專利名稱：用于相移光刻掩模的光學(xué)接近校正的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用光刻掩模來(lái)制造諸如集成電路的物體的小尺寸圖形(features)。更具體地，本發(fā)明涉及用于集成電路和類似物體的復(fù)雜布局的相移掩模以及接近校正，其中包括但不限于光學(xué)接近校正和蝕刻接近校正。
背景技術(shù)：
相移掩模已經(jīng)被用來(lái)創(chuàng)建集成電路中的小尺寸圖形。典型地，所述圖形已經(jīng)局限于具有小的關(guān)鍵尺寸的設(shè)計(jì)圖樣的所選器件。例如，參見美國(guó)專利第5,766,806號(hào)。
雖然在集成電路中的小尺寸圖形的制造已經(jīng)帶來(lái)了改進(jìn)的速度和性能，但是期望在這樣的器件的制造中更為廣泛地應(yīng)用相移掩模。但是，相移掩模向更復(fù)雜的設(shè)計(jì)圖樣的擴(kuò)展導(dǎo)致掩模布局問(wèn)題的復(fù)雜性大大增加。例如，當(dāng)在密集的設(shè)計(jì)圖樣上安排相移窗口時(shí)，將發(fā)生相位沖突。一種相位沖突是在下述的布局中的位置，在所述布局中，兩個(gè)具有相同相位的相移窗口與要由掩模暴露的圖形接近地布置，諸如通過(guò)疊加相移窗口以實(shí)現(xiàn)在暴露圖案中的相鄰的線。如果相移窗口具有相同的相位，則它們不會(huì)導(dǎo)致創(chuàng)建期望的圖形所必須的光學(xué)干涉。因此必須防止將相位沖突的相移窗口靠近在由掩模限定的層中形成的圖形的粗心大意的布局。
另一個(gè)問(wèn)題涉及光學(xué)接近校正OPC圖形和其他接近校正圖形的有效布局。在由本發(fā)明的受讓方提供的一種稱為來(lái)自加利福尼亞的San Jose的數(shù)字技術(shù)公司的iN-Phase4.0的系統(tǒng)中，以用于門緊縮設(shè)計(jì)的OPC的模型OPC圖形為特征，并且提供了用于校正光不平衡的沿著門區(qū)域的相移圖案的OPC。
在單個(gè)集成電路的設(shè)計(jì)圖樣中，可能安排無(wú)數(shù)個(gè)圖形。用于在這樣大數(shù)量的圖形上的重復(fù)操作的數(shù)據(jù)處理資源的負(fù)擔(dān)會(huì)很大，并且在一些情況下使得所述重復(fù)操作不實(shí)用。對(duì)于其中通過(guò)相移來(lái)實(shí)現(xiàn)大量布局的電路，相移窗口和向這樣的窗口分配相移值的布局以及互補(bǔ)修整掩模圖案的布局是使用現(xiàn)有技術(shù)已不實(shí)用的一種重復(fù)操作。
因?yàn)檫@些和其他的復(fù)雜性，用于復(fù)雜設(shè)計(jì)圖樣的相移掩模技術(shù)的實(shí)現(xiàn)需要改進(jìn)設(shè)計(jì)相移掩模的方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了適合用于復(fù)雜相移掩模圖案和互補(bǔ)修整掩模圖案的技術(shù)，它們可以改善接近校正。
因此，提供了一種產(chǎn)生用于限定目標(biāo)圖案的光刻掩模的計(jì)算機(jī)可讀定義的方法。為了本說(shuō)明書的目的，相移掩模圖案和修整掩模圖案包括具有由線段組限定的邊界的形狀。相移掩模圖案包括相移窗口，修整掩模圖案包括修整形狀，它們具有由這樣的線段組限定的邊界。對(duì)于用于限定目標(biāo)圖案中的目標(biāo)圖形的特定的一對(duì)相移窗口，在所述對(duì)中的每個(gè)相移窗口可以被考慮為具有包括與所述目標(biāo)圖形相鄰的至少一個(gè)線段的邊界。同樣，例如通過(guò)包括用于清除在特定對(duì)的相移窗口之間的不需要的相變的透射區(qū)域，而限定目標(biāo)圖形的互補(bǔ)修整形狀包括可以被考慮為靠近目標(biāo)圖形的至少一個(gè)線段。按照本發(fā)明，通過(guò)調(diào)整在靠近目標(biāo)圖形的所述對(duì)中的相移窗口的邊界上的至少一個(gè)線段的位置、并且通過(guò)調(diào)整在靠近目標(biāo)圖形的互補(bǔ)修整形狀的邊界上的至少一個(gè)線段的位置來(lái)提供接近校正。
