專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示器(“LCD”)(一種最廣泛應(yīng)用的平板顯示裝置)包括兩塊上面安裝有場致(field-generating)電極(例如像素電極和共電極)的基板，以及介于這些基板之間的液晶層。LCD通過對場致電極施加電壓以在液晶層中產(chǎn)生電場，然后排列液晶層的液晶分子，以控制(例如，從“背光”)入射它的光的偏振，從而顯示期望的圖像。
在垂直排列(“VA”)模式LCD中，液晶分子的方向排列成，當(dāng)不施加電壓時(shí)垂直于上和下面板(基板)，具有高對比度和寬參考視角(reference viewing angle)。寬參考視角是指具有1∶10對比度的視角，或者中間灰度亮度反轉(zhuǎn)臨界角(inter-gray luminanceinversion limit angle)。
在VA模式LCD中，在場致電極處可形成切口(cutout)或突起(protrusion)，以實(shí)現(xiàn)寬視角。由于液晶分子要傾斜的方向是由切口或突起所確定，所以可使液晶分子的傾斜方向變化，從而拓寬參考視角。
然而，VA模式LCD在其側(cè)面處的可視性相比于其正面的可視性表現(xiàn)較差。例如，在具有切口的圖樣化垂直排列(patternedvertically aligned，縮寫為PVA)模式LCD中，其亮度隨著到達(dá)其側(cè)面而被高亮，嚴(yán)重情況下，高灰度之間的亮度差被消除，使得顯示圖像可能顯示失真。
為了改善側(cè)面可視性，人們提出了應(yīng)該將由一個(gè)數(shù)據(jù)控制的像素(例如，一個(gè)彩色像素)分成兩個(gè)子像素，這兩個(gè)子像素彼此電容結(jié)合。將電壓直接施加于這些子像素中的一個(gè)上，由于電容結(jié)合，導(dǎo)致另一個(gè)子像素上的電壓降。這樣，這兩個(gè)子像素電壓彼此不同，并具有不同的透光率。
然而，以這種方法，不能將這兩個(gè)子像素的透射率直接且準(zhǔn)確地控制至期望水平，尤其是，對于各種顏色，透光率不同。不能相對于各種顏色直接調(diào)節(jié)電壓。此外，由于電容結(jié)合帶來的額外導(dǎo)體，導(dǎo)致開口率(aperture ratio)惡化，而且由于電容結(jié)合感應(yīng)的電壓降，導(dǎo)致透光率下降。

發(fā)明內(nèi)容
一種液晶顯示器包括一個(gè)陣列的像素。每個(gè)像素分成第一子像素和第二子像素，將不同的數(shù)據(jù)電壓分別地施加給這兩個(gè)子像素，從而增強(qiáng)側(cè)面可視性。每個(gè)子像素包括與子像素的存儲電極相重疊的子像素電極(連接至子像素的開關(guān)元件的漏電極)。第一子像素電極面積可大于第二子像素電極。可向第一子像素施加第一預(yù)定電壓，可向第二子像素施加第二預(yù)定電壓，從而使第一子像素電極可接收低于第二子像素電極的電壓的電壓。第一漏電極與第一子像素的存儲電極之間的重疊面積可大于該漏電極與第二子像素的存儲電極之間的重疊面積。從而使第一子像素的反沖電壓基本上等于第二子像素的反沖電壓。
本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種液晶顯示器，其具有增強(qiáng)的側(cè)面可視性，以及合適的透光率和開口率。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種液晶顯示器，其包括多個(gè)(一個(gè)陣列的)像素，每個(gè)像素包括第一和第二子像素。每個(gè)子像素包括開關(guān)(例如，具有漏電極、柵電極、和源電極的薄膜晶體管(TFT))、(1c電容器的)子像素電極、以及(存儲電容器的)存儲電極。漏電極重疊存儲電極，向第二子像素電極施加預(yù)定電壓，第一子像素電極接收低于第二子像素電極的電壓的電壓。第一和第二存儲電極彼此電分離。第一漏電極與存儲電極之間的重疊面積可大于第二漏電極與存儲電極之間的重疊面積。從而使第一子像素的反沖電壓基本上等于第二子像素的反沖電壓。
施加于每個(gè)像素的第一和第二子像素電極的數(shù)據(jù)電壓可以彼此(大小或時(shí)刻(timing))不同，它們可來自于一個(gè)圖像信息信號。
在一些實(shí)施例中，第一和第二柵極線分別發(fā)送(不同的)柵極信號至第一和第二柵電極，然后數(shù)據(jù)線發(fā)送(相同的)數(shù)據(jù)電壓至第一和第二源電極。
施加給第一和第二柵極線的柵極信號(電壓)的定時(shí)可以彼此不同。
在另一些實(shí)施例中，柵極線發(fā)送(相同的)柵極線至第一和第二柵電極，同時(shí)第一和第二數(shù)據(jù)線分別發(fā)送(不同的)數(shù)據(jù)電壓至第一和第二源電極。
在另一些實(shí)施例中，柵極線發(fā)送(相同的)柵極線至第一和第二柵電極，數(shù)據(jù)線發(fā)送(相同的)數(shù)據(jù)電壓至第一和第二源電極。
第一子像素的第一薄膜晶體管(TFT)的通道(channel)寬度長度比可以不同于(例如大于)第二子像素的第二薄膜晶體管(TFT)的通道寬度長度比。
第一子像素電極可以面積大于第二子像素電極。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種液晶顯示器，其包括多個(gè)(一個(gè)陣列的)像素，每個(gè)像素包括第一和第二子像素。多條第一柵極線連接至第一子像素。多條第一數(shù)據(jù)線越過(垂直于)第一柵極線，并連接至第一子像素。第二子像素連接至第一柵極線和第一數(shù)據(jù)線中的一條或都連接(例如，至少一條)。向第一子像素施加預(yù)定電壓，第二子像素接收的電壓高于第一子像素接收的電壓?？墒沟谝蛔酉袼氐姆礇_電壓基本上等于第二子像素的反沖電壓。
在一些實(shí)施例中，多條柵極線可連接至第二子像素，同時(shí)第二子像素連接至第一數(shù)據(jù)線。從而，第一子像素可包括第一開關(guān)元件，連接至第一柵極線和第一數(shù)據(jù)線；第一液晶電容器，連接至第一開關(guān)元件；以及第一存儲電容器，連接至第一開關(guān)元件。第二子像素可包括第二開關(guān)元件，連接至第二柵極線和第一數(shù)據(jù)線；第二液晶電容器，連接至第二開關(guān)元件，其具有的電容小于第一液晶電容器的電容；以及第二存儲電容器，連接至第二開關(guān)元件，其具有的電容小于第一存儲電容器的電容。
在另一些實(shí)施例中，多條第二數(shù)據(jù)線可連接至第二子像素，同時(shí)，第二子像素可連接至第一柵極線。從而，第一子像素可包括第一開關(guān)元件，連接至第一柵極線和第一數(shù)據(jù)線；第一液晶電容器，連接至第一開關(guān)元件；以及第一存儲電容器，連接至第一開關(guān)元件。第二子像素可包括第二開關(guān)元件，連接至第二柵極線和第一數(shù)據(jù)線；第二液晶電容器，連接至第二開關(guān)元件，其具有的電容小于第一液晶電容器的電容；以及第二存儲電容器，連接至第二開關(guān)元件，其具有的電容小于第一存儲電容器的電容。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種液晶顯示器，其包括矩陣形式的多個(gè)(一個(gè)陣列的)像素，每個(gè)像素包括第一和第二子像素。多條第一柵極線連接至第一子像素。多條第一數(shù)據(jù)線越過(垂直于)第一柵極線，并連接至第一子像素。第一子像素包括第一開關(guān)元件，連接至第一柵極線和第一數(shù)據(jù)線；第一液晶電容器，連接至第一開關(guān)元件；以及第一存儲電容器，連接至第一開關(guān)元件。第二子像素包括第二開關(guān)元件，連接至第二柵極線和第一數(shù)據(jù)線中的一條或都連接(至少一條)；第二液晶電容器，連接至第二開關(guān)元件，其具有的電容小于第一液晶電容器的電容；以及第二存儲電容器，連接至第二開關(guān)元件，其具有的電容小于第一存儲電容器的電容。向第二子像素施加預(yù)定電壓，第一子像素可接收比第二子像素所接收電壓小的電壓。
多條第二柵極線可連接至第二開關(guān)元件，同時(shí)第二開關(guān)元件可連接至第一數(shù)據(jù)線。
可選地，多條第二數(shù)據(jù)線可連接至第二開關(guān)元件，同時(shí)第二開關(guān)元件可連接至第一柵極線。
下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明，附圖中示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明也可以其他形式實(shí)施，而不應(yīng)局限于本文中所列舉的典型實(shí)施例。
附圖中，為了清晰起見，將層、薄膜、和區(qū)域的厚度放大了。全文中，相同的部件用相同的標(biāo)號。應(yīng)該明白，當(dāng)提到例如層、薄膜、區(qū)域、或基板等部件在另一部件“上面”時(shí)，可以是直接在另一部件上面，也可以是之間介有其他部件。下面，將參照附圖來詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的LCD。


