專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及顯示裝置，特別涉及具有反射區(qū)域與透過區(qū)域的顯示裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的顯示裝置中，已知有種具有使入射于液晶層的光只朝著一方的方向透過的透過型以及使入射于液晶層的光反射的反射型等兩種功能的半透過型液晶顯示裝置。此種裝置公開于例如特開2002-98951號公報。
圖17是表示具有現(xiàn)有的凸狀絕緣膜(平坦化膜)的半透過型液晶顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。圖18為沿著圖17所示的現(xiàn)有顯示裝置的190-190線的剖面圖。
現(xiàn)有的半透過型液晶顯示裝置，如圖18所示，在具備緩沖層101a的玻璃基板101上的與反射區(qū)域160a對應的規(guī)定區(qū)域形成主動層102。在該主動層102，以夾著溝道區(qū)域102c的方式，形成源極區(qū)域102a以及漏極區(qū)域102b。此外，在溝道區(qū)域102c上，隔著柵極絕緣膜103而形成柵極電極104。另在對應于反射區(qū)域160a的柵極絕緣膜103上的規(guī)定區(qū)域，形成輔助電容線105。由主動層102的輔助電容區(qū)域102d、柵極絕緣膜103、輔助電容線105構(gòu)成輔助電容。如圖17所示，柵極電極104連接于柵極線104a。
如圖18所示，以覆蓋薄膜晶體管以及輔助電容的方式形成具有接觸孔106a以及106b的層間絕緣膜106。在層間絕緣膜106上，以透過接觸孔106a以及106b分別與源極區(qū)域102a以及漏極區(qū)域102b電連接的方式形成源極電極107與漏極電極108。此外，漏極電極108，如圖17所示，連接于漏極線108a。如圖18所示，在層間絕緣膜106上，形成剖面形狀呈凸狀的具有開口部109a與109b的平坦化膜109。此外，開口部109a，如圖17所示，以圍繞透過區(qū)域160b的方式形成，而開口部109b，則形成于與源極電極107對應的區(qū)域。上述柵極線104a的側(cè)端部104b以及輔助電容線105的側(cè)端部105a，形成于與開口部109a的側(cè)端部109c所在的區(qū)域隔著規(guī)定間隔的平坦化膜109的下方區(qū)域。
此外，如圖18所示，在與反射區(qū)域160a對應的區(qū)域，以透過開口部109b與源極電極107電連接，并沿著平坦化膜109的上面以及開口部109a的側(cè)面延伸的方式形成反射電極110。另外，在反射電極110的與透過區(qū)域160b對應的區(qū)域，形成開口部110a。在該反射電極110以及位于開口部110a的層間絕緣膜106上，形成透明電極111。透過該透明電極111與反射電極110，構(gòu)成像素電極。
此外，在與基板101對向的位置，設置基板(對向基板)112。在基板112上，形成呈紅色、綠色以及藍色等各色的彩色濾光器(colorfilter)113，并以埋入其間的方式形成黑矩陣(black matrix)114。此外，在彩色濾光器113以及黑矩陣114上，形成對向電極115。另外，在透明電極111以及對向電極115上，分別形成配向膜(未圖示)，并在兩個配向膜之間，填充液晶層116。
在上述現(xiàn)有的半透過型液晶顯示裝置中，利用光微影技術(shù)在對應于透過區(qū)域160b的區(qū)域形成開口部109a時，在使平坦化膜109曝光時，會因曝光裝置的基板安裝臺(未圖示)導致透過基板101的光產(chǎn)生亂反射的情形。在該情況下，曝光時，由于亂反射的光會照射在開口部109a的側(cè)端部109c的形成區(qū)域，故經(jīng)該亂反射的光入射的部分，會在顯像時被除去。如此一來，在開口部109a的側(cè)端部109c，如圖17所示，將形成由亂反射的光導致的凹部109d，而產(chǎn)生形成于平坦化膜109的側(cè)端部109c上的反射電極110的部分也會形成具有凹部的形狀的不良情況。如此一來，反映反射電極110的凹部的影像顯示于畫面，而導致顯示質(zhì)量降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種顯示裝置，其可抑制曝光時因亂反射的光而導致的顯示質(zhì)量降低。
