專利名稱：薄膜晶體管陣列襯底及其制造方法及具有其的液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管(TFT)陣列襯底、制造該襯底的方法以及具有該TFT陣列襯底的液晶顯示裝置。特別地，本發(fā)明涉及一種形成顯示器的并可增強(qiáng)顯示質(zhì)量的TFT陣列襯底及其制造方法，以及具有該TFT陣列襯底的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
通常，反射型液晶顯示裝置利用環(huán)境光來(lái)顯示圖像。因此，反射型液晶顯示裝置不能在暗處顯示清晰的圖像。
然而，透射型液晶顯示裝置利用從背光組件產(chǎn)生的光。因此，無(wú)論環(huán)境亮度如何，透射型液晶顯示裝置都清晰地顯示圖像。然而，透射型液晶顯示器要耗費(fèi)更多的能量來(lái)驅(qū)動(dòng)背光組件。因此，透射型液晶顯示器不適于便攜式顯示裝置。
透射反射型液晶顯示器具有反射型和透射型液晶顯示器的優(yōu)點(diǎn)。
圖1是傳統(tǒng)的透射反射型液晶顯示器的橫截面圖。
參照?qǐng)D1，傳統(tǒng)的透射反射型液晶顯示器包括TFT陣列襯底10、濾色器襯底20、液晶層30、上四分之一波片40、上偏振器50、下四分之一波片60和下偏振器70。TFT陣列襯底10包括具有反射區(qū)域和透射窗口19a的反射層19。濾色器襯底20朝向TFT陣列襯底10。液晶層30置于TFT陣列襯底10和濾色器襯底20之間。上四分之一波片40和上偏振器50依次設(shè)置在濾色器襯底20的上方，而下四分之一波片60和下偏振器70依次設(shè)置在TFT陣列襯底10的下方。
圖2A和圖2B是表示圖1的傳統(tǒng)透射反射型液晶顯示器的工作原理的示意圖。圖2A相當(dāng)于反射模式工作，圖2B相當(dāng)于透射模式工作。尤其是，該傳統(tǒng)透射反射液晶顯示器相當(dāng)于常白模式液晶顯示器，這種常白模式液晶顯示器在液晶層沒(méi)有施加電場(chǎng)時(shí)顯示白色。
參照?qǐng)D2A，在反射模式工作期間，外部光透過(guò)上偏振器50從而形成線偏振光。然后，該線偏振光透過(guò)上四分之一波片40從而形成圓偏振光。該圓偏振光可為右旋或是左旋的。
圓偏振光透過(guò)液晶層30。當(dāng)沒(méi)有電場(chǎng)施加到液晶(LC)層30時(shí)，液晶分子是扭轉(zhuǎn)的。在這種情況中，圓偏振光透過(guò)LC層之后，其相位改變?chǔ)?4從而形成線偏振光。該線偏振光在反射層19上反射并再次回到液晶層30。隨后，該圓偏振光的相位改變?chǔ)?4，再次形成圓偏振光。該圓偏振光再次透過(guò)上四分之一波片40形成線偏振光。然后，該線偏振光透過(guò)上偏振片50顯示白色。
然而，當(dāng)液晶層30上施加電場(chǎng)時(shí)，來(lái)自上四分之一波片40的圓偏振光相位不變地透過(guò)液晶層30，并且光在反射層19上反射。在此之后，該光再次朝向上四分之一波片40行進(jìn)從而透過(guò)上四分之一波片40。隨后，相位改變?chǔ)?4從而形成線偏振光，該線偏振光的振動(dòng)平面垂直于上偏振器50。該線偏振光不透過(guò)上偏振器50從而顯示黑色。
參照?qǐng)D2B，在透射模式工作期間，由背光組件產(chǎn)生的光透過(guò)下偏振器70形成線偏振光。然后，線偏振光透過(guò)下四分之一波片60形成圓偏振光。該圓偏振光透過(guò)液晶層30。當(dāng)液晶(LC)層30不施加電場(chǎng)時(shí)，液晶分子是扭轉(zhuǎn)的。在這種情況中，該圓偏振光透過(guò)LC層后其相位改變?chǔ)?4，形成線偏振光。該線偏振光透過(guò)上四分之一波片40形成圓偏振光。然后，該圓偏振光透過(guò)上偏振器50顯示白色。
