專(zhuān)利名稱：：曝光裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及光刻工藝，特別是涉及一種曝光裝置和方法。
背景技術(shù)：
：光刻工藝是集成電路制造工藝中不可或缺的重要技術(shù)。所述光刻工藝通常包括如下步驟，先在晶圓表面涂布光阻等感光材料，在感光材料干燥后，通過(guò)曝光裝置將掩^^莫上的電路設(shè)計(jì)圖形以特定光源曝在所述的感光材料上，再以顯影劑將感光材料顯影，并利用顯影出來(lái)的圖形作為屏蔽，進(jìn)行蝕刻等工藝，并最終完成掩模圖形的轉(zhuǎn)移。隨著集成電路制造工藝中器件的尺寸的越來(lái)越小，對(duì)于光刻工藝的要求也越來(lái)越高。目前，一般都是通過(guò)縮小曝光光源的曝光波長(zhǎng)來(lái)達(dá)到曝出更小尺寸圖形的目的。然而，這種僅僅借由縮小曝光波長(zhǎng)的方式，通常會(huì)出現(xiàn)光刻分辨率不足的問(wèn)題。為了增加光刻分辨率，如今的集成電路制造工藝已發(fā)展出光學(xué)鄰近修正以及相位移掩膜等分辨率增強(qiáng)技術(shù)。最近，還出現(xiàn)了另一種提高分辨率的技術(shù)一"兩次曝光技術(shù)(DoubleExposure)",所述"兩次曝光技術(shù)"是將需要進(jìn)行曝光的電路圖形分解成兩部分，首先曝光一部分電路圖形，然后將已曝光圖形移到鄰近地方，再對(duì)剩下的一部分電路圖形進(jìn)行曝光。采用這一技術(shù)能夠提高光刻分辨率。而當(dāng)前在"兩次曝光技術(shù)"中使用的是基于雙極照明的兩次曝光技術(shù)(以下簡(jiǎn)稱為"雙極曝光")，其是先把布局圖形分解成X極和Y極兩套，并分別寫(xiě)入兩張掩模版，利用兩張掩模版對(duì)同一片晶圓進(jìn)行兩次曝光，曝光后圖形在晶圓上疊加從而得到實(shí)際的器件圖形。在例如申請(qǐng)?zhí)枮?3128638.0的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)中還能發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于利用雙極照明來(lái)得到具有較小特征尺寸的電路圖形的方法。6為使掩模上的圖形正確轉(zhuǎn)移到晶圓上，關(guān)鍵的步驟是將掩模與晶圓對(duì)準(zhǔn)，由于在雙極曝光中，對(duì)應(yīng)于X極和Y極的布局圖形是寫(xiě)在兩張掩模版上的，因而在兩次曝光之間需要轉(zhuǎn)換掩模版，在每次曝光前，需要先對(duì)掩模版的位置作出校準(zhǔn)，再將掩模版和晶圓對(duì)準(zhǔn)，這樣的曝光過(guò)程如下所述請(qǐng)結(jié)合參考圖1和圖2A,步驟Sll,將具有X極布局圖形XG的第一掩模版MA定位在曝光裝置的掩模臺(tái)MS上。通過(guò)與掩模臺(tái)MS連接的第一定位系統(tǒng)(圖中未顯示)可以調(diào)整放置在掩模臺(tái)MS上的第一掩模版MA的位置，以將第一掩模版MA精確定位在掩模臺(tái)MS上。步驟S12，將待曝光的晶圓W定位在曝光裝置的晶圓臺(tái)WS上。通過(guò)與晶圓臺(tái)WS連接的第二定位系統(tǒng)(圖中未顯示)可以將晶圓W精確定位在晶圓臺(tái)WS上。步驟S13,將第一掩模版MA和晶圓W對(duì)準(zhǔn)。第一定位系統(tǒng)和第二定位系統(tǒng)可以根據(jù)第一掩模版MA的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記MAI、MA2和晶圓W的晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Wl、W2,精確地移動(dòng)掩模臺(tái)MS和晶圓臺(tái)WS,以對(duì)準(zhǔn)第一掩模版MA和晶圓W。步驟S14,對(duì)晶圓W進(jìn)行X極曝光。調(diào)整光圏AP以獲得X極(第一方向DX)曝光光源XL,X極曝光光源XL經(jīng)過(guò)照射系統(tǒng)(CondenserLens)CL被配置成調(diào)節(jié)輻射光束，照射到第一掩模版MA上，再經(jīng)過(guò)投影系統(tǒng)(ProjectionLens)PL將第一掩模版MA上的X極布局圖形XG按比例縮小投影到晶圓W的高分子聚合物層上。請(qǐng)結(jié)合參考圖1和圖2B,步驟S15,取出第一掩模版MA,將具有Y極布局圖形YG的第二掩模版MB定位在曝光裝置的掩模臺(tái)MS上。通過(guò)與掩模臺(tái)MS連接的第一定位系統(tǒng)(圖中未顯示)可以調(diào)整放置在掩模臺(tái)MS上的第二掩模版MB的位置，以將第二掩模版MB精確定位在掩模臺(tái)MS上。步驟S16,將第二掩模版MB和晶圓W對(duì)準(zhǔn)。第一定位系統(tǒng)和第二定位7系統(tǒng)可以根據(jù)第二掩模版MB的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記MB1、MB2和晶圓W的晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記W1、W2,精確地移動(dòng)掩模臺(tái)MS和晶圓臺(tái)WS,以對(duì)準(zhǔn)第二掩模版MB和晶圓W。步驟S17，轉(zhuǎn)換曝光光源，對(duì)晶圓W進(jìn)行Y極曝光。調(diào)整光圏AP以獲得Y極(第二方向DY)曝光光源YL,Y極曝光光源YL經(jīng)過(guò)照射系統(tǒng)CL被配置成調(diào)節(jié)輻射光束，照射到第二掩模版MB上，再經(jīng)過(guò)投影系統(tǒng)PL將第二掩模版MB上的Y極布局圖形YG按比例縮小投影到晶圓W的高分子聚合物層上。