在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)在按照相移窗口的形狀選擇的分割點(diǎn)分割在所述一對(duì)相移窗口中的相移窗口的邊界來(lái)定義在所述相移窗口上的至少一個(gè)線段。例如，選擇分割點(diǎn)以使得它們?cè)趯?duì)應(yīng)于相移窗口的角的位置沿著目標(biāo)圖形的邊出現(xiàn)。另外，通過(guò)在按照修整形狀的形狀選擇的分割點(diǎn)分割修整形狀的邊界來(lái)選擇在所述修整形狀上的至少一個(gè)線段。而且，例如選擇在修整形狀上的分割點(diǎn)以使得它們?cè)趯?duì)應(yīng)于修整形狀的角的位置上沿著目標(biāo)圖形的邊出現(xiàn)。
在另一個(gè)實(shí)施例中，在前面段落中所討論的所述一對(duì)相移窗口包括一個(gè)互補(bǔ)相移窗口，通過(guò)這個(gè)相移窗口產(chǎn)生相變，導(dǎo)致形成目標(biāo)圖形的至少一部分。通過(guò)在與由相變引起的目標(biāo)圖形的邊鄰接的相移窗口的角的分割點(diǎn)分割相移窗口的邊界，來(lái)限定所述對(duì)中的相移窗口的線段。同樣，通過(guò)在與由相變引起的目標(biāo)圖形的邊鄰接的修整形狀的角的分割點(diǎn)分割該修整形狀的邊界，來(lái)限定該修整形狀的線段。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例提供了一種用于對(duì)集成電路布局的目標(biāo)圖形執(zhí)行光學(xué)接近校正的方法。在這個(gè)實(shí)施例中，使用包括第一相移窗口和第二相移窗口的全相圖案來(lái)實(shí)現(xiàn)所述布局。所述第一和第二相移窗口具有包括與目標(biāo)圖形鄰接的至少一個(gè)線段的各邊。在第一和第二相移窗口之間的相變引起要被修整的假象。例如，第一和第二相移窗口可以鄰接在目標(biāo)圖案中的相交的線段的邊，并且在將產(chǎn)生要被修整的假象的交叉點(diǎn)的內(nèi)角產(chǎn)生相變。包括至少一個(gè)鄰接目標(biāo)圖形的線段的修整形狀被用于修整該假象。按照本發(fā)明，鄰接目標(biāo)圖形的第一相移窗口的至少一個(gè)線段和修整形狀的至少一個(gè)線段被識(shí)別。通過(guò)調(diào)整所識(shí)別的第一相移窗口的至少一個(gè)線段和所識(shí)別的修整形狀的至少一個(gè)線段來(lái)執(zhí)行接近校正。所述調(diào)整包括例如最好在與限定圖形的邊界的相鄰線段正交的方向上、從限定圖形的邊界的相鄰線段偏移該相移窗口的至少一個(gè)線段和該修整形狀的至少一個(gè)線段。
本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例包括布局第一掩模圖案和第二掩模圖案，所述第一掩模圖案包括具有由在第一掩模布局中的線段限定的邊界的相移窗口，所述第二掩模圖案包括具有由在第二掩模圖案中的線段限定的邊界的修整形狀。在這個(gè)實(shí)施例中，第一和第二掩模圖案的組合用于限定一個(gè)目標(biāo)圖案，其中通過(guò)在第二掩模圖案中修整形狀的透射區(qū)域來(lái)清除在第一掩模圖案中的一對(duì)相移窗口之間的相變引起的曝光圖形的至少一部分。接著，本發(fā)明包括調(diào)整用于限定在第一掩模圖案中的一對(duì)相移窗口的邊界的線段的位置，所述在第一掩模圖案中的一對(duì)相移窗口建立要由透射區(qū)域清除的所述曝光圖形；并且調(diào)整限定在第二掩模布局中的透射區(qū)域的邊界的線段的位置，以提供對(duì)于目標(biāo)圖形的接近校正。接著，布局和調(diào)整的結(jié)果被存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中。
在另一個(gè)實(shí)施例中，這些技術(shù)被應(yīng)用到用于限定目標(biāo)圖形的內(nèi)角的相移窗口和修整形狀。在另一個(gè)實(shí)施例中，這些技術(shù)被應(yīng)用到用于限定目標(biāo)圖形的外角的相移窗口和修整形狀。
