專利名稱：陣列基板及制造方法、具有它的顯示面板及液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于顯示面板的陣列基板、一種制造該陣列基板的方法、一種具有該陣列基板的顯示面板、以及一種具有該陣列基板的液晶顯示裝置。更具體地，本發(fā)明涉及一種能夠改善對層的附著力并防止變黃(yellowishness)的用于顯示面板的陣列基板、一種制造該陣列基板的方法、一種具有該陣列基板的顯示面板、以及一種具有該陣列基板的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
一般來說，顯示裝置將由信息處理裝置處理的信息轉(zhuǎn)換為圖像。
顯示裝置的實例包括陰極射線管(CRT)型顯示裝置、液晶顯示(LCD)裝置、有機發(fā)光顯示(OLED)裝置等。
根據(jù)使用光的方法，LCD裝置分為透射型LCD裝置、反射型LCD裝置、和反射透射(reflective-transmissive)型LCD裝置。
透射型LCD裝置使用由安裝在LCD裝置中的燈內(nèi)部提供的光來顯示圖像。反射型LCD裝置使用由太陽、照明裝置等外部提供的光來顯示圖像。反射透射型LCD裝置使用由安裝在LCD裝置中的燈內(nèi)部提供的和/或由太陽、照明裝置等外部提供的光來顯示圖像。
透射型LCD裝置包括透明的導(dǎo)電透明電極，反射型LCD裝置包括具有比透明電極更大反射率的反射電極。反射透射型LCD裝置包括透明電極和反射電極。
在反射型LCD裝置中使用反射電極，并且優(yōu)選地，反射透射型LCD裝置可包含具有大反射率的材料。因此，反射電極通常包含具有大反射率的鋁(Al)或鋁合金。
近年來，由于銀(Ag)具有大于鋁的反射率，所以已研究將銀作為反射電極。然而，銀對下層附著力較低，并且通過后續(xù)工藝會變黃。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例解決了上述問題，因此，本發(fā)明提供了一種能夠改善對層的附著力并防止電極變黃的陣列基板。
本發(fā)明的實施例還提供了一種制造上述陣列基板的方法。
本發(fā)明的實施例還提供了一種具有上述陣列基板的顯示面板。
本發(fā)明的實施例還提供了一種具有上述陣列基板的液晶顯示裝置。
在本發(fā)明的一個方面中，用于顯示面板的陣列基板包括底部基板(base substrate)、信號施加模塊、第一電極、第二電極、以及保護層。信號施加模塊設(shè)置在底部基板上，并包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端。第一電極設(shè)置在底部基板上并電連接至輸出端。第二電極設(shè)置在第一電極上并電連接至第一電極。第二電極包含銀(Ag)。保護層設(shè)置在第二電極上，以覆蓋第二電極的至少一部分。
在本發(fā)明的另一方面中，為了制造用于顯示面板的陣列基板，在底部基板上形成包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端的信號施加模塊。穿過絕緣層以形成露出輸出端一部分的接觸孔，該絕緣層覆蓋信號施加模塊來形成絕緣圖樣。在絕緣圖樣上形成透明并導(dǎo)電的第一電極，以電連接至輸出端。在第一電極上形成包含銀(Ag)的第二電極，以電連接至第一電極，以及在第二電極上形成保護層，以覆蓋第二電極的至少一部分。
在本發(fā)明的又一方面中，顯示面板包括陣列基板、相對基板(counter substrate)、和液晶層。陣列基板包括第一底部基板；信號施加模塊，設(shè)置在第一底部基板上并包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端；第一電極，設(shè)置在第一底部基板上并電連接至輸出端；第二電極，設(shè)置在第一電極上并電連接至第一電極；以及保護層，設(shè)置在第二電極上以覆蓋第二電極的至少一部分。第二電極包含銀(Ag)。相對基板包括第二底部基板，面對第一底部基板；以及共電極，設(shè)置在第二底部基板上并面對第一和第二電極。液晶層設(shè)置在第一和第二底部基板之間。
在本發(fā)明的再一方面中，液晶顯示裝置包括顯示面板和背光組件。顯示面板使用光來顯示圖像。顯示面板包括陣列基板、相對基板、和液晶層。陣列基板包括第一底部基板；信號施加模塊，設(shè)置在第一底部基板上并包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端；透明電極，設(shè)置在第一底部基板上并電連接至輸出端；反射電極，設(shè)置在透明電極上并電連接至透明電極；以及保護層，設(shè)置在反射電極上以覆蓋反射電極的至少一部分。反射電極包含銀(Ag)。相對基板包括第二底部基板，面對第一底部基板；以及共電極，設(shè)置在第二底部基板上并面對透明和反射電極。液晶層設(shè)置在第一和第二底部基板之間。背光組件向顯示面板提供光。