本發(fā)明的第一方面的顯示裝置，一種具有反射區(qū)域與透過區(qū)域的顯示裝置，具有形成于基板上的與反射區(qū)域?qū)膮^(qū)域的凸狀絕緣膜；以及形成于凸狀絕緣膜下，且以至少延伸到凸狀絕緣膜的側(cè)端部所在的區(qū)域的方式形成的遮光膜。
本發(fā)明的第二方面的顯示裝置，一種具有基板、基板上的凸狀絕緣膜、基板上的第一電極、及第一電極上的第二電極，且在第一電極與第二電極之間夾有液晶層的顯示裝置，其中具有第一電極由透明物質(zhì)所形成，且第一電極與第二電極的距離為第一距離的透過區(qū)域；于凸狀絕緣膜上含有反射體，透過凸狀絕緣膜使第一電極與第二電極間的距離為比第一距離短的第二距離的反射區(qū)域；以及配置在基板與凸狀絕緣膜之間的遮光膜，而遮光膜至少延伸到凸狀絕緣膜的透過區(qū)域側(cè)的端部。
以上的第一以及第二方面的顯示裝置，如上述，以延伸到形成于基板上的與反射區(qū)域?qū)膮^(qū)域的凸狀絕緣膜的側(cè)端部所在區(qū)域的方式，在凸狀絕緣膜下方形成遮光膜，由此，在運用光微影技術(shù)于基板上的與反射區(qū)域?qū)膮^(qū)域中形成凸狀絕緣膜時，使感光性絕緣膜曝光時，可透過遮光膜抑制透過基板且經(jīng)由基板安裝臺亂反射的光，照射到凸狀絕緣膜的側(cè)端部的形成區(qū)域。由此，在顯像時，由于可抑制凸狀絕緣膜的側(cè)端部的一部分被除去，故可抑制凸狀絕緣膜的側(cè)端部形成亂反射的光所導致的凹部。因此，可抑制形成于凸狀絕緣膜的側(cè)端部上的反射膜的部分，形成具有亂反射的光所導致的凹部的形狀，因此，可抑制反映該反射膜的凹部的影像顯示在畫面上，而得以抑制因曝光時的亂反射的光所導致的顯示質(zhì)量的降低。


圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的半透過型液晶顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。
圖2是表示圖1所示的第一實施方式的顯示裝置的柵極線的形成區(qū)域的平面圖。
圖3是表示圖1所示的第一實施方式的顯示裝置的輔助電容線的形成區(qū)域的平面圖。
圖4是表示圖1所示的第一實施方式的顯示裝置的柵極線以及輔助電容線的形成區(qū)域的平面圖。
圖5是沿著圖1所示的第一實施方式的顯示裝置的90-90線的剖面圖。
圖6是用來說明本發(fā)明的第一實施方式的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖7是用來說明本發(fā)明的第一實施方式的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖8是用來說明本發(fā)明的第一實施方式的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖9是用來說明本發(fā)明的第一實施方式的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖10是用來說明本發(fā)明的第一實施方式的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖11是用來說明本發(fā)明的第一實施方式的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖12是用來說明本發(fā)明的第一實施方式的顯示裝置的制造工序的剖面圖。
圖13是表示第一實施方式的第一變形例的顯示裝置的構(gòu)造的剖面圖。
圖14是表示第一實施方式的第二變形例的顯示裝置的構(gòu)造的剖面圖。
圖15是表示本發(fā)明的第二實施方式的半透過型液晶顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。
圖16是表示第二實施方式的變形例的顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。
