專利名稱：液晶顯示器的陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器，具體而言，涉及一種通過4掩膜工藝而提供公共(on-common)型存儲(chǔ)電容器的液晶顯示器陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(LCD)設(shè)備包括之間存在間隙的兩個(gè)透明基板、注入在兩個(gè)透明基板之間的光學(xué)各向異性的液晶材料、以及用于對(duì)液晶材料施加電壓的驅(qū)動(dòng)元件。
現(xiàn)在，LCD設(shè)備用作電腦或類似產(chǎn)品的顯示裝置，其顯示面積一直在增大。采用有源矩陣型陣列結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)大型LCD設(shè)備的驅(qū)動(dòng)，該陣列結(jié)構(gòu)具有數(shù)萬個(gè)像素，數(shù)據(jù)線和選通線(gate line)經(jīng)過每個(gè)像素的周圍，作為驅(qū)動(dòng)元件的薄膜晶體管位于數(shù)據(jù)線和選通線的各個(gè)交叉點(diǎn)處。
在這種有源矩陣型LCD設(shè)備中，必須在一段時(shí)間內(nèi)維持從數(shù)據(jù)線輸入的信號(hào)電壓，直到下一個(gè)信號(hào)電壓輸入到數(shù)據(jù)線，從而保證圖像的一致。為此，與液晶單元平行地形成有存儲(chǔ)電容器。
根據(jù)如何使用電極來充電，把LCD設(shè)備中的存儲(chǔ)電容器分成公共型或者選通(on-gate)型。
選通型存儲(chǔ)電容器將第n-1條選通線的一部分用作第n個(gè)像素的存儲(chǔ)電極。它具有孔徑比(aperture ratio)較大、在常白模式(NW mode)下點(diǎn)缺陷的發(fā)生率較小、以及成品率高的優(yōu)點(diǎn)，但是它的缺點(diǎn)在于掃描信號(hào)時(shí)間長。
公共型存儲(chǔ)電容器采用額外的獨(dú)立充電電極。它具有掃描信號(hào)時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，可是它具有孔徑比降低、常白模式(NW模式)下點(diǎn)缺陷的發(fā)生率高、以及成品率低的缺點(diǎn)。
參照?qǐng)D1，現(xiàn)在對(duì)公共型存儲(chǔ)電容器進(jìn)行簡(jiǎn)單描述。
圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LCD設(shè)備陣列基板的示意圖，其上具有公共型存儲(chǔ)電容器。
參見圖1，其上具有公共型存儲(chǔ)電容器的LCD設(shè)備陣列基板具有多個(gè)選通線109、119，這些選通線與作為下基板的絕緣基板上的多條數(shù)據(jù)線110、120相交。在數(shù)據(jù)線(例如110)和選通線(例如119)的交叉點(diǎn)處形成有薄膜晶體管(TFT)，它由和數(shù)據(jù)線110位于同一電路層上的源極111和漏極112、和選通線119位于同一電路層上的柵極114、以及半導(dǎo)體層113所組成。
此外，像素電極115和漏極112相連，并且和選通線119及數(shù)據(jù)線110分開，下存儲(chǔ)電極116和選通線119平行，與像素電極115相交。
如上結(jié)構(gòu)的公共型存儲(chǔ)電容器在作為上存儲(chǔ)電極的像素電極115和下存儲(chǔ)電極116之間存儲(chǔ)電荷，下存儲(chǔ)電極116由與柵極114相同的材料制成。上述結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)電容器的電容由下面的公式確定C=ϵAd]]>這里C是電容，ε是介電常數(shù)，A是電極的面積，d是電極之間的距離。
要求存儲(chǔ)電容器的電容足夠大，以保證LCD設(shè)備所顯示圖像的一致性。
實(shí)現(xiàn)該功能的另一種方法是使電容器在像素電極下具有單獨(dú)的上存儲(chǔ)電極，并減小電極間的距離d，從而增大電容，如圖2和3所示。