然而，當(dāng)液晶層30施加電場(chǎng)時(shí)，來(lái)自下四分之一波片60的圓偏振光經(jīng)由透射電極18透過(guò)液晶層30。然后，圓偏振光透過(guò)上四分之一波片40形成線偏振光，該線偏振光的振動(dòng)平面垂直于上偏振器50。該偏振光不透過(guò)上偏振器50從而顯示黑色。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種能夠增強(qiáng)顯示質(zhì)量的陣列襯底、制造該陣列襯底的方法和具有該陣列襯底的液晶顯示器。
為實(shí)現(xiàn)上述裝置，柵線形成在第一玻璃襯底上。柵線可具有凸出從而構(gòu)成柵電極。柵絕緣層形成在柵線上。半導(dǎo)體層形成在柵線上和柵絕緣層上從而形成有源區(qū)。歐姆接觸層形成在有源區(qū)上。數(shù)據(jù)線形成在柵絕緣層上。數(shù)據(jù)線與柵線交叉。數(shù)據(jù)線可形成在歐姆接觸層上。數(shù)據(jù)線可具有凸出從而形成源電極。漏電極形成在歐姆接觸層上。柵電極、漏電極、源電極和有源區(qū)域形成薄膜晶體管(TFT)。鈍化層形成在有源區(qū)、源電極和漏電極上。去除漏電極上的部分鈍化層從而形成接觸孔。去除像素區(qū)域中的部分鈍化層從而形成透射圖案。透明電極形成在像素區(qū)域中。透明電極通過(guò)接觸孔連接到漏電極。反射層形成在透明電極上。反射層可在所述電極和所述鈍化層之間形成。光屏蔽圖案形成在第二玻璃襯底上。光屏蔽圖案可形成在第一玻璃襯底上。濾色器圖案形成在第二玻璃襯底上。公共電極形成在濾色器圖案上。間隔物形成在公共電極上。第一玻璃襯底和第二玻璃襯底彼此附加。在第一襯底和第二襯底之間注入液晶(LC)層。LC層可具有扭轉(zhuǎn)向列(TN)模式排列或電補(bǔ)償雙折射(ECB)模式排列。ECB模式的第一襯底和第二襯底上的摩擦方向可為反平行，使得LC分子彼此平行排列。背光單元可附加在第一襯底上。相位延遲光學(xué)膜可附加在第一襯底上。另一相位延遲光學(xué)膜可附加在第二襯底上。一對(duì)偏振器附加在第一襯底和第二襯底組件的外側(cè)。間隔物對(duì)著數(shù)據(jù)線交叉柵線的區(qū)域。透射窗口的各邊基本上與像素區(qū)域的各邊平行。透射圖案可具有基本上矩形的形狀。透射圖案可在矩形的一個(gè)角具有凹進(jìn)。間隔物可對(duì)著此角。凹進(jìn)可為彎曲的、直線的或具有臺(tái)階形狀。透射圖案的至少一側(cè)與諸如光屏蔽圖案、柵線、數(shù)據(jù)線等的不透明圖案交迭。第一襯底可具有形成在電極層或反射層上的取向?qū)?。取向?qū)涌捎媚Σ敛寄Σ?。?dāng)基本上是矩形的透射圖案的一側(cè)或兩側(cè)與不透明層交迭時(shí)，該側(cè)是摩擦的離開(kāi)的側(cè)。在摩擦步驟中，摩擦的離開(kāi)的側(cè)是摩擦布從基本上矩形的透射圖案的內(nèi)部到外部的側(cè)。在摩擦步驟中，摩擦的進(jìn)入側(cè)是摩擦布從外部進(jìn)入基本上矩形的透射圖案中的側(cè)。


圖1是示出傳統(tǒng)透射反射型液晶顯示器的橫截面圖。
圖2A和圖2B是示出圖1的傳統(tǒng)透射反射型液晶顯示器工作原理的示意圖。
圖3是示出多單元間隙透射反射型液晶顯示器的平面圖。
圖4是沿著圖3的A-A’線截取的橫截面圖。
圖5A和圖5B是多單元間隙透射反射型液晶顯示器的平面示意圖，其示出光泄漏產(chǎn)生余象的一個(gè)原因。
圖6是沿圖3的B-B’線截取的橫截面圖，其示出施加電壓20ms后液晶分子的排列。
