專利名稱:穿透反射式液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置,特別是一種垂直配向型(VerticalAlignment,VA)的穿透反射式液晶顯示裝置。
背景技術(shù):
習(xí)知穿透反射型的液晶顯示裝置,為了制程的穩(wěn)定以及降低成本,多使用混雜扭曲向列型(Mixed Twisted Nematic,MTN)的制造方式。
請(qǐng)參閱圖1,圖1是習(xí)知MTN型的穿透反射式液晶顯示裝置10的示意圖。圖1中簡(jiǎn)單繪示了習(xí)知MTN型液晶顯示裝置的作用方式,習(xí)知MTN型液晶顯示裝置10至少包含了一上偏光片12、一上玻璃基板14、一上電極16、一液晶層18、一下電極20、一下玻璃基板22以及一下偏光片24。
習(xí)知MTN型液晶顯示裝置10的作用方式如下。當(dāng)處于電極激活的狀態(tài)(ONstate),是由上、下電極16、20對(duì)液晶層18施加一電壓。在圖1中,此電壓會(huì)造成一垂直電場(chǎng),使液晶層18中液晶分子的排列方式改變,而嘗試著排列成與電場(chǎng)相同的方向。由于圖1中的上、下偏光板12、24兩者的偏振方向相差90度,因此當(dāng)習(xí)知MTN型液晶顯示裝置10處于ON的狀態(tài)下,則光線先由下偏光板24偏振90度后,形成與上偏光板16垂直的狀態(tài),且由于此時(shí)液晶排列與電場(chǎng)方向一致,將不會(huì)改變光線的偏振態(tài),因此光線將無法通過上偏光板,而形成黑色的顯示狀態(tài)。
如果電極并未施加電壓于液晶層上(OFF state),則會(huì)造成通過的光線在上、下玻璃基板14、22中偏振90度。在圖1中的上、下偏光板的偏振方向也相差了90度,因此光線恰好可以通過上偏光片16,因此形成白色的狀態(tài)。
但是習(xí)知MTN型液晶顯示裝置有至少兩個(gè)缺點(diǎn)。首先,當(dāng)電極施加電壓時(shí),液晶分子并無法完整排列成與電場(chǎng)方向相同,因此造成無法完全顯示黑色,進(jìn)而降低了習(xí)知MTN型液晶顯示裝置的對(duì)比度(全黑與全亮?xí)r的比值)。再者,由于施加電壓于液晶分子造成轉(zhuǎn)向需一定的時(shí)間,造成整體液晶顯示裝置的反應(yīng)速度過慢。
Fujitsu于1996年提出上述問題的解決方案,稱為垂直配向型(VerticalAlignment,VA)液晶顯示裝置。在VA型的系統(tǒng)中,液晶分子在未通電壓的情況下,是通過一配向膜而排列成于上偏光板垂直,因此光線無法通過。如果施加電壓于液晶分子之上,則液晶排列方式將旋轉(zhuǎn)90度,使光線得以穿通過上下偏光板。習(xí)知VA型液晶顯示裝置可以有效改善習(xí)知MTN型液晶顯示裝置的缺點(diǎn),不僅提高了對(duì)比度,而且也增進(jìn)了反應(yīng)速度。但由于液晶分子的排列方向垂直于上偏光板,而通電時(shí)則為平行,因此習(xí)知VA型液晶顯示裝置產(chǎn)生了觀視角度的問題。舉例來說,當(dāng)使用者在顯示裝置正面看到藍(lán)色,表示電極所施加電壓僅有一半(電壓最高則顯示白色),因此液晶分子也僅旋轉(zhuǎn)一半,如果使用者往右移幾十公分,則使得液晶分子恰恰垂直于使用者,因此使用者將看到白色而非藍(lán)色。
為解決此視角問題,目前多采取多區(qū)域垂直配向(Multi-domain VerticalAlignment,MVA)型的液晶顯示裝置。請(qǐng)參閱圖2,圖2是習(xí)知VA液晶顯示裝置30與MVA液晶顯示裝置40的比較示意圖。VA液晶顯示裝置與MVA液晶顯示裝置皆包含了一組上、下玻璃基板26、28以及一組上、下電極32、34。不同的是,MVA在上、下電極層32、34上做了多個(gè)突出物(protrusions)36,以將液晶層界定出多個(gè)區(qū)域(domain),使得使用者不論于何角度觀視液晶顯示裝置時(shí),會(huì)具有相近似的顏色表現(xiàn)。