圖17是表示具有現(xiàn)有的凸狀絕緣膜(平坦化膜)的半透過型液晶顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。
圖18是沿著圖17所示的現(xiàn)有的顯示裝置的190-190線的剖面圖。
符號說明1，101玻璃基板；1a，101a緩沖層；2，102主動層；a，102a源極區(qū)域；2b，102b漏極區(qū)域；2c，102c溝道區(qū)域；3，103柵極絕緣膜；4，54，104柵極電極；4a，54a，104a柵極線；4b，5a，9c，104b，105a，109c側(cè)端部；5，55，105輔助電容線；6，106層間絕緣膜；6a，6b，106a，106b接觸孔；7，107源極電極；8，108漏極電極；8a，108a漏極線；9，109平坦化膜；9a，9b，10a，109a，109b，110a開口部；9d擴散區(qū)域；10，30，40，110反射電極；11，31，41，111 透明電極；12，112對向基板；13，113彩色濾光器；14，114黑矩陣；15，115對向電極；16，116液晶層；20光罩；20a，20b開口部；45Mo層；50黑矩陣膜；50a開口部；50b，54b，55a側(cè)端部；60a，160a反射區(qū)域；60b，160b透過區(qū)域；70黑矩陣；109d凹部。
具體實施例方式
以下，根據(jù)

本發(fā)明的實施方式。
第一實施方式參照圖1至圖5，該第一實施方式的液晶顯示裝置的1個像素內(nèi)，具有反射區(qū)域60a以及透過區(qū)域60b兩個區(qū)域。此外，反射區(qū)域60a中形成有反射電極10，而透過區(qū)域60b中則未形成有反射電極10。由此，反射區(qū)域60a可透過反射如圖5的箭頭A方向的光來顯示影像。另一方面，透過區(qū)域60b則由使如圖5的箭頭B方向的光透過來顯示影像。
如圖5所示，具備由SiNx膜以及SiO2膜構(gòu)成的緩沖層1a的玻璃基板1上的與反射區(qū)域60a對應的規(guī)定區(qū)域上，形成有具有約30nm至約50nm的厚度的非單結(jié)晶硅或非晶硅構(gòu)成的主動層2。此外，玻璃基板1為本發(fā)明的“基板”的一例。另外，主動層2中以夾著溝道區(qū)域2c而形成源極區(qū)域2a以及漏極區(qū)域2b。此外，在溝道區(qū)域2c上，透過具有約80nm～約150nm的厚度，由SiNx膜和SiO2膜的疊層膜構(gòu)成的柵極絕緣膜3，形成有具有約200nm～約250nm厚的鉬(Mo)層構(gòu)成的柵極電極4。如此，由源極區(qū)域2a、漏極區(qū)域2b、溝道區(qū)域2c、柵極絕緣膜3以與柵極電極4構(gòu)成頂柵極型薄膜晶體管(TFT)。此外，如圖1所示，柵極電極4，連接于與柵極電極4同一層構(gòu)成的柵極線4a。
此外，如圖5所示，柵極絕緣膜3上的與反射區(qū)域60a對應的規(guī)定區(qū)域，形成有具有約200nm～約250nm厚的Mo層構(gòu)成的輔助電容線5。另外，透過主動層2的輔助電容區(qū)域2d、柵極絕緣膜3以及輔助電容線5構(gòu)成輔助電容。
此外，如圖5所示，形成具有約500nm～700nm的厚度，同時由SiO2膜以及SiNx膜的疊層膜構(gòu)成的具有接觸孔6a與6b的層間絕緣膜6，以便覆蓋TFT以及輔助電容。在層間絕緣膜6上，透過接觸孔6a以及6b，而以分別與源極區(qū)域2a以及漏極區(qū)域2b電連接的方式形成源極電極7與漏極電極8。該源極電極7以及漏極電極8，分別由從下層往上層，由鉬(Mo)層和鋁(Al)層和鉬(Mo)層構(gòu)成，且具有約400nm～約800nm的厚度。此外，漏極電極8，如圖1所示，連接于漏極線8a。
此外，如圖5所示，層間絕緣膜6上形成有具有側(cè)面傾斜一定角度的開口部9a以及9b，同時由具有約2μm～約3μm的厚度的丙烯酸樹脂構(gòu)成的平坦化膜9，其剖面形狀呈凸狀。此外，如圖1所示，平坦化膜9的開口部9a，圍繞透過區(qū)域60b地形成從平面觀看時為四角形形狀。此外，開口部9b，形成于對應源極電極7的區(qū)域。此外，平坦化膜9，本發(fā)明的“絕緣膜”的一例。
