專利名稱：顯示基板及其修復方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示基板及修復顯示基板的方法，更具體地，涉及其電連接故障可以修復從而改善顯示質(zhì)量的顯示基板及修復顯示基板的方法，由此防止對修復線的損壞。
背景技術：
各種電子設備諸如移動電話、數(shù)碼相機、筆記本電腦和監(jiān)視器包括顯示圖像的顯示設備。顯示設備的例子包括陰極射線管(CRT)、液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、場發(fā)射顯示器(FED)和電致發(fā)光(EL)顯示器。
利用液晶的光電屬性顯示圖像的LCD設備是平板顯示器。與諸如CRT和PDP的顯示設備相比，LCD設備具有諸如重量輕、功耗低、及驅(qū)動電壓低等特性。
LCD設備可包括利用液晶的透光性顯示圖像的LCD面板及設置在LCD面板之下來給LCD面板提供光的背光組件。
LCD面板可包括陣列基板、相對基板和置于陣列基板與相對基板之間的液晶層。陣列基板包括信號線、電連接到信號線的薄膜晶體管(TFT)、覆蓋并保護信號線和TFT的保護層及電連接到TFT的像素電極。
陣列基板的信號線會具有諸如短路或短接故障的電連接故障。當產(chǎn)生電連接故障時，LCD面板的顯示質(zhì)量惡化。因此，必須修復具有電連接故障的信號線。
修復信號線的傳統(tǒng)方法是在保護層上形成修復線。修復線電連接到信號線從而修復電連接故障。
然而，保護層上的修復線在清洗陣列基板時易遭受損壞。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施例提供能夠防止修復線被損壞從而改善顯示質(zhì)量的顯示基板及其修復方法。
在本發(fā)明的示例性實施例中，顯示基板包括信號線、保護層和修復線。保護層覆蓋所述信號線從而保護所述信號線并具有形成在其中的修復槽。修復線形成在所述修復槽中并電連接至所述信號線從而修復所述信號線的電連接故障。所述修復槽可連接所述信號線的沿所述信號線的縱向方向彼此間隔開預定距離的第一區(qū)域和第二區(qū)域。所述電連接故障發(fā)生在所述第一和第二區(qū)域之間。
例如，所述保護層可包括第一子保護層和形成在所述第一子保護層上的第二子保護層，并且所述修復槽可形成在所述第二子保護層處。第一連接孔和第二連接孔可形成在所述第一子保護層處從而電連接所述修復線至所述信號線。
在本發(fā)明的示例性實施例中，提供一種修復顯示基板的方法。在該方法中，去除覆蓋信號線的保護層的部分從而形成修復槽。在所述修復槽中形成修復線從而修復電連接故障，所述修復線電連接到所述信號線。所述修復槽可連接所述信號線的沿所述信號線的縱向方向彼此間隔開預定距離的第一區(qū)域和第二區(qū)域。所述電連接故障位于所述第一和第二區(qū)域之間。
例如，可以除去所述保護層的對應于所述第一和第二區(qū)域的部分從而形成第一連接孔和第二連接孔，通過所述第一連接孔和第二連接孔暴露所述信號線的一部分。在所述修復槽中形成所述修復線，所述修復線通過所述第一和第二連接孔電連接到所述信號線。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，修復線形成在形成于保護層處的修復槽中。結(jié)果，可防止所述修復線受到損壞，并且改善了顯示質(zhì)量。
從下面結(jié)合附圖的描述中可以更詳細地理解本發(fā)明的示例性實施例，附圖中圖1是平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板；圖2是圖1所示的顯示基板的放大平面圖；圖3是沿圖2的線I-I′取得的橫截面視圖；圖4是沿圖2的線II-II′取得的橫截面視圖；圖5是放大平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板；
圖6是沿圖5的線III-III′取得的橫截面視圖；圖7是放大平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板；圖8是放大平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板；圖9至11和13是平面圖及圖12是橫截面視圖，用于示出修復根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板的方法；及圖14和15是平面圖，示出了修復根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板的方法。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更完整地說明本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明能夠以很多不同方式實施，并且不應解釋為局限于這里提出的實施例。