上述雙極曝光過(guò)程由于需要轉(zhuǎn)換掩模版，并分別對(duì)兩張掩模版的位置作出校準(zhǔn)，因而會(huì)增加曝光過(guò)程所需的時(shí)間，更進(jìn)一步說(shuō)，對(duì)多片晶圓進(jìn)行雙極曝光則需要更長(zhǎng)的曝光時(shí)間，因此降低了生產(chǎn)效率。并且曝光時(shí)間的增加會(huì)使曝光后延遲時(shí)間增加(PED,post-exposuredelay),即對(duì)晶圓進(jìn)行曝光后處理(例如，烘烤)的等待時(shí)間增加，在等待過(guò)程中晶圓就可能受環(huán)境的溫度影響和酸性物質(zhì)擴(kuò)散等污染，由此導(dǎo)致曝光精度和產(chǎn)品性能的降低。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的問(wèn)題是，提供一種曝光裝置和方法，以減少曝光時(shí)間，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品性能。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種曝光裝置，包括掩模臺(tái)和晶圓臺(tái)，其特征在于，所述掩模臺(tái)具有支撐第一掩模版和第二掩模版所需的面積，所述第一掩模版具有第一方向布局圖形，所述第二掩模版具有第二方向布局圖形。可選的，所述曝光裝置還包括與所述掩模臺(tái)連接、將所述第一掩^t版和第二掩模版定位在掩模臺(tái)上的第一定位系統(tǒng)。可選的，所述第一定位系統(tǒng)包括探測(cè)第一掩模版、第二掩模版的位置的第一位置傳感器，計(jì)算第一位置傳感器探測(cè)到的第一掩模版、第二掩模版8的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第一掩模版、第二掩模版位置的偏移的第一計(jì)算單元，在所述掩模版的位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整所述第一掩模版、第二掩模版的位置的第一調(diào)整單元?？蛇x的，所述曝光裝置還包括與所述晶圓臺(tái)連接、將晶圓定位在所述晶圓臺(tái)上的第二定位系統(tǒng)。可選的，所述第二定位系統(tǒng)包括探測(cè)所述晶圓的位置的第二位置傳感器，計(jì)算第二位置傳感器探測(cè)到的晶圓的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置的偏移的第二計(jì)算單元，在所述晶圓的位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整所述晶圓的位置的第二調(diào)整單元。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還提供一種曝光方法，包括將具有第一方向布局圖形的第一掩模版和具有第二方向布局圖形的第二掩模版定位在掩模臺(tái)上，所述掩模臺(tái)具有支撐第一掩模版和第二掩模版所需的面積、；將待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上；將所述第一掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)；對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一方向的曝光；將所述第二掩^t版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)；對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二方向的曝光?？蛇x的，所述將第一掩模版和第二掩模版定位在掩模臺(tái)上包括探測(cè)放置在掩模臺(tái)上的第一掩模版的位置，并在所述第一掩模版的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第一掩模版位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整放置在掩模臺(tái)上的第一掩模版的位置；探測(cè)放置在掩模臺(tái)上的第二掩模版的位置，并在所述第二掩模版的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第二掩模版位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整放置在掩模臺(tái)上的第二掩模版的位置。可選的，所述將待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上包括探測(cè)放置在晶圓臺(tái)上的晶圓的位置，并在所述晶圓的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整所述晶圓的位置?？蛇x的，所述將第一掩模版與晶圓對(duì)準(zhǔn)包括根據(jù)第一掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，移動(dòng)掩才莫臺(tái)和/或晶圓臺(tái)?？蛇x的，所述將第二掩模版與晶圓對(duì)準(zhǔn)包括根據(jù)第二掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，移動(dòng)掩模臺(tái)和/或晶圓臺(tái)。