圖2是示意圖，表示根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的改進(jìn)的LCD設(shè)備陣列基板，在其上具有公共型存儲(chǔ)電容器，圖3是圖2中I部分的詳細(xì)剖面圖。
參照?qǐng)D2和圖3，其上具有改進(jìn)的公共型存儲(chǔ)電容器的陣列基板的基本結(jié)構(gòu)和圖1中現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板相似，但是上存儲(chǔ)電極217的結(jié)構(gòu)有所變化。
相應(yīng)地，用相同的標(biāo)號(hào)來指示與圖1中相同的元件，隨后描述與圖1中不同的元件。
如圖2和3所示，該改進(jìn)的公共型陣列基板包括上存儲(chǔ)電極217，其和數(shù)據(jù)線110處于同一層，位于像素電極115下面，具有預(yù)定的面積，使用和數(shù)據(jù)線110相同的材料。
在覆蓋上存儲(chǔ)電極217的保護(hù)層303的一部分中存在具有通孔的通孔區(qū)305，像素電極115和上存儲(chǔ)電極217通過該通孔區(qū)305電連接。
上述結(jié)構(gòu)的公共型存儲(chǔ)電容器在上存儲(chǔ)電極217和下存儲(chǔ)電極116之間存儲(chǔ)電荷，上存儲(chǔ)電極217和數(shù)據(jù)線110的材料相同，下存儲(chǔ)電極116和柵極114的材料相同。
與圖1中公共型存儲(chǔ)電容器相比較，由于存儲(chǔ)電容器兩個(gè)電極之間的距離減小，電容增大。
這樣的公共型存儲(chǔ)電容器、薄膜晶體管、像素電極等等是通過5次光處理(photo process)形成的。這就是，制造過程中要使用5次掩膜。
然而，每次光處理涉及到復(fù)雜的工藝步驟，并且每個(gè)額外的工藝步驟都會(huì)導(dǎo)致處理失敗的增加。因此，增加光處理的數(shù)目會(huì)增加失敗的發(fā)生率，從而基板的成品率下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明致力于一種LCD設(shè)備及其制造工藝，其能夠充分地消除由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)所導(dǎo)致的一個(gè)或者更多問題本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供了一種LCD設(shè)備及其制造方法，在通過4掩膜工藝制造的LCD設(shè)備中，對(duì)公共型電容器的存儲(chǔ)部分應(yīng)用薄膜晶體管的溝道部分中使用的衍射圖案(diffraction pattern)，這樣簡(jiǎn)化了存儲(chǔ)部分的復(fù)雜圖案，減少了所使用的掩膜數(shù)量。
在下面的描述中將闡明本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)，其中的部分將通過說明書而理解，或者通過本發(fā)明的實(shí)踐而體驗(yàn)到。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了獲得本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如這里所實(shí)施和廣泛描述的，提供了一種LCD設(shè)備的陣列基板，其包括排列在該基板上的多條選通線、與選通線相交形成多個(gè)像素區(qū)域的多條數(shù)據(jù)線、位于選通線和數(shù)據(jù)線相交處的薄膜晶體管、以及位于各個(gè)像素區(qū)域中的像素電極，其中該陣列基板還可以包括存儲(chǔ)電容器，該存儲(chǔ)電容器包括位于選通線同一層上和數(shù)據(jù)線相交并和選通線平行的下存儲(chǔ)電極，以及由衍射圖案形成的、位于下存儲(chǔ)電極和像素電極之間的半導(dǎo)體層。在本發(fā)明的另一方面，提供了一種LCD設(shè)備陣列基板的制造方法，包括如下步驟利用第一掩膜，在基板上形成選通線、柵極和下存儲(chǔ)電極；在選通線、柵極和下存儲(chǔ)電極上順序地形成絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層和金屬層；利用第二個(gè)掩膜，蝕刻金屬層和雜質(zhì)半導(dǎo)體層，從而形成數(shù)據(jù)線和源/漏極，并露出下存儲(chǔ)電極上的半導(dǎo)體層；在數(shù)據(jù)線、源/漏極和露出的半導(dǎo)體層上形成保護(hù)層；利用第三個(gè)掩膜蝕刻保護(hù)層，從而在一部分漏極和露出的半導(dǎo)體層上形成接觸孔和通孔，并且在其上沉積形成透明電極；利用第四個(gè)掩膜在透明電極上形成圖案，使其通過接觸孔與漏極電連接，并且形成像素電極，從而形成與下存儲(chǔ)電極相對(duì)的上存儲(chǔ)電極。
