專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管陣列基板(TFT array substrate)及其修補(bǔ)方法，特別是涉及一種能夠確保修補(bǔ)良率的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法。
背景技術(shù)：
針對(duì)多媒體社會(huì)的急速進(jìn)步，多半受惠于半導(dǎo)體組件或人機(jī)顯示裝置的飛躍性進(jìn)步。就顯示器而言，陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有優(yōu)異的顯示品質(zhì)與其經(jīng)濟(jì)性，一直獨(dú)占近年來(lái)的顯示器市場(chǎng)。然而，對(duì)于個(gè)人在桌上操作多數(shù)終端機(jī)/顯示器裝置的環(huán)境，或是以環(huán)保的觀點(diǎn)切入，若以節(jié)省能源的潮流加以預(yù)測(cè)，陰極射線管因空間利用以及能源消耗上仍存在很多問(wèn)題，而對(duì)于輕、薄、短、小以及低消耗功率的需求無(wú)法有效提供解決之道。因此，具有高畫(huà)質(zhì)、空間利用效率加、低消耗功率、無(wú)輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFT LCD)已逐漸成為市場(chǎng)的主流。
一般的液晶顯示器都有可能會(huì)面臨點(diǎn)瑕疵(dot defect)或是線瑕疵(line defect)等問(wèn)題。一般的點(diǎn)瑕疵通常指的是因畫(huà)素電容中的上、下電極因粒子(particle)而異常導(dǎo)通，或是因?yàn)閽呙榕渚€與資料配線交錯(cuò)處因粒子而異常導(dǎo)通所導(dǎo)致的亮點(diǎn)或是暗點(diǎn)；而一般線瑕疵通常是因?yàn)閽呙榕渚€或是資料配線斷掉所導(dǎo)致。當(dāng)液晶顯示器發(fā)生上述的點(diǎn)瑕疵或是線瑕疵時(shí)，若不進(jìn)行針對(duì)異常導(dǎo)通的部分修補(bǔ)，將使得液晶面板的制程量率大幅下降。以下將針對(duì)現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)的修補(bǔ)技術(shù)進(jìn)行說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖1所示，是現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)中以激光化學(xué)氣相沉積方式(LaserCVD)進(jìn)行修補(bǔ)的示意圖。該現(xiàn)有習(xí)知的畫(huà)素結(jié)構(gòu)100，主要是由一掃描配線102、一信號(hào)配線104、一薄膜晶體管106以及一畫(huà)素電極108所構(gòu)成。其中，該薄膜晶體管106具有一閘極106a、一通道層106b以及一源極/汲極106c，且閘極106是與掃描配線102電性連接，源極/汲極106c是與信號(hào)配線104、畫(huà)素電極108電性連接。
由于掃描配線102屬于第一金屬層M1的一部份，而信號(hào)配線104屬于第二金屬層M2的一部份，因此掃描配線102與信號(hào)配線104之間會(huì)以一第一介電層(閘極絕緣層)彼此電性隔絕，而在信號(hào)配線104上方亦會(huì)覆蓋一第二介電層(保護(hù)層)。然而，掃描配線102與信號(hào)配線104交錯(cuò)的區(qū)域上常會(huì)因介電層的品質(zhì)不良(如雜質(zhì)、微粒等污染)而發(fā)生短路的現(xiàn)象，此時(shí)便必須進(jìn)行修補(bǔ)的工作。一般常見(jiàn)的修補(bǔ)是先將短路區(qū)域兩端的信號(hào)配線104沿著虛線切斷，接著再以激光照射的方式在第二介電層中形成二修補(bǔ)開(kāi)口110，并以激光化學(xué)氣相沉積(laser CVD)的方式形成一修補(bǔ)配線112，該修補(bǔ)配線112可藉由修補(bǔ)開(kāi)口110將切斷的信號(hào)配線104再度連接起來(lái)，進(jìn)而達(dá)到修補(bǔ)的目的。
請(qǐng)參閱圖2所示，是現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)在進(jìn)行激光修補(bǔ)之后修補(bǔ)處的剖面圖。在修補(bǔ)的過(guò)程中，資料配線104在形成修補(bǔ)開(kāi)口110的同時(shí)常會(huì)被激光所損壞，由于一般的資料配線104為鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)的多層金屬結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，且鋁金屬的熔點(diǎn)較鉬金屬的熔點(diǎn)低，因此資料配線104被激光破壞后鋁金屬層會(huì)先被氣化而形成翹曲輪廓A。值得注意的是，藉由激光化學(xué)氣相沉積所形成的修補(bǔ)配線112十分容易在此翹曲輪廓A附近產(chǎn)生斷裂的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致整個(gè)激光修補(bǔ)動(dòng)作失效。