在第一實施方式中，做為本發(fā)明的“遮光膜”的一例，使柵極線4a以及輔助電容線5作為遮光膜發(fā)揮功能。如圖2所示，使柵極線4a的側(cè)端部4b超越開口部9a的側(cè)端部9c中的1邊所在的區(qū)域而延伸至透過區(qū)域60b一側(cè)。此外，如圖3所示，使輔助電容線5的側(cè)端部5a越過側(cè)端部9c其余的3邊所在的區(qū)域而延伸至透過區(qū)域60b。由此形成的柵極線4a以及輔助電容線5，在后述的制造工序中，在使由丙烯酸樹脂所形成的平坦化膜9曝光時，作為抑制亂反射的光照射到平坦化膜9的開口部9a的側(cè)端部9c的形成區(qū)域的遮光膜發(fā)揮作用。此外，在該第一實施方式中，如圖4所示，為了使柵極線4a與輔助電容線5電氣上分離，位于輔助電容線5附近的柵極線4a的側(cè)端部4b的一部份形成為不超過側(cè)端部9c所在的區(qū)域。此外，在各列像素，輔助電容線5由各行像素共享。
此外，如圖5所示，在平坦化膜9上的與反射區(qū)域60a對應的區(qū)域，形成以由開口部9b與源極電極7電連接且沿著平坦化膜9的上面以及開口部9a的側(cè)面延伸地具有開口部10a的反射電極10。此外，在反射電極10與柵極線4a之間的部份區(qū)域，如圖1所示，從平面觀看時，設有規(guī)定之間隔。此外，反射電極10，由具有約80nm～約200nm厚的AlNd構(gòu)成。此外，反射電極10，為本發(fā)明的“反射膜”的一例。
另外，在反射電極10上以及位于開口部10a的層間絕緣膜6上，形成有具有約100nm～約150nm厚的IZO(Indium Zinc Oxide)構(gòu)成的透明電極11。如此，透過該透明電極11與反射電極10而構(gòu)成像素電極。此外，透明電極11，為本發(fā)明的“第一電極”的一例。
此外，在與玻璃基板1對向的位置上，設有玻璃基板12。玻璃基板12上，形成有呈現(xiàn)紅、綠以及藍等各色的彩色濾光器13。此外，玻璃基板12上的與像素間對應的區(qū)域上，形成有防止像素間的漏光的黑矩陣14。在彩色濾光器13以及黑矩陣14上形成有具有約100nm～約150nm厚的IZO構(gòu)成的對向電極15。此外，對向電極15，為本發(fā)明的“第二電極”的一例。
此外，在透明電極11以及對向電極15上，分別形成有配向膜(未圖示)，在兩個配向膜之間填充液晶層16。在此，由在平坦膜9的與透過區(qū)域60b對應的區(qū)域形成開口部9a，使反射區(qū)域60a與透過區(qū)域60b中的像素電極與對向電極間的距離相異。具體而言，反射區(qū)域60a的液晶層16的厚度，為透過區(qū)域60b的液晶層16的厚度的1/2。由此，相對于在反射區(qū)域60a中光透過液晶層16兩次，在透過區(qū)域60b中光僅透過液晶層16一次，因此，由反射區(qū)域60a的液晶層16的厚度僅為透過區(qū)域60b的液晶層16的厚度的1/2，可使反射區(qū)域60a以及透過區(qū)域60b的光程不等長。由此，可降低進行透過顯示的情況與進行反射顯示的情況之間的顯示質(zhì)量的不均。
在第一實施方式中，如上述，形成側(cè)端部4b以及側(cè)端部5a以便使其越過側(cè)端部9c所在區(qū)域而延伸至透過區(qū)域60b側(cè)，由此在進行用于形成開口部9a的曝光工序時，可透過柵極線4a以及輔助電容線5，來抑制透過玻璃基板1并經(jīng)由基板安裝臺而亂反射的光照射到側(cè)端部9c的形成區(qū)域。由此，在顯像時，可抑制側(cè)端部9c的一部分被除去的情形，故可抑制因曝光裝置中因亂反射的光而形成凹部的情形。因此，由于可抑制在側(cè)端部9c附近的反射電極10的部份形成曝光時的亂反射的光所引起的凹部，故可抑制反映該凹部的影像顯示在畫面上，而得以抑制顯示質(zhì)量降低。
此外，在第一實施方式中，柵極線4a以及輔助電容線5，形成為具有遮光膜的功能，因此無須另外追加形成遮光膜的工序，而不會使制造工序復雜化。
此外，在第一實施方式中，形成反射電極10以便沿著平坦化膜9的上面以及平坦化膜9的開口部9a的側(cè)面延伸，因此較容易擴大反射區(qū)域60a。
接著，參照圖1～圖12，說明第一實施方式的半透過型液晶顯示裝置的制造工序。