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還提供一種曝光方法，包括依次對(duì)多片晶圓進(jìn)行雙極曝光，其中，對(duì)第一待曝光的晶圓進(jìn)行雙極曝光包括將具有第一方向布局圖形的第一掩模版和具有第二方向極布局圖形的第二掩模版定位在掩模臺(tái)上，所述掩模臺(tái)具有支撐第一掩模版和第二掩模版所需的面積；將所述第一待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上；將所述第一掩模版與所述第一待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一方向的曝光；將所述第二掩模版與所述第一待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二方向的曝光，對(duì)其他待曝光的晶圓進(jìn)行雙極曝光包括將所述待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上；將所述第一掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一方向的曝光；將所述第二掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二方向的曝光。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案是將具有第一方向布局圖形的第一掩模版和具有第二方向布局圖形的第二掩模版同時(shí)置于掩模臺(tái)上，這樣只需將第一掩模版、第二掩模版與掩模臺(tái)分別對(duì)準(zhǔn)一次，而省去了兩次曝光之間轉(zhuǎn)換掩模版及該掩模版與掩模臺(tái)對(duì)準(zhǔn)的步驟，因此縮短了曝光時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率。并且在第一次曝光后由于省去了轉(zhuǎn)換掩模版及該掩模版與掩模臺(tái)對(duì)準(zhǔn)的步驟，第一次曝光后的曝光延遲時(shí)間也縮短了，在第二次曝光完成后，晶圓可以及時(shí)地進(jìn)行后續(xù)的處理步驟，由此也提高了曝光精度和產(chǎn)品性能。并且，在需要對(duì)多片晶圓進(jìn)行曝光的情況下，上述技術(shù)方案省去了對(duì)前一晶圓進(jìn)行曝光和對(duì)后一晶圓進(jìn)行曝光之間，將第一掩^f莫版、第二掩模版定位在曝光裝置的掩模臺(tái)上的步驟，因此縮短了對(duì)多片晶圓進(jìn)行雙極曝光的總曝光時(shí)間，因而可以在很大地程度上提高批量生產(chǎn)的效率。圖1是現(xiàn)有技術(shù)的雙極曝光過(guò)程的流程圖2A和2B是現(xiàn)有技術(shù)的雙極曝光過(guò)程的步驟示意圖3A至3D是本發(fā)明實(shí)施方式的曝光方法的步驟示意圖4是本發(fā)明一種實(shí)施方式的曝光方法的流程圖5是本發(fā)明另一種實(shí)施方式的曝光方法的流程圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施方式是將具有第一方向布局圖形的第一掩模版和具有第二方向布局圖形的第二掩模版同時(shí)置于掩模臺(tái)上，這樣只需將第一掩模版、第二掩模版與掩模臺(tái)分別對(duì)準(zhǔn)一次。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明實(shí)施方式的曝光裝置如圖3A所示，所述曝光裝置包括光源系統(tǒng)、照射系統(tǒng)CL、掩才莫臺(tái)MS，、投影系統(tǒng)PL和晶圓臺(tái)WS。光源系統(tǒng)，產(chǎn)生曝光光源，光源系統(tǒng)包括光圏AP,調(diào)整光圏AP的孔徑11APH的位置，可以使通過(guò)光圈AP的曝光光源形成X極曝光光源或Y極曝光光源。所述曝光光源可以是i線、氟化氫激光、氟化氨激光等。照射系統(tǒng)CL，用于將由光源系統(tǒng)出射的X極曝光光源或Y極曝光光源配置成調(diào)節(jié)輻射光束。照射系統(tǒng)CL可以包括各種類(lèi)型的光學(xué)部件，例如用于引導(dǎo)、整形或者控制輻射的折射光學(xué)部件、反射光學(xué)部件、磁性光學(xué)部件、電磁光學(xué)部件、靜電光學(xué)部件或者其它類(lèi)型的光學(xué)部件，或者其任意組合。掩模臺(tái)MS，，用于支撐具有X極布局圖形的第一掩模版MA和具有Y極布局圖形的第二掩模版MB,并與用于將第一掩模版MA、第二掩模版MB精確定位在掩模臺(tái)MS，上的第一定位系統(tǒng)(圖中未顯示)連接，掩模臺(tái)MS，可保證第一掩模版MA、第二掩模版MB相對(duì)于投影系統(tǒng)PL處于所需的位置。為了同時(shí)支撐第一掩模版MA、第二掩模版MB,掩模臺(tái)MS，具有支撐第一掩模版MA和第二掩模版MB所需的面積，也就是說(shuō)，掩模臺(tái)MS，的面積應(yīng)當(dāng)大于或等于或略小于第一掩模版MA、第二掩模版MB的面積之和。與掩模臺(tái)MS，連接的第一定位系統(tǒng)包括探測(cè)第一掩模版MA、第二掩模版MB的位置的第一位置傳感器；計(jì)算第一位置傳感器探測(cè)到的第一掩模版MA、第二掩模版MB的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第一掩模版、第二掩模版位置的偏移的第一計(jì)算單元；在所述掩模版的位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的誤差范圍時(shí)調(diào)整所述第一掩模版、第二掩模版的位置的第一調(diào)整單元。其中，第一調(diào)整單元將第一計(jì)算單元計(jì)算得到的第一掩模版、第二掩模版的位置的偏移與預(yù)設(shè)的位置誤差范圍進(jìn)行比較若位置的偏移在預(yù)設(shè)的誤差范圍內(nèi)，則可以認(rèn)為第一掩模版MA、第二掩模版MB與掩模臺(tái)MS，已經(jīng)對(duì)準(zhǔn)；若位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的誤差范圍，第一調(diào)整單元可以調(diào)整放置在掩模臺(tái)MS上的第一掩模版MA、第二掩模版MB的位置，直至第一掩模版MA、第二掩模版MB的位置的偏移在預(yù)設(shè)的位置誤差范圍內(nèi)。