專利名稱：透明導電層的修補方法及其結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是有關于一種透明導電層的修補方法，且特別是關于一種能夠有效修補凹陷缺陷點的透明導電層修補方法及其結構。
背景技術：
為了配合現(xiàn)代生活模式，視頻或影像裝置的體積日漸趨于薄輕。因此，面板式的顯示器已被發(fā)展出成為目前常見的顯示器產品，例如液晶顯示器、等離子顯示器及電致發(fā)光(electroluminance)顯示器等。液晶顯示器具有低功耗、無輻射線、重量輕以及體積小等傳統(tǒng)陰極射線管(cathode ray tube，簡稱CRT)顯示器無法達到的優(yōu)點。因此，LCD已經廣泛地被應用于手提式計算機、行動電話等電子產品中。
液晶顯示裝置通常由具有電極的彩色濾光片基板與陣列基板所組成。通常陣列基板上形成有用來當作開關組件的薄膜晶體管，此薄膜晶體管具有連接于掃描線(scan line)的柵極電極、連接于訊號線(data line)的源極電極、以及連接于透明像素電極的漏極電極。彩色濾光片基板表面則設置有遮光層、用以顯現(xiàn)出紅、藍、綠等色彩的彩色濾光膜層、以及覆蓋于遮光層與彩色濾光膜層表面的透明公共電極層。為了保持兩基板間的固定的距離，通常會設置一些俗稱為間隔物(spacer)的顆粒于兩基板間。間隔物(spacer)的設置方式可以是以散布具有一定粒徑的顆粒于兩基板的間或是以黃光工藝的方式制作出這些間隔物(spacer)。間隔物也使所填入的液晶可容納于液晶顯示裝置面板中。再藉由驅動IC分別輸出設定電壓到像素電極與公共電極層來控制液晶的轉動，進而顯示出預期的畫面。
然而，在制備彩色濾光片基板的過程中，若有異物于鍍透明公共電極層步驟前附著于彩色濾光片基板上，將使得透明公共電極層覆蓋于異物表面及異物附著區(qū)以外的基板表面。由于異物與基板的附著性差，在后清洗工藝時異物容易被移除而導致透明公共電極層剝落形成凹陷缺陷。當設定電壓分別輸入像素電極與公共電極層時，位于公共電極層凹陷缺陷區(qū)域附近的液晶將無法正常動作，使得顯示畫面上出現(xiàn)亮點(或暗點)缺陷。類似的情況也可能出現(xiàn)在陣列基板的透明像素電極上，使得位于透明像素電極凹陷缺陷區(qū)域的液晶將無法正常動作，造成顯示畫面上出現(xiàn)亮點(或暗點)缺陷。
在現(xiàn)行的像素修補技術中，是利用激光方法將透明像素電極與薄膜晶體管電性隔絕，使其呈現(xiàn)黑色或灰色。然而，已知的透明像素修補技術都無法讓原有像素呈現(xiàn)原本想要的顏色，故降低顯示品質。若具有凹陷缺陷的像素電極數量過多時，可能直接報廢而不進行修補。如此一來，不但嚴重影響良率也大大提高成本。
發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種透明導電層的修補方法及其結構，可于透明導電層具有凹陷缺陷時，避免在面板形成亮點(或暗點)。
本發(fā)明的另一目的是提供一種透明導電層的修補方法及其結構，以提高亮點(或暗點)修復率。
根據上述與其它目的，本發(fā)明提出一種透明導電層的修補方法，包括提供基板，其基板設置有透明導電層于其表面，其中透明導電層具有凹陷缺陷。接著，進行填補步驟，填補導電修補材料于此凹陷缺陷部用以形成一導電修補層。上述填補方式包括噴墨(Ink-Jet)、化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)。本發(fā)明的修補方法，更可于填補工藝的后進行平坦化步驟。
本發(fā)明提出一種透明導電層的結構，包括基板，其基板設置有透明導電層于其表面，其中透明導電層具有凹陷缺陷。導電修補層填補于該凹陷缺陷部。
利用本發(fā)明的修補方法，直接于凹缺缺陷地區(qū)填補導電修補層，使其與透明導電層連接，如此大幅提高亮點修復率，并且于修補后面板仍能正常顯示原有的畫面。此外，凹陷缺陷區(qū)域大小或形狀并無任何局限，皆可使用本發(fā)明的修補方式進行修補，進而大大提高良率降低成本。
第1圖為本發(fā)明的彩色濾光片基板的剖面圖。
第2圖為本發(fā)明的噴墨技術修補方法。