如圖6所示，在具有由SiNx膜以及SiO2膜構(gòu)成的緩沖層1a的玻璃基板1上的規(guī)定區(qū)域，形成具有約30nm～約50nm厚的非單結(jié)晶硅或非晶硅構(gòu)成的主動層2。接著，形成具有約80nm～約150nm的厚度，由SiNx膜與SiO2膜的疊層膜構(gòu)成的絕緣膜3，以便覆蓋主動層2。之后，于整面形成具有約200nm～約250nm厚的Mo層45。
接著，運用光微影技術(shù)與干蝕刻技術(shù)將Mo層45圖案化，由此，如圖7所示，形成包含柵極電極4同時具有遮光膜功能的柵極線4a(參照圖1)，以及也具有遮光膜功能的輔助電容線5。具體而言，柵極線4a的側(cè)端部4b形成為(參照圖2)越過后述的平坦化膜9的開口部9a的側(cè)端部9c中的一邊所在的區(qū)域而延伸至透過區(qū)域60b側(cè)。另外，輔助電容線5的側(cè)端部5a形成為(參照圖3)超過側(cè)端部9c的剩余3邊所在的區(qū)域而延伸至透過區(qū)域60b側(cè)。此外，如圖4所示，為了使柵極線4a與輔助電容線5電性分離，位于輔助電容線5附近的側(cè)端部4b的一部分形成為不超過側(cè)端部9c所在區(qū)域。
之后，以柵極電極4做為掩模并透過注入雜質(zhì)離子，形成源極區(qū)域2a以及漏極區(qū)域2b。該源極區(qū)域2a與漏極區(qū)域2b之間，形成溝道區(qū)域2c。
接著，如圖8所示，以覆蓋全面的方式形成具有約500nm～約700nm厚度，且由SiNx膜與SiO2膜的疊層膜構(gòu)成的層間絕緣膜6。然后，分別于層間絕緣膜6的與源極區(qū)域2a及漏極區(qū)域2b對應的區(qū)域，形成接觸孔6a以及6b。然后，形成以透過接觸孔6a以及6b而分別與源極區(qū)域2a以及漏極區(qū)域2b電連接地由從下層向上層，由Mo層、Al層以及Mo層構(gòu)成，同時具有約400nm～約800nm厚的源極電極7以及漏極電極8。此時，形成與漏極電極8同一層構(gòu)成的漏極線8a(參照圖1)。之后，以覆蓋全面的方式形成具有約2μm～約3μm厚的丙烯酸樹脂構(gòu)成的平坦化膜9。
接著，如圖9所示，將玻璃基板1設置在曝光裝置的基板安裝基臺(未圖示)上。此外，在平坦化膜9上方，與透過區(qū)域60b(參照圖1)對應的區(qū)域以及與源極區(qū)域7對應的區(qū)域上，分別地設置具有開口部20a以及20b的光罩20。接著，透過光罩20使平坦化膜9的規(guī)定部分曝光后，透過顯像，如圖10所示，在與透過區(qū)域60b對應的區(qū)域以及與源極區(qū)域7對應的區(qū)域上，分別形成開口部9a以及9b。此時，在進行曝光工序時，經(jīng)由基板安裝臺而產(chǎn)生的亂反射的光，會被柵極線4a(參照圖1)以及輔助電容線5所遮住，故可抑制平坦化膜9的開口部9a的側(cè)端部9c的形成區(qū)域受到光的照射。由此，可抑制在側(cè)端部9c形成凹部。
接著，透過在約200℃的溫度，進行約30分鐘的熱處理，而如圖11所示，在平坦化膜9的開口部9a以及9b的側(cè)面，形成規(guī)定角度的傾斜。
接著，以覆蓋全面的方式形成具有約80nm～約150nm厚的AlNd膜(未圖示)后，除去AlNd膜的規(guī)定區(qū)域。由此，如圖12所示，形成透過開口部9b而與源極電極7電連接，并沿著平坦化膜9的上面以及開口部9a的側(cè)面延伸，在與透過區(qū)域60b對應的區(qū)域具有開口部10a的反射電極10。如此一來，形成了形成有反射電極10的反射區(qū)域60a，和未形成反射電極10的透過區(qū)域60b。之后，在反射電極10上以及對應于開口部10a的層間絕緣膜6上，依序形成具有約100nm～約150nm厚的IZO構(gòu)成的透明電極11以及配向膜(未圖示)。
最后，在設成與玻璃基板1對向的玻璃基板(對向基板)12上，形成彩色濾光器13，并在玻璃基板12上的對應于像素間的區(qū)域，形成黑矩陣14。接著，在彩色濾光器13以及黑矩陣14上，依序形成具有約100nm～約150nm厚度，由IZO構(gòu)成的對向電極15，及配向膜(未圖示)。最后，透過在玻璃基板1側(cè)的配向膜與玻璃基板12側(cè)的配向膜之間填充液晶層16，而形成如圖5所示的液晶顯示裝置。
