專(zhuān)利名稱(chēng)：光學(xué)臨近修正、光掩模版制作及圖形化方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及光學(xué)臨近修正(OPC, Optical Proximity Correction)方法、光掩模版制作方法及圖形化方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，為了半導(dǎo)體器件達(dá)到更快的運(yùn)算速度、 更大的資料存儲(chǔ)量以及更多的功能，半導(dǎo)體芯片向更高集成度方向發(fā)展。而 半導(dǎo)體芯片的集成度越高，則半導(dǎo)體器件的臨界尺寸(CD， Critical Dimension) 越小。
然而，由于受到曝光機(jī)臺(tái)(optical exposure tool)的分辨率極限(resolution limit)的影響，在對(duì)這些高密度排列的光罩圖形進(jìn)行曝光制程以進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移 時(shí)，便4艮容易產(chǎn)生光學(xué)臨近效應(yīng)(OPE， optical proximity effect),例如直角 轉(zhuǎn)角圓形化(right-angled corner rounded)、直線(xiàn)末端緊縮(line end shortened) 以及直線(xiàn)線(xiàn)寬增加/縮減(line width increase/decrease )等都是常見(jiàn)的光學(xué)臨近 效應(yīng)所導(dǎo)致的掩模版圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上的缺陷。光學(xué)臨近效應(yīng)源于當(dāng)光掩才莫 版上節(jié)距非常靠近的掩模版圖形以微影方式轉(zhuǎn)移到晶圓的光刻膠上時(shí)，由于 相鄰圖形的光波互相作用，亦即干涉，而造成最后轉(zhuǎn)移到光刻膠上的圖形扭 曲失真，產(chǎn)生依圖形形狀而定的變動(dòng)。在深亞微米半導(dǎo)體器件中，由于電路 圖形非常密集，光學(xué)臨近效應(yīng)會(huì)降低光學(xué)系統(tǒng)對(duì)于曝光圖形的分辨率。
美國(guó)專(zhuān)利US6042973揭露的方案于光掩模版表面的多個(gè)集成電路圖形邊 緣分別形成近似圓形的次解析柵欄(sub-resolution grating),因此當(dāng)該電路圖 形轉(zhuǎn)移至晶圓時(shí)，該電路圖形邊緣的分辨率可以提高，然而該次解析柵欄并 無(wú)法避免該電路圖形轉(zhuǎn)移時(shí)發(fā)生光學(xué)臨近效應(yīng)。因此，為了避免上述光學(xué)臨近效應(yīng)造成掩模版圖形轉(zhuǎn)移失真，而無(wú)法將圖形正確地轉(zhuǎn)移至晶圓上，現(xiàn)行 的半導(dǎo)體工藝均是先利用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)對(duì)該圖形的布局圖形進(jìn)行光學(xué)臨近修
正(OPC, optical proximity correction),以消除光學(xué)臨近效應(yīng)，然后再依據(jù) 修正過(guò)的布局圖形制作掩模版圖形，形成于光掩模版上。因此，光學(xué)臨近修 正的基本原理就是對(duì)于布局圖形進(jìn)行預(yù)先的修改，使得修改的量正好能夠補(bǔ) 償光學(xué)臨近效應(yīng)造成的缺陷，從而經(jīng)過(guò)光學(xué)臨近修正而形成的掩模版圖形轉(zhuǎn) 移到晶圓上后，就能達(dá)到曝光工藝的要求。
隨著半導(dǎo)體器件臨界尺寸越來(lái)越小，用于連接金屬層的接觸孔的尺寸也 在不斷減小?，F(xiàn)有接觸孔的尺寸一般都在90納米以下，如果不對(duì)布局接觸孔 圖形進(jìn)行光學(xué)臨近修正的話(huà)，由于臨界尺寸的縮減現(xiàn)象，會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)移至晶圓 光刻膠上的接觸孔圖形顯示不出。
因此，在將布局接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至晶圓的光刻膠上時(shí)，先對(duì)布局接觸孔圖 形進(jìn)行光學(xué)臨近修正，使光刻膠上的接觸孔圖形不會(huì)因?yàn)楣鈱W(xué)臨近效應(yīng)而臨 界尺寸過(guò)小或無(wú)法顯示。具體工藝如圖l所示，步驟sl,用光學(xué)臨近修正軟件 將布局接觸孔圖形的臨界尺寸修正至正好能夠補(bǔ)償光學(xué)臨近效應(yīng)造成的缺 陷。步驟s2,用電子束或激光束寫(xiě)入裝置將修正后的布局接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至光 掩模版上，形成掩模版接觸孔圖形。步驟s3，在光刻機(jī)臺(tái)中，將光掩模版上的 掩模版接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至晶圓的光刻膠上，形成接觸孔圖形。