按照本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供光刻掩模的一種計(jì)算機(jī)可讀定義，它定義了在要形成的層中的圖案，包括一個(gè)目標(biāo)圖形，所述目標(biāo)圖形具有由該目標(biāo)圖形的第一、第二和第三邊的交叉點(diǎn)形成的第一和第二外角。按照本發(fā)明的這個(gè)實(shí)施例，一種方法包括布局包括相移窗口的第一掩模圖案和包括修整形狀的第二掩模圖案，其中第一和第二掩模圖案被組合用于定義目標(biāo)圖形的第一和第二外角。第一掩模圖案包括第一和第二相移窗口，它們具有相反相位和鄰接接近第一外角的目標(biāo)圖形的第一和第二邊，第一掩模圖案并且包括第三相移窗口，它具有與第一相移窗口相同的相位，并且鄰接接近第二外角的圖形的第三邊。第一相變發(fā)生在第一和第二相移窗口之間的接近第一外角的位置，引起趨向于在與遠(yuǎn)離第一外角的線上延伸的曝光圖形。第二相變發(fā)生在第二和第三相移窗口之間的接近第二外角的位置，并且引起趨向于在與遠(yuǎn)離第二外角的線上延伸的曝光圖形。第二掩模圖案包括一個(gè)修整形狀，它具有對(duì)應(yīng)于第一相變的位置的第一透射區(qū)域，用于清除由第一相變引起的曝光圖形的至少一部分，以便第一外角在產(chǎn)生的圖像中更為尖銳，所述修整形狀并且具有對(duì)應(yīng)于第二相變的位置的第二透射區(qū)域，用于清除由第二相變引起的曝光圖形的至少一部分，以便第二外角在產(chǎn)生的圖像中更為尖銳。接近校正調(diào)整被應(yīng)用到第一和第二掩模圖案的一個(gè)或兩個(gè)中。結(jié)果被存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中。
本發(fā)明的其他方面包括一個(gè)制造產(chǎn)品，它包括計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其中存儲(chǔ)了計(jì)算機(jī)可讀的指令，用于執(zhí)行上述的布局處理。而且，提供光刻掩模，其中包括一個(gè)或多個(gè)具有相移掩模圖案的掩模和如上所述布局的修整掩模圖案。而且，根據(jù)如所述布局的掩模圖案的使用提供用于制造集成電路的方法。
在本發(fā)明的各種實(shí)施例中，修整掩模圖案僅僅定義了二元形狀。在其他的實(shí)施例中，修整掩模圖案包括三色形狀、衰減的相移窗口和衰減的不透明選擇的一個(gè)或多個(gè)。
通過(guò)查看下述的附圖、詳細(xì)說(shuō)明和權(quán)利要求，可以明白本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點(diǎn)。


圖1是示出將用于后續(xù)附圖的符號(hào)的圖例。
圖2示出了在用于直線布局的相位和修整圖案上的分割和估計(jì)點(diǎn)的布置。
圖3示出了在用于內(nèi)角的相位和修整圖案上的分割和估計(jì)點(diǎn)的布置。
圖4示出了在用于外角的相位和修整圖案上的分割和估計(jì)點(diǎn)的布置。
圖5示出了在用于復(fù)雜圖案的相位和修整圖案上的分割和估計(jì)點(diǎn)的布置。
圖6是用于建立和執(zhí)行用于一個(gè)布局的光學(xué)接近校正(OPC)的處理流程圖。
圖7示出了具有通過(guò)在OPC校正之前的切割分離的移相器的角。
圖8示出了具有在OPC之前的單個(gè)、未切的移相器的角的布局。
圖9示出了具有使用在OPC之前的移相器所定義的觸點(diǎn)的布局。
圖10是圖7的未校正布局的模擬圖。
圖11是圖8的未校正布局的模擬圖。
圖12是圖9的未校正布局的模擬圖。
圖13示出了具有兩個(gè)觸點(diǎn)的布局，一個(gè)具有相位沖突，另一個(gè)去除了沖突。
圖14是圖13的未校正布局的模擬圖。
圖15示出了具有圖形的兩個(gè)拷貝的布局，其中使用不同的移相器布置來(lái)定義每一拷貝。
圖16是圖15的校正的布局的模擬圖。
圖17示出了復(fù)雜布局的一部分。
圖18示出了用于在已經(jīng)執(zhí)行OPC之后的圖17的布局的相移圖案。
圖19示出了用于圖17的布局的修整圖案。
圖20示出了使用圖18-19的相位和修整圖案對(duì)于圖17的布局的模擬的曝光。
圖21示出了復(fù)雜布局的一部分。
圖22示出了在已經(jīng)執(zhí)行OPC之后的圖21的布局的相移圖案。
圖23示出了用于圖21的布局的修整圖案。
圖24示出了使用圖22-23的相位和修整圖案對(duì)于圖21的布局的模擬曝光。
圖25示出了已經(jīng)進(jìn)一步降低了在一個(gè)區(qū)域內(nèi)的關(guān)鍵尺寸的布局的一部分。
圖26示出了在進(jìn)一步調(diào)整移相器寬度以產(chǎn)生縮小的關(guān)鍵尺寸區(qū)域之后的圖25的布局的一部分。
具體實(shí)施例方式
