專利名稱：蝕刻方法、有多個凹部的基板、微透鏡基板、透射屏和背面投影儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種蝕刻方法、一種具有多個凹部的基板、一種微透鏡基板、一種透射屏和一種背面投影儀。
背景技術(shù)：
例如，已知一種將圖像投影到屏幕上的透射顯示裝置。在這樣的透射顯示裝置中，液晶面板(液晶光閘)被用于產(chǎn)生圖像。該液晶面板被構(gòu)造為具有用于控制各個像素的多個薄膜晶體管(TFTs)以及多個像素電極的液晶驅(qū)動基板(TFT基板)通過液晶層被接合到用于具有黑底、共用電極以及類似物的液晶面板的對向基板上。
由于在具有這種結(jié)構(gòu)的液晶面板(TFT液晶面板)中，黑底在與用于液晶面板的對向基板的像素對應(yīng)的部分之外的部分處形成，因此，在液晶面板中入射光被透射的區(qū)域受到限制。這樣，入射光的透射率減小。為了增大入射光的透射率，已知一種液晶面板，其中，大量微小微透鏡設(shè)置在與用于液晶面板的對向基板中的像素對應(yīng)的部分處。通過用于液晶面板的對向基板透射的光被會聚到在黑底上形成的開口處，從而增加光的透射。
作為在基板上形成凹部以形成這樣的微透鏡的一種方法(在此稱為蝕刻方法)，例如，已知一種使用掩模的方法(例如參見日本公開專利申請2000-281383)。迄今為止，對于用于這種掩模的構(gòu)成材料的選擇已經(jīng)集中在對將要經(jīng)歷蝕刻處理或類似處理的基板的粘結(jié)力上。然而，在該方法中，由于用于形成具有多個開口的掩模的膜具有預(yù)定的內(nèi)應(yīng)力，并且形成的開口可能變形，因此，很難控制基板中的凹部(用于形成微透鏡的凹部)的形狀和尺寸。此外，由于這一原因，很難提高透射顯示裝置利用設(shè)置有微透鏡顯示裝置的微透鏡基板所獲得的圖像的分辨率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種蝕刻方法，該方法能夠容易且確定地形成各個具有期望形狀和尺寸的凹部，以及提供一種通過該蝕刻方法制造的具有多個凹部的基板。
此外，本發(fā)明的另一個目的是提供一種使用具有多個凹部的基板所制造的微透鏡基板、設(shè)置有所述微透鏡基板的透射屏和背面投影儀。
為了實現(xiàn)上述目的，在本發(fā)明的一個方面中，本發(fā)明涉及一種蝕刻方法。本發(fā)明的蝕刻方法包括以下步驟準(zhǔn)備基板；在基板上形成第一和第二膜，每層膜具有預(yù)定的內(nèi)應(yīng)力，從而第一和第二膜的內(nèi)應(yīng)力互相抵消或相消減。
在第一和第二膜中形成多個初始孔，以形成掩模；和通過利用掩模使基板經(jīng)受蝕刻處理，而在基板上與多個初始孔對應(yīng)的部位處形成多個凹部。
這使得有可能控制用于形成具有第一和第二膜的掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力，并能夠以高的尺寸精度形成各個具有期望形狀和尺寸的初始孔。結(jié)果，能夠容易和確定地控制各個凹部的形狀和尺寸。此外，通過以這種方式形成(層疊)第一和第二膜，有可有提高掩模與基板的粘附力。此外，通過調(diào)節(jié)用于形成具有第一和第二膜的掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力，有可能控制蝕刻過程中的側(cè)向蝕刻率。因此，有可能容易地形成對應(yīng)球面透鏡或非球面透鏡的凹部。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選第一和第二膜形成步驟包括以下步驟在基板上形成第一膜；和在第一膜上形成第二膜。
這使得有可能高精度地形成各個具有期望尺寸的初始孔。結(jié)果，有可能更確定地控制凹部的形狀。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，第二膜形成步驟包括通過相對于第一膜的平均厚度調(diào)節(jié)第二膜的平均厚度來控制全部第一膜和第二膜的內(nèi)應(yīng)力的步驟。
這使得有可能高精度地形成各個具有期望尺寸的初始孔。結(jié)果，有可能更確定地控制凹部的形狀。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，在第一膜的平均厚度和第二膜的平均厚度分別設(shè)定為X(nm)和Y(nm)的情況下，X和Y滿足關(guān)系式0.01≤X/Y≤0.8。
通過滿足上述關(guān)系式，能夠更確定地控制用于形成具有第一和第二膜的掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力，并能夠高精度地形成各個具有期望尺寸的初始孔。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，在基板上僅僅形成第一膜時第一膜的內(nèi)應(yīng)力在-1,700到-700mPa的范圍內(nèi)。
這使得有可能更確定地控制用于形成具有第一和第二膜的掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力，并能夠以更高的尺寸精度形成各個具有期望形狀和尺寸的初始孔。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，在基板上僅僅形成第二膜時第二膜的內(nèi)應(yīng)力在500到1500mPa的范圍內(nèi)。
這使得有可能更容易地抵銷或減掉第一膜的內(nèi)應(yīng)力，并能夠以高的尺寸精度形成各個具有期望尺寸的初始孔。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，全部第一和第二膜的內(nèi)應(yīng)力在-400至400mPa的范圍內(nèi)。