集成電路一般分為半導(dǎo)體器件密集區(qū)、半導(dǎo)體器件稀疏區(qū)及半導(dǎo)體器件孤 立區(qū)，隨著半導(dǎo)體器件的臨界尺寸不斷減小，半導(dǎo)體器件間的節(jié)距也在縮小， 因此，在半導(dǎo)體器件密集區(qū)接觸孔之間的距離比較近，在對(duì)布局接觸孔圖形 進(jìn)行光學(xué)臨近修正后，可能會(huì)因?yàn)樾拚康牟磺‘?dāng)而造成轉(zhuǎn)移至晶圓的光刻 膠上的接觸孔圖形產(chǎn)生橋接，進(jìn)而使后續(xù)形成的相鄰接觸孔間連通，使器件 間短路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種光學(xué)臨近修正方法、光掩模版制作方法及 圖形化方法，防止接觸孔間產(chǎn)生橋接現(xiàn)象。
為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種光學(xué)臨近修正方法，包括確定布局接 觸孔圖形位于器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立區(qū)；增大器件稀疏區(qū)及 器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形的臨界尺寸。
可選的，通過(guò)測(cè)量布局接觸孔圖形間的距離以及布局接觸孔圖形與其下 方布局金屬膜層圖形之間的距離，確定布局接觸孔圖形的所在區(qū)域。
可選的，測(cè)量布局接觸孔圖形與其下方布局金屬膜層圖形之間的距離所 用的軟件為光學(xué)臨近修正軟件。所述布局接觸孔圖形與其下方布局金屬膜層 圖形間的距離指相鄰邊之間的距離。
可選的，測(cè)量布局接觸孔圖形間的距離所用的軟件為光學(xué)臨近修正軟件。 所述布局4矣觸孔圖形間的距離為相鄰邊之間的距離。
可選的，所述器件稀疏區(qū)的增大后的布局接觸孔圖形臨界尺寸與原臨界尺 寸的比例為1 2。所述器件孤立區(qū)的增大后的布局接觸孔圖形臨界尺寸與原臨 界尺寸的比例為1 4。
本發(fā)明提供一種光掩模版制作方法，包括確定布局接觸孔圖形位于器 件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立區(qū)；僅增大器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的 布局接觸孔圖形的臨界尺寸；將布局接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩 模版接觸孔圖形。
可選的，通過(guò)測(cè)量布局接觸孔圖形間的距離以及布局接觸孔圖形與其下 方布局金屬膜層圖形之間的距離，確定布局接觸孔圖形的所在區(qū)域。
可選的，測(cè)量布局接觸孔圖形與其下方布局金屬膜層圖形之間的距離所 用的軟件為光學(xué)臨近修正軟件。所述布局接觸孔圖形與其下方布局金屬膜層 圖形間的距離指相鄰邊之間的距離?？蛇x的，測(cè)量布局接觸孔圖形間的距離所用的軟件為光學(xué)臨近修正軟件。 所述布局接觸孔圖形間的距離為相鄰邊之間的距離。
可選的，所述器件稀疏區(qū)的增大后的布局接觸孔圖形臨界尺寸與原臨界 尺寸的比例為1~2。所述器件孤立區(qū)的增大后的布局接觸孔圖形臨界尺寸與原
臨界尺寸的比例為1~4。
本發(fā)明提供一種圖形化方法，包括確定布局接觸孔圖形位于器件密集 區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立區(qū)；僅增大器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的布局接 觸孔圖形的臨界尺寸；將布局接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模版接 觸孔圖形；將掩模版接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至晶圓上，形成接觸孔。
