專利名稱：襯底處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于處理半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用襯底、記錄磁盤用襯底、或掩膜用襯底、其他各種襯底的襯底處理裝置。
背景技術(shù)：
在各種襯底的制造工程、例如半導(dǎo)體的制造工程中，附著在半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)表面的污染物質(zhì)的去除、或不需要的氧化膜、保護(hù)膜的剝離等，通過(guò)利用各種藥液進(jìn)行的藥液處理及利用清洗液的清洗處理等進(jìn)行。
這樣的處理，當(dāng)在單一的處理槽中進(jìn)行時(shí)，在處理槽內(nèi)容納橫排設(shè)置的多個(gè)晶片，從處理槽的底部供給藥液及清洗液，使這些液體在槽內(nèi)循環(huán)，實(shí)現(xiàn)通過(guò)藥液及清洗進(jìn)行的處理。
然而，當(dāng)被供給的藥液及清洗液在槽內(nèi)出現(xiàn)滯流或湍流時(shí)，存在不能去除附著在晶片表面的污染物質(zhì)等不需要的物資、且一度去除的不需要的物質(zhì)又再次附著在晶片表面的問題。
因此，為了避免這樣的不利情況，已經(jīng)開發(fā)防止在槽內(nèi)處理液的滯流或湍流發(fā)生的襯底處理裝置，這樣的處理裝置正被廣泛使用，另外在專利文獻(xiàn)中也被廣為介紹(例如參照下述專利文獻(xiàn)1、2、3)。
圖9是表示一種已知的設(shè)置在襯底處理裝置中的處理槽的截面圖，圖10是說(shuō)明圖9的襯底處理裝置的圖，圖10A是表示形成于處理槽內(nèi)的流路的圖，圖10B是表示通過(guò)此襯底處理裝置進(jìn)行處理的襯底的圖。
此處理槽20，如圖9、10所示，具備用于處理在處理液中以一定間隔、并立狀態(tài)浸漬的多個(gè)圓板形襯底W的四面用側(cè)壁包圍的內(nèi)槽21，和設(shè)置在此內(nèi)槽21的外周、收容從內(nèi)槽21溢出的處理液的外槽(圖示省略)，及在內(nèi)槽21內(nèi)用于供給處理液的多個(gè)供給噴嘴管22a～22e。各供給噴嘴管22a～22e，其是由分別在筒狀體的側(cè)面上具有多個(gè)噴射口22a’～22e’的物件構(gòu)成。
這些供給噴嘴管22a～22e，設(shè)置在內(nèi)槽21的底部21a附近的中央部和其兩側(cè)面部及兩傾斜面21b附近，以橫截內(nèi)槽21內(nèi)的方式設(shè)置，從各供給噴嘴管22a～22e向被處理襯底W的中心噴射處理液，使處理液在內(nèi)槽21內(nèi)循環(huán)，實(shí)行被處理襯底W的表面處理。
另外，也有不將多個(gè)供給噴嘴管設(shè)置在處理槽的底部、而設(shè)置在側(cè)壁面上的襯底裝置(例如參照下述專利文獻(xiàn)1)。
圖11是表示記載在下述專利文獻(xiàn)1上的處理槽的截面圖。
此處理槽30，在處理槽的左上方、左下方、右上方及右下方設(shè)置了4個(gè)供給噴嘴管31a～31d，各供給噴嘴管具有分別通過(guò)閥32a～32d連接到處理液的供給源33a～33d的構(gòu)成。
從各供給噴嘴管31a～31d供給的處理液，對(duì)于被處理的襯底W，分別向規(guī)定的方向進(jìn)行供給。也就是說(shuō)，從供給管31a向襯底W的左上方、從供給管31b向左下方、從供給管31c向右上方、及從供給管31d向右下方，分別以規(guī)定的順序進(jìn)行供給。另外，在處理槽30的底部形成排液口，此排液口以介設(shè)閥34的方式，通過(guò)配管連接到排液處理部35。
還有，也有除了使處理液在處理槽內(nèi)循環(huán)、而且還產(chǎn)生渦流，通過(guò)此渦流進(jìn)行表面處理的襯底處理裝置(例如參照下述專利文獻(xiàn)2)。
圖12是表示記載在下述專利文獻(xiàn)2上的處理槽的截面圖。
此處理槽40，槽內(nèi)壁面全部以螺旋形狀的凹凸形成，處理液的供給部設(shè)置在處理槽的底部區(qū)域，此供給部具有設(shè)置了沿著螺旋形狀決定處理液吐出方向的2個(gè)供給口41、42的結(jié)構(gòu)。另外，在各供給口41、42的周邊，附加了控制處理液的吐出方向的整流翅片43、44。
而且，通過(guò)從各供給口41、42供給的處理液的吐出力，積極地使貯留槽內(nèi)產(chǎn)生具有規(guī)定方向流向的處理液的渦流，實(shí)現(xiàn)被處理襯底的表面處理。
還有，也有代替在處理槽內(nèi)產(chǎn)生渦流的方式，使襯底旋轉(zhuǎn)進(jìn)行處理的襯底處理裝置(例如參照下述專利文獻(xiàn)3)。
專利文獻(xiàn)1特開2001-274133號(hào)公報(bào)(圖3、段落 、 ～ )專利文獻(xiàn)2特開2003-282512號(hào)公報(bào)(圖1、段落 ～ )專利文獻(xiàn)3特開2000-114233號(hào)公報(bào)(圖3、段落 、 )發(fā)明內(nèi)容發(fā)明預(yù)解決的問題通過(guò)上述圖9及圖10所示的公知的處理槽20，由各供給噴嘴管22a～22e供給的處理液形成圖10A所示箭頭方向A～C的水流，進(jìn)行被處理襯底W的表面處理。
也就是說(shuō)，從設(shè)置在傾斜面21b上的各供給噴嘴管22d、22e的噴射口22d’、22e’，如箭頭方向A所示，通過(guò)被處理襯底W的大約中心部，形成沿著內(nèi)槽21的側(cè)壁面的渦流的水流，從內(nèi)槽21底部的兩端的噴射口22a’、22c’，形成流向被處理襯底W的中心部的水流(箭頭方向B)、還有從位于內(nèi)槽21底部的中央部的噴射口22b’，形成沖抵被處理襯底W的底部的水流(箭頭方向C)。
然而，在這樣的處理槽20中，如圖10B所示，可知在被處理襯底W的外周附近的部分Wa～Wc上，容易滯留微粒、反應(yīng)生成物，另外處理液的濃度分布變得不均一，存在均勻性變差的傾向。
其原因雖然有種種推測(cè)，但其主要原因被推定為在被處理襯底W的上部Wa處，由于處理槽內(nèi)的水流不能完全到達(dá)，向左右流失，所以不能得到期望的清洗效果，另外，在被處理襯底的下部Wb處，噴射口的角度過(guò)于向上，水流偏離，使清洗效果減半或消失，還有在被處理襯底的兩側(cè)部Wc處，水流變成渦流，會(huì)在其中心附近產(chǎn)生沉淀。
另外，在圖11所示的記載在上述專利文獻(xiàn)1上的處理槽30中，供給噴嘴管31a～31d，無(wú)論從4個(gè)噴嘴管中的哪一個(gè)供給處理液時(shí)，都只會(huì)產(chǎn)生相同方向的渦流，不會(huì)改變渦流的流動(dòng)方向。因此，處理液滯流的位置基本上是固定的，其滯流處微粒集中，與圖10等相比，不能得到很大的效果。另外，由于在相對(duì)的側(cè)壁面上設(shè)置供給噴嘴管31a～31d，很難從兩側(cè)的供給噴嘴管同時(shí)供給處理液，因此，處理液的供給量被限定，不能提高流速。另外，由于處理槽30的側(cè)壁的高度大致相同，所以要想增加處理液的供給、提高流速，存在處理液從槽內(nèi)向外飛散的可能性。還有，由于在處理槽30的底部形成了排液口，所以很難附設(shè)其他的附屬設(shè)備、例如超音波發(fā)生器等。
