專利名稱：光刻裝置及器件制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種光刻裝置和一種器件制造方法。
背景技術：
光刻裝置是一種將所需圖案作用于基底的目標部分上的裝置。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖結(jié)構(gòu)，如掩模，可用于產(chǎn)生對應于IC一個單獨層的電路圖案，該圖案可以成像在具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(例如硅晶片)的目標部分(例如包括部分，一個或者多個管芯)上。一般地，單個基底將包含依次曝光的相鄰目標部分的網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括所謂的步進器，其中通過將全部圖案一次曝光在目標部分上而輻射每一目標部分，還包括所謂的掃描器，其中通過投射光束沿給定方向(“掃描”方向)掃描圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底來輻射每一目標部分。
光刻裝置可包括用于向中間掩模版提供輻射投射光束的照射系統(tǒng)。中間掩模版可以是反射型或者是透射型。在光束被中間掩模版反射或透射之后，光束帶有中間掩模版上存在的圖案。然后將所謂的“帶圖案的光束”通過投影系統(tǒng)投射到基底的目標部分上。在EUV光刻中，照射系統(tǒng)和投影系統(tǒng)都包括多個光學反射鏡，用以加工輻射光束。在當前的照射系統(tǒng)中，可以設置輻射衰減器來衰減輻射光束，以便操縱中間掩模版目標部分上的光束的定位和尺寸。在EUV光刻裝置中，照射系統(tǒng)中設置輻射衰減器的最合適的位置是非常接近反射中間掩模版的位置。但是，例如，中間掩模版遮光葉片系統(tǒng)可能是相對較大的。因為空間有限，并且這些中間掩模版遮光葉片尺寸相對較大，使這些系統(tǒng)的設計受到限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個方面是通過實現(xiàn)較少的設計限制來減少光刻裝置的制造成本。
因此，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻裝置，包括用于提供輻射投射光束的照射系統(tǒng)；用于支撐構(gòu)圖結(jié)構(gòu)的支架，所述構(gòu)圖結(jié)構(gòu)用于給投射光束的截面賦予圖案；用于保持基底的基底臺；用于將帶圖案的光束投射到基底的目標部分上的投影系統(tǒng)，該投影系統(tǒng)具有一中間焦點，其中該裝置包括在中間焦點處或其附近的至少一個如下的裝置至少一個用于衰減帶圖案的光束的輻射衰減器，至少一個用于使至少一部分帶圖案的光束穿過的可變孔徑系統(tǒng)，至少一個用于測量帶圖案的光束的強度的輻射測量系統(tǒng)。
通過將輻射衰減器，可變孔徑系統(tǒng)和/或測量系統(tǒng)放置于投影系統(tǒng)的中間焦點(IF)處而不是在照射系統(tǒng)的中間掩模版附近，更大的空間是可利用的，并且存在較少的設計限制，這樣減少了裝置的成本。
通過將輻射測量系統(tǒng)如強度監(jiān)測傳感器，放置于投影系統(tǒng)的IF處，可以測量相對更接近基底的輻射，因此只有該IF和基底之間的光學系統(tǒng)的退化影響(degradation effect)不會被測量。注意，在中間焦點處，可以將一個或多個輻射系統(tǒng)與一個或多個輻射測量系統(tǒng)結(jié)合進行設置。
如果可變孔徑系統(tǒng)和輻射測量系統(tǒng)都設置在投影系統(tǒng)的IF處或其附近，那么優(yōu)選將輻射測量系統(tǒng)設置于中間掩模版和可變孔徑系統(tǒng)之間。按照這種方式，可變孔徑系統(tǒng)不會影響對帶圖案的光束的測量。
