專利名稱：液晶顯示器及其屏板的制作方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器及其屏板。
背景技術(shù)：
典型的液晶顯示器(LCD)包括一帶有公共電極和濾色器陣列的上屏板(upper panel)，帶有薄膜晶體管(TFT)和像素電極的下屏板(lower panel)以及位于兩者之間的液晶層。在像素電極和公共電極上施加不同的電壓，以生成電場，從而改變液晶分子的配向，進而改變穿過液晶層的透光度。因此，LCD顯示需要的圖像。
但是，LCD存在灰度反轉(zhuǎn)(gray inversion)，即灰度之間的亮度發(fā)生反轉(zhuǎn)，此外，還存在側(cè)面γ曲線畸變，即側(cè)面γ曲線與正面γ曲線不相吻合，因而在左右視角表現(xiàn)出較差的可見度。例如，隨著向側(cè)面的遷移，亮度增大，彩色轉(zhuǎn)換成白色。特別是，亮灰度(bright gray)之間的亮度差異消失，從而導致圖像不清晰。與此同時，最近在多媒體中采用的LCD越來越需要觀看圖像和移動圖像的良好能見度。


通過參照附圖對本發(fā)明實施例予以說明，本發(fā)明將變得更加清晰，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的LCD的TFT陣列板的布局圖；圖2是沿線II-II′獲得的圖1所示的TFT陣列板的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的LCD的等效電路圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的LCD的TFT陣列板的布局圖；圖5是沿線V-V′獲得的圖4所示的TFT陣列板的截面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的LCD的等效電路圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的LCD的布局圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的LCD的等效電路圖；
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的LCD的布局圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的LCD的等效電路圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的LCD的TFT陣列板的布局圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的LCD的濾色器屏板的布局圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的LCD的布局圖；圖14是沿圖13中所示的LCD的XIV-XIV′線獲得的剖面圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的LCD的等效電路圖；以及圖16是根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的LCD的等效電路圖。
具體實施例方式
技術(shù)問題本發(fā)明的目的在于提供具有卓越能見度的液晶顯示器。
技術(shù)方案基于這一目的，本發(fā)明將一個像素電極劃分為兩個子電極，并在所述子電極上施加不同的電壓。
具體來講，根據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管陣列板包括形成于絕緣襯底上的多個第一信號線，和與所述第一信號線絕緣并與之相交叉的多個第二信號線。在由第一信號線和第二信號線的交叉界定的像素區(qū)域上布置多個第一像素電極，像素區(qū)域排列成矩陣，在第一像素電極上形成多個第一薄膜晶體管，每一個第一薄膜晶體管具有三個端子，分別連接到第一信號線中的一個，第二信號線中的一個和第一像素電極中的一個。在所述像素區(qū)域上布置多個第二像素電極，并使之與第一像素電極電容性耦合，在其上形成多個第二薄膜晶體管。第二薄膜晶體管中的每一個都具有一個連接至第二像素電極中的一個的端子，以及連接至第一信號線中的一個的另一個端子，所述第一信號線連接至位于相鄰行中的像素區(qū)域中的一個第一像素電極。
