專利名稱：像素結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管陣列基板以及液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)(pixel structure)，且特別涉及一種能有效地提高開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)之像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今社會多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達(dá)，多半受益于半導(dǎo)體元件或顯示裝置的進(jìn)步。就顯示裝置而言，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性之薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT-LCD)已逐漸成為市場之主流。
一般的薄膜晶體管液晶顯示器主要是由薄膜晶體管陣列基板(ThinFilm Transistor array substrate，TFT array substrate)、彩色濾光基板(ColorFilter substrate)以及設(shè)置于上述二基板之間的液晶層(Liquid Crystal layer)所構(gòu)成。其中，薄膜晶體管陣列基板主要是由基板、陣列排列于基板上之薄膜晶體管與像素電極(pixel electrode)，以及掃描線(scan line)與數(shù)據(jù)線(data line)所構(gòu)成。一般而言，掃描線與數(shù)據(jù)線可將信號傳輸至對應(yīng)之薄膜晶體管，以達(dá)到顯示之目的。
在高分辨率(high resolution)與高垂直掃描頻率(vertical scanfrequency)的液晶顯示器中，薄膜晶體管陣列(TFT array)需滿足較大的開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)。一般而言，當(dāng)開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)大于等于五個(gè)級數(shù)(105)時(shí)，才能使薄膜晶體管液晶顯示器提供較佳的顯示效果。
承上所述，在公知技術(shù)中提高開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)的方式有兩種(1)增加開啟電流(Ion)。(2)降低關(guān)閉電流(Ioff)。其中，第一種方式是利用調(diào)整薄膜晶體管的通道寬長比(W/L of channel)而設(shè)定其開啟電流。但是，若一味的加大薄膜晶體管的通道寬度(width ofchannel)，將會造成較大的柵漏寄生電容(Cgd)與回踢電壓值(kick-backvoltage)。因此，將導(dǎo)致閃爍(flicker)的問題并影響顯示效果。
然而，第二種方式是透過降低關(guān)閉電流，其不具有上述之缺點(diǎn)。意即，其能減少薄膜晶體管中所產(chǎn)生的漏電流現(xiàn)象，并有效地提高開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)，卻不會造成較大的柵漏寄生電容(Cgd)與回踢電壓值(kick-back voltage)。值得一提的是，上述漏電流的現(xiàn)象主要是由半導(dǎo)體層中未蝕刻完全的歐姆接觸層所引起的。
圖1為一種公知的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖1A為沿圖1中的A-A’線的剖面示意圖。請共同參照圖1與圖1A，此像素結(jié)構(gòu)300包括薄膜晶體管100與像素電極200，并利用基板160上的掃描線170與數(shù)據(jù)線180驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管100。其中，薄膜晶體管100包括柵極110、柵絕緣層120、半導(dǎo)體層130、源極140a、漏極140b與保護(hù)層150。柵極110是與掃描線170電連接。柵絕緣層120覆蓋柵極110與掃描線170。半導(dǎo)體層130設(shè)置于柵極110上方之柵絕緣層120上，其是由通道層130a與歐姆接觸層130b所組成。源極140a與漏極140b設(shè)置于半導(dǎo)體層130上，而源極140a與數(shù)據(jù)線180電連接。保護(hù)層150覆蓋源極140a與漏極140b，而保護(hù)層150中設(shè)置有接觸窗開口150a暴露出漏極140b。而像素電極200則是與薄膜晶體管100的漏極140b電連接。