圖1是平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板。
參照圖1，顯示基板100包括多條柵極線GL、多條數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT、像素電極PE和修復線RL1。
柵極線GL沿圖1中的列方向排布并沿第一方向D1延伸。數(shù)據(jù)線DL沿圖1中的行方向排布，交叉柵極線GL，并沿基本垂直于第一方向D1的第二方向D2延伸。多個像素通過相鄰的柵極線GL和相鄰的數(shù)據(jù)線DL定義?；跂艠O線GL和數(shù)據(jù)線DL交叉處產(chǎn)生短接故障來說明顯示基板100。
薄膜晶體管TFT和像素電極PE形成在每個像素中。薄膜晶體管TFT電連接到柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL從而柵極信號和數(shù)據(jù)信號施加到薄膜晶體管TFT。像素電極PE電連接到薄膜晶體管TFT從而像素電極PE通過薄膜晶體管TFT控制。
修復線RL1電連接到柵極線GL或數(shù)據(jù)線DL來修復短接故障。修復線RL1可包括例如導電材料諸如鎢(W)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、和/或鐵(Fe)。圖2是圖1所示的顯示基板的放大平面圖。圖3是沿圖2的線I-I′取得的橫截面視圖。
參照圖1至3，顯示基板100包括透明基板110、柵極線GL、柵極絕緣層120、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT、保護層130和像素電極PE。
透明基板110具有平板形狀并包括透明材料例如玻璃、石英、藍寶石和/或透明合成樹脂。
柵極線GL形成在透明基板110上。柵極絕緣層120形成在透明基板110上從而覆蓋柵極線GL。數(shù)據(jù)線DL形成在柵極絕緣層120上并電連接到柵極線GL。
薄膜晶體管TFT可包括例如柵極電極GE、有源層AL、源極電極SE、漏極電極DE和歐姆接觸層OL。
柵極電極GE從柵極線GL沿第二方向D2延伸。有源層AL形成在柵極電極GE上。具體地，有源層AL形成在柵極絕緣層120上從而交叉柵極電極GE。有源層AL可包括半導體材料例如非晶硅(a-Si)。
源極電極SE從數(shù)據(jù)線DL沿第一方向D1延伸，并與有源層AL的部分交迭。漏極電極DE與源極電極SE間隔開預定距離并沿第一方向D1延伸。漏極電極DE與有源層AL的部分交迭。
歐姆接觸層OL形成在有源層AL和源極電極SE之間、及有源層AL和漏極電極DE之間。例如，歐姆接觸層OL可包括高離子摻雜的非晶硅(例如n+a-Si)。
保護層130形成在柵極絕緣層120上從而覆蓋數(shù)據(jù)線DL和薄膜晶體管TFT。保護層130防止薄膜晶體管TFT被物理或化學地損壞。
保護層130可包括第一子保護層132和第二子保護層134。第一子保護層132形成在柵極絕緣層120上從而覆蓋數(shù)據(jù)線DL和薄膜晶體管TFT?？捎糜诘谝蛔颖Ｗo層132的材料的例子可包括硅氮化物和/或硅氧化物。第二子保護層134形成在第一子保護層132上從而平坦化顯示基板100的表面，并可包括有機材料。供選地，第二子保護層134可包括濾色器。第一子保護層132的厚度可以為約0.05至約0.15μm，第二子保護層134的厚度可以是約4至約5μm。
形成接觸孔136從而暴露漏極電極DE的部分。保護層130的部分被去除來形成接觸孔136。
像素電極PE形成在第二子保護層134上。像素電極PE通過接觸孔136電連接到漏極電極DE?？捎糜谙袼仉姌OPE的材料的例子可包括透明導電材料諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、和/或非晶氧化銦錫(a-ITO)。
圖4是沿圖2的線II-II′取得的橫截面視圖。
短路故障10產(chǎn)生于柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL交叉處。