由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法仍存在有缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法的缺陷，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來(lái)謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來(lái)一直未見(jiàn)適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問(wèn)題。
有鑒于上述現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類(lèi)產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專(zhuān)業(yè)知識(shí)，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法，能改進(jìn)一般現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過(guò)不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管陣列基板，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其提供一種能夠有效確保修補(bǔ)的優(yōu)良率，以避免修補(bǔ)配線形成開(kāi)路的薄膜晶體管陣列基板，從而更加適于實(shí)用，且具有產(chǎn)業(yè)上的利用價(jià)值。
本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法存在的缺陷，而提供一種新的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其提供一種能夠有效確保修補(bǔ)良率，以避免修補(bǔ)配線形成開(kāi)路的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，從而更加適于實(shí)用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板，其包括一基板；多數(shù)個(gè)掃瞄配線，配置于該基板上；多數(shù)個(gè)資料配線，配置于該基板上，其中該些掃瞄配線與該些資料配線是區(qū)分出多數(shù)個(gè)畫(huà)素區(qū)域；多數(shù)個(gè)薄膜晶體管，每一該些薄膜晶體管是位于該些畫(huà)素區(qū)域其中之一內(nèi)，其中該些薄膜晶體管是藉由該些掃瞄配線以及該些資料配線驅(qū)動(dòng)；多數(shù)個(gè)畫(huà)素電極，每一該些畫(huà)素電極是位于該些畫(huà)素區(qū)域其中之一內(nèi)，以與對(duì)應(yīng)的該些薄膜晶體管其中之一電性連接；以及多數(shù)對(duì)修補(bǔ)墊，每一該些對(duì)修補(bǔ)墊是配置于該些掃瞄配線與該些資料配線的多數(shù)個(gè)交會(huì)處其中之一的兩側(cè)，且該些對(duì)修補(bǔ)墊是位于該些資料配線下方。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其更包括至少一修補(bǔ)配線，橫跨該些掃瞄配線中的至少一瑕疵掃瞄配線，并藉由該些對(duì)修補(bǔ)墊中的至少一對(duì)待熔接修補(bǔ)墊來(lái)修補(bǔ)該些資料配線中的至少一瑕疵資料配線，其中該瑕疵資料配線包括位于該瑕疵掃瞄配線上方的一瑕疵配線以及位于該瑕疵掃瞄配線兩側(cè)的二正常配線，該些正常配線是與該對(duì)待熔接修補(bǔ)墊相熔接，并且藉由該修補(bǔ)配線相連接。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的該些資料配線包括第一金屬層/第二金屬層/第三金屬層的多層金屬結(jié)構(gòu)，且第一金屬層的熔點(diǎn)是高于第二金屬層的熔點(diǎn)。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的該些資料配線包括鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)的多層金屬結(jié)構(gòu)。