還有，如圖12所示的記載在上述專利文獻(xiàn)2上的裝置，產(chǎn)生渦流的處理槽40，其構(gòu)造復(fù)雜，另外如記載在專利文獻(xiàn)3上的裝置，如果在處理槽內(nèi)使襯底旋轉(zhuǎn)，其構(gòu)造更為復(fù)雜，哪一個(gè)使用及維護(hù)等都很麻煩，且不能充分解決上述的問題。
近年來(lái)，要求在這樣的襯底處理裝置中，同時(shí)大量處理大口徑化的襯底。例如同時(shí)大量處理襯底直徑為300mm以上的襯底，例如50個(gè)以上，其處理槽也越來(lái)越大型化，所以在這樣的處理槽中的流速，需要比現(xiàn)有的更快，且為了除去比重較大的異物等，這也需要相當(dāng)?shù)牧魉佟?br> 另一方面，為了確保這樣的流速，需要大量的處理液，處理費(fèi)用增加。
因此，本申請(qǐng)的發(fā)明者著眼于上述各處理槽，哪一個(gè)都在槽內(nèi)形成處理液循環(huán)乃至渦流，進(jìn)一步加速此渦流的流速的同時(shí)，通過(guò)在規(guī)定周期內(nèi)變更其渦流的方向，解決上述課題，完成本發(fā)明。
也就是說(shuō)，本發(fā)明的目的在于，提供一種不在處理槽內(nèi)產(chǎn)生處理液的滯流，可進(jìn)行均一的襯底處理的襯底處理裝置。
另外，本發(fā)明的其他目的在于，在上述目的的基礎(chǔ)上，提供一種容易除去微粒的襯底處理裝置。
用于解決課題的方法(1)為了達(dá)成上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，一種襯底處理裝置，具備四方用側(cè)壁包圍、上部開口的有底的容器組成的處理槽，和供給此處理槽處理液的第1、第2供給噴嘴管，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，分別由中空筒狀體、長(zhǎng)距離方向的側(cè)面按規(guī)定間隔排列成1列的具有多個(gè)噴射口的供給噴嘴管組成，其中第1供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜下方傾斜，第2供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜上方傾斜，在上述處理槽的一側(cè)壁面上以規(guī)定間隔分離，大致呈水平設(shè)置。
(2)另外，在涉及(1)的方式中，上述第1、第2供給噴嘴管，最好分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，上述第1供給噴嘴管和第2供給噴嘴管以規(guī)定間隔分離，交叉地設(shè)置。
(3)另外，在涉及(1)的方式中，上述第1、第2供給噴嘴管，最好分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，其中第1供給噴嘴管，以通過(guò)垂直設(shè)置在上述處理槽內(nèi)的被處理襯底的中心部的水平線為界，位于該水平線的上方，第2供給噴嘴管位于該水平線的下方。
(4)另外，在涉及(1)的方式中，上述第1、第2供給噴嘴管，最好分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，其中第1供給噴嘴管，以通過(guò)垂直設(shè)置在上述處理槽內(nèi)的被處理襯底的中心部的水平線為界，位于該水平線的下方，第2供給噴嘴管位于該水平線的上方。
(5)另外，在涉及(1)的方式中，最好上述第1、第2供給噴嘴管，設(shè)置在上述處理槽的一側(cè)壁面的外側(cè)，排列在側(cè)面上的多個(gè)噴射口，與上述處理槽的內(nèi)側(cè)連通。
(6)另外，在涉及(1)的方式中，上述處理槽，最好按照設(shè)置有上述第1、第2供給噴嘴管的側(cè)壁高、其以外的側(cè)壁低的方式形成內(nèi)槽，在此內(nèi)槽的外周，設(shè)置收容從上述內(nèi)槽溢出的處理液的外槽。
(7)另外，在涉及(6)的方式中，最好在上述低側(cè)壁的上端面上，刻設(shè)多個(gè)切削槽。
(8)另外，在涉及(1)～(7)的方式中，上述處理槽，最好在其底壁的外壁面上安裝超音波發(fā)生器。
(9)另外，在涉及(1)～(7)的方式中，此外，最好具有按照使上述第1、第2供給噴嘴管向上述處理槽，以規(guī)定時(shí)間間隔，交叉切換的進(jìn)行處理液的供給的方式，進(jìn)行控制的控制機(jī)構(gòu)，通過(guò)上述的控制機(jī)構(gòu)，使上述處理槽內(nèi)產(chǎn)生相互不同方向的渦流，通過(guò)此渦流，進(jìn)行襯底的表面處理。
(10)另外，在涉及(8)的方式中，此外，最好具有按照使上述第1、第2供給噴嘴管向上述處理槽，以規(guī)定時(shí)間間隔，交叉切換的進(jìn)行處理液的供給的方式進(jìn)行控制，且控制上述超音波發(fā)生器的控制機(jī)構(gòu)，通過(guò)上述控制機(jī)構(gòu)，使上述處理槽內(nèi)產(chǎn)生相互不同方向的渦流，通過(guò)適宜組合此渦流及從上述超音波發(fā)生器來(lái)的超音波，進(jìn)行襯底的表面處理。
(11)還有，根據(jù)本發(fā)明的其他的方式，一種襯底處理裝置，具備周圍被側(cè)壁包圍、上部開口的有底容器組成的處理槽，和供給此處理槽處理液的第1、第2供給噴嘴管，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，分別由中空筒狀體、長(zhǎng)距離方向的側(cè)面上按規(guī)定間隔至少排列成1列的具有多個(gè)噴射口的供給噴嘴管組成，在上述處理槽的相對(duì)的各側(cè)壁面上以規(guī)定間隔分離，大致呈水平狀設(shè)置，此外，設(shè)置在一側(cè)壁面上的上述第1供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜下方傾斜，同樣地設(shè)置在一側(cè)壁面上的上述第2供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜上方傾斜，設(shè)置在相對(duì)的另一側(cè)壁面上的上述第1供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜上方傾斜，同樣地設(shè)置在相對(duì)的另一側(cè)壁面上的上述第2供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜下方傾斜地被設(shè)置。
(12)另外，在涉及(11)的方式中，上述第1、第2供給噴嘴管，最好分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，上述第1供給噴嘴管和第2供給噴嘴管以規(guī)定間隔分離、交叉設(shè)置。
(13)另外，在涉及(11)的方式中，上述第1、第2供給噴嘴管，最好分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，其中第1供給噴嘴管，以通過(guò)垂直設(shè)置在上述處理槽內(nèi)的被處理襯底的中心部的水平線為界，在一側(cè)面上，位于該水平線的上方，在相對(duì)的另一側(cè)面上，位于該水平線的下方，第2供給噴嘴管，在一側(cè)面上，位于該水平線的下方，在相對(duì)的另一側(cè)面上，位于該水平線的上方。