修復槽134a形成在第二子保護層134處。修復槽134a具有預定形狀，連接第一區(qū)域AR1至與第一區(qū)域AR1沿數(shù)據(jù)線DL的縱向方向間隔開的第二區(qū)域AR2。短接故障10布置在第一和第二區(qū)域AR1和AR2之間。
第一連接孔132a和第二連接孔132b形成在第一子保護層132處。第一連接孔132a形成在第一區(qū)域AR1中從而暴露部分數(shù)據(jù)線DL。第二連接孔132b形成在第二區(qū)域AR2中從而暴露部分數(shù)據(jù)線DL。
第一斷開槽CH1和第二斷開槽CH2形成在保護層130和數(shù)據(jù)線DL處從而斷開數(shù)據(jù)線DL。具體地，第一斷開槽CH1形成在短接故障10和第一連接孔132a之間，第二斷開槽CH2形成在短接故障10和第二連接孔132b之間。
第一和第二斷開槽CH1和CH2斷開數(shù)據(jù)線DL從而將數(shù)據(jù)線DL分成交叉數(shù)據(jù)線DLa、第一非交叉數(shù)據(jù)線DLb和第二非交叉數(shù)據(jù)線DLc。例如，絕緣材料可設置在每個第一和第二斷開槽CH1和CH2中。
修復槽134a不交迭第一和第二斷開槽CH1和CH2。例如，修復槽134a可具有‘U’形，如圖2所示。
修復線RL1形成在修復槽134a中且在第一子保護層132上。修復線RL1通過第一連接孔132a電連接到第一非交叉數(shù)據(jù)線DLb，且通過第二連接孔132b電連接到第二非交叉數(shù)據(jù)線DLc。這樣，修復線RL1電連接第一和第二非交叉數(shù)據(jù)線DLb和DLc從而修復短接故障10。
修復線RL1形成在與第一和第二斷開槽CH1和CH2間隔開的修復槽134a中，如圖2所示。結(jié)果，可以彌補短接故障10，并且可以防止修復線RL1在顯示基板100的清洗工藝期間被損壞。
保護層130可包括第一和第二子保護層132和134。在供選實施例中，保護層130可具有單層結(jié)構，其中修復槽134a不穿過保護層130，且保護層130的下部分設置在修復槽134a和數(shù)據(jù)線DL上。結(jié)果，修復線RL1可形成在保護層130的下部分上。
形成修復線RL1來修復數(shù)據(jù)線DL的短接故障10。供選地，可形成修復線RL1來修復柵極線GL的短接故障。例如，修復槽134a可具有預定形狀，連接沿柵極線GL的縱向方向彼此間隔開預定距離的第一區(qū)域和第二區(qū)域。短接故障10布置在第一和第二區(qū)域之間。類似第一和第二連接孔132a和132b的連接孔可分別暴露柵極線GL的部分。類似修復線RL1的修復線可電連接柵極線GL的斷開的部分至彼此。
本發(fā)明的實施例結(jié)合液晶顯示(LCD)設備進行了描述。然而，本發(fā)明不局限于LCD設備，并且可以在例如等離子體顯示面板(PDP)和有機電致發(fā)光顯示器中實施。
圖5是放大平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板。圖6是沿圖5的線III-III′取得的橫截面視圖。
參照圖5和6，顯示基板100包括透明基板110、柵極線GL、柵極絕緣層120、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT、保護層130、像素電極PE、修復線RL2和絕緣材料140。
顯示基板100與圖1至4所示的顯示基板基本相同，除了關于例如保護層130、絕緣材料140和修復線RL2。短接故障10產(chǎn)生在柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL交叉處。
保護層130形成在柵極絕緣層120上從而覆蓋數(shù)據(jù)線DL和薄膜晶體管TFT。保護層130可包括第一子保護層132和第二子保護層134。接觸孔136形成在薄膜晶體管TFT的漏極電極DE上從而暴露漏極電極DE的部分。
修復槽134b形成在第二子保護層134處。修復槽134b具有預定形狀，連接沿數(shù)據(jù)線DL的縱向方向彼此間隔開的第一區(qū)域AR1和第二區(qū)域AR2。短接故障10布置在第一和第二區(qū)域AR1和AR2之間。例如，修復槽134b可具有直線形狀，并且修復槽134b的縱向方向可與數(shù)據(jù)線DL的縱向方向基本相同。
第一連接孔132a和第二連接孔132b形成在第一子保護層132處，且第一和第二連接孔132a和132b分別設置在第一和第二區(qū)域AR1和AR2中。
