專利名稱：形成具有低電阻率金屬圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于形成具有低電阻率的金屬圖案的方法。更具體地，本發(fā)明涉及用于通過以下方式形成金屬圖案的方法，即順序地在襯底上形成由光催化化合物(即其反應(yīng)性可被光改變的化合物)組成的光催化層和水溶性聚合物層，將該兩層選擇性曝光以形成用于通過光反應(yīng)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)的潛像中心(latent image centers)，將該潛圖案(latent pattern)鍍以所需的金屬以在潛圖案上生長(zhǎng)金屬晶體。
背景技術(shù)：
隨著對(duì)大顯示面和高分辨率的平板顯示器(flat panel displays)(如液晶顯示器(LCDs)、等離子顯示屏(PDPs)和無機(jī)和有機(jī)發(fā)光顯示器(ELDs))的需要增加，金屬線路(metal wiring)的長(zhǎng)度被大大延長(zhǎng)。而且，可增加孔徑比(aperture ratio)的設(shè)計(jì)比例尺也在下降。這就產(chǎn)生了一些問題，例如線路電阻和電容，以及信號(hào)延遲和失真急劇增大。在這些情況下，發(fā)展用于形成低電阻率金屬線路的方法對(duì)于開發(fā)高分辨率和大面積平板顯示器件至關(guān)重要。
已經(jīng)積極探討了在大尺寸LCDs中采用低電阻率鋁(Al)作為線路材料。此時(shí)，采用鋁合金AlNd來防止線路的不均勻問題(如使用純鋁時(shí)由于物質(zhì)遷移所出現(xiàn)的小丘(hillock))。然而，由于加入合金會(huì)引起電阻率增加，以及α-Si或ITO的高反應(yīng)性導(dǎo)致接觸電阻增加，因此當(dāng)鋁合金用作源極/漏極材料時(shí)需要采用多層結(jié)構(gòu)(如Cr/AlNd/Cr)。但是，形成多層金屬圖案需要復(fù)雜的工藝，其使得生產(chǎn)力受到限制。
下表1的周期表中列出了可用于形成平板顯示器件的金屬線路的各種金屬。
盡管目前使用鋁合金，但銅(Cu)和銀(Ag)已成為極感興趣的研究熱點(diǎn)。這是因?yàn)樗鼈冊(cè)跓o定形硅層上具有低的電阻率和良好的接觸性質(zhì)。然而，當(dāng)銅或銀用作柵電極時(shí)，其與下部襯底的附著性差，從而在下續(xù)步驟中金屬線路易于剝落。另外，當(dāng)銅或銀用作源極或漏極時(shí)，原子在200℃下擴(kuò)散進(jìn)入無定形硅層或者由于電驅(qū)動(dòng)發(fā)生電遷移。這使得線路和器件的性能劣化。因此，為了將銅或銀用作具有低電阻率的線路材料，需要形成另外的金屬層。該層要具有良好的襯底附著性并且在線路材料的較低部份和/或較高部份具有低的接觸電阻。這導(dǎo)致多層金屬圖案。
為了滿足以較低成本形成大顯示面的需要，需要發(fā)展能夠用新材料代替常規(guī)線路材料的技術(shù)，從而可以用相對(duì)簡(jiǎn)單的方式形成多層金屬線路。
目前，采用光致抗蝕劑形成金屬圖案。然而，該方法含有許多復(fù)雜的步驟，包括金屬濺射、光致抗蝕劑圖案化和顯影，及蝕刻。因此它不適合用于形成多層金屬圖案。另外，對(duì)于在尺寸增大的玻璃襯底上形成大面積圖案，還存在與發(fā)展真空薄膜沉積設(shè)備有關(guān)的實(shí)質(zhì)性技術(shù)難度和制造成本增加。