可變孔徑系統(tǒng)可包括遮光葉片系統(tǒng)，輻射衰減器可包括均勻校正裝置。均勻校正裝置可設置為動態(tài)地調(diào)整在特定位置處帶圖案的光束的輻射透射。傳遞到基底表面的輻射量的均勻度是光刻裝置中成像質(zhì)量的重要決定因素。如果在穿過成像區(qū)域傳遞到晶片水平面的能量密度存在差異，那么會導致在抗蝕劑顯影之后圖像特征的尺寸差。通過確保均勻照射掩模水平面的照射場(狹縫)可以確保晶片水平面的均勻度達到很高的程度。在這種技術狀況下，這可以通過使照射光束穿過積分器如石英棒或復眼透鏡來實現(xiàn)，在石英棒中，光束經(jīng)歷多次反射，復眼透鏡形成源的重疊圖像的多重性。盡管如此，帶圖案的光束的均勻度可能需要調(diào)整。根據(jù)一個實施方式，利用均勻校正裝置對其進行調(diào)整。
輻射測量系統(tǒng)可包括強度監(jiān)測傳感器，如二極管傳感器，用于監(jiān)測帶圖案的輻射光束的強度。
在另一個實施方式中，輻射衰減器本身設置為測量在投影系統(tǒng)的中間焦點處或其附近的輻射。按照這種方式，不需要附加的測量系統(tǒng)。輻射衰減器可包括均勻校正裝置的多個葉片，其中所述葉片與電路相連，用以測量例如光感應的電流。
根據(jù)另一方面，提供一種用于如上所述的光刻裝置的投影系統(tǒng)，其中該投影系統(tǒng)具有一中間焦點，該投影系統(tǒng)包括在中間焦點處或其附近的至少一個如下的裝置至少一個用于衰減帶圖案的光束的輻射衰減器，至少一個用于使至少一部分帶圖案的光束穿過的可變孔徑系統(tǒng)，至少一個用于測量帶圖案的光束的強度的輻射測量系統(tǒng)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種器件制造方法，包括利用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射光束投射到基底的目標部分上；使投影系統(tǒng)的中間焦點處或其附近的帶圖案的光束衰減；利用可變孔徑系統(tǒng)使投影系統(tǒng)中間焦點處或其附近的至少一部分帶圖案的光束穿過；測量在投影系統(tǒng)的中間焦點處或其附近的帶圖案的光束的強度。
本發(fā)明還涉及通過上述方法制造的器件。
在本申請中，本發(fā)明的光刻裝置具體用于制造IC，但是應該理解這里描述的光刻裝置可能具有其它應用，例如，它可用于制造集成光學系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導和檢測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領域的技術人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，這里任何術語“晶片”或者“管芯”的使用可以認為分別與更普通的術語“基底”或者“目標部分”同義。此外，在曝光之前或之后，可以利用例如軌道(一種通常將抗蝕劑層涂敷于基底并將已曝光的抗蝕劑顯影的工具)或者計量工具或檢驗工具對這里提到的基底進行處理。在可應用的地方，這里公開的內(nèi)容可應用于這種和其他基底處理工具。
這里使用的術語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長)和遠紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm的波長范圍)，以及粒子束，如離子束或者電子束。
這里使用的術語“構(gòu)圖結(jié)構(gòu)”應廣義地解釋為能夠給投射光束賦予帶圖案的截面的裝置，以便在基底的目標部分上形成圖案。應該注意，賦予投射光束的圖案可以不與在基底的目標部分上的所需圖案完全一致。一般地，賦予投射光束的圖案與在目標部分中形成的器件如集成電路的特殊功能層相對應。
構(gòu)圖部件可以是透射的或是反射的。構(gòu)圖部件的示例包括掩模和可編程反射鏡陣列。掩模在光刻中是公知的，它包括如二進制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的一個例子是利用微小反射鏡的矩陣排列，每個反射鏡能夠獨立地傾斜，從而沿不同方向反射入射的輻射光束；按照這種方式，對反射光束進行構(gòu)圖。在構(gòu)圖結(jié)構(gòu)的每個實施例中，支撐結(jié)構(gòu)可以是一個框架或工作臺，例如，所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的，并且可以確保構(gòu)圖結(jié)構(gòu)位于例如相對于投影系統(tǒng)的所需位置處。這里的任何術語“中間掩模版”或者“掩?！钡氖褂每烧J為與更普通的術語“構(gòu)圖結(jié)構(gòu)”同義。