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的該些對(duì)修補(bǔ)墊與該些掃瞄配線的材質(zhì)相同。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的該些對(duì)修補(bǔ)墊是完全位于該些資料配線下方。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的該些對(duì)修補(bǔ)墊是部分位于該些資料配線下方。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的該些畫(huà)素電極的材質(zhì)包括銦錫氧化物與銦鋅氧化物其中之一。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的該些薄膜晶體管包括非晶硅薄膜晶體管以及多晶硅薄膜晶體管其中之一。
前述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述的該些薄膜晶體管為底閘極型態(tài)薄膜晶體管以及頂電極型態(tài)薄膜晶體管其中之一。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對(duì)上述技術(shù)方案的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)該些資料配線中的至少一瑕疵資料配線與將該些掃瞄配線中的至少一瑕疵掃瞄配線異常導(dǎo)通時(shí)，該薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法包括以下步驟在該瑕疵掃瞄配線兩側(cè)處，將該瑕疵資料配線切斷成位于該瑕疵掃瞄配線上方的一瑕疵配線以及位于該瑕疵掃瞄配線兩側(cè)的二正常配線；將該瑕疵資料配線所對(duì)應(yīng)到的至少一對(duì)待熔接修補(bǔ)墊與該些正常配線相熔接；以及形成至少一修補(bǔ)配線，橫跨該瑕疵掃瞄配線，以將與該對(duì)待熔接修補(bǔ)墊相熔接的該些正常配線連接。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的瑕疵資料配線的切斷方式包括激光切割。
前述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其中所述的修補(bǔ)配線的形成方法包括激光化學(xué)氣相沉積。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達(dá)到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板，主要是由一基板、多個(gè)掃瞄配線、多個(gè)資料配線、多個(gè)薄膜晶體管、多個(gè)畫(huà)素電極，以及多對(duì)修補(bǔ)墊所構(gòu)成。其中，掃瞄配線以及資料配線是配置于基板上，以區(qū)分出多個(gè)畫(huà)素區(qū)域。薄膜晶體管是分別位于各畫(huà)素區(qū)域內(nèi)，并且藉由對(duì)應(yīng)的掃瞄配線以及對(duì)應(yīng)的資料配線驅(qū)動(dòng)。畫(huà)素電極是分別位于各畫(huà)素區(qū)域內(nèi)，以與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管電性連接。每一對(duì)修補(bǔ)墊是配置于掃瞄配線與資料配線的交會(huì)處的兩側(cè)，且各對(duì)修補(bǔ)墊是位于資料配線下方。
在本實(shí)施例中，薄膜晶體管陣列基板例如更包括至少一修補(bǔ)配線，該修補(bǔ)配線是橫跨掃瞄配線中的至少一瑕疵掃瞄配線，并藉由各對(duì)修補(bǔ)墊中的至少一對(duì)待熔接修補(bǔ)墊來(lái)修補(bǔ)資料配線中的至少一瑕疵資料配線。值得注意的是，該瑕疵資料配線包括位于瑕疵掃瞄配線上方的一瑕疵配線以及位于瑕疵掃瞄配線兩側(cè)的二正常配線，正常配線是與該對(duì)待熔接修補(bǔ)墊相熔接，并且藉由修補(bǔ)配線相連接。
在本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板中，資料配線例如為第一金屬層/第二金屬層/第三金屬層的多層金屬結(jié)構(gòu)，且第一金屬層的熔點(diǎn)是高于第二金屬層的熔點(diǎn)。另外，本實(shí)施例的資料配線例如為鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)的多層金屬結(jié)構(gòu)或是其它多層金屬結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板中，修補(bǔ)墊的材質(zhì)例如與掃瞄配線的材質(zhì)相同。修補(bǔ)墊例如是完全或是部分位于資料配線下方。