概述光學(xué)接近校正(OPC)涉及修改一個(gè)或多個(gè)布局，所述布局被用于產(chǎn)生材料層以校正在用于集成電路(IC)的光刻設(shè)備中的掩模的曝光的光學(xué)效果。(注意，在此使用的術(shù)語(yǔ)掩模包括術(shù)語(yǔ)光罩(reticle))。
OPC處理涉及向和從布局中的圖案(包括結(jié)構(gòu)和/或圖形)增加和去除錘頭、襯線等，以便由所產(chǎn)生的校正的布局中的圖案所做成的掩模將更準(zhǔn)確地從被完成的IC上的目標(biāo)布局產(chǎn)生所期望的原始或基準(zhǔn)圖案。使用這樣的修改進(jìn)行光刻處理的其他人為效果的接近校正也是可能的，所述其他人為效果包括例如蝕刻近似效果。
更具體而言，將考慮將OPC應(yīng)用到設(shè)計(jì)用于產(chǎn)生一個(gè)布局圖案的基本所有部分的布局。所述的技術(shù)也適用于其他類型的接近校正。首先，將更為詳細(xì)地討論被考慮的布局的類型。接著，將更詳細(xì)的考慮在這樣的布局上的OPC的分割和估計(jì)點(diǎn)的選擇。然后將參照相移布局和相位分配的布局更詳細(xì)地考慮角的OPC。最后，將考慮示例布局、修整掩模和示例曝光結(jié)果。
布局在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，使用相移掩模來(lái)限定在一個(gè)布局中的圖案的基本所有部分。用于這樣的布局的掩模有時(shí)被稱為“全相”掩模。在一個(gè)實(shí)施例中，按照在下述美國(guó)專利申請(qǐng)中所述的處理來(lái)限定布局，所述美國(guó)專利申請(qǐng)是2001年8月17日提交的序列號(hào)為09/932,239的、題目為“光刻掩模的相位沖突解決方案”、發(fā)明人為Chritophe Pierrat和Michel Cté的、轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的美國(guó)專利申請(qǐng)，在此通過(guò)引用將其并入。
在另一個(gè)實(shí)施例中，一種使用相移產(chǎn)生IC的圖案的基本部分的相移布局包括其中使用相移來(lái)定義特定層的基本所有圖形的相移布局。在另一個(gè)實(shí)施例中，一種使用相移產(chǎn)生IC的圖案的基本部分的相移布局包括使得僅僅對(duì)于二元曝光不關(guān)鍵的圖形不被相移的布局。
在其他的實(shí)施例中，相關(guān)的布局包括使用相移限定的下列至少一個(gè)布局●在布局中的一個(gè)材料層中的非存儲(chǔ)部分的百分之八十(80％)；●在一個(gè)材料層中的平面布置圖的一部分的百分之八十(80％)；●在給定區(qū)域中的單元的百分之八十(80％)；●一個(gè)材料層的百分之九十(90％)；●一個(gè)材料層的百分之九十五(95％)；●一個(gè)材料層的百分之九十九(99％)；
●一個(gè)材料層的百分之百(100％)；●在一個(gè)材料層中的芯片(如ALU)的功能單元中的百分之百(100％)；●在設(shè)計(jì)圖樣的關(guān)鍵路徑中的材料層中的圖形的百分之百(100％)；●在高于或低于某個(gè)尺寸的材料層中的圖形的百分之百(100％)，所述在高于或低于某個(gè)尺寸的材料層中的圖形為例如具有50μm＜CD＜100μm的關(guān)鍵尺寸的所有圖形；●在材料層中的所有內(nèi)容，除了由于不能解決的相位沖突而導(dǎo)致的不能相移的那些圖形之外；●除了測(cè)試結(jié)構(gòu)的在材料層中的所有內(nèi)容；和●所有非偽圖形的百分之百(100％)，所述非偽圖形為例如提供結(jié)構(gòu)支持以用于處理的圖形，和在材料層中的非電功能圖形。
在一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)使用相移定義的邊或OPC邊段的百分比來(lái)計(jì)算百分比。暫時(shí)轉(zhuǎn)向圖2，在分割點(diǎn)210和分割點(diǎn)212之間的邊被修整掩模定義，而使用相移掩模來(lái)定義圖形200的剩余邊。在其他的實(shí)施例中，通過(guò)面積來(lái)定義百分比。
本申請(qǐng)的剩余部分將考慮在滿足一個(gè)或多個(gè)上述標(biāo)準(zhǔn)的布局上的OPC。