美國專利No.5,534,312報(bào)道了一種用于形成金屬圖案而無需蝕刻工藝的方法。該方法包括以下步驟將對(duì)光敏感的有機(jī)化合物和金屬配位結(jié)合在一起從而生成有機(jī)金屬化合物；將該有機(jī)金屬化合物涂布在襯底上，然后，不采用感光樹脂用光照射該有機(jī)金屬化合物。在這一方法中，當(dāng)涂布的襯底通過帶圖案的掩膜曝光時(shí)，光與有機(jī)金屬化合物直接反應(yīng)導(dǎo)致與金屬配位結(jié)合的有機(jī)配體發(fā)生降解。該降解使得配體和金屬分開。金屬原子和鄰近的金屬原子或周圍的氧反應(yīng)最終形成金屬氧化物膜圖案。然而，由于配體污染，該方法是存在問題的。為了形成金屬或金屬氧化物膜，大多數(shù)配體通過光反應(yīng)而分開。另外，與提高氧化物膜的電導(dǎo)性有關(guān)的是，該方法不利地包含還原和表面退火，其在200℃或更高溫度、氮?dú)浠旌蠚饬飨逻M(jìn)行30分鐘至數(shù)小時(shí)。
在日本專利特開平No.2002-169486中描述了另一種通過噴墨過程形成金屬線路的方法。但是，該方法存在分辨率低和難以形成高電導(dǎo)線路的問題。另外，美國專利No.6,521,285論述了通過微接觸印刷(pringint)和無電鍍(electroless plating)形成金屬線路。然而，此方法具有的缺點(diǎn)是很難形成在大面積平板顯示器件中使用的均勻金屬線路。
因此本領(lǐng)域需要能形成包括高電導(dǎo)金屬的多層金屬圖案的簡(jiǎn)單方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)可以用簡(jiǎn)單的方式形成包括高電導(dǎo)金屬的單層或多層金屬圖案。其通過下列步驟完成順序地在襯底上形成由其反應(yīng)性可被光改變的化合物(即光催化(photocatalytic)化合物)組成的光催化薄膜層和水溶性聚合物層，將兩層選擇性曝光以形成用于晶體生長(zhǎng)的潛像中心(通過光反應(yīng))，并將潛圖案鍍以所需的金屬以在潛圖案上生長(zhǎng)金屬晶體。另外，本發(fā)明的發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)該金屬圖案具有優(yōu)異的金屬線路性質(zhì)。
因此，本發(fā)明的特征是提供一種用于以快速、有效和簡(jiǎn)單的方式形成單層或多層金屬圖案的方法。進(jìn)行該方法無需要求高真空或高溫條件的金屬薄膜形成過程。而且，該方法對(duì)于精細(xì)圖案的形成或下續(xù)蝕刻過程不涉及光致抗蝕工藝。
本發(fā)明的另一特征是提供了采用本方法形成的金屬圖案制造的平板顯示器件。
根據(jù)本發(fā)明的特征，提供用于形成金屬圖案的方法，包括以下步驟(i)將光催化化合物涂布到襯底上以形成光催化薄膜層；(ii)將水溶性聚合物涂布到光催化薄膜層上以形成水溶性聚合物層；(iii)將該兩層選擇性曝光以形成用于晶體生長(zhǎng)的潛像中心；和(iv)將潛圖案鍍以金屬以在其上生長(zhǎng)金屬晶體。
根據(jù)本發(fā)明，還提供了用本發(fā)明的方法形成的金屬圖案。
根據(jù)本發(fā)明，還提供了包含作為金屬線路的金屬圖案的平板顯示器件。
根據(jù)本發(fā)明，還提供了包含作為電磁干擾過濾器(electromagneticinterference filter)的金屬圖案的平板顯示器件。


從結(jié)合附圖的下文的詳細(xì)描述中將會(huì)更清楚地理解本發(fā)明的上述和其它目的、特征和其它優(yōu)點(diǎn)，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例1形成的金屬圖案的光學(xué)顯微鏡圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2形成的金屬圖案的電子顯微鏡圖；和圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例3形成的金屬圖案的光學(xué)顯微鏡圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將基于各個(gè)步驟更詳細(xì)地解釋本發(fā)明。
步驟(i)在該步驟中，將光催化化合物涂布到襯底上以在襯底上形成透明的無定形的光催化薄膜層。