然而由于液晶顯示技術(shù)的發(fā)展,由于其輕薄短小的特性,目前液晶顯示裝置多有配置于隨身設(shè)備上,例如手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)等。因此,目前液晶顯示裝置如果僅利用背光源提供光線,由于戶外光線強(qiáng)烈,將造成顯示不夠明亮而看不清楚顯示內(nèi)容的狀況;此外,背光源亦相當(dāng)耗電,諸此種種都造成液晶顯示器在隨身設(shè)備使用上的問題。有鑒于此,目前液晶顯示裝置多采用穿透反射式,亦即除了背光源提供光線外,亦可使用周遭光源加以反射而成另一光線來源,將可有效提高液晶顯示裝置的明亮度以及強(qiáng)光下的使用效果,且背光源發(fā)光量減少,因此亦可有效節(jié)省電量。
但不論是MTN、VA或是MVA型的穿透反射式液晶顯示裝置,由于光線來源位置的關(guān)系,穿透模式部分的液晶顯示單元,光線僅需穿透一次液晶層。而反射模式部分的液晶顯示單元,其光線由于來自外界,必須先通過液晶層一次后再反射經(jīng)過液晶層第二次。因此,如果控制不當(dāng),在同一液晶顯示裝置中,穿透區(qū)域與反射區(qū)域通過的光線將有不同的效果,容易造成明亮度不均以及對(duì)比不明顯的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種穿透反射式液晶顯示裝置,用以在施加同樣電壓的情況下,可以使液晶顯示裝置達(dá)到穿透模式與反射模式具有相同的光線穿透效果,有效提高液晶顯示裝置的明亮度以及對(duì)比度。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的穿透反射式液晶顯示裝置的技術(shù)方案如下。
一種穿透反射式液晶顯示裝置,包含一第一基板以及一第二基板;其特征是多個(gè)第一透明電極層形成于該第一基板上,且面向該第二基板;至少一金屬電極層形成于該第一基板上,且面向該第二基板,且是間插于該等第一透明電極層間;一第二透明電極層,形成于該第二基板之上,且面向該第一基板;至少一間隔層,形成于該第二透明電極層之上且,位于該金屬電極層的對(duì)應(yīng)位置;以及一液晶層,形成于該等第一透明電極層和該第二透明電極層之間的一第一間隙中,以及該金屬電極層和該間隔層之間的的一第二間隙中。
所述的穿透反射式液晶顯示裝置,其特征是進(jìn)一步包含多個(gè)突起物。
所述的穿透反射式液晶顯示裝置,其特征是該液晶層于該第二透明電極層與該金屬電極層間所受到的電場(chǎng)不大于該液晶層于該第一透明電極層與該第二透明電極層之間所受到的電場(chǎng)。
所述的穿透反射式液晶顯示裝置,其特征是進(jìn)一步包含一背光源以產(chǎn)生光經(jīng)由該第一基板、該第二基板而穿透出去。
所述的穿透反射式液晶顯示裝置,其特征是在該等第一透明電極層和該金屬電極層施加一第一電壓,且在該第二透明電極層和該間隙層施加一第二電壓,對(duì)應(yīng)于該等第一透明電極層和該第二透明電極層的光線穿透率與對(duì)應(yīng)于該金屬電極層和該間隙層的光線穿透率大致相同。
本發(fā)明還提供一種穿透反射式液晶顯示裝置的制造方法,其特征是包含形成一第一基板以及一第二基板;形成多個(gè)第一透明電極層于該第一基板上且面向該第二基板;形成至少一金屬電極層于該第一基板上且面向該第二基板,且是間插于該等第一透明電極層間;形成一第二透明電極層于該第二基板之上且面向該第一基板;形成至少一間隔層于該第二透明電極層之上且位于該金屬電極層的對(duì)應(yīng)位置;以及形成一液晶層于該等第一透明電極層和該第二透明電極層之間的一第一間隙中,以及該金屬電極層和該間隔層之間的的一第二間隙中。
所述的穿透反射式液晶顯示裝置的制造方法其特征是進(jìn)一步包含下列步驟形成多個(gè)突起物于該第二透明電極層之上。
所述的穿透反射式液晶顯示裝置的制造方法其特征是液晶層于該第二透明電極層與該金屬電極層間所受到的電場(chǎng)小于該液晶層于該等第一透明電極層與該等第二透明電極層之間所受到的電場(chǎng)。