本發(fā)明的上述和其他優(yōu)點(diǎn)將通過結(jié)合附圖對示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述而變得更加顯而易見，在附圖中圖1A、1B、和1C是示出具有根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例構(gòu)造的像素的LCD的框圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的LCD的像素的等效電路圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的各種實(shí)施例的LCD的像素的子像素的等效電路圖；圖4是用于根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的LCD的下基板(面板)的平面圖；圖5是用于根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的LCD的上基板(面板)的平面圖；圖6是具有圖4的下基板(面板)和圖5的上基板(面板)的液晶面板組件的平面圖；圖7和圖8是圖6的液晶面板組件取剖線VII-VII和剖線VIII-VIII的剖視圖；圖9是包括根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例構(gòu)造的像素的LCD的框圖；
圖10是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的LCD的像素的等效電路圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的液晶面板組件的平面圖；圖12是圖11的液晶面板組件取剖線XII-XII的剖視圖；以及圖13是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的LCD的像素的等效電路圖。
具體實(shí)施例方式
圖1A、1B、和1C分別是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的三種變化中的一種的LCD的框圖。圖2是根據(jù)圖1A、1B和1C中所示的本發(fā)明的第一實(shí)施例的任何一個(gè)實(shí)施例中的LCD的像素的等效電路圖，圖3是根據(jù)本發(fā)明的圖1A、1B和1C中所示的第一實(shí)施例的任何一個(gè)實(shí)施例的LCD中的像素的子像素的等效電路圖。
如圖1A、1B和1C中所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的LCD包括液晶面板組件300；一對柵極驅(qū)動器400a和400b(圖1A)或單個(gè)柵極驅(qū)動器400(圖1B)，其連接至液晶面板組件300；數(shù)據(jù)驅(qū)動器500，連接至液晶面板組件300；灰度電壓發(fā)生器800，連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動器500；以及信號控制器600，用于控制它們。
液晶面板組件300包括多條顯示信號線(柵極線G1a-Gnb，和數(shù)據(jù)線D1-Dm)、和多個(gè)(一個(gè)陣列的)像素PX，其連接至這些顯示信號線(如圖2中所詳細(xì)示出的那樣連接)，并排布成矩陣形式。如圖3所示，結(jié)構(gòu)上，液晶面板組件300包括彼此面對的第一基板(下面板)100和第二基板(上面板)200，以及介于這兩個(gè)基板(面板)之間的液晶層3。
顯示信號線(柵極線G1a-Gnb，和數(shù)據(jù)線D1-Dm)設(shè)置于第一基板(下面板)100上。這些柵極線G1a-Gnb發(fā)送柵極信號(也稱之為“掃描信號”)，而數(shù)據(jù)線D1-Dm發(fā)送數(shù)據(jù)信號。柵極線G1a-Gnb沿(彼此平行的)像素行的(水平)方向延伸，而數(shù)據(jù)線D1-Dm沿(彼此平行的)像素列的(垂直)方向延伸。
圖2示出了一個(gè)由“a”子像素和“b”子像素組成的像素(PX)的等效電路圖，這兩個(gè)子像素均連接至對應(yīng)的顯示信號線(分別連接至柵極線GLa和GLb，以及數(shù)據(jù)線DL)。顯示信號線還包括存儲電極線SL。存儲電極線SL(水平地)平行于柵極線GLa和GLb而延伸。
像素陣列中的每個(gè)像素PX均包括一對子像素PXa和PXb，每個(gè)子像素PXa和PXb分別包括開關(guān)元件Qa和Qb，液晶電容器CLCa和CLCb分別連接至開關(guān)元件Qa和Qb，以及存儲電容器CSTa和CSTb。每個(gè)存儲電容器CSTa和CSTb分別連接至對應(yīng)的開關(guān)元件(Qa和Qb)，并都連接至存儲電極線SL。
參照圖3，每個(gè)子像素PXa和PXb的開關(guān)元件Q(Qa或Qb)由形成于第一基板(下面板)100上的薄膜晶體管TFT形成。開關(guān)元件Q(Qa或Qb)是三極管器件，具有連接至柵極線GL的控制端(稱為“柵極”)、連接至數(shù)據(jù)線DL的輸入端(稱為“源極”)、以及輸出端(稱為“漏極”)。開關(guān)元件Q(Qa或Qb)的漏極連接至液晶電容器CLC和存儲電容器CST。
如圖3所示，液晶電容器CLC包括兩個(gè)端子，其由第一基板(下面板)100的子像素電極PE和第二基板(上面板)200的共電極CE組成；以及電介質(zhì)，其由設(shè)置于兩個(gè)電極PE和CE之間的液晶層3組成。子像素電極PE連接至開關(guān)元件Q，共電極CE可形成于第二基板(上面板)200整個(gè)表面之上，以接收共電壓Vcom。可選地，與圖3中所示的結(jié)構(gòu)反之，共電極CE可設(shè)置于第一基板(下面板)100之上，這樣，這兩個(gè)電極PE和CE中的一個(gè)或兩個(gè)都以線狀或條帶狀靠近另一電極而形成于第一基板(下面板)100上。
通過將設(shè)置于第一基板(下面板)100上的存儲電極線SL與像素電極PE重疊并插入絕緣體，來形成與液晶電容器CLC并聯(lián)的存儲電容器CST，且將例如共電壓Vcom的預(yù)定電壓施加于存儲電極線SL。可選地，可通過將子像素電極PE與不同行的像素的柵極線重疊并插入絕緣體，來形成存儲電容器CST。
各個(gè)像素PX中的每一個(gè)優(yōu)選地表現(xiàn)多種原色中的一種原色的光(空間分割(spatial division))，或可選地以時(shí)序(temporal order)表現(xiàn)每種原色(時(shí)間分割(time division))，使得像素陣列的彩色輸出可感知為原色的空間或時(shí)間總和。這些原色包括紅色、綠色、和藍(lán)色。
圖3示出了當(dāng)每個(gè)像素在第二基板(上面板)200上具有表現(xiàn)一種原色的濾色器CF的情況下空間分割的實(shí)例。不同于圖3中所示的結(jié)構(gòu)，可選地，濾色器CF可以形成于第一基板(下面板)100上的子像素電極PE之上或之下。
如圖1A、1B、和1C所示，柵極驅(qū)動器(400a和400b、或400)連接至多條柵極線G1a-Gnb，以施加?xùn)艠O信號至每個(gè)子像素中的TFT的柵極(見圖3)。柵極信號作為二進(jìn)制信號以柵極導(dǎo)通(gateon)電壓和柵極關(guān)斷(gate off)電壓(Von和Voff)發(fā)送，被從外部接收。
如圖1A中所示，一對柵極驅(qū)動器400a和400b形成全柵極驅(qū)動器(類似于圖1B和1C中所示的柵極驅(qū)動器400)，并分別位于液晶面板組件400的左側(cè)和右側(cè)，并分別連接至第奇數(shù)條和第偶數(shù)條柵極線G1a-Gnb?？蛇x地，如圖1B和1C中所示，一個(gè)柵極驅(qū)動器400位于液晶面板組件300的一側(cè)，并連接至所有的柵極線G1a-Gnb。如圖1C所示，兩個(gè)驅(qū)動電路401和402內(nèi)建于柵極驅(qū)動器400中，并分別連接至第奇數(shù)條和第偶數(shù)條柵極線G1a-Gnb。
灰度電壓發(fā)生器800產(chǎn)生與每個(gè)像素的兩個(gè)透光率(每個(gè)子像素一個(gè)透光率)相關(guān)聯(lián)的兩個(gè)灰度電壓設(shè)置(set)(或參考灰度電壓設(shè)置)。將兩個(gè)不同的灰度電壓分別地供送至構(gòu)成每一個(gè)像素的兩個(gè)子像素。每個(gè)灰度電壓設(shè)置包括相對于共電壓Vcom為正值的灰度電壓，和相對應(yīng)共電壓Vcom為負(fù)值的灰度電壓。可選地，可以只生成單個(gè)(參考)灰度電壓設(shè)置，而不是兩個(gè)(參考)灰度電壓設(shè)置。
單個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動器500連接至液晶面板組件300的所有數(shù)據(jù)線D1-Dm，以從灰度電壓發(fā)生器800中選擇和輸出兩個(gè)灰度電壓設(shè)置中所選的一個(gè)設(shè)置，并將一個(gè)所選灰度電壓設(shè)置的灰度電壓施加于子像素作為數(shù)據(jù)電壓。然而，當(dāng)灰度電壓發(fā)生器800不提供所有灰度電壓，而只提供參考灰度電壓時(shí)，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500分離這些參考灰度電壓，并生成(輸出)所有灰度電壓。
柵極驅(qū)動器400(或400a和400b)或數(shù)據(jù)驅(qū)動器500直接安裝于第一基板(下面板)100上，形式為一個(gè)或多個(gè)驅(qū)動集成電路芯片，或安裝于柔性印刷電路膜(未示出)上且以帶載封裝(tapecarrier package，縮寫為TCP)方式附著至液晶面板組件300。反之，柵極驅(qū)動器400(或400a和400b)或數(shù)據(jù)驅(qū)動器500可集成于第一基板(下面板)100上。