應(yīng)當(dāng)理解的是，上述的一般性描述和下面的詳細(xì)描述都是示例性和解釋性的，用于為權(quán)利要求所限定的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


附圖幫助更好地理解本發(fā)明，顯示了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與文字說明一起解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LCD設(shè)備陣列基板的示意圖，其上具有公共型存儲(chǔ)電容器；
圖2是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的改進(jìn)后的LCD設(shè)備陣列基板的示意圖，其上具有公共型存儲(chǔ)電容器；圖3是圖2中I部分的詳細(xì)剖面圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備陣列基板的示意圖，其上具有公共型存儲(chǔ)電容器；圖5A到5F是剖面圖，分別顯示了LCD設(shè)備陣列基板沿著圖4中線II-II’和III-III’的剖面圖，用以說明根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備陣列基板的制造方法；以及圖6A和6B是圖5C中的制造方法的詳細(xì)圖解。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行詳細(xì)的說明，在附圖中示出了其實(shí)例。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的具有公共型存儲(chǔ)電容器的LCD設(shè)備陣列基板的示意圖。
如圖4所示，像素電極115直接用作存儲(chǔ)電容器的上電極，而不是使用數(shù)據(jù)金屬來作為上電極，在半導(dǎo)體層113’上形成通孔210，以減小上電極和下存儲(chǔ)電極116間的距離，使得像素電極115和半導(dǎo)體層113’相連。
如前所述，本發(fā)明的LCD設(shè)備陣列基板的各個(gè)像素區(qū)域大致包括選通線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、存儲(chǔ)電容器和像素電極。
薄膜晶體管是開關(guān)元件，用于向像素區(qū)域的像素電極115施加電場(chǎng)。薄膜晶體管的柵極114從選通線119延伸出去，源極111從數(shù)據(jù)線110延伸出去。
此外，漏極112通過接觸孔312和像素區(qū)域的像素電極115相連，一部分半導(dǎo)體層113在源極111和漏極112之間暴露出來形成了溝道113a。
也就是說，根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備陣列基板包括排列在基板上的多條選通線109、119；與選通線109、119相交并大致垂直從而限定多個(gè)像素區(qū)域的多條數(shù)據(jù)線110、120；位于選通線和數(shù)據(jù)線的交叉處作為開關(guān)元件的薄膜晶體管；以及各個(gè)像素區(qū)域上的像素電極115。此外，該LCD設(shè)備陣列基板包括存儲(chǔ)電容器，它具有和數(shù)據(jù)線相交、和選通線平行并和選通線處于同一層的下存儲(chǔ)電極116，以及由衍射圖案形成的介于下存儲(chǔ)電極116和像素電極115之間的半導(dǎo)體層113’。另外，由于本發(fā)明的LCD設(shè)備陣列基板是通過4掩膜工藝形成的，薄膜晶體管的源極111和漏極112、源極111和漏極112之間的溝道113a是通過同一掩膜處理形成的。