所述的穿透反射式液晶顯示裝置的制造方法其特征是進(jìn)一步包含下列步驟組裝一背光源以產(chǎn)生光經(jīng)由該第一基板、該第二基板而穿透出去。
本發(fā)明所提供的一種穿透反射式液晶顯示裝置(transflective LCD),包含一第一基板、一第二基板、多個(gè)第一透明電極層、至少一金屬電極層、一液晶層、一第二透明電極層以及至少一間隔層。
第一基板以及第二基板是作為形成各層的基礎(chǔ)。多個(gè)第一透明電極層形成于第一基板上,且面向第二基板。至少一金屬電極層形成于第一基板上,且面向第二基板,且是間插于該等第一透明電極層間。至此可概括稱的為本發(fā)明液晶顯示裝置的第一部分。
第二透明電極層,形成于第二基板之上,且面向第一基板。至少一間隔層則形成于第二透明電極層之上,且位于金屬電極層的對(duì)應(yīng)位置。至此則可概括稱的為本發(fā)明液晶顯示裝置的第二部分。第一部分與第二部分是可分開制作以減低制作時(shí)間,待兩者完成后,再加以間隔一間隙以填充液晶層。
其中該第二透明電極層與該金屬電極層間由于加入該間隔層,因此該液晶層于其間所受到的電場(chǎng)是不大于該液晶層于該等第一透明電極層與該等第二透明電極層之間所受到的電場(chǎng)。而且由于加入間隔層,因此液晶層的厚度亦較小,因此經(jīng)金屬電極反射的光線雖經(jīng)過液晶層兩次,但總光程可藉由間隔層的厚度加以控制。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于本發(fā)明由于添加了間隔層,藉由調(diào)整間隔層的厚度,同時(shí)改變反射光線通過液晶分子的總光程以及液晶分子所受的電壓,使得反射區(qū)域的光線穿透效果和穿透區(qū)域的光線穿透效果一致。進(jìn)而獲取最佳的顯示狀態(tài),彌補(bǔ)習(xí)知技術(shù)明亮度不均勻,對(duì)比度不佳的問題。
關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以藉由以下的具體實(shí)施例結(jié)合附圖的詳述得到進(jìn)一步的了解。
圖1是習(xí)知MTN型的穿透反射式液晶顯示裝置的示意圖。
圖2是習(xí)知VA液晶顯示裝置與MVA液晶顯示裝置的比較示意圖。
圖3是本發(fā)明穿透反射型液晶顯示裝置中一液晶單元的示意圖。
圖4是本發(fā)明MVA型穿透反射式液晶顯示裝置的示意圖。
圖5A是習(xí)知MTN型穿透區(qū)的電壓對(duì)穿透率曲線圖。
圖5B是習(xí)知MTN型反射區(qū)的電壓對(duì)穿透率曲線圖。
圖6A是應(yīng)用本發(fā)明后MVA型穿透區(qū)的電壓對(duì)穿透率曲線圖。
圖6B是應(yīng)用本發(fā)明后MVA型反射區(qū)的電壓對(duì)穿透率曲線圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖3,圖3是本發(fā)明穿透反射型液晶顯示裝置中一液晶單元50的示意圖。本發(fā)明的穿透反射型液晶顯示裝置的液晶單元50包含一第一基板38、一第二基板42、多個(gè)第一透明電極層44、至少一金屬電極層46、一液晶層48、一第二透明電極層52以及至少一間隔層54。
第一基板38以及第二基板42是作為形成各層的基礎(chǔ),其主要材料為透明玻璃。在圖3中,是簡(jiǎn)單以第一基板作為簡(jiǎn)略描述,如是以主動(dòng)矩陣的液晶顯示裝置為例,則該第一基板38為包含一晶體管陣列層的基板,且晶體管陣列層是面向第二基板42。此一晶體管陣列層內(nèi)含多個(gè)矩陣排列的晶體管組件,每一晶體管組件用以控制一圖素相對(duì)應(yīng)的電極。至于第二基板42上應(yīng)再包含一形成于該第二基板42上的彩色濾光片層,且面向第一基板38。彩色濾光片層為習(xí)知的技術(shù),且非本發(fā)明的重點(diǎn),在此不多加描述。