投影系統(tǒng)PL,用于把第一掩模版MA的X極布局圖形、第二掩模版MB12的Y極布局圖形按比例縮小投影到晶圓Wl的高分子聚合物層上。照射系統(tǒng)CL出射的調(diào)節(jié)輻射光束穿過(guò)第一掩模版MA或第二掩模版MB后形成聚焦調(diào)節(jié)輻射光束，并通過(guò)投影系統(tǒng)PL的投影透鏡形成曝光光束聚焦在晶圓Wl上的高分子聚合物層上。晶圓臺(tái)WS，用于支撐晶圓Wl,并與用于將晶圓Wl精確定位在晶圓臺(tái)WS上的第二定位系統(tǒng)(圖中未顯示)連接。晶圓臺(tái)WS可以保證晶圓Wl相對(duì)于投影系統(tǒng)PL處于所需的位置。與晶圓臺(tái)WS連接的第二定位系統(tǒng)包括探測(cè)晶圓Wl的位置的第二位置傳感器，計(jì)算第二位置傳感器探測(cè)到的晶圓Wl的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置的偏移的第二計(jì)算單元，在所述晶圓的位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整所述晶圓的位置的第二調(diào)整單元。其中，第二調(diào)整單元將第二計(jì)算單元計(jì)算得到的晶圓的位置的偏移與預(yù)設(shè)的位置誤差范圍進(jìn)行比較若位置的偏移在預(yù)設(shè)的誤差范圍內(nèi)，則可以認(rèn)為晶圓Wl與晶圓臺(tái)WS已經(jīng)對(duì)準(zhǔn)；若位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的誤差范圍，第二調(diào)整單元可以調(diào)整放置在晶圓臺(tái)WS上的晶圓Wl的位置，直至晶圓Wl的位置的偏移在預(yù)設(shè)的位置誤差范圍內(nèi)。應(yīng)用上述的曝光裝置，本發(fā)明實(shí)施方式的曝光方法的流程如圖4所示步驟S41，將具有第一方向布局圖形的第一掩it版和具有第二方向布局圖形的第二掩模版定位在掩模臺(tái)上。所述掩模臺(tái)具有支撐第一掩模版和第二掩模版所需的面積，即所述掩模臺(tái)的面積大于或等于或略小于所述第一掩模版、第二掩模版的面積之和。步驟S42,將待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上。步驟S43，將所述第一掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)。步驟S44,對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一方向的曝光。步驟S45,將所述第二掩^t版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)。13步驟S46,對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二方向的曝光。下面結(jié)合圖3A和3B對(duì)圖4所示的曝光方法的各步驟作詳細(xì)的說(shuō)明。本實(shí)施例是以第一掩模版MA具有X極(第一方向)布局圖形、第二掩模版MB具有Y極(第二方向)布局圖形，并且對(duì)晶圓先進(jìn)行X極曝光，再進(jìn)行Y極曝光為例進(jìn)行說(shuō)明的。在其他實(shí)施例中，也可以對(duì)晶圓先進(jìn)行Y極曝光，再進(jìn)行X極曝光。請(qǐng)結(jié)合參考圖4和圖3A,步驟S41，將具有X極布局圖形的第一掩模版MA定位在曝光裝置的掩模臺(tái)MS，上，將具有Y極布局圖形的第二掩模版MB定位在曝光裝置的掩模臺(tái)MS，上。具體來(lái)說(shuō)，探測(cè)放置在掩模臺(tái)MS，上的第一掩模版MA的位置，并在第一掩模版MA的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第一掩模版位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整放置在掩模臺(tái)MS，上的第一掩模版MA的位置；探測(cè)放置在掩模臺(tái)MS，上的第二掩模版MB的位置，并在第二掩模版MB的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第二掩模版位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整放置在掩模臺(tái)MS，上的第二掩模版MB的位置。本實(shí)施例中，借助與掩模臺(tái)MS，連接的第一定位系統(tǒng)可以將第一掩模版MA、第二掩模版MB精確定位在掩才莫臺(tái)MS，上。將第一掩模版MA置于掩模臺(tái)MS，上，與掩模臺(tái)MS，連接的第一定位系統(tǒng)計(jì)算第一位置傳感器探測(cè)到的第一掩模版MA的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第一掩模版位置的偏移，并與預(yù)設(shè)的位置誤差范圍進(jìn)行比較若位置的偏移在預(yù)設(shè)的誤差范圍內(nèi)，則可以認(rèn)為第一掩模版MA與掩模臺(tái)MS，已經(jīng)對(duì)準(zhǔn)；若位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的誤差范圍，調(diào)整放置在掩模臺(tái)MS，上的第一掩模版MA的位置，直至第一掩^t版MA的位置的偏移在位置誤差范圍內(nèi)。