此處所用的術(shù)語“光催化化合物”指其特性能被光顯著改變的化合物，特別是在未曝光時(shí)是惰性的而在曝光(如紫外光)下能被激活的化合物。在紫外光的照射下，光催化化合物曝光部分的電子被激發(fā)，因而能夠表現(xiàn)出活性如還原能力。因此，曝光部分的金屬離子被還原，從而在曝光部分上可形成負(fù)型潛圖案。
光催化化合物的優(yōu)選例子包括能通過退火形成透明的無定形TiO2的任意含鈦(Ti)有機(jī)金屬化合物，如鈦酸四異丙基酯、鈦酸四正丁基酯、鈦酸四(2-乙基-己基)酯、聚鈦酸丁基酯(polybutyltitanate)等。
在將光催化化合物溶解在適當(dāng)?shù)娜軇┤绠惐贾兄?，可以在襯底上采用旋涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷(screen printing)等進(jìn)行該溶液的涂布。
可用于本發(fā)明的襯底的例子包括但不特別限定為透明塑料和玻璃材料。透明塑料襯底的例子，可提及如丙烯酸類樹脂、聚酯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚醚砜、烯烴馬來酰亞胺共聚物、降冰片烯基樹脂等。在需要極好的耐熱性的情況中，優(yōu)選烯烴馬來酰亞胺共聚物和降冰片烯基樹脂。否則，優(yōu)選采用聚酯膜、丙烯酸類樹脂等。
通過涂布光催化化合物形成30-1,000nm厚的涂層。涂布之后，在熱板上或?qū)α鳡t中在不高于200℃的溫度下加熱涂層20分鐘以形成所需的光催化薄膜層。在高于200℃的溫度下加熱會(huì)導(dǎo)致結(jié)晶TiO2層的形成，從而使得光學(xué)性質(zhì)和圖案化分布(patterning profile)變差。
步驟(ii)在該步驟中，將水溶性聚合物涂布在光催化薄膜層以在其上形成水溶性聚合物層。此處所用的水溶性聚合物的例子包括均聚物，如聚乙烯醇、聚乙烯酚(polyvinylphenols)、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、明膠，及其共聚物。
首先，將1-30％重量的水溶性聚合物溶解在水中。之后，將所得的溶液涂布在光催化薄膜層上，然后加熱以形成水溶性聚合物層。
這樣形成的水溶性聚合物層在促進(jìn)紫外光照下的光還原反應(yīng)和用于提高光催化活性中發(fā)揮著作用。
為了進(jìn)一步提高其光敏性，優(yōu)選將光敏劑加入水溶性聚合物層中?？梢圆捎眠x自著色劑、有機(jī)酸、有機(jī)酸鹽和有機(jī)胺的水溶性化合物作為光敏劑。光敏劑的具體例子包括焦油著色劑(tar colorants)、葉綠酸的鉀鹽和鈉鹽、核黃素(riboflavine)及其衍生物、水溶性胭脂樹橙、CuSO4、焦糖(caramels)、姜黃素、胭脂蟲紅(cochinal)、檸檬酸、檸檬酸銨、檸檬酸鈉、草酸、酒石酸鉀、酒石酸鈉、抗壞血酸、甲酸、三乙醇胺、一乙醇胺、蘋果酸等。
基于100重量份的水溶性聚合物，加入的光敏劑的量為0.01-50重量份。
之后，在不高于100℃的溫度下加熱水溶性聚合物層5分鐘或少于5分鐘以蒸發(fā)水。控制最終水溶性聚合物層的厚度為0.1～1μm。
步驟(iii)在該步驟中，將光催化薄膜層和水溶性聚合物層有選擇地曝光以形成用于在其上生長(zhǎng)晶體的潛像中心。曝光氣氛和曝光量沒有特別限制，可以根據(jù)所用的光催化化合物的種類進(jìn)行適當(dāng)選擇。在后續(xù)的鍍金屬步驟中活化的光催化圖案用作金屬晶體生長(zhǎng)的核。
為了在下續(xù)步驟(iv)中有效形成金屬圖案，將潛圖案用金屬鹽溶液處理以在其上形成催化劑圖案。優(yōu)選使用銀(Ag)鹽溶液、鈀(Pd)鹽溶液或其混合溶液作為該金屬鹽溶液。
步驟(iv)在該步驟中，對(duì)在步驟(iii)中形成的用于晶體生長(zhǎng)的潛像中心，或根據(jù)需要的催化劑圖案，進(jìn)行金屬鍍覆(metal-plating)以在用于金屬生長(zhǎng)的帶圖案的核上生長(zhǎng)金屬晶體，從而形成金屬圖案。采用電鍍或無電鍍方法進(jìn)行金屬鍍覆。由于通過用金屬鹽溶液處理潛圖案而形成的催化劑圖案在無電鍍時(shí)具有足夠的活性，因此加速了晶體生長(zhǎng)，從而有利于形成更加致密堆積(densely packed)的金屬圖案。