第一斷開槽CH1形成在短接故障10和第一連接孔132a之間，第二斷開槽CH2形成在短接故障10和第二連接孔132b之間。
第一和第二斷開槽CH1和CH2將數(shù)據(jù)線DL分成交叉數(shù)據(jù)線DLa、第一非交叉數(shù)據(jù)線DLb和第二非交叉數(shù)據(jù)線DLc。例如，絕緣材料140設置在每個第一和第二斷開槽CH1和CH2中。
修復線RL2形成在修復槽134b中并通過第一和第二連接孔132a和132b電連接第一和第二非交叉數(shù)據(jù)線DLb和DLc至彼此。結(jié)果，修復線RL2可修復短接故障10。
修復槽134b交迭第一和第二斷開槽CH1和CH2。然而，絕緣材料140設置在第一和第二斷開槽CH1和CH2中。結(jié)果，可防止修復線RL2通過第一和第二斷開槽CH1和CH2電連接到數(shù)據(jù)線DL。
修復線RL2電連接斷開的數(shù)據(jù)線DL。供選地，修復線RL2可連接斷開的柵極線GL。
圖7是放大平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板。
參照圖7，顯示基板100包括透明基板110、柵極線GL、柵極絕緣層120、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT、保護層130、像素電極PE和修復線RL3。
顯示基板100與圖1至4所示的顯示基板基本相同，除了關于例如保護層130和修復線RL3。短接故障20產(chǎn)生在數(shù)據(jù)線DL中。
保護層130形成在柵極絕緣層120上從而覆蓋數(shù)據(jù)線DL和薄膜晶體管TFT。保護層130可包括第一子保護層132和第二子保護層134。接觸孔136形成在薄膜晶體管TFT的漏極電極DE上從而暴露漏極電極DE的部分。
修復槽134c形成在第二子保護層134處。修復槽134c具有預定形狀，連接沿數(shù)據(jù)線DL的縱向方向彼此間隔開預定長度的第一區(qū)域和第二區(qū)域。短接故障20布置在第一和第二區(qū)域之間。例如，修復槽134c可具有直線形狀，并且修復槽134c的縱向方向可與數(shù)據(jù)線DL的縱向方向基本相同。
第一連接孔132a和第二連接孔132b形成在第一子保護層132處，且第一和第二連接孔132a和132b分別設置在第一和第二區(qū)域中。
修復線RL3形成在修復槽134c中。修復線RL3通過第一連接孔132a電連接到第一區(qū)域中的數(shù)據(jù)線DL，并通過第二連接孔132b電連接到第二區(qū)域中的數(shù)據(jù)線DL。修復線RL3電連接第一區(qū)域中的數(shù)據(jù)線DL和第二區(qū)域中的數(shù)據(jù)線DL。結(jié)果，修復線RL3可修復短接故障20。
圖8是放大平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板。
參照圖8，顯示基板100包括透明基板110、柵極線GL、柵極絕緣層120、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT、保護層130、像素電極PE和修復線RL4。
顯示基板100與圖1至4所示的顯示基板基本相同，除了關于例如保護層130和修復線RL4。短接故障30產(chǎn)生在柵極線GL中。
保護層130形成在柵極絕緣層120上從而覆蓋數(shù)據(jù)線DL和薄膜晶體管TFT。保護層130可包括第一子保護層132和第二子保護層134。接觸孔136形成在薄膜晶體管TFT的漏極電極DE上從而暴露漏極電極DE的部分。
修復槽134d形成在第二子保護層134處。修復槽134d具有預定形狀，連接沿柵極線GL的縱向方向彼此間隔開預定距離的第一區(qū)域和第二區(qū)域。短接故障30布置在第一和第二區(qū)域之間。例如，修復槽134c可具有直線形狀，并且修復槽134d的縱向方向可與柵極線GL的縱向方向基本相同。
第一連接孔132a和第二連接孔132b形成在第一子保護層132處，且分別設置在第一和第二區(qū)域中。
修復線RL4形成在修復槽134d中。修復線RL4通過第一連接孔132a電連接到第一區(qū)域中的柵極線GL，并通過第二連接孔132b電連接到第二區(qū)域中的柵極線GL。修復線RL4電連接第一區(qū)域中的柵極線GL和第二區(qū)域中的柵極線GL。結(jié)果，修復線RL4可修復短接故障30。