可選的，通過(guò)測(cè)量布局接觸孔圖形間的距離以及布局接觸孔圖形與其下 方布局金屬膜層圖形之間的距離，確定布局接觸孔圖形的所在區(qū)域。所述布 局接觸孔圖形與其下方布局金屬膜層圖形間的距離指相鄰邊之間的距離。所 述布局接觸孔圖形間的距離為相鄰邊之間的距離。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)通過(guò)確定布局接觸孔圖形位于 器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立區(qū)，能有選擇地對(duì)不同區(qū)域的布局接 觸孔圖形進(jìn)行臨界尺寸調(diào)整，對(duì)器件稀疏區(qū)和器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形 的臨界尺寸進(jìn)行增大，使后續(xù)形成于晶圓上的接觸孔不會(huì)因?yàn)榕R界尺寸過(guò)小 而丟失，對(duì)器件密集區(qū)的布局接觸孔圖形的臨界尺寸不進(jìn)行改變，防止由于 器件密集及臨界尺寸的增大造成接觸孔間的橋接，進(jìn)而有效解決器件間的短 路現(xiàn)象。


圖l是現(xiàn)有技術(shù)對(duì)形成接觸孔圖形的流程圖2是本發(fā)明光學(xué)臨近修正的具體實(shí)施方式
流程圖3至圖5是本發(fā)明對(duì)接觸孔進(jìn)行光學(xué)臨近修正的示意圖；圖6是本發(fā)明制作光掩模版的具體實(shí)施方式
流程圖； 圖7、圖7A、圖7B是本發(fā)明形成的光掩模版實(shí)施例示意圖； 圖8是本發(fā)明圖形化方法的具體實(shí)施方式
流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明通過(guò)確定布局接觸孔圖形位于器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件 孤立區(qū)，能有選擇地對(duì)不同區(qū)域的布局接觸孔進(jìn)行臨界尺寸調(diào)整，對(duì)器件稀 疏區(qū)和器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形的臨界尺寸進(jìn)行增大，使后續(xù)形成于晶 圓上的接觸孔不會(huì)因?yàn)榕R界尺寸過(guò)小而丟失，對(duì)器件密集區(qū)的布局接觸孔圖 形的臨界尺寸不進(jìn)行改變，防止由于器件密集及臨界尺寸的增大造成接觸孔 間的橋接，進(jìn)而有效解決器件間的短路現(xiàn)象。
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。
圖2是本發(fā)明光學(xué)臨近修正的具體實(shí)施方式
流程圖。如圖2所示，執(zhí)行 步驟S101,確定布局接觸孔圖形位于器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立 區(qū)。
本步驟中，通過(guò)測(cè)量布局接觸孔圖形間的距離以及布局接觸孔圖形與其 下方布局金屬膜層圖形之間的距離，確定布局接觸孔圖形的所在區(qū)域。
執(zhí)行步驟S102,增大器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形的臨界 尺寸。
本步驟中，對(duì)器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形進(jìn)行光學(xué)臨近 修正，而對(duì)器件密集區(qū)的布局接觸孔圖形不進(jìn)行光學(xué)臨近修正，使它的臨界 尺寸保持不變。
圖3至圖5是本發(fā)明對(duì)接觸孔進(jìn)行光學(xué)臨近修正的示意圖。如圖3所示， 首先用光學(xué)臨近修正軟件測(cè)量布局接觸孔圖形IO所在層上的相鄰布局接觸孔 圖形IO的相鄰邊之間的距離L，以確定后續(xù)形成于晶圓光刻膠層上的接觸孔圖形尺寸調(diào)整是否會(huì)出現(xiàn)橋接現(xiàn)象，即測(cè)量布局接觸孔圖形IO間距離的目的 是確定對(duì)布局接觸孔圖形尺寸調(diào)整的量。
如圖4所示，在布局軟件中，將布局接觸孔圖形IO所在層與布局接觸孔 圖形下方的布局金屬膜層圖形12所在層進(jìn)行重合，用光學(xué)臨近修正軟件測(cè)量 布局接觸孔圖形IO與其下方布局金屬膜層圖形12的相鄰邊之間的距離h,用 以確定布局接觸孔圖形IO位于器件密集區(qū)14、器件稀疏區(qū)15還是器件孤立 區(qū)16。
當(dāng)h為小于2倍的布局接觸孔圖形IO臨界尺寸時(shí)，說(shuō)明布局接觸孔圖形 IO處于器件密集區(qū)14，當(dāng)h為大于2倍的布局接觸孔圖形IO的臨界尺寸， 小于4倍的布局接觸孔圖形IO的臨界尺寸時(shí)，布局接觸孔圖形IO處于器件 稀疏區(qū)15，當(dāng)布局接觸孔圖形10四周沒(méi)有布局金屬膜層圖形12,只在其正 下方有布局金屬膜層圖形12，則布局接觸孔圖形IO處于器件孤立區(qū)16。
