專利名稱：利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子學(xué)與納米電子學(xué)中的微納加工領(lǐng)域，特別涉及一種納米壓印模版的制備，可應(yīng)用于包括熱壓印及紫外固化壓印等納米成形技術(shù)。
背景技術(shù)：
納米壓印是一種今年來興起的納米加工技術(shù)，與傳統(tǒng)的光學(xué)光刻相比，具有分辨率極高等特點(diǎn)，而與電子束光刻等高分辨率技術(shù)相比，則具有效率高、成本低，適合于批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。模版制備是納米壓印技術(shù)中非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，因?yàn)閴河〉姆直媛适紫热Q于模版的分辨率。通常納米壓印模版采用電子書光刻和刻蝕技術(shù)得到，成本很高。側(cè)墻技術(shù)具有極高的分辨率，無需光刻就可得到很小的特征尺寸。目前，側(cè)墻技術(shù)在納米壓印模版制作中的應(yīng)用尚無報(bào)道，也沒有相關(guān)的專利。例如，申請?zhí)枮?3122450.4的專利利用氧化多晶硅壓縮特征尺寸并用選擇刻蝕來得到亞光刻的線條間隔；申請?zhí)枮?3148751.3的專利則發(fā)明了一種硬化納米壓印模版的方法；申請?zhí)枮?3133077.0的專利則是一種微鑄碳化硅納米壓印模版。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，特別適合用于壓印納米周期圖形，例如光柵、波帶片等光學(xué)元件。
本發(fā)明的步驟如下1、在圖形化基片上淀積第一層結(jié)構(gòu)薄膜；2、淀積另外一種材料作為第二層結(jié)構(gòu)薄膜；3、根據(jù)線條設(shè)計(jì)要求重復(fù)步驟1和2；4、采用化學(xué)機(jī)械平坦化或研磨等方法拋光基片表面，得到由第一種與第二種結(jié)構(gòu)材料交替組成的側(cè)墻陣列；5、選擇腐蝕或刻蝕兩種結(jié)構(gòu)材料的側(cè)墻，形成納米壓印模版。
所述的利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其特征在于，采用圖形化基片。
所述的利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其中所述兩層結(jié)構(gòu)材料采用化學(xué)氣相淀積、蒸發(fā)、濺射、分子束外延、原子層淀積等方法得到。
所述的利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其中所述兩層結(jié)構(gòu)材料的交替數(shù)目以及材料厚度由設(shè)計(jì)線寬及間距決定。
所述的利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其中所述平坦化采用化學(xué)機(jī)械平坦化或者研磨等方法。
所述的利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其中所述選擇刻蝕采用化學(xué)腐蝕的方法，其目的是形成納米壓印模版中的線條與間隔。
其中所述納米壓印模版的制備方法是由數(shù)次淀積、一次平坦化和一次選擇腐蝕，獲得納米壓印模版。


為了更進(jìn)一步說明本發(fā)明的內(nèi)容，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例子，對本發(fā)明做詳細(xì)描述，其中圖1-1至圖1-5是本發(fā)明的流程圖；圖2-1至圖2-5是本發(fā)明實(shí)施例子的流程圖。
具體實(shí)施例方式
1、如圖1-1所示，在圖形化基片101上淀積第一層結(jié)構(gòu)薄膜102，第一層結(jié)構(gòu)薄膜102是采用化學(xué)氣相淀積等方法獲得。
2、如圖1-2所示，在第一層結(jié)構(gòu)薄膜102上淀積第二層結(jié)構(gòu)薄膜103，第二層結(jié)構(gòu)薄膜103是采用化學(xué)氣相淀積等方法獲得。
3、如圖1-3所示，根據(jù)模版線寬間距的設(shè)計(jì)交替淀積兩層結(jié)構(gòu)薄膜；4、如圖1-4所示，平坦化基片致表面104，使102、103側(cè)墻形成周期性排列，所述平坦化采用化學(xué)機(jī)械平坦化或者研磨等方法。
5、如圖1-5所示，選擇腐蝕102、103側(cè)墻，形成交替狀線條105，凹槽106，完成納米壓印模版制作。
實(shí)施例子流程。
1、如圖2-1所示，在圖形化基片201上淀積氧化硅薄膜202，氧化硅薄膜202是采用化學(xué)氣相淀積等方法獲得。
2、如圖2-2所示，在氧化硅薄膜202上淀積氮化硅薄膜203，氮化硅薄膜203是采用化學(xué)氣相淀積等方法獲得。
3、如圖2-3所示，根據(jù)模版線寬間距的設(shè)計(jì)交替淀積兩層結(jié)構(gòu)薄膜；4、如圖2-4所示，采用化學(xué)機(jī)械平坦化拋光基片致表面204，使202、203側(cè)墻形成周期性排列。
5、如圖2-5所示，采用氫氟酸選擇腐蝕202、203側(cè)墻，形成交替狀線條205，凹槽206，完成納米壓印模版制作。
權(quán)利要求
1.利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，是由數(shù)次淀積、一次平坦化和一次選擇腐蝕，獲得納米壓印模版；其特征在于，其步驟如下步驟1、在圖形化基片上淀積第一層結(jié)構(gòu)薄膜；步驟2、淀積另外一種材料作為第二層結(jié)構(gòu)薄膜；步驟3、根據(jù)線條設(shè)計(jì)要求重復(fù)步驟1和2；步驟4、采用化學(xué)機(jī)械平坦化或研磨等方法拋光基片表面，得到由第一種與第二種結(jié)構(gòu)材料交替組成的側(cè)墻陣列；步驟5、選擇腐蝕或刻蝕兩種結(jié)構(gòu)材料的側(cè)墻，形成納米壓印模版。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其特征在于，采用-圖形化基片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其特征在于，其中所述兩層結(jié)構(gòu)材料采用化學(xué)氣相淀積、蒸發(fā)、濺射、分子束外延、原子層淀積等方法得到。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其特征在于，其中所述兩層結(jié)構(gòu)材料的交替數(shù)目以及材料厚度由設(shè)計(jì)線寬及間距決定。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其特征在于，其中所述平坦化采用化學(xué)機(jī)械平坦化或者研磨等方法。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其特征在于，其中所述選擇刻蝕采用化學(xué)腐蝕的方法，其目的是形成納米壓印模版中的線條與間隔。
全文摘要
一種利用多層側(cè)墻技術(shù)制備納米壓印模版的方法，其工藝步驟如下1.在透光基片上淀積一層結(jié)構(gòu)薄膜；2.淀積另外一種材料作為第二層結(jié)構(gòu)薄膜；3.根據(jù)線條設(shè)計(jì)要求重復(fù)步驟1和2；4.采用化學(xué)機(jī)械平坦化或研磨等方法拋光基片表面，得到由第一種與第二種結(jié)構(gòu)材料交替組成的側(cè)墻陣列；5.選擇腐蝕或刻蝕兩種結(jié)構(gòu)材料的側(cè)墻，形成納米壓印模版。
文檔編號G02B5/18GK1982202SQ20051012649
公開日2007年6月20日 申請日期2005年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月14日
發(fā)明者涂德鈺, 王叢舜, 劉明 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所