圖7是沿圖3的B-B’線截取的橫截面圖，其示出施加電壓200ms后液晶分子的排列。
圖8A、8B和8C是示出多單元間隙透射反射型液晶顯示器的第一、第二和第三比較實(shí)施例的橫截面圖。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的多單元間隙透射反射型液晶顯示器的平面圖。
圖10A、10B、10C、10D和10E是示出圖9的TFT陣列襯底的制造工藝的平面圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的多單元間隙透射反射型液晶顯示器的平面圖。
具體實(shí)施例方式
下文將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。
圖3顯示具有頂ITO結(jié)構(gòu)的透射反射型液晶顯示器的TFT陣列襯底的像素。
參照?qǐng)D3，TFT陣列襯底包括開(kāi)關(guān)器件TFT、透明電極150和反射層160。開(kāi)關(guān)器件TFT形成在由水平方向延伸的柵線109和垂直方向延伸的源線119限定的區(qū)域內(nèi)。
開(kāi)關(guān)器件TFT包括從柵線109突出的柵電極110，從源線119突出的源電極120，以及與源電極120間隔開(kāi)的漏電極130。透明電極150電連接到漏電極130。反射層160包括反射外部光的反射區(qū)域，以及透射由背光組件產(chǎn)生的光的透射區(qū)域(或透射窗口)。反射層160包括多個(gè)凹陷和溝槽。
參照?qǐng)D4，透射反射型液晶顯示器包括TFT陣列襯底100、濾色器襯底200和置于TFT陣列襯底100和濾色器襯底200之間的液晶層300。
TFT陣列襯底100包括第一透明襯底105、柵電極110、柵絕緣層112、半導(dǎo)體層114、歐姆接觸層116、漏電極130、源電極120和有機(jī)絕緣層140。開(kāi)關(guān)TFT包括柵電極110、源電極120、漏電極130、半導(dǎo)體層114和歐姆接觸層116。柵電極110形成在透明襯底105上。柵絕緣層112形成在透明襯底105上，從而柵絕緣層112覆蓋柵電極110。有機(jī)絕緣層140包括多個(gè)凹陷和溝槽以增強(qiáng)反射率。
TFT陣列襯底100還包括透明電極150、保護(hù)層152和反射層160。一部分有機(jī)絕緣層140開(kāi)口從而形成第一接觸孔141。透明電極150經(jīng)由第一接觸孔141電連接到漏電極130。保護(hù)層152形成在透明電極150上，并且反射層160形成在保護(hù)層152上。在下文中，形成有反射層160的區(qū)域稱之為反射區(qū)，沒(méi)有形成反射層160的區(qū)域稱之為透射窗口(或透射區(qū)域)145。
透明電極150包括光學(xué)透明和導(dǎo)電材料，例如諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等。TFT陣列襯底100還包括與開(kāi)關(guān)器件TFT間隔開(kāi)的電容器布線(未示出)，電容器布線設(shè)置為使得電容器布線與透明電極交迭從而形成存儲(chǔ)電容器Cst。
濾色器襯底200包括第二透明襯底205、黑矩陣層(未示出)、濾色器210和表面保護(hù)層(未示出)。黑矩陣(未示出)限定R.G.B像素區(qū)域。表面保護(hù)層(未示出)保護(hù)黑矩陣(未示出)和濾色器210。代替形成黑矩陣，鄰近的濾色器可重疊從而作為黑矩陣工作。公共電極(未示出)可形成在表面保護(hù)層上。
液晶層300位于TFT陣列襯底100和濾色器襯底200之間，使得液晶層300按照區(qū)域具有不同的厚度。液晶層300根據(jù)施加到透明電極150和公共電極的電壓透射環(huán)境光或是由背光組件產(chǎn)生的光。