如圖5所示，在器件稀疏區(qū)15,由于布局接觸孔圖形IO四周還有布局金 屬膜層圖形12,因此對(duì)布局接觸孔圖形IO的光學(xué)臨近修正為將布局接觸孔圖 形10的各邊長(zhǎng)增長(zhǎng)，增長(zhǎng)量a為0 1倍的布局接觸孔圖形10臨界尺寸，即 增大后的布局接觸孔圖形IO臨界尺寸與原臨界尺寸的比例為1~2。
在器件孤立區(qū)16,由于布局接觸孔圖形IO四周沒(méi)有其它布局金屬膜層圖 形12,因此對(duì)該區(qū)域的布局接觸孔圖形IO的光學(xué)臨近修正為將布局接觸孔圖 形10的各邊長(zhǎng)增長(zhǎng)，增長(zhǎng)量為b為0~3倍的布局接觸孔圖形10臨界尺寸， 即增大后的布局接觸孔圖形IO臨界尺寸與原臨界尺寸的比例為1~4。
圖6是本發(fā)明制作光掩模版的具體實(shí)施方式
流程圖。如圖6所示，執(zhí)行 步驟S201,確定布局接觸孔圖形位于器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立 區(qū)；執(zhí)行步驟S202,僅增大器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形的臨 界尺寸；執(zhí)行步驟S203,將布局接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至光掩才莫版上，形成掩模版 接觸孔圖形。在執(zhí)行步驟S203中，用電子束寫(xiě)入裝置或激光束寫(xiě)入裝置將布局軟件中 的布局接觸孔圖形寫(xiě)至光掩模版上，形成掩模版接觸孔圖形，由于對(duì)不同區(qū) 域的布局接觸孔圖形進(jìn)行了不同的修正，因此，轉(zhuǎn)移至光掩模版上的器件密 集區(qū)、器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)掩模版接觸孔圖形尺寸不一致。
一個(gè)制作光掩模版的實(shí)施例，如圖3所示，首先用光學(xué)臨近修正軟件測(cè) 量布局接觸孔圖形IO所在層上的相鄰布局接觸孔圖形IO之間的距離L,以確 定后續(xù)形成于晶圓光刻膠層上的接觸孔圖形尺寸調(diào)整是否會(huì)出現(xiàn)橋接現(xiàn)象， 即測(cè)量布局接觸孔圖形10間距離的目的是確定對(duì)布局接觸孔圖形尺寸調(diào)整的 量。
如圖4所示，在布局軟件中，將布局接觸孔圖形IO所在層與布局接觸孔 圖形下方的布局金屬膜層圖形12所在層進(jìn)行重合，用光學(xué)臨近修正軟件測(cè)量 布局接觸孔圖形10與其下方布局金屬膜層圖形12的相鄰邊之間的距離h，用 以確定布局接觸孔圖形IO位于器件密集區(qū)14、器件稀疏區(qū)15還是器件孤立 區(qū)16。
當(dāng)h為小于2倍的布局接觸孔圖形IO臨界尺寸時(shí)，說(shuō)明布局接觸孔圖形 IO處于器件密集區(qū)14,當(dāng)h為大于2倍的布局接觸孔圖形IO的臨界尺寸， 小于4倍的布局接觸孔圖形10的臨界尺寸時(shí)，布局接觸孔圖形10處于器件 稀疏區(qū)15,當(dāng)布局接觸孔圖形10四周沒(méi)有布局金屬膜層圖形12,只在其正 下方有布局金屬膜層圖形12,則布局接觸孔圖形IO處于器件孤立區(qū)16。
如圖5所示，在器件稀疏區(qū)15，由于布局接觸孔圖形IO四周還有布局金 屬膜層圖形12,因此對(duì)布局接觸孔圖形IO的光學(xué)臨近修正為將布局接觸孔圖 形10的各邊長(zhǎng)增長(zhǎng)，增長(zhǎng)量a為0~1倍的布局接觸孔圖形10臨界尺寸，即 增大后的布局接觸孔圖形IO臨界尺寸與原臨界尺寸的比例為1~2。
在器件孤立區(qū)16，由于布局接觸孔圖形IO四周沒(méi)有其它布局金屬膜層圖 形12,因此對(duì)該區(qū)域的布局接觸孔圖形10的光學(xué)臨近修正為將布局接觸孔圖形10的各邊長(zhǎng)增長(zhǎng)，增長(zhǎng)量為b為0~3倍的布局接觸孔圖形10臨界尺寸， 即增大后的布局接觸孔圖形IO臨界尺寸與原臨界尺寸的比例為1~4。
如圖7、圖7A及圖7B所示，圖7為圖7A和圖7B重合示意圖。用電子 束寫(xiě)入裝置或激光束寫(xiě)入裝置將圖5中的經(jīng)過(guò)光學(xué)臨近修正的布局接觸孔圖 形IO及布局金屬膜層圖形12分別轉(zhuǎn)移至兩塊光掩模版上，其中，如圖7A所 示，布局接觸孔圖形10轉(zhuǎn)移至光掩模版2上，形成掩模版接觸孔圖形20;如 圖7B所示，布局金屬膜層圖形12轉(zhuǎn)移至光掩模版3上，形成掩模版金屬膜 層圖形22。如圖7所示，由于只對(duì)器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖 形進(jìn)行光學(xué)臨近修正，但是修正量不同，而對(duì)器件密集區(qū)的布局接觸孔圖形 不進(jìn)行光學(xué)臨近修正，使它的臨界尺寸保持不變，因此轉(zhuǎn)移至光掩模版上的 掩模版接觸孔圖形20的尺寸不一致，其中，器件孤立區(qū)16的掩模版接觸孔 圖形20的臨界尺寸最大，而器件稀疏區(qū)15的掩模版接觸孔圖形20的臨界尺 寸次之，器件密集區(qū)14的掩模版接觸孔圖形20的臨界尺寸最小。
