專利名稱：透射反射型液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器件(LCD)，更具體地，涉及透射反射型LCD的陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
直到最近，顯示器件通常采用陰極射線管(CRT)?，F(xiàn)在已進行了很多努力來研究和開發(fā)各種平板顯示器(如液晶顯示(LCD)器件、等離子體顯示板(PDP)，場發(fā)射顯示器以及電致發(fā)光顯示器(ELD))作為CRT的替代品。在這些平板顯示器中，LCD器件具有以下幾大優(yōu)點，如高分辨率圖像、重量輕、外形薄、尺寸小以及電源電壓要求低等。
通常，LCD器件包括相互分離且彼此面對的兩個基板以及介于這兩個基板之間的液晶材料層。這兩個基板包括彼此面對的多個電極，其中提供給各電極的電壓對液晶材料層感生出電場。相應地，液晶材料層的液晶分子的取向根據(jù)感生電場的強度和方向而變化，從而改變了LCD器件的透光率。因此，LCD器件通過改變感生電場來顯示圖像。
由于具有LCD板的LCD器件是非發(fā)光顯示器件，因此LCD器件要使用光源，比如設(shè)置在LCD板下方的背光單元。從背光單元發(fā)出的光進入LCD板。使用背光單元作為光源的LCD是透射型LCD。雖然透射型LCD具有在外部環(huán)境較暗時也能顯示明亮圖像的優(yōu)點，但是透射型LCD消耗大量電力。
為了改善透射型LCD的高耗電的問題，采用了反射型LCD。反射型LCD使用諸如自然光的外部光。由于反射型LCD使用外部光，所以反射型LCD比透射型LCD消耗更少的電力。在反射型LCD的陣列基板上形成的像素電極由反光的導電材料制成，以反射外部光，并且形成在反射型LCD的濾色器基板上的公共電極由透明的導電材料制成，以透射外部光。然而，反射型LCD具有以下缺點，即需要外部光來顯示圖像并且所顯示的圖像的亮度較低。因此，采用了可根據(jù)光源而作為透射型LCD或反射型LCD的透射反射型LCD。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的透射反射型LCD的平面圖。
在圖1中，選通線18和數(shù)據(jù)線35布置在基板上，彼此交叉而限定像素區(qū)域P。像素區(qū)域P包括透明區(qū)域TA和反射區(qū)域RA。薄膜晶體管Tr布置在選通線18和數(shù)據(jù)線35的交叉點附近。薄膜晶體管Tr包括柵極21、源極38、漏極41以及半導體層9。源極38被限定為與半導體層9交疊的一部分數(shù)據(jù)線35。源極38和漏極41分別通過半導體接觸孔30a和30b與半導體層9接觸。像素電極65通過漏極接觸孔47與薄膜晶體管Tr接觸。反射電極62位于像素電極65下方并且限定了反射區(qū)域RA。反射電極62之外的像素區(qū)域P是透明區(qū)域TA。存儲線24平行于選通線18并且與之分開。半導體層9和存儲線24彼此交疊的部分用作第一存儲電極和第二存儲電極，并且與柵絕緣層一起形成存儲電容。與存儲線24交疊的部分半導體層9為歐姆接觸層。在反射區(qū)域RA中隨機地形成有不平坦圖案59。
圖2是沿圖1的線A-A所截取的剖面圖。
在圖2中，在基板3上形成有包括有源層9a、歐姆接觸層9b以及存儲層9c的半導體層9，在半導體層9上形成有柵絕緣層15，并且在該柵絕緣層15上形成有柵極21和與該柵極21相分離的存儲線24?？梢栽谛纬砂雽w層9之前形成緩沖層6。存儲層9b用作第一存儲電極，與存儲層9b交疊的存儲線24用作第二存儲電極，并且柵絕緣層用作存儲電容StgC的介電材料。相應地，存儲層9b、存儲線24和柵絕緣層15限定了存儲電容StgC。在柵極21和存儲線24之上是隔層(interlayer)27。在隔層27上形成有源極38和漏極41，源極38和漏極41分別通過半導體接觸孔30a和30b與半導體層9接觸。
在反射區(qū)域RA中的源極38、漏極41和隔層27上形成有鈍化層44。在透明區(qū)域TA中，去除鈍化層44。鈍化層44在透明區(qū)域TA和反射區(qū)域RA之間具有一臺階。鈍化層44的表面具有不平坦圖案59。在反射區(qū)域RA中的鈍化層44上形成有反射電極62，并且反射電極62具有與鈍化層44相同的不平坦圖案59。對漏極41上的鈍化層44和反射電極62進行構(gòu)圖，以形成露出漏極41的漏極接觸孔47。在像素區(qū)域P中的反射電極62上形成像素電極65。像素電極65由透明的導電材料制成，并且通過漏極接觸孔47與漏極41接觸。