這里使用的術語“投影系統(tǒng)”應廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射光學系統(tǒng)，反射光學系統(tǒng)，和反折射光學系統(tǒng)，如適合于所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如使用浸液或使用真空。這里任何術語“鏡頭”的使用可以認為與更普通的術語“投影系統(tǒng)”同義。
照射系統(tǒng)還可以包括各種類型的光學部件，包括用于引導、整形或者控制輻射照射光束的折射，反射和反折射光學部件，這些部件在下文還可共同地或者單獨地稱作“鏡頭”。
光刻裝置可以具有兩個(二級)或者多個基底臺(和/或兩個或多個掩模臺)。在這種“多級式”器件中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。
光刻裝置也可以是這樣一種類型，其中基底浸入具有相對較高折射率的液體中，如水，以填充投影系統(tǒng)的最后一個元件與基底之間的空間。濕浸法在本領域是公知的，用于增大UV投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑和/或“焦深”。


現(xiàn)在僅通過舉例的方式，參照附圖描述本發(fā)明的各個實施方案，在圖中相應的參考標記表示相應的部件，其中圖1表示根據(jù)本發(fā)明的光刻裝置；圖2示出根據(jù)本發(fā)明光刻投影裝置的EUV照射系統(tǒng)和投影光學系統(tǒng)的側(cè)視圖；圖3是遮光葉片系統(tǒng)，連同曝光區(qū)域和中間掩模版的示意圖；圖4是阻擋在中間焦點處部分投射光束的均勻校正系統(tǒng)的頂視圖；以及圖5示出用于測量輻射衰減器的一個元件的組抗的電路。
具體實施例方式
圖1示意性地表示了根據(jù)本發(fā)明的光刻裝置1。該裝置包括用于提供輻射(例如UV或EUV輻射)的投射光束PB的照射系統(tǒng)(照射器)IL。
第一支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，用于支撐構(gòu)圖結(jié)構(gòu)(例如掩模)MA，并與將該構(gòu)圖結(jié)構(gòu)相對于投影系統(tǒng)(透鏡)PL精確定位的第一定位裝置PM連接?；着_(例如晶片臺)WT，用于保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與將基底相對于投影系統(tǒng)PL精確定位的第二定位裝置PW連接。
投影系統(tǒng)(例如反射投影透鏡)PL，用于通過構(gòu)圖結(jié)構(gòu)MA將賦予投射光束PB的圖案成像在基底W的目標部分C(例如包括一個或多個管芯)上。
如這里指出的，該裝置屬于反射型(例如采用反射掩?；蛉缟厦嫣岬降囊环N類型的可編程反射鏡陣列)。另外，該裝置可以是透射型(例如采用透射掩模)。
照射器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是分開的機構(gòu)，例如當輻射源是激光源時。在這種情況下，不認為輻射源是構(gòu)成光刻裝置的一部分，輻射光束一般借助于光束輸送系統(tǒng)從源SO傳送到照射器IL。在其他情況下，輻射源可以是裝置的組成部分，例如當輻射源是汞燈或等離子體源時。
照射器IL可以包括用于調(diào)節(jié)光束的角的強度分布的調(diào)節(jié)裝置。一般地，至少可以調(diào)節(jié)照射器光瞳平面內(nèi)強度分布的外和/或內(nèi)徑向量(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。照射器提供輻射的調(diào)節(jié)光束，稱作投射光束PB，在該光束的橫截面具有所需的均勻度和強度分布。