(14)另外，在涉及(11)的方式中，上述第1、第2供給噴嘴管，最好分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，其中第1供給噴嘴管，以通過(guò)垂直設(shè)置在上述處理槽內(nèi)的被處理襯底的中心部的水平線為界，在一側(cè)面上，位于該水平線的下方，在相對(duì)的另一側(cè)面上，位于該水平線的上方，第2供給噴嘴管，在一側(cè)面上，位于該水平線的上方，在相對(duì)的另一側(cè)面上，位于該水平線的下方。
(15)另外，在涉及(11)的方式中，上述第1、第2供給噴嘴管，最好設(shè)置在上述處理槽的相對(duì)的兩側(cè)壁面的外側(cè)，排列在側(cè)面的多個(gè)噴射口，與上述處理槽的內(nèi)側(cè)連通。
(16)另外，在涉及(11)的方式中，上述處理槽，最好由收容被處理襯底的內(nèi)槽，和在上述內(nèi)槽的外周，用于收容從上述內(nèi)槽溢出的處理液的外槽組成，在上述內(nèi)槽的上端面上，刻設(shè)多個(gè)切削槽。
(17)另外，在涉及(11)～(16)的方式中，上述處理槽，最好在其底壁的外壁面上安裝超音波發(fā)生器。
(18)另外，在涉及(11)～(16)的方式中，此外，最好具有按照使上述第1、第2供給噴嘴管向上述處理槽，以規(guī)定時(shí)間間隔，交叉切換的進(jìn)行處理液的供給的方式，進(jìn)行控制的控制機(jī)構(gòu)，通過(guò)上述的控制機(jī)構(gòu)，使上述處理槽內(nèi)產(chǎn)生相互不同方向的渦流，通過(guò)此渦流，進(jìn)行襯底的表面處理。
(19)另外，在涉及(17)的方式中，此外，最好具有按照使上述第1、第2供給噴嘴管向上述處理槽，以規(guī)定時(shí)間間隔，交叉切換的進(jìn)行處理液的供給的方式進(jìn)行控制，且控制上述超音波發(fā)生器的控制機(jī)構(gòu)，通過(guò)上述控制機(jī)構(gòu)，使上述處理槽內(nèi)產(chǎn)生相互不同方向的渦流，通過(guò)適宜組合此渦流及從上述超音波發(fā)生器來(lái)的超音波，進(jìn)行襯底的表面處理。
發(fā)明效果本發(fā)明通過(guò)具備上述構(gòu)成，起到以下所示的效果。即通過(guò)本發(fā)明的一方式，由于第1供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，斜向下方傾斜，此外，第2供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜上方傾斜，在處理槽的一側(cè)壁面上以規(guī)定間隔、分別水平設(shè)置，所以通過(guò)從第1、第2供給噴嘴管的任意一方供給處理液，都能在處理槽內(nèi)產(chǎn)生順時(shí)針方向及逆時(shí)針方向的任意一種的渦流。
另外，第1、第2供給噴嘴管，由于設(shè)置在處理槽的一側(cè)壁面上，使其產(chǎn)生渦流，所以不像以往技術(shù)那樣，產(chǎn)生處理槽形狀復(fù)雜的問題，可使處理槽構(gòu)造簡(jiǎn)單、制造成本較低。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的推薦實(shí)施形態(tài)，通過(guò)增加供給噴嘴管的個(gè)數(shù)，很容易在處理槽內(nèi)形成不同樣式的渦流，另外可使其流速增大。因此，通過(guò)流速大的渦流，能夠提高處理效率，同時(shí)能夠大量地處理大口徑的襯底。另外，通過(guò)對(duì)第1、第2供給噴嘴管的安裝位置的各種變更，能夠進(jìn)行更理想的襯底的處理。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的推薦實(shí)施形態(tài)，通過(guò)在處理槽側(cè)壁的外側(cè)設(shè)置供給噴嘴管，由于通過(guò)供給噴嘴管阻礙處理槽內(nèi)的處理液的流動(dòng)的情況消失，同時(shí)沒有在處理槽內(nèi)設(shè)置供給噴嘴管，可減少處理槽的容積，因此能夠節(jié)約用于襯底處理的處理液。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的推薦實(shí)施形態(tài)，由于內(nèi)槽的側(cè)壁的其中一面較低，所以從內(nèi)槽溢出的處理液，能夠順利地流到外槽。另外，由于在較高的側(cè)壁面上設(shè)置了供給噴嘴管，所以處理液的分散的情況減少，使其產(chǎn)生渦流。
也就是說(shuō)，渦流從較高側(cè)壁向較低側(cè)壁形成。此時(shí)，從內(nèi)槽溢出的處理液，其大部分流入背低側(cè)壁面的外槽，幾乎沒有流向較高側(cè)壁的情況。這樣，通過(guò)確定流出到外槽的液體的方向，能夠抑制從渦流的旋轉(zhuǎn)方向向渦流的軸方向的流動(dòng)，形成更均一的渦流，可使位于槽中心部的襯底和位于槽端的襯底的差消失。另外，由于能夠阻止從此較高的側(cè)壁部流出的處理液，所以使考慮排液處理的處理槽的設(shè)置變得很容易。另外，通過(guò)在側(cè)壁上端面上設(shè)置多個(gè)切削槽，不會(huì)使從內(nèi)槽溢出的處理液偏于一個(gè)地方，能夠均一地排出，所以處理液從一個(gè)地方向外槽同時(shí)大量流出的情況消失，可防止處理液的分散。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的推薦實(shí)施形態(tài)，在以往技術(shù)中，由于一般在底壁設(shè)置供給噴嘴管等，所以如果在底壁安裝超音波發(fā)生器，供給噴嘴管會(huì)成為超音波的傳播障礙、產(chǎn)生所謂的影，而本發(fā)明通過(guò)在側(cè)壁面上設(shè)置供給噴嘴管，可利用底壁安裝超音波發(fā)生器，高效地向襯底照射超音波。
通過(guò)此超音波發(fā)生器的安裝，在處理槽內(nèi)，對(duì)被處理襯底在處理液引起的化學(xué)的處理基礎(chǔ)上，超音波振動(dòng)引起的物理處理也變得可能，可進(jìn)行高品質(zhì)的處理。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的推薦實(shí)施形態(tài)，通過(guò)從第1、第2供給噴嘴管的任意一方供給處理液，都能使處理槽內(nèi)產(chǎn)生順時(shí)針方向及逆時(shí)針方向的任意一種的渦流。
另外，通過(guò)以規(guī)定周期切換進(jìn)行從第1、第2供給噴嘴管的處理液的供給，能夠使處理槽內(nèi)的處理液的渦流的方向交叉地變換。
其結(jié)果是通過(guò)這些渦流，處理槽內(nèi)的處理液的滯流消失，能夠進(jìn)行高效、均一的襯底的處理。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的推薦實(shí)施形態(tài)，對(duì)被處理襯底在處理液引起的化學(xué)處理的基礎(chǔ)上，超音波振動(dòng)引起的物理的處理也變得可能，通過(guò)組合這些處理，能夠進(jìn)行更高品質(zhì)的處理。