所述薄膜晶體管陣列板可以進一步包括多個耦合電極，所述耦合電極與第一像素電極相連接，或?qū)⑵涓采w，所述耦合電極覆蓋第二像素電極，并與之絕緣。所述耦合電極優(yōu)選連接至與第一像素電極相連的第一薄膜晶體管的漏電極。
所述薄膜晶體管陣列板可以進一步包括多個與第二信號線交叉的第三信號線，其中，每一個第二薄膜晶體管的終端連接至第三信號線和第二信號線中的一個。
每一個第二薄膜晶體管的終端可以連接至第三信號線中的一個，薄膜晶體管陣列板可以進一步包括多個第三薄膜晶體管，其中的每一個均具有三個端子，它們分別連接至第二信號線中的一個，第二像素電極中的一個，以及與相鄰行中的像素區(qū)域相連接的第一信號線中的一個。
第一像素電極和第二像素電極中的至少一個包括至少一個域分割(domain partitioning)元件。所述薄膜晶體管陣列板可以進一步包括布置在第一信號線和第二信號線之間的柵極絕緣層，和布置在所述第二信號線與第一、第二像素電極之間的鈍化層，其中，耦合電極優(yōu)選通過位于鈍化層的接觸孔連接至第一像素電極。
根據(jù)本發(fā)明實施例的薄膜晶體管陣列板用作液晶顯示器的屏板。
有益效果通過提高側(cè)面可見度擴大了LCD的視角。
優(yōu)選實施例在下文中，將參照附圖對本發(fā)明進行更加詳細的說明，在附圖中將示出本發(fā)明的實施例。但是，可以以不同的形式體現(xiàn)本發(fā)明，而不應推斷本發(fā)明僅限于文中所述實施例。
在附圖中，為了清晰起見，夸大了層和區(qū)域的厚度。相同的標記自始至終指代相同的元件。應當理解的是在稱諸如層、區(qū)域或襯底的元件位于另一元件上時，其可能直接位于另一元件上，也可能存在插入元件。相反，在稱一元件直接位于另一元件上時，不存在插入元件。
那么，現(xiàn)在將參照附圖對根據(jù)本發(fā)明的實施例的液晶顯示器及其薄膜晶體管屏板予以詳細說明。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的LCD的TFT陣列板的布局圖，圖2是沿線II-II′獲得的圖1所示的TFT陣列板的截面圖，圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的LCD的等效電路圖。
根據(jù)本發(fā)明的實施例的LCD包括下屏板(即TFT陣列板)，與下屏板相對的上屏板(即相對屏板)和位于兩個屏板之間的液晶層，所述液晶層包括按照扭轉(zhuǎn)向列模式配向的液晶分子，從而使所述液晶分子從下屏板向上屏板扭轉(zhuǎn)。
首先，將對下屏板予以說明。
在優(yōu)選由透明絕緣材料，例如玻璃，制成的絕緣襯底110上形成優(yōu)選由透明導電材料，例如ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)，構(gòu)成的多個第一和第二像素電極190a和190b。每一個第一像素電極190a均連接至第一薄膜晶體管TFT1，并由其接收圖像信號電壓，每一個第二像素電極190b均連接至第二薄膜晶體管TFT2，所述的第二薄膜晶體管TFT2電連接至前一個柵極線121，其用于將柵極信號或掃描信號傳輸至前一像素行和存儲電極線131。第二像素電極190b覆蓋連接至第一像素電極190a的耦合電極176，從而與之電磁(電容性)耦合。第一薄膜晶體管TFT1連接至傳輸掃描信號的柵極線121，和傳輸圖像電壓的數(shù)據(jù)線171，并響應掃描信號開啟或關(guān)閉提供給第一像素電極190a的圖像信號。這里，用于反射LCD的第一和第二像素電極190a和190b可以不包括透明材料。
與此同時，盡管在圖中未示出上屏板，現(xiàn)在仍要對其予以說明。
在優(yōu)選由透明絕緣材料，例如玻璃，構(gòu)成的絕緣襯底表面上形成，用于阻擋像素之間的泄漏光的黑矩陣，多個紅色、綠色和藍色濾色器，以及優(yōu)選由透明導電材料，例如ITO和IZO，構(gòu)成的公共電極，用于和像素電極190a和190b一起生成電場，所述襯底與TFT陣列板相對。可以在所述TFT陣列板上提供黑矩陣和濾色器。