這使得有可能高精度地形成各個具有期望尺寸的凹部，結(jié)果有可能更確定地控制凹部的形狀。此外，通過使用用于形成具有第一和第二膜的掩模的膜，有可能提高掩模與基板的粘附力。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，在掩模形成步驟中形成的掩模的平均厚度在5至500nm的范圍內(nèi)。
通過將掩模的平均厚度限制在上述范圍內(nèi)，可容易地形成初始孔，同時保持對蝕刻過程的抵抗力。結(jié)果，有可能更容易地控制初始孔的尺寸。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，第一膜的內(nèi)應(yīng)力是壓應(yīng)力，第二層的內(nèi)應(yīng)力是張應(yīng)力。
這使得有可能以更高的精度形成各個具有期望尺寸的初始孔。結(jié)果，有可能更確定地控制各個凹部的形狀。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，第一膜主要由CrO構(gòu)成。
在第二膜主要由Cr構(gòu)成的情況下，有可能提高第一膜與第二膜的粘附力。此外，能夠提高第一膜與基板的粘附力(特別是，在基板由玻璃構(gòu)成的情況下)。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，第二膜主要由Cr構(gòu)成。
這使得更容易地抵消或減去第一膜的內(nèi)應(yīng)力。此外，有可能更容易地形成初始孔和提高特別是在基板經(jīng)受蝕刻過程時對蝕刻過程的抵抗力。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，所述蝕刻方法還包括以下步驟在第一和第二膜形成步驟之前或之后形成第三膜，其中，在初始孔形成步驟中多個初始孔形成在第一、第二和第三膜中。
例如，在第三膜形成在第一和第二膜(即，如上所述的用于形成掩模的膜)上的情況下，能夠保護(hù)第一和第二膜的表面，并提高全部第一和第二膜對蝕刻過程的抵抗力。另一方面，在第三膜形成在基板(即，在基板和用于形成掩模的膜(第一和第二膜)之間)上的情況下，當(dāng)基板和用于形成掩模的膜(第一和第二膜)之間的粘附力相對較小時，通過提供第三膜能夠提高用于形成掩模的膜和基板之間的粘附力。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，所述蝕刻包括濕蝕刻。
濕蝕刻可以用比干蝕刻更簡單的設(shè)備來進(jìn)行。此外，濕蝕刻可一次應(yīng)用于許多基板。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，在凹部形成步驟中當(dāng)基板經(jīng)受濕蝕刻時所用的蝕刻劑主要由雙氟化氫銨構(gòu)成。
由于4wt％或更小的雙氟化氫銨溶液(包含4wt％，即重量4％或更小的雙氟化氫銨)無毒，因此，能夠防止在工作中對人體和環(huán)境的影響。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，在凹部形成步驟中形成的凹部的直徑在10到500μm的范圍內(nèi)。
通過將凹部的直徑限制在如上所述的范圍內(nèi)，能夠更好地對基板應(yīng)用本發(fā)明的蝕刻方法。
在本發(fā)明的蝕刻方法中，優(yōu)選的是，所述凹部用于制造微透鏡。
在這樣形成的凹部用于制造微透鏡的情況下，能夠更好地對基板應(yīng)用本發(fā)明的蝕刻方法。
在本發(fā)明的其它方面中，本發(fā)明涉及一種具有多個凹部的基板。所述具有多個凹部的基板是用如上所述的蝕刻方法制造的。
由于使用本發(fā)明的蝕刻方法制造的具有多個凹部的基板中的每個凹部具有期望的形狀和尺寸，因此能夠提高使用本發(fā)明的具有多個凹部的基板所制造的微透鏡基板的可靠性。
在本發(fā)明的另一個方面中，本發(fā)明涉及使用上述具有多個凹部的基板制造的微透鏡基板。
這使得能夠提供具有優(yōu)良可靠性的微透鏡基板。
在本發(fā)明的另一個方面中，本發(fā)明涉及包括如上所述的微透鏡基板的透射屏。
這使得有可能提供具有優(yōu)良可靠性的透射屏。
優(yōu)選的是，本發(fā)明的透射屏還包括具有菲涅耳透鏡的菲涅耳透鏡部分，所述菲涅耳透鏡部分具有發(fā)光面，所述菲涅耳透鏡形成在所述發(fā)光面中，其中，透鏡基板被布置在菲涅耳透鏡部分的發(fā)光面一側(cè)。
這樣能夠提供具有優(yōu)良可靠性的透射屏。
在本發(fā)明的另一個方面中，本發(fā)明涉及一種背面投影儀。本發(fā)明的背面投影儀包括如上所述的透射屏。
這使得能夠提供一種具有優(yōu)良可靠性的背面投影儀。
優(yōu)選的是，本發(fā)明的背面投影儀還包括投影光學(xué)裝置；和導(dǎo)光鏡。
這使得能夠提供一種具有優(yōu)良可靠性的背面投影儀。


通過結(jié)合相關(guān)附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例所進(jìn)行的以下詳細(xì)的描述，本發(fā)明的前述及其他目的、特征和優(yōu)點將變得更清晰。
圖1是縱向剖面示意圖，示出了應(yīng)用本發(fā)明的蝕刻方法形成用于形成微透鏡的凹部的制造過程；圖2是使用具有凹部的基板制造的微透鏡基板的縱向剖面示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置有圖2所示微透鏡基板的透射屏的縱向剖面示意圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的背面投影儀的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在，將要參考附圖詳細(xì)說明根據(jù)本發(fā)明的蝕刻方法、具有多個凹部的基板、微透鏡基板、設(shè)置有根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的微透鏡基板的透射屏和背面投影儀。
以下將說明根據(jù)本發(fā)明的蝕刻方法。
