專利名稱：抑制電化腐蝕的非水光致抗蝕劑剝離劑的制作方法
專利說明抑制電化腐蝕的非水光致抗蝕劑剝離劑 發(fā)明領(lǐng)域 本發(fā)明涉及清潔微電子基板的方法和非水、基本上無腐蝕性的清潔組合物，尤其涉及用于微電子基板并且與微電子基板相容性提高的這種清潔組合物，微電子基板的特性是在微電子基板表面上具有不同類型金屬的疊層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明也涉及這些清潔組合物用于清除光致抗蝕劑、和清除殘余物的用途，該殘余物源于蝕刻和等離子過程產(chǎn)生的有機、有機金屬和無機化合物。

背景技術(shù)：
已經(jīng)提出了用于微電子學領(lǐng)域的許多光致抗蝕劑剝離劑和殘余物去除劑，作為生產(chǎn)線的下游或后端清潔劑。在生產(chǎn)過程中，光致抗蝕劑薄膜在晶片基板上沉積，而后在薄膜上描繪線路設(shè)計圖。烘干之后，用光致抗蝕顯影劑除去未聚合的抗蝕劑。然后用反應(yīng)性等離子蝕刻氣體或化學蝕刻劑溶液將得到的圖像轉(zhuǎn)移到襯底材料上，該材料通常是電介質(zhì)或金屬。蝕刻氣體或化學蝕刻劑溶液選擇性地侵蝕光致抗蝕劑未加保護的基板區(qū)域。
另外，蝕刻步驟結(jié)束之后，必須從晶片的保護區(qū)域除去抗蝕劑掩模，使得可以進行最后的精整工序。這可以通過利用合適的等離子灰化氣體或潤濕化學涂層剝除劑，在等離子灰化步驟中完成。找到用于除去這種抗蝕劑掩模材料的、對于金屬線路沒有不利影響(例如侵蝕，溶解或鈍化)的合適清潔組合物，目前仍存在一些問題。
由于微電子制作集成度增加、并且圖樣化微電子設(shè)備尺寸已經(jīng)減小到接近原子的大小，其中，為了在微電子設(shè)備中給導線結(jié)構(gòu)提供額外的機械強度，采用不同類型金屬的層狀結(jié)構(gòu)作為導體常常是非常有益的。例如，鋁常常與其它金屬例如銅、鉻或鉬的附加層一起使用。盡管裝置的結(jié)構(gòu)中的金屬類型發(fā)生了變化，但許多其它工藝條件還基本上保持相同，包括具有類似分子結(jié)構(gòu)的在金屬蝕刻之前通過表面圖形化來制作電路的光致抗蝕劑。光致抗蝕劑剝離劑常常含有胺化合物，胺化合物顯示了侵蝕硬化光致抗蝕劑、和最后從金屬表面去除光致抗蝕劑的優(yōu)越性能。然而，金屬也被胺嚴重地侵蝕，此外，如果在通常使用的光致抗蝕劑清潔劑/剝離劑以及隨后的水清洗過程中加工上述層狀金屬結(jié)構(gòu)，就會發(fā)生顯著的腐蝕。這種顯著的腐蝕通常按照下列機理發(fā)生。當不同類型金屬是電接觸時，在它們之間形成原電位，電子從一種金屬(具有較高的離子化傾向)移動到另一種金屬(具有較低的離子化傾向)，前者金屬被離子化，溶解到溶液中，結(jié)果，產(chǎn)生嚴重的腐蝕。
例如，將銅加入到鋁層中，盡管導致電遷移阻力得到了改善，但與純鋁層遇到的腐蝕危險相比，增加了Al-Cu合金的特殊類型的腐蝕機理的危險。例如，在Al-Cu合金的淀積期間，形成了Al2Cu沉淀的θ相，高度富含銅，并且被鋁的區(qū)域所圍繞，這幾乎使銅耗盡。在基于鋁層中的這種不均勻性，可以產(chǎn)生原電池，其中Al2Cu沉淀相當于陰極，而圍繞富含鋁的區(qū)域相當于陽極。因此，電解液的存在能產(chǎn)生電化腐蝕，或氧化還原反應(yīng)，其中Al被氧化，而Cu被還原。在這種反應(yīng)期間產(chǎn)生的Al3+離子，可以在隨后的水沖洗中洗出。由于這種電化學反應(yīng)集中在Al2Cu沉淀附近，這種電化學反應(yīng)的結(jié)果是在鋁層中形成空隙。含有空隙的鋁基層對于有害電遷移現(xiàn)象的抗性較小，而且顯示電導率降低。