信號控制器600控制柵極驅(qū)動器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500的操作。
下面將參照圖4至圖8詳細(xì)說明液晶面板組件300的結(jié)構(gòu)。
圖4是用于根據(jù)本發(fā)明(圖1A、1B、1C)的第一實(shí)施例的LCD的第一基板(下面板)100的平面圖；圖5是用于根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的LCD的第二基板(上面板)200的平面圖。圖6是具有圖4所示的第一基板(下面板)和圖5所示的第二基板(上面板)的液晶面板組件的組合平面圖。圖7和圖8分別是圖6的液晶面板組件取剖線VII-VII和剖線VIII-VIII’-VIII’的剖視圖。
如圖4至圖8所示，根據(jù)第一實(shí)施例的LCD面板組件包括下面板100；上面板200，面向下面板100；以及液晶層3，設(shè)置于這些面板之間。
下面將參照圖4、6、7和8詳細(xì)說明下面板100。
在可包括透明玻璃或塑料的絕緣基板110上形成多對第一和第二柵極線121a和121b以及多條存儲電極線131。
第一和第二柵極線121a和121b彼此平行(水平地)延伸，并彼此物理地分離且電分離，并發(fā)送柵極信號至子像素中的TFT的柵極。第一和第二柵極線121a和121b水平地排布。每條柵極線121a具有多個(gè)第一柵電極124a，每條柵極線121b具有多個(gè)柵電極124b。柵電極124a和124b向上和向下突起。第一和第二柵極線121a和121b還具有左側(cè)區(qū)域加寬端部(端子)129a和129b，以連接至其他層或驅(qū)動電路。可選地，端部(端子)129a和129b排布于第一和第二柵極線121a和121b的右側(cè)、或分別排布于其左側(cè)和右側(cè)。
存儲電極線131水平地延伸，并且相比于第二柵極線121b，位置可更靠近第一柵極線121a。各條存儲電極線131包括多個(gè)存儲電極133。存儲電極133為矩形形狀，以相對于存儲電極線131對稱。然而，包括有存儲電極133的存儲電極線131的形狀和排布可以各種方式變化。向存儲電極線131施加預(yù)定電壓，例如向上面板200的共電極270施加共電壓。
柵極線121a和121b以及存儲電極線131由基于鋁的金屬材料例如鋁(Al)和鋁合金形成，或者由基于銀的金屬材料例如銀(Ag)和銀合金形成，或者由基于銅的金屬材料例如銅(Cu)和銅合金形成，或者由基于鉬的金屬材料例如鉬(Mo)和鉬合金形成，或者由鉻(Cr)、鈦(Ti)、或鉭(Ta)形成?？蛇x地，柵極線121a和121b以及存儲電極線131可包括由物理性質(zhì)不相同的兩個(gè)導(dǎo)電層(未示出)形成的多層結(jié)構(gòu)。一個(gè)導(dǎo)電層用低電阻常數(shù)金屬材料例如基于鋁的金屬材料、基于銀的金屬材料、和基于銅的金屬材料形成，使得其減少柵極線121a和121b以及存儲電極線131的信號延遲或電壓降。反之，另一個(gè)導(dǎo)電層用相對于其他材料例如銦錫氧化物ITO和銦鋅氧化物IZO而言具有優(yōu)異接觸(附著)性的材料形成，例如基于鉬的金屬材料、鉻、鈦、和鉭。該結(jié)合的優(yōu)選實(shí)例是用基于鉻的下層和基于鋁(合金)的上層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，以及用基于鋁(合金)的下層和基于鉬(合金)的上層構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。另外，柵極線121a和121b以及存儲電極線131可以用各種或其他金屬材料和導(dǎo)體形成。
柵極線121a和121b的側(cè)面以及存儲電極線131的側(cè)面相對于基板110的表面傾斜，優(yōu)選地為30-80°。
柵極絕緣層140由硅氮化物(SiNx)形成于柵極線121a和121b以及存儲電極線131上。
在柵極絕緣層140上由氫化非晶硅(hydrogenated amorphoussilicon)(簡稱為a-Si)或多晶硅形成多個(gè)半導(dǎo)體島(semiconductorisland)。在柵電極124a和124b上分別形成半導(dǎo)體島154a和154b。
在半導(dǎo)體島154a、154b、和156a上，由硅化物或其中高濃度摻雜n型雜質(zhì)例如磷的n+氫化非晶硅形成多個(gè)歐姆接觸。在第一和第二半導(dǎo)體島154a和154b上分別設(shè)置一對第一歐姆接觸163a和163b以及一對第二歐姆接觸165a和165b。在第三半導(dǎo)體島156a上設(shè)置第三歐姆接觸166a。
半導(dǎo)體島154a、154b、156a、和157a以及歐姆接觸163a、163b、165a、165b、和166a的側(cè)面相對于基板110的表面傾斜30-80°。
在歐姆接觸163a、163b、165a、165b、和166a和柵極絕緣層140上形成多條數(shù)據(jù)線171和多對第一和第二漏電極175a和175b。
數(shù)據(jù)線171垂直地延伸，使得它們越過(跨過)柵極線121a和121b以及(跨過)存儲電極線131，以發(fā)送數(shù)據(jù)電壓至像素。各條數(shù)據(jù)線171包括多個(gè)分別延伸向第一和第二柵電極124a和124b的第一和第二源(TFT源極)電極173a和173b。各條數(shù)據(jù)線171具有寬度擴(kuò)大的端部(端子)179，以便于與其他層或與外部器件進(jìn)行連接。
第一和第二漏電極175a和175b與數(shù)據(jù)線171分開，分別面向圍繞著柵電極124a和124b的源電極173a和173b。第一和第二漏電極175a和175b具有設(shè)置于半導(dǎo)體島154a和154b上的條帶狀端部(端子)，并具有延長部，其從條帶狀端部伸出，且被具有寬區(qū)域的存儲電極133重疊。第一和第二漏電極175a和175b的條帶狀端部被U形源電極173a和173b部分地圍繞。第二漏電極175b的延長部177b的面積比第一漏電極175a的延長部177a的面積小。
第一和第二薄膜晶體管Qa和Qb由以下組成半導(dǎo)體島154a和154b以及第一和第二柵電極124a和124b、第一和第二源電極173a和173b、以及第一和第二漏電極175a和175b。薄膜晶體管Qa和Qb的通道分別形成于第一和第二源電極173a和173b與第一和第二漏電極175a和175b之間的半導(dǎo)體島154a和154b中。
數(shù)據(jù)線171和漏電極175a和175b優(yōu)選地用難熔金屬例如鉬、鉻、鉭、和鈦或它們的合金形成，或者可包括多層結(jié)構(gòu)，其具有難熔金屬層(未示出)和低電阻導(dǎo)電層(未示出)。多層結(jié)構(gòu)的實(shí)例為雙層結(jié)構(gòu)，具有基于鉻或鉬(合金)的下層和基于鋁(合金)的上層；以及三層結(jié)構(gòu)，具有基于鉬(合金)的下層、基于鋁(合金)的中層和基于鉬(合金)的上層。另外，數(shù)據(jù)線171和漏電極175a和175b可由各種其他金屬或?qū)w形成。
漏電極175a和175b傾斜30-80°(類似于柵極線121a和121b和存儲電極線131、數(shù)據(jù)線171的側(cè)面)。
歐姆接觸163a、163b、165a、165b、和166a僅位于下層半導(dǎo)體島154a、154b、156a、和157a與上層數(shù)據(jù)線171和漏電極175a和175b之間，以降低接觸電阻。半導(dǎo)體島154a和154b具有透過源電極173a和173b以及漏電極175a和175b而暴露的部分。半導(dǎo)體島156a和157a使柵極線121a和121b以及存儲電極線131的表面輪廓光滑，從而防止數(shù)據(jù)線171和漏電極175a和175b被切割。
在數(shù)據(jù)線171、漏電極175a和175b、以及半導(dǎo)體島154a和154b的暴露部分上形成鈍化層180。鈍化層180由無機(jī)絕緣材料例如硅氮化物和硅氧化物、有機(jī)絕緣材料、或低介電常數(shù)絕緣材料形成。有機(jī)絕緣材料和低介電常數(shù)絕緣材料優(yōu)選地具有4.0或低于4.0的介電常數(shù)，低介電常數(shù)絕緣材料的實(shí)例是通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F。鈍化層180可以用具有光敏性的有機(jī)絕緣材料形成，可使鈍化層180的表面變平?？蛇x地，鈍化層180可具有雙層結(jié)構(gòu)，其具有無機(jī)物下層和有機(jī)物上層，使得它表現(xiàn)出有機(jī)層的優(yōu)異絕緣特性，且不會傷害半導(dǎo)體島154a和154b的暴露部分。
穿過鈍化層180形成多個(gè)接觸孔182、185a、和185b，從而分別暴露數(shù)據(jù)線171的端部179以及漏電極175a和175b的延長部177a和177b。穿過鈍化層180和柵極絕緣層140形成多個(gè)接觸孔181a和181b，從而暴露柵極線121a和121b的端部129a和129b。
在鈍化層180上用透明導(dǎo)電材料例如ITO和IZO、或反射性金屬材料例如鋁、銀、和其合金形成多個(gè)像素電極190(由第一和第二子像素電極190a和190b組成)、屏蔽電極88、以及多個(gè)接觸輔助件(contact assistant)81a、81b、和82。