還有，通過(guò)本發(fā)明的其他實(shí)施形態(tài)，由于設(shè)置在一側(cè)壁面上的第1供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜下方傾斜，同樣地設(shè)置在一側(cè)壁面上的第2供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜上方傾斜，設(shè)置在其他側(cè)壁面上的第1供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜上方傾斜，同樣地設(shè)置在其他側(cè)壁面上的第2供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜下方傾斜，在處理槽的對(duì)面的兩側(cè)壁面上，以規(guī)定間隔分離，分別設(shè)置呈水平狀，所以通過(guò)從設(shè)置在兩側(cè)壁面上的第1、第2供給噴嘴管中的一方供給處理液，都能使處理槽內(nèi)產(chǎn)生順時(shí)針方向及逆時(shí)針方向的任意一種渦流。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的推薦實(shí)施形態(tài)，通過(guò)增加供給噴嘴管的個(gè)數(shù)，很容易在處理槽內(nèi)形成不同樣式的渦流，另外可以使其流速增大。因此，通過(guò)這樣流速較快的渦流，能夠提高處理效率，同時(shí)也能夠大量地處理大口徑的襯底。另外，通過(guò)對(duì)第1、第2供給噴嘴管的安裝位置的各種變換，能夠進(jìn)行更理想的襯底的處理。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的其他推薦實(shí)施形態(tài)，通過(guò)在處理槽側(cè)壁的外側(cè)設(shè)置供給噴嘴管，由于因供給噴嘴管阻礙處理槽內(nèi)的處理液的流動(dòng)的情況消失，同時(shí)沒有在處理槽內(nèi)設(shè)置供給噴嘴管，可減少處理槽的容積，因此能夠節(jié)約用于襯底處理的處理液。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的其他推薦實(shí)施形態(tài)，處理槽由內(nèi)槽和外槽構(gòu)成，通過(guò)在內(nèi)槽的上端面上設(shè)置多個(gè)切削槽，從內(nèi)槽溢出的處理液不會(huì)偏于一個(gè)地方，能夠均一地排出，所以處理液從一個(gè)地方向外槽同時(shí)大量流出的情況消失，可防止溢出時(shí)的處理液的分散。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的其他推薦實(shí)施形態(tài)，在以往技術(shù)中，由于一般在底壁設(shè)置供給噴嘴管等，所以如果在底壁安裝超音波發(fā)生器，供給噴嘴管會(huì)成為超音波的傳播障礙、產(chǎn)生所謂的影，而本發(fā)明通過(guò)在側(cè)壁面上設(shè)置供給噴嘴管，可利用底壁安裝超音波發(fā)生器。
通過(guò)此超音波發(fā)生器的安裝，在處理槽內(nèi)，對(duì)被處理襯底在處理液引起的化學(xué)處理的基礎(chǔ)上，超音波振動(dòng)引起的物理處理也變得可能，可進(jìn)行高品質(zhì)的處理。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的其他推薦實(shí)施形態(tài)，由于從設(shè)置在兩側(cè)壁面上的第1、第2供給噴嘴管供給處理液，可使處理槽內(nèi)產(chǎn)生順時(shí)針方向及逆時(shí)針方向的任意一種渦流。
另外，通過(guò)以規(guī)定周期切換進(jìn)行從第1、第2供給噴嘴管的處理液的供給，可使處理槽內(nèi)的處理液的渦流的方向交叉變換。
其結(jié)果是通過(guò)這些渦流，處理槽內(nèi)的處理液的滯流消失，能夠進(jìn)行高效、均一的襯底的處理。
另外，根據(jù)涉及本發(fā)明的其他推薦實(shí)施形態(tài)，對(duì)被處理襯底在處理液引起的化學(xué)處理的基礎(chǔ)上，超音波振動(dòng)引起的物理處理也變得可能，通過(guò)組合這些處理，能夠進(jìn)行更高品質(zhì)的處理。


圖1是表示關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例1的襯底處理裝置中使用的處理槽，圖1A是側(cè)截面圖，圖1B是上面圖。
圖2是設(shè)置在圖1的處理槽內(nèi)的供給噴嘴管的側(cè)面圖。
圖3是表示從各供給噴嘴管供給的處理液的噴射方向的一種實(shí)施形態(tài)的說(shuō)明圖。
圖4是說(shuō)明處理槽內(nèi)的處理液的流向的截面圖。
圖5是表示從各供給噴嘴管供給的處理液的噴射方向的變更例的說(shuō)明圖。
圖6是表示涉及本發(fā)明的實(shí)施例2的襯底處理裝置中使用的處理槽，圖6A是側(cè)截面圖，圖6B是上面圖。
圖7是表示從各供給噴嘴管供給的處理液的噴射方向的一種實(shí)施形態(tài)及變更例的說(shuō)明圖。
圖8是表示從各供給噴嘴管供給的處理液的噴射方向的其他變更例的說(shuō)明圖。
圖9是在公知的襯底處理裝置中使用的處理槽的截面圖。
圖10是說(shuō)明圖9的襯底處理裝置的圖，圖10A是表示在處理槽內(nèi)形成的流路的圖，圖10B是表示由此襯底處理裝置進(jìn)行處理了的襯底的圖。
圖11是在先行技術(shù)的襯底處理裝置中使用的處理槽的截面圖。
圖12是在先行技術(shù)的襯底處理裝置中使用的處理槽的截面圖。
圖中符號(hào)說(shuō)明1、1A-處理槽2-內(nèi)槽2a-底壁2b～2e-側(cè)壁3-外槽4-(V字狀的)切削槽
5-排液口6-容器7-超音波發(fā)生器10a～10d-供給噴嘴管10a’～10d’-供給噴嘴管11-噴射口具體實(shí)施方式
以下，參照

本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。但以下所示的實(shí)施方式，是為了具體化本發(fā)明的技術(shù)思想的襯底處理裝置的例示，但并不將本發(fā)明特定于此襯底處理裝置，包含在權(quán)利要求范圍內(nèi)的其他的實(shí)施方式也可同樣地適用。
實(shí)施例1圖1是表示關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例1的襯底處理裝置中使用的處理槽，圖1A是側(cè)截面圖，圖1B是上面圖，圖2是設(shè)置在圖1的處理槽內(nèi)的供給噴嘴管的側(cè)面圖，圖3是表示從各供給噴嘴管供給的處理液的噴射方向的一種實(shí)施形態(tài)的說(shuō)明圖，圖4是說(shuō)明處理槽內(nèi)的處理液的流向的說(shuō)明圖，圖5是表示從各供給噴嘴管供給的處理液的噴射方向的變更例的說(shuō)明圖。
此襯底處理裝置，具備例如半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用襯底、記錄磁盤用襯底、或能用1個(gè)槽進(jìn)行掩膜用襯底的各種襯底的表面處理到藥液及清洗的一連串處理的處理槽1。以下，以各種襯底為代表，針對(duì)半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)進(jìn)行說(shuō)明。另外，在以下的說(shuō)明中，用語(yǔ)“處理液”，作為包含進(jìn)行浸蝕處理晶片表面等的藥液及進(jìn)行上述藥液的清洗的清洗液的統(tǒng)稱，進(jìn)行描述。