對于這種鉬、銅和鋁金屬化的微電子結(jié)構(gòu)進行等離子蝕刻和/或灰化過程之后，除去蝕刻和/或灰化殘余物是有問題的。無法完全除去或中和這些殘余物，可以導致吸濕和不合需要的物質(zhì)的形成，這可引起前面提到的對于金屬結(jié)構(gòu)的腐蝕。線路材料被不合需要的物質(zhì)腐蝕，并且引起線路金屬絲的中斷，不合需要地增加了電阻。
因此，提供作為光致抗蝕劑剝離劑的制劑是非常合乎需要的，當用于電子器件表面的不同類型金屬的疊層結(jié)構(gòu)中時，要求其對于除去光致抗蝕劑以及蝕刻和灰化殘余物能夠提供良好的去除性能、對于電化腐蝕具有良好的抑制性能。
發(fā)明概述 當用于電子器件表面的不同類型金屬的疊層結(jié)構(gòu)時，通過抗電化腐蝕的非水、無腐蝕性清潔組合物，提供了本發(fā)明的后端光致抗蝕劑的剝離劑和清潔組合物。這些非水光致抗蝕劑的剝離劑和清潔組合物包括 (a)至少一種極性有機溶劑， (b)至少一種二胺或多胺，其具有至少一個伯胺基團和一個或多個仲胺和/或叔胺基團，并且具有下式
其中R1、R2、R4和R5可以獨立地選自H、OH、羥烷基和氨基烷基；R6和R7每個獨立地是H或烷基，m和n每個獨立地是1或更大的整數(shù)，條件是，選擇R1、R2、R4和R5，使得在該化合物中有至少一個伯胺基團和至少一個仲胺或叔胺基團，和 (c)至少一種選自8-羥基喹啉和其異構(gòu)體、苯并三唑、兒茶酚、單糖和多元醇的腐蝕抑制劑，該多元醇選自甘露糖醇、山梨糖醇、阿糖醇、木糖醇、赤蘚醇、鏈烷二醇和環(huán)烷二醇。
本發(fā)明的組合物也可以含有一些其它任選的組分。本發(fā)明的清潔組合物可以在很寬的pH值和溫度的加工/操作條件范圍內(nèi)使用，并且可用于有效地除去光致抗蝕劑、等離子蝕刻/灰化后的殘余物、消耗的光吸收材料和抗反射涂層(ARC)和硬化光致抗蝕劑。
本發(fā)明的非水，基本上無腐蝕性的微電子剝離劑/清潔劑組合物通常包括從大約50％至大約90wt％或更多的有機極性溶劑組分，從大約5％至大約20％的二胺或多胺組分，和抑制腐蝕數(shù)量的腐蝕抑制劑聚合物組分，通常從大約0.1％到大約10％的腐蝕抑制劑組分。提供于本說明書中的wt百分比，是基于剝離和清潔組合物的總重量。
本發(fā)明的非水，基本上無腐蝕性的剝離/清潔組合物還可以任選含有其它適合的組分，包括但不局限于例如螯合劑、含有羥基的有機共溶劑、穩(wěn)定劑和金屬螯合或絡(luò)合劑和表面活性劑。
發(fā)明的詳細說明和優(yōu)選實施方案 本發(fā)明的后端光致抗蝕劑剝離劑和清潔組合物是通過非水，無腐蝕性清潔組合物而提供的，當其用在電子器件表面的不同類型金屬的疊層結(jié)構(gòu)上時可抗電化腐蝕。這些非水光致抗蝕劑剝離劑和清潔組合物包括 (a)至少一種極性有機溶劑， (b)至少一種二胺或多胺，其具有至少一個伯胺基團和一個或多個仲胺和/或叔胺基團，并且具有下式
其中R1、R2、R4和R5可以獨立地選自H、OH、羥烷基和氨基烷基；R6和R7每個獨立地是H或烷基，m和n每個獨立地是1或更大的整數(shù)，條件是，選擇R1、R2、R4和R5，使得在該化合物中有至少一個伯胺基團和至少一個仲胺或叔胺基團，和 (c)至少一種選自8-羥基喹啉和其異構(gòu)體、苯并三唑、兒茶酚、單糖和多元醇的腐蝕抑制劑，多元醇選自甘露糖醇、山梨糖醇、阿糖醇、木糖醇、赤蘚醇、鏈烷二醇和環(huán)烷二醇。
“非水”是指組合物基本上不含水，并且通常只有水作為其它組分的雜質(zhì)存在，而其量通常小于組合物重量的約3％，優(yōu)選更小。