根據(jù)上述內(nèi)容，在包含銀的第二電極上形成保護層，從而防止了通過后續(xù)工藝使第二電極變黃。此外，在第二電極的下面形成包含銦錫氧化物(ITO)、非晶銦錫氧化物(a-ITO)等的第一電極，從而改善了反射電極對下層的附著力。


通過參照附圖詳細的描述示例性實施例，本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點將變得顯而易見，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的陣列基板的一部分的平面圖；圖2是沿圖1中的線I-I’所截取的剖視圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的陣列基板的一部分的平面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的陣列基板的一部分的平面圖；圖5是沿圖4中的線II-II’所截取的剖視圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的陣列基板的一部分的剖視圖；圖7至圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實施例的制造陣列基板的方法的剖視圖；
圖11A是示出其上形成有包含銀的單層的底部基板的照片；圖11B是示出其上形成有包含銀和銦錫氧化物的雙層的底部基板的照片；圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第六示例性實施例的顯示面板的剖視圖；以及圖13是示出根據(jù)本發(fā)明第七示例性實施例的液晶顯示裝置的剖視圖。
具體實施例方式
下面將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，其中，附圖中示出了本發(fā)明的實施例。然而，本發(fā)明可以以多種不同的方式來實現(xiàn)，而不局限于在此描述的實施例。相反地，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，提供這些實施例，使得本發(fā)明充分公開并且完全覆蓋本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清楚起見，可以放大層和區(qū)的大小和相對大小。通篇中，相同的標號表示相同的元件。應(yīng)當理解，當提到諸如層、區(qū)域或基板的元件“位于”另一元件上或在另一元件“之上”時，其可直接位于其它元件上，或者也可以存在插入的元件。
陣列基板實施例1圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的陣列基板的一部分的平面圖。圖2是沿圖1中的線I-I’所截取的剖視圖。
參照圖1和圖2，陣列基板100包括底部基板110、信號施加模塊120、絕緣圖樣130、第一電極140和第二電極150、以及保護層160。
底部基板110包括諸如能夠穿過光的玻璃基板的透明基板。
信號施加模塊120設(shè)置在底部基板110上。信號施加模塊120在預(yù)定時刻通過輸出端輸出外部提供的圖像數(shù)據(jù)信號。
在該實施例中，信號施加模塊120包括柵電極GE、柵極絕緣層GIL、溝道圖樣CP、源電極SE、以及作為輸出端的漏電極DE。
柵電極GE從接收定時信號的柵極線GL突出。源電極SE從數(shù)據(jù)線DL突出，以將數(shù)據(jù)信號輸出至溝道圖樣CP。
柵極線GL在圖1所示的第一方向上延伸。盡管圖1中未示出，但對應(yīng)于陣列基板100的分辨率的多條柵極線GL基本平行地排列在基本垂直于第一方向的第二方向上。盡管圖1中未示出，但對應(yīng)于陣列基板100的分辨率的多個柵電極GE從底部基板110上的每條柵極線GL沿基本平行于第二方向的方向突出。
柵極絕緣層GIL覆蓋具有柵電極GE的柵極線GL，以使柵極線GL與具有源電極SE的數(shù)據(jù)線DL絕緣。柵極絕緣層GIL包含例如透明氮化硅。
在柵極絕緣層GIL上形成溝道圖樣CP。例如，溝道圖樣CP設(shè)置在對應(yīng)于柵電極GE的柵極絕緣層GIL上。溝道圖樣CP包含非晶硅圖樣ASP和一對n+非晶硅圖樣nASP。n+非晶硅圖樣nASP設(shè)置在非晶硅圖樣ASP上，并彼此分開。