此外，下存儲(chǔ)電極116和像素電極115之間的半導(dǎo)體層113’是通過上述的掩膜處理形成的，并且該掩膜處理采用的是具有衍射圖案的掩膜。
半導(dǎo)體層113’位于像素區(qū)域內(nèi)，其至少和下存儲(chǔ)電極116一樣寬。
因此，根據(jù)本發(fā)明，假如通過4掩膜工藝來形成陣列基板，通過減小存儲(chǔ)電容器兩個(gè)電極之間的距離d，可以增大存儲(chǔ)電容器的電容。
圖5A到5F是LCD設(shè)備陣列基板沿著圖4中II-II’和III-III’的剖面圖，分別用于顯示根據(jù)本發(fā)明的LCD設(shè)備陣列基板的制造工藝。
II-II’是薄膜晶體管區(qū)域，III-III’是存儲(chǔ)電容器區(qū)域。
參照?qǐng)D4，對(duì)圖5A到5F所示的本發(fā)明的制造工藝進(jìn)行說明。
首先，把具有較小電阻的金屬，例如鋁或鋁合金，沉積在透明基板上，從而形成第一金屬層第一金屬層用于形成選通線等。采用電阻小的金屬(例如鋁)來作為選通線的原因在于當(dāng)使用選通線作為存儲(chǔ)電容器的電極時(shí)，選通線的時(shí)間常數(shù)(time constant)增大。因此，采用鋁來做選通線有助于減小時(shí)間常數(shù)，因?yàn)殇X的電阻小而其他金屬(例如鉭(Ta)或鉻(Cr))的電阻大。
然后，采用第一金屬層來作為第一掩膜進(jìn)行蝕刻，形成選通焊盤(gate pad)(未顯示)、選通線109、119(圖4)、柵極114和下存儲(chǔ)電極116。
柵極114從選通線延伸出來，位于像素區(qū)域的角上。下存儲(chǔ)電極116位于選通線之間的像素區(qū)域內(nèi)，如圖5A所示。
然后，如圖5B所示，在具有選通線等的基板上，依次地形成絕緣層510、半導(dǎo)體層511、雜質(zhì)半導(dǎo)體層512和第二金屬層514。絕緣層510可以是無機(jī)絕緣材料，例如氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)，也可以是有機(jī)絕緣材料，如苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯族樹脂。半導(dǎo)體層511由固有的半導(dǎo)體材料構(gòu)成，如純的無定型硅。雜質(zhì)半導(dǎo)體層512由具有N+或P+型雜質(zhì)的半導(dǎo)體材料構(gòu)成。第二金屬層514由高熔點(diǎn)的金屬構(gòu)成，例如鉬(Mo)、鉭(Ta)、鎢(Wo)或銻(Sb)。
然后，如圖5C所示，利用第二掩膜在薄膜晶體管區(qū)域(即圖5C中的II-II’區(qū)域)內(nèi)對(duì)第二金屬層514和雜質(zhì)半導(dǎo)體層512進(jìn)行構(gòu)圖，從而形成數(shù)據(jù)線110、120(圖4)和源/漏極111、112，并且在存儲(chǔ)電容器區(qū)域(即圖5C中的III-III’區(qū)域)中暴露出下存儲(chǔ)電極116上的半導(dǎo)體層113’。
源極111和漏極112彼此分離從而形成溝道113a，利用源極111和漏極112作為掩膜，去除溝道113a的雜質(zhì)半導(dǎo)體材料。這樣保留在源極111和漏極112的低處的雜質(zhì)半導(dǎo)體層512成為了歐姆接觸層。
如此，第二掩膜在特定的區(qū)域中具有衍射圖案，由于通過衍射圖案區(qū)域的光強(qiáng)度微弱，沉積在基板上用于在基板上形成源/漏極圖案的光刻膠(photoresist)的厚度在全部區(qū)域上是不同的。
圖6A和6B是圖5C所示制造工藝的詳細(xì)示意圖。
圖6A顯示了一個(gè)在溝道區(qū)和下存儲(chǔ)電極處具有衍射圖案的掩膜，根據(jù)從此通過用于曝光的光，光刻膠的厚度不同。
因此，根據(jù)本發(fā)明，光通過具有衍射圖案的掩膜612照在溝道區(qū)和下存儲(chǔ)電極上面的部分。這樣在溝道區(qū)和下存儲(chǔ)電極上面的部分保留著一層薄的光刻膠，反之，被掩膜的暗部614所遮蓋的部分沒有暴露，仍然保留著所沉積的光刻膠初始的厚度。薄的光刻膠部分稱作半遮(half-tone)部分618(H/T)。