在形成金屬圖案上可以理解，通過連續(xù)鍍覆在用于晶體生長(zhǎng)的潛像中心上至少可以生長(zhǎng)兩層金屬晶體以形成多層金屬圖案。例如，將用于晶體生長(zhǎng)的潛像中心鍍以所需的金屬以形成第一金屬層，然后將第一金屬層鍍以另一種所需的金屬以只在形成了第一金屬層的部份形成第二金屬層，從而可有利地地形成多層金屬圖案。
可以根據(jù)預(yù)定的用途適當(dāng)選擇所用鍍覆金屬的種類和鍍覆次序。組成各金屬層的金屬可以彼此相同或不同?？蛇m當(dāng)控制金屬層的厚度。
為了形成具有低電阻率的金屬圖案，需要考慮與襯底的附著性和襯底和絕緣膜之間的接觸性質(zhì)。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用金屬如Ni、Pd、Sn或Cr，或其合金來形成第一金屬層，以及高電導(dǎo)金屬如Cu、Ag或Au，或其合金來形成第二金屬層。此時(shí)，優(yōu)選形成的金屬層具有的厚度分別為0.1-1μm和0.3-20μm。就低價(jià)格和易于形成而言，優(yōu)選采用鎳來形成第一金屬層，及優(yōu)選采用銀或銅形成第二金屬層。
當(dāng)高電導(dǎo)的第二金屬層接觸ITO(氧化銦錫)或半導(dǎo)體組分時(shí)，為了改善第二金屬層和ITO或半導(dǎo)體組分之間的接觸電阻，可鍍以Ni、Pd、Sn、Cr，或其合金以形成第三金屬層。在采用銅來形成高電導(dǎo)第二金屬層的情況中，為了防止因表面上氧化物膜的形成而引起第二金屬層物理性質(zhì)的劣化，可以采用貴金屬如Ag或Au來形成第三金屬層。
或者，為了改善接觸電阻，可以通過以用于形成第一金屬層的金屬鍍覆第二金屬層形成第三金屬層。
可適當(dāng)結(jié)合各種鍍覆方法以形成多層金屬層。例如，當(dāng)在絕緣膜上形成第一金屬層時(shí)，采用無電鍍工藝。另一方面，當(dāng)Cu或Ag用于形成第二金屬層時(shí)，采用無電鍍或電鍍工藝。
采用公知的方法完成無電鍍或電鍍，并可使用購買的鍍覆組合物用于鍍覆。在無電鍍工藝中，將其上形成了用于晶體生長(zhǎng)的Pd或Ag核催化劑的襯底浸入鍍覆溶液中，該溶液包含1)金屬鹽、2)還原劑、3)絡(luò)合劑、4)pH調(diào)節(jié)劑、5)pH緩沖劑和6)改性劑。金屬鹽1)用作提供金屬離子的來源。金屬鹽的例子包括相應(yīng)金屬的氯化物、硝酸鹽和醋酸鹽。還原劑2)還原存在于襯底上的金屬離子。還原劑的具體例子包括NaBH4、KBH4、NaH2PO2、肼、formaline和多糖(如葡萄糖)。優(yōu)選NaH2PO2用于鎳鍍?nèi)芤?，formaline和多糖用于Cu或Ag鍍?nèi)芤骸＝j(luò)合劑3)用于防止在堿性溶液中氫氧化物的沉淀，以及控制自由金屬離子的濃度，從而防止金屬鹽的分解并調(diào)節(jié)鍍覆速度。絡(luò)合劑的具體例子包括氨水溶液、乙酸、鳥嘌呤酸(guanine acid)、酒石酸、螯合劑(如EDTA)和有機(jī)胺化合物。優(yōu)選螯合劑(如EDTA)。pH調(diào)節(jié)劑4)在調(diào)節(jié)鍍覆溶液的pH中起作用，并選自酸性或堿性化合物。pH緩沖劑5)抑制鍍覆溶液的pH發(fā)生突變，并選自有機(jī)酸和弱酸性無機(jī)化合物。改性劑6)是能提高涂布和平面化(planarization)性能的化合物。改性劑的具體例子包括普通的表面活性劑和能吸附干擾晶體生長(zhǎng)的化合物的吸附劑。
在電鍍方法中，采用具有包含1)金屬鹽、2)絡(luò)合劑、3)pH調(diào)節(jié)劑、4)pH緩沖劑和5)改性劑的組合物的鍍覆溶液。在鍍覆溶液組合物中包含的組分的功能和具體例子如同上述在無電鍍方法中所說明的。
這樣形成的低電阻率金屬圖案可以用作平板顯示器件如LCDs、PDPs和ELDs的金屬線路或電磁干擾過濾器。