參照圖13，該第一實施方式的第一變形例的液晶顯示裝置，在上述第一實施方式的構(gòu)成中，于平坦化膜9的上面，形成微細的凹凸形狀的擴散區(qū)域9d。此外，位于與擴散區(qū)域9d對應的區(qū)域的反射電極30以及透明電極31，也形成反映擴散區(qū)域9d的微細凹凸形狀的形狀。由此，使入射于反射區(qū)域60a的光擴散，故能夠進一步提升反射顯示時的顯示質(zhì)量。
參照圖14，第一實施方式的第二變形例的液晶顯示裝置，在上述第一實施方式的構(gòu)造中，未在開口部9a的傾斜側(cè)面上形成反射電極40，而僅在平坦化膜9的上面的規(guī)定區(qū)域形成反射電極40。此外，在反射電極40上、平坦化膜9的側(cè)面上以及位于透過區(qū)域60b的層間絕緣膜6上，形成透明電極41。由于開口部9a的傾斜的側(cè)面附近的液晶分子的排列容易產(chǎn)生紊亂，因此透過僅在平坦化膜9的上面形成反射電極40，可防止入射于反射區(qū)域60a的光在開口部9a的傾斜側(cè)面反射。由此，可抑制反射光透過位于傾斜的側(cè)面的液晶層16，得以抑制對比的降低。
第二實施方式參照圖15，在本第二實施方式中，不同于上述第一實施方式，在玻璃基板(未圖示)上，或玻璃基板與緩沖層(未圖示)之間形成黑矩陣膜50。另外，在黑矩陣膜50的與透過區(qū)域60b對應的區(qū)域，以圍繞透過區(qū)域60b的方式形成由平面觀看時呈四角形狀的開口部50a。此外，該開口部50a的側(cè)端部50b，以越過平坦化膜9的開口部9a的側(cè)端部9c所在的區(qū)域而延伸到透過區(qū)域60b的方式形成。即，該黑矩陣膜50，除了具有各像素間的遮光功能外，在進行平坦化膜9的曝光工序時，也可發(fā)揮抑制亂反射的光照射側(cè)端部9c的形成區(qū)域的功能。
此外，不同于上述第一實施方式，柵極電極54的柵極線54a以及輔助電容線55無須具備遮光膜的功能，因此柵極線54a的側(cè)端部54b以及輔助電容線55的側(cè)端部55a，并未形成越過側(cè)端部9c所在的區(qū)域而延伸到透過區(qū)域60b。此外，在反射電極10以與柵極線54a之間，從平面觀看時，設有一定之間隔。此外，黑矩陣膜50由金屬等的導電體構(gòu)成時，在黑矩陣膜50與主動層2之間設置絕緣膜(未圖示)。此外，其它的構(gòu)成與上述第一實施方式相同。
在第二實施方式中，如上所述，僅以黑矩陣膜50構(gòu)成可發(fā)揮遮光膜功能的膜，由此，可以用越過平坦化膜9的開口部9a的側(cè)端部9c所在的全部區(qū)域而延伸到透過區(qū)域60b側(cè)的方式形成遮光膜(黑矩陣膜50)。因此，不同于上述第一實施方式，在側(cè)端部9c所在區(qū)域的下方，必然存在有遮光膜(黑矩陣膜50)。因此，在形成開口部9a的曝光工序中，可抑制亂反射的光照射到側(cè)端部9c的形成區(qū)域.由此，由于可進一步抑制側(cè)端部9c的其中一部分被除去，故可進一步抑制在側(cè)端部9c形成由亂反射的光所導致的凹部。因此，可進一步抑制反映反射電極10的凹部的影像顯示于畫面，而得以抑制顯示質(zhì)量降低。
此外，在第二實施方式中，由于用來在通常的各像素間進行遮光的黑矩陣膜50，也可發(fā)揮在平坦化膜9的曝光時用來抑制光的亂反射的遮光膜的功能，故無須再追加形成該遮光膜的工序。因此不會使制造工序復雜化。
此外，以上展示的實施方式的各點均為例子而已，并非限制于上述的示例。本發(fā)明的范圍，并非上述實施方式的說明，而是如權(quán)利要求范圍所示，且包含與權(quán)利要求同等的意義以及范圍內(nèi)的所有變化。
本發(fā)明，同樣可適用于使用薄膜晶體管(TFT)的主動矩陣型液晶顯示裝置以外的液晶顯示裝置。例如可列舉被動矩陣型液晶顯示裝置或分段型液晶顯示裝置等。此外也可適用于液晶顯示裝置以外的顯示裝置。
此外，遮光膜，只要至少延伸至平坦化膜的開口部的側(cè)端部即可。
另外，為使反射電極與柵極電極之間沒有間隔而可使反射電極形成為延伸至柵極線。此外，如圖16所示，為使反射電極10與柵極線54a之間沒有間隔而可使黑矩陣70以延伸至柵極線54a。由此，可抑制來自背光的光，從反射電極10與柵極線54a之間漏出。