由于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的透射反射型LCD具有在反射區(qū)域中隨機形成的不平坦圖案59，因此外部光會沿各個方向被均勻反射。因此，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的透射反射型LCD有效地反射外部光。然而，由于將漏極接觸孔形成在反射區(qū)域中，所以減小了反射區(qū)域中的不平坦圖案59的面積。此外，難于在反射區(qū)域中隨機地形成不平坦圖案。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種透射反射型液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法，其基本上消除了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和不足而產(chǎn)生的一個或者多個問題。
本發(fā)明的一個優(yōu)點在于提供了一種透射反射型液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法，其能夠增加反射區(qū)域的形成不平坦圖案的面積。
本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的說明中進行闡述，一部分可以通過說明書而明了，或者可以通過本發(fā)明的實踐而體驗到。通過說明書、權(quán)利要求書和附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)或獲得本發(fā)明的這些和其它優(yōu)點。
為了達到這些和其他的優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如具體實施和廣義說明的，一種透射反射型LCD的陣列基板包括在基板上彼此交叉而限定了像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線和選通線，該像素區(qū)域包括反射區(qū)域、透明區(qū)域以及反射區(qū)域和透明區(qū)域之間的邊界區(qū)域；位于選通線和數(shù)據(jù)線的交叉點附近的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵極、半導體層、源極以及漏極；位于反射區(qū)域中的鈍化層，該鈍化層在透明區(qū)域和邊界區(qū)域中具有開口；位于反射區(qū)域和邊界區(qū)域中的反射電極，該反射電極通過邊界區(qū)域中的開口與漏極接觸；以及與反射電極接觸的透明電極。
另一方面，一種透射反射型LCD的陣列基板的制造方法包括在基板上形成半導體層；形成選通線和柵極；形成與選通線交叉而限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、以及源極和漏極，該像素區(qū)域包括反射區(qū)域、透明區(qū)域以及反射區(qū)域和透明區(qū)域之間的邊界區(qū)域；在反射區(qū)域中形成鈍化層，該鈍化層在透明區(qū)域和邊界區(qū)域中具有開口；在反射區(qū)域中形成反射電極，該反射電極通過邊界區(qū)域中的開口與漏極接觸；以及，形成與反射電極接觸的透明電極。
可以理解，前面的概述和下面的詳細描述都是示例性和說明性的，旨在為權(quán)利要求所限定的本發(fā)明提供進一步的解釋。


所包括的附圖用以提供對于本發(fā)明的進一步理解，附圖包含在說明書中并且構(gòu)成說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的透射反射型LCD的平面圖；圖2是沿圖1中的線A-A所截取的剖面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的透射反射型LCD的平面圖；圖4是沿圖3的線B-B所截取的剖面圖；圖5至圖8分別是根據(jù)本發(fā)明的第二至第五實施例的透射反射型LCD的平面圖；圖9A至9E是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的透射反射型LCD的制造方法的平面圖；圖10A至10J是沿圖3的線B-B所截取的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的透射反射型LCD的制造方法的剖面圖。