將數(shù)據(jù)線DL沿第二方向設(shè)置在柵極絕緣層GIL上。盡管圖1中未示出，但對應(yīng)于陣列基板100的分辨率的多條數(shù)據(jù)線DL沿第一方向基本平行地排列。盡管圖1中未示出，但對應(yīng)于陣列基板100的分辨率的多個源電極SE從底部基板110上的每條柵極線GL沿基本平行于第一方向的方向突出。每個源電極SE電連接至一個n+非晶硅圖樣nASP。
漏電極DE電連接至另一個n+非晶硅圖樣nASP。漏電極DE與數(shù)據(jù)線DL同時形成，并與源電極SE分開。
絕緣圖樣130設(shè)置在具有信號施加模塊120的底部基板上。穿過絕緣圖樣130而形成接觸孔，以露出信號施加模塊120的漏電極DE。例如，絕緣圖樣130包含對光敏感的感光材料，以形成接觸孔。
第一電極140設(shè)置在絕緣圖樣130上。第一電極140電連接至通過接觸孔露出的漏電極DE。第一電極140覆蓋絕緣圖樣130的至少一部分。
第一電極140包含透明導(dǎo)電材料。當從底部基板110的下部提供光時，光穿過透明第一電極140。因此，第一電極140可用作反射透射型液晶顯示裝置的透明電極。
第一電極140包含例如銦錫氧化物(ITO)、非晶銦錫氧化物(a-ITO)、和銦鋅氧化物(IZO)中的至少一種。當?shù)谝浑姌O140包含銦錫氧化物(ITO)、非晶銦錫氧化物(a-ITO)、和銦鋅氧化物(IZO)中的至少一種時，改善了包含銀(Ag)的第二電極150對下層的附著力。稍后將描述第二電極150。
第一電極具有例如大約40nm至大約70nm之間的厚度。
第二電極150設(shè)置在第一電極140上，并電連接至第一電極140。第二電極150覆蓋第一電極140的至少一部分。
第二電極150包含銀(Ag)。通常，銀具有大于鋁(Al)或鋁合金的反射率。當從底部基板110的上部提供光時，會在第二電極150上反射光。因此，第二電極150可用作反射透射型液晶顯示裝置的反射電極。
盡管銀具有大于鋁(Al)或鋁合金的反射率，但是銀對許多材料附著力較弱。然而，例如，銀對銦錫氧化物(ITO)、非晶銦錫氧化物(a-ITO)、和銦鋅氧化物(IZO)具有較強的附著力。因此，當將包含銦錫氧化物(ITO)、非晶銦錫氧化物(a-ITO)、和銦鋅氧化物(IZO)中至少一種的第一電極140設(shè)置在包含銀的第二電極150的下面時，可使第二電極150牢固地附著到第一電極140。因此，可以防止在對第一電極140附著力較弱的情況下可能產(chǎn)生的第二電極150的脫落(lift off)。
第二電極150具有例如大約200nm至大約300nm之間的厚度。
保護層160設(shè)置在第二電極150上，并形成為對應(yīng)于第二電極150。保護層160包含透明導(dǎo)電材料，其可包含銦錫氧化物(ITO)、非晶銦錫氧化物(a-ITO)、和銦鋅氧化物(IZO)中的至少一種。
有利的是，因為將保護層160設(shè)置在第二電極150上并可作為第二電極150的覆蓋層(capping layer)，所以可以防止包含銀(Ag)的第二電極150變黃。
保護層160可與第二電極150同時被蝕刻和圖樣化?？赏ㄟ^許多種蝕刻劑將諸如第二電極150的包含銀的層迅速地蝕刻，因此，第二電極150上的保護層160可延遲第二電極150中銀的蝕刻時間。保護層160具有例如大約30nm至大約50nm之間的厚度，并被構(gòu)成以延遲蝕刻時間。
在本實施例中，在由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL限定的像素的外圍部分處形成第二電極150和保護層160。因此，如圖2所示，第二電極150和保護層160包括開口?？蛇x地，第二電極150和保護層160可包括多個開口。例如，每一個開口均呈多邊形。
可在依次具有第一電極140、第二電極150和保護層160的陣列基板100上形成配向?qū)?alignment layer)170。配向?qū)?70包含例如聚亞胺樹脂。在配向?qū)?70上形成多個配向槽，以對準液晶分子。
根據(jù)本實施例的陣列基板100可用在既有反射區(qū)又有透射區(qū)的反射透射型液晶顯示裝置的顯示面板中?？蛇x地，陣列基板100可用在僅具有反射區(qū)的反射型液晶顯示裝置的顯示面板中。這里，陣列基板100的第二電極150可基本覆蓋第一電極140的全部。
實施例2圖3是示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的陣列基板102的一部分的剖視圖。除絕緣圖樣、第一電極、第二電極、和保護層的形狀之外，圖3中的陣列基板102與圖1和圖2中的陣列基板100基本相同。因此，將省略對這些基本相同元件的進一步描述。
參照圖3，陣列基板102包括底部基板110、信號施加模塊120、絕緣圖樣130、第一電極142、第二電極152、以及保護層162。