多個(gè)第一透明電極層44則形成于第一基板38上,且面向第二基板42。本具體實(shí)施例中的第一透明電極層44為圖素電極層,整體液晶顯示裝置是以條狀平行分布,因此以圖3剖面圖觀之,是一個(gè)個(gè)分開的區(qū)塊。本具體實(shí)施例中第一透明電極層44的材質(zhì)為氧化銦錫(Indium-Tin Oxide,ITO)導(dǎo)電玻璃,具有良好的光線穿透率。在其它具體實(shí)施例中,亦可利用不同的透明導(dǎo)電材料制做本發(fā)明的第一透明電極44。
在至少兩個(gè)預(yù)定的第一透明電極層44間形成至少一金屬電極層46,金屬電極層46同樣是形成于第一基板38上,且面向第二基板42,且和第一透明電極層44的排列方式相同。由于此金屬電極的材料為金屬,如鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)等良好導(dǎo)電材料。由于金屬良好的反射特性,可將由周遭入射的光線加以反射。因此,于圖3中,第一透明電極44所對(duì)應(yīng)的部分,可稱之為穿透區(qū)域,而金屬電極46所對(duì)應(yīng)的部分,則可稱之為反射區(qū)域。圖3中第一基板38、多個(gè)透明電極44以及至少一金屬電極46可概括稱為本發(fā)明液晶顯示裝置的第一部分56。在實(shí)際的應(yīng)用中,于第一基板38之外,還包含許多加強(qiáng)液晶顯示裝置顯示效果的組件,如1/4波板和偏光板。但由于該等組件非本發(fā)明的重點(diǎn),因此不在此贅述。
第二透明電極層52,是形成于第二基板42之上且面向第一基板38。本具體實(shí)施例中的第二透明電極層52為共享電極層,在整體液晶顯示裝置中,是以層狀分布,因此以圖3剖面圖觀之,是一個(gè)完整區(qū)塊。本具體實(shí)施例中第二透明電極層52的材質(zhì)亦為ITO導(dǎo)電玻璃,具有良好的光線穿透率。在其它具體實(shí)施例中,亦可利用不同的透明導(dǎo)電材料制做本發(fā)明的第二透明電極52。
至少一間隔層54形成于第二透明電極層52之上。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中,其數(shù)量、位置與面積皆相對(duì)應(yīng)于金屬電極層46的位置、數(shù)量與面積。然而在其它具體實(shí)施例中,間隔層54的位置、數(shù)量以及面積可隨著使用者的設(shè)計(jì)而可與金屬電極46有所不同,但位置雖可移動(dòng)但仍必須對(duì)應(yīng)金屬電極46,以達(dá)到控制反射光線總光程以及降低施加電場(chǎng)的效果。其中,間隔層54的高度h可設(shè)計(jì)約1μm,在第一透明電極44與第二透明電極52間的液晶層厚度d1約為4μm,在間隔層54與金屬電極46間的液晶層厚度d2約為3μm,至于間隔層的寬度w則可設(shè)計(jì)約為30μm。間隔層54的材料亦為透明且容易導(dǎo)電的材質(zhì),以達(dá)到穿透光線以及傳輸?shù)诙该麟姌O52所施加的電壓的功效。本發(fā)明的第二基板42、第二透明電極層52以及間隔層54則可概括稱為本發(fā)明液晶顯示裝置的第二部分58。在實(shí)際的應(yīng)用中,于第二基板42之外,還包含許多加強(qiáng)液晶顯示裝置顯示效果的組件,如1/4波板和偏光板(對(duì)稱于第一部分)。但由于該等組件非本發(fā)明的重點(diǎn),因此并不在此贅述。
為了節(jié)省制作時(shí)間,第一部分56與第二部分58是可分開同時(shí)制作。當(dāng)制作完成后,再合并組裝并間隔一間隙以填充液晶層48。換句話說,液晶分子是填充在第一透明電極層44和第二透明電極層52之間以及金屬電極層46和間隔層54之間所分隔成的一間隙中。
第二透明電極層52與金屬電極層46間(即前述的反射區(qū))由于加入間隔層54,因此當(dāng)電極開始施加電壓時(shí),反射區(qū)的液晶分子所受到的電場(chǎng)是不大于液晶分子于第一透明電極層44與第二透明電極層52(即前述的穿透區(qū))之間所受到的電場(chǎng)。而且可藉由調(diào)控間隔層54的厚度,來控制反射區(qū)間光線反射兩次的總光程。使得在電極施加同一電壓的狀況下,反射區(qū)與穿透區(qū)實(shí)際上受到的電場(chǎng)不相同,且反射光線的總光程和穿透區(qū)的光線總光程拉近,兩者綜合改變的情況下使得反射區(qū)的光線穿透效果獲得提高。進(jìn)而使得反射區(qū)的光線穿透效果等同于穿透區(qū)的光線穿透效果,除去了習(xí)知技術(shù)明亮度不均勻以及對(duì)比不明顯的問題。