圖11是根據(jù)本發(fā)明的僅在透明區(qū)域中形成有像素電極的透射反射型LCD的平面圖；并且圖12是根據(jù)本發(fā)明的在鈍化層與源極及漏極之間具有無機層的透射反射型LCD的剖面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在對附圖中示出的優(yōu)選實施例進行具體說明。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的透射反射型LCD的平面圖，而圖4是沿圖3的線B-B所截取的剖面圖。
在圖3中，選通線118和數(shù)據(jù)線135布置在基板上，彼此交叉而限定了像素區(qū)域P。薄膜晶體管Tr布置在選通線118和數(shù)據(jù)線135的交叉點附近。存儲線124平行于選通線118且與之分開。
像素區(qū)域P包括透明區(qū)域TA和反射區(qū)域RA。在反射區(qū)域RA中形成有反射電極162，而在透明區(qū)域TA中不形成反射電極162。反射電極162具有不平坦圖案159。像素電極165形成在像素區(qū)域P中。像素電極165與選通線118和數(shù)據(jù)線135交疊，并且形成在相鄰像素區(qū)域P中的相鄰像素電極165彼此分離。在透明區(qū)域TA和反射區(qū)域RA之間的邊界中形成有邊界區(qū)域。透明區(qū)域TA的形狀為矩形，而邊界區(qū)域可以包括位于透明區(qū)域TA的四邊的第一邊界部分CA1、第二邊界部分CA2、第三邊界部分CA3以及第四邊界部分CA4。
薄膜晶體管Tr包括柵極121、源極138、漏極141以及半導體層109。源極138被限定為與半導體層109交疊的一部分數(shù)據(jù)線135。源極138和漏極141與半導體層109接觸。半導體層109與柵極121和存儲線124交疊。漏極141形成在反射區(qū)域RA中，與存儲線124交疊并且延伸到第一邊界部分CA1、第二邊界部分CA2、第三邊界部分CA3以及第四邊界部分CA4。
在圖4中，在基板103上形成有緩沖層106，并且在緩沖層106上形成有半導體層109。半導體層109可以由多晶硅制成。半導體層109包括位于半導體層109的中部的有源層109a、位于半導體層109的兩側(cè)外部的歐姆接觸層109b，以及與存儲線124對應的存儲層109c。有源層109a和存儲層109c未摻雜，而對歐姆接觸層109b摻加了諸如n+和p+離子的雜質(zhì)。
在具有半導體層109的整個基板103上形成有柵絕緣層115。在柵絕緣層115上形成有彼此分離的柵極121和存儲線124。柵極121形成在有源層119a的正上方。存儲層109c用作第一存儲電極，而與存儲層109c交疊的存儲線124用作第二存儲電極，并且柵絕緣層用作存儲電容StgC的介電材料。因此，存儲層109c、存儲線124以及柵絕緣層115限定了存儲電容StgC。在柵極121和存儲線124之上是隔層127。隔層127具有露出歐姆接觸層109b的半導體接觸孔130a和130b。
源極138和漏極141彼此分離地形成在隔層127上，并且分別通過半導體接觸孔130a和130b與歐姆接觸層109b接觸。漏極141與存儲線124交疊，并且延伸到反射區(qū)域RA和第一邊界部分CA1。如圖3所示，漏極141還延伸至第二邊界部分CA2、第三邊界部分CA3以及第四邊界部分CA4。
鈍化層144形成在反射區(qū)域RA中的源極138、漏極141以及隔層127上。在透明區(qū)域TA中，去除鈍化層144以形成開口101。開口101對應于透明區(qū)域TA。在第一邊界部分CA1中漏極141的一個端部通過開口101露出。鈍化層144在第一邊界部分CA1中具有一傾斜的臺階。鈍化層144的表面具有不平坦圖案159。
在鈍化層144上形成有反射電極162。反射電極162與漏極141的位于第一邊界部分CA1中的端部直接接觸。與鈍化層144相同，反射電極162具有不平坦圖案159。反射電極162由高反光性且導電的材料制成。像素電極165形成在像素區(qū)域P內(nèi)的反射電極162上。像素電極165由透明的導電材料制成。
如圖3和圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的透射反射型LCD在反射區(qū)域內(nèi)不具有連接漏極與像素電極的漏極接觸孔。但是，漏極延伸到在透明區(qū)域的邊緣處限定的邊界區(qū)域，反射電極在該邊界區(qū)域處與漏極接觸，并且像素電極通過形成在像素電極下方的反射電極與漏極電連接。因此，本發(fā)明的第一實施例中的反射區(qū)域的面積大于現(xiàn)有技術(shù)中的透射反射型LCD的反射區(qū)域的面積。此外，由于在反射區(qū)域中沒有形成漏極接觸孔，因此可以在反射區(qū)域中更加隨機地形成不平坦圖案。