此處理槽1，如圖1所示，具有大約四角形的底壁2a，和從此底壁2a的外周立設(shè)的、圍成四方的側(cè)壁2b～2e。在上部開口的箱狀容器內(nèi)，形成內(nèi)槽2，在此內(nèi)槽2的外周，具有以規(guī)定寬度、形成具有用側(cè)壁3b～3e包圍的底壁3a的外槽3。
在各側(cè)壁2b～2e中，設(shè)置后述的供給噴嘴管的側(cè)壁2b，與對(duì)面的側(cè)壁2c相比較高，相對(duì)的側(cè)壁2b、2c的兩側(cè)端，用側(cè)壁2d、2e連接。因此，各側(cè)壁2d、2e的上端部，從較高的側(cè)壁2b，向較低的側(cè)壁2c傾斜。
另外，各側(cè)壁2b～2e之中，在較高的側(cè)壁2b以外的側(cè)壁2c～2e上，如圖1B所示，于上端部形成多個(gè)V字狀的凹口槽4。通過(guò)設(shè)置此凹口槽4，從內(nèi)槽2溢出的處理液，不會(huì)外流而被收容到外槽3內(nèi)，不會(huì)向外部分散。
另外，在處理槽1的底壁2a和側(cè)壁2c的連接部上，形成排液口5，此排液口5通過(guò)配管連接到排液處理設(shè)備上(圖示省略)。
在處理槽1的底部2a上，通過(guò)底淺的箱狀容器6，安裝超音波發(fā)生器7。
箱狀容器6，由具有比內(nèi)槽2的底壁面寬一些的底壁6a和較低的側(cè)壁6b～6e的物件構(gòu)成，在內(nèi)槽2的底壁面和容器6的底部之間設(shè)置一些間隙，安裝在內(nèi)槽2中。在此容器6中貯留超音波傳遞媒體例如水。另外，超音波發(fā)生器7，使用產(chǎn)生規(guī)定頻率、例如10KHz～數(shù)MHz的發(fā)生器。
通過(guò)在處理槽1的底部2a上安裝超音波發(fā)生器7，由發(fā)生器放射的超音波，通過(guò)水及內(nèi)槽2的底部2a，向處理液傳遞。而且，此超音波使處理液振動(dòng)，向晶片表面作用物理力，除去附著在晶片表面的異物、污染物質(zhì)等微粒。
另外，在較高的側(cè)壁2b的內(nèi)側(cè)上，由管狀筒管組成的多個(gè)(圖中4個(gè))供給噴嘴管10a～10d，以規(guī)定的間隔被呈水平狀安裝。此4個(gè)供給噴嘴管10a～10d，如圖2所示那樣，分別在1個(gè)筒管上，由多個(gè)孔組成的處理液噴射口11以規(guī)定間距形成1列，具有相同的形狀。另外，各供給噴嘴管10a～10d，使用例如在直徑20mm的筒管上以5mm間隔設(shè)置的直徑1.2mm的孔(噴射口)的物件。
而且，在本實(shí)施例中，在側(cè)壁2b的內(nèi)槽上安裝了供給噴嘴管10a～10d，但也可將其安裝在側(cè)壁2b的外側(cè)，只將噴射口11連通到內(nèi)槽2上。如上設(shè)置，供給噴嘴管10a～10d自身形成于內(nèi)槽2內(nèi)的渦流的阻礙消失，同時(shí)沒必要在內(nèi)槽2內(nèi)設(shè)置安裝供給噴嘴管的空間，能夠縮小內(nèi)槽2的容量，因此能夠削減處理液的使用量。
4個(gè)供給噴嘴管10a～10d，各個(gè)噴射口11朝向規(guī)定方向，面向側(cè)壁2b，以大約等間隔大約呈水平狀設(shè)置。例如，使設(shè)置在最上段的供給噴嘴管10a的噴射口11，如圖2A所示，相對(duì)于水平線向上方傾斜5°，使設(shè)置在供給噴嘴管10a的下方的供給噴嘴管10b的噴射口11，如圖2B所示，相對(duì)于水平線向下方傾斜20°，另外，使設(shè)置在供給噴嘴管10b的下方的供給噴嘴管10c的噴射口11，如圖2C所示，相對(duì)于水平線向上方傾斜20°、使設(shè)置在供給噴嘴管10c的下方的最下段的供給噴嘴管10d的噴射口11，如圖2D所示，相對(duì)于水平線向下方傾斜5°，在較高的側(cè)壁2b的面上，以規(guī)定間隔呈水平設(shè)置。由此，在供給噴嘴管10a～10d中，被朝向上方設(shè)置了噴射口的2個(gè)第2供給噴嘴管10a、10c(圖中從上方看第奇數(shù)段的供給噴嘴管)和被朝向下方設(shè)置了噴射口的2個(gè)第1供給噴嘴管10b、10d(圖中從上方看第偶數(shù)段的供給噴嘴管)被交叉地設(shè)置。
因此，在4個(gè)供給噴嘴管10a～10d中，通過(guò)使位于奇數(shù)段的第2供給噴嘴管10a、10c的噴射口11相對(duì)于水平線向上方傾斜規(guī)定角度設(shè)置，另外，使位于偶數(shù)段的第1供給噴嘴管10b、10d的噴射口11相對(duì)于水平線向下方傾斜規(guī)定角度設(shè)置，如果向第1或第2供給噴嘴管供給處理液，則能使內(nèi)槽2內(nèi)產(chǎn)生逆時(shí)針方向或順時(shí)針方向的渦流。
各供給噴嘴管10a～10d，通過(guò)閥由配管連接到處理液供給源，向各供給噴嘴管的處理液的供給，通過(guò)控制機(jī)構(gòu)(圖示省略)，由閥(圖示省略)的開閉控制其實(shí)行。
在此處理槽中，進(jìn)行由各種藥液引起的附著在晶片上的污染物質(zhì)的除去、氧化膜的浸蝕處理、保護(hù)膜的剝離處理及利用清洗液進(jìn)行的清洗處理。
上述各種藥液，在浸蝕處理中，例如使用氟酸，另外在保護(hù)膜的剝離處理中，使用將臭氧溶解于純水的臭氧水、包含臭氧水和碳?xì)溻c等重碳離子添加物的混合物、硫酸和過(guò)氧化氫的混合液、硫酸和臭氧的混合液。此外，上述清洗液使用純水。因此，各供給噴嘴管，連接到這些藥液供給源及清洗液供給源上，供給各種處理液。
以下，參照?qǐng)D3、圖4，說(shuō)明從各供給噴嘴管10a～10d向處理槽內(nèi)供給處理液，通過(guò)渦流，進(jìn)行晶片表面處理的方法。
I、處理液供給引起的處理在4個(gè)供給噴嘴管10a～10d中，從偶數(shù)段的2個(gè)第1供給噴嘴管10b、10d和奇數(shù)段的2個(gè)第2供給噴嘴管10a、10c，交互地供給處理液。
(i)從第1供給噴嘴管10b、10d來(lái)的處理液供給首先，如圖3A所示，從位于偶數(shù)段的2根第1供給噴嘴管10b、10d，向內(nèi)槽2內(nèi)供給處理液。于是，供給噴嘴管10b的噴射口11相對(duì)于水平方向向下方傾斜20°、供給噴嘴管10d的噴射口11相對(duì)于水平方向向下方傾斜5°，所以在內(nèi)槽2內(nèi)，如圖4A所示，產(chǎn)生逆時(shí)針方向的渦流A。此渦流A，具有規(guī)定的流速，通過(guò)此逆時(shí)針方向的渦流，進(jìn)行晶片W的表面處理。
(ii)從第2供給噴嘴管10a、10c來(lái)的處理液供給接著，從第1供給噴嘴管10b、10d的處理液的供給例如持續(xù)10秒后，停止此處理液的供給，從位于奇數(shù)段的2個(gè)第2供給噴嘴管10a、10c供給處理液。于是，供給噴嘴管10a的噴射口11相對(duì)于水平方向向上方傾斜5°、供給噴嘴管10c的噴射口11，相對(duì)于水平方向向上方傾斜20°，所以利用從第2供給噴嘴管10a、10c供給的處理液，內(nèi)槽2內(nèi)的渦流，變?yōu)轫槙r(shí)針方向旋轉(zhuǎn)的渦流(參照?qǐng)D4C符號(hào)F)。