圖1是縱向剖面示意圖，示出了應(yīng)用本發(fā)明的蝕刻方法形成用于形成微透鏡的凹部的制造過程。圖2是使用具有凹部的基板制造的微透鏡基板的縱向剖面示意圖。關(guān)于這一點，下文將說明本發(fā)明的蝕刻方法用于制造帶有用于形成微透鏡的多個凹部的基板的情況。
首先，在制造具有凹部的基板2中，準(zhǔn)備基板5。優(yōu)選的是，具有均勻厚度并且沒有彎曲和瑕疵的基板被用作基板5。此外，優(yōu)選的是，具有通過清洗或類似處理被清潔的表面的基板被用作基板5。
對基板5的構(gòu)成材料并沒有特別限制。例如，無堿玻璃、鈉鈣玻璃、結(jié)晶玻璃(crystalline glass)、石英玻璃、鉛玻璃、鉀玻璃、硼硅酸鹽玻璃等等都可以。在利用具有凹部的基板2制造微透鏡的情況下，優(yōu)選無堿玻璃、鈉鈣玻璃和結(jié)晶玻璃(例如，新陶瓷(neoceram)等等)作為基板5的構(gòu)成材料。通過利用無堿玻璃、鈉鈣玻璃或結(jié)晶玻璃，很容易加工用于基板5的材料，并且能夠獲得具有希望的光學(xué)性能的帶凹部的基板2。并且，由于無堿玻璃或結(jié)晶玻璃較便宜，因此從制造成本的角度看它們是有利的。盡管基板5的厚度根據(jù)諸如構(gòu)成基板5的材料和其折射系數(shù)等各種條件而有所變化，但一般優(yōu)選其厚度在0.3至20mm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在2至8mm的范圍內(nèi)。通過將厚度限制在這一范圍內(nèi)，能夠獲得具有要求的光學(xué)性能并帶有用于微透鏡的凹部的緊湊基板2。
(膜形成步驟)
(1)如圖1A所示，通過層疊第一膜61和第二膜62在準(zhǔn)備好的基板5的表面上形成用于形成掩模的模。為了更具體地說明用于形成掩模的膜的形成步驟，膜形成步驟包括第一膜形成步驟和第二膜形成步驟，在第一膜形成步驟中第一膜61形成在基板5的表面上，在第二膜形成步驟中，第二膜62形成在第一膜61的表面上。此外，在膜形成步驟中，背面保護(hù)膜69形成在基板5的背面(即，與形成掩模6的面相對的表面?zhèn)?。不用說，用于形成掩模的膜和背面保護(hù)膜69可同時形成。
第一和第二膜61和62中的每一個具有預(yù)定的內(nèi)應(yīng)力，以便第一和第二膜的內(nèi)應(yīng)力互相抵消或相減，并且第一膜61鄰接第二膜62。此外，在本實施例中，如圖1A所示，第一膜61與第二膜62相比形成于基板5一側(cè)。用于形成掩模的膜是通過以預(yù)定圖案在用于形成掩模的膜中形成多個初始孔63(即，通過形成多個初始孔63的圖案)而在隨后將要說明的掩模形成步驟中變?yōu)檠谀?的膜。
同時，已知一種在基板上形成用于形成微透鏡的多個凹部的方法，其中，在基板上提供其上形成有多個初始孔的掩模，并利用在掩模中形成的多個初始孔使基板經(jīng)受蝕刻過程。然而，在傳統(tǒng)方法中，很難適當(dāng)?shù)乜刂扑纬傻陌疾康男螤詈统叽?。本發(fā)明的發(fā)明者認(rèn)為，由于設(shè)置在用于形成掩模的膜上以形成凹部的通孔(初始孔)的形狀和尺寸不能被適當(dāng)?shù)乜刂?，因而不能恰?dāng)?shù)乜刂菩纬稍诨迳系陌疾康男螤詈统叽纭?br> 本發(fā)明的發(fā)明者堅持不懈地進(jìn)行了考察并發(fā)現(xiàn)通過控制用于形成掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力可以高精度地形成各個具有期望形狀和尺寸的初始孔。為了控制用于形成掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力，用于形成掩模的膜至少由第一和第二膜構(gòu)成，每層膜具有預(yù)定的內(nèi)應(yīng)力以便第一和第二膜的內(nèi)應(yīng)力互相抵消或相減，并且第一和第二膜互相鄰接。此外，發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，通過高精度地形成各個具有期望形狀和尺寸的初始孔，能夠容易和確定地控制凹部的形狀和尺寸。并且，發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，通過使用用于形成具有第一和第二膜的掩模的膜可提高掩模與基板的粘附力。此外，發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，通過調(diào)節(jié)用于形成掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力，能夠控制在蝕刻過程中的側(cè)向蝕刻率，結(jié)果，能夠容易地形成對應(yīng)球面透鏡或非球面透鏡的的凹部。
在本實施例中，將描述第一膜61的內(nèi)應(yīng)力是壓應(yīng)力而第二膜62的內(nèi)應(yīng)力是張應(yīng)力的情況。關(guān)于這方面，壓應(yīng)力和張應(yīng)力作用從而互相抵消或相減。
優(yōu)選的是，在基板5上僅僅形成第一膜61時第一膜61的內(nèi)應(yīng)力(壓應(yīng)力)在-1,700到-700mPa的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在-1,500到-900mPa的范圍內(nèi)。這使得有可能更確定地控制用于形成具有第一和第二膜61和62的掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力，并能夠以較高尺寸精度形成各個具有期望形狀和尺寸的初始孔63。
此外，優(yōu)選的是，在基板5上僅僅形成第二膜62時第二膜62的內(nèi)應(yīng)力(張應(yīng)力)在500到1500mPa的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在700到1300mPa的范圍內(nèi)。這使得有可能更容易地抵銷或減掉第一膜61的內(nèi)應(yīng)力，并能夠以較高尺寸精度形成各個具有期望尺寸的初始孔63。