本發(fā)明的清潔組合物可以在很寬的pH值和溫度的加工/操作條件范圍內(nèi)使用，并且可用于有效地除去光致抗蝕劑、等離子蝕刻/灰化的殘余物、消耗的光吸收物質(zhì)和抗反射涂層(ARC)。另外，對于很難清潔的樣品，例如高度交聯(lián)或硬化的光致抗蝕劑利用本發(fā)明的組合物很容易清潔。
本發(fā)明的非水、基本上無腐蝕性的微電子剝離劑/清潔劑組合物通常包括從約50％至約90wt％或更多，優(yōu)選從約85％至約90wt％或更多，最優(yōu)選約90wt％或更多的有機極性溶劑組分；從約5％至約20wt％、優(yōu)選從約5％至約15wt％、且更優(yōu)選從約10％至約15wt％的有機二胺或多胺組分，和抑制腐蝕數(shù)量的腐蝕抑制劑聚合物組分，通常從約0.1％至約10wt％，優(yōu)選從約0.3％至約5wt％，且更優(yōu)選從約0.3％至約3％，更加優(yōu)選約1wt％。提供于本說明書中的wt百分比，是基于清潔組合物的總重量。
本發(fā)明的組合物可以含有一種或多種任何合適的極性有機溶劑，優(yōu)選極性有機溶劑包括酰胺、砜、亞砜、飽和醇等。這些極性有機溶劑包括但不局限于極性有機溶劑例如環(huán)丁砜(四氫噻吩-1，1-二氧化物)、3-甲基環(huán)丁砜、正丙基砜、二甲亞砜(DMSO)、甲基砜、正丁基砜、3-甲基環(huán)丁砜，酰胺例如1-(2-羥乙基)-2-吡咯烷酮(HEP)、二甲基哌啶酮(DMPD)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、二甲基乙酰胺(DMAc)和二甲基甲酰胺(DMF)，二醇和二醇醚，和其混合物。特別優(yōu)選的極性有機溶劑是N-甲基吡咯烷酮，環(huán)丁砜，DMSO，二乙二醇乙醚(卡必醇)，乙二醇，甲氧基丙醇和這些溶劑的兩種或多種的混合物。
二胺或多胺組分是具有至少一個伯胺基團和一個或多個仲胺和/或叔胺基團的組分，并且具有下式
其中R1、R2、R4和R5可以獨立地選自H、OH、羥烷基和氨基烷基；R6和R7每個獨立地是H或烷基，m和n每個獨立地是1或更大的整數(shù)，條件是，選擇R1、R2、R4和R5，使得在該化合物中有至少一個伯胺基團和至少一個仲胺或叔胺基團。該基團的烷基部分優(yōu)選是1至4個碳原子的烷基，更優(yōu)選1或2個碳原子的烷基。這種二胺或多胺組分的例子包括但不局限于(2-氨乙基)-2-氨基乙醇，二亞乙基三胺，三亞乙基四胺等。特別優(yōu)選的是(2-氨乙基)-2-氨基乙醇。
抑制腐蝕的組分可以是任何8-羥基喹啉和其異構(gòu)體、苯并三唑、兒茶酚、單糖或多元醇，該多元醇選自甘露糖醇、山梨糖醇、阿糖醇、木糖醇、赤蘚醇、鏈烷二醇和環(huán)烷二醇。特別優(yōu)選的腐蝕抑制劑包括8-羥基喹啉和兒茶酚。
本發(fā)明的組合物也可以任選含有一種或多種任何含有羥基或多羥基的適當有機脂肪族化合物作為共溶劑。在本發(fā)明的組合物中，可以使用任何合適的含有羥基的有機共溶劑。這種合適的含有羥基的有機共溶劑的例子包括但不局限于丙三醇，1，4-丁二醇，1，2-環(huán)戊二醇，1，2-環(huán)己二醇，和甲基戊二醇，和飽和醇例如乙醇、丙醇、丁醇、己醇和六氟異丙醇，和其混合物。共溶劑可以以基于組合物總重量的0至約10wt％、優(yōu)選從約0.1％至約10wt％、最優(yōu)選從約0.5％至約5wt％的數(shù)量存在于本發(fā)明組合物之中。
本發(fā)明的組合物也可以含有一種或多種任何合適的其它腐蝕抑制劑，優(yōu)選含有兩個或多個直接與芳香環(huán)鍵合的OH、OR6和/或SO2R6R7基團的芳基化合物，其中R6、R7和R8每個獨立地是烷基，優(yōu)選從1至6個碳原子的烷基，或芳基，優(yōu)選從6至14個碳原子的芳基。這種優(yōu)選的腐蝕抑制劑的例子，可以提及焦棓酚、沒食子酸、間苯二酚等。這種其它腐蝕抑制劑可以以基于組合物重量的0至約10wt％、優(yōu)選從約0.1％至約10wt％、最優(yōu)選從約0.5％至約5wt％的數(shù)量存在。