請?jiān)賲⒄請D1A，在一般的薄膜晶體管制造工藝中會利用光刻膠層(圖中未表示)以及源極140a與漏極140b作為蝕刻掩膜，將柵極110上方的歐姆接觸層130b移除，也就是會進(jìn)行背通道蝕刻(Back Channel Etching，BCE)而完成薄膜晶體管100的制作。然而，此種方式在大面積面板的制作中，由于整體的蝕刻速率均勻度會有所差異，所以在如圖1或圖1A所表示的區(qū)域190附近將殘留有部分的歐姆接觸層130b。由于歐姆接觸層130b具有良好的導(dǎo)電性質(zhì)，所以漏電流將沿著圖1中所表示的路徑A發(fā)生。因此，像素電極200將無法保持施加在其上的數(shù)據(jù)電壓(data voltage)，而產(chǎn)生閃爍(flicker)和串影(cross talk)等顯示不良的現(xiàn)象。
公知減少上述漏電流現(xiàn)象的作法有以下三種。第一種方式是增加半導(dǎo)體層130以及源極140a與漏極140b之間的層間距離。請參照圖2，第二種方式是增加源極140a與漏極140b之間的半導(dǎo)體層130的缺口195的寬度w，使漏電流不易在路徑B內(nèi)流通。但是，上述兩種方法會增加線路的負(fù)載電容(load capacitance)以及減少像素結(jié)構(gòu)300的開口率(apertureratio)，所以會造成驅(qū)動(dòng)信號的失真和閃爍等現(xiàn)象。
請參照圖3，第三種方法是增加源極140a與漏極140b在邊緣位置的距離，其披露在美國專利公開號US2005/0041169A1中。如圖3所示，源極140a與漏極140b之間的距離為L1(即通道長度)，且源極140a與漏極140b的邊緣之間距離為L2。也就是說，源極140a與漏極140b之間在邊緣位置的距離增加了ΔL、寬度變化了Δw。因此，在不減少開啟電流的情況下，此設(shè)計(jì)將可以減少漏電流的產(chǎn)生。但是此設(shè)計(jì)不能減少因歐姆接觸層130b的干蝕刻不均勻所引起之漏電流現(xiàn)象，并且其開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)也未能提高到所需要的標(biāo)準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之目的是提供一種像素結(jié)構(gòu)，可以有效地減少因歐姆接觸層的干蝕刻不均勻所引起之漏電流，進(jìn)而提高其開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)。
本發(fā)明之另一目的是提供一種薄膜晶體管陣列基板，其具有上述之像素結(jié)構(gòu)，而能夠有效地減少因歐姆接觸層的干蝕刻不均勻所引起之漏電流，進(jìn)而提高其開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)。
本發(fā)明的又一目的是提供一種液晶顯示面板，其具有上述之薄膜晶體管陣列基板，而能夠減少閃爍(flicker)和串影(cross talk)等顯示不良的現(xiàn)象。
為達(dá)到上述或是其它目的，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，其適于由基板上的掃描線與數(shù)據(jù)線而驅(qū)動(dòng)，像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管與像素電極。薄膜晶體管包括柵極、第一介電層、半導(dǎo)體層、源極與漏極、以及第二介電層。柵極與掃描線電連接。第一介電層覆蓋柵極與掃描線。半導(dǎo)體層設(shè)置于柵極上方之第一介電層上，其中半導(dǎo)體層具有主體部以及與主體部連接的至少一個(gè)延伸部。源極與漏極設(shè)置于半導(dǎo)體層上，而源極與數(shù)據(jù)線電連接，并且延伸部自位于源極與漏極之間的主體部邊緣突出。第二介電層覆蓋源極與漏極，而第二介電層中設(shè)置有至少一個(gè)接觸窗開口，暴露出延伸部和漏極。像素電極與薄膜晶體管的漏極電連接。
為達(dá)到上述或是其它目的，本發(fā)明再提出一種薄膜晶體管陣列基板，其包括基板、多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線與多個(gè)像素結(jié)構(gòu)。其中，掃描線與數(shù)據(jù)線設(shè)置于基板上。像素結(jié)構(gòu)與對應(yīng)之掃描線與數(shù)據(jù)線電連接，且每一像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管與像素電極。此薄膜晶體管包括柵極、第一介電層、半導(dǎo)體層、源極與漏極、以及第二介電層。柵極與掃描線電連接。第一介電層覆蓋柵極與掃描線。半導(dǎo)體層設(shè)置于柵極上方之第一介電層上，其中半導(dǎo)體層具有主體部以及與主體部連接的至少一個(gè)延伸部。源極與漏極設(shè)置于半導(dǎo)體層上，而源極與數(shù)據(jù)線電連接，并且延伸部自位于源極與漏極之間的主體部邊緣突出。第二介電層覆蓋源極與漏極，而第二介電層中設(shè)置有至少一個(gè)接觸窗開口，暴露出延伸部和漏極。像素電極與薄膜晶體管的漏極電連接。
為達(dá)上述或是其它目的，本發(fā)明又提出一種液晶顯示面板，包括上述之薄膜晶體管陣列基板、彩色濾光基板以及液晶層。而液晶層位于薄膜晶體管陣列基板與彩色濾光基板之間。