現(xiàn)在，將對根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LCD的TFT陣列板進行更為詳細的說明。
在下部絕緣襯底110上形成沿橫向延伸的多個柵極線121和多個存儲電極線131。
每一柵極線121的多個部分向上和向下擴展至多個第一薄膜晶體管TFT1的柵極電極123a，每一個柵極線121均包括末端125，其具有用于連接外部電路的大面積。
與此同時，將柵極信號或掃描信號傳輸至前一像素行的柵極線121具有多個形成第二薄膜晶體管TFT2的柵極電極123b的部分。
每一存儲電極線131包括多組由其分出的存儲電極133a和133b。位于一組存儲電極133a和133b中的兩個存儲電極133a和133b沿縱向形成分支并延伸至像素區(qū)域的邊緣。
柵極線121和存儲電極線131優(yōu)選由諸如Al、Al合金、Ag、Ag合金、Cr、Ti、Ta和Mo的金屬構(gòu)成。如圖2所示，根據(jù)這一實施例的柵極線121和存儲電極線131包括單層。但是，所述的柵極線121和存儲電極線131可以具有雙層結(jié)構(gòu)，所述雙層結(jié)構(gòu)包括優(yōu)選由具有良好的物理和化學特性的Cr、Mo、Ti和Ta構(gòu)成的金屬層，以及優(yōu)選包含具有低電阻率的Al或Ag的另一金屬層。所述的柵極線121和存儲電極線131可以由除上述金屬或?qū)w以外的各種金屬或?qū)w構(gòu)成。
柵極線121和存儲電極線131具有傾斜側(cè)表面，其相對于水平面的傾斜角優(yōu)選為30-80°。
在柵極線121和存儲電極線131上形成優(yōu)選由氮化硅SiNx構(gòu)成的柵極絕緣層140。
在柵極絕緣層140上，形成多個數(shù)據(jù)線171，多個第一薄膜晶體管TFT1的漏電極175a，多個耦合電極176，和多個下部橋接(under-bridge)金屬片172。每一數(shù)據(jù)線171實質(zhì)上沿縱向延伸，其包括多個延伸至漏電極175a的分支，從而形成第一薄膜晶體管TFT1的源電極173a。下部橋接金屬片172布置在前一柵極線121上，并且包括多個形成第二薄膜晶體管TFT2的漏電極175b的部分。在前一柵極線121上形成多個第二薄膜晶體管TFT2的源電極173b，將其布置在關(guān)于前一柵極線121與第二薄膜晶體管TFT2的漏電極175b相對的位置。將耦合電極176連接至第一薄膜晶體管TFT1的漏電極175a，并將其布置在鄰近像素區(qū)域的位置，以覆蓋存儲電極線131。
與柵極線121類似，數(shù)據(jù)線171，漏電極175a和175b，耦合電極176，源電極173a和173b，以及下部橋接金屬片172優(yōu)選由Cr或Al構(gòu)成，并且，它們可以包括單層或多層結(jié)構(gòu)。
在數(shù)據(jù)線171和漏電極175a之下形成多個半導體帶151，其大致沿數(shù)據(jù)線171所在的縱向延伸。優(yōu)選由非晶硅構(gòu)成的每一半導體帶151具有多個朝向柵極線123a，源電極173a和漏電極175a延伸的分支，這些分支形成了第一薄膜晶體管TFT1的溝道部分154。此外，在前一柵極線121上形成多個半導體島155，其構(gòu)成了第二薄膜晶體管TFT2的溝道部分。
在半導體151和數(shù)據(jù)線171以及漏電極175a之間布置多個歐姆接觸161，用于減少它們之間的接觸電阻。歐姆接觸161優(yōu)選由硅化物或重摻雜了n型雜質(zhì)的非晶硅構(gòu)成。歐姆接觸161包括位于源電極173a和漏電極175a之下的多個歐姆接觸163a和165a，其用于第一薄膜晶體管TFT1，以及多個用于第二薄膜晶體管TFT2的歐姆接觸163b和165b，其形成在第二薄膜晶體管TFT2的源電極173b和漏電極175b之下。
在數(shù)據(jù)線171、漏電極175a和175b、耦合電極176以及下部橋接金屬片172上形成由諸如氮化硅的無機絕緣體或諸如樹脂的有機絕緣體構(gòu)成的鈍化層180。