投射光束PB入射到保持在掩模臺MT上的掩模MA上。由掩模MA反射后，投射光束PB通過鏡頭PL，該鏡頭將光束聚焦在基底W的目標部分C上。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF2(例如干涉測量裝置)的輔助下，基底臺WT可以精確地移動，例如在光束PB的光路中定位不同的目標部分C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM和位置傳感器IF1將掩模MA相對光束PB的光路進行精確定位。一般地，借助于長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)來實現(xiàn)目標臺MT和WT的移動，所述兩個模塊構(gòu)成定位裝置PM和PW的一部分?？墒牵诓竭M器的情況下(與掃描器相對)，掩模臺MT可以只與短行程致動裝置連接，或者固定。掩模MA與基底W可以利用掩模對準標記M1，M2和基底對準標記P1，P2進行對準。
所示的裝置可以按照下面優(yōu)選的模式使用
1.在步進模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，賦予投射光束的整個圖案被一次投射到目標部分C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后基底臺WT沿X和/或Y方向移動，以便能夠曝光不同的目標部分C。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制在單次靜態(tài)曝光中成像的目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，同時掃描掩模臺MT和基底臺WT，并將賦予投射光束的圖案投射到目標部分C上(即，單次動態(tài)曝光)?；着_WT相對于掩模臺MT的速度和方向由投影系統(tǒng)PL的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制單次動態(tài)曝光中目標部分的寬度(沿非掃描方向)，而掃描移動的長度確定目標部分的高度(沿掃描方向)。
3.在其他模式中，掩模臺MT基本上保持靜止，并保持可編程構(gòu)圖結(jié)構(gòu)，并且在將賦予投射光束的圖案投射到目標部分C上時移動或掃描基底臺WT。在這種模式中，一般采用脈沖輻射源，并且在基底臺WT的每次移動之后或者在掃描期間連續(xù)的兩次輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新可編程的構(gòu)圖結(jié)構(gòu)。這種操作方式可以很容易地應用于無掩模光刻中，所述無掩模光刻利用如上面提到的一種類型的可編程反射鏡陣列的可編程構(gòu)圖結(jié)構(gòu)。
還可以采用在上述所用模式基礎上的組合和/或變化，或者采用與所用的完全不同的模式。
圖2示出包括輻射單元3，照射系統(tǒng)IL，和投影系統(tǒng)PL的光刻裝置1。輻射單元3和照射系統(tǒng)IL稱作輻射系統(tǒng)2。輻射單元3配有輻射源SO，該輻射源可由放電等離子體形成。來自輻射單元3的輻射在中間焦點21處形成虛源。輻射系統(tǒng)2配置為使中間焦點21置于照射系統(tǒng)IL的孔徑處。投射光束PB在照射系統(tǒng)IL中經(jīng)反射元件13，反射元件14反射，到達位于中間掩模版或掩模臺MT上的中間掩模版或掩模(未示出)上。形成的帶圖案的光束17在投影系統(tǒng)PL中經(jīng)反射元件18，19通過中間焦點23并且經(jīng)反射元件12，11成像到晶片臺或基底臺WT上。在輻射單元3，照射系統(tǒng)IL和投影系統(tǒng)PL中一般可以存在比圖中所示的更多的元件。