在絕緣圖樣130上形成多個壓紋圖樣(embossing pattern)132。第一電極142、第二電極152、和保護層162順序地設(shè)置在具有壓紋圖樣132的絕緣圖樣130上。
壓紋圖樣132可增加第二電極152的反射面積，并漫射第二電極152上反射的光。
實施例3圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的陣列基板104的一部分的平面圖。圖5是沿圖4中的線II-II’所截取的剖視圖。除第二電極和保護層的位置之外，圖4和圖5中的陣列基板104與圖1和圖2中的陣列基板100基本相同。因此，將省略對這些基本相同元件的進一步描述。
參照圖4和圖5，陣列基板104包括底部基板110、信號施加模塊120、絕緣圖樣130、第一電極144和第二電極154、以及保護層164。
在本實施例中，在由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL限定的像素的中心部分處形成第二電極154和保護層164。
實施例4圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的陣列基板106的一部分的剖視圖。除絕緣圖樣、第一電極、第二電極、和保護層的形狀之外，圖6中的陣列基板106與圖4和圖5中示出的陣列基板104基本相同。因此，將省略對這些基本相同元件的進一步描述。
參照圖6，陣列基板106包括底部基板110、信號施加模塊120、絕緣圖樣130、第一電極146、第二電極156、以及保護層166。
在絕緣圖樣130上形成多個壓紋圖樣136。在具有壓紋圖樣136的絕緣圖樣130上順序設(shè)置第一電極146、第二電極156、和保護層166。
壓紋圖樣136可增加第二電極156的反射面積，并漫射第二電極156上反射的光。
制造陣列基板的方法實施例5圖7至圖10是示出制造根據(jù)本發(fā)明第五示例性實施例的陣列基板的方法的剖視圖。盡管本實施例中將詳細描述制造圖1和圖2中示出的陣列基板100的方法，但可通過基本相同的方法制造圖4和圖5中示出的陣列基板104。
參照圖7，為了制造陣列基板100，首先，在底部基板110上形成信號施加模塊120。
為了形成信號施加模塊120，通過化學(xué)汽相積淀(CVD)工藝或濺射工藝在底部基板110上形成柵極金屬(未示出)。柵極金屬包含例如鋁(Al)或鉬(Mo)。
通過光刻法工藝將柵極金屬圖樣化，以在底部基板110上形成柵極線GL和從柵極線GL突出的柵電極GE。
隨后，通過CVD工藝在底部基板上形成柵極絕緣層GIL。柵極絕緣層GIL包含例如透明氮化硅。
在柵極絕緣層GIL上順序形成n+非晶硅層(未示出)、非晶硅層(未示出)、和源極/漏極層(未示出)。
通過光刻法工藝將源極/漏極層圖樣化，以在n+非晶硅層上形成數(shù)據(jù)線DL、從數(shù)據(jù)線DL突出的源電極SE、以及與源電極SE分離的漏電極DE。
使用數(shù)據(jù)線DL和漏電極DE的掩模將n+非晶硅層和非晶硅層圖樣化。因此，在柵極絕緣層GIL上形成包含n+非晶硅圖樣nASP和非晶硅圖樣ASP的溝道圖樣CP。
參照圖8，在底部基板110上形成厚絕緣層(未示出)。該絕緣層包括例如具有對光敏感的感光材料的有機層。可選地，絕緣層可包括具有無機層(例如，氮化硅層)和有機層的雙層。由穿過預(yù)定掩模的光來使形成在底部基板110上的絕緣層圖樣化，以形成絕緣圖樣130。通過絕緣圖樣130形成露出信號施加模塊120的漏電極DE的一部分的接觸孔CT。
在本實施例中，沒有在絕緣圖樣130上形成壓紋圖樣。可選地，可在絕緣圖樣130上形成在圖3中示出的多個壓紋圖樣132。此外，當制造圖4和圖5中示出的陣列基板104時，也可在絕緣圖樣130上形成圖6中示出的壓紋圖樣136。
參照圖9，在絕緣圖樣130上形成第一電極140。例如，形成具有大約40nm至大約70nm之間厚度的第一電極140。
第一電極140包含透明導(dǎo)電材料。例如，第一電極140包含銦錫氧化物(ITO)或非晶銦錫氧化物(a-ITO)。
當?shù)谝浑姌O140包含銦鋅氧化物(IZO)時，在稍后將描述的蝕刻第二電極150的過程中，可能會蝕刻并劣化第一電極140。
當?shù)谝浑姌O140包含銦錫氧化物(ITO)時，一般使用王水蝕刻第一電極140。在使用王水蝕刻期間，也可能通過王水會劣化設(shè)置在第一電極140下的下層。
可選地，當?shù)谝浑姌O140包含非晶銦錫氧化物(a-ITO)時，可使用弱酸蝕刻第一電極140，這樣可防止劣化設(shè)置在第一電極140下的下層。
當?shù)谝浑姌O140包含非晶銦錫氧化物(a-ITO)時，可在預(yù)定條件下熱處理第一電極140。在典型預(yù)定條件中，在大約200℃的溫度下強烈烘焙(hard bake)第一電極140大約兩個小時。