分割和估計(jì)點(diǎn)以及OPC處理OPC處理本身可以是基于規(guī)則或基于模型的OPC處理或兩者。如果使用一個(gè)基于規(guī)則的處理，則可以按照在此所述的方法來(lái)通過(guò)查看基于模型的OPC處理的性能來(lái)構(gòu)建規(guī)則。在兩者之間的折中通常是質(zhì)量(基于模型一般產(chǎn)生更好的結(jié)果)比時(shí)間(基于規(guī)則一般更快)。
現(xiàn)在更詳細(xì)地考慮基于模型的OPC處理如下。首先，討論關(guān)于基于模型的OPC的一些術(shù)語(yǔ)和信息。接著，將考慮建立和分割直線、內(nèi)角、外角和更復(fù)雜的圖案。最后，考慮在使用相移掩模而定義的一個(gè)布局中的一個(gè)圖案的基本上所有部分的布局上的基于模型的OPC的處理流程。
基于模型的OPC術(shù)語(yǔ)基于模型的OPC涉及將用戶選擇的光刻處理的光學(xué)效果模擬為位于一個(gè)布局的圖案內(nèi)的估計(jì)點(diǎn)的給定布局。
在一個(gè)實(shí)施例中，使用由加利福尼亞的San Jose的數(shù)字技術(shù)公司生產(chǎn)的ModelGen(TM)軟件產(chǎn)生的光學(xué)模型來(lái)模型化光刻處理。ModelGen軟件說(shuō)明所使用的光學(xué)光刻系統(tǒng)的特征，其中特別包括光的波長(zhǎng)(λ)、數(shù)值孔徑(N.A.)、每個(gè)曝光的光的相干性(例如σ)、照明類型(軸外的、四極子等)等。
可以通過(guò)進(jìn)行測(cè)試曝光和測(cè)量測(cè)試圖形的關(guān)鍵尺寸(CD)來(lái)對(duì)于特定處理和光刻步進(jìn)機(jī)或掃描儀校準(zhǔn)光學(xué)模型?？梢酝ㄟ^(guò)向由加利福尼亞的San Jose的數(shù)字技術(shù)公司生產(chǎn)的ModelCal(TM)軟件提供測(cè)試手段來(lái)完成所述校準(zhǔn)。本發(fā)明的其他實(shí)施例可以支持由Avant！Corporation，F(xiàn)remont，California和Mentor Graphics Corporation，Wilsonville，Oregon的工具的軟件所產(chǎn)生的光學(xué)模型或與來(lái)自Avant！Corporation，F(xiàn)remont，California和Mentor GraphicsCorporation，Wilsonville，Oregon的工具的軟件結(jié)合使用。
與校準(zhǔn)或未校準(zhǔn)的光學(xué)模型一起，OPC參數(shù)被提供用于通過(guò)OPC處理來(lái)定位分割和估計(jì)點(diǎn)。OPC參數(shù)包括可以被給定作為諸如60nm、120nm等的段長(zhǎng)度的測(cè)量尺寸。段長(zhǎng)度描述了構(gòu)成在布局中圖案中的圖形或結(jié)構(gòu)的線段被分割和估計(jì)得相隔多遠(yuǎn)、以及多頻繁或不頻繁。OPC軟件可以允許用于不同類型的圖形的不同的段長(zhǎng)度，所述不同的圖形類型諸如外角、內(nèi)角、直線等。
在一個(gè)實(shí)施例中，使用來(lái)自數(shù)字技術(shù)公司的TROPiC(TM)軟件、iN-Phase(TM)、iN-Tandem(TM)軟件和/或Photolynx(TM)軟件來(lái)提供基于模型的OPC，下面將更充分地描述。在其他的實(shí)施例中，使用由Avant！和/或MentorGraphics提供的軟件來(lái)執(zhí)行OPC處理。
圖1是示出將用于隨后附圖的符號(hào)的圖例。圖1包括圖例110。在用于修整圖案和相移層的隨后附圖中的分割點(diǎn)將被表示為一個(gè)正方形與一個(gè)旋轉(zhuǎn)的正方形相交的八角的“Petronas塔”形狀。對(duì)于修整圖案的分割點(diǎn)將被表示為菱形。用于相移圖案的分割點(diǎn)將被表示為正方形。用于修整布局的估計(jì)點(diǎn)將被表示為X，用于相位布局的估計(jì)點(diǎn)將被表示為加號(hào)。這些符號(hào)將便于更好地理解由本發(fā)明的實(shí)施例使用的分割和估計(jì)點(diǎn)的布置。