將第二掩模版MB置于掩模臺(tái)MS，上，與掩模臺(tái)MS，連接的第一定位系統(tǒng)計(jì)算第一位置傳感器探測(cè)到的第二掩模版MB的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第二掩模版位置的偏移，并與預(yù)設(shè)的位置誤差范圍進(jìn)行比較若位置的偏移在預(yù)設(shè)14的誤差范圍內(nèi)，則可以認(rèn)為第二掩模版MB與掩模臺(tái)MS，已經(jīng)對(duì)準(zhǔn)；若位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的誤差范圍，調(diào)整放置在掩模臺(tái)MS，上的第二掩模版MB的位置，直至第二掩模版MB的位置的偏移在位置誤差范圍內(nèi)。步驟S42，將待曝光的晶圓Wl定位在曝光裝置的晶圓臺(tái)WS上。具體來(lái)說(shuō)，探測(cè)放置在晶圓臺(tái)WS上的晶圓Wl的位置，并在晶圓Wl的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整晶圓Wl的位置。本實(shí)施例中，借助與晶圓臺(tái)WS連接的第二定位系統(tǒng)可以將晶圓W精確定位在晶圓臺(tái)WS上。與晶圓臺(tái)WS連接的第二定位系統(tǒng)計(jì)算第二位置傳感器探測(cè)到的晶圓Wl的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置的偏移，并與預(yù)設(shè)的位置誤差范圍進(jìn)行比較若位置的偏移在預(yù)設(shè)的誤差范圍內(nèi)，則可以認(rèn)為晶圓Wl與晶圓臺(tái)WS已經(jīng)對(duì)準(zhǔn)；若位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的誤差范圍，調(diào)整放置在晶圓臺(tái)WS上的晶圓Wl的位置，直至晶圓Wl的位置的偏移在位置誤差范圍內(nèi)。步驟S43,將第一掩模版MA和晶圓Wl對(duì)準(zhǔn)。第一定位系統(tǒng)和第二定位系統(tǒng)可以根據(jù)第一掩模版MA的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記MA1、MA2和晶圓Wl的晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Wll、W12,精確地移動(dòng)掩才莫臺(tái)MS，和/或晶圓臺(tái)WS，以對(duì)準(zhǔn)第一掩模版MA和晶圓Wl。步驟S44,對(duì)晶圓Wl進(jìn)行X極曝光。調(diào)整光圏AP的孔徑APH的位置至方向DX,以l吏曝光光源穿過(guò)光圏AP的孔徑，獲得X才及曝光光源XL,X極曝光光源XL經(jīng)過(guò)照射系統(tǒng)CL被配置成調(diào)節(jié)輻射光束，照射到第一掩模版MA上，穿過(guò)第一掩模版MA后形成聚焦調(diào)節(jié)輻射光束，再經(jīng)過(guò)投影系統(tǒng)PL的投影透鏡形成曝光光束聚焦在晶圓Wl上的高分子聚合物層上，即將第一掩模版MA上的X極布局圖形XG按比例縮小投影到晶圓Wl的高分子聚合物層上。請(qǐng)結(jié)合參考圖4和圖3B,步驟S45,將第二掩模版MB和晶圓Wl對(duì)準(zhǔn)。15第一定位系統(tǒng)和第二定位系統(tǒng)可以根據(jù)第二掩模版MB的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記MB1、MB2和晶圓Wl的晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記Wll、W12，精確地移動(dòng)掩模臺(tái)MS，和/或晶圓臺(tái)WS,以對(duì)準(zhǔn)第二掩才莫版MB和晶圓Wl。步驟S46,對(duì)晶圓W1進(jìn)行Y極曝光。轉(zhuǎn)換曝光光源，即調(diào)整光圈AP的孔徑APH的位置至方向DY,以使曝光光源穿過(guò)光圏AP的孔徑，獲得Y極曝光光源YL,Y極曝光光源YL經(jīng)過(guò)照射系統(tǒng)CL被配置成調(diào)節(jié)輻射光束，照射到第二掩模版MB上，穿過(guò)第二掩模版MB后形成聚焦調(diào)節(jié)輻射光束，再經(jīng)過(guò)投影系統(tǒng)PL的投影透鏡形成曝光光束聚焦在晶圓Wl上的高分子聚合物層上，即將第二掩模版MB上的Y極布局圖形YG按比例縮小投影到晶圓Wl的高分子聚合物層上。利用兩張掩模版MA、MB對(duì)同一片晶圓Wl進(jìn)行兩次曝光，曝光后的X極圖形和Y極圖形在晶圓Wl上疊加從而得到實(shí)際的器件圖形。上述圖4所示的雙極曝光方法省去了兩次曝光之間轉(zhuǎn)換第二掩模版MB及第二掩模版MB與掩模臺(tái)MS，對(duì)準(zhǔn)的步驟，因此縮短了曝光時(shí)間，并且，第一次曝光后的曝光延遲時(shí)間也縮短了。應(yīng)用上述的曝光裝置，本發(fā)明實(shí)施方式的對(duì)多片晶圓進(jìn)行雙極曝光的曝光方法包括依次對(duì)多片晶圓進(jìn)行雙極曝光，其中，對(duì)第一待曝光的晶圓進(jìn)行雙極曝光包括將具有第一方向布局圖形的第一掩模版和具有第二方向極布局圖形的第二掩模版定位在掩模臺(tái)上，所述掩模臺(tái)具有支撐第一掩模版和第二掩模版所需的面積；將所述第一待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上；將所述第一掩模版與所述第一待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一方向的曝光；將所述第二掩模版與所述第一待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二16方向的曝光。對(duì)其他待曝光的晶圓進(jìn)行雙極曝光包括將所述待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上；將所述第一掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一方向的曝光；將所述第二掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二方向的曝光。