在強烈烘焙第一電極140之后，非晶銦錫氧化物(a-ITO)變成聚銦錫氧化物(poly-ITO)。有利的是，當如在該典型預(yù)定條件下那樣，將包含非晶銦錫氧化物(a-ITO)的第一電極140在高溫下長時間強烈烘焙時，第一電極140就不容易被銀蝕刻劑所蝕刻。有利的是，可將第一電極140的厚度制成足夠厚，使得第一電極140就不容易被銀蝕刻劑所蝕刻。
參照圖10，在第一電極140上形成第二電極150和保護層160。
第二電極150包含銀(Ag)，以及保護層160可包含透明導(dǎo)電材料。例如，保護層160包含銦錫氧化物(ITO)或非晶銦錫氧化物(a-ITO)。
例如，在大約50℃以下沉積預(yù)備(preliminary)第二電極層(未示出)，以及例如，在標準溫度下沉積預(yù)備保護層(未示出)。預(yù)備第二電極層和預(yù)備保護層分別表示在蝕刻和圖樣化之前的第二電極150和保護層160。
在沉積預(yù)備第二電極層和預(yù)備保護層之后，通過易于采用的光刻法工藝將預(yù)備第二電極層和預(yù)備保護層圖樣化。使用已知的銀蝕刻劑同時蝕刻預(yù)備第二電極層和預(yù)備保護層。銀蝕刻劑包含例如，磷酸、硝酸、醋酸、和過氧化氫中的至少一種。
可通過許多種蝕刻劑迅速地蝕刻包含銀的層。因此，由于預(yù)備保護層形成在包含銀的預(yù)備第二電極層上，并與包含銀的預(yù)備第二電極層同時蝕刻，所以預(yù)備保護層可延遲包含銀的預(yù)備第二電極層的蝕刻時間。預(yù)備第二電極層具有例如大約200nm至大約300nm之間的厚度，以及預(yù)備保護層具有例如大約30nm至大約50nm之間的厚度，以延遲預(yù)備第二電極層的蝕刻時間。
將預(yù)備第二電極層和預(yù)備保護層圖樣化，以形成第二電極150和保護層160。
包含銀的第二電極150對許多材料附著力較弱。然而，當?shù)谝浑姌O140包含但不限于銦錫氧化物(ITO)、非晶銦錫氧化物(a-ITO)、或銦鋅氧化物(IZO)時，第二電極150可牢固地附著到第一電極140。
圖11A是示出其上形成有包含銀的單層的底部基板的照片。圖11B是示出其上形成有包含銀和銦錫氧化物的雙層的底部基板的照片。
參照在圖1和圖2的典型背景中的圖11A和圖11B，當在絕緣圖樣130上形成第二電極150時，第二電極150可能脫落，因為第二電極150對絕緣圖樣130附著力較弱。相反地，當在第一電極140上形成第二電極150時，可以防止第二電極150的脫落，因為第二電極150對第一電極140具有較強的附著力，從而防止了第二電極150圖樣形狀的劣化。
可在依次具有第一電極140、第二電極150、和保護層160的陣列基板100上形成配向?qū)?70。例如，配向?qū)?70包含聚亞胺樹脂。在配向?qū)?70上形成多個配向槽(未示出)，以對準液晶分子。顯示面板實施例6圖12是示出根據(jù)本發(fā)明第六示例性實施例的顯示面板600的剖視圖。
參照圖12，顯示面板600包括陣列基板100、相對基板200、和液晶層300。
陣列基板100包括第一底部基板110、信號施加模塊120、絕緣圖樣130、第一電極140、第二電極150、保護層160、以及第一配向?qū)?70。陣列基板100與圖1和圖2中示出的陣列基板100基本相同。因此，將省略對這些基本相同的元件的進一步描述。
相對基板200包括第二底部基板210、濾色器220、共電極230、以及第二配向?qū)?40。
第二底部基板210包括諸如能夠穿過光的玻璃基板的透明基板。
濾色器220設(shè)置在第二底部基板210上。濾色器220包括例如用于使白光中的紅光穿過的紅色濾色器、用于使白光中的綠光穿過的綠色濾色器、以及用于使白光中的藍光穿過的藍色濾色器。
在濾色器220上形成共電極230。共電極230可包含透明導(dǎo)電材料。共電極230包含但不限于銦錫氧化物(ITO)、非晶銦錫氧化物(a-ITO)、和銦鋅氧化物(IZO)中的至少一種。共電極230面對陣列基板100的第一電極140和第二電極150。
設(shè)置第二配向?qū)?40以面對第一配向?qū)?70。在第二配向?qū)?40上形成配向槽，以對準液晶層300的液晶分子。
液晶層300設(shè)置在陣列基板100和相對基板200之間。
在本實施例中，顯示面板600使用實施例1中的陣列基板100。可選地，顯示面板600可分別使用實施例2、3、和4中的陣列基板102、104、和106。
液晶顯示裝置實施例7圖13是示出根據(jù)本發(fā)明第七示例性實施例的液晶顯示裝置1000的剖視圖。
參照圖13，液晶顯示裝置1000包括顯示面板600和背光組件700。