鈍化層180具有多個接觸孔181a、181b和183，分別用于暴露至少一部分漏電極175a和175b，以及數(shù)據(jù)線171的末端部分179。此外，分別暴露柵極線121的末端部分125，和存儲電極線131的部分的多個接觸孔182、184和185穿過柵極絕緣層140和鈍化層180。此外，鈍化層180具有多個接觸孔186，所述接觸孔186暴露了第二薄膜晶體管TFT2的源電極。
在鈍化層180上形成多個像素電極190a和190b，多個接觸輔助物95和97，以及多個存儲橋接件91。像素電極190a和190b、接觸輔助物95和97以及存儲橋接件91優(yōu)選由透明導體，例如ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)，或具有良好光反射率的不透明導體，例如Al，構(gòu)成。
像素電極190a和190b包括第一像素電極190a和第二像素電極190b。第一像素電極190a通過接觸孔181a連接至第一薄膜晶體管TFT1的漏電極175a，第二像素電極190b通過接觸孔181b連接至第二薄膜晶體管TFT2的漏電極175b，并覆蓋耦合電極176。因此，第二像素電極190b與第一像素電極190a電磁(電容性)耦合。
存儲橋接件91連接參照柵極線121彼此相對布置的兩個存儲電極線131。存儲橋接件91通過穿透鈍化層180和柵極絕緣層140的接觸孔184和185接觸存儲電極133a和存儲電極線131。存儲橋接件91通過接觸孔186連接至下部橋接金屬片172。因此，在第二薄膜晶體管響應施加到前一柵極線121的柵極開啟信號而工作時，向第二像素電極190b提供一公共電壓或向存儲電極線131提供一參考電壓。存儲橋接件91電連接位于下部襯底110上的所有存儲電極線131。如果必要的話，存儲電極線131用于修復柵極線121或數(shù)據(jù)線171的缺陷，在發(fā)射用于修復的激光束時，下部橋接金屬片172增強柵極線121和存儲橋接件91之間的電連接。
接觸輔助物95和97分別通過接觸孔182和183連接至柵極線121的末端部分125和數(shù)據(jù)線171的末端部分179。
在上述LCD中，第一像素電極190a通過第一薄膜晶體管TFT1接收圖像信號電壓，第二像素電極190b具有取決于與存儲電極線131之間的電容耦合的可變電壓。因此，第二像素電極190b的電壓的絕對值總是高于第一像素電極190a的電壓的絕對值。這樣，布置在像素區(qū)域內(nèi)但具有不同電壓的兩個像素電極補償其電壓，以減少γ曲線的畸變。
之后，參照圖3說明保持第二像素電極190b的電壓高于第一像素電極190a的電壓的原因。
在圖3中，CLCA表示第一像素電極190a和相對屏板的公共電極之間的液晶電容，CSTA表示第一像素電極190a和存儲電極線131之間的存儲電容。CLCB表示第二像素電極190b和相對屏板的公共電極之間的液晶電容，CSTB表示第二像素電極190b與存儲電極線131之間的存儲電容，CCPB表示耦合電極176和第二像素電極190b之間的耦合電容。
用Va(Vd1)表示相對于施加到相對屏板的公共電極上的公共電壓或參考電壓的第一像素電極190a的電壓，用Vb表示第二像素電極190b的電壓。由電壓分布定理可以得到Vb≈1/(C1+2C2)×[(2-C3/C2)×(C1+C2)×Vd1]。
可以通過調(diào)整電容控制電壓Vb，使得電壓Vb接近電壓Va，但總是高于電壓Va。這里，C1＝CLCA+CSTA，C2＝CCPB，及C3＝CLCB+CSTB。由于柵電極和源電極之間的寄生電容很小，所以可以忽略。
可以對第一或第二薄膜晶體管TFT1或TFT2的布置，或者第一和第二像素電極190a和190b之間的連接做出各種改變，對此將在第二至第七實施例中予以說明。
在下文中，只對與第一實施例不同的功能部件予以說明，對與第一實施例的功能部件相同的其余功能部件的說明將予以省略。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的LCD的TFT陣列板的布局圖，圖5是沿線V-V′獲得的圖4所示的TFT陣列板的截面圖，圖6是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的LCD的等效電路圖。