圖8是本發(fā)明圖形化方法的具體實(shí)施方式
流程圖。如圖8所示，執(zhí)行步 驟S301,確定布局接觸孔圖形位于器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立區(qū)； 執(zhí)行步驟S302,僅增大器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形的臨界尺 寸；執(zhí)行步驟S303,將布局接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模版接觸 孔圖形；執(zhí)行步驟S304,將掩模版接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至晶圓上，形成接觸孔。
在執(zhí)行步驟S304中，在曝光機(jī)臺(tái)中，將光掩模版上掩模版接觸孔圖形轉(zhuǎn) 移至晶圓的光刻膠上，經(jīng)過(guò)曝光顯影工藝，形成接觸孔圖形。由于光學(xué)臨近 效應(yīng)，轉(zhuǎn)移至光刻膠上的接觸孔圖形的臨界尺寸比掩模版接觸孔圖形的臨界 尺寸小。但是由于在布局軟件中對(duì)布局接觸孔圖形的臨界尺寸進(jìn)行了有選擇 的調(diào)整，因此，形成于光刻膠上的接觸孔圖形不會(huì)丟失。
在實(shí)施例中，由于確定了布局接觸孔圖形位于器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū) 還是器件孤立區(qū)，因此可以有選擇地對(duì)不同區(qū)域的布局接觸孔進(jìn)行臨界尺寸調(diào)整，對(duì)器件稀疏區(qū)和器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形的臨界尺寸進(jìn)行增大， 使后續(xù)形成于晶圓上的接觸孔不會(huì)因?yàn)榕R界尺寸過(guò)小而丟失，對(duì)器件密集區(qū) 的布局接觸孔圖形的臨界尺寸不進(jìn)行改變，防止由于器件密集及臨界尺寸的 增大造成接觸孔間的橋接，進(jìn)而有效解決器件間的短路現(xiàn)象。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開(kāi)如上，但其并不是用來(lái)限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和 修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種光學(xué)臨近修正方法，其特征在于，包括確定布局接觸孔圖形位于器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立區(qū)；增大器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形的臨界尺寸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述光學(xué)臨近修正方法，其特征在于，通過(guò)測(cè)量布局接觸 孔圖形間的距離以及布局接觸孔圖形與其下方布局金屬膜層圖形之間的距 離，確定布局接觸孔圖形的所在區(qū)域。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述光學(xué)臨近修正方法，其特征在于，測(cè)量布局接觸孔圖 形與其下方布局金屬膜層圖形之間的距離所用的軟件為光學(xué)臨近修正軟件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述光學(xué)臨近修正方法，其特征在于，所述布局接觸孔圖 形與其下方布局金屬膜層圖形間的距離指相鄰邊之間的距離。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述光學(xué)臨近修正方法，其特征在于，測(cè)量布局接觸孔圖 形間的距離所用的軟件為光學(xué)臨近修正軟件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述光學(xué)臨近修正方法，其特征在于，所述布局接觸孔圖 形間的距離為相鄰邊之間的距離。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述光學(xué)臨近修正方法，其特征在于，所述器件稀疏區(qū)的 增大后的布局接觸孔圖形臨界尺寸與原臨界尺寸的比例為1 2。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述光學(xué)臨近修正方法，其特征在于，所述器件孤立區(qū)的 增大后的布局接觸孔圖形臨界尺寸與原臨界尺寸的比例為1 ~4 。