圖5至圖8分別是根據(jù)本發(fā)明的第二至第五實施例的透射反射型LCD的平面圖。由于圖5至圖8中的透射反射型LCD與圖3中所示的透射反射型LCD相似，因此在下文中省略了相似部分的說明。
在圖5中，根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的透射反射型LCD具有形成在圖3中的邊界區(qū)域的第一邊界部分CA1中的漏極210。
在圖6中，根據(jù)本發(fā)明的第三實施例的透射反射型LCD具有形成在圖3中的邊界區(qū)域的第一邊界部分CA1和第三邊界部分CA3中的漏極212。
在圖7中，根據(jù)本發(fā)明的第四實施例的透射反射型LCD具有形成在圖3中的邊界區(qū)域的第一邊界部分CA1和第二邊界部分CA2中的漏極214。
在圖8中，根據(jù)本發(fā)明的第五實施例的透射反射型LCD具有形成在圖3中的邊界區(qū)域的第一邊界部分CA1、第二邊界部分CA2和第三邊界部分CA3中的漏極216。
圖9A至9E是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的透射反射型LCD的制造方法的平面圖。圖10A至10J是沿圖3的線B-B截取的根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的透射反射型LCD的制造方法的剖面圖。
在圖9A和10A中，在基板103上形成由無機絕緣材料制成的緩沖層106。在緩沖層106上淀積非晶硅材料并且使該非晶硅材料結(jié)晶以形成多晶硅層。在該多晶硅層上淀積光刻膠，然后通過光刻膠對多晶硅層進行構(gòu)圖以形成半導體層109。在具有半導體層109的基板103上形成由無機絕緣材料制成的柵絕緣層115。
在圖9B和10B中，在柵絕緣層115上淀積金屬材料，并且對其進行構(gòu)圖以形成選通線118、從選通線118伸出的柵極121以及與選通線118平行且分離開的存儲線124。彼此交疊的半導體層109、存儲線124以及柵絕緣層115限定了存儲電容StgC。
在圖10C中，柵極121和存儲線124用作遮擋掩模，以對半導體層109摻加諸如n+和p+離子的雜質(zhì)。柵極121和存儲線124防止位于柵極121和存儲線124正下方的半導體層被摻雜。通過柵極121和存儲線124對半導體層109摻加了大量雜質(zhì)，從而形成未摻雜的有源層109a和存儲層109c以及經(jīng)摻雜的歐姆接觸層109b。有源層109a和存儲層109c分別與柵極121和存儲線124對應。存儲層109c用作第一存儲電極，與歐姆接觸層109b交疊的存儲線124用作第二存儲電極，而柵絕緣層115用作存儲電容StgC的介電材料。相應地，存儲層109c、存儲線124和柵絕緣層115限定了存儲電容StgC。在圖10B和10C的圖示中，柵極121和存儲線124被用作遮擋掩模。然而，應該理解，例如可以將光刻膠用作遮擋掩模。當使用光刻膠作為遮擋掩模時，可以在隨后將形成柵極121的位置處形成光刻膠，可以通過該光刻膠對半導體層109摻加雜質(zhì)，然后可以形成柵極121。此外，當使用光刻膠作為遮擋掩模時，由于該光刻膠與柵極121對應，因此可以對存儲層109c摻加雜質(zhì)。
在圖9C和10D中，在具有柵極121和存儲線124的基板上形成有由無機材料制成的隔層127，并且對其進行構(gòu)圖以形成露出歐姆接觸層109b的半導體接觸孔130a和130b。
在圖9D和10E中，在隔層127上淀積金屬材料并且對其進行構(gòu)圖以形成與選通線118交叉的數(shù)據(jù)線135、源極138和漏極141。將源極138限定為與半導體層109交疊的一部分數(shù)據(jù)線135。漏極141與存儲線124、歐姆接觸層109b和存儲層109c交疊，并且延伸到反射區(qū)RA和第一邊界部分CA1。如圖9D所示，漏極141還延伸到第二邊界部分CA2、第三邊界部分CA3和第四邊界部分CA4。
在圖9E和10F中，在源極138和漏極141上形成有由諸如苯并環(huán)丁烯的無機材料制成的鈍化層144。在鈍化層144上淀積光刻膠154。在光刻膠154上設(shè)置具有透明部分TmA、遮擋部分BkA和半透明部分HTmA的光掩模157。光刻膠154可以是正性光刻膠。對于正性光刻膠，在顯影過程中去除被曝光的光刻膠部分。透明部分TmA位于與透明區(qū)域TA對應的部分處，遮擋部分BkA位于與反射區(qū)域RA的不平坦圖案159的凸出形狀對應的部分處，并且半透明部分HTmA位于與反射區(qū)域RA中的不平坦圖案159的凹進部分對應的部分處。通過光掩模157對光刻膠154進行曝光并且進行顯影處理，從而去除與透明區(qū)域TA對應的光刻膠154，并且使與反射區(qū)域RA對應的光刻膠154變?yōu)榫哂袌D10G中的光刻膠圖案155。