此外，也可只在柵極線以及輔助電容線的任何一個的其中一方，構(gòu)成遮光膜。
此外，也可取代玻璃基板，而使用石英以及塑料等構(gòu)成的透明基板。另外，在基板上也可不設緩沖層。
另外，也可取代IZO，而使用ITO(Indium Tin Oxide)等透明導電體(包括所謂的半透明體)所形成的透明電極。
另外，也可在平坦化膜上，形成與開口部9a對應的凹部。
權(quán)利要求
1.一種含有反射區(qū)域與透過區(qū)域的顯示裝置，其特征在于，具有形成于基板上的與前述反射區(qū)域?qū)膮^(qū)域的凸狀絕緣膜；形成于前述凸狀絕緣膜下，且以至少延伸到前述凸狀絕緣膜的側(cè)端部所在的區(qū)域的方式形成的遮光膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，前述凸狀絕緣膜，以從平面觀看時以包圍前述透過區(qū)域的方式形成，前述遮光膜，以越過前述凸狀絕緣膜的側(cè)端部所在的區(qū)域而延伸至前述透過區(qū)域側(cè)的方式形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還具有形成于前述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對的源極/漏極區(qū)域以與柵極電極的薄膜晶體管，前述遮光膜，由構(gòu)成前述柵極電極的層的同一層所形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還具有具有輔助電容線的輔助電容，前述遮光膜，由構(gòu)成前述輔助電容的輔助電容線的層的同一層所形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還具有形成于前述凸狀絕緣膜與前述基板之間的黑矩陣膜，前述遮光膜，由與構(gòu)成前述黑矩陣膜的層同一層所形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于，還具有形成于前述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對源極/漏極區(qū)域以及連接于柵極線的柵極電極的薄膜晶體管，由構(gòu)成前述黑矩陣膜的層的同一層所形成的遮光膜，以延伸至前述柵極線的方式形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，前述凸狀絕緣膜的上面，具有微細的凹凸形狀的擴散區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，前述凸狀絕緣膜的側(cè)端部，具有傾斜的側(cè)面，該顯示裝置還具有未形成于前述凸狀絕緣膜的側(cè)面上，而形成于前述凸狀絕緣膜的上面上的反射膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，前述凸狀絕緣膜的側(cè)端部，具有傾斜的側(cè)面，還具有形成于前述絕緣膜的上面上以及側(cè)面上的反射膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還具有形成于前述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對的源極/漏極區(qū)域以與柵極電極的薄膜晶體管；以及具有輔助電容線的輔助電容，前述遮光膜，由構(gòu)成前述柵極電極的層與構(gòu)成前述輔助電容線的層構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于，構(gòu)成前述柵極電極的層與構(gòu)成前述輔助電容線的層，由同一層所形成。
12.一種顯示裝置，具有基板、前述基板上的凸狀絕緣膜、前述基板上的第一電極、以及前述第一電極上的第二電極，且在前述第一電極與前述第二電極之間夾有液晶層的顯示裝置，其特征在于前述第一電極由透明物質(zhì)所形成，前述第一電極與前述第二電極的距離為第一距離的透過區(qū)域；于前述凸狀絕緣膜上含有反射體，透過前述凸狀絕緣膜使前述第一電極與前述第二電極間的距離比前述第一距離短的第二距離的反射區(qū)域；以及配置在前述基板與前述凸狀絕緣膜之間的遮光膜，前述遮光膜至少延伸到前述凸狀絕緣膜的前述透過區(qū)域側(cè)的端部。