圖5A和圖5B是多單元間隙透射反射型液晶顯示器的平面示意圖，其示出由光泄漏產(chǎn)生余象的原因。在圖5A和圖5B中，‘CNT’表示形成在開(kāi)關(guān)器件漏電極上的接觸孔。
參照?qǐng)D5A，當(dāng)以10點(diǎn)鐘方向摩擦取向膜時(shí)，由光泄漏產(chǎn)生的余象(afterimage)在H1和V1區(qū)域示出，H1和V1是摩擦從透射窗口離開(kāi)的側(cè)。
參照?qǐng)D5B，當(dāng)以10點(diǎn)鐘方向摩擦取向膜時(shí)，光泄漏在H1、H2、VI和V2區(qū)域示出，它們是透射窗口的邊界。
如圖6所示，當(dāng)施加電壓時(shí)，反射區(qū)域和透射窗口中心部分的液晶分子在20ms內(nèi)垂直排列。然而，透射窗口右邊緣和左邊緣的液晶分子不垂直排列，以致光泄漏，如X11和Y11所示。X11遠(yuǎn)小于Y11。因此由不透明圖案覆蓋Y11能夠足以提高圖像的質(zhì)量?？赡芤残枰貌煌该鲌D案覆蓋X11來(lái)提高圖像質(zhì)量。
在施加電壓之后的200ms內(nèi)，光泄漏Y22和X21小于如圖7所示的X11，但這仍可能降低圖像質(zhì)量。
也就是說(shuō)，由于前一幀而在本幀的較早階段殘留余象。另外，光泄漏在下一幀繼續(xù)發(fā)生。
為去除由光泄漏產(chǎn)生的余象，透射窗口形成在像素區(qū)域末端上，從而遮蔽由例如柵線、數(shù)據(jù)線、光屏蔽圖案等不透明圖案覆蓋的一些窗口邊緣。
圖8A表示多單元間隙結(jié)構(gòu)的例子。濾色器襯底上的間隔物230與平的有機(jī)絕緣層144相對(duì)。圖8B和8C示出多單元間隙結(jié)構(gòu)的例子。間隔物與透射窗口和反射區(qū)域的邊界相對(duì)。圖8A是比圖8B和8C更簡(jiǎn)單控制單元間隙的例子，因?yàn)榕c有機(jī)絕緣層相對(duì)的間隔物表面不隨CF襯底和TFT襯底之間的對(duì)齊變化而改變。
參照?qǐng)D9，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的TFT陣列襯底包括柵線409、源線(source line)419、開(kāi)關(guān)器件TFT、透明電極450和具有反射區(qū)域及透射窗口460的反射層445。
形成在襯底上的柵線409沿水平方向延伸，并在垂直方向上排列。源線419在垂直方向上延伸并在水平方向上排列。
開(kāi)關(guān)器件TFT形成在由鄰近的柵線409和鄰近的源線419限定的區(qū)域中。開(kāi)關(guān)器件TFT包括柵電極410、源電極420和漏電極430。柵電極410從柵線409突出，并且源電極420從源線419突出。漏電極430與源電極420間隔開(kāi)。
透明電極450形成在鄰近的柵線409和鄰近的源線419限定的區(qū)域中。透明電極450經(jīng)由接觸孔441電連接到漏電極430。
反射層460形成在透明電極450上，并且反射層460包括反射環(huán)境光的反射區(qū)域。用于透射由背光組件產(chǎn)生的光的透射窗口445形成在像素區(qū)域。反射層460的一部分朝向透射窗口445突出。反射層與透明電極450電連接。
透射窗口445具有多邊形形狀而不是矩形形狀。透射窗口445的側(cè)邊與像素區(qū)域的側(cè)邊基本上平行。反射區(qū)域可朝向透射窗口的邊緣延伸。透射窗口可在其一個(gè)角處凹進(jìn)。
因此，間隔物設(shè)置在區(qū)域‘A’上，使得間隔物完全由其它襯底支撐，從而較容易地控制單元間隙。