此外，優(yōu)選的是，全部第一和第二膜61和62的內(nèi)應(yīng)力在-400至400mPa的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在在-250到250mPa的范圍內(nèi)。這使得有可能以較高精度形成各個具有期望尺寸的凹部63，結(jié)果，有可能更確定地控制凹部630的形狀。此外，通過使用用于形成具有第一和第二膜61和62的掩模的膜，有可能提高掩模6與基板5的粘附力。
關(guān)于這方面，在本說明書中提到的“內(nèi)應(yīng)力”是指在平玻璃基板上形成具有10cm直徑的基板的情況下在室溫時基板的內(nèi)應(yīng)力。此外，具有負(fù)值的內(nèi)應(yīng)力表示“壓應(yīng)力”，具有正值的內(nèi)應(yīng)力表示“張應(yīng)力”。
并不特別限制構(gòu)成第一膜61的材料。例如，CrO、TiO、Ta3O5、NiO、TiWO等均可。優(yōu)選第一膜主要由其中的CrO構(gòu)成。在第一膜61以這種方式主要由CrO構(gòu)成的情況下，有可能更容易地控制用于形成掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力。此外，能夠容易地形成初始孔63，并提高在基板經(jīng)受蝕刻過程時用于形成掩模的膜對蝕刻過程的抵抗力。此外，在第二膜62主要由Cr構(gòu)成的情況下，有可能提高第一膜61與第二膜62的粘附力。此外，能夠提高第一膜61與基板5的粘附力(特別是，在基板由玻璃構(gòu)成的情況下)。
并不特別限制構(gòu)成第二膜62的材料。例如，Cr、Ti、Ta、Ni、TiW等均可。優(yōu)選第二膜62主要由其中的Cr構(gòu)成。這使得有可能更容易地抵消或減小第一膜61的內(nèi)應(yīng)力。此外，能夠容易地形成初始孔63，并提高特別在基板經(jīng)受蝕刻過程時對蝕刻過程的抵抗力。
優(yōu)選通過相對于第一膜61的平均厚度調(diào)節(jié)第二膜62的平均厚度來控制用于形成掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力。
優(yōu)選用于形成掩模的膜的平均厚度在5至500nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在50至150nm的范圍內(nèi)。這使得能夠以較高精度形成各個具有期望尺寸的初始孔63。結(jié)果，能夠更確定地控制凹部3的形狀。
此外，優(yōu)選的是，在第一膜的平均厚度和第二膜的平均厚度分別設(shè)定為X(nm)和Y(nm)的情況下，X和Y滿足關(guān)系式0.01≤X/Y≤0.8，更優(yōu)選滿足關(guān)系式0.1≤X/Y≤0.5。通過滿足該關(guān)系式，能夠更確定地控制用于形成具有第一和第二膜61和62的掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力，并以較高精度形成各個具有期望尺寸的初始孔63。如果X/Y是在上述給定的下限以下，由于第二膜62的內(nèi)應(yīng)力大于第一膜61的內(nèi)應(yīng)力，因此第二膜62的內(nèi)應(yīng)力被保留。因此，側(cè)向蝕刻量(在側(cè)向方向的蝕刻)大于深度方向的蝕刻量，或者不可能獲得具有平滑輪廓(清晰和平滑的形狀)的各個凹部3。另一方面，如果X/Y大于上述給出的上限，由于第一膜61的內(nèi)應(yīng)力大于第二膜62的內(nèi)應(yīng)力，因此第一膜61的內(nèi)應(yīng)力被保留。因此，深度方向的蝕刻量大于側(cè)向蝕刻量(在側(cè)向方向的蝕刻)，或者不可能獲得具有平滑輪廓(清晰和平滑的形狀)的各個凹部3。
優(yōu)選用于形成掩模的膜(即掩模6)的平均厚度在5至500nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在50至150nm的范圍內(nèi)。通過將掩模的平均厚度限制在上述范圍內(nèi)，很容易形成初始孔，并能夠更容易地控制初始孔63的尺寸。另外，當(dāng)形成掩模6時，能夠保持對于蝕刻過程的抵抗力。
形成第一和第二膜61和62的方法并沒有特別的限制。例如，蒸發(fā)方法、濺射方法、CVD方法、諸如離子鍍方法之類的干鍍方法、諸如電解電鍍之類的濕鍍方法以及無電鍍敷方法都可以。形成第一膜61的方法可以不同于形成第二膜62的方法，形成第一膜61的條件可以不同于形成第二膜62的條件。
設(shè)置背面保護(hù)膜69以在隨后的過程中保護(hù)基板5的背面。基板5背面的腐蝕、劣化等通過背面保護(hù)膜69被適當(dāng)?shù)胤乐?。背面保護(hù)膜69不一定由與形成掩模的膜相同的材料構(gòu)成，也可以由與形成掩模的膜相同的材料構(gòu)成。在背面保護(hù)膜69由與形成掩模的膜相同的材料構(gòu)成的情況下，它可以在形成用于掩模的膜的同時設(shè)置。另外，由于背面保護(hù)膜69的內(nèi)應(yīng)力可以相對較小，因此能夠控制(防止)基板5等的變形，并以較高的精度形成各個具有期望形狀和尺寸的凹部3。
除了第一和第二膜61和62之外，用于形成掩模的膜還具有第三膜。換句話說，膜形成步驟可以具有形成除了第一和第二膜61和62之外的第三膜的步驟。在這種情況下，用于形成掩模的膜變?yōu)榈谝?、第二和第三?1、62和63層疊在一起的膜。這樣的第三膜可以設(shè)置在第二膜62上或設(shè)置在第一膜61和基板5之間(即，形成第三膜的步驟在形成第一和第二膜61和62的步驟之前或之后進(jìn)行)。在第三膜形成在第二膜62上的情況下，第三膜可主要由金構(gòu)成，在這種情況下，能夠保護(hù)第二膜62的表面，并提高用于形成掩模的全部膜對蝕刻過程的抵抗力。另一方面，在第三膜形成在基板5(即，在基板5和第一膜61之間)上的情況下，當(dāng)基板5和第一膜61之間的粘附力相對較小時，通過提供第三膜能夠提高用于形成掩模的膜和基板5之間的粘附力。關(guān)于這方面，在提供第三膜的情況下，優(yōu)選第三膜相對較薄。更具體而言，優(yōu)選第三膜的厚度為200nm或以下。