9. 一種光掩模版制作方法，其特征在于，包括確定布局接觸孔圖形位于器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立區(qū)； 僅增大器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形的臨界尺寸； 將布局接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模版接觸孔圖形。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述光掩模版制作方法，其特征在于，通過(guò)測(cè)量布局接觸孔圖形間的距離以及布局接觸孔圖形與其下方布局金屬膜層圖形之間的距 離，確定布局接觸孔圖形的所在區(qū)域。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述光掩模版制作方法，其特征在于，測(cè)量布局接觸孔圖 形與其下方布局金屬膜層圖形之間的距離所用的軟件為光學(xué)臨近修正軟件。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述光掩模版制作方法，其特征在于，所述布局接觸孔圖 形與其下方布局金屬膜層圖形間的距離指相鄰且邊之間的距離。
13. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述光掩模版制作方法，其特征在于，測(cè)量布局接觸孔圖 形間的距離所用的軟件為光學(xué)臨近修正軟件。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述光掩^^莫版制作方法，其特征在于，所述布局接觸孔圖 形間的距離為相鄰邊之間的距離。
15. 根據(jù)權(quán)利要求9所述光掩模版制作方法，其特征在于，所述器件稀疏區(qū)的 增大后的布局接觸孔圖形臨界尺寸與原臨界尺寸的比例為1~2 。
16. 根據(jù)權(quán)利要求9所述光掩模版制作方法，其特征在于，所述器件孤立區(qū)的 增大后的布局接觸孔圖形臨界尺寸與原臨界尺寸的比例為1~4。
17. —種圖形化方法，其特征在于，包括確定布局接觸孔圖形位于器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立區(qū)； 僅增大器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形的臨界尺寸； 將布局接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至光掩模版上，形成掩模版接觸孔圖形； 將掩才莫版接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至晶圓上，形成接觸孔。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述圖形化方法，其特征在于，通過(guò)測(cè)量布局接觸孔圖形 間的距離以及布局接觸孔圖形與其下方布局金屬膜層圖形之間的距離，確 定布局接觸孔圖形的所在區(qū)域。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述圖形化方法，其特征在于，所述布局接觸孔圖形與其 下方布局金屬膜層圖形間的距離指相鄰且邊之間的距離。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述圖形化方法，其特征在于，所述布局接觸孔圖形間的 距離為相鄰邊之間的距離。
全文摘要
一種光學(xué)臨近修正方法，包括確定布局接觸孔圖形位于器件密集區(qū)、器件稀疏區(qū)還是器件孤立區(qū)；增大器件稀疏區(qū)及器件孤立區(qū)的布局接觸孔圖形的臨界尺寸。本發(fā)明還提供一種光掩模版制作方法及圖形化方法。本發(fā)明防止由于器件密集及臨界尺寸的增大造成接觸孔間的橋接，進(jìn)而有效解決器件間的短路現(xiàn)象。
文檔編號(hào)G03F1/36GK101458446SQ20071009446
公開(kāi)日2009年6月17日 申請(qǐng)日期2007年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月13日
發(fā)明者程仁強(qiáng) 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司