下面結(jié)合圖5、圖3A至3D對(duì)上述依次對(duì)多片晶圓進(jìn)行雙極曝光的曝光方法的各步驟進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施例是以第一掩模版MA具有X極(第一方向)布局圖形、第二掩模版MB具有Y極(第二方向)布局圖形，并且對(duì)第一待曝光的晶圓先進(jìn)行X極曝光，再進(jìn)行Y極曝光為例進(jìn)行說(shuō)明的。在其他實(shí)施例中，也可以對(duì)第一待曝光的晶圓先進(jìn)行Y極曝光，再進(jìn)行X極曝光。請(qǐng)結(jié)合參考圖5和圖3A,步驟S51,將具有X極布局圖形的第一掩模版MA定位在曝光裝置的掩模臺(tái)MS，上，將具有Y極布局圖形的第二掩模版MB定位在曝光裝置的掩;^莫臺(tái)MS，上。請(qǐng)參考上述步驟S41。步驟S52，將第一待曝光的晶圓Wl定位在晶圓臺(tái)WS上，請(qǐng)參考上述步驟S42。步驟S53,將第一掩模版MA與晶圓Wl對(duì)準(zhǔn)，對(duì)晶圓Wl進(jìn)行X極曝光。將第一掩模版MA與晶圓Wl對(duì)準(zhǔn)請(qǐng)參考上述步驟S43,對(duì)晶圓Wl進(jìn)行X極曝光請(qǐng)參考上述步驟S44。請(qǐng)結(jié)合參考圖5和圖3B,步驟S54,將第二掩模版MB與晶圓Wl對(duì)準(zhǔn)，對(duì)晶圓Wl進(jìn)行Y極曝光。將第二掩模版MB與晶圓Wl對(duì)準(zhǔn)請(qǐng)參考上述步驟S45,對(duì)晶圓Wl進(jìn)行Y極曝光請(qǐng)參考上述步驟S46。請(qǐng)結(jié)合參考圖5和圖3C,步驟S55,取出第一待曝光的晶圓Wl，將第二待曝光的晶圓W2定位在晶圓臺(tái)WS上。將晶圓W2定位在晶圓臺(tái)WS上可17以參考上述步驟S42。步驟S56,將第二掩模版MB與晶圓W2對(duì)準(zhǔn)，對(duì)晶圓W2進(jìn)行Y極曝光。第一定位系統(tǒng)和第二定位系統(tǒng)可以根據(jù)第二掩模版MB的掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記MB1、MB2和晶圓W2的晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記W21、W22，并青確地移動(dòng)掩才莫臺(tái)MS，和/或晶圓臺(tái)WS,以對(duì)準(zhǔn)第二掩模版MB和晶圓W2。接著，對(duì)晶圓W2進(jìn)行Y極曝光。由于對(duì)第一待曝光的晶圓Wl先進(jìn)行X極曝光，再進(jìn)行Y極曝光，因此，本實(shí)施例對(duì)第二待曝光的晶圓W2先進(jìn)行Y極曝光，這樣可以省去轉(zhuǎn)換曝光光源(即調(diào)整光圏AP的孔徑APH的位置)的步驟，并且，由于之前已將第二掩才莫版MB與晶圓Wl對(duì)準(zhǔn)，在取出晶圓Wl并將晶圓W2定位在晶圓臺(tái)WS后，再將第二掩模版MB與晶圓W2對(duì)準(zhǔn)就更為容易，因?yàn)檠谀Ｅ_(tái)MS，可以移動(dòng)較小。在其他實(shí)施例中，步驟S56也可以是將第一掩模版MA與晶圓W2對(duì)準(zhǔn)，對(duì)晶圓W2進(jìn)行X極曝光。此時(shí)需要先轉(zhuǎn)換曝光光源，獲得X極曝光光源后，再對(duì)晶圓W2進(jìn)行X才及曝光。請(qǐng)結(jié)合參考圖5和圖3D,步驟S57,將第一掩模版MA與晶圓W2對(duì)準(zhǔn)，對(duì)晶圓W2進(jìn)行X極曝光。第一定位系統(tǒng)和第二定位系統(tǒng)可以根據(jù)第一掩模版MA的掩才莫對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記MA1、MA2和晶圓W2的晶圓對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記W21、W22,精確地移動(dòng)掩模臺(tái)MS，和/或晶圓臺(tái)WS,以對(duì)準(zhǔn)第一掩模版MA和晶圓W2。接著，調(diào)整光圏AP的孔徑APH的位置，以獲得X極曝光光源，對(duì)晶圓W2進(jìn)4亍X纟及曝光。在其他實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)于上述步驟S56先將第一掩模版MA與晶圓W2對(duì)準(zhǔn)，對(duì)晶圓W2進(jìn)行X極曝光，步驟S57則是將第二掩模版MB與晶圓W2對(duì)準(zhǔn)，對(duì)晶圓W2進(jìn)4亍Y極曝光。接著，應(yīng)用與步驟S55至S57相近似的步驟，可以依次對(duì)多片晶圓進(jìn)行雙才及曝光?？梢愿鶕?jù)前一晶圓是后進(jìn)行X極曝光還是Y極曝光，來(lái)確定后一18晶圓是先進(jìn)行X極曝光還是Y極曝光；或者，也可以對(duì)晶圓先進(jìn)行X極曝光再進(jìn)行Y極曝光；或者，也可以對(duì)晶圓先進(jìn)行Y極曝光再進(jìn)行X極曝光。-上述圖5所示的雙極曝光方法省去了對(duì)前一晶圓進(jìn)行曝光和對(duì)后一晶圓進(jìn)行曝光之間，將第一掩模版MA、第二掩模版MB定位在曝光裝置的掩模臺(tái)MS，上的步驟，因此縮短了對(duì)多片晶圓進(jìn)行雙極曝光的總曝光時(shí)間，以對(duì)一個(gè)晶圓盒中的25片晶圓進(jìn)行雙極曝光為例，如下表所示<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>與傳統(tǒng)的雙才及曝光方法相比，本發(fā)明實(shí)施方式的雙才及曝光方法省去了轉(zhuǎn)換掩模版的步驟，并且掩模版與掩模臺(tái)的對(duì)準(zhǔn)次數(shù)也大大減少，只需在對(duì)第一待曝光的晶圓進(jìn)行雙極曝光前，將第一掩模版、第二掩模版與掩模臺(tái)對(duì)準(zhǔn)即可，因此，總的曝光時(shí)間也就縮短了。