專利名稱：具有高含量硅的介電抗反射涂布層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件，且特別是有關(guān)于一種用來(lái)制作半導(dǎo)體元件的光吸收層。
背景技術(shù)：
在近來(lái)的半導(dǎo)體制作中，為了避免光穿過(guò)光阻層后，自基底反射回光阻層，而干擾入射光，造成光阻層不均勻的曝光。所以一般會(huì)在光阻層沉積或旋轉(zhuǎn)涂布前，先沉積一層或多層的抗反射層。其中，抗反射層可以為有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料。
舉例來(lái)說(shuō)，在缺少抗反射涂布層的情況下，反射和入射的曝光輻射會(huì)造成駐波效應(yīng)，而在光阻層的不同點(diǎn)扭曲輻射的一致性。一致性的缺乏將會(huì)導(dǎo)致不被期望的線寬變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件，且特別是有關(guān)于一種用來(lái)制作半導(dǎo)體元件的抗反射涂布層(ARCs)。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，使用例如為具有高含量超硅(super-Si)的氮氧化硅(SiON)薄膜或例如為具有高含量超硅的氧化硅(SiOx)薄膜，以形成吸收層或吸收薄膜來(lái)作為蝕刻終止層或硬罩幕。而具有高含量超硅的氧化硅薄膜還可以選擇性地作為雙層抗反射涂布堆疊結(jié)構(gòu)中的底部層。
經(jīng)由更進(jìn)一步的例子，在一實(shí)施例中提供一半導(dǎo)體元件，其包括一基底、一含有至少68％的硅濃度的具有高含量硅的介電光吸收層以及一介電抗反射涂布層。
本發(fā)明另一實(shí)施例提供一半導(dǎo)體元件，其包括一基底、一含有至少70％的硅濃度的介電光吸收層。
本發(fā)明再一實(shí)施例提供一制作半導(dǎo)體元件的方法，包括先形成含有至少68％的硅濃度的具有高含量硅的光吸收層。接著，在具有高含量硅的光吸收層上形成光阻層。然后，將光阻層曝光以形成第一光阻層開(kāi)口。之后，穿過(guò)光阻層開(kāi)口并在具有高含量硅的光吸收層中形成開(kāi)口，以及將導(dǎo)體填入開(kāi)口中。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1繪示為具有包含超硅介電抗反射涂布層的雙吸收介電抗反射涂布堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。
圖2A繪示為雙介電抗反射涂布層的次反射率的曲線圖。
圖2B至圖2C繪示為不同原子的濃度為深度的函數(shù)的關(guān)系曲線圖。
圖3繪示為振幅比為光阻層厚度與關(guān)檢尺寸的函數(shù)的關(guān)系曲線圖。
圖4A至圖4B繪示為超硅介電抗反射涂布層所增加的吸收度與標(biāo)準(zhǔn)介電抗反射涂布薄膜的關(guān)系曲線圖。
圖5繪示為在超硅介電抗反射涂布層上形成接觸窗的制程狀態(tài)剖面圖。
圖6繪示為范例的制作步驟流程圖。
102堆疊結(jié)構(gòu)104超硅介電抗反射涂布層106介電抗反射涂布層108罩氧化層110光阻層602～614步驟具體實(shí)施方式
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件，且特別是有關(guān)于一種制作半導(dǎo)體元件的抗反射涂布層與蝕刻終止層。
在一實(shí)施例中，使用例如為具有高含量超硅的氮氧化硅薄膜或例如為具有高含量超硅的氧化硅薄膜，以形成吸收層或吸收薄膜來(lái)作為蝕刻終止層或硬罩幕，避免下方膜層在化學(xué)和(或)機(jī)械研磨與平坦化過(guò)程中受到損害。
因?yàn)楣庀⑾禂?shù)(extinction coefficient)與折射系數(shù)(RefractiveIndex)會(huì)隨著氮氧化硅層或氧化層中硅含量的增加而增加，所以具有高含量超硅的氮氧化硅層或氧化硅層的反射率則因此而減少。因此，具有高含量超硅的氮氧化硅層或氧化層可以作為吸收介電抗反射涂布層或薄膜(dielectric antireflective coating，DARC)，在上述實(shí)施例中也稱為超硅介電抗反射涂布層(super-Si DARC，SSDARC)，以及選擇性地形成雙介電抗反射涂布堆疊層的一部份，例如為雙介電抗反射涂布堆疊層中的底部層，而其中頂部層則為具有高含量非超硅的介電抗反射涂布層。經(jīng)由本實(shí)施例，雙介電抗反射涂布層可以自發(fā)生在微影顯影中的基底的反射或相位移中，減少駐波與反射凹陷。
特別是，具有高含量硅的介電抗反射涂布薄膜有利于吸收入射光，例如為具有400nm-10nm波長(zhǎng)的紫外光(UV)、深紫外光和(或)具有750nm-400nm波長(zhǎng)的可見(jiàn)光，因此將到達(dá)基底的光減少或減到最少，并且減少了來(lái)自基底的反射。舉例來(lái)說(shuō)，被吸收的入射光可以具有大約248nm波長(zhǎng)，例如為使用在曝光系統(tǒng)中的Krypton Fluoride準(zhǔn)分子雷射。在一實(shí)施例中，被吸收的入射光可以具有大約193nm波長(zhǎng)。良好的微影成果可以減少干擾效應(yīng)，以及達(dá)到低的波峰至波谷的振幅比例，例如為14％至11％或更少的振幅比例。