直線分割圖2示出了在用于直線布局的相位和修整圖案上的分割和估計(jì)點(diǎn)的布置。圖2包括目標(biāo)圖形200、直線。圖形200是相移掩模和修整掩模被設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)布局的一個(gè)元素。這個(gè)圖形200表示了一個(gè)目標(biāo)，所述目標(biāo)包括由移相器202和204之間的相變形成的元素和由修整206限定的作為線端的元素。移相器202和移相器204表示在用于產(chǎn)生圖形200的相移布局上的反相的、光透射區(qū)域。相移布局將使用暗場(chǎng)掩模，并且在移相器202和移相器204之間和周圍的區(qū)域?qū)⑹欠峭干涞?不透明)，諸如鉻等。
二元修整布局包括被示出為虛線(所述虛線沿著圖形200的頂端的圖形的實(shí)線并且被其遮蓋)的修整206。二元修整布局可以是與相移掩模結(jié)合使用來(lái)限定圖形200的亮場(chǎng)掩模。修整掩模中的不透明區(qū)域保護(hù)由作為目標(biāo)圖形的一部分的相移掩模所形成的目標(biāo)布局的圖形。在修整掩模中的透射區(qū)域用于清除由相移掩模引起的不需要的曝光圖形。而且，透射區(qū)域用于細(xì)化或劃界由相移掩模引起的圖形，以便它們更接近地匹配目標(biāo)布局。例如，在修整掩模中的透射區(qū)域用于限定利用在相移掩模中的相變所形成的線的線端。
轉(zhuǎn)向相位布局的OPC。分割和估計(jì)將發(fā)生在相位布局鄰接目標(biāo)布局的地方，諸如圖形200。圖2示出了用于移相器202和移相器204的分割和估計(jì)點(diǎn)的一部分。分割和估計(jì)點(diǎn)位于沿著移相器的邊的全長(zhǎng)，其中在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述移相器鄰接圖形200；參見圖4和圖5。
轉(zhuǎn)向修整布局的OPC，修整206(覆蓋圖形200和移相器202和204的部分的不透明矩形)包括分割和估計(jì)點(diǎn)，其中修整206諸如沿著圖形206的頂端而鄰接圖形200。在這個(gè)示例中，用于沿著圖形200的頂端的修整圖案和相移圖案的分割點(diǎn)210、212和估計(jì)點(diǎn)211在與目標(biāo)圖形上的相同位置對(duì)應(yīng)的各圖案中的位置。更具體來(lái)說(shuō)，在這個(gè)示例中，分割點(diǎn)210和分割點(diǎn)212用于限定在兩個(gè)層中的OPC段。但是，更一般而言，可以根據(jù)其中修整圖案的透射圖形鄰接目標(biāo)布局并且使用分割/估計(jì)段長(zhǎng)度標(biāo)準(zhǔn)的邊段，來(lái)對(duì)于特定的布局確定分割點(diǎn)和估計(jì)點(diǎn)的布置。在這個(gè)示例中，修整206用于限定在點(diǎn)210和212之間的圖形200的一端，并且用于保護(hù)由在移相器202和204之間的相變形成的圖形200的其余部分。
總之，按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，修整圖案和相移圖案僅僅在他們鄰接原始(目標(biāo))布局的位置被分割。一旦已經(jīng)布置了分割和估計(jì)點(diǎn)，則可以執(zhí)行OPC(和其他的接近校正調(diào)整)?，F(xiàn)在考慮內(nèi)角的分割。
內(nèi)角分割圖3示出了在用于內(nèi)角的相移圖案和修整圖案上的分割和估計(jì)點(diǎn)的布置。更具體而言，圖3包括圖形300，并且示出了將用于限定圖形300的相移和修整圖案的各部分。相移圖案包括兩個(gè)移相器移相器302和移相器304。允許圖形300完全被相移限定的圖形300的相對(duì)側(cè)的移相器未被示出。在角中的修整圖案上的修整306的輪廓的一側(cè)被示出為虛線。(注意修整306通過(guò)點(diǎn)322、318、320沿著在內(nèi)角上的圖形300的邊界，并且被其遮蓋。參見例如圖19和圖23的修整圖案的形狀的全部示例)。如圖2所示，從附圖中省略了幾個(gè)分割點(diǎn)和估計(jì)點(diǎn)以著重于內(nèi)角區(qū)域；參見圖4和圖5來(lái)獲得更完整的示例。