在一實(shí)施例中，上述之接觸窗開口暴露出延伸部的末端，并且延伸部的末端中的第一介電層、半導(dǎo)體層與第二介電層是透過接觸窗開口而移除。
在一實(shí)施例中，上述之接觸窗開口暴露出延伸部的中間部分，并且延伸部的中間部分中的第一介電層、半導(dǎo)體層與第二介電層是透過接觸窗開口而移除。
在一實(shí)施例中，上述之延伸部的延伸方向與掃描線垂直，且延伸部突出于掃描線外。
在一實(shí)施例中，上述之延伸部包括第一延伸部與第二延伸部，其中，第一延伸部往垂直于掃描線的第一方向延伸，且第一延伸部突出掃描線外。第二延伸部往垂直于掃描線的第二方向延伸，且第二延伸部突出掃描線外。
在一實(shí)施例中，上述之半導(dǎo)體層包括通道層與歐姆接觸層，而歐姆接觸層位于通道層上。
本發(fā)明使像素結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體層具有主體部與延伸部，并且使延伸部突出掃描線外。再加上于延伸部上方的第二介電層中形成接觸窗開口的同時(shí)，一并移除延伸部中的歐姆接觸層、通道層與第一介電層。因此，可以有效地減少因歐姆接觸層的干蝕刻不均勻所引起之漏電流，進(jìn)而提高像素結(jié)構(gòu)的開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)。并且，將此像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于薄膜晶體管陣列基板與液晶顯示面板中，將可以提高其分辨率與垂直掃描頻率，并減少液晶顯示面板的閃爍和串影等顯示不良的現(xiàn)象。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為公知一種像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖1A為沿圖1中的A-A’線的剖面示意圖。
圖2為公知另一種像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
圖3為一種公知的薄膜晶體管的俯視示意圖。
圖4為本發(fā)明較佳實(shí)施例中一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖4A為沿圖4中的B-B’線之剖面示意圖。
圖4B與圖4C為沿圖4中的C-C’線的剖面示意圖。
圖5為本發(fā)明較佳實(shí)施例中一種薄膜晶體管陣列基板的示意圖。
圖6為本發(fā)明較佳實(shí)施例中一種液晶顯示面板的立體示意圖。
主要元件標(biāo)記說明100、400、740a薄膜晶體管
110、410柵極120、420柵絕緣層130、430半導(dǎo)體層130a、430a通道層130b、430b歐姆接觸層140a、440a源極140b、440b漏極150、450保護(hù)層150a、450a接觸窗開口160、460、710基板170、470、720掃描線180、480、730數(shù)據(jù)線190區(qū)域195缺口200、500、740b像素電極300、600、740像素結(jié)構(gòu)432主體部434a第一延伸部434b第二延伸部490光刻膠層495蝕刻工藝700薄膜晶體管陣列基板800彩色濾光基板900液晶層
1000液晶顯示面板A、B、C、D路徑A-A’、B-B’、C-C’剖面線L1、L2、ΔL距離w寬度Δw寬度變化+Y第一方向-Y第二方向具體實(shí)施方式
圖4為本發(fā)明較佳實(shí)施例中一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖。圖4A為沿圖4中的B-B’線之剖面示意圖。圖4B與圖4C為沿圖4中的C-C’線的剖面示意圖。
請先共同參照圖4與圖4A，此像素結(jié)構(gòu)600適于由基板460上的掃描線470與數(shù)據(jù)線480而驅(qū)動(dòng)，此像素結(jié)構(gòu)600包括薄膜晶體管400與像素電極500。而此薄膜晶體管400包括柵極410、第一介電層420、半導(dǎo)體層430、源極440a與漏極440b、以及第二介電層450。
柵極410與掃描線470電連接。第一介電層420覆蓋柵極410與掃描線470。半導(dǎo)體層430設(shè)置于柵極410上方之第一介電層420上，其中半導(dǎo)體層430具有主體部432以及與主體部432連接的至少一個(gè)延伸部434a、434b。源極440a與漏極440b設(shè)置于半導(dǎo)體層430上，而源極440a與數(shù)據(jù)線480電連接，并且延伸部434a、434b自位于源極440a與漏極440b之間的主體部432邊緣突出。第二介電層450覆蓋源極440a與漏極440b，而第二介電層450中設(shè)置有至少一個(gè)接觸窗開口450a，暴露出延伸部434a、434b與漏極440b。像素電極500與薄膜晶體管400的漏極440b電連接。