更進(jìn)一步說(shuō)，也增加了關(guān)鍵尺寸(CD)的一致性，以及達(dá)成較大的制程極限。另外，具有高含量超硅的氮氧化硅薄膜或氧化薄膜提供了高的光消散系數(shù)。舉例來(lái)說(shuō)，在一實(shí)施例中，上述的薄膜的光消散系數(shù)例如介在1.68至1.72之間，或是大于1.7，例如為1.71、1.73.、1.75等等。
圖1繪示為具有包含超硅介電抗反射涂布層的雙吸收介電抗反射涂布堆疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件的剖面示意圖。特別是，堆疊結(jié)構(gòu)102包括多晶硅、金屬內(nèi)連線和(或)形成在基底上的閘極氧化層。無(wú)機(jī)超硅介電抗反射涂布層104形成在堆疊結(jié)構(gòu)102上。其中，無(wú)機(jī)超硅介電抗反射涂布層104作為底部吸收層。含有較無(wú)機(jī)超硅介電抗反射涂布層104的硅濃度為低的介電抗反射涂布層106則作為抗反射破壞層干擾層。罩氧化層108形成在介電抗反射涂布層106上，而光阻層110形成在罩氧化層108上。在其他實(shí)施例中，可以只包括超硅介電抗反射涂布層，而沒(méi)有具有一般硅濃度的介電抗反射涂布層。
氮氧化硅介電抗反射涂布層或氧化硅介電抗反射涂布層可以利用化學(xué)氣相沉積法(CVD)或電漿增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法來(lái)進(jìn)行沉積。舉例來(lái)說(shuō)，氮氧化硅層或氧化硅層可以沉積在層間介電層(inter-layer dielectric，ILD)或金屬間介電層(inter-metal dielectric，IMD)上，其依序形成在介電層、元件結(jié)構(gòu)、基底或其他膜層上。氮氧化硅層或氧化硅層的厚度可以視應(yīng)用上的需求來(lái)選擇形成。舉例來(lái)說(shuō)，不同的厚度可以使用在淺溝渠隔離結(jié)構(gòu)(shallow trench isolation，STI)、層間介電層或金屬間介電層的應(yīng)用。超硅介電抗反射涂布層的厚度在一給定制程中，則盡可能地選擇來(lái)降低反射性。
同樣地如上所述，有利的是，具有高含量超硅的氮氧化薄膜或氧化薄膜或是抗反射涂布層，對(duì)于光阻層具有相對(duì)高的蝕刻選擇性，以及具有低的蝕刻選擇比，而有利于當(dāng)對(duì)多晶硅或硅基底進(jìn)行蝕刻時(shí)，作為蝕刻終止層。因?yàn)榫哂懈吆砍璧牡趸∧せ蜓趸∧のg刻較光阻層慢，即可保留較多的超硅介電抗反射涂布層，而增加保持尺寸的完整。
圖2A繪示為雙介電抗反射涂布層的次反射率(sub reflectivity)的曲線圖，即光阻層之下介面的反射率的曲線圖。對(duì)一給定光消散系數(shù)k與折射系數(shù)n的半導(dǎo)體元件來(lái)說(shuō)，反射率以超硅介電抗反射涂布層的厚度與介電抗反射涂布層的厚度的函數(shù)來(lái)表示。舉例來(lái)說(shuō)，在一實(shí)施例中，超硅介電抗反射涂布薄膜的折射系數(shù)為1.97、光消散系數(shù)為1.7，而介電抗反射涂布薄膜的折射系數(shù)為2.169、光消散系數(shù)為0.438。在其他實(shí)施例中，消散系數(shù)與折射系數(shù)可為其他數(shù)值。在本實(shí)施例中，次反射率控制為小于1％，當(dāng)使用雙介電抗反射涂布層時(shí)，反射率則減少至0.03或更低。
圖2B至圖2C繪示為不同原子的濃度為深度的函數(shù)的關(guān)系曲線圖。其中，圖2B繪示為硅/氧/氫/氮的濃度，而圖2C繪示為硅/氧/碳/氟/氯的濃度。上述的關(guān)系曲線圖為樣品經(jīng)過(guò)第二離子質(zhì)譜(secondary ion massspectroscopy，SIMS)分析后所得。此分析方法是利用Cs+與O2+為主要離子來(lái)源來(lái)測(cè)量帶正電的第二離子。測(cè)量結(jié)果則顯示原子的濃度。如圖所示，硅/氧的濃度量值在二圖中是相同的。額外標(biāo)示的深度自0um至0.4um為超硅介電抗反射涂布層，而深度自0.4um至0.8um為一般的介電抗反射涂布層。
具有高含量硅的介電抗反射涂布層也有利于提供改善解析度與增加對(duì)關(guān)鍵尺寸的控制。關(guān)鍵尺寸線寬的控制可以提供關(guān)鍵尺寸在約為+/-100的光阻層的條件下，變化程度為4um。當(dāng)采用硼磷硅玻璃(BPSG)薄膜時(shí)，光阻層的關(guān)鍵尺寸為在+/-100之下。在其他實(shí)施例中可以有不同的關(guān)鍵尺寸變化程度。
圖3繪示為振幅比為光阻層厚度與關(guān)檢尺寸的函數(shù)的關(guān)系曲線圖。在本例中，厚度為460nm的光阻層僅提供11％的振幅比。同樣地，也可以使用厚度例如為440nm至480nm、400nm至440nm或480nm至600nm的光阻層。