在用于根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的LCD的TFT陣列板中，與第一實施例類似，通過前一柵極線121驅(qū)動第二薄膜晶體管TFT2，但是，第二薄膜晶體管TFT2與第一薄膜晶體管TFT1共同擁有一個柵電極123，并且，第一和第二薄膜晶體管TFT1和TFT2關(guān)于柵極線121相對布置。第二薄膜晶體管TFT2的源電極173b和第一薄膜晶體管TFT1的源電極173a從數(shù)據(jù)線171延伸，第二薄膜晶體管TFT2的漏電極175b關(guān)于柵電極123與第一薄膜晶體管TFT1的漏電極175a相對延伸。
在用于根據(jù)本發(fā)明第二實施例的LCD的TFT陣列板中，盡管最初由前一像素行的第一像素電極190a向第二像素電極190b提供了一像素電壓，但是，由于第二像素電極190b與第一像素電極190a電容性耦合，所以，在驅(qū)動位于相應的像素行中的像素時，為第二像素電極190b提供了接近第一像素電極190a的電壓Va(Vd1)的電壓Vb。由電壓分布定理可以得到電壓VbVb≈l/(C1+2C2)×[(2-C3/C2)×(C1+C2)×Vd1+(C1+C3)Vd2]。
可以通過調(diào)整電容對電壓Vb予以控制，使得電壓Vb接近電壓Va，但始終高于電壓Va，因此，優(yōu)選對根據(jù)本發(fā)明第二實施例的TFT陣列板進行列反轉(zhuǎn)。這里，在開啟第二薄膜晶體管TFT2時，電壓Vd2是最初提供給第二像素電極190b的電壓。
根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實施例涉及對提供給像素電極190b的有效驅(qū)動電壓的控制。但是，可以對所述TFT陣列板進行修改，使得提供給第一像素電極190a的電壓低于通過數(shù)據(jù)線傳輸?shù)尿?qū)動電壓，而提供給第二像素電極190b的電壓則高于所述驅(qū)動電壓，在下文中將參照附圖對此予以詳細說明。
圖7是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的LCD的布局圖，圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的LCD的等效電路圖。
大部分構(gòu)造與圖1和圖3中所示的構(gòu)造相同。
但是，第一像素電極190a未通過位于鈍化層(圖2中由180表示)中的接觸孔連接至第一薄膜晶體管TFT1，所述第一像素電極190a覆蓋耦合電極176，使得其與第一薄膜晶體管TFT1電磁(電容性)耦合。
在用于根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的LCD的TFT陣列板中，提供給第一像素電極190a的有效像素電壓小于通過數(shù)據(jù)線171提供的電壓Vd1。這是由于第一像素電極190a與連接至漏電極175a的耦合電極176電容性耦合，由電壓分布定理可以得到相對于公共電壓的第一像素電極190a的有效像素電壓VaVa＝Vd1×[CCPA/(CCPA+CLCB)]。
由于CCPA/(CCPA+CLCB)始終小于1，電壓Va始終小于電壓Vd1。這里，CCPA表示耦合電極176和第一像素電極190a之間的耦合電容。
采取與第一實施例中相同的方式確定提供給第二像素電極190b的有效驅(qū)動電壓Vb。
圖9是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的LCD的布局圖，圖10是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的LCD的等效電路圖。
大部分構(gòu)造與圖4和圖6中所示的構(gòu)造相同。
但是，第一和第二薄膜晶體管TFT1和TFT2與第一和第二像素電極190a和190b之間的連接關(guān)系基本上與圖7和圖8中相同。
在這種情況下，提供給第一像素電極190a的有效驅(qū)動電壓Vb小于由數(shù)據(jù)線171傳輸?shù)碾妷篤d1，采取與第二實施例中相同的方式確定提供給第二像素電極190b的有效驅(qū)動電壓Vb。