在一實(shí)施例中，可以利用掃描線470本身作為柵極410，而直接在掃描線470上制作薄膜晶體管400；然而，在另一實(shí)施例中，也可以另外制作柵極圖案(圖中未表示)，而在柵極圖案上制作薄膜晶體管(圖中未表示)，其中，柵極圖案與掃描線470是彼此電連接。而柵極410與掃描線470是第一金屬層(metal 1)。
而第一介電層420覆蓋柵極410與掃描線470。第一介電層420的材質(zhì)可以是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，并且，形成第一介電層420的方法例如是化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)。
半導(dǎo)體層430可以是由通道層430a與歐姆接觸層430b所組成的膜層，而歐姆接觸層430b位于通道層430a上。其中，通道層430a之材質(zhì)可以是非晶硅(αSi)，而歐姆接觸層430b之材質(zhì)可以是經(jīng)摻雜的非晶硅(n+αSi)。特別是，半導(dǎo)體層430例如是具有主體部432與至少一個(gè)延伸部434a、434b的圖案，而延伸部434a、434b的延伸方向與掃描線470垂直，且延伸部434a、434b突出于掃描線470外。
更詳細(xì)而言，如圖4所示之兩個(gè)延伸部包括第一延伸部434a與第二延伸部434b，其中，第一延伸部434a往垂直于掃描線470的第一方向+Y延伸，且第一延伸部434a突出掃描線470外。而第二延伸部434b往垂直于掃描線470的第二方向-Y延伸，且第二延伸部434b突出掃描線470外。關(guān)于設(shè)置延伸部的優(yōu)點(diǎn)，將有后續(xù)說明。
源極440a與漏極440b是設(shè)置在半導(dǎo)體層430的主體部432上，而源極440a、漏極440b與數(shù)據(jù)線480是第二金屬層(metal 2)。像素電極500與薄膜晶體管400的漏極440b電連接。在一實(shí)施例中，像素電極500的材質(zhì)可以是透明導(dǎo)電材質(zhì)，其例如是銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)或銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)。
以下將說明設(shè)置延伸部的優(yōu)點(diǎn)。請參照圖4與圖4A，當(dāng)掃描線470對薄膜晶體管400施予適當(dāng)電壓時(shí)，薄膜晶體管400會被開啟，而使得數(shù)據(jù)線480施加在源極440a上的數(shù)據(jù)電壓(data voltage)能夠傳遞到像素電極500上。然而，由于半導(dǎo)體層430的外圍具有未蝕刻完全的歐姆接觸層430b，所以將使得施加在像素電極500上的數(shù)據(jù)電壓無法維持穩(wěn)定，而沿著路徑C或路徑D產(chǎn)生漏電流。
因此，本發(fā)明通過上述之延伸部434a、434b，再利用蝕刻工藝(etchingprecess)移除延伸部434a、434b末端或中間部分的歐姆接觸層430b，如此，將可以減少薄膜晶體管400中所發(fā)生的漏電流現(xiàn)象。
請共同參照圖4、圖4B與圖4C，在延伸部434a、434b的上方設(shè)置了至少一個(gè)接觸窗開口450a。在一實(shí)施例中，接觸窗開口450a暴露出延伸部434a、434b的末端，并且延伸部434a、434b的末端中的第一介電層420、半導(dǎo)體層430與第二介電層450是透過接觸窗開口450a而移除。
在另一實(shí)施例中，接觸窗開口450a暴露出延伸部434a、434b的中間部分(圖中未表示)，并且延伸部434a、434b的中間部分中的第一介電層420、半導(dǎo)體層430與第二介電層450是透過接觸窗開口450a而移除。
更詳細(xì)而言，在一實(shí)施例中，可利用如圖4B所示的光刻膠層490與蝕刻工藝495來移除部分第二介電層450而形成如圖4C所示之接觸窗開口450a，同時(shí)，也一并移除接觸窗開口450a所暴露的歐姆接觸層430b與通道層430a。因此，位于延伸部434a、434b的末端或中間的歐姆接觸層430b就可以被完全移除。也就是說，由歐姆接觸層430b所引起的沿著C路徑與D路徑的漏電流，即可以在設(shè)置有接觸窗開口450a的位置而被阻斷。如此一來，即使薄膜晶體管400的兩側(cè)或外圍仍存在有歐姆接觸層430b，也不會造成漏電流過大的情形。因此，此薄膜晶體管400能夠有效地降低關(guān)閉電流(Ioff)，并提高開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)。
在一實(shí)施例中，蝕刻工藝495所使用的氣體是選自于SF6、CH4的混合氣體，其對于非晶硅/氮化硅(α-Si/SiNx)的蝕刻選擇比是大于等于1∶3～1∶5。因此，蝕刻工藝495可以有效地移除歐姆接觸層430b與通道層430a。
另外，由于延伸部434a、434b并不是設(shè)置在掃描線470或是數(shù)據(jù)線480上，所以，線路的負(fù)載電容并不會增加。并且，延伸部434a、434b的設(shè)置也不會影響到像素結(jié)構(gòu)600的開口率，而使光線能夠有效地穿透像素結(jié)構(gòu)600。此外，利用形成接觸窗開口450a而同時(shí)移除歐姆接觸層430b的工藝也十分簡單并不會增加額外的成本。
綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)600可以在不增加線路的負(fù)載電容和像素開口率的情況下，減少由歐姆接觸層430b所造成之沿著路徑C或路徑D的漏電流現(xiàn)象。結(jié)果是，此像素結(jié)構(gòu)600可以有效地降低其關(guān)閉電流(Ioff)與提高其開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)。
圖5為本發(fā)明較佳實(shí)施例中一種薄膜晶體管陣列基板的示意圖。請參照圖5，此薄膜晶體管陣列基板700包括基板710、多條掃描線720與多條數(shù)據(jù)線730與多個(gè)像素結(jié)構(gòu)740。其中，掃描線720與數(shù)據(jù)線730設(shè)置于基板710上。像素結(jié)構(gòu)740與對應(yīng)之掃描線720與數(shù)據(jù)線730電連接。
值得注意的是，每一像素結(jié)構(gòu)740的各個(gè)構(gòu)件與上述之像素結(jié)構(gòu)600的各個(gè)構(gòu)件相同，在此不予以重述。由于薄膜晶體管740a中的半導(dǎo)體層(圖中未表示)具有延伸部(圖中未表示)，并將延伸部末端或中間的歐姆接觸層(圖中未表示)在形成接觸窗開口(圖中未表示)時(shí)一并以蝕刻方式去除。所以，將可以有效地減少因?yàn)闅W姆接觸層未蝕刻完全而引起的漏電流現(xiàn)象，進(jìn)而能有效地降低關(guān)閉電流(Ioff)提高其開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)。所以，像素電極740b上的數(shù)據(jù)電壓可以維持穩(wěn)定。
圖6為本發(fā)明較佳實(shí)施例中一種液晶顯示面板的立體示意圖。此液晶顯示面板1000包括上述之薄膜晶體管陣列基板700、彩色濾光基板800以及液晶層900，而液晶層900是位于薄膜晶體管陣列基板700與彩色濾光基板800之間。由于此液晶顯示面板1000具有上述之開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)較高的薄膜晶體管陣列基板700，所以其將能夠減少閃爍(flicker)和串影(cross talk)等顯示不良的現(xiàn)象，并提高顯示質(zhì)量。
綜上所述，本發(fā)明之像素結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管陣列基板與液晶顯示面板具有下列優(yōu)點(diǎn)(1)本發(fā)明之像素結(jié)構(gòu)可以有效地減少由歐姆接觸層所造成之漏電流現(xiàn)象。所以，可以降低關(guān)閉電流(Ioff)進(jìn)而大幅度地提高像素結(jié)構(gòu)的開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)。
(2)本發(fā)明利用光刻掩膜上的配置設(shè)計(jì)(layout of mask)即可以形成具有主體部與延伸部的半導(dǎo)體層。并利用形成接觸窗開口的同時(shí)一并移除延伸部中的歐姆接觸層。如此，即可降低漏電流現(xiàn)象。因此，本發(fā)明的工藝十分簡單。
(3)將具有較高的開啟/關(guān)閉電流比(Ion/Ioff)的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用在薄膜晶體管陣列基板與液晶顯示面板中，將可以提高薄膜晶體管陣列基板的分辨率與垂直掃描頻率，并減少液晶顯示面板的閃爍和串影等顯示不良的現(xiàn)象。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，適于由基板上的掃描線與數(shù)據(jù)線而驅(qū)動(dòng)，其特征是該像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管，包括柵極，與該掃描線電連接；第一介電層，覆蓋該柵極與該掃描線；半導(dǎo)體層，設(shè)置于該柵極上方之該第一介電層上，其中該半導(dǎo)體層具有主體部以及與該主體部連接的至少一個(gè)延伸部；源極與漏極，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，該源極與該數(shù)據(jù)線電連接，并且該延伸部自位于該源極與該漏極之間的該主體部邊緣突出；第二介電層，覆蓋該源極與該漏極，而該第二介電層中設(shè)置有至少一個(gè)接觸窗開口，暴露出該延伸部和該漏極；以及像素電極，與該薄膜晶體管的該漏極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述之像素結(jié)構(gòu)，其特征是該接觸窗開口暴露出該延伸部的末端，并且該延伸部的末端中的該第一介電層、該半導(dǎo)體層與該第二介電層是透過該接觸窗開口而移除。