第一和第二子像素電極190a和190b通過接觸孔185a和185b物理連接且電連接至第一和第二漏電極175a和175b，以接收來自于第一和第二漏電極175a和175b的數(shù)據(jù)電壓。將相對于一個(gè)輸入圖像信號(一個(gè)對應(yīng)于一種顏色的亮度的圖像數(shù)據(jù))不同的預(yù)定電壓施加于子像素電極對190a和190b，并依據(jù)子像素電極190a和190b的大小和形狀確定其大小。此外，子像素電極190a和190b的面積可互不相同。例如，當(dāng)?shù)诙酉袼仉姌O190b面積小于第一子像素電極190a時(shí)，它可以接收比第一子像素電極190a所接收電壓高的電壓。
一旦收到數(shù)據(jù)電壓，子像素電極190a和190b與共電極270一起產(chǎn)生電場，該電場排列兩個(gè)電極190(190a和190b)和270之間的液晶層3的液晶分子。
正如前面說明過的，子像素電極190a和190b與共電極270(介電液晶層3的液晶分子)形成液晶電容器CLCa和CLCb，以維持施加于它們的電壓在薄膜晶體管Qa和Qb關(guān)斷之后平穩(wěn)。存儲電容器CSTa和CSTb設(shè)置成與液晶電容器CLCa和CLCb并聯(lián)，以增強(qiáng)電壓存儲能力(用于在薄膜晶體管Qa和Qb關(guān)斷之后保持平穩(wěn))。通過將第一和第二子像素電極190a和190b與存儲電極133相重疊以形成存儲電容器CSTa和CSTb，其中第一和第二子像素電極在與其連接的漏電極175a和175b的延長部之上。
由于第一子像素電極190a面積比第二子像素電極190b大，所以第一液晶電容器CLCa的電容大于第二液晶電容器CLCb的電容。由于重疊于存儲電極的第一漏電極的延長部177a面積大于第二漏電極175b的延長部177b，所以第一存儲電容器CSTa的電容大于第二存儲電容器CSTab的電容。因此，第一薄膜晶體管Qa的電流驅(qū)動能力應(yīng)該大于第二薄膜晶體管Qb的電流驅(qū)動能力，并且第一薄膜晶體管Qa的W/L值(其中，W是通道寬度，L是通道長度)相應(yīng)地高于第二薄膜晶體管Qb的W/L值。
各像素電極190的4個(gè)角被切邊(edge-cut at)，并且切割腿(cutleg)相對于柵極線121a和121b傾斜45°。一對(形成一個(gè)像素電極190的)第一和第二子像素電極190a和190b彼此交錯(intermix)，同時(shí)被間隙94分開，整個(gè)像素電極190外形基本上為矩形形狀。第二子像素電極190b形狀為等邊梯形(equilateral trapezoid)，具有梯形凹陷底部(trapezoid-hollowed base)。第二子像素電極190b基本上被第一子像素電極190a圍繞。第一子像素電極190a由彼此的左邊相連接的上部梯形(upper trapezoid)、下部梯形(lowertrapezoid)、以及中間梯形(middle trapezoid)相連接。第一子像素電極190a具有切口95a、95b、以及95c，其從上部梯形的頂邊和下部梯形的底邊延伸至它們的右邊。柵極線121a在切口95a和95b之間延伸。第一子像素電極190a的中間梯形填充入第二子像素電極190b的凹陷底部。第一子像素電極190a具有沿著存儲電極線131延伸的切口92，該切口92在第一子像素電極190a的左邊具有入口(entrance)，以及從該入口水平地延伸出水平部分。切口92的入口具有一對相對于存儲電極線131傾斜45°的腿(leg)。第一和第二子像素電極190a和190b之間的間隙94包括兩對相對于柵極線121a和121b傾斜45°的上和下傾斜部分，并具有基本上相等的寬度；以及三個(gè)寬度基本上相等的垂直部分。為了方便說明，間隙94也可稱之為切口。切口92、94、95a、95b、和95c相對于存儲電極線131鏡面對稱，并相對于柵極線12la和121b傾斜45°，同時(shí)彼此垂直延伸。由于切口92、94、95a、95b、和95c導(dǎo)致像素電極190被劃分成多個(gè)區(qū)域。
因此，像素電極190水平平分地圍繞存儲電極線131，分別通過切口92、94、和95a-95c將像素電極190的上半部和下半部分成4個(gè)區(qū)域。劃分的區(qū)域或切口的數(shù)量根據(jù)設(shè)計(jì)因素例如像素尺寸、像素電極190的水平邊比垂直邊的長度比、以及液晶層3的類型或特性而變化。
第一子像素電極190a被第一和第二柵極線121a和121b重疊，第二子像素電極190b被第一柵極線12la重疊。第一柵極線121a在像素電極190的上半部的中心處延伸。
屏蔽電極88(88a)具有沿著數(shù)據(jù)線171延伸的垂直部分，以及沿著第二柵極線121b延伸的水平部分。
屏蔽電極88的垂直部分完全地重疊數(shù)據(jù)線171，其水平部分設(shè)置于柵極線121b的邊界之內(nèi)。屏蔽電極88通過接觸孔(未示出)連接至存儲電極線131，該接觸孔穿過鈍化層180和柵極絕緣層140；或連接至短路點(diǎn)(short point)，用于將共電壓Vcom從下面板100中繼至上面板200。
屏蔽電極88接收共電壓Vcom，并屏蔽在數(shù)據(jù)線171與像素電極190之間以及在數(shù)據(jù)線171與共電極270之間形成的電場，從而防止像素電極190的電壓畸變和數(shù)據(jù)線171所發(fā)送的數(shù)據(jù)電壓的信號延遲。
此外，像素電極190和屏蔽電極88應(yīng)該彼此分開，以防止它們彼此短路。因此，像素電極190離數(shù)據(jù)線171足夠遠(yuǎn)，從而使它們之間的寄生電容減少。此外，由于液晶層3的介電常數(shù)高于鈍化層180的介電常數(shù)，所以當(dāng)沒有屏蔽電極88時(shí)，數(shù)據(jù)線171與屏蔽電極88之間的寄生電容小于數(shù)據(jù)線171與共電極270之間的寄生電容。
此外，由于像素電極190和屏蔽電極形成于同一層上，它們之間的距離相等，因此它們之間的寄生電容基本上恒定。為了使開口率的縮小最小化，優(yōu)選地使屏蔽電極88與像素電極190之間的距離最小化。
然而，當(dāng)必要時(shí)，可以省略該屏蔽電極88。
接觸輔助件81a、81b、和82分別通過接觸孔181a、181b、和182連接至柵極線121a和121b的端部(端子)129a和129b以及數(shù)據(jù)線171的端部(端子)179。接觸輔助件81a、81b、和82用于增加?xùn)艠O線121a和121b的端部(端子)129a和129b與數(shù)據(jù)線171的暴露端部(端子)179和外部器件之間的附著性，并用于保護(hù)它們。
在像素電極190、屏蔽電極88、接觸輔助件81a、81b、和82、以及鈍化層180上形成對準(zhǔn)層11，用于排列液晶層3。對準(zhǔn)層11可以是水平對準(zhǔn)層。
下面將參照圖5至圖8詳細(xì)說明第二基板(上面板)200。
擋光件220用于防止光的泄漏，其稱之為黑底(black matrix)，形成于用透明玻璃制成的絕緣基板210上。擋光件220具有多個(gè)形狀相同和位置的開口部作為像素電極190。可選地，擋光件220可形成于與數(shù)據(jù)線171相對應(yīng)的部分之上，和形成于與薄膜晶體管Qa和Qb相對應(yīng)的部分之上。然而，擋光件220可形成為各種形狀，以防止像素電極190和薄膜晶體管Qa和Qb周圍光的泄漏。
在絕緣基板210上形成多個(gè)濾色器230。濾色器230大部分設(shè)置于擋光件220的開口部分(被擋光件圍繞的區(qū)域)內(nèi)，它們垂直地且縱向地沿著像素電極190延伸。濾色器230可表現(xiàn)三原色紅、綠、和藍(lán)中的一種。
在濾色器230之上和在擋光件220之上形成透明覆蓋層250，以防止濾色器230露出，以及提供平坦的表面。
在覆蓋層250上用透明導(dǎo)電材料例如ITO和IZO形成共電極270。
如圖5所示，共電極270包括多組切口73、74、75a、75b、76a、和76b。
切口組73-76b面向一個(gè)像素電極190，它們包括中間切口73和74，上部切口75a和76a、以及下部切口75b和76b。如圖6所示，切口73-76b位于像素電極190的相鄰切口92-95c之間，并位于像素電極190的角部與外圍電極95a-95c之間。此外，各個(gè)切口73-76b包括至少一個(gè)平行于像素電極190的切口92-95c而延伸的傾斜部分。
上部和下部切口75a-76b包括從像素電極190的右邊延伸向其底邊或頂邊的傾斜部分，以及水平部分和垂直部分，其從傾斜部分的各個(gè)端部沿著像素電極190的各條邊延伸，同時(shí)與這些邊相重疊并與傾斜部分成鈍角。
第一中間切口73包括一對傾斜部分，其從存儲電極133傾斜地延伸向像素電極190的左邊；以及垂直端部，其從傾斜部分的端部沿著像素電極190的左邊延伸，同時(shí)與像素電極190的左邊相重疊并與傾斜部分成鈍角。第二中間切口74包括垂直部分，其沿著像素電極190的右邊延伸，同時(shí)被重疊在它們之間；一對傾斜部分，其從垂直部分的各個(gè)端部延伸向像素電極190的左邊；以及垂直端部，其從傾斜部分的端部沿著子像素電極190b的左邊延伸，同時(shí)與左邊相重疊并與傾斜部分成鈍角。
在切口73-76b的傾斜部分處形成三角形凹口。這些凹口可以形成為矩形、梯形、或半圓形形狀，或者它們可以是凹形或者凸形的。這些凹口確定了位于對應(yīng)于切口73-76b的局部邊界處的液晶分子3的排列。