在本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板中，畫(huà)素電極的材質(zhì)例如為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或是其它導(dǎo)電材質(zhì)。
值得注意的是，在本實(shí)施例上述的薄膜晶體管陣列基板中，薄膜晶體管例如為底閘極型態(tài)的非晶硅薄膜晶體管、頂閘極型態(tài)的非晶硅薄膜晶體管、底閘極型態(tài)的多晶硅薄膜晶體管，或是頂閘極型態(tài)的多晶硅薄膜晶體管。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明還提出一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對(duì)上述的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)資料配線中的至少一瑕疵資料配線與將該些掃瞄配線中的至少一瑕疵掃瞄配線異常導(dǎo)通時(shí)，該薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法包括下列步驟。首先，在瑕疵掃瞄配線兩側(cè)處，將瑕疵資料配線切斷成位于瑕疵掃瞄配線上方的一瑕疵配線以及位于瑕疵掃瞄配線兩側(cè)的二正常配線。接著將瑕疵資料配線所對(duì)應(yīng)到的至少一對(duì)待熔接修補(bǔ)墊與上述的正常配線相熔接。之后，形成至少一修補(bǔ)配線，橫跨瑕疵掃瞄配線，以將與該對(duì)待熔接修補(bǔ)墊相熔接的正常配線連接。
在本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法中，瑕疵資料配線例如是藉由激光切割(laser cutting)的方式切斷。另外修補(bǔ)配線例如是藉由激光化學(xué)氣相沉積的方式形成。
經(jīng)由上述可知，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板，主要是由一基板、多個(gè)掃瞄配線、多個(gè)資料配線、多個(gè)薄膜晶體管、多個(gè)畫(huà)素電極，以及多對(duì)修補(bǔ)墊所構(gòu)成。其中，掃瞄配線以及資料配線配置于基板上以區(qū)分出多個(gè)畫(huà)素區(qū)域。薄膜晶體管分別位于各畫(huà)素區(qū)域內(nèi)，并且藉由對(duì)應(yīng)的掃瞄配線與資料配線驅(qū)動(dòng)。畫(huà)素電極分別位于各畫(huà)素區(qū)域內(nèi)，以與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管電性連接。每一對(duì)修補(bǔ)墊配置于掃瞄配線與資料配線的交會(huì)處的兩側(cè)，且各對(duì)修補(bǔ)墊是位于資料配線下方。另外，其修補(bǔ)方式是先將瑕疵資料配線與對(duì)應(yīng)的一對(duì)待熔接修補(bǔ)墊相熔接，接著再形成一修補(bǔ)配線以將瑕疵資料配線連接。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點(diǎn)由于本發(fā)明在各資料配線下方設(shè)計(jì)多對(duì)修補(bǔ)墊，并令每一對(duì)修補(bǔ)墊配置于掃瞄配線與資料配線的交會(huì)處的兩側(cè)，因此本發(fā)明在進(jìn)行修補(bǔ)的動(dòng)作時(shí)，可以先將被切斷的瑕疵資料配線(正常配線)與對(duì)應(yīng)到的一對(duì)待熔接修補(bǔ)墊相熔接，接著再形成修補(bǔ)配線，而可確實(shí)達(dá)成修補(bǔ)的目的。
本發(fā)明的正常配線與待熔接修補(bǔ)墊相熔接之后，二者熔接后的表面并不會(huì)有明顯的翹曲輪廓產(chǎn)生。因此，藉由激光化學(xué)氣相沉積所形成的修補(bǔ)配線在此修補(bǔ)處亦不易有斷裂的現(xiàn)象產(chǎn)生。
本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法并不會(huì)有現(xiàn)有技術(shù)修補(bǔ)不完全的疑慮。此外，由于修補(bǔ)墊可與薄膜晶體管中的閘極一并形成，故在制造成本上并不會(huì)造成負(fù)擔(dān)。