13.根據(jù)權(quán)利要求第12所述的顯示裝置，其特征在于，前述凸狀絕緣膜，以從平面觀看時包圍前述透過區(qū)域的方式形成，前述遮光膜，以越過前述凸狀絕緣膜的側(cè)端部所在的區(qū)域而延伸到前述透過區(qū)域側(cè)的方式形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，還具有形成于前述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對的源極/漏極區(qū)域以與柵極電極的薄膜晶體管，前述遮光膜，由與構(gòu)成前述柵極電極的層同一層所形成。
15.根據(jù)權(quán)利要12所述的顯示裝置，其特征在于，還具有含有輔助電容線的輔助電容，前述遮光膜，由構(gòu)成前述輔助電容的輔助電容線的層的同一層所形成。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，還具有形成于前述凸狀絕緣膜與前述基板之間的黑矩陣膜，前述遮光膜，由與構(gòu)成前述黑矩陣膜的層同一層所形成。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置，其特征在于，還具有形成于前述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對的源極/漏極區(qū)域以及連接于柵極線的柵極電極的薄膜晶體管，由構(gòu)成前述黑矩陣膜的層的同一層所形成的遮光膜，以延伸至前述柵極線的方式形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，前述凸狀絕緣膜的上面，具有微細的凹凸形狀的擴散區(qū)域。
19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，前述凸狀絕緣膜的側(cè)端部，具有傾斜的側(cè)面，該顯示裝置還具有未形成于前述凸狀絕緣膜的側(cè)面上，而形成于前述凸狀絕緣膜的上面上的反射膜。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，前述凸狀絕緣膜的側(cè)端部，具有傾斜的側(cè)面，還具有形成于前述絕緣膜的上面上以及側(cè)面上的反射膜。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，其特征在于，還具有形成于前述凸狀絕緣膜與前述基板之間，具有一對的源極/漏極區(qū)域以與柵極電極的薄膜晶體管；以及具有輔助電容線的輔助電容，前述遮光膜，由構(gòu)成前述柵極電極的層與構(gòu)成前述輔助電容線的層構(gòu)成。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的顯示裝置，其特征在于，構(gòu)成前述柵極電極的層與構(gòu)成前述輔助電容線的層，由同一層所形成。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的顯示裝置，其特征在于，前述反射區(qū)域的前述第二距離，實質(zhì)上為前述透過區(qū)域的前述第一距離的1/2的距離。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，可抑制曝光時因亂反射的光而導致的顯示質(zhì)量降低。該顯示裝置具有反射區(qū)域與透過區(qū)域的顯示裝置，具有形成于基板上的與反射區(qū)域?qū)膮^(qū)域的凸狀絕緣膜；以及形成于凸狀絕緣膜下，且以至少延伸到凸狀絕緣膜的側(cè)端部所在的區(qū)域的方式形成的遮光膜。
文檔編號G02F1/1368GK1534352SQ200410030920
公開日2004年10月6日 申請日期2004年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月28日
發(fā)明者小田信彥, 山田努, 宮島康志, 小川真司, 司, 志 申請人:三洋電機株式會社