光刻裝置1包括基本上設置于投影系統(tǒng)PL的中間焦點23處的輻射衰減器25。在圖2中，輻射衰減器25位于中間焦點23附近或位于該焦點處。應該理解，投影系統(tǒng)PL可以具有多個中間焦點，并且輻射衰減器25另外可以位于投影系統(tǒng)PL的其他中間焦點處。輻射衰減器35用于使帶圖案的光束17衰減。衰減可以通過例如吸收或反射該輻射來實現(xiàn)。通過衰減帶圖案的光束17，可以控制帶圖案的光束17在基底W上的強度和分布。這種衰減可以在光束的0-100％之間變化。在100％衰減的情況下，光束完全被阻擋。
可變的孔徑系統(tǒng)30可位子中間焦點23處或其附近。該系統(tǒng)30包括多個遮光葉片。圖3示出包括兩個遮光葉片31，32的遮光葉片系統(tǒng)的實施例，所述遮光葉片用于遮蔽一部分帶圖案的光束17。通過遮蔽一部分帶圖案的光束17，僅僅照射基底W上管芯的曝光區(qū)域36。遮光葉片31，32可以沿X方向移動以便調(diào)整曝光區(qū)域36。如果照射中間掩模版38，那么帶圖案的光束17將包含線41，42之間的圖案信息，分別如圖3中所示。實際上，呈香蕉形的帶圖案的光束17超過了線41，42。這意味著場外區(qū)域(out-of-field area)51，52也將接收到輻射。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，這些場外區(qū)域51和/或52用于放置強度監(jiān)測傳感器61，該傳感器用于測量帶圖案的光束17的強度。強度監(jiān)測傳感器61例如可以是二極管傳感器。通過將強度監(jiān)測傳感器61置于場外區(qū)域51或52中，可以測量帶圖案的光束17的強度而不影響帶圖案的光束17在基底W上的強度。強度監(jiān)測傳感器61可以在與圖3中繪出的X和Y方向垂直的Z方向上置于中間掩模版和可變孔徑系統(tǒng)之間。按照這種方式，可變孔徑系統(tǒng)25不會影響對帶圖案的光束的測量，這是有利的。應該注意，在上述實施方式中，可以增加遮光葉片來限制沿Y方向的曝光區(qū)域36。將X和Y遮光葉片物理上分開是有利的，例如，Y葉片位于照射系統(tǒng)中的中間掩模版附近，而X葉片在投影系統(tǒng)的中間焦點處。
輻射衰減器可以包括均勻校正裝置，該裝置位于中間焦點23處或其附近。均勻校正裝置設置為校正帶圖案的光束的強度均勻度。圖4示出均勻校正裝置68的實施例，該裝置包括用于阻擋一部分帶圖案的光束17的多個葉片70。圖4中示出香蕉形的帶圖案的光束17在中間焦點23處的輪廓。均勻校正裝置68的多個葉片70可以由未示出的驅(qū)動單元動態(tài)地進行調(diào)整，以動態(tài)地改變在特定位置處帶圖案的光束的透射。驅(qū)動單元設置為沿Y方向移動葉片70，如圖3中所示。出于一些原因，如果在某個X位置的強度過高，那么位于該X位置的某些葉片70將進一步向右移動，即沿Y方向移動。按照這種方式，可以校正到達基底的帶圖案的光束17的強度均勻度。
輻射衰減器本身可用于測量帶圖案的光束的強度。圖5示出用于測量元件電阻的電路，例如測量均勻校正裝置的葉片70的電阻的電路。該元件設置為如果帶圖案的光束17入射到輻射衰減器上，那么該元件的電特性，即電阻將發(fā)生變化。通過測量例如該元件的電阻，可以間接地測量帶圖案的光束17的強度。在圖5中，示出電流表93和電壓源94。其他電氣配置也是可以的，如本領域的普通技術人員所知道的。當輻射衰減器25包括多個元件，如多個薄層或多條線時，可以測量各個元件的電特性。按照這種方式，可以確定輻射光束的空間強度分布。
盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施方式
，但是應該理解，本發(fā)明也可以按照不同于所描述的方式實施。說明書不意味著限制本發(fā)明。
權利要求
1.一種光刻裝置，包括用于提供輻射投射光束的照射系統(tǒng)；用于支撐構(gòu)圖結(jié)構(gòu)的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖結(jié)構(gòu)用于給投射光束的截面賦予圖案；用于保持基底的基底臺；以及用于將帶圖案的光束投射到基底的目標部分上的投影系統(tǒng)，該投影系統(tǒng)具有一中間焦點，其中該裝置包括在中間焦點處或其附近處的至少一個如下的裝置至少一個用于衰減帶圖案的光束的輻射衰減器；至少一個用于使至少一部分帶圖案的光束穿過的可變孔徑系統(tǒng)；以及至少一個用于測量帶圖案的光束的強度的輻射測量系統(tǒng)。