此時(shí)，從第2供給噴嘴管10a、10c來(lái)的向上的噴射，受第1供給噴嘴管10b、10d生成的逆時(shí)針方向的渦流A’(殘存渦流)的影響，從第2供給噴嘴管10a、10c的供給后不久，變?yōu)橄蛳碌膰娚?參照?qǐng)D4B符號(hào)B)。此狀態(tài)持續(xù)數(shù)秒，之后，此噴射的流向變化，慢慢地轉(zhuǎn)為向上(參照?qǐng)D4B符號(hào)C～E)、形成順時(shí)針方向的渦流F。由此，如果流向慢慢變化，同時(shí)滯流部(圖示省略)也會(huì)慢慢移動(dòng)。因此，容易附著微粒的滯流部1不會(huì)停留在1個(gè)地方，所以能夠防止微粒的附著。
(iii)上述(i)、(ii)的切換供給之后，切換上述(i)、(ii)的供給，從順時(shí)針方向的渦流F重復(fù)到逆時(shí)針方向的渦流A、再到渦流F的切換，并間隔規(guī)定的時(shí)間例如進(jìn)行1分鐘。
根據(jù)此方法，利用略長(zhǎng)于1分鐘的清洗，能夠使晶片W表面不滯留微粒、反應(yīng)性生物，進(jìn)行高效清洗。
上述4個(gè)供給噴嘴管10a～10d，第1、第2供給噴嘴管從上方向下方交互地設(shè)置，也可變更其角度及順序，使槽內(nèi)產(chǎn)生規(guī)定方向的渦流來(lái)進(jìn)行處理。
以下，針對(duì)變更安裝在處理槽內(nèi)的第1、第2供給噴嘴的安裝位置及安裝方向的襯底處理裝置，進(jìn)行說(shuō)明。圖5是表示各供給噴嘴的安裝位置的變更例的說(shuō)明圖。
首先，在圖5A所示的變更例中，4個(gè)供給噴嘴管10a～10d，如以下所述分別變換其噴射口角度，設(shè)置在較高的側(cè)壁2b上。
在內(nèi)槽上段鄰接的2個(gè)供給噴嘴管10a、10b，相對(duì)于水平線分別向上方傾斜5°、20°，同樣地在下段鄰接的2個(gè)供給噴嘴管10c、10d，相對(duì)于水平線分別向下方傾斜20°、5°。即，以上段鄰接的2個(gè)供給噴嘴管10a、10b為第2供給噴嘴管，以下段鄰接的2個(gè)供給噴嘴管10c、10d為第1供給噴嘴管。而且，向每個(gè)上述第1、第2供給噴嘴管供給處理液，使內(nèi)槽2內(nèi)產(chǎn)生渦流，進(jìn)行晶片W的表面處理及清洗等。
另外，如圖5B所示的變更例，在內(nèi)槽上段鄰接的2個(gè)供給噴嘴管10a、10b，相對(duì)于水平線分別向下方傾斜45°、40°，同樣地在下段鄰接的2個(gè)供給噴嘴管10c、10d，相對(duì)于水平線分別向上方傾斜40°、45°。即，以上段鄰接的2個(gè)供給噴嘴管10a、10b為第1供給噴嘴管，以下段鄰接的2個(gè)供給噴嘴管10c、10d為第2供給噴嘴管。而且，向每個(gè)上述第1、第2供給噴嘴管供給處理液，使內(nèi)槽2內(nèi)產(chǎn)生渦流，進(jìn)行晶片W的表面處理及清洗等。
還有，供給噴嘴管的個(gè)數(shù)及安裝時(shí)的噴射口的角度，并不限定于上述所述，可選擇任意的個(gè)數(shù)及角度。
II、超音波引起的處理下面，針對(duì)由超音波引起的襯底的表面處理進(jìn)行說(shuō)明。
此處理，首先使超音波發(fā)生器7動(dòng)作。于是，由此發(fā)生器7放射的超音波，透過(guò)容器6內(nèi)的水及內(nèi)槽2的底部2a，傳遞給處理液，使處理液振動(dòng)。通過(guò)此處理液的振動(dòng)，向晶片W表面實(shí)施物理力作用的處理。在本實(shí)施例中，此超音波處理，向處理槽內(nèi)供給氨及過(guò)氧化氫，在附著在晶片W上的異物、污染物質(zhì)等的微粒除去處理、及各種藥液引起的處理結(jié)束后的最終的清洗工程中，最好和上述I的工程同時(shí)進(jìn)行。
通過(guò)進(jìn)行上述的處理，在處理液引起的化學(xué)處理的基礎(chǔ)上，由超音波振動(dòng)引起的物理處理也變得可能，通過(guò)組合這些處理，能夠?qū)崿F(xiàn)更高品質(zhì)的襯底處理。
實(shí)施例2
在上述實(shí)施例1的襯底處理裝置中，在內(nèi)槽的一側(cè)面上設(shè)置了多個(gè)供給噴嘴管，也可在相對(duì)的兩側(cè)壁上設(shè)置多個(gè)供給噴嘴管。
圖6是表示關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施例2的襯底處理裝置中使用的處理槽，圖6A是側(cè)截面圖，圖6B是上面圖，圖7、圖8表示從各供給噴嘴管供給的處理液的噴射方向的說(shuō)明圖。
此處理槽1A，具備和實(shí)施例1的處理槽1共同的構(gòu)成，共同的部分附以相同符號(hào)，引用其說(shuō)明，省略重復(fù)說(shuō)明，針對(duì)主要不同的構(gòu)成進(jìn)行詳述。
處理槽1A，如圖6所示，構(gòu)成內(nèi)槽2的各側(cè)壁2b’～2e’的高度被形成相同高度、垂直收容于內(nèi)槽2的晶片W表面、在相對(duì)的側(cè)壁2b’、2c’上，分別安裝多個(gè)(圖中兩側(cè)壁各4個(gè))供給噴嘴管10a～10d、10a’～10d’。而且，安裝在各側(cè)壁2b’、2c’上的供給噴嘴管10a～10d、10a’～10d’，其噴射口朝向內(nèi)槽的內(nèi)側(cè)，朝向規(guī)定方向被安裝。例如，如圖7所示，在相對(duì)的一側(cè)壁2b’上，位于奇數(shù)段的2個(gè)供給噴嘴管10a、10c，相對(duì)于水平方向向上方傾斜5°、20°、位于偶數(shù)段的供給噴嘴管10b、10d相對(duì)于水平方向分別向下方傾斜20°、5°設(shè)置。另外，在相對(duì)的另一側(cè)壁2c’上，同樣地位于奇數(shù)段的2個(gè)供給噴嘴管10a’、10c’，相對(duì)于水平方向向上方傾斜5°、20°、位于偶數(shù)段的供給噴嘴管10b’、10d’相對(duì)于水平方向分別向下方傾斜20°、5°設(shè)置。
因此，在各側(cè)壁2b’、2c’上，分別將各噴射口的角度設(shè)定為上述的角度，由于使4個(gè)供給噴嘴管10a～10d、10a’～10d’相互相對(duì)，進(jìn)行安裝，各4個(gè)供給噴嘴管10a～10d和10a’～10d’，對(duì)于相對(duì)的側(cè)壁中間的垂直線來(lái)說(shuō)，被設(shè)置成左右對(duì)稱。
各側(cè)壁2b’、2c’的4個(gè)供給噴嘴管10a～10d、10a’～10d’，如圖7A所示，以位于側(cè)壁2b’的偶數(shù)段的2個(gè)供給噴嘴管10b、10d及位于側(cè)壁2c’奇數(shù)段的2個(gè)供給噴嘴管10a’、10c’為第1供給噴嘴管，使處理液的供給時(shí)間同步，同樣地以位于側(cè)壁2b’的奇數(shù)段的2個(gè)供給噴嘴管10a、10c及位于側(cè)壁2c’偶數(shù)段的2個(gè)供給噴嘴管10b’、10d’為第2供給噴嘴管，使處理液的供給時(shí)間同步，通過(guò)供給處理液，在內(nèi)槽2內(nèi)產(chǎn)生渦流。具體的，例如首先從第2供給噴嘴管10a、10c、10b’、10d’，同時(shí)供給規(guī)定時(shí)間的處理液，使內(nèi)槽內(nèi)產(chǎn)生順時(shí)針方向的渦流，在規(guī)定時(shí)間后，停止從上述第2供給噴嘴管的供給，接著從第1供給噴嘴管10b、10d及供給噴嘴管10a’、10c’，同時(shí)供給處理液，使內(nèi)槽內(nèi)產(chǎn)生逆時(shí)針方向的渦流。而且，通過(guò)多次進(jìn)行上述供給噴嘴管的切換，晶片W的處理被良好地實(shí)行。根據(jù)上述，和實(shí)施例1相同，流向慢慢地變化，容易附著微粒的滯流部也慢慢地移動(dòng)。由此，滯流部不會(huì)停留在1個(gè)地方，能夠防止微粒的附著。