顯示面板600包括陣列基板100、相對基板200、和液晶層300。該顯示面板600與圖12中示出的顯示面板600基本相同。因此，將省略對這些基本相同元件的進一步描述。
背光組件700向顯示面板600提供光。液晶顯示裝置1000可使用由背光組件700提供的光和/或使用外部提供的光來顯示圖像。
根據(jù)本發(fā)明，在包含銀的反射電極上形成保護層，從而防止通過后續(xù)工藝導(dǎo)致的反射電極變黃。
此外，在反射電極的下面形成包含銦錫氧化物(ITO)、或非晶銦錫氧化物(a-ITO)等的透明電極，從而改善了反射電極對下層的附著力。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實施例，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明不限于這些示例性實施例，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以作出各種改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種用于顯示面板的陣列基板，包括底部基板；信號施加模塊，其設(shè)置在所述底部基板上，包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端；第一電極，其設(shè)置在所述底部基板上，電連接至所述輸出端；第二電極，其設(shè)置在所述第一電極上，電連接至所述第一電極，其中，所述第二電極包含銀(Ag)；以及保護層，其設(shè)置在所述第二電極上，以覆蓋所述第二電極的至少一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述信號施加模塊還包括柵電極，從接收定時信號的柵極線突出；柵極絕緣層，用于使所述柵電極絕緣；溝道層，設(shè)置在對應(yīng)于所述柵電極的所述柵極絕緣層上；以及源電極，其從數(shù)據(jù)線突出，以將所述數(shù)據(jù)信號輸出至所述溝道層，其中，所述輸出端是與所述源電極分離的漏電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括絕緣圖樣，其具有露出所述輸出端的接觸孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中，所述第一電極設(shè)置在所述絕緣圖樣上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中，在所述絕緣圖樣上形成壓紋圖樣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述第二電極覆蓋所述第一電極的至少一部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中，所述第一電極透明是并導(dǎo)電的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中，所述第一電極包含銦錫氧化物和非晶銦錫氧化物中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述保護層包含銦錫氧化物和非晶銦錫氧化物中的至少一種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述保護層具有大約30nm至大約50nm之間的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中，所述第二電極具有大約200nm至大約300nm之間的厚度。
12.一種制造用于顯示面板的陣列基板的方法，包括以下步驟在底部基板上形成信號施加模塊，所述信號施加模塊包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端；穿過絕緣層來形成露出所述輸出端一部分的接觸孔，所述絕緣層覆蓋所述信號施加模塊以形成絕緣圖樣；在所述絕緣圖樣上形成透明并導(dǎo)電的第一電極，以電連接至所述輸出端；以及在所述第一電極上形成第二電極，以電連接至所述第一電極，以及在所述第二電極上形成保護層，以覆蓋所述第二電極的至少一部分，所述第二電極包含銀。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述絕緣圖樣還包括在所述絕緣層上形成壓紋圖樣。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述第二電極，以覆蓋所述第一電極的至少一部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在形成所述第一電極之后強烈烘焙所述第一電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第二電極和所述保護層通過以下步驟形成在所述第一電極上形成預(yù)備第二電極層；在所述預(yù)備第二電極上形成預(yù)備保護層；以及將所述預(yù)備第二電極層和所述預(yù)備保護層同時蝕刻并圖樣化。