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述之像素結(jié)構(gòu)，其特征是該接觸窗開口暴露出該延伸部的中間部分，并且該延伸部的中間部分中的該第一介電層、該半導(dǎo)體層與該第二介電層是透過該接觸窗開口而移除。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述之像素結(jié)構(gòu)，其特征是該延伸部的延伸方向與該掃描線垂直，且該延伸部突出于該掃描線外。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述之像素結(jié)構(gòu)，其特征是該延伸部包括第一延伸部，往垂直于該掃描線的第一方向延伸，且該第一延伸部突出該掃描線外；以及第二延伸部，往垂直于該掃描線的第二方向延伸，且該第二延伸部突出該掃描線外。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述之像素結(jié)構(gòu)，其特征是該半導(dǎo)體層包括通道層與歐姆接觸層，而該歐姆接觸層位于該通道層上。
7.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征是包括基板；多條掃描線與多條數(shù)據(jù)線，設(shè)置于該基板上；多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，其中該像素結(jié)構(gòu)與對應(yīng)之該掃描線與該數(shù)據(jù)線電連接，且每一像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管，包括柵極，與該掃描線電連接；第一介電層，覆蓋該柵極與該掃描線；半導(dǎo)體層，設(shè)置于該柵極上方之該第一介電層上，其中該半導(dǎo)體層具有主體部以及與該主體部連接的至少一個(gè)延伸部；源極與漏極，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上，該源極與該數(shù)據(jù)線電連接，并且該延伸部自位于該源極與該漏極之間的該主體部邊緣突出；第二介電層，覆蓋該源極與該漏極，而該第二介電層中設(shè)置有至少一個(gè)接觸窗開口，暴露出該延伸部和該漏極；以及像素電極，與該薄膜晶體管的該漏極電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是該接觸窗開口暴露出該延伸部的末端，并且該延伸部的末端中的該第一介電層、該半導(dǎo)體層與該第二介電層是透過該接觸窗開口而移除。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是該接觸窗開口暴露出該延伸部的中間部分，并且該延伸部的中間部分中的該第一介電層、該半導(dǎo)體層與該第二介電層是透過該接觸窗開口而移除。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是該延伸部的延伸方向與該掃描線垂直，且該延伸部突出于該掃描線外。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是該延伸部包括第一延伸部，往垂直于該掃描線的第一方向延伸，且該第一延伸部突出該掃描線外；以及第二延伸部，往垂直于該掃描線的第二方向延伸，且該第二延伸部突出該掃描線外。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述之薄膜晶體管陣列基板，其特征是該半導(dǎo)體層包括通道層與歐姆接觸層，而該歐姆接觸層位于該通道層上。
13.一種液晶顯示面板，其特征是包括根據(jù)權(quán)利要求7所述之薄膜晶體管陣列基板；彩色濾光基板；以及液晶層，位于該薄膜晶體管陣列基板與該彩色濾光基板之間。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)，適于由基板上的掃描線與數(shù)據(jù)線而驅(qū)動(dòng)，此像素結(jié)構(gòu)包括薄膜晶體管與像素電極。薄膜晶體管包括柵極、第一介電層、半導(dǎo)體層、源極與漏極、以及第二介電層。柵極與掃描線電連接。第一介電層覆蓋柵極與掃描線。半導(dǎo)體層設(shè)置于柵極上方之第一介電層上，其中半導(dǎo)體層具有主體部以及與主體部連接的至少一個(gè)延伸部。源極與漏極設(shè)置于半導(dǎo)體層上，而源極與數(shù)據(jù)線電連接，并且延伸部自位于源極與漏極之間的主體部邊緣突出。第二介電層覆蓋源極與漏極，而第二介電層中設(shè)置有至少一個(gè)接觸窗開口，暴露出延伸部和漏極。像素電極與薄膜晶體管的漏極電連接。
文檔編號G02F1/13GK101055879SQ20061006676
公開日2007年10月17日 申請日期2006年4月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月11日
發(fā)明者任堅(jiān)志, 吳銘仁 申請人:中華映管股份有限公司