本發(fā)明的另一特點(diǎn),在于可應(yīng)用于習(xí)知各種型態(tài)的反射穿透式液晶顯示裝置,如MTN型、VA型以及MVA型反射穿透式液晶顯示裝置。在MTN型以及VA型的應(yīng)用上,只要配合原本穿透反射式液晶顯示裝置的設(shè)計(jì),在反射區(qū)的金屬電極與對(duì)面透明電極的相對(duì)位置,加入一間隔層,即可完成本發(fā)明的應(yīng)用。至于MVA型的應(yīng)用,則請(qǐng)參閱圖4,圖4是本發(fā)明MVA型穿透反射式液晶單元60的示意圖。在圖4中,由于多陣列件功用與圖3中類似,因此不再贅述,但MVA型的特點(diǎn)即在于加入了多個(gè)突起物62,這些多個(gè)突起物62在習(xí)知技術(shù)中,是形成于共享電極之上并相對(duì)應(yīng)于圖素電極位置。而在本發(fā)明的應(yīng)用中,同樣僅需將圖素電極中,屬于金屬電極的部分,其對(duì)應(yīng)的突起物轉(zhuǎn)換為本發(fā)明的間隔層,則可完成本發(fā)明的應(yīng)用。因此本發(fā)明可輕易合并于習(xí)知技術(shù)的制程當(dāng)中,在制作突出物的同時(shí),制作間隔層。并在制作透明圖素電極的同時(shí),制作金屬圖素電極。藉由稍微改善習(xí)知技術(shù)的制程,即可完成本發(fā)明,證明了本發(fā)明的實(shí)用價(jià)值。
另特別強(qiáng)調(diào)一點(diǎn),本發(fā)明僅描述于第一基板和第二基板間的液晶單元的構(gòu)造,但于完成一液晶顯示器時(shí),則必須如先前技術(shù)中所介紹,仍須加上偏光板以及發(fā)出光線的背光源等構(gòu)造,才算一液晶顯示器的完整構(gòu)造,且隨著應(yīng)用的不同,將有不同的設(shè)計(jì)。然而本發(fā)明的重點(diǎn)不在于其它附屬組件,因此著重解釋其中的液晶單元部分。
接著將以仿真的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)以驗(yàn)證本發(fā)明的實(shí)用性。請(qǐng)參閱圖5A、圖5B、圖6A以及圖6B。圖5A是習(xí)知MTN型的穿透區(qū)的電壓對(duì)穿透率曲線圖,圖5B是習(xí)知MTN型反射區(qū)的電壓對(duì)穿透率曲線圖,圖6A是應(yīng)用本發(fā)明后MVA型的穿透區(qū)的電壓對(duì)穿透率曲線圖,圖6B是應(yīng)用本發(fā)明后MVA型反射區(qū)的電壓對(duì)穿透率曲線圖。此四圖實(shí)驗(yàn)仿真是將液晶顯示裝置中的穿透區(qū)與反射區(qū)分別測(cè)量。在穿透區(qū)時(shí),根據(jù)施加不同的電壓于液晶層所獲的背光穿透率,而得相對(duì)應(yīng)顯示裝置于穿透區(qū)時(shí)的施加電壓對(duì)光線穿透率曲線。再利用相同的方法量測(cè)反射區(qū),施加不同的電壓于液晶層測(cè)量獲得的反射光線穿透率,而得該裝置于反射區(qū)時(shí)的施加電壓對(duì)光線穿透率曲線。