圖9、10、11和13是平面圖且圖12是橫截面視圖，用于示出修復根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板的方法。
圖9是平面圖，示出了具有電連接故障的顯示基板的部分。
參照圖1、3和9，顯示基板100包括電連接故障10。例如，顯示基板100可以是用于LCD設備的陣列基板。顯示基板100包括透明基板110、柵極線GL、柵極絕緣層120、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT、保護層130和像素電極PE。
透明基板110具有平板形狀。柵極線GL形成在透明基板110上。柵極絕緣層120形成在透明基板110上從而覆蓋柵極線GL。數(shù)據(jù)線DL形成在柵極絕緣層120上并與柵極線GL電絕緣。薄膜晶體管TFT電連接到柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL，并包括例如柵極電極GE、有源層AL、源極電極SE、漏極電極DE和歐姆接觸層OL。
保護層130形成在柵極絕緣層120上從而覆蓋數(shù)據(jù)線DL和薄膜晶體管TFT。保護層130可包括第一子保護層132和第二子保護層134。可用于第一子保護層132的材料的例子可包括硅氮化物和/或硅氧化物。第二子保護層134可包括有機材料。供選地，第二子保護層134可包括濾色器。
像素電極PE形成在保護層130上并通過形成在保護層130處的接觸孔136電連接到漏極電極DE。
短路故障10產(chǎn)生于柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL交叉處。
圖10是平面圖，示出了修復槽的形成。
參照圖10，修復槽134a形成在保護層130處。激光束照射到保護層130上。結(jié)果，保護層130的部分被去除從而形成修復槽134a。激光束的例子可包括連續(xù)波(continuous waveCW)激光束。激光束的波長可以為約340至約360nm。
具體地，第二子保護層134的部分可以被去除從而第一子保護層132的部分被暴露。
修復槽134a具有預定形狀，連接沿數(shù)據(jù)線DL的縱向方向彼此間隔開預定長度的第一區(qū)域和第二區(qū)域。短接故障10布置在第一和第二區(qū)域之間。例如，修復槽134a可具有如圖10所示的‘U’形。
圖11是用于示出第一連接部分和第二連接部分的形成的平面圖。圖12是沿圖11的線IV-IV′取得的橫截面視圖。
參照圖11和12，短接故障10布置在第一區(qū)域AR1和沿數(shù)據(jù)線DL的縱向方向與第一區(qū)域AR1間隔開的第二區(qū)域AR2之間。第一連接孔132a和第二連接孔132b分別形成在第一和第二區(qū)域AR1和AR2中。激光束照射到第一和第二區(qū)域AR1和AR2上從而形成第一和第二連接孔132a和132b。數(shù)據(jù)線DL的部分通過第一和第二連接孔132a和132b暴露。該激光束可與用于形成修復槽134a的激光束基本相同。激光束照射到通過修復槽134a暴露的第一和第二區(qū)域AR1和AR2中的第一子保護層132上，從而形成第一和第二連接孔132a和132b。
當保護層130具有單層結(jié)構時，激光束可照射到保護層130上從而形成修復槽134a使得保護層130的下部分設置在數(shù)據(jù)線DL和修復槽134a之間。然后，激光束可照射到設置在修復槽134a下面的第一和第二區(qū)域AR1和AR2中的保護層130的下部分上，從而形成第一和第二連接孔132a和132b。
第一連接部分SR1和第二連接部分SR2形成在第一和第二連接孔132a和132b中。第一和第二連接部分SR1和SR2分別接觸數(shù)據(jù)線DL的暴露部分。可用于第一和第二連接部分SR1和SR2的材料的例子包括導電材料諸如鎢(W)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、和/或鐵(Fe)。
第一和第二連接部分SR1和SR2可通過激光化學氣相沉積(CVD)方法形成。激光CVD方法部分地照射激光束到目標上從而在激光束照射處沉積氣化材料。該激光束可與用于形成修復槽134a的激光束基本相同。
圖13是用于示出修復槽中修復線的形成和第一斷開槽及第二斷開槽的形成從而斷開數(shù)據(jù)線的平面圖。
參照圖13，修復線RL1形成在修復槽134a中。修復線RL1可通過激光CVD方法形成。激光束照射到修復槽134a上從而在修復槽134a中沉積修復線RL1。該激光束可與用于形成修復槽134a的激光束基本相同。用于修復線RL1的材料可與可用于第一和第二連接部分SR1和SR2的材料基本相同。