不需要有機或無機螯合劑或金屬絡(luò)合劑，但其能夠提供實質(zhì)性的益處，例如提高產(chǎn)物穩(wěn)定性。可以在本發(fā)明的組合物中使用一種或多種這種無機螯合劑或金屬絡(luò)合劑。合適的螯合劑或絡(luò)合劑的例子包括但不局限于反式-1，2-環(huán)己二胺四乙酸(CyDTA)，乙二胺四乙酸(EDTA)，錫酸鹽，焦磷酸鹽，亞烷基-二膦酸衍生物(例如乙烷-1-羥基-1，1-二膦酸(phosphonate))，含有乙二胺、二亞乙基三胺或三亞乙基四胺功能性部分的膦酸，例如乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)，二亞乙基三胺五(亞甲基膦酸)，和三亞乙基四胺六(亞甲基膦酸)，和其混合物?；诮M合物的重量，螯合劑可以從0至約5wt％、優(yōu)選從約0.1％至約2wt％的量存在于組合物之中。各種膦酸的金屬螯合或絡(luò)合劑，例如乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMP)，可以給酸性和堿性條件下含有氧化劑的本發(fā)明清潔組合物提供更高的穩(wěn)定性，因此通常是優(yōu)選的。
清潔組合物也可以任選含有一種或多種合適的表面活性劑，例如二甲基己炔醇(Surfynol-61)，乙氧基化四甲基癸炔二醇(Surfynol-465)，聚四氟乙烯十六烷氧基丙基甜菜堿(cetoxypropylbetaine)(Zonyl FSK)，Zonyl FSH等。基于組合物的重量，表面活性劑通?？梢詮?至約5wt％、優(yōu)選0.1％至約3wt％的量存在。
本發(fā)明的清潔組合物的例子包括但不局限于下面表1至3中列出的組合物。在表1至3中，使用的縮寫如下 NMP＝N-甲基比咯烷酮 SFL＝環(huán)丁砜 DMSO＝二甲亞砜 CARB＝卡必醇 EG＝乙二醇 GE＝甲氧基丙醇(乙二醇醚PM) AEEA＝(2-氨基乙基)-2-氨基乙醇 CAT＝兒茶酚 8HQ＝8-羥基喹啉 表1 表2 表3 通過下列試驗舉例說明了用本發(fā)明清潔組合物獲得的電化抗腐蝕抑制結(jié)果。將具有三層金屬特征(Mo/Al/Mo)并且涂有光致抗蝕劑的微電子基板在表2的6號組合物中處理，并且也在對比組合物中處理，其中AEEA組分被15％單乙醇胺代替，即對比組合物是84％卡必醇、15％乙醇胺和1％的8-羥基喹啉的組合物。首先將基板在70℃放入所述組合物中5分鐘，然后移開并觀察，而后在室溫下將基板浸漬在相應(yīng)組合物的5％稀溶液(即5克組合物在95克水中的稀釋液)中5分鐘，以模擬基板加工過程中的常規(guī)洗滌步驟。經(jīng)過這第二次處理之后，從稀溶液中移開具有三層特征的基板，用水沖洗，并觀察用SEM所取得的圖象。每個步驟之后的鋁腐蝕結(jié)果如下 組合物6 在組合物6中處理之后，沒有Al腐蝕 在5％溶液中處理之后，輕微的Al腐蝕 對比組合物 在對比組合物中處理之后，沒有Al腐蝕 在5％溶液中處理之后，嚴重的Al腐蝕 當在組合物制劑和其5％稀溶液兩者中對表2和3的組合物8至13進行相同試驗方案且在SEM下觀察時，也觀察對于這種三層金屬特征基板的類似的腐蝕抑制。