切口73-76b的數(shù)量可以根據(jù)設(shè)計(jì)因素而變化，擋光件220可以與切口73-76b相重疊，以防止切口73-76b周圍光的泄漏。
由于向共電極270和屏蔽電極88施加相同的共電壓，所以在這些電極之間不存在電場。因此，設(shè)置于共電極270與屏蔽電極88之間的液晶分子持續(xù)地保持其初始的垂直排列狀態(tài)，入射至它的光被阻截。
在共電極270和覆蓋250上形成對準(zhǔn)層21，以排列液晶層3。對準(zhǔn)層21可以是水平對準(zhǔn)層。
在面板100和200的外表面上設(shè)置偏光器12和22，典型地，這兩個(gè)偏光片12和22的光透射軸相互垂直。這兩個(gè)偏光器12和22的光透射軸(或者其光吸收軸)中的一個(gè)沿水平方向行進(jìn)。當(dāng)是反射型LCD時(shí)，可以省去這兩個(gè)偏光器12和22中的一個(gè)。
液晶層3可具有負(fù)介電各向異性(negative dielectricanisotropy)，液晶層3的液晶分子不施加電壓(無電場)時(shí)可以相對于兩個(gè)面板的表面垂直地排列。
當(dāng)向共電極270施加共電壓并向像素電極190施加數(shù)據(jù)電壓時(shí)，在面板100與200之間的液晶層3上產(chǎn)生電場。電極190和270的切口92-95c和73-76b使該電場變形，并在切口92-95c與73-76b的側(cè)(邊)之間產(chǎn)生電場分量。
因此，該電場局部地相對于面板100和200的表面之上和之間的方向傾斜。因而，液晶分子響應(yīng)于該變形電場而排列，使得其指向矢(director)沿向該變形電場。此時(shí)，圍繞像素電極190的切口92-95c和73-76c以及多條邊而形成的電場不是平行于液晶分子的指向矢而延伸，而是相對于指向矢傾斜預(yù)定的角度。因此，液晶分子以短運(yùn)動距離的方向在液晶分子與電場之間的平面上旋轉(zhuǎn)。從而，像素電極190的一組切口92-95c和73-76b以及多條邊將設(shè)置于像素電極190上的液晶層3部分劃分成多個(gè)區(qū)域，其中，液晶分子的傾斜方向彼此不同，因此使得參考視角擴(kuò)大了。
可以用突起部或凹陷部代替至少一個(gè)切口92-95c和73-76b，切口92-95c和73-76b的形狀和排布可以改變。
下面將更詳細(xì)地說明根據(jù)第一實(shí)施例的LCD的顯示操作。
信號控制器600(從外部圖形控制器中，未示出)接收輸入圖像(彩色圖像數(shù)據(jù))信號R、G和B以及用于控制其顯示的輸入控制信號，例如垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、主時(shí)鐘信號MCLK、以及數(shù)據(jù)啟動信號DE。信號控制器600按照液晶面板組件300的操作條件，適當(dāng)?shù)靥幚韴D像(彩色圖像數(shù)據(jù))信號B、G、和B。基于輸入(彩色圖像數(shù)據(jù))圖像信號R、G、和B以及輸入控制信號，信號控制器600產(chǎn)生柵極控制信號CONT1和數(shù)據(jù)控制信號CONT2。信號控制器600發(fā)送柵極控制信號CONT1至柵極驅(qū)動器400，以及發(fā)送數(shù)據(jù)控制信號CONT2和處理的圖像信號DAT至數(shù)據(jù)驅(qū)動器500。
柵極控制信號CONT1包括掃描啟動信號STV，用于指令開始掃描“柵極導(dǎo)通”電壓Von；以及至少一個(gè)時(shí)鐘信號，由于控制“柵極導(dǎo)通”電壓Von的輸出。
數(shù)據(jù)控制信號CONT2包括水平同步啟動信號STH，用于向一行像素行通知數(shù)據(jù)發(fā)送；裝載信號LOAD，用于將相關(guān)數(shù)據(jù)電壓施加于數(shù)據(jù)線D1-Dm；以及數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號HCLK。數(shù)據(jù)控制信號CONT2可包括反轉(zhuǎn)信號RVS，用于將數(shù)據(jù)電壓相對于共電壓Vcom的極性(以下稱之為“數(shù)據(jù)電壓的極性”)反轉(zhuǎn)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器500根據(jù)來自于信號控制器600的數(shù)據(jù)控制信號CONT2，接收用于一對子像素PXa和PXb的圖像數(shù)據(jù)DAT，并從來自于灰度電壓發(fā)生器800的兩組灰度電壓中選擇一組灰度電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動器500還從所選組的灰度電壓中選擇對應(yīng)于各個(gè)圖像數(shù)據(jù)DAT的灰度電壓，然后適當(dāng)?shù)貙D像數(shù)據(jù)DAT轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)電壓，以將它們發(fā)送至相關(guān)數(shù)據(jù)線D1-Dm。
可選地，分離的外部選擇電路(未示出)可從兩組灰度電壓中選擇一組灰度電壓，然后將它們發(fā)送至數(shù)據(jù)驅(qū)動器500。此外，灰度電壓發(fā)生器800可提供值變的參考電壓，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動器500可分解該參考電壓，以生成灰度電壓。
柵極驅(qū)動器400根據(jù)來自于信號控制器600的柵極控制信號CONT1，將“柵極導(dǎo)通”電壓施加于柵極線G1a-Gnb，以導(dǎo)通連接至柵極線G1a-Gnb的開關(guān)元件Qa和Qb，從而，將施加于數(shù)據(jù)線D1-Dm的數(shù)據(jù)電壓經(jīng)由導(dǎo)通的開關(guān)元件Qa和Qb施加于相關(guān)子像素PXa和PXb。
施加于子像素PXa和PXb的數(shù)據(jù)電壓與共電壓Vcom之間的差異表現(xiàn)為液晶電容器CLC的充電電壓，即，表現(xiàn)為像素電壓。液晶分子根據(jù)像素電壓的大小取向，從而使通過液晶層3的光的偏振性改變。該偏振性變化通過附著至基板(面板)100和200的偏振器(未示出)而表現(xiàn)為透光率的變化。
上述的兩組灰度電壓顯示不同的伽馬曲線(gamma curve)，由于將其施加于兩個(gè)子像素PXa和PXb，所以一個(gè)像素PX的伽馬曲線變成了它們的混合曲線。當(dāng)確定了兩組灰度電壓時(shí)，使產(chǎn)生的混合伽馬曲線更接近正面參考伽馬曲線。例如，使正面混合伽馬曲線對應(yīng)于最優(yōu)確定的正面參考伽馬曲線，使產(chǎn)生的側(cè)面混合伽馬曲線最接近正面參考伽馬曲線。這樣，可增強(qiáng)側(cè)面可視性。
如前面描述過的，可使創(chuàng)建的第二子像素電極190b的接收較高電壓的區(qū)域小于第一子像素電極190a的該區(qū)域，以減少側(cè)面伽馬曲線的變形。例如，當(dāng)?shù)谝蛔酉袼仉姌O190a比第二子像素電極190b的面積比為2∶1時(shí)，側(cè)面伽馬曲線變得接近于正面伽馬曲線，從而可增強(qiáng)側(cè)面可視性。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器500和柵極驅(qū)動器400以1/2水平周期(或1/2H，水平同步信號Hsync的半個(gè)周期)重復(fù)該同一操作。這樣，將“柵極導(dǎo)通”電壓依次地逐行地施加于一幀的所有柵極線G1a-Gnb，從而將數(shù)據(jù)電壓施加于所有像素PX。當(dāng)一幀終止時(shí)，下一幀開始，控制施加于數(shù)據(jù)驅(qū)動器500的反轉(zhuǎn)信號，以使施加于對應(yīng)像素PX的數(shù)據(jù)電壓的極性與前一幀中的極性相反(“幀反轉(zhuǎn)”)。此時(shí)，可根據(jù)反轉(zhuǎn)信號RVS在一幀內(nèi)平穩(wěn)的特性將流過一條數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的極性反轉(zhuǎn)(例如，行反轉(zhuǎn)或點(diǎn)反轉(zhuǎn))，或可使同時(shí)流過相鄰數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的極性彼此相反(例如，列反轉(zhuǎn)或點(diǎn)反轉(zhuǎn))。
同時(shí)，如圖3所示，由于當(dāng)將“柵極導(dǎo)通”電壓Von轉(zhuǎn)換成“柵極關(guān)斷”電壓Voff時(shí)開關(guān)元件Q的控制端和輸出端之間的寄生電容Cgd導(dǎo)致的耦合，使得產(chǎn)生由下面的等式1限定的反沖電壓(kickback voltage)Vk，并降低施加于像素電極PE的電壓。
等式1Vk=CgdCLC+CST+CgdΔVg]]>其中，ΔVg是“柵極導(dǎo)通”電壓Von與“柵極關(guān)斷”電壓Voff之間的電壓差。