綜上所述，本發(fā)明特殊的薄膜晶體管陣列基板，能夠有效確保修補(bǔ)的優(yōu)良率，以避免修補(bǔ)配線形成開(kāi)路。本發(fā)明的新的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，能夠有效確保修補(bǔ)優(yōu)良率，以避免修補(bǔ)配線形成開(kāi)路。其具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，并在同類(lèi)產(chǎn)品及方法中未見(jiàn)有類(lèi)似的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及方法公開(kāi)發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、方法或功能上皆有較大改進(jìn)，在技術(shù)上有較大進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。
本發(fā)明的具體結(jié)構(gòu)及其方法由以下實(shí)施例及附圖詳細(xì)給出。


圖1是現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)中以激光化學(xué)氣相沉積方式進(jìn)行修補(bǔ)的示意圖。
圖2是現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)在進(jìn)行激光修補(bǔ)之后修補(bǔ)處的剖面圖。
圖3是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的示意圖。
圖4是圖3中的薄膜晶體管陣列基板經(jīng)過(guò)激光修補(bǔ)之后的示意圖。
圖5是圖4中的薄膜晶體管陣列基板沿著A-A’剖面線的剖面示意圖。
圖6A、圖6B及圖6C是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例不同尺寸的修補(bǔ)墊與資料配線的相對(duì)位置示意圖。
圖7是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例在正常配線是與待熔接修補(bǔ)墊相熔接之后修補(bǔ)處的剖面圖。
圖8是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例在進(jìn)行激光修補(bǔ)之后修補(bǔ)處的剖面圖。
100畫(huà)素結(jié)構(gòu) 102掃描配線104信號(hào)配線 106薄膜晶體管106a閘極 106b通道層106c源極/汲極 108畫(huà)素電極110修補(bǔ)開(kāi)口 112修補(bǔ)配線200薄膜晶體管陣列(數(shù)組)基板 210基板212畫(huà)素區(qū)域 220掃瞄配線220’瑕疵掃瞄配線 230資料配線(數(shù)據(jù)配線)230’瑕疵資料配線 232瑕疵配線232a第一金屬層232b第二金屬層232c第三金屬層234、236正常配線240薄膜晶體管 250畫(huà)素電極260修補(bǔ)墊 260’待熔接修補(bǔ)墊270閘介電層 280保護(hù)層282開(kāi)口 285熔接金屬290修補(bǔ)配線 A翹曲輪廓M1第一金屬層 M2第二金屬層
W資料配線的寬度X修補(bǔ)墊的尺寸具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法其具體結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
請(qǐng)參閱圖3所示，是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例薄膜晶體管陣列基板的示意圖。本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板200，主要是由一基板210(繪示于圖5)、多個(gè)掃瞄配線220、多個(gè)資料配線230、多個(gè)薄膜晶體管240、多個(gè)畫(huà)素電極250，以及多對(duì)修補(bǔ)墊260所構(gòu)成，其中該掃瞄配線220以及資料配線230，是配置于基板210上，以將基板210區(qū)分出多個(gè)畫(huà)素區(qū)域212。
該薄膜晶體管240，是分別位于各畫(huà)素區(qū)域212內(nèi)，并且藉由對(duì)應(yīng)的掃瞄配線220以及對(duì)應(yīng)的資料配線230驅(qū)動(dòng)。
該畫(huà)素電極250，是分別位于各畫(huà)素區(qū)域212內(nèi)，以與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管240電性連接。
該每一對(duì)修補(bǔ)墊260，是配置于掃瞄配線220與資料配線230的交會(huì)處的兩側(cè)，且各對(duì)修補(bǔ)墊260是位于資料配線230下方。此外，修補(bǔ)墊260是與薄膜晶體管240中的閘極一并形成，故各對(duì)修補(bǔ)墊260的材質(zhì)例如是與掃瞄配線的材質(zhì)相同。