(掩模形成步驟)(2)接著，如圖1B所示，在蝕刻過程中(后面將描述)將用作掩模開口的多個初始孔63以預(yù)定的圖案形成在用于形成掩模的膜上，以形成掩模6(初始孔形成過程)。多個初始孔63以包括m列和n排的矩陣的形式排列。數(shù)字m和n分別是2或2以上的整數(shù)。
多個初始孔63可以以任何其它的方法形成，例如，它們可以通過物理方法或激光束照射方法形成。這使得能夠例如以高的生產(chǎn)率制造具有多個凹部的基板。特別是，凹部可以相對容易地在相對較大尺寸的基板上形成。
至于形成初始孔63的物理方法，例如，噴丸、噴砂等噴射處理、蝕刻、沖壓、點打印、鉆孔、摩擦等均可以。在由噴射工藝形成初始孔63的情況下，即使是對于相對大面積(即，形成凹部3的區(qū)域的面積)的基板5，也能夠以高效率在短時間內(nèi)形成初始孔63。
此外，在由激光束輻射手段形成初始孔63的情況下，并不特別限定所使用的激光束的種類。例如，紅寶石激光器、半導(dǎo)體激光器、YAG(釔鋁石榴石)激光器、毫微微秒激光器、玻璃激光器、YVO4激光器、Ne-He(氦氖)激光器、氬激光器、二氧化碳激光器、受激準(zhǔn)分子激光器等等都可以。此外，可以采用例如SHG(第二諧波生成)、THG(第三諧波生成)、FHG(第四諧波生成)等如上所述的各種激光的波形用于激光束照射。在用激光束輻射手段形成初始孔63的情況下，能夠容易且精確地控制初始孔63的大小，相鄰的初始孔63之間的距離，等等。
優(yōu)選的是，初始孔63均勻地形成在掩模6的整個表面上。此外，優(yōu)選初始孔63的平均直徑在0.5μm至20μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在1至10μm的范圍內(nèi)。通過將初始孔63的平均直徑限制在上述范圍內(nèi)，能夠適當(dāng)?shù)貙?應(yīng)用本發(fā)明的蝕刻方法。
(凹部形成步驟)(3)在掩模6如上所述形成之后，如圖1C和1D所示，通過利用掩模6對基板5實施蝕刻過程，在基板5上形成大量凹部3(凹部形成步驟)。并不特別限定蝕刻方法，濕法蝕刻、干法蝕刻等都可以。在以下的說明中，將以濕法蝕刻工藝作為典型例子進(jìn)行描述。
通過對被掩模6(其中形成有初始孔63)覆蓋的基板5實施濕法蝕刻過程，如圖1C和1D所示，從沒有掩模的部位(即從初始孔63)開始腐蝕基板5，借此在基板5上形成大量凹部3。如上所述，在本實施例中，由于初始孔63以較高精度在掩模6上形成，因此能夠更確定地形成各個具有期望形狀和尺寸的大量凹部3。
用于蝕刻過程的蝕刻劑并沒有特別限制。例如，可采用含有氫氟酸的蝕刻劑(氫氟酸基蝕刻劑)。優(yōu)選的是，主要由雙氟化氫銨構(gòu)成的蝕刻劑被用作包含氫氟酸的蝕刻劑。由于4wt％或更小的雙氟化氫銨溶液無毒，因此，能夠更確定地防止在工作中對人體和環(huán)境的影響。
可對覆蓋有掩模6的基板5涂敷如上所述的蝕刻劑以便基板5經(jīng)受蝕刻過程。至于向基板5涂敷蝕刻劑的方法，例如，可采用將基板5浸泡在蝕刻劑中的方法、將蝕刻劑噴在基板5上的方法等類似方法。優(yōu)選的是，當(dāng)基板5經(jīng)受蝕刻過程時蝕刻劑的溫度在10至80攝氏度的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在20至30攝氏度的范圍內(nèi)。通過將蝕刻劑的溫度限制在如上所述的范圍內(nèi)，能夠適當(dāng)?shù)匚g刻基板5的表面。
此外，優(yōu)選的是，基板5與蝕刻劑接觸的時間，即，蝕刻時間在1至10小時的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在2至5小時的范圍內(nèi)。濕蝕刻過程允許用比干蝕刻更簡單的設(shè)備來進(jìn)行處理，并允許一次處理許多基板。因此，可提高具有凹部的基板的生產(chǎn)率，能夠以較低的成本提供具有用于制造微透鏡基板的凹部的基板2。在濕蝕刻之后，具有掩膜6的基板5被用純水清潔(清洗)，然后使用氮氣進(jìn)行干燥(除去純水)。
(掩模卻除步驟)(4)接下來，如圖1E所示，掩模6被從基板5上去除(掩模去除過程)。此時，背面保護(hù)模69隨掩模6的去除一起從基板5上去除。掩模6的去除能通過浸泡(濕蝕刻)于諸如氫氟酸和硝酸溶液等分離液體、堿性溶液來進(jìn)行、或通過使用CF氣體、含氯氣體等氣體的干蝕刻方法來進(jìn)行。
作為上述處理的結(jié)果，如圖1E所示，獲得在基板5上具有大量凹部3的具有凹部的基板2。按照上述方法制造的具有凹部的基板2具有大量凹部3，各個凹部3具有大致相同的形狀和尺寸。結(jié)果，利用具有凹部的基板2制造的微透鏡基板具有高的可靠性。
當(dāng)從具有凹部的基板2的頂部看時，各個凹部3的直徑優(yōu)選在10到500μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在30至200μm的范圍內(nèi)。通過將每個凹部3的直徑限制在如上所述的范圍內(nèi)，能夠更適當(dāng)?shù)貙?應(yīng)用本發(fā)明的蝕刻方法。此外，優(yōu)選凹部3以相對密度形成在基板5上。更具體而言，當(dāng)從具有凹部的基板2的頂部看時，優(yōu)選在可用面積中被全部凹部3占據(jù)的面積相對于整個可用面積的比是90％或更多，更優(yōu)選所述比例在96％或以上。
利用這樣獲得的具有凹部的基板2，可制造微透鏡基板。例如，通過在具有凹部的所獲基板2的凹部3中填充具有預(yù)定折射率的材料(特別是，折射率高于基板5的折射率)(例如，樹脂(粘著)或類似物)能夠制造具有作為凸透鏡的多個微透鏡4的微透鏡基板1，如圖2所示。