LCD的一個主要缺陷在于視角狹窄，目前，已經(jīng)開發(fā)出了幾種提高視角以克服這種缺點的建議。在這些技術(shù)當中，有一種方法在彼此相對的像素電極和公共電極上提供多個切口或多個凸起，并使液晶分子垂直于上下屏板配向?？梢詫⑺銮锌诨蛲黄饝玫礁鶕?jù)本發(fā)明的實施例的TFT陣列板上。
在像素電極和公共電極上同時提供的切口，通過產(chǎn)生散射場調(diào)整液晶分子的傾斜方向，從而提供寬視角。
通過在下部和上部屏板中的像素電極和公共電極上同時提供突起來扭曲電場，從而調(diào)整液晶分子的傾斜方向。
通過在下屏板的像素電極上提供切口和在上平板的公共電極上提供突起的方式，也可以獲得用于調(diào)整液晶分子的傾斜方向以形成多個域的散射場。
這里，將對本發(fā)明的第五實施例予以詳細說明，其涉及具有切口的構(gòu)造。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的LCD的TFT陣列板的布局圖，圖12是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的LCD的濾色器屏板的布局圖，圖13是根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的LCD的布局圖，圖14是沿圖13中所示的LCD的XIV-XIV′線獲得的剖面圖。
根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的LCD包括下屏板，與下屏板相對的上屏板，以及布置在兩個屏板之間的液晶層，所述液晶層包括垂直于屏板表面配向的液晶分子。
首先，將對下屏板予以說明。
在優(yōu)選由透明絕緣材料，例如玻璃，制成的絕緣襯底110上形成優(yōu)選由透明導電材料，例如ITO(氧化銦錫)和IZO(氧化銦鋅)，構(gòu)成的多個第一和第二像素電極190a和190b。與第一實施例相同，第一和第二像素電極190a和190b分別連接至第一和第二薄膜晶體管TFT1和TFT2。每一個第二像素電極190b均覆蓋連接至第一像素電極190a的耦合電極176，從而與之進行電磁(電容性)耦合。第二像素電極190b具有切口192。下部起偏振片12附著于絕緣襯底110的外表面。這里，用于反射LCD的第一和第二像素電極190a和190b可以不包括透明材料，在這種情況下，下部起偏振片12是不必要的。
現(xiàn)在將對上屏板予以說明。
在優(yōu)選由透明絕緣材料，例如玻璃，構(gòu)成的絕緣襯底210的內(nèi)表面上形成阻擋像素之間光泄漏的黑矩陣220，多個紅色、綠色和藍色濾色器230，以及優(yōu)選由透明導電材料，例如ITO和IZO，構(gòu)成的公共電極270。公共電極270具有多個切口271、272和273。圍繞像素區(qū)域布置黑矩陣220，其可以覆蓋公共電極270的切口271、272和273，用于阻擋切口271、272和273邊緣附近的光泄漏。
現(xiàn)在，將對根據(jù)本發(fā)明第一實施例的LCD的TFT陣列板進行更為詳細的說明。
通過一縫隙劃分一對第一像素電極190a和第二像素電極190b，所述縫隙包括一對與柵極線121成45度角的部分191和193，以及垂直于柵極線121的部分。每一個45度角部分191和193都比垂直部分長。此外，45度角部分彼此垂直。
第二像素電極190b具有從第二像素電極190b的右側(cè)向其左側(cè)延伸的切口192，并且具有擴展的入口。
第一像素電極190a和第二像素電極190b相對于平分像素區(qū)域的直線具有反演對稱性，所述像素區(qū)域由柵極線121和數(shù)據(jù)線171(平行于柵極線121延伸)的交叉部分界定。
在上部絕緣襯底210上形成阻擋光泄漏的黑矩陣220，在黑矩陣220上形成多個紅色、綠色和藍色濾色器230。在濾色器230上形成優(yōu)選由透明導電材料，例如ITO和IZO，構(gòu)成的，包括多組切口271-273的公共電極270。