圖4A至圖4B繪示為超硅介電抗反射涂布層所增加的吸收度與標(biāo)準(zhǔn)介電抗反射涂布薄膜的關(guān)系曲線圖。圖4A繪示為標(biāo)準(zhǔn)介電抗反射涂布層在各種不同波長(zhǎng)下的透射比或光傳送比I/I0。其中，I0為光進(jìn)入薄膜的強(qiáng)度，而I為光離開(kāi)薄膜的強(qiáng)度。圖3B繪示為超硅介電抗反射涂布層在各種不同波長(zhǎng)下的透射比或光傳送比I/I0。在本例中，標(biāo)準(zhǔn)介電抗反射涂布層在波長(zhǎng)為248nm下，透射比I/I0約為0.47。相較之下，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，超硅介電抗反射涂布層在波長(zhǎng)為248nm下，透射比I/I0約為0.09，為標(biāo)準(zhǔn)介電抗反射涂布層透射比的20％。在其他實(shí)施例中還可以有不同的透射比I/I0，例如為在波長(zhǎng)為248nm下，透射比I/I0為0.1或小于0.09。
以下將具有高含量硅的介電抗反射涂布層的實(shí)施例中樣品的濃度與一般樣品的濃度作比較，其中濃度單位為原子所占的百分比。

因此，由上表可知，在標(biāo)準(zhǔn)介電抗反射涂布層中，硅對(duì)氧的比例約為1.5，而在超硅介電抗反射涂布層中，硅對(duì)氧的比例約為16。在其他實(shí)施例中，超硅介電抗反射涂布層中的硅對(duì)氧的比例可以介在10至15之間、15至20之間或更大。盡管在本例中，具有高含量硅的氮氧化硅占超過(guò)總濃度的78％，同樣可以使用稍微多或少的硅濃度，例如濃度為35％、38％、70％、75％、82％或更高。第二介電抗反射涂布層可以具有較低的硅濃度，例如在35％至55％之間。在其他實(shí)施例中，第二介電抗反射涂布層可以具有介在1.5至2之間的硅/氧比。
形成薄膜可以使用以下的制程參數(shù)，或是使用其他參數(shù)電漿增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法硅烷(SiH4)/一氧化二氮(N2O)/氦氣或氮?dú)?；功?00～2000Watts；烘烤溫度300～500℃；壓力0.1～20torr；硅烷/氧/氮；四乙氧基硅烷(TEOS)/氧；總氣體流量50～10000sccm。
經(jīng)由其他例子，形成薄膜可以使用以下的制程參數(shù)，或是使用其他參數(shù)電漿增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法硅烷(207)/一氧化二氮(96)/氦氣(1900)；功率120W；溫度400℃；壓力5.5torr；超硅介電抗反射涂布層的厚度300；沉積(反應(yīng))時(shí)間(DT)8s。
此外，使用上述制程可以達(dá)成下述目的氣體流量比硅烷/一氧化二氮＞2硅/氧比＞10光消散系數(shù)k＞1.65RI(折射系數(shù)n的實(shí)數(shù)部分)＞2.0其他實(shí)施例可以提供稍微小的氣體流量比、稍微小的硅/氧比、光消散系數(shù)k以及折射系數(shù)n的實(shí)數(shù)部分RI。
舉例來(lái)說(shuō)，請(qǐng)參照?qǐng)D5，當(dāng)形成接觸窗時(shí)，等待圖案化的薄膜沉積在基底上，其中基底為硅基底或多晶硅基底。第一介電抗反射涂布層具有高的硅/氧比，和(或)高的光消散系數(shù)k，和(或)高的折射系數(shù)n。因此，第一介電抗反射涂布層可作為光吸收層。具有低的或一般硅/氧比的第二抗反射層可以選擇性地進(jìn)行沉積，以減少反射，如前述圖1所示。之后，進(jìn)行蝕刻制程以形成接觸窗。
圖6繪示為上述范例的制作流程圖。在步驟602中，在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成介電層，以及在介電層上形成超硅介電抗反射涂布層。超硅介電抗反射涂布層的厚度例如為10nm至80nm之間，其在波長(zhǎng)為248nm之下，折射系數(shù)例如介在1.9至2.4之間，光消散系數(shù)例如為1.65或更大，或是介在1.5至1.9之間。經(jīng)由此實(shí)施例，超硅介電抗反射涂布層可以較一般介電抗反射涂布層具有高的硅濃度。
舉例來(lái)說(shuō)，一實(shí)施例所提供的硅濃度與氧濃度介在以下的范圍(68％＜Si＜87％，4.2％＜O＜5.4％)。在步驟604中，在以電漿增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法所形成的超硅介電抗反射涂布層上，形成具有較低的硅濃度的介電抗反射涂布層。其中，介電抗反射涂布層的厚度例如為20nm至45nm。經(jīng)由此實(shí)施例，介電抗反射涂布層可以具有較低的硅濃度，例如為(68％＜Si＜87％，4.2％＜O＜5.4％)。在步驟608中，在蓋層(cap layer)上形成光阻層。在步驟610中，將光阻層以例如為深紫外光來(lái)進(jìn)行曝光。在步驟612中，進(jìn)行蝕刻制程以形成接觸窗開(kāi)口。其中，利用干式/濕式剝除、溶劑或其他方式，將光阻層去除。在步驟614中，在接觸窗開(kāi)口中，形成金屬接觸窗或金屬內(nèi)連線。經(jīng)由此實(shí)施例，接觸窗開(kāi)口可以為雙層金屬鑲嵌形式的開(kāi)口，以及內(nèi)連線可以為雙層金屬鑲嵌內(nèi)連線。超硅介電抗反射涂布層具有低的蝕刻選擇比而可以保護(hù)頂部薄膜。