在薄膜晶體管區(qū)域，即II-II’，在具有源/漏極111、112(圖5C)的區(qū)域中光刻膠仍然保留著，因?yàn)楣獠荒艽┩冈撎?，但是光直接照到下存?chǔ)電極116上面的區(qū)域，因此該區(qū)域的所有光刻膠都去掉了。
圖6B顯示了暴露在溝道113a和下存儲(chǔ)電極116上面的半導(dǎo)體層113。
上述的暴露是通過如下步驟實(shí)現(xiàn)的。首先，在H/T區(qū)域形成后，通過灰化處理去除H/T區(qū)域的光刻膠618，通過對(duì)所去除的H/T光刻膠區(qū)域進(jìn)行干蝕刻處理，將所去除的H/T光刻膠區(qū)域中的第二金屬層514去除(圖6A)。第二金屬層514(圖6A)去除后，進(jìn)行另一個(gè)干蝕刻處理，從而去除該區(qū)域的雜質(zhì)半導(dǎo)體層512。
這樣，沒有從II-II’區(qū)域去除的第二金屬層的剩余部分便形成了源極111和漏極112，源極111和漏極112之間形成了溝道113a。
此外，通過上面的步驟，暴露出區(qū)域III-III’內(nèi)的下存儲(chǔ)電極116上面的半導(dǎo)體層113’，并且通過去除II-II’區(qū)域中保留的光刻膠616，顯示出了圖5C所示的特征。
然后，如圖5D所示，在源/漏極111、112、溝道層113a和露出的半導(dǎo)體層113’上面形成保護(hù)層519。如圖5E所示，利用第三掩膜蝕刻保護(hù)層519，從而在一部分漏極112和露出的半導(dǎo)體層113’上面形成接觸孔312和通孔310，并在上面沉積透明電極。
最后，如圖5F所示，利用第四掩膜在透明電極上形成圖案，使其通過接觸孔312和像素電極115與漏極112電連接，從而形成與下存儲(chǔ)電極116相對(duì)應(yīng)的上存儲(chǔ)電極。
這樣，這里提供了一種LCD設(shè)備陣列基板，其上具有存儲(chǔ)電容器，它是通過上面的工藝采用4掩膜工藝的衍射圖案而形成的。
根據(jù)本發(fā)明，該LCD設(shè)備陣列基板及其制造方法的優(yōu)勢(shì)在于通過減少形成存儲(chǔ)電容器時(shí)所需要的掩膜數(shù)目而減小了處理的失敗率，并提高了生產(chǎn)率使產(chǎn)量增加。
對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，很明顯，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明的進(jìn)行多種改進(jìn)和變化。因此，如果這些改進(jìn)和變化落在所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，則本發(fā)明涵蓋這些改進(jìn)和變化。
權(quán)利要求
1.一種LCD設(shè)備的陣列基板，包括排列在基板上的多條選通線、與選通線相交從而形成多個(gè)像素區(qū)域的多條數(shù)據(jù)線；薄膜晶體管，位于選通線和數(shù)據(jù)線的交點(diǎn)處；以及像素電極，位于各個(gè)像素區(qū)域中，其中，該陣列基板還包括存儲(chǔ)電容器，其包括下存儲(chǔ)基板，其與數(shù)據(jù)線相交，與選通線平行并與選通線處于同一層；以及通過衍射圖案而形成的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層介于下存儲(chǔ)電極和像素電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD設(shè)備陣列基板，其中，像素電極通過位于半導(dǎo)體層上部區(qū)域的通孔與半導(dǎo)體層連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD設(shè)備陣列基板，其中，半導(dǎo)體層位于像素區(qū)域內(nèi)并且至少和下存儲(chǔ)電極一樣寬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LCD設(shè)備陣列基板，其中，僅有半導(dǎo)體層和選通絕緣層介于下存儲(chǔ)電極和像素電極之間。