在像素電極190a和190b之間的縫隙的45度角部分插入位于公共電極270中的一組切口271、272和273，所述切口包括平行于45度角部分的傾斜部分，和覆蓋像素電極190a和190b邊緣的末端部分。切口271-273的末端部分包括縱向末端部分和橫向末端部分。
對準并組裝上述TFT陣列板和濾色器屏板，并在其間插入液晶材料，并對其進行垂直配向，從而制備根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD的基本結(jié)構(gòu)。
當TFT陣列板和濾色器屏板彼此對準后，公共電極270中的一組切口271、272和273將像素電極190a和190b的每個分割為多個子區(qū)域，根據(jù)本實施例，為圖13所示的四個子區(qū)域。如圖13所示，延長每一個子區(qū)域，從而使其具有寬度方向和長度方向。
將布置在像素電極190a和190b的子區(qū)域之間的液晶層3的部分和與之相對應的公共電極270的子區(qū)域稱為子區(qū)，根據(jù)在電場的作用下包含在其中的液晶分子的平均長軸方向，將所述子區(qū)劃分為四個類別，我們稱其為域。
與此同時，盡管在第一至第五實施例中，將第二像素電極190b連接至第二薄膜晶體管TFT2，但是，也可以將第二像素電極190b連接至兩個薄膜晶體管。
圖15是根據(jù)本發(fā)明的第六實施例的LCD的等效電路圖。
參照圖15，根據(jù)本發(fā)明第六實施例的LCD將第二實施例的第二薄膜晶體管(圖6中所示的TFT2)作為第三薄膜晶體管TFT3添加到了第一實施例的連接構(gòu)造中。
圖16是根據(jù)本發(fā)明的第七實施例的LCD的等效電路圖。
參照圖16，根據(jù)本發(fā)明第六實施例的LCD將第四實施例的第二薄膜晶體管(圖10中所示的TFT2)作為第三薄膜晶體管TFT3添加到了第三實施例的連接構(gòu)造中。
上述構(gòu)造提高了LCD的側(cè)面可見度，從而拓寬了視角。
雖然已經(jīng)參照優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，但是本領域的技術(shù)人員將認識到在不背離如附加的權(quán)利要求書設定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以對其進行各種修改和替換。特別地，在像素電極和公共電極中形成的切口具有各種變型。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列板，其包括一絕緣襯底；形成在所述絕緣襯底上的多個第一信號線；多個與所述第一信號線絕緣、并與所述第一信號線相交的第二信號線；設置在由所述第一信號線和所述第二信號線的交叉界定的并按照矩陣排列的像素區(qū)域上的多個第一像素電極；多個第一薄膜晶體管，每一個第一薄膜晶體管具有三個端子，所述三個端子連接至所述第一信號線中的一個、所述第二信號線中的一個和所述第一像素電極中的一個；布置在所述像素區(qū)域上并與所述第一像素電極電容性耦合的多個第二像素電極；以及多個第二薄膜晶體管，每一個第二薄膜晶體管都具有連接至所述第二像素電極中的一個的端子，和連接至所述第一信號線中的一個的另一端子，所述第一信號線連接至位于相鄰行的像素區(qū)域內(nèi)的第一像素電極中的一個。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列板，其進一步包括多個耦合電極，所述耦合電極連接至或覆蓋所述第一像素電極，并且覆蓋所述第二像素電極并與之絕緣。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列板，其中，所述耦合電極連接至與所述第一像素電極相連的第一薄膜晶體管的漏電極。
4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列板，其進一步包括多個與所述第二信號線交叉的第三信號線，其中，每一個第二薄膜晶體管的末端連接至所述第三信號線和所述第二信號線中的一個。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列板，其中，每一個第二薄膜晶體管的末端連接至所述第三信號線中的一個，所述薄膜晶體管陣列板進一步包括多個第三薄膜晶體管，每一個第三薄膜晶體管具有三個端子，所述三個端子連接至所述第二信號線中的一個、所述第二像素電極中的一個、和連接至位于相鄰行中的像素區(qū)域的所述第一信號線中的一個。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列板，其中，所述第一像素電極和所述第二像素電極中的至少一個包括至少一個域分割部件。