現(xiàn)在參考下面的優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)描述本發(fā)明。然而，所給出的這些例子是為了進(jìn)行說明而不應(yīng)解釋為對(duì)本發(fā)明范圍的限制。
用于晶體生長(zhǎng)的潛像中心的形成將聚鈦酸丁基酯的異丙醇溶液(2.5wt％)通過旋涂涂布到作為襯底的透明聚酯膜上之后，將所得的涂層在150℃下干燥5分鐘，以使其具有約100nm的厚度。將1重量份的三乙醇胺(基于100重量份的聚合物)作為光敏劑獨(dú)立地加入聚乙烯醇聚合物(Polyscience)(分子量為25000)的水溶液(5wt％)中，然后進(jìn)行攪拌。在聚鈦酸丁基酯涂層上涂布所得的混合物并在60℃下干燥兩分鐘以制備光催化膜層。采用UV曝光系統(tǒng)(Oriel，U.S.A)通過其上形成有微小圖案的光掩膜用具有寬波長(zhǎng)范圍的紫外光照射光催化薄膜層。曝光之后，將該襯底浸入在1升水中含0.6g PdCl2和1ml HCl的溶液中以在曝光部分的表面上沉積Pd顆粒。結(jié)果，形成了沉積Pd的負(fù)性圖案作為晶體生長(zhǎng)的核。
實(shí)施例1采用無電鎳鍍和無電銅鍍形成負(fù)型銅線路將上述制備的襯底浸入無電鎳鍍?nèi)芤褐幸赃M(jìn)行帶圖案的鎳線路的晶體生長(zhǎng)。將鎳線路圖案浸入無電銅鍍?nèi)芤褐幸孕纬韶?fù)型雙層鎳-銅線路圖案。在此制備無電鎳鍍?nèi)芤汉蜔o電銅鍍?nèi)芤菏蛊浞謩e具有下表2所示的組成(a)和(b)。在下表3中顯示了該金屬圖案的基本物理性質(zhì)。使用α-step(由Dektak制造)測(cè)量圖案的厚度，4-點(diǎn)探針(4-point probe)測(cè)量電阻率。使用光學(xué)顯微鏡測(cè)量分辨率，及通過斯柯奇膠帶剝離測(cè)試(scotch tape peeling test)確定附著力。圖1顯示了該金屬圖案的光學(xué)顯微鏡圖。
實(shí)施例2采用無電鎳鍍和電銅鍍形成負(fù)型銅線路將通過其上形成了網(wǎng)孔圖案的光掩膜照射而制備的襯底浸入無電鎳鍍?nèi)芤褐幸赃x擇性生長(zhǎng)鎳線路的晶體。將鎳線路圖案浸入電銅鍍?nèi)芤?，然后?duì)該鍍覆溶液施加電流(0.15A)以形成負(fù)型雙層鎳-銅線路圖案。制備無電鎳鍍?nèi)芤汉碗娿~鍍?nèi)芤菏蛊浞謩e具有下表2所示的組成(a)和(c)。在下表3中顯示了該金屬圖案的基本物理性質(zhì)。圖2顯示了該金屬圖案的電子顯微鏡圖。
實(shí)施例3采用無電鎳鍍和無電銀鍍形成負(fù)型銀線路將上述制備的襯底浸入無電鎳鍍?nèi)芤褐幸赃x擇性生長(zhǎng)鎳線路的晶體。在此制備無電鎳鍍?nèi)芤菏蛊渚哂邢卤?所示的組成(a)。將鎳線路圖案浸入無電銀鍍?nèi)芤?S-700，Kojundo，chemical，Co.，Ltd.，Japan)中以形成負(fù)型雙層鎳-銀線路圖案。在下表3中顯示了該金屬圖案的基本物理性質(zhì)。圖3顯示了該金屬圖案的光學(xué)顯微鏡圖。
表2

表3

根據(jù)本發(fā)明的方法，采用簡(jiǎn)單的涂布方法(而不是常規(guī)物理沉積)和之后的曝光和簡(jiǎn)單鍍覆處理、通過形成光催化薄膜可以形成單層和多層金屬圖案。因此，本發(fā)明可提供用于以快速、有效和簡(jiǎn)單的方式形成單層或多層低電阻率的金屬圖案的方法，而無需要求高真空條件的濺射過程及采用感光樹脂和蝕刻方法的光圖案化(photopatterning)過程。由本發(fā)明的方法形成的低電阻率金屬圖案可有利地應(yīng)用于平板顯示器件。
盡管為了說明已公開了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)理解到在不偏離如所附的權(quán)利要求書所公開的本發(fā)明的范圍和實(shí)質(zhì)下可以進(jìn)行各種改變、添加和替代。