光刻膠圖案155包括第一圖案155a和第二圖案155b，二者具有彼此不同的厚度。第一圖案155a形成在與遮擋部分BkA對應的部分處，具有比第二圖案155b更厚的凸起形狀，而具有凹進形狀的第二圖案155b形成在與半透明部分HTmA對應的部分處。然后，利用光刻膠圖案155對鈍化層144進行干刻蝕。在這個示例中，使用光刻膠對鈍化層144構(gòu)圖。然而應該理解，例如當對于鈍化層144使用如光敏丙烯酸樹脂(photo-acrylic)的光敏有機絕緣層時，由于光敏有機絕緣層自身用作為光刻膠，因此可以無需使用光刻膠而形成鈍化層。因此，當在本發(fā)明的實施例中對鈍化層使用光敏有機絕緣層時，可以在制造工藝中省略干刻蝕和光刻膠剝離的工序。
在圖10H中，去除與透明區(qū)域TA對應的鈍化層144以形成開口101。開口101暴露出與透明區(qū)域TA對應的隔層127。與第一邊界部分CA1對應的鈍化層144具有一傾斜的臺階，并且漏極的位于第一邊界部分CA1中的端部通過開口101暴露出來。此外，由于光刻膠圖案155(圖10G)具有凸凹形狀，因此鈍化層144的與反射區(qū)域RA對應的表面具有不平坦圖案159。由于通過熱處理對鈍化層144進行了處理，因此鈍化層144的不平坦圖案159是具有凸凹狀的平滑表面。
在圖10I中，在鈍化層144上形成有由高反光性且導電的材料制成的反射電極162。反射電極162與漏極141的位于第一邊界部分CA1中的端部直接接觸。與鈍化層144相同，反射電極162具有不平坦圖案159。
在圖10J中，在反射電極162上形成有由透明導電材料制成的像素電極165，像素電極165與反射電極162接觸。在像素區(qū)域P中形成有圖10J中的像素電極165。然而，應該理解，如圖11所示，像素電極166可以僅形成在透明區(qū)域TA中并且與邊界區(qū)域中的反射電極162接觸。還應該理解，如圖12所示，可以在鈍化層354與源極338及漏極341之間形成由諸如氮化硅(SiNx)的無機絕緣材料制成的無機層343。無機層343提高了鈍化層354和源極338及漏極341之間的粘著性。與鈍化層354相同，無機層343具有開口301。
除了漏極的形狀(圖5至圖8中示出)不同之外，根據(jù)圖5至圖8中的本發(fā)明的第二至第五實施例的透射反射型LCD的制造方法與根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的透射反射型LCD的上述制造方法相同。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，很顯然在不違背本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以對上述顯示器件及其制造方法進行各種改進和變化。因此，本發(fā)明涵蓋落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的所有改進和變化。
權(quán)利要求
1.一種透射反射型液晶顯示器的陣列基板，包括在基板上彼此交叉而限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線和選通線，所述像素區(qū)域包括反射區(qū)域、透明區(qū)域以及所述反射區(qū)域和透明區(qū)域之間的邊界區(qū)域；位于所述選通線和數(shù)據(jù)線的交叉點附近的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、半導體層、源極和漏極；位于所述反射區(qū)域中的鈍化層，所述鈍化層在所述透明區(qū)域和所述邊界區(qū)域中具有開口；位于所述反射區(qū)域和邊界區(qū)域內(nèi)的反射電極，所述反射電極通過所述邊界區(qū)域中的開口與所述漏極接觸；以及與所述反射電極接觸的透明電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述鈍化層包括位于所述邊界區(qū)域中的傾斜臺階。