在本實(shí)施例中，并不限定于如上所述的供給噴嘴管及處理液的供給角度，可進(jìn)行各種地變更。以下說(shuō)明設(shè)置于本實(shí)施例的襯底處理裝置中的供給噴嘴管的變更例。
首先，在圖7B所示的變更例中，在相對(duì)的一側(cè)壁2b’上，位于上段的2個(gè)供給噴嘴管10a、10b，相對(duì)于水平方向分別向上方傾斜5°、20°，位于下段的供給噴嘴管10d、10d，相對(duì)于水平方向分別向下方傾斜20°、5°設(shè)置，在相對(duì)的其他的側(cè)壁2c’上，同樣地上段的2個(gè)供給噴嘴管10a’、10b’相對(duì)于水平方向分別向上方傾斜5°、20°，下段的2個(gè)供給噴嘴管10c’、10d’相對(duì)于水平方向分別向下方傾斜20°、5°設(shè)置。
而且，各側(cè)壁的4個(gè)供給噴嘴管10a～10d、10a’～10d’，如圖7B所示，以位于側(cè)壁2b’的下段的2個(gè)供給噴嘴管10c、10d及位于側(cè)壁2c’的上段的2個(gè)供給噴嘴管10a’、10b’為第1供給噴嘴管，使處理液的供給時(shí)間同步，同樣地以位于側(cè)壁2b’的上段的2個(gè)供給噴嘴管10a、10b及位于側(cè)壁2c’的下段的2個(gè)供給噴嘴管10c’、10d’為第2供給噴嘴管，使處理液的供給時(shí)間同步，通過(guò)供給處理液，使內(nèi)槽2內(nèi)產(chǎn)生渦流。具體的，例如首先從第2供給噴嘴管10a、10b、10c’、10d’，同時(shí)供給規(guī)定時(shí)間的處理液，使內(nèi)槽內(nèi)產(chǎn)生順時(shí)針方向的渦流，規(guī)定時(shí)間后，停止從第2供給噴嘴管的供給，從第1供給噴嘴管10c、10d、10a’、10b’同時(shí)供給處理液，使內(nèi)槽內(nèi)產(chǎn)生逆時(shí)針方向的渦流。而且，通過(guò)多次進(jìn)行上述的供給噴嘴管的切換，晶片W的處理被良好地實(shí)行。
此外，圖8所示的其他的變更例中，在相對(duì)的一側(cè)壁2b’上，位于上段的2個(gè)供給噴嘴管10a、10b，相對(duì)于水平方向分別向下方傾斜45°、40°，位于下段的2個(gè)供給噴嘴管10c、10d，相對(duì)于水平方向分別向上方傾斜40°、45°設(shè)置，在對(duì)面的其他的側(cè)壁2c’上，同樣地上段的2個(gè)供給噴嘴管10a’、10b’，相對(duì)于水平方向分別向下方傾斜45°、40°，下段的2個(gè)供給噴嘴管10c’、10d’，相對(duì)于水平方向分別向上方傾斜40°、45°設(shè)置。
而且，各側(cè)壁的4個(gè)供給噴嘴管10a～10d、10a’～10d’，如圖8所示，以位于側(cè)壁2b’的上段的2個(gè)供給噴嘴管10a、10b及位于側(cè)壁2c’的下段的2個(gè)供給噴嘴管10c’、10d’為第1供給噴嘴管，使處理液的供給時(shí)間同步，同樣地以位于側(cè)壁2b’的下段的2個(gè)供給噴嘴管10c、10d及位于側(cè)壁2c’的上段的2個(gè)供給噴嘴管10a’、10b’為第2供給噴嘴管，使處理液的供給時(shí)間同步，通過(guò)供給處理液，使內(nèi)槽2內(nèi)產(chǎn)生渦流。具體的，例如首先從第2供給噴嘴管10c、10d、10a’、10b’，同時(shí)供給規(guī)定時(shí)間的處理液，使內(nèi)槽內(nèi)產(chǎn)生順時(shí)針方向的渦流，規(guī)定時(shí)間后，停止從第2供給噴嘴管的供給，從第1供給噴嘴管10a、10b、10c’、10d’同時(shí)供給處理液，使內(nèi)槽內(nèi)產(chǎn)生逆時(shí)針方向的渦流。而且，通過(guò)多次進(jìn)行上述的供給噴嘴管的切換，晶片W的處理可以良好地進(jìn)行，獲得防止微粒附著的效果。
還有，供給噴嘴管的個(gè)數(shù)及安裝時(shí)的噴射口的角度并不限定于上述的個(gè)數(shù)及角度，也可選擇任意的個(gè)數(shù)及角度。
權(quán)利要求
1.一種襯底處理裝置，具備四方用側(cè)壁包圍、上部開口的有底的容器組成的處理槽，和供給此處理槽處理液的第1、第2供給噴嘴管，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，分別由中空筒狀體、長(zhǎng)距離方向的側(cè)面按規(guī)定間隔排列成1列的具有多個(gè)噴射口的供給噴嘴管組成，其中第1供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜下方傾斜，第2供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜上方傾斜，在上述處理槽的一側(cè)壁面上以規(guī)定間隔分離，大致呈水平設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，上述第1供給噴嘴管和第2供給噴嘴管以規(guī)定間隔分離，交叉地設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，其中第1供給噴嘴管，以通過(guò)垂直設(shè)置在上述處理槽內(nèi)的被處理襯底的中心部的水平線為界，位于該水平線的上方，第2供給噴嘴管位于該水平線的下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，其中第1供給噴嘴管，以通過(guò)垂直設(shè)置在上述處理槽內(nèi)的被處理襯底的中心部的水平線為界，位于該水平線的下方，第2供給噴嘴管位于該水平線的上方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，設(shè)置在上述處理槽的一側(cè)壁面的外側(cè)，排列在側(cè)面上的多個(gè)噴射口，與上述處理槽的內(nèi)側(cè)連通。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其特征在于，在上述處理槽中，按照設(shè)置有上述第1、第2供給噴嘴管的側(cè)壁高、其以外的側(cè)壁低的方式形成內(nèi)槽，在此內(nèi)槽的外周，設(shè)置收容從上述內(nèi)槽溢出的處理液的外槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底處理裝置，其特征在于，在上述低側(cè)壁的上端面上，刻設(shè)多個(gè)切削槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任意一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述處理槽，在其底壁的外壁面上安裝超音波發(fā)生器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～7任意一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，其特征在于，具有按照使上述第1、第2供給噴嘴管向上述處理槽，以規(guī)定時(shí)間間隔，交叉切換的進(jìn)行處理液的供給的方式，進(jìn)行控制的控制機(jī)構(gòu)，通過(guò)上述的控制機(jī)構(gòu)，使上述處理槽內(nèi)產(chǎn)生相互不同方向的渦流，通過(guò)此渦流，進(jìn)行襯底的表面處理。