本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板200中，基板210的材質(zhì)例如是為玻璃、石英、塑料，或是其它透明絕緣材質(zhì)。掃瞄配線220以及資料配線230的材質(zhì)例如為鋁、鉻、鈦、鎢、鉭、鉬，或是該等材質(zhì)所組成的多層結(jié)構(gòu)(multi-layer structure)或合金(alloy)。薄膜晶體管240例如為底閘極型態(tài)的非晶硅薄膜晶體管(bottom gate type a-Si TFT)、頂閘極型態(tài)的非晶硅薄膜晶體管(top gate type a-Si TFT)、底閘極型態(tài)的多晶硅薄膜晶體管(bottom gate type LTPS-TFT)，或是頂閘極型態(tài)的多晶硅薄膜晶體管(top gate type LTPS-TFT)，本實(shí)施例中僅以底閘極型態(tài)的非晶硅薄膜晶體管為例進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
同樣請(qǐng)參閱圖3所示，本實(shí)施例中，畫(huà)素電極250的材質(zhì)例如為銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等透明材料，或是具有光反射特性的導(dǎo)電材質(zhì)(例如金屬)。換言之，當(dāng)畫(huà)素電極250采用透明材質(zhì)時(shí)，在薄膜晶體管陣列基板200與一對(duì)向基板組立之后，便形成穿透式的液晶面板；反之，當(dāng)畫(huà)素電極250采用金屬或其它光反射材質(zhì)時(shí)，在薄膜晶體管陣列基板200與一對(duì)向基板組立之后，便形成反射式的液晶面板；另外，當(dāng)畫(huà)素電極250的部分區(qū)域采用透明材質(zhì)，而部分區(qū)域采用金屬或其它光反射材質(zhì)時(shí)，在薄膜晶體管陣列基板200與一對(duì)向基板組立之后，便形成半穿透半反射式的液晶面板。
請(qǐng)參閱圖4、圖5所示，圖4是圖3中的薄膜晶體管陣列基板經(jīng)過(guò)激光修補(bǔ)之后的示意圖，而圖5是圖4中的薄膜晶體管陣列基板沿著A-A’剖面線的剖面示意圖。
首先請(qǐng)參閱圖4所示，當(dāng)掃瞄配線220中的一條瑕疵掃瞄配線220’與資料配線230中的一條瑕疵資料配線230’在二者的交會(huì)處發(fā)生異常導(dǎo)通時(shí)，資料信號(hào)便無(wú)法正確地被寫(xiě)入瑕疵掃瞄配線220’與瑕疵資料配線230’所控制的畫(huà)素中，造成該畫(huà)素顯示異常。此時(shí)，通常需要對(duì)上述的顯示異常的畫(huà)素進(jìn)行修補(bǔ)的動(dòng)作。首先，在該瑕疵掃瞄配線220’兩側(cè)的適當(dāng)位置上，將瑕疵資料配線230’切斷成一條瑕疵配線232以及二條正常配線234、236。其中，瑕疵配線232是位于瑕疵掃瞄配線220’上方，而正常配線234與正常配線236是分別位于瑕疵掃瞄配線220’兩側(cè)。此外，上述的瑕疵資料配線230’例如是藉由激光切割的方式切斷。
接著請(qǐng)同時(shí)參閱圖4與圖5所示，在瑕疵資料配線230’被切斷成瑕疵配線232以及正常配線234、236之后，接著將瑕疵資料配線230所對(duì)應(yīng)到的一對(duì)待熔接修補(bǔ)墊260’分別與正常配線234及正常配線236相熔接。值得注意的是，上述的待熔接修補(bǔ)墊260’與正常配線234、236之間例如是藉由一激光束進(jìn)行熔接的動(dòng)作。在熔接的過(guò)程中，該激光束會(huì)先照射于正常配線234以及正常配線236上方的保護(hù)層280，以在照射位置上形成一開(kāi)口282。接著，激光束會(huì)照射于正常配線234、正常配線236、閘介電層270以及待熔接修補(bǔ)墊260’上，此時(shí)，閘介電層270會(huì)被燒穿，以使正常配線234以及正常配線236分別與對(duì)應(yīng)的待熔接修補(bǔ)墊260’相熔接。更詳細(xì)的說(shuō)，正常配線234以及正常配線236與個(gè)別對(duì)應(yīng)的待熔接修補(bǔ)墊260’之間可藉由熔接金屬285而彼此電性連接。在本實(shí)施例中，熔接金屬285是以激光束進(jìn)行熔接之后所產(chǎn)生的，其例如是分布于開(kāi)口282的至少部分側(cè)壁上。
在上述熔接步驟之后，接著形成一橫跨瑕疵掃瞄配線220’的修補(bǔ)配線290，以將與待熔接修補(bǔ)墊260’相熔接的正常配線234及正常配線236再度連接。承上所述，修補(bǔ)配線290例如是藉由激光化學(xué)氣相沉積的方式形成。
本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板200在經(jīng)過(guò)上述的修補(bǔ)步驟之后，瑕疵資料配線230’中的正常配線234及正常配線236會(huì)與部分的待熔接修補(bǔ)墊260’相熔接，并且藉由修補(bǔ)配線290彼此電性連接。此外，瑕疵資料配線230’中與瑕疵掃瞄配線220’導(dǎo)通的瑕疵配線232便不會(huì)對(duì)畫(huà)素的驅(qū)動(dòng)造成不良的影響。