在移相器302和移相器304之間的間隙也可以被稱為“切口”。在從布局產(chǎn)生的暗場(chǎng)相位掩模中，這個(gè)間隙在相移掩模上是非透明的。對(duì)應(yīng)的修整掩模典型包括在切口的區(qū)域中的透射區(qū)域以清除由移相器302和移相器304之間的相變引起的任何不需要的曝光。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)計(jì)在相移掩模上的切口的大小和形狀以支持容易的掩模產(chǎn)能和/或滿足設(shè)計(jì)規(guī)則檢查。在一個(gè)實(shí)施例中，所述間隙區(qū)域使用45度和90度角。在另一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)使用具有一個(gè)角外面的45度角的直線的基本正方形的凹口來(lái)形成內(nèi)角切口，從而分離兩個(gè)移相器。所述沿著切口的在移相器之間的分離被設(shè)計(jì)為遵照用于一個(gè)或多個(gè)掩模產(chǎn)能和/或設(shè)計(jì)規(guī)則檢查的任意最小間隔規(guī)則。除非另外說(shuō)明，附圖中所示的切口和角度是45度和90度。本發(fā)明的其他實(shí)施例可以支持處理具有以非曼哈頓幾何(如非45/90度角)對(duì)齊和定位的圖形的圖案；但是，這樣的實(shí)施例在切口形狀中盡可能在使用曼哈頓幾何的同時(shí)也使用移相器和切口。
圖3加重了幾個(gè)用于相移圖案的分割點(diǎn)，具體而言是示出了分割點(diǎn)310、分割點(diǎn)312、分割點(diǎn)314和分割點(diǎn)316。分割點(diǎn)314和分割點(diǎn)316已經(jīng)被定位在接近各自的移相器304和移相器302和圖形300的結(jié)合處。另外，分割點(diǎn)310和分割點(diǎn)312已經(jīng)被定位在與移相器的全寬開始的點(diǎn)(分別是310a和312a)成一直線，如從分割點(diǎn)向各移相器304和移相器302的全寬延伸的點(diǎn)劃線所示。但是，在一些實(shí)施例中，那些分割點(diǎn)僅僅與移相器的全寬的開始點(diǎn)基本成一直線。在其他的實(shí)施例中，那些分割點(diǎn)還進(jìn)入移相器的全寬部分一小部分，例如幾納米。
圖3示出了不同的修整圖案分割點(diǎn)，其中修整306接觸圖形300，例如分割點(diǎn)320和分割點(diǎn)322。因此，在這個(gè)實(shí)施例中，修整圖案分割段將從分割點(diǎn)318向分割點(diǎn)322和分割點(diǎn)320蔓延。這支持用于相位和修整圖案的不同的OPC校正。但是，如果期望的話，可以在修整圖案的OPC中使用分割點(diǎn)314和分割點(diǎn)316?，F(xiàn)在考慮對(duì)于外角的分割。
外角分割圖4示出了在用于外角的相位和修整圖案上的分割和估計(jì)點(diǎn)的布置。在此，使用移相器402和移相器404來(lái)限定圖形400。修整圖案的輪廓不明確地被示出；但是，幾個(gè)分割點(diǎn)被定位在修整圖案和圖形400的相交處。具體上，對(duì)比分割點(diǎn)406和分割點(diǎn)408。分割點(diǎn)406位于移相器404接觸圖形400的位置，而分割點(diǎn)408位于修整410接觸圖形400的位置。如上所述，這便利了用于相位和修整圖案的不同的OPC校正。也應(yīng)注意在角的另一個(gè)邊上的對(duì)應(yīng)分割點(diǎn)未被標(biāo)出。
更為接近地轉(zhuǎn)向圖形400的底部部分，其中示出了三個(gè)分割點(diǎn)分割點(diǎn)420、分割點(diǎn)422和分割點(diǎn)424。分割點(diǎn)420和分割點(diǎn)424形成對(duì)于修整圖案的沿著圖形400的OPC段。但是，因?yàn)樵谶@個(gè)示例中，所述段相對(duì)于所選擇的OPC參數(shù)太小，因此不放置任何估計(jì)點(diǎn)。分割點(diǎn)422形成用于相移圖案的OPC段，并且分割點(diǎn)422a進(jìn)一步在圖形400之上，其中移相器402和圖形400在相移圖案中鄰接。
也注意在移相器402和移相器404之間的切口與在圖3的移相器之間使用的切口具有類似的形狀和結(jié)構(gòu)。在此，45°的開口延伸到上角外并指向方端。所述切口的形狀被設(shè)計(jì)為設(shè)計(jì)規(guī)則查看器(DRC)清除和/或支持更好的掩模產(chǎn)能。
在轉(zhuǎn)向OPC處理的處理流程之前，現(xiàn)在考慮更復(fù)雜的分割。
復(fù)雜的分割圖5示出了在用于包括圖形500的復(fù)雜圖案的相位和修整圖案上的分割和估計(jì)點(diǎn)的布置。四個(gè)移相器、即移相器502、移相器504、移相器506和移相器508將被用于限定圖形500。如圖4中一樣，修整圖案530的輪廓被示出為虛線。