其中圖5A、圖5B進(jìn)行仿真時(shí)所采用的條件如下表一所示。圖5A、圖5B中的縱軸為穿透率(Transmittance),橫軸則為施加電壓(Applied Voltage)。為了方便比較穿透率是否相同,特將最高穿透率出現(xiàn)時(shí)的施加電壓以L1表示,而最高穿透率的80%出現(xiàn)時(shí)的施加電壓則以L2表示,最高穿透率的50%出現(xiàn)時(shí)的施加電壓則以L3表示,最高穿透率的30%出現(xiàn)時(shí)的施加電壓則以L4表示,最高穿透率的20%出現(xiàn)時(shí)的施加電壓則以L5表示,最高穿透率的10%出現(xiàn)時(shí)的施加電壓則以L6表示,并將各等級(jí)穿透率相對(duì)應(yīng)于反射區(qū)以及穿透區(qū)的施加電壓整理如表二。從圖5A、圖5B及表二中可以發(fā)現(xiàn),在反射區(qū)(圖5A)時(shí),L1出現(xiàn)在施加電壓0.80V時(shí),L2則出現(xiàn)在1.38V,L3出現(xiàn)在1.69V,L4出現(xiàn)在1.93V,L5出現(xiàn)在2.11V,L6出現(xiàn)在2.40V。在穿透區(qū)(圖5B)時(shí),L1出現(xiàn)在施加電壓0.80V時(shí),L2則出現(xiàn)在1.20V,L3出現(xiàn)在1.49V,L4出現(xiàn)在1.72V,L5出現(xiàn)在1.88V,L6出現(xiàn)在2.15V。
表一
表二
圖6A、圖6B進(jìn)行仿真時(shí)所采用的條件如下表三所示。圖6A、圖6B中的縱軸為穿透率(Transmittance),橫軸則為施加電壓(Applied Voltage)。和圖5的比較方法相同,特將最高穿透率出現(xiàn)時(shí)的施加電壓以L1表示,而最高穿透率的80%出現(xiàn)時(shí)的施加電壓則以L2表示,最高穿透率的50%出現(xiàn)時(shí)的施加電壓則以L3表示,最高穿透率的30%出現(xiàn)時(shí)的施加電壓則以L4表示,最高穿透率的20%出現(xiàn)時(shí)的施加電壓則以L5表示,最高穿透率的10%出現(xiàn)時(shí)的施加電壓則以L6表示。同樣的,亦將各等級(jí)穿透率相對(duì)應(yīng)于反射區(qū)以及穿透區(qū)的施加電壓整理如表四。從圖6A、圖6B及表四中可以發(fā)現(xiàn),在反射區(qū)(圖6A)時(shí),L1出現(xiàn)在施加電壓3.80V時(shí),L2則出現(xiàn)在3.06V,L3出現(xiàn)在2.73V,L4出現(xiàn)在2.54V,L5出現(xiàn)在2.44V,L6出現(xiàn)在2.29V。在穿透區(qū)(圖6B)時(shí),L1出現(xiàn)在施加電壓3.80V時(shí),L2則出現(xiàn)在3.15V,L3出現(xiàn)在2.79V,L4出現(xiàn)在2.58V,L5出現(xiàn)在2.47V,L6出現(xiàn)在2.32V。
從圖5A、圖5B以及圖6A、圖6B中可以明顯看出,圖5A、圖5B中穿透區(qū)和反射區(qū)的電壓對(duì)穿透率曲線非常不一致,尤其是L1~L6各點(diǎn)的電壓差距更大(見表二)。在圖6A、圖6B中穿透區(qū)和反射區(qū)的電壓對(duì)穿透率曲線則相當(dāng)一致,且L1~L6各點(diǎn)的電壓差距較小(見表四)。因此,由實(shí)驗(yàn)仿真數(shù)據(jù)的左證,本發(fā)明由于添加了間隔層,明顯改善了反射區(qū)域的光線穿透效果,使得其與穿透區(qū)域的光線穿透效果趨于一致。證明了本發(fā)明和習(xí)知技術(shù)相較,相對(duì)具有較佳的對(duì)比效果以及均勻的明亮表現(xiàn)。
表三
表四
藉由以上較佳具體實(shí)施例的詳述,是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神,而并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來對(duì)本發(fā)明的范疇加以限制。