反射層460限定反射區(qū)域。反射層460朝向透射窗口445延伸為使得透射窗口具有凹進(jìn)。凹進(jìn)的位置可取決于摩擦方向。例如，當(dāng)摩擦方向相當(dāng)于10點(diǎn)鐘方向時(shí)，鄰近透射窗口445右下側(cè)邊的反射區(qū)域邊緣從10點(diǎn)鐘方向朝向透射窗口445延伸。
現(xiàn)示于圖9中，當(dāng)TFT陣列襯底使用分隔布線(separate wiring)方法時(shí)，與柵線409同時(shí)形成的下層金屬和與源線419同時(shí)形成的上層金屬形成存儲(chǔ)電容器Cst。存儲(chǔ)電容器Cst經(jīng)由接觸孔電連接到透明電極150，使得存儲(chǔ)電容器Cst由漏電極提供的電荷充電。存儲(chǔ)電容Cst放電以保持電壓，使得顯示的圖像得以保持。
下文將描述制造TFT陣列襯底的方法。參照?qǐng)D10A，金屬層形成在襯底405上。金屬層包括由鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)和鎢(W)組成的組中的至少一種。襯底405可由玻璃或是陶瓷制成。然后，金屬層被構(gòu)圖從而形成柵線409和從柵線409突出的柵電極410。柵線409在水平方向上延伸并在垂直方向上排列。還可在形成柵線409的工序中形成存儲(chǔ)線(未示出)。
接下來(lái)，在襯底405和柵電極410上形成氮化硅層從而形成柵絕緣層。例如，可用化學(xué)氣相沉積(CVD)法形成氮化硅層。在柵絕緣層上形成非晶硅層和n+非晶硅層，并對(duì)之構(gòu)圖從而形成半導(dǎo)體層和歐姆接觸層，它們可定義有源層412。
參照?qǐng)D10B，在歐姆接觸層和柵絕緣層上形成金屬層。金屬層包括由鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)和鎢(W)組成的組中的至少一種。金屬層被構(gòu)圖從而形成源線419、從源線419上突出的源電極420、以及與源電極420間隔開(kāi)的漏電極。柵電極410、有源層412、源電極420和漏電極430形成薄膜晶體管。
參照?qǐng)D10C，在圖10B的結(jié)果上形成有機(jī)絕緣層440?？捎尚糠ㄐ纬捎袡C(jī)絕緣層。去除有機(jī)絕緣層440的一部分從而形成透射窗口445和接觸孔441。
可去除有機(jī)絕緣層的一部分來(lái)制造透射窗口圖案445，使得數(shù)據(jù)線419的一部分和柵線409的一部分與透射窗口圖案交迭。透射窗口445的一個(gè)角凹進(jìn)。因此，間隔物可以完全由有機(jī)絕緣層440支撐。有機(jī)絕緣層440的表面可經(jīng)受壓花工藝(embossing process)從而增強(qiáng)將形成在有機(jī)絕緣層440上的反射層的反射質(zhì)量。優(yōu)選地，壓花圖案具有基本上相同的深度。
在圖10C中，因?yàn)槟Σ练较驗(yàn)?0點(diǎn)鐘方向，透射窗口445的左上側(cè)的邊界凹進(jìn)。如果摩擦方向相當(dāng)于2點(diǎn)鐘方向，透射窗口445的右上側(cè)邊界將凹進(jìn)。
參照?qǐng)D10D，氧化銦錫(ITO)層442形成并被構(gòu)圖從而形成透明電極。透明電極經(jīng)由連接孔441電連接到漏電極430。也可完全沉積氧化銦錫層442并只在像素區(qū)域保留，并且氧化銦錫層442可只沉積在像素區(qū)域上。
參照?qǐng)D10E，在由鄰近的柵線409和鄰近的源線419所限定的像素區(qū)域中形成反射層460。因?yàn)榉瓷鋵?60在具有壓花圖案的有機(jī)絕緣層上形成，所以也對(duì)反射層460進(jìn)行壓花從而形成凹陷462和溝槽464。反射層460形成在反射區(qū)域中，并且鄰近透射窗口的一部分反射層460朝向透射窗口延伸。