第3圖為修補完成后的彩色濾光片基板的剖面結構圖。
第4圖為本發(fā)明的使用小型鍍膜裝置的修補方法。
第5圖為本發(fā)明的使用屏蔽進行局部沉積的修補方法。
第6圖為本發(fā)明的進行全面沉積的修補方法。
第7圖為修補完成后的陣列基板顯示區(qū)域的剖面結構圖。
主要組件符號說明100、200、300、400、500、600彩色濾光片基板102、702透明基板 104遮光層106彩色濾光膜 108公共電極層110凹陷缺陷 210導電修補材料212、612、712導電修補層414小型鍍膜裝置 514屏蔽700陣列基板 704柵極電極706柵極絕緣層 708半導體層710漏極/源極電極 714源極/漏極電極716保護層 718像素電極具體實施方式
第1圖為本發(fā)明的彩色濾光片基板的剖面圖。彩色濾光片基板100包括透明基板102，其上設置有遮光層104、彩色濾光膜106、以及覆蓋于遮光層104與彩色濾光膜106表面的透明公共電極層108。當公共電極層108剝離產生凹陷缺陷110時，可利用本發(fā)明的修補方法進行修補，使顯示器能正常顯示原來的畫面。凹陷缺陷110的形態(tài)并非局限于第1圖所示的完全剝離形態(tài)。舉凡因人為、機器或其它因素造成刮傷，而使公共電極層108的部份結構脫落形成凹陷缺陷110，可利用本發(fā)明的修補方法進行修補。以下將配合第2圖到第6圖詳細說明本發(fā)明的修補方法。
<第一實施例>
本發(fā)明的修補方法的第一實施例是局部性形成導電修補層于凹陷缺陷部。如第2圖所示，利用噴墨(Ink-jet)的技術，將導電修補材料210填補于凹陷缺陷110。如第3圖所示的修補完成后的彩色濾光片基板300剖面結構，使導電修補層212與公共電極層108產生電性連接。
由于公共電極層108的材質為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或其它透明導電材料，所以導電修補材料210的組成可例如為復數透明導電粒子以及溶劑等所組成。利用噴墨的技術將導電修補材料施于凹陷缺陷110。接著，可藉由烘烤等工藝將溶劑去除，使復數透明導電粒子構成導電修補層212。依據烘烤工藝的不同，導電修補層212可以為透明導電粒子間緊密排列的形態(tài)所構成，也可以為導電粒子間至少具有部分相互熔合區(qū)域的形態(tài)所構成，或是由上述兩種形態(tài)所共同構成。透明導電層212的材質可例如為氧化銦錫(ITO)、氧化銦(In2O3)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化鋅(ZnO:Sn)、釩摻雜氧化鋅(ZnO:V)、鈷摻雜氧化鋅(ZnO:Co)、鋁摻雜氧化鋅(ZnO:Al)、鎵摻雜氧化鋅(ZnO:Ga)、鈦摻雜氧化鋅(ZnO:Ti)、銦摻雜氧化鋅(ZnO:In)或其組合。導電修補層212也可以由多個粒徑大小為納米等級以下的金屬或非金屬導電粒子所構成。這些導電粒子結構可為空心或實心，其形狀可為柱狀、碟狀、纖維狀(fiber)或球狀。
為了讓由導電粒子所構成的導電修補層212能夠具有更平坦表面，使后來填充的液晶分子有較佳排列，可選擇將這些導電粒子表面涂布一層界面活性劑，涂布情形可為每個導電粒子表面皆具有一層界面活性劑或由多個導電粒子，例如是10個導電粒子，聚集形成的導電粒子群表面具有一層界面活性劑。藉此，于填補步驟的同時，導電粒子將會自動排列達到自組裝(self-assembly)的效果。為了讓電性表現(xiàn)更佳，于填補步驟后，可再進行回火(annealing)步驟用以去除界面活性劑使導電修補層212更為致密。
除了如第2圖所示的噴墨技術外，請參照第4圖，亦可使用小型鍍膜裝置414將導電修補層212形成于凹陷缺陷110部?；蚴牵垍⒄盏?圖，先于彩色濾光片基板500上放置屏蔽514，使基板500僅露出凹陷缺陷110處。接著，當使用化學氣相沉積法或物理氣相沉積法時，導電修補層212僅形成在凹陷缺陷110部，其中物理氣相沉積法可例如為濺鍍。
為了后續(xù)工藝考量，可進一步進行平坦化步驟，例如是以黃光工藝制作平坦層或是以研磨工藝，使得凹陷缺陷區(qū)域具有平坦的表面。
<第二實施例>