上述的制程可以使用在各種半導(dǎo)體方面的應(yīng)用，其包括記憶體電路、產(chǎn)品或其他諸如此類的應(yīng)用。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于其包括一基底；一具有高含量硅的介電光吸收層，具有至少68％的硅濃度；以及一介電抗反射涂布層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為0.68的光消散系數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為70％的硅離子濃度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為該介電抗反射涂布層的硅離子濃度1.5倍的硅離子濃度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括氧、碳、氟與氯的濃度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括氮氧化硅。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括氧化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層是一蝕刻終止層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一小于11％的振幅比。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中包括該具有高含量硅的介電抗反射涂布層與該介電抗反射涂布層的一堆疊結(jié)構(gòu)包括一小于1％的反射率。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中包括該具有高含量硅的介電抗反射涂布層與該介電抗反射涂布層的一堆疊結(jié)構(gòu)包括一小于0.03的反射率。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一介于10至15的硅/氧比。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一介于15至25的硅/氧比。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為10的硅/氧比以及該介電抗反射涂布層包括一小于2的硅/氧比。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一大于2的折射系數(shù)。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為2.4的折射系數(shù)。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一小于或等于1的透射比。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層的形成方法包括電漿增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層是一紫外光吸收層。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層的形成方法包括四乙氧基硅烷/氧氣制程。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一介于440nm至480nm的厚度。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其更包括一蓋氧化層。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的介電抗反射涂布層包括一小于55％的硅濃度。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的介電抗反射涂布層包括一小于45％的硅濃度。
25.一種半導(dǎo)體元件，其特征在于其包括一基底；以及一介電光吸收層，具有至少70％的硅濃度。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其更包括一光阻層。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為1.68的光消散系數(shù)。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為75％的硅濃度。
29.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為78％的硅濃度。
30.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其更包括一第二介電反射涂布層，其中該具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為該介電抗反射涂布層的硅離子濃度1.5倍的硅離子濃度。
31.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括氮氧化硅。
32.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括氧化硅。
33.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層是一蝕刻終止層。
34.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一不大于11％的振幅比。