形成第一斷開槽CH1和第二斷開槽CH2來斷開數(shù)據(jù)線DL。激光束沿基本垂直于數(shù)據(jù)線DL的縱向方向的第一方向D1照射到數(shù)據(jù)線DL上從而形成第一和第二斷開槽CH1和CH2。該激光束可以是脈沖激光束。例如，脈沖激光束的波長可以為大約1063nm、大約532nm、或大約355nm。
第一斷開槽CH1形成在短接故障10和第一連接孔132a之間，第二斷開槽CH2形成在短接故障10和第二連接孔132b之間。第一和第二斷開槽CH1和CH2不與修復槽134a交迭。數(shù)據(jù)線DL被分成交叉數(shù)據(jù)線DLa、第一非交叉數(shù)據(jù)線DLb和第二非交叉數(shù)據(jù)線DLc。
修復線RL1形成在修復槽134a中，并電連接通過第一和第二斷開槽CH1和CH2彼此電絕緣的第一和第二非交叉數(shù)據(jù)線DLb和DLc。結(jié)果，修復線RL1可修復短接故障10。
第一和第二斷開槽CH1和CH2形成之后，顯示基板100可通過清洗工藝清洗。而且，配向膜可形成在顯示基板100上。
修復線RL1不形成在保護層130上，而是在修復槽134a中。這樣，可以防止修復線RL1在顯示基板100的清洗工藝中被損壞。
修復線RL1形成之后形成第一和第二斷開槽CH1和CH2。供選地，第一和第二斷開槽CH1和CH2可在形成修復線RL1之前形成。
修復線RL1彌補數(shù)據(jù)線DL的短接故障10。然而，修復線RL1可不同地定位(例如，連接柵極線GL的部分)并用于修復柵極線GL的短接故障。
圖14和15是平面圖，示出了修復根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示基板的方法。該顯示基板與圖5和6所示的顯示基板基本相同。
顯示基板100包括電連接故障10。例如，顯示基板100可以是用于LCD設備的陣列基板。顯示基板100包括透明基板110、柵極線GL、柵極絕緣層120、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT、保護層130和像素電極PE。短接故障10產(chǎn)生在柵極線GL與數(shù)據(jù)線DL交叉處。
圖14是用于示出第一斷開槽和第二斷開槽的形成及絕緣材料在第一和第二斷開槽中的沉積的平面圖。
參照圖14，形成第一和第二斷開槽CH1和CH2來斷開數(shù)據(jù)線DL。激光束沿基本垂直于數(shù)據(jù)線DL的縱向方向的第一方向D1照射到數(shù)據(jù)線DL上從而斷開數(shù)據(jù)線DL。該激光束可以是脈沖激光束。
第一和第二斷開槽CH1和CH2分別形成在沿數(shù)據(jù)線DL的縱向方向彼此間隔開的第一區(qū)域和第二區(qū)域中。短接故障10布置在第一和第二區(qū)域之間。結(jié)果，數(shù)據(jù)線DL被分成交叉數(shù)據(jù)線DLa、第一非交叉數(shù)據(jù)線DLb和第二非交叉數(shù)據(jù)線DLc。
絕緣材料140設置在第一和第二斷開槽CH1和CH2中。絕緣材料140可通過激光CVD方法沉積。絕緣材料140的例子可包括硅氮化物和/或硅氧化物。
圖15是平面圖，用于示出保護層處修復槽的形成和修復線的形成。
參照圖15，修復槽134b形成在顯示基板100的保護層130處。激光束照射到保護層130上來去除保護層130的部分從而形成修復槽134b。激光束的例子可包括連續(xù)波(continuous waveCW)激光束。激光束的波長可以為約340至約360nm。
修復槽134b可具有預定形狀，連接沿數(shù)據(jù)線DL的縱向方向彼此間隔開預定距離的第一區(qū)域和第二區(qū)域。短接故障10布置在第一和第二區(qū)域之間。例如，修復槽134b可具有直線形狀，且修復槽134b的縱向方向可與數(shù)據(jù)線DL的縱向方向基本相同。修復槽134b交迭第一和第二斷開槽CH1和CH2。
第一連接孔132a和第二連接孔132b分別形成在第一和第二區(qū)域中。激光束照射到第一和第二區(qū)域上從而形成第一和第二連接孔132a和132b。數(shù)據(jù)線DL的部分通過第一和第二連接孔132a和132b暴露。該激光束可與用于形成修復槽134b的激光束基本相同。
第一斷開孔CH1設置在第一連接孔132a與短接故障10之間。第二斷開孔CH2設置在第二連接孔132b和短接故障10之間。