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述透明區(qū)域的形狀為矩形，并且所述邊界區(qū)域包括第一邊界部分、第二邊界部分、第三邊界部分和第四邊界部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中所述反射電極在所述第一邊界部分、第二邊界部分、第三邊界部分和第四邊界部分中的至少一個中與所述漏極接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述透明電極位于所述反射電極上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述反射電極具有第一不平坦圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其中所述鈍化層的表面具有第二不平坦圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括所述鈍化層和所述薄膜晶體管之間的無機絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括所述薄膜晶體管和所述基板之間的緩沖層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括所述柵極和所述半導體層之間的柵絕緣層，以及所述柵極與所述源極及漏極之間的隔層，所述隔層具有分別將半導體層連接到源極和漏極的第一接觸孔和第二接觸孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其中所述半導體層包括與所述柵極對應的有源層和與所述源極和漏極連接的歐姆接觸層，并且所述半導體層由多晶硅制成，所述歐姆接觸層摻有雜質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括與所述選通線分離并且與所述半導體層交疊的存儲線。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述像素電極與所述像素區(qū)域和透明區(qū)域中的一個相對應。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述反射電極由反光的導電材料制成，而所述透明電極由透明的導電材料制成。
15.一種透射反射型液晶顯示器的陣列基板的制造方法，包括在基板上形成半導體層；形成選通線和柵極；形成與所述選通線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線以及源極和漏極，所述像素區(qū)域包括反射區(qū)域、透明區(qū)域以及位于所述反射區(qū)域和所述透明區(qū)域之間的邊界區(qū)域；在所述反射區(qū)域中形成鈍化層，所述鈍化層在所述透明區(qū)域和邊界區(qū)域中具有開口；在所述反射區(qū)域和邊界區(qū)域中形成反射電極，所述反射電極通過所述邊界區(qū)域中的開口與所述漏極接觸；以及形成與所述反射電極接觸的透明電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中所述鈍化層包括位于所述邊界區(qū)域中的傾斜臺階。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中所述透明區(qū)域的形狀為矩形，并且所述邊界區(qū)域包括第一邊界部分、第二邊界部分、第三邊界部分和第四邊界部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造方法，其中所述反射電極在所述第一邊界部分、第二邊界部分、第三邊界部分和第四邊界部分中的至少一個中與所述漏極接觸。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中在所述反射電極上形成所述透明電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中形成所述鈍化層的步驟包括在所述鈍化層上淀積光刻膠；在所述鈍化層上設(shè)置光掩模，所述光掩模具有透明部分、遮擋部分和半透明部分；通過所述光掩模對所述光刻膠進行曝光；對所述光刻膠進行顯影以形成光刻膠圖案，其中去除了與所述透明部分對應的光刻膠圖案，與所述遮擋部分和半透明部分對應的光刻膠圖案是不平坦的；并且通過所述光刻膠圖案對所述鈍化層進行刻蝕，以形成所述反射區(qū)域內(nèi)的第一不平坦圖案和所述透明區(qū)域和邊界區(qū)域中的開口。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的制造方法，其中所述反射電極具有第二不平坦圖案。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，還包括在所述鈍化層和所述薄膜晶體管之間形成無機絕緣層。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，還包括在所述薄膜晶體管和所述基板之間形成緩沖層。