35.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其包括該具有高含量硅的介電抗反射涂布層與該介電抗反射涂布層的一堆疊結(jié)構(gòu)包括一小于1％的反射率。
36.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一大于或等于15的硅/氧比。
37.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一大于或等于10的硅/氧比。
38.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一大于2的折射系數(shù)。
39.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一大于1.65的光消散系數(shù)。
40.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一小于0.1的透射比。
41.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層的形成方法包括電漿增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法。
42.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層是一紫外光吸收層。
43.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層的形成方法包括四乙氧基硅烷/氧氣制程。
44.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一介于440nm至480nm的厚度。
45.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其更包括一層間介電層。
46.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其更包括一金屬間介電層。
47.一種制作半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于其包括形成一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；形成包括至少68％的硅濃度的一具有高含量硅的光吸收層；于該具有高含量硅的光吸收層上形成一光阻層；將該光阻層曝光以形成一第一光阻層開(kāi)口；穿過(guò)該光阻層開(kāi)口并于該具有高含量硅的光吸收層中形成一開(kāi)口；以及將一導(dǎo)體填入該開(kāi)口。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的制作半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于其更包括于該具有高含量硅的光吸收層上形成一介電抗反射涂布層。
49.根據(jù)權(quán)利要求47所述的制作半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于其中所述的光阻層以深紫外光進(jìn)行曝光。
50.根據(jù)權(quán)利要求47所述的制作半導(dǎo)體元件的方法，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為1.68的光消散系數(shù)。
51.根據(jù)權(quán)利要求47所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為75％的硅濃度。
52.根據(jù)權(quán)利要求47所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為78％的硅濃度。
53.根據(jù)權(quán)利要求47所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其更包括于該具有高含量硅的介電光吸收層上形成一介電抗反射層，其中該具有高含量硅的介電光吸收層包括一至少為該介電抗反射涂布層的硅離子濃度1.5倍的硅離子濃度。
54.根據(jù)權(quán)利要求47所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括氮氧化硅。
55.根據(jù)權(quán)利要求47所述的半導(dǎo)體元件，其特征在于其中所述的具有高含量硅的介電光吸收層包括氧化硅。
全文摘要
一種用來(lái)制作半導(dǎo)體元件的光吸收層，其具有高的硅離子濃度。舉例來(lái)說(shuō)，半導(dǎo)體元件包括基底以及具有高含量硅的光吸收層，例如為含有至少68％的硅濃度的氮氧化硅層與氧化硅層。而第二介電抗反射涂布層可以選擇性地形成在具有高含量硅的光吸收層之上。
文檔編號(hào)G03F7/09GK1770396SQ200510098690
公開(kāi)日2006年5月10日 申請(qǐng)日期2005年9月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月6日
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