第一連接部分和第二連接部分分別形成在第一和第二連接孔132a和132b中從而接觸數(shù)據(jù)線DL的暴露部分。修復線RL2形成在修復槽134b中。第一和第二連接部分及修復線RL2可通過激光CVD方法形成。第一和第二連接部分及修復線RL2可包括例如導電材料諸如鎢(W)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、和/或鐵(Fe)。
絕緣材料140設置在第一和第二斷開槽CH1和CH2中。結(jié)果，可防止修復線RL2通過第一和第二斷開槽CH1和CH2電連接到數(shù)據(jù)線DL。
修復線RL2彌補數(shù)據(jù)線DL的短接故障10。供選地，修復線RL2可不同地定位(例如，沿柵極線GL的長度)并用于修復柵極線GL的短接故障。
下面參照圖7說明根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的顯示基板的修復方法。參照圖7，顯示基板100包括電連接故障20。顯示基板100可以是用于LCD設備的陣列基板。顯示基板100包括透明基板110、柵極線GL、柵極絕緣層120、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管TFT、保護層130和像素電極PE。數(shù)據(jù)線DL具有短接故障20。
修復槽134c形成在保護層130處。具體地，激光束照射到保護層130上來去除保護層130的部分從而形成修復槽134c。修復槽134c具有預定形狀，連接沿數(shù)據(jù)線DL的縱向方向彼此間隔開預定長度的第一區(qū)域和第二區(qū)域。短接故障20布置在第一和第二區(qū)域之間。例如，修復槽134c可具有直線形狀，且修復槽134c的縱向方向與數(shù)據(jù)線DL的縱向方向基本相同。
第一連接孔132a和第二連接孔132b分別形成在第一和第二區(qū)域中。激光束照射到第一和第二區(qū)域上從而形成第一和第二連接孔132a和132b。數(shù)據(jù)線DL的部分通過第一和第二連接孔132a和132b暴露。
第一連接部分和第二連接部分分別形成在第一和第二連接孔132a和132b中從而接觸數(shù)據(jù)線DL的暴露部分。修復線RL3形成在修復槽134c中。第一和第二連接部分及修復線RL3可通過激光CVD方法形成?？捎糜诘谝缓偷诙B接部分及修復線RL3的材料的例子可包括導電材料，諸如鎢(W)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、和/或鐵(Fe)。
用于形成修復槽134c及第一和第二連接孔132a和132b的激光束可與用于形成修復線RL3的激光束基本相同。激光束的例子可包括CW激光束。激光束的波長可以為大約340至大約360nm。
當修復槽134c及第一和第二連接孔132a和132b利用激光束形成時，可防止被沉積的材料在氣態(tài)流進腔中。
參照圖8，修復線RL4可用來修復柵極線GL的短接故障30。
修復線不形成在保護層130上而是在通過去除保護層的部分形成的修復槽中。這樣，可防止修復線在顯示基板的清洗期間被損壞，并且可以改善顯示基板的顯示質(zhì)量。
盡管參照附圖描述了本發(fā)明的說明性實施例，應當理解本發(fā)明不應局限于這些精確實施例，并且在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下本領域技術人員可在其中完成各種修改和變型。所有這些修改和變型意圖包括在權利要求所定義的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種顯示基板，包括信號線；保護層，覆蓋所述信號線，其中所述保護層包括形成在其中的修復槽；及修復線，形成在所述修復槽中并電連接至所述信號線從而修復所述信號線的電連接故障。
2.如權利要求1的顯示基板，其中所述修復槽連接所述信號線的沿所述信號線的縱向方向彼此間隔開預定距離的第一區(qū)域和第二區(qū)域，并且所述電連接故障位于所述第一和第二區(qū)域之間。
3.如權利要求2的顯示基板，其中所述保護層包括第一子保護層和形成在所述第一子保護層上的第二子保護層，并且所述修復槽形成在所述第二子保護層處。
4.如權利要求3的顯示基板，其中第一連接孔和第二連接孔形成在所述第一子保護層處從而電連接所述修復線至所述信號線。
5.如權利要求4的顯示基板，其中所述第一子保護層是鈍化層，且所述第二子保護層是有機絕緣層或濾色器。