24.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，還包括在所述柵極和所述半導體層之間形成柵絕緣層，以及在所述柵極和所述源極及漏極之間形成隔層，所述隔層具有分別將所述半導體層連接到所述源極和漏極的第一接觸孔和第二接觸孔。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的制造方法，其中所述半導體層包括與所述柵極對應的有源層和與所述源極和漏極連接的歐姆接觸層，并且所述半導體層由多晶硅制成。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的制造方法，其中形成有源層和歐姆接觸層的步驟包括在所述柵絕緣層上淀積光刻膠并且進行構(gòu)圖，以形成與所述有源層對應的遮擋掩模；并且通過所述遮擋掩模對所述半導體層進行摻雜。
27.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，還包括形成與所述選通線分離并且與所述半導體層交疊的存儲線。
28.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中所述像素電極與所述像素區(qū)域和所述透明區(qū)域中的一個對應。
29.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中所述反射電極由反光的導電材料制成，并且所述透明電極由透明的導電材料制成。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述鈍化層包括光敏有機材料。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的陣列基板，其中所述光敏有機材料是光敏丙烯酸樹脂。
32.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其中所述漏極延伸到所述邊界區(qū)域。
33.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中所述漏極延伸到所述邊界區(qū)域。
34.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中所述鈍化層包括光敏有機材料。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的制造方法，其中所述光敏有機材料是光敏丙烯酸樹脂。
36.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板，其中所述無機絕緣層具有位于所述透明區(qū)域和所述邊界區(qū)域中的開口。
37.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中形成鈍化層的步驟包括在鈍化層上設(shè)置光掩模，所述光掩模具有透明部分、遮擋部分和半透明部分，其中所述鈍化層是光敏有機絕緣層；通過所述光學掩模對所述鈍化層進行曝光；并且對所述鈍化層進行顯影以形成反射區(qū)域中的第一不平坦圖案，以及所述透明區(qū)域和邊界區(qū)域中的開口，其中所述第一不平坦圖案與所述半透明部分對應。
全文摘要
一種透射反射型液晶顯示器的陣列基板，包括在基板上相互交叉從而限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線和選通線，該像素區(qū)域包括反射區(qū)域、透明區(qū)域以及反射區(qū)域和透明區(qū)域之間的邊界區(qū)域；位于選通線和數(shù)據(jù)線的交叉點附近的薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括柵極、半導體層、源極和漏極；位于反射區(qū)域中的鈍化層，該鈍化層在透明區(qū)域和邊界區(qū)域中具有開口；位于反射區(qū)域和邊界區(qū)域內(nèi)的反射電極，該反射電極通過邊界區(qū)域中的開口與漏極接觸；以及與反射電極接觸的透明電極。
文檔編號G02F1/136GK1637546SQ20041008876
公開日2005年7月13日 申請日期2004年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日
發(fā)明者黃漢郁 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社