關(guān)于這方面，具有凹部的基板2可被直接用作微透鏡基板1。在這種情況下，微透鏡構(gòu)造為凹透鏡。此外，可在不從微透鏡基板1上除去具有凹部的基板2的條件下使用微透鏡基板1，或者可以從微透鏡基板1上除去具有凹部的基板2。這樣獲得的微透鏡基板1可用作例如透射屏、背面投影儀、透射顯示裝置的液晶光閥的構(gòu)成部件。
接著，將描述具有如上所述的微透鏡基板1的透射屏10。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的設(shè)置有圖2所示的微透鏡基板的透射屏的縱向剖面示意圖。如圖3所示，透射屏10設(shè)置有菲涅耳透鏡部分2和如上所述的微透鏡基板1。菲涅耳透鏡部分2布置在用于透射屏的屏幕部件1的光入射面一側(cè)(即，位于用于圖像的光的入射側(cè))，已透射菲涅耳透鏡部分2的光進(jìn)入具有直射光控制部分1A的透鏡基板中。
菲涅耳透鏡部分2設(shè)置有菲涅耳透鏡21，其中多個棱鏡以大致同心的方式形成在菲涅耳透鏡部分2的光發(fā)射面上。菲涅耳透鏡部分2偏轉(zhuǎn)用于從投影透鏡(未示出)投影圖像的光，并將與微透鏡基板1的主表面的垂直方向平行的平行光La輸出到微透鏡基板1的光入射面一側(cè)。
在如上所述構(gòu)造的透射屏10中，從投影透鏡發(fā)出的光由菲涅耳透鏡部分2偏轉(zhuǎn)而形成平行光La。然后，平行光La進(jìn)入微透鏡基板1而由微透鏡基板1的每個微透鏡4會聚，且會聚光被漫射，由此透射屏10的觀測者(觀看者)觀察(觀看)形成平面圖像的光。
接下來，將說明使用如上所述的透射屏的背面投影儀。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的背面投影儀的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖4所示，背面投影儀300具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中，投影光學(xué)裝置310、導(dǎo)光鏡320和透射屏10布置在殼體340內(nèi)。由于背面投影儀300使用了如上所述的透射屏10作為其透射屏10，因此形成了具有高顯示質(zhì)量的極佳的背面投影儀。
需要注意的是，如上所述，盡管參考如附圖所示的優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明的蝕刻方法、具有多個凹部的基板、微透鏡基板、配備有微透鏡基板的透射屏和背面投影儀，但本發(fā)明并不局限于這些實施例。例如，本發(fā)明的蝕刻方法可根據(jù)需要包括用于任意目的的任何步驟(過程)。
此外，在如上所述實施例中，描述了用于形成掩模的膜包括兩層膜，即，第一膜61和第二膜62的情況，但本發(fā)明并不局限于此。例如，用于形成掩模的膜包括除第一膜61和第二膜62以外的一層或更多層膜(在例子中有第三膜)。
并且，在如上所述實施例中，描述了第一膜61設(shè)置在基板5和第二膜62之間的情況，但在本發(fā)明中，第二膜62可設(shè)置在基板5和第一膜61之間。特別是，在第二膜62設(shè)置在基板5和第一膜61之間的情況下，即，例如，由Cr構(gòu)成的膜(Cr膜)形成在基板5上，由CrO構(gòu)成的膜(CrO膜)形成在Cr膜上，由于Cr膜被CrO膜所覆蓋，因此能夠有效地防止Cr等氧化。
在如上所述的該實施例中，已經(jīng)描述了在基板5的表面上形成背面保護(hù)膜69之后使基板5經(jīng)受蝕刻過程的情況，但在本發(fā)明中，不一定要在基板5的表面上形成這樣的背面保護(hù)膜69。此外，在如上所述的該實施例中，描述了本發(fā)明的蝕刻方法應(yīng)用于形成用于形成微透鏡的凹部的情況，但本發(fā)明并不限于此。例如，本發(fā)明的蝕刻方法可用于利用光刻形成音叉式晶體振蕩器，其中，利用Cr-Au膜作為掩模，并利用氫氟酸基蝕刻劑作為蝕刻劑來形成晶體。
此外，在如上所述的實施例中，描述了本發(fā)明的透射屏設(shè)置有本發(fā)明的微透鏡基板和菲涅耳透鏡的情況，但本發(fā)明的透射屏不一定要設(shè)置菲涅耳透鏡。例如，本發(fā)明的透射屏實際上可以僅僅由本發(fā)明的微透鏡構(gòu)成。
此外，在如上所述的本實施例中，描述了本發(fā)明的微透鏡基板作為構(gòu)成透射屏或背面投影儀的部件(組件)的情況，但本發(fā)明的微透鏡基板的應(yīng)用并不限于透射屏和背面投影儀，而是可以用于任何用途。例如，本發(fā)明的微透鏡基板可以應(yīng)用于透射顯示裝置的液晶光閥的構(gòu)成材料。
例子(例1)按下述方式制造具有凹部的基板。
首先，準(zhǔn)備具有1.2m×0.7m的矩形和5mm的厚度的鈉鈣玻璃基板。將鈉鈣玻璃基板(下文中簡稱為基板)浸泡在清洗液(10％的氫氟酸水溶液(包含小量甘油)，加熱到30攝氏度)中以便被清洗，其表面被清潔。
由CrO構(gòu)成的第一膜、Cr構(gòu)成的第二膜和Au構(gòu)成的第三膜構(gòu)造的用于形成掩模的膜形成在經(jīng)過該方式進(jìn)行了清潔處理的基板的表面上。
以下面所述的離子鍍方法形成第一膜。首先，基板被放置在離子鍍設(shè)備的處理室中，接著在預(yù)熱處理室的同時將處理室的內(nèi)部卸壓(減壓)到3×10-3Pa。
隨后，用于清潔的氬氣被引入到處理室中以進(jìn)行5分鐘清潔處理。通過對基板施加350V的直流電壓進(jìn)行所述清潔處理。接著，氧氣被引入到處理室中以使處理室內(nèi)部增壓至53Pa，這種狀態(tài)被保持30分鐘，與此同時對基板施加400V的直流電壓。在這樣的條件下，Cr被用作靶子，電離電壓和電離電流分別被設(shè)定為30V和140A，以將它們作用于離子鍍設(shè)備中的細(xì)絲并持續(xù)5分鐘。結(jié)果，由CrO構(gòu)成的第一膜在基板上形成。