相反地,其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的專利范圍的范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種穿透反射式液晶顯示裝置,包含一第一基板以及一第二基板;其特征是多個(gè)第一透明電極層形成于該第一基板上,且面向該第二基板;至少一金屬電極層形成于該第一基板上,且面向該第二基板,且間插于該等第一透明電極層間;一第二透明電極層,形成于該第二基板之上,且面向該第一基板;至少一間隔層,形成于該第二透明電極層之上,且位于該金屬電極層的對(duì)應(yīng)位置;以及一液晶層,形成于該等第一透明電極層和該第二透明電極層之間的一第一間隙中,以及該金屬電極層和該間隔層之間的的一第二間隙中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穿透反射式液晶顯示裝置,其特征是進(jìn)一步包含多個(gè)突起物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的穿透反射式液晶顯示裝置,其特征是該第二透明電極層與該金屬電極層間的液晶層所受到的電場(chǎng)不大于該第一透明電極層與該第二透明電極層之間的液晶層于所受到的電場(chǎng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3述的穿透反射式液晶顯示裝置,其特征是進(jìn)一步包含一背光源,以產(chǎn)生經(jīng)由該第一基板、該第二基板而穿透出去的光。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的穿透反射式液晶顯示裝置,其特征是在該等第一透明電極層和該金屬電極層施加一第一電壓,且在該第二透明電極層和該間隙層施加一第二電壓,對(duì)應(yīng)于該等第一透明電極層和該第二透明電極層的光線穿透率與對(duì)應(yīng)于該金屬電極層和該間隙層的光線穿透率大致相同。
6.一種穿透反射式液晶顯示裝置的制造方法,其特征是包含形成一第一基板以及一第二基板;于該第一基板上,形成多個(gè)第一透明電極層,且該多個(gè)第一透明電極層面向該第二基板;于該第一基板上,形成至少一金屬電極層,且該金屬電極層面向該第二基板,且是間插于該等第一透明電極層間;于該第二基板之上,形成一第二透明電極層,且該二透明電極層面向該第一基板;形成至少一間隔層于該第二透明電極層之上且位于該金屬電極層的對(duì)應(yīng)位置;以及于該等第一透明電極層和該第二透明電極層之間的第一間隙以及該金屬電極層和該間隔層之間的第二間隙中,形成一液晶層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的穿透反射式液晶顯示裝置的制造方法其特征是進(jìn)一步包含下列步驟于該第二透明電極層之上,形成多個(gè)突起物。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的穿透反射式液晶顯示裝置的制造方法其特征是于該第二透明電極層與該金屬電極層間的液晶層所受到的電場(chǎng)小于該等第一透明電極層與該等第二透明電極層之間的液晶層所受到的電場(chǎng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的穿透反射式液晶顯示裝置的制造方法其特征是進(jìn)一步包含下列步驟組裝一背光源以產(chǎn)生光經(jīng)由該第一基板、該第二基板而穿透出去。
全文摘要
本發(fā)明提供一種穿透反射式液晶顯示裝置,是于兩電極層間,加入一間隔層,并于間隔層的相對(duì)位置以金屬材料制作一圖素電極,使該圖素電極與該間隔層間形成一反射區(qū)。由于本發(fā)明設(shè)計(jì)一間隔層于共享電極與圖素電極之間,因此使得位于該間隔層與該圖素電極間的液晶所受的電場(chǎng)不大于位于其它部分的液晶所受的電場(chǎng)。藉此,使得液晶顯示裝置不論于穿透區(qū)或反射區(qū)所產(chǎn)生的電壓對(duì)光線穿透率曲線為一致。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1560685SQ20041000426
公開日2005年1月5日 申請(qǐng)日期2004年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月16日
發(fā)明者吳仰恩 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司