5.一種制造LCD設(shè)備陣列基板的方法，包括利用第一掩膜在基板上形成選通線、柵極和下存儲(chǔ)電極；在選通線、柵極和下存儲(chǔ)電極上依次形成絕緣層、半導(dǎo)體層、雜質(zhì)半導(dǎo)體層和金屬層；利用第二掩膜蝕刻金屬層和雜質(zhì)半導(dǎo)體層，形成數(shù)據(jù)線和源/漏極，從而將下存儲(chǔ)電極上的半導(dǎo)體層暴露出來；在數(shù)據(jù)線、源/漏極和露出的半導(dǎo)體層上形成保護(hù)層；利用第三掩膜蝕刻保護(hù)層，從而在一部分漏極和露出的半導(dǎo)體層上形成接觸孔和通孔，并在其上沉積透明電極；以及利用第四掩膜在透明電極上形成圖案，從而通過所述接觸孔電連接所述透明電極和漏極，并且形成與下存儲(chǔ)電極相對(duì)應(yīng)的作為上存儲(chǔ)電極的像素電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造LCD設(shè)備陣列基板的方法，其中，所述下存儲(chǔ)電極上的半導(dǎo)體層的暴露是利用具有衍射圖案的掩膜進(jìn)行顯影和蝕刻處理而實(shí)現(xiàn)的。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造LCD設(shè)備陣列基板的方法，其中，通過所述露出的半導(dǎo)體層上形成的通孔而將像素電極與半導(dǎo)體層相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造LCD設(shè)備陣列基板的方法，其中所述下存儲(chǔ)電極上的半導(dǎo)體層的暴露包括利用通過具有衍射圖案的掩膜的光，去除沉積在半導(dǎo)體層上部區(qū)域上的一部分光刻膠；通過灰化處理去除所述部分去除的光刻膠；對(duì)于所去除的光刻膠區(qū)域進(jìn)行干蝕刻處理，從而去除半導(dǎo)體層上的金屬層；以及通過干蝕刻處理去除位于所去除的金屬層下面的雜質(zhì)半導(dǎo)體層。
9.一種LCD設(shè)備的陣列基板，包括位于基板上的選通線、柵極、下存儲(chǔ)電極和上存儲(chǔ)電極；絕緣層、在所述下存儲(chǔ)電極上露出的半導(dǎo)體層、作為源/漏極的雜質(zhì)半導(dǎo)體層、和位于選通線、柵極和下存儲(chǔ)電極上面作為數(shù)據(jù)線的金屬層；位于數(shù)據(jù)線、源/漏極以及露出的半導(dǎo)體層上面的保護(hù)層；位于一部分漏極和露出的半導(dǎo)體層上面具有接觸孔和通孔的保護(hù)層；以及所述保護(hù)層上的透明電極，其中，所述的選通線和數(shù)據(jù)線相交形成像素區(qū)域；并且透明電極通過接觸孔與漏極相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LCD設(shè)備陣列基板，其中，像素電極通過位于露出的半導(dǎo)體層上面的通孔與半導(dǎo)體層相連。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LCD設(shè)備陣列基板，其中，半導(dǎo)體層位于像素區(qū)域內(nèi)，并且至少和下存儲(chǔ)電極一樣寬。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的LCD設(shè)備陣列基板，其中，僅有半導(dǎo)體層和選通絕緣層介于下存儲(chǔ)電極和像素電極之間。
全文摘要
本發(fā)明公布了一種LCD設(shè)備的陣列基板，包括；排列在基板上的多條選通線、與選通線相交從而形成多個(gè)像素區(qū)域的多條數(shù)據(jù)線；位于選通線和數(shù)據(jù)線交點(diǎn)處的薄膜晶體管；以及位于各個(gè)像素區(qū)域中的像素電極，其中，該陣列基板還包括存儲(chǔ)電容器，其包括與數(shù)據(jù)線相交、與選通線平行并與選通線處于同一層的下存儲(chǔ)基板，以及通過衍射圖案而形成的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層介于下存儲(chǔ)電極和像素電極之間。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK1499275SQ200310103809
公開日2004年5月26日 申請(qǐng)日期2003年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月7日
發(fā)明者宋寅德, 秦教源 申請(qǐng)人:Lg.飛利浦Lcd有限公司