7.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列板，其進一步包括布置在所述第一信號線和所述第二信號線之間的柵極絕緣層；以及布置在所述第二信號線與所述第一和第二像素電極之間的鈍化層；其中，所述耦合電極通過位于所述鈍化層中的接觸孔連接至所述第一像素電極。
8.一種液晶顯示器，其包括第一絕緣襯底；在所述第一絕緣襯底上形成的、包括第一和第二柵電極的柵極線；在所述第一絕緣襯底上形成的存儲電極線；覆蓋所述柵極線和所述存儲電極線的柵極絕緣層；在所述柵極絕緣層上形成的第一和第二非晶硅層；在所述柵極絕緣層上形成的、包括至少部分布置在所述第一非晶硅層上的第一源電極的數(shù)據(jù)線；至少部分布置在所述第二非晶硅層上的第二源電極；分別至少部分形成在所述第一和第二非晶硅層上的、并且分別與所述第一和第二源電極相對布置的第一和第二漏電極；在所述柵極絕緣層上形成的耦合電極；在所述數(shù)據(jù)線、所述第一和第二漏電極、以及所述耦合電極上形成的鈍化層；在所述鈍化層上形成的、并且連接至或覆蓋所述第一漏電極和所述耦合電極的第一像素電極；與所述第一像素電極絕緣、連接至所述第二漏電極、并至少部分覆蓋所述耦合電極的第二像素電極；面對所述第一絕緣襯底的第二絕緣襯底；以及在所述第二絕緣襯底上形成的公共電極。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中，所述第二源電極連接至所述存儲電極線或所述數(shù)據(jù)線。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中，所述第二源電極連接至所述存儲電極線，所述液晶顯示器進一步包括連接至所述柵極線的第三柵電極、連接至所述數(shù)據(jù)線的第三源電極和連接至所述第二像素電極的第三漏電極。
11.如權(quán)利要求9或10所述的液晶顯示器，其中，所述第一漏電極連接至所述耦合電極。
12.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中，所述耦合電極通過位于所述鈍化層的接觸孔連接至所述第一像素電極。
13.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其進一步包括布置在所述第一和第二襯底中的至少一個上的第一域分割部件；以及布置在所述第一和第二襯底的至少一個上的、與所述第一域分割部件一起將像素區(qū)域劃分為多個域的第一域分割部件。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種具有卓越可見度的液晶顯示器。提供了一種薄膜晶體管陣列板，其包括在絕緣襯底上形成的柵極線；與所述柵極線絕緣，并與所述柵極線交叉的數(shù)據(jù)線；布置在由所述柵極線和數(shù)據(jù)線的交叉界定的像素區(qū)域上的第一像素電極；第一薄膜晶體管，每一個第一薄膜晶體管具有三個端子，它們連接至柵極線中的一個、數(shù)據(jù)線中的一個、以及第一像素電極中的一個；布置在所述像素區(qū)域上的，與所述第一像素電極電容性耦合的第二像素電極；以及第二薄膜晶體管，每一個第二薄膜晶體管具有三個端子，它們連接至前一柵極線、存儲電極線或數(shù)據(jù)線中的一個、以及第二像素電極中的一個。通過提高側(cè)面可見度擴大了LCD的視角。
文檔編號G02F1/1343GK1764865SQ200480008298
公開日2006年4月26日 申請日期2004年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月26日
發(fā)明者金熙燮, 金鐘來, 梁英喆, 洪性奎 申請人:三星電子株式會社