接著，使用離子鍍設(shè)備以下述方式在形成了第一膜的基板上形成由Cr構(gòu)成的第二膜。首先，處理室的內(nèi)部被卸壓(減壓)到3×10-3Pa，與此同時預(yù)熱處理室。隨后，氬氣被引入到處理室中以使處理室內(nèi)部增壓至53Pa，在對基板施加400V的直流電壓的同時保持這種狀態(tài)。在這樣的條件下，Cr被用作靶子，電離電壓和電離電流分別被設(shè)定為30V和140A，以將它們作用于離子鍍設(shè)備中的細(xì)絲并持續(xù)15分鐘。結(jié)果，由Cr構(gòu)成的第二膜形成在第一膜上。
接著，使用離子鍍設(shè)備以下述方式在形成了第一膜和第二膜的基板上形成由Au構(gòu)成的第三膜。首先，處理室的內(nèi)部壓力保持在53Pa，對基板施加400V的直流電壓并持續(xù)30分鐘。在這樣的條件下，Au被用作靶子，電離電壓和電離電流分別被設(shè)定為30V和140A，以將它們作用于離子鍍設(shè)備中的細(xì)絲并持續(xù)20分鐘。結(jié)果，由Cu構(gòu)成的第三膜形成在第二膜上。
如上所述，用于形成包括第一、第二和第三膜的掩模的膜形成在基板上。所形成的用于形成掩模的膜的平均厚度為65nm。此外，第一膜的平均厚度與第二膜的平均厚度的比(第一膜/第二膜)為0.3。此外，用于形成掩模的全部膜的內(nèi)應(yīng)力為-100mPa。關(guān)于這方面，分別對應(yīng)第一膜和第二膜的各個具有10cm直徑的膜在如上所述的條件下分別形成在平玻璃基板上。這樣，第一膜的內(nèi)應(yīng)力為-1200mPa，而第二膜的內(nèi)應(yīng)力為1000mPa。
接著，對用于形成掩模的膜進(jìn)行激光加工，從而在用于形成掩模的膜的中心部分的113cm×65cm的區(qū)域中形成大量初始孔。結(jié)果，形成了掩模。關(guān)于這方面，使用YAG激光器在能量密度為1mW、光束直徑為3μm并且照射時間為60×10-9秒的條件下進(jìn)行激光加工。這樣，在如上所述的掩模的整個區(qū)域上形成初始孔。初始孔的平均直徑為5μm。這樣形成的初始孔具有最小的形狀和尺寸變化。
接著，對鈉鈣玻璃基板進(jìn)行濕蝕刻過程，從而在鈉鈣玻璃基板上形成大量的凹部。形成的每個凹部大致具有互相相同的曲率半徑(35μm)。關(guān)于這方面，包含4wt％雙氟化氫銨和8wt％過氧化氫的水溶液作為蝕刻劑被用于濕蝕刻，基板浸泡時間為5小時。
接著，利用硝酸鈰(III)銨(cerium(III)nitrate ammonium)和過氧化酸的混合物對基板進(jìn)行蝕刻處理以除去掩模和背面保護(hù)膜。接著，用純水清潔和用氮氣干燥(除去純水)。這樣，就獲得了具有凹部的晶片狀基板，其中在鈉鈣玻璃基板上形成大量凹部。
(例2)除了第二膜在形成第一膜之前形成以外，以與如上所述的第一例子類似的方式制造第二例子的具有凹部的基板，即，以這樣的方式形成掩模，其中如上所述的第一例子中的第二膜形成在基板上，然后如上所述的第一例子中的第一膜形成在第二膜上。
(比較例1)除了由Cr構(gòu)成的膜形成在基板上作為掩模以外，以與如上所述的第一例子類似的方式制造具有凹部的基板。在這種情況下，由Cr構(gòu)成的掩模以下述方式形成。
首先，已經(jīng)以類似例1的方式清潔的基板被放置在離子鍍設(shè)備的處理室中，接著，在對處理室預(yù)熱的同時將處理室內(nèi)部卸壓(減壓)到3×10-3Pa。
隨后，用于清潔的氬氣被引入到處理室中以進(jìn)行5分鐘清潔處理。通過對基板施加350V的直流電壓進(jìn)行所述清潔處理。接著，氬氣被引入到處理室中以使處理室內(nèi)部增壓至53Pa，這種狀態(tài)被保持30至60分鐘，與此同時對基板施加400V的直流電壓。在這樣的條件下，Cr被用作靶子，電離電壓和電離電流分別被設(shè)定為30V和140A，以將它們施加到離子鍍設(shè)備中的細(xì)絲并持續(xù)40分鐘。結(jié)果，由Cr構(gòu)成的用于形成掩模的單層膜在基板上形成。這樣形成的用于掩模的膜的平均厚度為75nm。此外，用于形成掩模的膜的內(nèi)應(yīng)力為1000mPa。
接著，在類似于如上所述的用于形成掩模的例1的條件下在用于形成掩模的膜上形成多個初始孔。關(guān)于這方面，這樣形成的初始孔在尺寸和形狀上具有較大的變化。
(比較例2)除了由CrO構(gòu)成的膜形成在基板上作為掩模以外，以與如上所述的第一例子類似的方式制造具有凹部的基板。在這種情況下，由CrO構(gòu)成的掩模以下述方式形成。
首先，已經(jīng)以類似例1的方式清潔的基板被放置在離子鍍設(shè)備的處理室中，接著，在對處理室預(yù)熱的同時將處理室內(nèi)部卸壓(減壓)到3×10-3Pa。
隨后，用于清潔的氬氣被引入到處理室中以進(jìn)行5分鐘清潔處理。通過對基板施加350V的直流電壓進(jìn)行所述清潔處理。接著，氧氣被引入到處理室中以使處理室內(nèi)部增壓至53Pa，這種狀態(tài)被保持30至60分鐘，與此同時對基板施加400V的直流電壓。在這樣的條件下，Cr被用作靶子，電離電壓和電離電流分別被設(shè)定為30V和140A，以將它們施加到離子鍍設(shè)備中的細(xì)絲并持續(xù)40分鐘。結(jié)果，由Cr構(gòu)成的用于形成掩模的單層膜在基板上形成。這樣形成的用于形成掩模的膜的平均厚度為60nm。此外，用于形成掩模的膜的內(nèi)應(yīng)力為-1200mPa。
接著，在類似于如上所述的例1的條件下，在用于形成掩模的膜上形成多個初始孔以用于形成掩模。關(guān)于這方面，這樣形成的初始孔在尺寸和形狀上具有較大的變化。
(比較例3)除了掩模以下述方式形成以外，以與如上所述的第一例子類似的方式制造具有凹部的基板。
首先，在已經(jīng)以類似例1的方式清潔的基板上涂敷抗蝕劑介質(zhì)，從而形成對應(yīng)本發(fā)明的用于形成掩模的膜的單層抗蝕劑膜。隨后，通過感光和顯影形成大量初始孔，從而形成掩模。關(guān)于這方面，這樣形成的初始孔在尺寸和形狀上具有較大的變化。此外，抗蝕劑膜的平均厚度為800nm，抗蝕劑膜的內(nèi)應(yīng)力為800mPa.