對于根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的LCD，第一和第二子像素電極PXa和PXb的反沖電壓Vka和Vkb的大小基本上相同。第一和第二子像素電極PXa和PXb的液晶電容器CLCa和CLCb的電容值取決于第一子像素電極190a比第二子像素電極190b的面積比，寄生電容Cgda和Cgdb也取決于該設(shè)計(jì)因素。因此，適當(dāng)?shù)乜刂频谝缓偷诙╇姌O175a和175b與存儲電極133相重疊的面積，以使產(chǎn)生的第一和第二存儲電容CSTa和CSTb的電容值能夠使得反沖電壓Vka和Vkb相等。另外，可使施加于第一和第二子像素電極PXa和PXb的柵極信號互不相同。例如，使多個(gè)“柵極導(dǎo)通”電壓的大小不相同，以控制ΔVg的值，從而使反沖電壓Vka和Vkb的大小相等。這樣，將第一和第二子像素PXa和PXb的反沖電壓Vka和Vkb的大小控制為相等，從而防止顯示屏閃爍。
下面將參照圖9和圖10詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的LCD。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的LCD的框圖，圖10是圖9的根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的LCD的像素(PX)的等效電路圖。
根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的LCD包括液晶面板組件301；連接至液晶面板組件301的柵極驅(qū)動器403和數(shù)據(jù)驅(qū)動器501；連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動器501的灰度電壓發(fā)生器801；以及用于控制它們的信號控制器601。
液晶面板組件301包括多條顯示信號線G1-Gn和D1-D2m；以及連接至這些信號線并排布成矩陣形式的多個(gè)(一個(gè)陣列的)像素PX。
顯示信號線(G1-Gn，和數(shù)據(jù)線D1-D2m)包括多條柵極線G1-Gn，用于發(fā)送柵極信號至像素PX；以及多條數(shù)據(jù)線D1-D2m，用于發(fā)送數(shù)據(jù)信號至像素PX。柵極線G1-Gn沿基本上彼此平行的像素行方向(水平地)延伸，而數(shù)據(jù)線D1-D2m沿基本上彼此平行的像素列方向(垂直地)延伸。數(shù)據(jù)線D1-D2m設(shè)置于每列中每個(gè)像素PX的兩邊。除了柵極線G1-Gn和數(shù)據(jù)線D1-D2m之外，顯示信號線還可包括平行于柵極線G1-Gn延伸的存儲電極線。
圖10示出了一個(gè)像素PX和連接至該像素的顯示信號線的等效電路圖。連接至每個(gè)像素PX的顯示信號線包括標(biāo)記為GL的柵極線、標(biāo)記為DLa和DLb的數(shù)據(jù)線、以及平行于柵極線GL延伸的存儲電極線SL。
各像素PX中的每一個(gè)均包括一對子像素PXc和PXd。各子像素PXc和PXd包括開關(guān)元件Qc和Qd，其連接至共用柵極線GL并連接至數(shù)據(jù)線DLa和DLb，以及連接至液晶電容器CLCc和CLCd和連接至它們的存儲電容器CSTc和CSTd。
各子像素PXc和PXd基本上相同于圖3中所示的各子像素，因此這里不再贅述。
灰度電壓發(fā)生器801產(chǎn)生兩組與子像素PXc和PXd的透光率相關(guān)的灰度電壓。兩組灰度電壓中的一組相對于共電壓是正值，另一組是負(fù)值。
柵極驅(qū)動器403連接至液晶面板組件301的柵極線G1-Gn，以將來自于外部的“柵極導(dǎo)通”和“柵極關(guān)斷”電壓Von和Voff施加于柵極線G1-Gn。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器501連接至液晶面板組件301的數(shù)據(jù)線D1-D2m，以從灰度電壓發(fā)生器801中選擇灰度電壓，然后將它們施加于每個(gè)像素PX的子像素PXc和PXd作為數(shù)據(jù)信號。
信號控制器601控制柵極驅(qū)動器403和數(shù)據(jù)驅(qū)動器501的操作。
下面將參照圖11和圖12詳細(xì)說明液晶面板組件301的結(jié)構(gòu)。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例(圖9)的液晶面板組件301中的各像素PX的平面圖，圖12是圖11的液晶面板組件301中的像素PX取剖線XII-XII的剖視圖。
如圖11和圖12所示，液晶面板組件包括第一基板(下面板)101；第二基板(上面板)201，面向第一基板(下面板)101；以及液晶層3，設(shè)置于這些基板(面板101和201)之間。
首先來詳細(xì)說明第一基板(下面板)101。
在(例如，由透明玻璃制成的)絕緣基板110上形成多條柵極線121和多條存儲電極線131a。
柵極線121水平地延伸并彼此分開，它們發(fā)送柵極信號。每條柵極線121包括多個(gè)突起，其形成多個(gè)柵電極124c和124d；以及寬端部129，用于與其他層或外部器件連接。
每條存儲電極線131a水平地延伸，并包括多個(gè)形成存儲電極133a和133b的突起。存儲電極133a和133b相對于存儲電極線131a為矩形形狀對稱。第一存儲電極133a的面積大于第二存儲電極133b的面積。
由硅氮化物(SiNx)在柵極線121之上和在存儲電極線131a之上形成柵極絕緣層140。
在柵極絕緣層140上由氫化非晶硅或多晶硅形成多個(gè)半導(dǎo)體島154c、154d、156b、和157b。在柵電極124c和124d上分別形成半導(dǎo)體島154c和154d。
在半導(dǎo)體島154c、154d、156b、和157b上，由硅化物或其中以高濃度摻雜n型雜質(zhì)例如磷的n+氫化非晶硅形成多個(gè)歐姆接觸163c、163d、165c、165d、166b、和167。在第一和第二半導(dǎo)體島154c和154d上設(shè)置一對第一和第三歐姆接觸163c和163c以及一對第二和第四歐姆接觸163d和165d，以及在第三和第四半導(dǎo)體島156b和157b上設(shè)置第五和第六歐姆接觸166b和167。
在柵極絕緣層140和歐姆接觸163c、163d、165c、165d、166b、和167上形成與這些數(shù)據(jù)線分離的多條數(shù)據(jù)線171a和171b以及多個(gè)漏電極175c和175d。
數(shù)據(jù)線171a和171b垂直地延伸，越過柵極線121和存儲電極線131，以發(fā)送數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)線171a和171b包括多個(gè)延伸向柵電極124c和124d的源電極173c和173d，以及寬度擴(kuò)大的端部179a和179b，以與其他層或與外部器件進(jìn)行連接。
第一和第二漏電極175c和175d與數(shù)據(jù)線171a和171b分開，分別面向圍繞著柵電極124c和124d的源電極173c和173d。第一和第二漏電極175c和175d具有設(shè)置于半導(dǎo)體島154c和154d上的條帶狀端部，并具有寬區(qū)域延長部177c和177d，其分別從條帶狀端部伸出，并與存儲電極133a和133b相重疊。條帶狀端部被U形源電極173c和173d部分地圍繞。第二漏電極175d的延長部177d的面積比第一漏電極175c的延長部177c的面積小。
第一和第二薄膜晶體管Qc和Qd由以下形成第一和第二柵電極124c和124d、第一和第二源電極173c和173d、以及第一和第二漏電極175c和175d與半導(dǎo)體島154c和154d。薄膜晶體管Qc和Qd的通道分別形成于第一和第二源電極173c和173d與第一和第二漏電極175c和175d之間的半導(dǎo)體島154c和154d處。
歐姆接觸163c、163d、165c、165d、166b、和167僅位于下層半導(dǎo)體島154c、154d、156b、和157b與上層數(shù)據(jù)線171a和171b和漏電極175c和175d之間，以降低接觸電阻。島形的半導(dǎo)體島154c和154d具有透過源電極173c和173d以及漏電極175c和175d暴露的部分。半導(dǎo)體島156b和157b使柵極線121以及存儲電極線131a的表面輪廓光滑，從而防止數(shù)據(jù)線171a和171b和漏電極175c和175d被切割。
在數(shù)據(jù)線171a和171b、漏電極175c和175d、以及半導(dǎo)體島154c和154d的暴露部分上形成鈍化層180。
在鈍化層180處形成多個(gè)接觸孔185c、185d、182a、和182b，以使它們分別暴露漏電極175c和175d的延長部177c和177d，以及數(shù)據(jù)線171a和171b的端部(端子)179a和179b。在鈍化層180和柵極絕緣層140處形成多個(gè)接觸孔181，以使它們暴露柵極線121的端部(端子)129。
在鈍化層180上形成多個(gè)具有第一和第二子像素電極191a和191b的像素電極191、屏蔽電極88b、以及多個(gè)接觸輔助件81、82a、和82b。第一和第二子像素電極191a和191b通過接觸孔185c和185d物理連接且電連接至第一和第二漏電極175c和175d，以接收來自于第一和第二漏電極175c和175d的數(shù)據(jù)電壓。將相對于一個(gè)輸入圖像(數(shù)據(jù))信號不同的預(yù)定數(shù)據(jù)電壓施加于每對子像素電極191a和191b，并且其大小取決于子像素電極191a和191b的大小和形狀。此外，子像素電極191a和191b的面積可互不相同。例如，第二子像素電極191b可以接收比施加于第一子像素電極191a的電壓高的電壓，且面積可小于第一子像素電極191a。