綜上所述，上述技術(shù)方案是將具有第一方向布局圖形的第一掩模版和具有第二方向布局圖形的第二掩模版同時(shí)置于掩模臺(tái)上，這樣只需將第一掩模版、第二掩模版與掩模臺(tái)分別對(duì)準(zhǔn)一次，而省去了兩次曝光之間轉(zhuǎn)換掩模版及該掩模版與掩模臺(tái)對(duì)準(zhǔn)的步驟，因此縮短了曝光時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率。并且在第一次曝光后由于省去了轉(zhuǎn)換掩模版及該掩模版與掩模臺(tái)對(duì)準(zhǔn)的步驟，第一次曝光后的曝光延遲時(shí)間也縮短了，在第二次曝光完成后，晶圓可以及時(shí)地進(jìn)行后續(xù)的處理步驟，由此也提高了曝光精度和產(chǎn)品性能。并且，在需要對(duì)多片晶圓進(jìn)行曝光的情況下，上述技術(shù)方案省去了對(duì)前一晶圓進(jìn)行曝光和對(duì)后一晶圓進(jìn)行曝光之間，將第一掩模版、第二掩模版定位在曝光裝置的掩模臺(tái)上的步驟，因此縮短了對(duì)多片晶圓進(jìn)行雙極曝光的總曝光時(shí)間，因而可以在很大地程度上提高批量生產(chǎn)的效率。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。權(quán)利要求1.一種曝光裝置，包括掩模臺(tái)和晶圓臺(tái)，其特征在于，所述掩模臺(tái)具有支撐第一掩模版和第二掩模版所需的面積，所述第一掩模版具有第一方向布局圖形，所述第二掩模版具有第二方向布局圖形。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，還包括與所述掩模臺(tái)連接、將所述第一掩模版和第二掩模版定位在掩模臺(tái)上的第一定位系統(tǒng)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光裝置，其特征在于，所述第一定位系統(tǒng)包括探測(cè)第一掩模版、第二掩模版的位置的第一位置傳感器，計(jì)算第一位置傳感器探測(cè)到的第一掩模版、第二掩模版的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第一掩模版、第二掩模版位置的偏移的第一計(jì)算單元，在所述掩模版的位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整所述第一掩模版、第二掩模版的位置的第一調(diào)整單元。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，其特征在于，還包括與所述晶圓臺(tái)連接、將晶圓定位在所述晶圓臺(tái)上的第二定位系統(tǒng)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的曝光裝置，其特征在于，所述第二定位系統(tǒng)包括探測(cè)所述晶圓的位置的第二位置傳感器，計(jì)算第二位置傳感器探測(cè)到的晶圓的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置的偏移的第二計(jì)算單元，在所述晶圓的位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整所述晶圓的位置的第二調(diào)整單元。6.—種曝光方法，其特征在于，包括下述步驟將具有第一方向布局圖形的第一掩模版和具有第二方向布局圖形的第二掩模版定位在掩模臺(tái)上，所述掩模臺(tái)具有支撐第一掩模版和第二掩模版所需的面積；將待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上；將所述第一掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)；對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一方向的曝光；將所述第二掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)；對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二方向的曝光。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述將第一掩模版和第二掩模版定位在掩模臺(tái)上包括-探測(cè)放置在掩模臺(tái)上的第一掩模版的位置，并在所述第一掩模版的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第一掩模版位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整放置在掩模臺(tái)上的第一掩模版的位置；探測(cè)放置在掩模臺(tái)上的第二掩模版的位置，并在所述第二掩模版的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第二掩模版位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整放置在掩模臺(tái)上的第二掩模版的位置。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述將待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上包括探測(cè)放置在晶圓臺(tái)上的晶圓的位置，并在所述晶圓的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整所述晶圓的位置。