2.根據(jù)權利要求1的裝置，其中至少一個可變孔徑系統(tǒng)包括至少兩個遮光葉片，該遮光葉片用于遮蔽一部分帶圖案的光束。
3.根據(jù)權利要求1的裝置，其中至少一個輻射衰減器包括一均勻校正裝置，該裝置包括用于阻擋一部分帶圖案的光束的多個葉片，該均勻校正裝置用于增強基底上帶圖案的光束的強度均勻度。
4.根據(jù)權利要求3的裝置，其中均勻校正裝置用于動態(tài)地調(diào)整在特定位置處帶圖案的光束的輻射透射。
5.根據(jù)權利要求1的裝置，其中輻射測量系統(tǒng)包括強度監(jiān)測傳感器。
6.根據(jù)權利要求5的裝置，其中強度監(jiān)測傳感器包括二極管傳感器。
7.根據(jù)權利要求1的裝置，其中至少一個輻射衰減器用于測量帶圖案的光束的強度。
8.根據(jù)權利要求7的裝置，進一步包括一電路，該電路用于測量至少一個輻射衰減器的多個元件的電特性，以便確定帶圖案的光束的強度。
9.根據(jù)權利要求1的裝置，其中輻射投射光束具有5-20nm范圍內(nèi)的波長。
10.一種用于光刻裝置的投影系統(tǒng)，該投影系統(tǒng)具有一中間焦點，其中該投影系統(tǒng)包括在中間焦點處或其附近處的至少一個如下的裝置至少一個用于衰減帶圖案的光束的輻射衰減器；至少一個用于使至少一部分帶圖案的光束穿過的可變孔徑系統(tǒng)，以及至少一個用于測量帶圖案的光束的強度的輻射測量系統(tǒng)。
11.一種器件制造方法，包括利用投影系統(tǒng)將帶圖案的輻射光束投射到基底的目標部分上；使投影系統(tǒng)的中間焦點處或其附近處的帶圖案的光束衰減；使投影系統(tǒng)中間焦點處或其附近處的至少一部分帶圖案的光束穿過；以及測量在投影系統(tǒng)的中間焦點處或其附近處的帶圖案的光束的強度。
12.根據(jù)權利要求11制造的器件。
13.一種光刻裝置，包括用于提供輻射投射光束的裝置；用于支撐構(gòu)圖部件的裝置，所述構(gòu)圖部件用于給投射光束的截面賦予圖案；用于保持基底的裝置；以及用于將帶圖案的光束投射到基底的目標部分上的裝置，該投影系統(tǒng)具有一中間焦點，其中該裝置包括在中間焦點處或其附近處的至少一個如下的裝置用于衰減帶圖案的光束的裝置；用于使至少一部分帶圖案的光束穿過的裝置；以及用于測量帶圖案的光束的強度的裝置。
14.根據(jù)權利要求13的裝置，其中用于衰減的裝置包括至少兩個遮光葉片，該遮光葉片用于遮蔽一部分帶圖案的光束。
15.根據(jù)權利要求13的裝置，其中用于衰減的裝置包括用于增強基底上帶圖案的光束的強度均勻度的裝置。
16.根據(jù)權利要求15的裝置，其中用于增強均勻度的裝置包括用于阻擋一部分帶圖案的光束的多個葉片。
17.根據(jù)權利要求15的裝置，其中用于增強均勻度的裝置動態(tài)地調(diào)整在特定位置處帶圖案的光束的輻射透射。
18.根據(jù)權利要求13的裝置，其中用于測量的裝置包括強度監(jiān)測傳感器。
19.根據(jù)權利要求18的裝置，其中強度監(jiān)測傳感器包括二極管傳感器。
20.根據(jù)權利要求13的裝置，其中用于衰減的裝置包括一電路，該電路用于測量用于衰減的裝置的多個元件的電特性，以便確定帶圖案的光束的強度。
全文摘要
一種光刻裝置，包括設置在投影系統(tǒng)的中間焦點處或其附近的輻射衰減器或可變孔徑系統(tǒng)，如遮光葉片。除了輻射衰減器或可變孔徑系統(tǒng)之外，測量系統(tǒng)可以設置在中間焦點處。通過將這些系統(tǒng)的一個或多個放置于投影系統(tǒng)的中間焦點處而不是放置于照射系統(tǒng)的中間掩模版附近，因其有更大的可用空間而存在較少的設計限制，導致較低的設計成本。
文檔編號G03F7/20GK1641482SQ20041008182
公開日2005年7月20日 申請日期2004年12月17日 優(yōu)先權日2003年12月18日
發(fā)明者A·J·J·范迪塞多克, M·M·T·M·迪里奇斯, H·-J·沃爾馬 申請人:Asml荷蘭有限公司