子像素電極191a和191b收到數(shù)據(jù)電壓，同時(shí)共電極270產(chǎn)生電場，該電場確定兩個(gè)電極191和270之間的液晶層的液晶分子的排列。
正如前面說明過的，各子像素電極191a和191b與共電極270形成液晶電容器CLCc和CLCd，以在薄膜晶體管Qc和Qd關(guān)斷之后維持施加電壓平穩(wěn)。通過將第一和第二子像素電極191a和191b以及與其連接的漏電極175c和175d的延長部177c和177d與存儲電極133a和133b相重疊，以將存儲電容器CSTc和CSTd與液晶電容器CLCc和CLCd并聯(lián)連接，以增強(qiáng)電壓存儲能力。
由于第一子像素電極191a面積比第二子像素電極191b大，所以第一液晶電容器CLCc的電容大于第二液晶電容器CLCd的電容。由于存儲電極133a和與其重疊的第一漏電極175c的延長部177c在面積上大于存儲電極133b和與其重疊的第二漏電極175d的延長部177d，所以第一存儲電容器CSTc的電容大于第二存儲電容器CSTd的電容。因此，第一薄膜晶體管Qc的電流驅(qū)動能力應(yīng)該大于第二薄膜晶體管Qd的電流驅(qū)動能力，因此第一薄膜晶體管Qc的W/L值可以高于第二薄膜晶體管Qd的W/L值。
形成一個(gè)像素電極191的一對第一和第二子像素電極191a和191b彼此結(jié)合，同時(shí)在它們之間插有間隙93，像素電極191的外形基本上為矩形形狀。第二子像素電極191b形狀為旋轉(zhuǎn)的等邊梯形，具有梯形凹陷底部。第二子像素電極191b基本上被第一子像素電極191a圍繞。第一子像素電極191a由彼此的左邊相連接的上部梯形、下部梯形、以及中間梯形形成。第一子像素電極191a的中間梯形填充入第二子像素電極191b的凹陷底部。第一和第二子像素電極191a和191b之間的間隙93包括兩對相對于柵極線121a和121b傾斜45°的上和下傾斜部，并具有基本上相等的寬度；以及三個(gè)寬度基本上相等的垂直部分。為了方便說明，間隙93也可稱之為切口。
第一子像素電極191a具有切口96a、96b、97a、和97b，其從上部梯形的頂邊和下部梯形的底邊延伸向其右邊。第一子像素電極191a具有沿著存儲電極線131a延伸的切口91和92a，切口91和92a具有沿水平方向從中心伸出的水平部分，一對相對于存儲電極線131a傾斜45°的腿。第二子像素電極191b具有從其左邊延伸向右邊的切口94a和94b。切口91、92a、94a、96a、96b、97a、和97b相對于存儲電極線131基本上鏡面對稱，并且它們彼此垂直延伸，同時(shí)相對于柵極線121傾斜45°。像素電極191的上半部和下半部分別被切口91-97b劃分成8個(gè)區(qū)域。
屏蔽電極88b具有沿著數(shù)據(jù)線171a和171b延伸的垂直部分，以及沿著柵極線121延伸的水平部分。屏蔽電極88b的垂直部分完全地覆蓋數(shù)據(jù)線171a和171b，并且其水平部分也完整地覆蓋柵極線121。
屏蔽電極88b屏蔽形成于數(shù)據(jù)線171a和171b與像素電極191之間以及數(shù)據(jù)線171a和171b與共電極270之間形成的電場，從而減少像素電極191的電壓失真以及數(shù)據(jù)線171a和171b所發(fā)送的數(shù)據(jù)電壓的信號延遲。為了防止像素電極191與屏蔽電極88b之間的短路，它們被彼此分開，因此，像素電極191遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線171a和171b，從而使它們之間的寄生電容減少。
接觸輔助件81、82a、和82b分別通過接觸孔181、182a、和182b連接至柵極線121的端部(端子)129以及數(shù)據(jù)線171a和171b的端部(端子)179a和179b。
在像素電極191、接觸輔助件81、82a、和82b、以及鈍化層180上形成對準(zhǔn)層11，用于排列液晶層3。
下面將參照圖11和圖12詳細(xì)說明第二基板(上面板)201。
在(例如，用透明玻璃制成的)絕緣基板210上依次地形成擋光件200、多個(gè)濾色器230、覆蓋層250、以及共電極270。
共電極270對應(yīng)于(重疊于)一個(gè)像素的部分包括多組切口71、72、73a、74a、75c、75d、76c、76d、77a、77b、78a、和78b。從而，共電極270具有多組切口71-78b。
切口組71-78b面向一個(gè)像素電極191，并包括中間切口71、72、73a、和74a；上部切口75c、76c、77a、和78a；以及下部切口75d、76d、77b、和78b。切口71-78b排布于像素電極191的左邊的中心處，像素電極191的相鄰切口91-97b之間，并位于外圍切口97a和97b與像素電極191的多個(gè)角部之間。此外，各個(gè)切口72-78b包括至少一個(gè)平行于像素電極191的切口91-97b的傾斜部分。
下部和上部切口75c-78b包括從像素電極191的右邊延伸向其底邊或頂邊的傾斜部分；以及水平部分和垂直部分，其從傾斜部分的各個(gè)端部沿著像素電極191的各條邊延伸，同時(shí)與這些邊相重疊并與傾斜部分成鈍角。
第一中間切口71包括垂直端部，其沿著像素電極191的左邊延伸，同時(shí)與其相重疊；以及水平部分，其從垂直部分沿著存儲電極線131a延伸。第二和第三中間切口72和73a包括水平部分，其沿著存儲電極線131a延伸；一對傾斜部分，其從水平部分延伸向像素電極191的左邊，相對于存儲電極線131a傾斜；以及垂直端部，其從傾斜部分的端部沿著子像素電極191的左邊延伸，同時(shí)與左邊相重疊，并與傾斜部分成鈍角。第四中間切口74a包括垂直部分，其沿著像素電極191的右邊延伸，同時(shí)與其相重疊；一對傾斜部分，其從垂直部分的各個(gè)端部延伸向像素電極191的左邊；以及垂直端部，其從傾斜部分的端部沿著第二子像素電極191b的左邊延伸，同時(shí)與左邊相重疊，并與傾斜部分成鈍角。
在切口72-77b的傾斜部分處形成三角形凹口。這些凹口可以形成為矩形、梯形、或半圓形形狀，或者它們可以是凹形或者凸形的。
在共電極270和覆蓋層250上形成對準(zhǔn)層21，以排列液晶層3。
在面板101和201的外表面上設(shè)置偏光器12和22。
根據(jù)本發(fā)明的LCD的顯示操作基本上與前面實(shí)施例的有關(guān)顯示操作相同，因此這里不再贅述。
相同于根據(jù)第二實(shí)施例的LCD，可將第一和第二子像素PXc和PXd的反沖電壓調(diào)節(jié)為基本上相同。第一和第二子像素電極PXc和PXd的液晶電容器CLCc和CLCd的電容值取決于第一子像素電極191a比第二子像素電極191b的面積比，寄生電容Cgda和Cgdb也取決于該設(shè)計(jì)因素。因此，適當(dāng)?shù)乜刂频谝缓偷诙╇姌O175a和175b與存儲電極133a和133b相重疊的面積，以使產(chǎn)生的第一和第二存儲電容CSTc和CSTd的電容值能夠使得反沖電壓Vkc和Vkd相等。這樣，將第一和第二子像素PXc和PXd的反沖電壓Vkc和Vkd的大小控制至相等，從而防止顯示屏閃爍。
此外，使創(chuàng)建的第二子像素電極191b接收較高電壓的面積小于第一子像素電極191a的該面積，從而減少側(cè)面伽馬曲線的畸變。例如，可使創(chuàng)建的第一子像素電極191a比第二子像素電極191b的面積比為約2∶1，從而增強(qiáng)側(cè)面可視性。
圖1至圖8所示的LCD的很多特征也是圖9至圖12所示的LCD的特征。
下面將參照圖13詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的LCD的像素PX。
圖13是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的LCD的像素陣列中的像素PX的等效電路圖。
圖13示出了顯示信號線(GL、DL、SLa、SLb)和一個(gè)像素PX的兩個(gè)子像素的等效電路圖。顯示信號線包括標(biāo)記為GL的柵極線；標(biāo)記為DL的數(shù)據(jù)線；以及一對第一和第二存儲電極線SLa和SLb，其基本上平行于柵極線GL而延伸。
各像素PX包括一對子像素PXe和PXf。子像素PXe和PXf分別包括開關(guān)元件Qe和Qf，連接至柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL；液晶電容器CLCe和CLCf，連接至這些開關(guān)元件；以及存儲電容器CSTe和CSTf，其連接至開關(guān)元件Qe和Qf以及存儲電極線SLa和SLb。
第一和第二存儲電極線SLa和SLb接收第一和第二共電壓Vcom1和Vcom2。第一和第二共電壓Vcom1和Vcom2在相差180°的高電壓與低電壓之間振蕩(swing)。將一個(gè)數(shù)據(jù)電壓施加于對應(yīng)的子像素PXe，然后通過柵極信號啟動該像素，然后對其充電。根據(jù)施加于各存儲電極線SLa和SLb的第一和第二共電壓Vcom1和Vcom2，將子像素PXe和PXf處充電的像素電壓轉(zhuǎn)換成高電壓和低電壓(或者低電壓和高電壓)，使它們彼此產(chǎn)生差異。這樣，子像素PXe和PXf收到不同的像素電壓，從而增強(qiáng)了側(cè)面可視性。