本發(fā)明的修補方法的第二實施例是全面性形成導電修補層于基板上。如第6圖所示，藉由化學氣相沉積法或物理氣相沉積法，將導電修補層612形成于彩色濾光基板600表面。
同樣地，為了增加顯示器的透光度或是考量后續(xù)工藝因素，可進一步進行平坦化步驟，例如以黃光工藝制作平坦層或是研磨工藝，使得凹陷缺陷區(qū)域與周邊公共電極層區(qū)域具有相同的水平高度。
本發(fā)明的修補方法也可用來修補陣列基板上顯示區(qū)域的像素電極。第7圖為修補完成后的陣列基板700顯示區(qū)域的剖面結構圖。如第7圖所示，陣列基板700顯示區(qū)域包括透明基板702，其上設置有連接于掃描線(未示出)的柵極電極704、柵極絕緣層706、半導體層708、連接于訊號線(未示出)的漏極/源極電極710、源極/漏極電極714、保護層716、透明像素電極718以及填補于缺陷區(qū)域的導電修補層712。像素電極718與導電修補層712相連接。陣列基板700可為扭轉向列型液晶顯示器(TN-LCD)、垂直配向型液晶顯示器(VA-LCD)、共面切換型液晶顯示器(IPS-LCD)或其它型態(tài)顯示器的下基板。
相較于已知技術，本發(fā)明可利用化學氣相沉積、物理氣相沉積或噴墨方式于基板上的凹陷缺陷區(qū)域填補導電修補層，使導電修補層與透明導電層連接，如此大幅提高亮點(或暗點)修復率，并且于修補后面板仍能正常顯示原有的畫面。此外，凹陷缺陷區(qū)域大小或形狀并無任何局限，皆可使用本發(fā)明的修補方式進行修補，進而大大提高良率降低成本。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權利要求范圍所做的等同變化與修飾，皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權利要求
1.一種透明導電層的修補方法，包括下列步驟提供基板，該基板備有透明導電層，其中該透明導電層具有凹陷缺陷部；以及進行填補步驟，填補導電修補材料于該凹陷缺陷部用以構成導電修補層。
2.如權利要求1的修補方法，于該填補步驟的后，更包括進行平坦化步驟。
3.如權利要求1的修補方法，其中該填補步驟包括噴墨、化學氣相沉積或物理氣相沉積。
4.如權利要求1的修補方法，其中該導電修補層的材質為透明導電材質。
5.如權利要求4的修補方法，其中該導電修補層選自氧化銦錫(ITO)、氧化銦(In2O3)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鋅(ZnO)、錫摻雜氧化鋅(ZnO:Sn)、釩摻雜氧化鋅(ZnO:V)、鈷摻雜氧化鋅(ZnO:Co)、鋁摻雜氧化鋅(ZnO:Al)、鎵摻雜氧化鋅(ZnO:Ga)、鈦摻雜氧化鋅(ZnO:Ti)、銦摻雜氧化鋅(ZnO:In)構成的組其中之一或其組合。
6.如權利要求1的修補方法，其中該導電修補層是由多個導電粒子所構成。
7.如權利要求6的修補方法，其中該些導電粒子是由粒徑大小為納米等級以下的多個金屬粒子所構成。
8.如權利要求6的修補方法，其中該些導電顆粒表面具有一層界面活性層。
9.一種透明導電層的結構，包括基板；透明導電層設置于該基板上，該透明導電層具有凹陷缺陷部；以及導電修補層，填補于該凹陷缺陷部。
10.如權利要求9的結構，其中該導電修補層包括透明導電材料。
11.如權利要求9的結構，其中該導電修補層包括多個導電粒子。
12.如權利要求11的結構，其中該些導電粒子包括粒徑大小為納米等級以下的多個金屬粒子。
13.如權利要求11的結構，其中該些導電粒子表面具有一層界面活性層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種透明導電層的修補方法，包括提供基板，其基板設置有透明導電層于其表面，其中透明導電層具有凹陷缺陷。接著，進行填補步驟，將導電修補材料填補于此凹陷缺陷部用以構成導電修補層。上述填補步驟包括噴墨、化學氣相沉積或物理氣相沉積。
文檔編號G02F1/13GK1811557SQ20061005496
公開日2006年8月2日 申請日期2006年2月27日 優(yōu)先權日2006年2月27日
發(fā)明者黃彥衡, 黃國有, 陳殷緒 申請人:友達光電股份有限公司