圖11是表示根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的多單元間隙透射反射型液晶顯示器的平面圖。尤其是，多單元間隙透射反射型液晶顯示器對(duì)應(yīng)于頂部ITO結(jié)構(gòu)。除透射窗口形狀外本方案的液晶顯示器與上面的實(shí)施例相同。因此，相同的附圖標(biāo)記將用于指示與上面實(shí)施例中所述的相同或相似的部件，并將省略進(jìn)一步的解釋。
參照?qǐng)D11，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的TFT陣列襯底包括柵線409、源線419、開(kāi)關(guān)器件TFT、透明電極450以及具有反射區(qū)域和透射窗口545的反射層560。
透射窗口545朝向內(nèi)部地具有一個(gè)圓邊。即，反射層560向內(nèi)突出為間隔物提供空間B。因此，間隔物不與透射窗口545交迭。
反射層560在反射區(qū)域中形成，朝向透射窗口545伸展，并電連接到透明電極450。在圖11中，當(dāng)摩擦方向相當(dāng)于10點(diǎn)鐘方向時(shí)，透射窗口445的左上方邊緣朝向透射窗口445凹進(jìn)。
在上文中，盡管只解釋了TFT陣列襯底，但采用TFT陣列襯底的液晶顯示器是不言自明的。因此，將省略對(duì)采用TFT陣列襯底的液晶顯示器的說(shuō)明。
根據(jù)本發(fā)明，透射窗口的一部分與不透明圖案交迭。因此，改善由光泄漏引起的余象。另外，間隔物被安全地支撐，使得單元間隙易于控制。
盡管已描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)，但應(yīng)當(dāng)注意，在不脫離附屬權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可于此作出各種變化、替代和改變。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列襯底，包括透明襯底，其包括具有透射窗口的像素區(qū)域，該透射窗口在該透射窗口的一個(gè)角上具有凹進(jìn)，該透射窗口的至少一側(cè)與透明襯底上的不透明圖案交迭；形成在所述像素區(qū)域中的薄膜晶體管；電連接到所述薄膜晶體管的透明電極；以及形成在所述像素區(qū)域的一部分中從而限定所述透射窗口的反射層。
2.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管，其中所述透射窗口的邊與所述像素區(qū)域的邊基本上平行。
3.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管，其中所述凹進(jìn)具有彎曲形狀或直線形狀。
4.如權(quán)利要求3的薄膜晶體管，其中所述凹進(jìn)具有圓形形狀、三角形形狀或階梯形狀。
5.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管，其中所述像素區(qū)域由一對(duì)鄰近的柵線和一對(duì)鄰近的數(shù)據(jù)線限定，并且所述不透明圖案為柵線、數(shù)據(jù)線、光屏蔽圖案或存儲(chǔ)電極。
6.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管，其中所述透明電極交迭所述反射層和所述透射窗口。
7.如權(quán)利要求1的薄膜晶體管，還包括形成在所述反射層中的有機(jī)絕緣層。