在具有根據(jù)第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的實(shí)施例中，使第一和第二子像素電極PXe和PXf的反沖電壓Vke和Vkf的大小基本上相等?？梢允沟谝缓偷诙酉袼豍Xe和PXf的液晶電容器CLCe和CLCf的電容值彼此不同，也可根據(jù)該設(shè)計(jì)因素使寄生電容Cgde和Cgdf彼此不同。因此，可適當(dāng)?shù)貙⒌谝缓偷诙鎯﹄娙萜鰿STe和CSTf的電容值控制至使反沖電壓Vke和Vkf的大小相同。這樣，將第一和第二子像素PXe和PXf的反沖電壓Vke和Vkf的大小控制至相等，從而防止顯示屏閃爍。
根據(jù)本發(fā)明的各實(shí)施例，將一個(gè)像素分成兩個(gè)子像素，將不同的數(shù)據(jù)電壓分別地施加給(或提供給(evolved in))這兩個(gè)子像素，從而增強(qiáng)側(cè)面可視性。此外，兩個(gè)子像素具有彼此不同的面積大小，從而減少側(cè)面伽馬曲線的畸變。例如，可將兩個(gè)子像素的存儲電容設(shè)計(jì)為使每個(gè)子像素的反沖電壓相等，從而防止顯示圖像質(zhì)量受損例如閃爍。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括多個(gè)像素，其排布成矩陣形式，每個(gè)像素包括第一和第二子像素，其中，每個(gè)子像素包括子像素電極；存儲電極；開關(guān)的柵電極；所述開關(guān)的源電極；以及所述開關(guān)的漏電極，其連接至所述子像素電極，其中，向所述第一子像素電極施加第一預(yù)定電壓，向所述第二子像素電極施加第二預(yù)定電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一預(yù)定電壓低于所述第二預(yù)定電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一和第二漏電極重疊所述第一和第二存儲電極，并且所述第一漏電極與所述第一存儲電極之間的重疊面積大于所述第二漏電極與所述第二存儲電極之間的重疊面積。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括第一和第二柵極線，用于分別發(fā)送柵極信號至所述第一和第二柵電極；以及數(shù)據(jù)線，用于分別發(fā)送數(shù)據(jù)電壓至所述第一和第二源電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其中，施加給所述第一和第二柵極線的所述柵極信號的時(shí)刻互不相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括柵極線，用于發(fā)送柵極信號至所述第一和第二柵電極；以及第一和第二數(shù)據(jù)線，用于發(fā)送數(shù)據(jù)電壓至第一和第二源電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括柵極線，用于發(fā)送柵極信號至所述第一和第二柵電極；以及數(shù)據(jù)線，用于發(fā)送數(shù)據(jù)電壓至第一和第二源電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中，所述第一和第二存儲電極分別與所述第一和第二漏電極相重疊，并彼此物理分離和電分離。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，施加給所述第一和第二子像素電極的數(shù)據(jù)電壓大小互不相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一開關(guān)是第一薄膜晶體管，第二開關(guān)是第二薄膜晶體管，其中，所述第一薄膜晶體管的通道寬度長度比大于所述第二薄膜晶體管的通道寬度長度比。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一子像素電極面積大于所述第二子像素電極。
12.一種液晶顯示器，包括多個(gè)像素，其排布成矩陣形式，其中，每個(gè)像素包括第一和第二子像素；第一柵極線，連接至所述第一子像素；以及數(shù)據(jù)線，其垂直于所述第一柵極線，并連接至所述第一子像素，其中，所述第二子像素連接至所述第一柵極線和所述第一數(shù)據(jù)線中的至少一條。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，其中，所述第一子像素的反沖電壓基本上等于所述第二子像素的反沖電壓；以及其中，向所述第一子像素施加預(yù)定電壓，并且所述第一子像素接收比所述第二子像素所接收的電壓大的電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，還包括連接至所述第二子像素的第二柵極線，其中，所述第二子像素連接至所述第一數(shù)據(jù)線。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其中，所述第一子像素包括第一開關(guān)元件，其連接至所述第一柵極線，并連接至所述第一數(shù)據(jù)線；第一液晶電容器，其連接至所述第一開關(guān)元件，并連接至第一存儲電容器；以及其中，所述第二子像素包括第二開關(guān)元件，其連接至所述第二柵極線，并連接至所述第一數(shù)據(jù)線；第二液晶電容器，其連接至所述第二開關(guān)元件，具有比所述第一液晶電容器的電容小的電容；以及第二存儲電容器，其連接至所述第二開關(guān)元件，具有比所述第一存儲電容器的電容小的電容。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，還包括連接至所述第二子像素的第二數(shù)據(jù)線，其中，所述第二子像素連接至所述第一柵極線。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其中，所述第一子像素包括第一開關(guān)元件，其連接至所述第一柵極線，并連接至所述第一數(shù)據(jù)線；第一液晶電容器，其連接至所述第一開關(guān)元件；以及第一存儲電容器，其連接至所述第一開關(guān)元件；以及所述第二子像素包括第二開關(guān)元件，其連接至所述第一柵極線，并連接至所述第二數(shù)據(jù)線；第二液晶電容器，其連接至所述第二開關(guān)元件，具有比所述第一液晶電容器的電容小的電容；以及第二存儲電容器，其連接至所述第二開關(guān)元件，具有比所述第一存儲電容器的電容小的電容。
18.一種液晶顯示器，包括一個(gè)陣列的像素，其排布成矩陣形式，其中，每個(gè)像素包括第一和第二子像素；多條第一柵極線，所述多條第一柵極線中的一條連接至所述多個(gè)第一子像素中的一個(gè)；以及多條第一數(shù)據(jù)線，其垂直于所述第一柵極線，所述多條數(shù)據(jù)線中的一條連接至所述多個(gè)第一子像素中的一個(gè)，其中，每個(gè)所述第一子像素包括第一開關(guān)元件，其連接至所述第一柵極線，并連接至所述第一數(shù)據(jù)線；第一液晶電容器，其連接至所述第一開關(guān)元件，并連接至第一存儲電容器；以及每個(gè)所述第二子像素包括第二開關(guān)元件，其連接至所述第一柵極線和所述第一數(shù)據(jù)線中的至少一條；第二液晶電容器，其連接至所述第二開關(guān)元件，具有比所述第一液晶電容器的電容小的電容；以及第二存儲電容器，其連接至所述第二開關(guān)元件，具有比所述第一存儲電容器的電容小的電容。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其中，向所述第一子像素施加預(yù)定電壓，并且所述第一子像素接收比所述第二子像素所接收的電壓大的電壓。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，還包括多條第二柵極線，所述多條第二柵極線中的一條連接至所述多個(gè)第二開關(guān)元件中的一個(gè)，其中，所述多個(gè)第二開關(guān)元件中的一個(gè)連接至所述多條第一數(shù)據(jù)線中的一條。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，還包括多條第二數(shù)據(jù)線，所述多條第二數(shù)據(jù)線中的一條連接至所述多個(gè)第二開關(guān)元件中的一個(gè)，其中，所述多個(gè)第二開關(guān)元件中的一個(gè)連接至所述多條第一柵極線中的一條。
全文摘要
一種液晶顯示器包括一個(gè)陣列的像素。每個(gè)像素分成第一子像素和第二子像素，向這兩個(gè)子像素分別地施加(提供)不同的數(shù)據(jù)電壓，從而增強(qiáng)側(cè)面可視性。每個(gè)子像素包括與子像素的存儲電極相重疊的子像素電極(連接至子像素的開關(guān)元件的漏電極)。向第一子像素施加第一預(yù)定電壓，向第二子像素施加第二預(yù)定電壓，從而使第一子像素電極可接收低于第二子像素電極的電壓的電壓。第一子像素面積可大于第二子像素電極。第一漏電極與第一子像素的存儲電極之間的重疊面積可大于該漏電極與第二子像素的存儲電極之間的重疊面積。從而使第一子像素的反沖電壓基本上等于第二子像素的反沖電壓。
文檔編號G02F1/133GK1847964SQ20061006678
公開日2006年10月18日 申請日期2006年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月13日
發(fā)明者金東奎 申請人:三星電子株式會社