6.如權利要求4的顯示基板，其中所述電連接故障包括短接故障，所述修復槽具有直線形狀，且所述修復槽的縱向方向與所述信號線的縱向方向基本相同。
7.如權利要求4的顯示基板，其中所述信號線包括柵極線或數(shù)據(jù)線之一，所述電連接故障包括所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線交叉處產(chǎn)生的短接故障，及所述信號線具有設置在所述第一連接孔和所述電連接故障之間的第一斷開槽、及設置在所述第二連接孔和所述電連接故障之間的第二斷開槽從而斷開所述信號線。
8.如權利要求7的顯示基板，其中所述第一和第二斷開槽在所述修復線形成之后形成，且所述第一和第二斷開槽與所述修復槽間隔開。
9.如權利要求8的顯示基板，其中所述修復槽具有基本‘U’形。
10.如權利要求7的顯示基板，還包括設置在所述第一和第二斷開槽的每個中的絕緣材料。
11.如權利要求10的顯示基板，其中所述修復槽具有直線形狀，且所述修復槽的縱向方向與所述信號線的縱向方向基本相同。
12.如權利要求11的顯示基板，還包括薄膜晶體管，通過所述保護層覆蓋并電連接到所述信號線；及像素電極，形成在所述保護層上并電連接到所述薄膜晶體管。
13.一種修復顯示基板的方法，該方法包括去除覆蓋信號線的保護層的部分從而形成修復槽；及在所述修復槽中形成修復線從而修復電連接故障，所述修復線電連接到所述信號線。
14.如權利要求13的方法，其中所述修復槽連接所述信號線的沿所述信號線的縱向方向彼此間隔開預定距離的第一區(qū)域和第二區(qū)域，并且所述電連接故障位于所述第一和第二區(qū)域之間。
15.如權利要求14的方法，其中形成所述修復線包括去除所述保護層的對應于所述第一和第二區(qū)域的部分從而形成第一連接孔和第二連接孔，通過所述第一連接孔和第二連接孔暴露所述信號線的一部分；及在所述修復槽中形成所述修復線，所述修復線通過所述第一和第二連接孔電連接到所述信號線。
16.如權利要求15的方法，其中所述保護層包括第一子保護層和形成在所述第一子保護層上的第二子保護層，并且所述修復槽形成在所述第二子保護層處，且所述第一和第二連接孔形成在所述第一子保護層處。
17.如權利要求16的方法，其中所述第一子保護層是鈍化層，且所述第二子保護層是有機絕緣層或濾色器。
18.如權利要求14的方法，其中所述修復線通過激光化學氣相沉積(CVD)方法形成。
19.如權利要求18的方法，其中所述修復槽利用與用于所述激光CVD方法的激光束基本相同的激光束形成。
20.如權利要求19的方法，其中所述激光束是連續(xù)波激光束。
21.如權利要求20的方法，其中所述激光束的波長為大約340nm至大約360nm。
22.如權利要求14的方法，其中所述電連接故障包括短接故障，所述修復槽具有直線形狀，且所述修復槽的縱向方向與所述信號線的縱向方向基本相同。
23.如權利要求14的方法，還包括在所述信號線中形成第一斷開槽和第二斷開槽從而斷開所述信號線，其中所述信號線包括柵極線或數(shù)據(jù)線之一，所述電連接故障包括所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線交叉處產(chǎn)生的短接故障且設置在所述第一和第二斷開槽之間。
24.如權利要求23的方法，其中所述第一和第二斷開槽利用脈沖激光束形成。
25.如權利要求23的方法，其中所述第一和第二斷開槽在所述修復線形成之后形成，且所述第一和第二斷開槽與所述修復槽間隔開。
26.如權利要求23的方法，還包括在所述第一和第二斷開槽中設置絕緣材料，其中所述第一和第二斷開槽在形成所述修復線之前形成。
27.如權利要求26的方法，其中所述修復槽具有直線形狀，且所述修復槽的縱向方向與所述信號線的縱向方向基本相同。
全文摘要
本發(fā)明提供顯示基板及其修復方法，該顯示基板包括信號線、保護層和修復線。保護層覆蓋所述信號線從而保護所述信號線并具有形成在其中的修復槽。修復線形成在所述修復槽中并電連接至所述信號線從而修復所述信號線的電連接故障。所述修復槽連接所述信號線的沿所述信號線的縱向方向彼此間隔開預定距離的第一區(qū)域和第二區(qū)域。所述電連接故障發(fā)生在所述第一和第二區(qū)域之間。所述修復線被防止受到損壞，并且顯示質(zhì)量得到改善。
文檔編號G02F1/1362GK101086564SQ200710084459
公開日2007年12月12日 申請日期2007年3月2日 優(yōu)先權日2006年6月9日
發(fā)明者姜球賢, 申大根, 宋大赫 申請人:三星電子株式會社