盡管參考本發(fā)明具體實施方案已經(jīng)描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，在沒有背離本文公開的發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍的條件下，可以進行許多改變、改進和變化。因此，其意欲包括那些屬于所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的所有這類改變、改進和變化。
權(quán)利要求
1.用于清除微電子基板上的光致抗蝕劑和殘余物的非水清潔組合物，所述清潔組合物包括
(a)至少一種極性有機溶劑，
(b)至少一種二胺或多胺，其具有至少一個伯胺基團和一個或多個仲胺或叔胺基團，并且具有下式
其中R1、R2、R4和R5每個獨立地選自H、OH、羥烷基和氨基烷基；R6和R7每個獨立地選自H或烷基，m和n每個獨立地是1或更大的整數(shù)，條件是，選擇R1、R2、R4和R5，使得在該化合物中有至少一個伯胺基團和至少一個仲胺或叔胺基團，和
(c)至少一種選自8-羥基喹啉和其異構(gòu)體、苯并三唑、兒茶酚、單糖和多元醇的腐蝕抑制劑，所述多元醇選自甘露糖醇、山梨糖醇、阿糖醇、木糖醇、赤蘚醇、鏈烷二醇和環(huán)烷二醇。
2.權(quán)利要求1的清潔組合物，其中所述極性有機溶劑組分(a)的量占組合物重量的約50％至約90％，所述二胺或多胺組分(b)的量占組合物重量的約5％至約20％，且所述腐蝕抑制組分(c)以組合物重量的約0.1％至約10％的量存在于組合物中。
3.權(quán)利要求1的清潔組合物，其中所述極性有機溶劑組分(a)的量占組合物重量的約85％至約90％，所述二胺或多胺組分(b)的量占組合物重量的約5％至約15％，且所述腐蝕抑制組分(c)以組合物重量的約0.3％至約3％的量存在于組合物中。
4.權(quán)利要求1的清潔組合物，其中所述極性有機溶劑組分(a)選自環(huán)丁砜、二甲亞砜、N-甲基-2-吡咯烷酮、卡必醇、乙二醇和甲氧基丙醇和其混合物，所述二胺或多胺組分(b)選自2-氨乙基-2-氨基乙醇、二亞乙基三胺和三亞乙基四胺，且所述腐蝕抑制組分(c)選自8-羥基喹啉和兒茶酚。
5.權(quán)利要求3的清潔組合物，其中所述極性有機溶劑組分(a)選自環(huán)丁砜、二甲亞砜、N-甲基-2-吡咯烷酮、卡必醇、乙二醇和甲氧基丙醇和其混合物，所述二胺或多胺組分(b)選自(2-氨乙基)-2-氨基乙醇、二亞乙基三胺和三亞乙基四胺，且所述腐蝕抑制組分(c)選自8-羥基喹啉和兒茶酚。
6.權(quán)利要求1的清潔組合物，其中所述二胺或多胺組分(b)是(2-氨乙基)-2-氨基乙醇。
7.權(quán)利要求5的清潔組合物，其中所述二胺或多胺組分(b)是(2-氨乙基)-2-氨基乙醇。
8.權(quán)利要求7的清潔組合物，包括作為所述極性有機溶劑組分(a)的卡必醇、和作為所述腐蝕抑制組分(c)的8-羥基喹啉。
9.清除微電子基板上的光致抗蝕劑或殘余物的方法，該方法包括將基板與清潔組合物接觸足以從基板上清除光致抗蝕劑或殘余物的時間，其中該清潔組合物包括下列的組分
(a)至少一種極性有機溶劑，
(b)至少一種二胺或多胺，其具有至少一個伯胺基團和一個或多個仲胺或叔胺基團，并且具有下式
其中R1、R2、R4和R5每個獨立地選自H、OH、羥烷基和氨基烷基；R6和R7每個獨立地選自H或烷基，m和n每個獨立地是1或更大的整數(shù)，條件是，選擇R1、R2、R4和R5，使得在該化合物中有至少一個伯胺基團和至少一個仲胺或叔胺基團，和
(c)至少一種選自8-羥基喹啉和其異構(gòu)體、苯并三唑、兒茶酚、單糖和多元醇的腐蝕抑制劑，該多元醇選自甘露糖醇、山梨糖醇、阿糖醇、木糖醇、赤蘚醇、鏈烷二醇和環(huán)烷二醇。