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述將第一掩模版與晶圓對(duì)準(zhǔn)包括根據(jù)第一掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，移動(dòng)掩模臺(tái)和/或晶圓臺(tái)。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的曝光方法，其特征在于，所述將第二掩模版與晶圓對(duì)準(zhǔn)包括根據(jù)第二掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，移動(dòng)掩模臺(tái)和/或晶圓臺(tái)。11.一種曝光方法，其特征在于，包括依次對(duì)多片晶圓進(jìn)行雙極曝光，其中，對(duì)第一待曝光的晶圓進(jìn)行雙極曝光包括將具有第一方向布局圖形的第一掩模版和具有第二方向極布局圖形的第二掩模版定位在掩模臺(tái)上，所述掩模臺(tái)具有支撐第一掩模版和第二掩模版所需的面積；將所述第一待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上；將所述第一掩模版與所述第一待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一方向的曝光；將所述第二掩模版與所述第一待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二方向的曝光，對(duì)其他待曝光的晶圓進(jìn)行雙極曝光包括將所述待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上；將所述第一掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一方向的曝光；將所述第二掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述晶圓進(jìn)行第二方向的曝光。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的曝光方法，其特征在于，所述將第一掩模版和第二掩模版定位在掩模臺(tái)上包括探測(cè)放置在掩模臺(tái)上的第一掩模版的位置，并在所述第一掩模版的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第一掩模版位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整放置在掩模臺(tái)上的第一掩模版的位置；探測(cè)放置在掩模臺(tái)上的第二掩模版的位置，并在所述第二掩模版的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的第二掩模版位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整放置在掩模臺(tái)上的第二掩模版的位置。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的曝光方法，其特征在于，所述將待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上包括探測(cè)放置在晶圓臺(tái)上的晶圓的位置，并在所述晶圓的位置相對(duì)于預(yù)設(shè)的晶圓位置的偏移超出了預(yù)設(shè)的位置誤差范圍時(shí)調(diào)整所述晶圓的位置。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的曝光方法，其特征在于，將所述第一掩模版與待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)包括根據(jù)所述第一掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，移動(dòng)掩模臺(tái)和/或晶圓臺(tái)。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的曝光方法，其特征在于，將所述第二掩模版與待4曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)包括根據(jù)所述第二掩模版的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和持曝光的晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，移動(dòng)掩^f莫臺(tái)和/或晶圓臺(tái)。全文摘要一種曝光裝置和方法，所述曝光方法包括將具有第一方向布局圖形的第一掩模版和具有第二方向布局圖形的第二掩模版定位在掩模臺(tái)上，所述掩模臺(tái)具有支撐第一掩模版和第二掩模版所需的面積；將待曝光的晶圓定位在晶圓臺(tái)上；將所述第一掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)；對(duì)所述晶圓進(jìn)行第一方向的曝光；將所述第二掩模版與所述待曝光的晶圓對(duì)準(zhǔn)；對(duì)晶圓進(jìn)行第二方向的曝光。所述曝光裝置和方法省去了轉(zhuǎn)換掩模版并將該掩模版與掩模臺(tái)對(duì)準(zhǔn)的步驟，因此可以減少曝光時(shí)間，提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品性能。文檔編號(hào)G03F7/20GK101458455SQ20071009452公開(kāi)日2009年6月17日申請(qǐng)日期2007年12月13日優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日發(fā)明者李承赫申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司