8.一種薄膜晶體管陣列襯底，包括透明襯底，其包括具有透射窗口的像素區(qū)域，該透射窗口的一個(gè)角被部分地切除，該透射窗口的至少一側(cè)與所述透明襯底上的不透明圖案交迭；形成在像素區(qū)域中的薄膜晶體管；電連接到所述薄膜晶體管的透明電極；以及形成在所述像素區(qū)域的一部分中從而限定所述透射窗口的反射層。
9.一種用于制造薄膜晶體管陣列襯底的方法，包括在玻璃襯底上形成柵線和柵電極；在所述柵線和所述柵電極上形成柵絕緣層；形成電連接到所述柵電極的半導(dǎo)體圖案；在所述半導(dǎo)體圖案上形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極；在所述半導(dǎo)體圖案上形成鈍化層；以及通過(guò)去除鈍化層的一部分形成透射圖案，該透射圖案的一個(gè)角具有凹進(jìn)，該透射窗口的至少一側(cè)與所述柵線、所述數(shù)據(jù)線或光屏蔽圖案交迭。
10.如權(quán)利要求9的方法，其中所述透射圖案的邊可基本上與所述柵和數(shù)據(jù)線平行。
11.如權(quán)利要求9的方法，還包括在所述鈍化層上形成壓花形狀；以及在所述鈍化層上形成反射層。
12.如權(quán)利要求9的方法，其中所述凹進(jìn)為圓形形狀、三角形形狀或階梯形狀。
13.如權(quán)利要求9的方法，還包括在所述鈍化層上形成透明電極；在所述透明電極上形成取向?qū)樱挥貌寄Σ了鋈∠驅(qū)?，其中所述透射圖案的至少一邊是凹進(jìn)的，以及所述摩擦在所述透射圖案的所述凹進(jìn)側(cè)是離開(kāi)的。
14.一種液晶顯示器，包括上襯底；下襯底，其包括由一對(duì)鄰近的柵線和一對(duì)鄰近的數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域、在所述像素區(qū)域中形成的薄膜晶體管、電連接到所述薄膜晶體管的透明電極，該像素區(qū)域具有透射窗口和限定該透射窗口的反射區(qū)域，該透射窗口在該透射窗口的一個(gè)角上具有凹進(jìn)，該透射窗口的一部分與不透明圖案交迭；以及在所述上襯底和所述下襯底之間注入的液晶層。
15.如權(quán)利要求14的液晶顯示器，其中所述不透明圖案是柵線、數(shù)據(jù)線、存儲(chǔ)電極或是光屏蔽圖案。
16.如權(quán)利要求15的液晶顯示器，其中所述光屏蔽圖案是黑矩陣(BM)。
17.如權(quán)利要求14的液晶顯示器，其中所述反射區(qū)域中的所述液晶(LC)層的厚度與所述透射窗口區(qū)域中的所述液晶層的厚度彼此不同。
18.如權(quán)利要求14的液晶顯示器，其中所述透射窗口與所述不透明圖案交迭的部分是所述透射窗口的關(guān)于摩擦方向的離開(kāi)的邊緣。
19.如權(quán)利要求14的液晶顯示器，其中所述透射窗口的邊基本上平行于像素區(qū)域的邊。
20.如權(quán)利要求19的液晶顯示器，其中所述凹進(jìn)具有圓形形狀、直線形狀或階梯形狀。
全文摘要
本發(fā)明披露一種薄膜晶體管陣列襯底、制造該陣列襯底的方法以及一種液晶顯示器。本發(fā)明還披露具有反射區(qū)域和透射區(qū)域的液晶顯示器，可由此增強(qiáng)圖像質(zhì)量。本發(fā)明還披露具有其厚度取決于位置的液晶層的液晶顯示器。
文檔編號(hào)G02F1/139GK1673843SQ20051007167
公開(kāi)日2005年9月28日 申請(qǐng)日期2005年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月5日
發(fā)明者金宰賢, 樸源祥, 金尚佑, 李宰瑛, 車(chē)圣恩, 林載翊 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社