述清洗控制部定期地執(zhí)行仿真基板的背面清洗處理。
12.一種基板處理系統(tǒng)，其由基板處理裝置與曝光裝置連接而成，該基板處理裝置對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑涂布處理和顯影處理，該曝光裝置對(duì)涂布了抗蝕劑的基板進(jìn)行曝光處理，其特征在于，所述曝光裝置包括載物臺(tái)，其在曝光處理時(shí)對(duì)基板進(jìn)行承載；存儲(chǔ)部，其存儲(chǔ)清潔基板，該清潔基板用于清潔所述載物臺(tái)；第一搬送裝置，其在所述存儲(chǔ)部與所述基板處理裝置之間搬送清潔基板，所述基板處理裝置包括反轉(zhuǎn)部，其使清潔基板的上下表面反轉(zhuǎn)；背面清洗部，其對(duì)清潔基板的背面進(jìn)行清洗；第二搬送裝置，其在所述第一搬送裝置與所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部之間搬送清潔基板。
13.一種基板處理裝置，與對(duì)基板進(jìn)行曝光處理的曝光裝置相鄰配置，對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑涂布處理和顯影處理，其特征在于，該裝置包括背面清洗部，其對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗，該仿真基板在所述曝光裝置內(nèi)用于調(diào)整圖案圖像的曝光位置；反轉(zhuǎn)部，其使仿真基板的上下表面反轉(zhuǎn)；搬送裝置，其在所述曝光裝置與所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部之間搬送仿真基板。
14.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于，該裝置還包括對(duì)仿真基板的表面進(jìn)行清洗的表面清洗部，所述搬送裝置在所述曝光裝置與所述反轉(zhuǎn)部、所述表面清洗部以及所述背面清洗部之間搬送仿真基板。
15.如權(quán)利要求13或14所述的基板處理裝置，其特征在于，該裝置還包括清洗控制部，該清洗控制部接收曝光裝置發(fā)出的對(duì)仿真基板進(jìn)行清洗的請(qǐng)求，對(duì)所述搬送裝置、所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部進(jìn)行控制，而對(duì)仿真基板的背面進(jìn)行清洗處理。
16.如權(quán)利要求13或14所述的基板處理裝置，其特征在于，該裝置還包括搬送請(qǐng)求部，該搬送請(qǐng)求部向所述曝光裝置發(fā)送請(qǐng)求搬出仿真基板的搬出請(qǐng)求信號(hào)。
17.如權(quán)利要求16所述的基板處理裝置，其特征在于，該裝置還包括計(jì)劃管理部，該計(jì)劃管理部使所述搬出請(qǐng)求部定期地發(fā)送搬出請(qǐng)求信號(hào)。
18.一種基板處理裝置，與對(duì)基板進(jìn)行曝光處理的曝光裝置相鄰配置，對(duì)基板進(jìn)行抗蝕劑涂布處理和顯影處理，其特征在于，該裝置包括背面清洗部，其對(duì)清潔基板的背面進(jìn)行清洗，該清潔基板在所述曝光裝置內(nèi)用于清潔承載基板的載物臺(tái)；反轉(zhuǎn)部，其使清潔基板的上下表面反轉(zhuǎn)；搬送裝置，其在所述曝光裝置與所述反轉(zhuǎn)部以及所述背面清洗部之間搬送清潔基板。
全文摘要
一種能降低在曝光裝置內(nèi)的載物臺(tái)等機(jī)構(gòu)的污染的基板處理方法、基板處理系統(tǒng)以及基板處理裝置。將仿真基板向在曝光前后進(jìn)行抗蝕劑涂布處理和顯影處理的基板處理裝置搬送，其中仿真基板在校準(zhǔn)處理中使用，而該校準(zhǔn)處理是在對(duì)應(yīng)于液浸曝光的曝光單元中調(diào)整圖案圖像的曝光位置的處理。在基板處理裝置中，將接受到的仿真基板表面和背面反轉(zhuǎn)，然后將其搬送到背面清洗處理單元中執(zhí)行背面清洗處理。其后再次將仿真基板表面和背面反轉(zhuǎn)，然后將其搬送到表面清洗處理單元而執(zhí)行表面清洗處理。清洗后的仿真基板再次從基板處理裝置返回到曝光單元中。由于能夠在曝光單元側(cè)使用清潔的仿真基板執(zhí)行校準(zhǔn)處理，因此能夠降低基板載物臺(tái)等曝光單元內(nèi)的機(jī)構(gòu)的污染。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101064240SQ20071010108
公開日2007年10月31日 申請(qǐng)日期2007年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月27日
發(fā)明者金山幸司, 茂森和士, 金岡雅, 宮城聰, 安田周一 申請(qǐng)人:大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社