10.按照權(quán)利要求9的清除微電子基板上的光致抗蝕劑或殘余物的方法，其中所述極性有機溶劑組分(a)的量占組合物重量的約50％至約90％，所述二胺或多胺組分(b)的量占組合物重量的約5％至約20％，且所述腐蝕抑制組分(c)以組合物重量的約0.1％至約10％的量存在于組合物中。
11.按照權(quán)利要求9的清除微電子基板上的光致抗蝕劑或殘余物的方法，其中所述極性有機溶劑組分(a)的量占組合物重量的約85％至約90％，所述二胺或多胺組分(b)的量占組合物重量的約5％至約15％，且所述腐蝕抑制組分(c)以組合物重量的約0.3％至約3％的量存在于組合物中。
12.按照權(quán)利要求9的清除微電子基板上的光致抗蝕劑或殘余物的方法，其中所述極性有機溶劑組分(a)選自環(huán)丁砜、二甲亞砜、N-甲基-2-吡咯烷酮、卡必醇、乙二醇和甲氧基丙醇和其混合物，所述二胺或多胺組分(b)選自2-氨乙基-2-氨基乙醇、二亞乙基三胺和三亞乙基四胺，且所述腐蝕抑制組分(c)選自8-羥基喹啉和兒茶酚。
13.按照權(quán)利要求11的清除微電子基板上的光致抗蝕劑或殘余物的方法，其中所述極性有機溶劑組分(a)選自環(huán)丁砜、二甲亞砜、N-甲基-2-吡咯烷酮、卡必醇、乙二醇和甲氧基丙醇和其混合物，所述二胺或多胺組分(b)選自2-氨乙基-2-氨基乙醇、二亞乙基三胺和三亞乙基四胺，且所述腐蝕抑制組分(c)選自8-羥基喹啉和兒茶酚。
14.按照權(quán)利要求9的清除微電子基板上的光致抗蝕劑或殘余物的方法，其中所述二胺或多胺組分(b)是(2-氨乙基)-2-氨基乙醇。
15.按照權(quán)利要求13的清除微電子基板上的光致抗蝕劑或殘余物的方法，其中所述二胺或多胺組分(b)是(2-氨乙基)-2-氨基乙醇。
16.按照權(quán)利要求15的清除微電子基板上的光致抗蝕劑或殘余物的方法，包括作為所述極性有機溶劑組分(a)的卡必醇、和作為所述腐蝕抑制組分(c)的8-羥基喹啉。
17.按照權(quán)利要求9的方法，其中所述微電子基板是由不同金屬成層的層狀結(jié)構(gòu)器件。
18.按照權(quán)利要求13的方法，其中所述微電子基板是由不同金屬成層的層狀結(jié)構(gòu)器件。
19.按照權(quán)利要求14的方法，其中所述微電子基板是由不同金屬成層的層狀結(jié)構(gòu)器件。
20.按照權(quán)利要求16的方法，其中所述微電子基板是由不同金屬成層的層狀結(jié)構(gòu)器件。
全文摘要
當用于電子器件表面的不同類型金屬的疊層結(jié)構(gòu)時，通過抗電化腐蝕的非水、無腐蝕性清潔組合物，提供了本發(fā)明的光致抗蝕劑的剝離劑和清潔組合物。這些非水光致抗蝕劑的剝離劑和清潔組合物包括(a)至少一種極性有機溶劑，(b)至少一種二胺或多胺，其具有至少一個伯胺基團和一個或多個仲胺和/或叔胺基團，并且具有上式(1)，其中R1、R2、R4和R5可以獨立地選自H、OH、羥烷基和氨基烷基；R6和R7每個獨立地是H或烷基，m和n每個獨立地是1或更大的整數(shù)，條件是，選擇R1、R2、R4和R5，使得在該化合物中有至少一個伯胺基團和至少一個仲胺或叔胺基團，和(c)至少一種選自8-羥基喹啉和其異構(gòu)體、苯并三唑、兒茶酚、單糖和多元醇的腐蝕抑制劑，多元醇選自甘露糖醇、山梨糖醇、阿糖醇、木糖醇、赤蘚醇、鏈烷二醇和環(huán)烷二醇。
文檔編號G03F7/42GK101164016SQ200680013202
公開日2008年4月16日 申請日期2006年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月19日
發(fā)明者稻岡誠二 申請人:馬林克羅特貝克公司