權(quán)利要求
1.一種形成金屬圖案的方法，其包含以下步驟(i)將光催化化合物涂布到襯底上以形成光催化薄膜層；(ii)將水溶性聚合物涂布到光催化薄膜層上以形成水溶性聚合物層；(iii)將該兩層選擇性曝光以形成用于晶體生長(zhǎng)的潛像中心；和(iv)將潛圖案鍍以金屬以在其上生長(zhǎng)金屬晶體。
2.權(quán)利要求1所述的方法，其中在曝光下激發(fā)所述光催化化合物的電子，使得光催化化合物具有活性。
3.權(quán)利要求2所述的方法，其中所述光催化化合物是通過退火形成無定形TiO2的含鈦有機(jī)金屬化合物。
4.權(quán)利要求3所述的方法，其中所述含鈦有機(jī)金屬化合物是鈦酸四異丙基酯、鈦酸四正丁基酯、鈦酸四(2-乙基-己基)酯或聚鈦酸丁基酯。
5.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水溶性聚合物是至少一種選自聚乙烯醇、聚乙烯酚、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、明膠，及其共聚物的聚合物。
6.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述水溶性聚合物層還包括光敏劑。
7.權(quán)利要求6所述的方法，其中所述光敏劑選自著色劑、有機(jī)酸、有機(jī)酸鹽和有機(jī)胺。
8.權(quán)利要求7所述的方法，其中所述光敏劑選自焦油著色劑、葉綠酸的鉀鹽和鈉鹽、核黃素及其衍生物、水溶性胭脂樹橙、CuSO4、焦糖、姜黃素、胭脂蟲紅、檸檬酸、檸檬酸銨、檸檬酸鈉、草酸、酒石酸鉀、酒石酸鈉、抗壞血酸、甲酸、三乙醇胺、一乙醇胺和蘋果酸。
9.權(quán)利要求1所述的方法，其還包含用金屬鹽溶液處理在步驟(iii)中形成的用于晶體生長(zhǎng)的潛像中心的步驟，以在該潛圖案上形成催化劑圖案。
10.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述金屬鹽溶液是鈀(Pd)鹽溶液、銀(Ag)鹽溶液，或其混合溶液。
11.權(quán)利要求9所述的方法，其中將所述催化劑圖案用Ni、Pd、Sn、Cr，或其合金進(jìn)行無電鍍以形成第一金屬圖案，然后將第一金屬圖案用Cu、Ag、Au，或其合金進(jìn)行電鍍或無電鍍以形成第二金屬圖案。
12.一種金屬圖案，其通過權(quán)利要求1所述的方法形成。
13.一種平板顯示器件，其包含權(quán)利要求12所述的金屬圖案作為金屬線路。
14.一種平板顯示器件，其包含權(quán)利要求12所述的金屬圖案作為電磁干擾過濾器。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于形成低電阻率金屬圖案的方法。該方法包含以下步驟(i)將光催化化合物涂布到襯底上以形成光催化薄膜層；(ii)將水溶性聚合物涂布到光催化薄膜層上以形成水溶性聚合物層；(iii)將該兩層選擇性曝光以形成用作晶體生長(zhǎng)的核的潛圖案；以及(iv)將潛圖案鍍以金屬以在其上生長(zhǎng)金屬晶體。根據(jù)該方法，可以以低成本、較簡(jiǎn)單的方式形成包含低電阻率金屬的多層電路圖案，并且可以根據(jù)預(yù)定用途自由選擇構(gòu)成各層的金屬。該低電阻率金屬圖案可有利地應(yīng)用于平板顯示器件如LCDs、PDPs和ELDs。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1641483SQ20041008193
公開日2005年7月20日 申請(qǐng)日期2004年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月16日
發(fā)明者盧昌鎬, 宋基镕, 金珍詠, 塔瑪拉·拜克, G·A·布蘭尼茨基, T·V·蓋夫斯卡婭, V·G·索科洛夫 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社