(比較例4)除了掩模以下述方式形成以外，以與如上所述的第一例子類似的方式制造具有凹部的基板。
首先，將已經(jīng)以類似例1的方式清潔的基板放置在CVD爐中，CVD爐內(nèi)的溫度和壓力分別設(shè)定為600攝氏度和80Pa。接著，SiH4氣體以300mL/min的流速供應(yīng)到CVD爐中，以通過CVD方法形成多晶硅膜，作為用于形成掩模和背面保護(hù)膜的單層膜。
隨后，通過光致抗蝕劑在所形成的用于形成掩模的膜上形成具有用于微透鏡的圖案的抗蝕劑，接著，通過CF氣體對具有用于形成掩模的膜的基板進(jìn)行干蝕刻。隨后，除去抗蝕劑，獲得掩模，其中，在用于形成掩模的膜中形成多個初始孔。關(guān)于這方面，這樣形成的初始孔在尺寸和形狀上具有較大的變化。此外，用于形成掩模的膜的平均厚度為75nm，用于形成掩模的膜的內(nèi)應(yīng)力為-700mPa.
(評價)在例1和例2中的每一個例子中獲得的具有凹部的基板中的各個凹部的形狀基本上是具有較高精度的半球形結(jié)構(gòu)。另外，凹部的形狀的變化較小。另一方面，在每個比較例中的具有凹部的基板中，形狀精度較差，并且凹部的形狀變化較大。
此外，在例1和例2中的每一個例子中獲得的具有凹部的基板中的各個凹部的尺寸彼此一致。另一方面，在每個比較例中的具有凹部的基板中，凹部的尺寸的變化較大。第三比較例和第四比較例相比，比較例4中的掩模與基板的粘附性比比較例3中的掩模好。因此，在比較例4中的凹部的尺寸變化與比較例3相比較好。然而，與例1和例2中的凹部的尺寸變化相比，所述的凹部尺寸變化大于例1或例2。
權(quán)利要求
1.一種蝕刻方法，包括以下步驟準(zhǔn)備基板；在基板上形成第一和第二膜，每層膜具有預(yù)定的內(nèi)應(yīng)力，從而第一和第二膜的內(nèi)應(yīng)力互相抵消或相消減；在第一和第二膜中形成多個初始孔，以形成掩模；和通過利用掩模使基板經(jīng)受蝕刻過程，而在基板上對應(yīng)多個初始孔的部位形成多個凹部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一和第二膜形成步驟包括以下步驟在基板上形成第一膜；和在第一膜上形成第二膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，第二膜形成步驟包括通過相對于第一膜的平均厚度調(diào)節(jié)第二膜的平均厚度來控制整個第一膜和第二膜的內(nèi)應(yīng)力的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在第一膜的平均厚度和第二膜的平均厚度分別設(shè)定為X(nm)和Y(nm)的情況下，X和Y滿足關(guān)系式0.01≤X/Y≤0.8。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在基板上僅僅形成第一膜時，第一膜的內(nèi)應(yīng)力在-1,700到-700mPa的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在基板上僅僅形成第二膜時，第二膜的內(nèi)應(yīng)力在500到1500mPa的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，整個第一和第二膜的內(nèi)應(yīng)力在-400至400mPa的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在掩模形成步驟中形成的掩模的平均厚度在5至500nm的范圍內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，第一膜的內(nèi)應(yīng)力是壓應(yīng)力，第二膜的內(nèi)應(yīng)力是張應(yīng)力。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，第一膜主要由CrO構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，第二膜主要由Cr構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟在第一和第二膜形成步驟之前或之后形成第三膜，其中，在初始孔形成步驟中多個初始孔形成在第一、第二和第三膜中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述蝕刻包括濕蝕刻。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在凹部形成步驟中當(dāng)基板經(jīng)受濕蝕刻時所用的蝕刻劑主要由雙氟化氫銨構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在凹部形成步驟中形成的凹部的直徑在10到500μm的范圍內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述凹部用于制造微透鏡。
17.一種具有多個凹部的基板，所述具有多個凹部的基板是用如權(quán)利要求1所述的蝕刻方法制造的。
18.一種使用如權(quán)利要求17所述的具有多個凹部的基板制造的微透鏡基板。
19.一種包括如權(quán)利要求18所述的微透鏡基板的透射屏。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的透射屏，其特征在于，還包括具有菲涅耳透鏡的菲涅耳透鏡部分，所述菲涅耳透鏡部分具有發(fā)光面，所述菲涅耳透鏡形成在所述發(fā)光面中，其中，微透鏡基板被布置在菲涅耳透鏡部分的發(fā)光面一側(cè)。
21.一種背面投影儀，所述背面投影儀包括如權(quán)利要求19所述的透射屏。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的背面投影儀，其特征在于，所述背面投影儀還包括投影光學(xué)裝置；和導(dǎo)光鏡。
全文摘要
公開了一種蝕刻方法，包括以下步驟準(zhǔn)備基板5；在基板上形成第一和第二膜(61)和(62)，每層膜具有預(yù)定的內(nèi)應(yīng)力，從而第一和第二膜(61、62)的內(nèi)應(yīng)力互相抵消或相減；在第一和第二膜(61、62)中形成多個初始孔(63)，以形成掩模(6)；和通過利用掩模(6)使基板(5)經(jīng)受蝕刻過程，而在基板(5)上對應(yīng)多個初始孔(63)的部位形成多個凹部(3)。
文檔編號G03B21/62GK1637438SQ20041008171
公開日2005年7月13日 申請日期2004年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月26日
發(fā)明者清水信雄, 山下秀人, 石井誠 申請人:精工愛普生株式會社