接著請(qǐng)參閱圖5所示，在本實(shí)施例中，資料配線230例如為第一金屬層232/第二金屬層234/第三金屬層236的多層金屬結(jié)構(gòu)，且第一金屬層232的熔點(diǎn)是高于第二金屬層234的熔點(diǎn)。其中，第一金屬層232以及第三金屬層236例如皆為熔點(diǎn)較高的鉬金屬，而第二金屬層234例如為熔點(diǎn)較低的鋁金屬。當(dāng)資料配線230為鉬/鋁/鉬的多層金屬結(jié)構(gòu)時(shí)，若依照現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)的薄膜晶體管陣列設(shè)計(jì)與修補(bǔ)方法，將會(huì)有無(wú)法有效修補(bǔ)的疑慮，反觀本實(shí)施例，正常配線234及正常配線236是與待熔接修補(bǔ)墊260’相熔接，并且藉由修補(bǔ)配線290彼此電性連接，不會(huì)有修補(bǔ)配線112在該翹曲輪廓A(繪示于圖2)附近產(chǎn)生斷裂的現(xiàn)象，故修補(bǔ)良率可以大幅度的提升。
請(qǐng)同時(shí)參閱圖6A、圖6B以及圖6C所示，圖6A、圖6B及圖6C是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例不同尺寸的修補(bǔ)墊與資料配線的相對(duì)位置示意圖。本實(shí)施例中，修補(bǔ)墊260的尺寸X例如是小于資料配線230的寬度W(如圖6A所示)、等于資料配線230的寬度W(如圖6B所示)，或是大于資料配線230的寬度W(如圖6C所示)。此外，修補(bǔ)墊260的分布位置例如是完全位于資料配線230下方(如圖6A所示)，或是部分位于資料配線230下方(如圖6B與圖6C所示)。當(dāng)然，任何熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士在參閱本發(fā)明的上述揭示內(nèi)容后，當(dāng)可將修補(bǔ)墊260的形狀與分布位置作適當(dāng)?shù)淖兓?，惟其仍?yīng)屬于本發(fā)明的范疇。
請(qǐng)參閱圖7、圖8所示，圖7是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例在正常配線是與待熔接修補(bǔ)墊相熔接之后修補(bǔ)處的剖面圖，圖8是依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例在進(jìn)行激光修補(bǔ)之后修補(bǔ)處的剖面圖。首先請(qǐng)參閱圖7所示，正常配線是與待熔接修補(bǔ)墊相熔接之后，二者熔接后的表面并不會(huì)有明顯的翹曲輪廓產(chǎn)生。因此，藉由激光化學(xué)氣相沉積所形成的修補(bǔ)配線在此修補(bǔ)處亦不易有斷裂的現(xiàn)象產(chǎn)生。
綜上所述，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法與現(xiàn)有習(xí)知技術(shù)相比較，并不會(huì)有修補(bǔ)不完全的疑慮。此外，由于修補(bǔ)墊可與薄膜晶體管中的閘極一并形成，故在制造成本上并不會(huì)造成負(fù)擔(dān)。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但是凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其包括一基板；多數(shù)個(gè)掃瞄配線，配置于該基板上；多數(shù)個(gè)資料配線，配置于該基板上，其中該些掃瞄配線與該些資料配線是區(qū)分出多數(shù)個(gè)畫(huà)素區(qū)域；多數(shù)個(gè)薄膜晶體管，每一該些薄膜晶體管是位于該些畫(huà)素區(qū)域其中之一內(nèi)，其中該些薄膜晶體管是藉由該些掃瞄配線以及該些資料配線驅(qū)動(dòng)；多數(shù)個(gè)畫(huà)素電極，每一該些畫(huà)素電極是位于該些畫(huà)素區(qū)域其中之一內(nèi)，以與對(duì)應(yīng)的該些薄膜晶體管其中之一電性連接；以及多數(shù)對(duì)修補(bǔ)墊，每一該些對(duì)修補(bǔ)墊是配置于該些掃瞄配線與該些資料配線的多數(shù)個(gè)交會(huì)處其中之一的兩側(cè)，且該些對(duì)修補(bǔ)墊是位于該些資料配線下方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其更包括至少一修補(bǔ)配線，橫跨該些掃瞄配線中的至少一瑕疵掃瞄配線，并藉由該些對(duì)修補(bǔ)墊中的至少一對(duì)待熔接修補(bǔ)墊來(lái)修補(bǔ)該些資料配線中的至少一瑕疵資料