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底處理裝置，其特征在于，具有按照使上述第1、第2供給噴嘴管向上述處理槽，以規(guī)定時(shí)間間隔，交叉切換的進(jìn)行處理液的供給的方式進(jìn)行控制，且控制上述超音波發(fā)生器的控制機(jī)構(gòu)，通過(guò)上述控制機(jī)構(gòu)，使上述處理槽內(nèi)產(chǎn)生相互不同方向的渦流，通過(guò)適宜組合此渦流及從上述超音波發(fā)生器來(lái)的超音波，進(jìn)行襯底的表面處理。
11.一種襯底處理裝置，具備周圍被側(cè)壁包圍、上部開口的有底容器組成的處理槽，和供給此處理槽處理液的第1、第2供給噴嘴管，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，分別由中空筒狀體、長(zhǎng)距離方向的側(cè)面上按規(guī)定間隔至少排列成1列的具有多個(gè)噴射口的供給噴嘴管組成，在上述處理槽的相對(duì)的各側(cè)壁面上以規(guī)定間隔分離，大致呈水平狀設(shè)置，此外，設(shè)置在一側(cè)壁面上的上述第1供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜下方傾斜，同樣地設(shè)置在一側(cè)壁面上的上述第2供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜上方傾斜，設(shè)置在相對(duì)的另一側(cè)壁面上的上述第1供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜上方傾斜，同樣地設(shè)置在相對(duì)的另一側(cè)壁面上的上述第2供給噴嘴管，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度，向斜下方傾斜地被設(shè)置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，上述第1供給噴嘴管和第2供給噴嘴管以規(guī)定間隔分離、交叉設(shè)置。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，其中第1供給噴嘴管，以通過(guò)垂直設(shè)置在上述處理槽內(nèi)的被處理襯底的中心部的水平線為界，在一側(cè)面上，位于該水平線的上方，在相對(duì)的另一側(cè)面上，位于該水平線的下方，第2供給噴嘴管，在一側(cè)面上，位于該水平線的下方，在相對(duì)的另一側(cè)面上，位于該水平線的上方。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，分別由多個(gè)供給噴嘴管構(gòu)成，其中第1供給噴嘴管，以通過(guò)垂直設(shè)置在上述處理槽內(nèi)的被處理襯底的中心部的水平線為界，在一側(cè)面上，位于該水平線的下方，在相對(duì)的另一側(cè)面上，位于該水平線的上方，第2供給噴嘴管，在一側(cè)面上，位于該水平線的上方，在相對(duì)的另一側(cè)面上，位于該水平線的下方。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管，設(shè)置在上述處理槽的相對(duì)的兩側(cè)壁面的外側(cè)，排列在側(cè)面的多個(gè)噴射口，與上述處理槽的內(nèi)側(cè)連通。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述處理槽，由收容被處理襯底的內(nèi)槽，和在上述內(nèi)槽的外周，用于收容從上述內(nèi)槽溢出的處理液的外槽組成，在上述內(nèi)槽的上端面上，刻設(shè)多個(gè)切削槽。
17.根據(jù)權(quán)利要求11～16任意一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，其特征在于，上述處理槽，在其底壁的外壁面上安裝超音波發(fā)生器。
18.根據(jù)權(quán)利要求11～16任意一項(xiàng)所述的襯底處理裝置，其特征在于，具有按照使上述第1、第2供給噴嘴管向上述處理槽，以規(guī)定時(shí)間間隔，交叉切換的進(jìn)行處理液的供給的方式，進(jìn)行控制的控制機(jī)構(gòu)，通過(guò)上述的控制機(jī)構(gòu)，使上述處理槽內(nèi)產(chǎn)生相互不同方向的渦流，通過(guò)此渦流，進(jìn)行襯底的表面處理。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的襯底處理裝置，其特征在于，具有按照使上述第1、第2供給噴嘴管向上述處理槽，以規(guī)定時(shí)間間隔，交叉切換的進(jìn)行處理液的供給的方式進(jìn)行控制，且控制上述超音波發(fā)生器的控制機(jī)構(gòu)，通過(guò)上述控制機(jī)構(gòu)，使上述處理槽內(nèi)產(chǎn)生相互不同方向的渦流，通過(guò)適宜組合此渦流及從上述超音波發(fā)生器來(lái)的超音波，進(jìn)行襯底的表面處理。
全文摘要
一種襯底處理裝置，具備四方用側(cè)壁(2b～2e)包圍、上部開口的有底的容器組成的處理槽(1)，和供給此處理槽(1)處理液的第1、第2供給噴嘴管(10a～10d)，其特征在于，上述第1、第2供給噴嘴管(10a～10d)，分別由中空筒狀體、在長(zhǎng)方向的側(cè)面上以規(guī)定間隔排列成1列的具有多個(gè)噴射口(11)的供給噴嘴管組成，其中第1供給噴嘴管(10b、10d)，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度傾斜，向下方傾斜，第2供給噴嘴管(10a、10c)，使其噴射口相對(duì)于水平方向以規(guī)定角度傾斜，向上方傾斜，在上述處理槽的一側(cè)壁面(2b)上空開規(guī)定間隔，設(shè)置成大致水平。本發(fā)明提供一種使處理槽內(nèi)的處理液不滯流、能夠進(jìn)行均一的襯底的處理，還極易除去微粒的襯底處理裝置。
文檔編號(hào)G03F7/30GK101061574SQ20058003440
公開日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2005年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月7日
發(fā)明者木澤浩, 古賀貴博, 中務(wù)勝吉, 小笠原和久, 山口弘 申請(qǐng)人:S.E.S.株式會(huì)社