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，通過磷酸、硝酸、醋酸、和過氧化氫中的至少一種蝕刻所述預(yù)備第二電極和所述預(yù)備保護層。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述保護層具有大約30nm至50nm之間的厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第二電極具有大約200nm至大約300nm之間的厚度。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述第一電極和所述保護層包含非晶銦錫氧化物。
21.一種顯示面板，包括陣列基板，包括第一底部基板；信號施加模塊，其設(shè)置在所述第一底部基板上，包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端；第一電極，其設(shè)置在所述第一底部基板上，電連接至所述輸出端；第二電極，其設(shè)置在所述第一電極上，電連接至所述第一電極，其中，所述第二電極包含銀；以及保護層，其設(shè)置在所述第二電極上，以覆蓋所述第二電極的至少一部分；相對基板，包括第二底部基板，面對所述第一底部基板；以及共電極，其設(shè)置在所述第二底部基板上，面對所述第一電極和第二電極；以及液晶層，設(shè)置在所述第一和第二底部基板之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示面板，其中，所述陣列基板還包括絕緣圖樣，其具有露出所述輸出端的接觸孔。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示面板，其中，所述保護層具有大約30nm至大約50nm之間的厚度，所述第二電極具有大約200nm至大約300nm之間的厚度。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示面板，其中，所述第二電極覆蓋所述第一電極的至少一部分。
25.一種液晶顯示裝置，包括顯示面板，用于使用光來顯示圖像，所述顯示面板包括陣列基板，包括第一底部基板；信號施加模塊，其設(shè)置在所述底部基板上，包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端；透明電極，其設(shè)置在所述第一底部基板上，電連接至所述輸出端；反射電極，其設(shè)置在所述透明電極上，電連接至所述透明電極；以及保護層，其設(shè)置在所述反射電極上，以覆蓋所述反射電極的至少一部分，其中，所述反射電極包含銀；相對基板，包括第二底部基板，面對所述第一底部基板；以及共電極，其設(shè)置在所述第二底部基板上，面對所述透明電極和所述反射電極；以及液晶層，其設(shè)置在所述第一和第二底部基板之間；以及背光組件，用于向所述顯示面板提供光。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其中，所述透明電極和所述保護層每一個均包含銦錫氧化物和非晶銦錫氧化物中的至少一種。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示裝置，其中，所述保護層具有大約30nm至大約50nm之間的厚度，所述反射電極具有大約200nm至所述300nm之間的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于顯示面板的陣列基板，其包括底部基板、信號施加模塊、第一電極、第二電極、以及保護層。信號施加模塊設(shè)置在底部基板上，并包括用于輸出數(shù)據(jù)信號的輸出端。第一電極設(shè)置在底部基板上并電連接至輸出端。第二電極包含銀(Ag)，其設(shè)置在第一電極上并與第一電極電連接。保護層設(shè)置在第二電極上，以覆蓋第二電極的至少一部分。因此，可改善第二電極對下層的附著力，并防止第二電極變黃。
文檔編號G02F1/1368GK1949039SQ20061014960
公開日2007年4月18日 申請日期2006年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月11日
發(fā)明者申原碩, 樸弘植, 鄭鐘鉉 申請人:三星電子株式會社