配線，其中該瑕疵資料配線包括位于該瑕疵掃瞄配線上方的一瑕疵配線以及位于該瑕疵掃瞄配線兩側(cè)的二正常配線，該些正常配線是與該對(duì)待熔接修補(bǔ)墊相熔接，并且藉由該修補(bǔ)配線相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的該些資料配線包括第一金屬層/第二金屬層/第三金屬層的多層金屬結(jié)構(gòu)，且第一金屬層的熔點(diǎn)是高于第二金屬層的熔點(diǎn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的該些資料配線包括鉬/鋁/鉬(Mo/Al/Mo)的多層金屬結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的該些對(duì)修補(bǔ)墊與該些掃瞄配線的材質(zhì)相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的該些對(duì)修補(bǔ)墊是完全位于該些資料配線下方。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的該些對(duì)修補(bǔ)墊是部分位于該些資料配線下方。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的該些畫(huà)素電極的材質(zhì)包括銦錫氧化物與銦鋅氧化物其中之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的該些薄膜晶體管包括非晶硅薄膜晶體管以及多晶硅薄膜晶體管其中之一。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于其中所述的該些薄膜晶體管為底閘極型態(tài)薄膜晶體管以及頂電極型態(tài)薄膜晶體管其中之一。
11.一種薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，適于對(duì)權(quán)利要求1的薄膜晶體管陣列基板進(jìn)行修補(bǔ)，其特征在于當(dāng)該些資料配線中的至少一瑕疵資料配線與將該些掃瞄配線中的至少一瑕疵掃瞄配線異常導(dǎo)通時(shí)，該薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法包括以下步驟在該瑕疵掃瞄配線兩側(cè)處，將該瑕疵資料配線切斷成位于該瑕疵掃瞄配線上方的一瑕疵配線以及位于該瑕疵掃瞄配線兩側(cè)的二正常配線；將該瑕疵資料配線所對(duì)應(yīng)到的至少一對(duì)待熔接修補(bǔ)墊與該些正常配線相熔接；以及形成至少一修補(bǔ)配線，橫跨該瑕疵掃瞄配線，以將與該對(duì)待熔接修補(bǔ)墊相熔接的該些正常配線連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的瑕疵資料配線的切斷方式包括激光切割。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列基板的修補(bǔ)方法，其特征在于其中所述的修補(bǔ)配線的形成方法包括激光化學(xué)氣相沉積。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板及其修補(bǔ)方法。該薄膜晶體管陣列基板，主要是由一基板、多個(gè)掃瞄配線、多個(gè)資料配線、多個(gè)薄膜晶體管、多個(gè)畫(huà)素電極，以及多對(duì)修補(bǔ)墊所構(gòu)成。其中，掃瞄配線以及資料配線配置于基板上以區(qū)分出多個(gè)畫(huà)素區(qū)域。薄膜晶體管分別位于各畫(huà)素區(qū)域內(nèi)，并且藉由對(duì)應(yīng)的掃瞄配線與資料配線驅(qū)動(dòng)。畫(huà)素電極分別位于各畫(huà)素區(qū)域內(nèi)，以與對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管電性連接。每一對(duì)修補(bǔ)墊配置于掃瞄配線與資料配線的交會(huì)處的兩側(cè)，且各對(duì)修補(bǔ)墊是位于資料配線下方。另外，其修補(bǔ)方式是先將瑕疵資料配線與對(duì)應(yīng)的一對(duì)待熔接修補(bǔ)墊相熔接，接著再形成一修補(bǔ)配線以將瑕疵資料配線連接。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1560899SQ20041000428
公開(kāi)日2005年1月5日 申請(qǐng)日期2004年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月16日
發(fā)明者來(lái)漢中, 蘇俊豪, 陳文智 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司