圖5圖解了在移相器506和移相器508的內(nèi)角切口的用于相位和修整圖案的不同分割點(diǎn)的使用。圖5包括用于修整圖案接觸原始圖形的獨(dú)立的分割點(diǎn)。具體上，圖5包括用于修整圖案的分割點(diǎn)512和分割點(diǎn)516。注意在這個(gè)示例中修整估計(jì)點(diǎn)520大致在兩個(gè)分割點(diǎn)的中間。相反，分割點(diǎn)514在移相器508和圖形500的相交處，并且是相移圖案相交點(diǎn)。為了說(shuō)明的清楚，不使用附圖標(biāo)號(hào)而示出了移相器506的對(duì)應(yīng)的分割和估計(jì)點(diǎn)。將在修整分割點(diǎn)516周圍的區(qū)域與在僅僅具有相位層的角535周圍的區(qū)域相比較。注意不存在重疊的OPC段，因?yàn)閮H僅調(diào)整相位層。
現(xiàn)在，將更詳細(xì)地考慮用于對(duì)在其中使用相移掩模來(lái)限定在布局中的圖案的基本所有部分的布局執(zhí)行OPC的處理。
處理流程圖6是用于建立和執(zhí)行用于一個(gè)布局的光學(xué)接近校正(OPC)的處理流程圖。這個(gè)處理流程可以用于建立圖2-5所示的OPC分割，然后執(zhí)行適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)接近校正。設(shè)計(jì)這個(gè)處理以用于其中使用相移掩模來(lái)限定在布局中的圖案的基本所有部分的布局上。
在步驟600開始處理，此時(shí)裝入OPC參數(shù)和要校正的布局(相移和修整圖案)。在一個(gè)實(shí)施例中，OPC參數(shù)包括關(guān)于處理的信息，諸如在這個(gè)階段提供任選校準(zhǔn)的光學(xué)模型。另外，可以提供諸如在布局中的不同類型的線段的估計(jì)和分割的頻率的設(shè)置。如上所述，在此考慮基于模型的OPC處理，如果使用基于規(guī)則的OPC，則可以適當(dāng)?shù)剡m配處理。裝入該布局可能包括裝入例如來(lái)自GDS-II流格式文件、掩模電子束曝光系統(tǒng)(MEBES)格式和/或一些其他的適當(dāng)格式的布局?jǐn)?shù)據(jù)。在一些實(shí)施例中，布局可以在執(zhí)行圖6的處理的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)器中。例如，如果一組一個(gè)或多個(gè)UNIX(R)工作站用于執(zhí)行圖6的處理，則布局可以從網(wǎng)絡(luò)附接的存儲(chǔ)器件裝入存儲(chǔ)器。
在一些實(shí)施例中，在步驟600裝入的布局是非相移布局。在這樣的實(shí)施例中，在繼續(xù)在步驟610的處理之前，可以執(zhí)行轉(zhuǎn)換處理以將輸入布局轉(zhuǎn)換為使用相移掩模限定在布局中的圖案的基本所有部分的布局?？梢园凑赵诿绹?guó)專利申請(qǐng)第09/932,239中所述的一些實(shí)施例來(lái)執(zhí)行這個(gè)轉(zhuǎn)換。在一個(gè)實(shí)施例中，可以通過(guò)來(lái)自數(shù)字技術(shù)公司的iN-Phase(TM)軟件的適當(dāng)版本來(lái)執(zhí)行向相移布局的轉(zhuǎn)換和圖6的處理。
在步驟610繼續(xù)該處理，定義分割和估計(jì)點(diǎn)。在一些實(shí)施例中，步驟610和步驟620并行執(zhí)行。在其他的實(shí)施例中，次序換為在步驟610之前執(zhí)行步驟620。在其他的實(shí)施例中，所述步驟被組合為一個(gè)單個(gè)步驟，用于限定兩個(gè)層的估計(jì)和修整點(diǎn)。
更具體而言，按照OPC參數(shù)來(lái)沿著修整圖案和相移圖案的邊段來(lái)布置分割點(diǎn)。例如，OPC參數(shù)可能指定每120nm將要分割的所有邊段。其他的實(shí)施例可能允許諸如對(duì)于角等的更大的選擇性。一旦布置了分割點(diǎn)，則估計(jì)點(diǎn)可以與在一對(duì)分割點(diǎn)之間的邊緣相關(guān)聯(lián)地布置或被布置在一對(duì)分割點(diǎn)之間的邊緣上。返回圖2，在步驟610，僅僅鄰接圖形200的修整部分是上邊，并且那個(gè)邊的長(zhǎng)度是僅僅可以布置兩個(gè)分割點(diǎn)。然后一個(gè)估計(jì)點(diǎn)被定位在那些分割點(diǎn)之間。應(yīng)注意的是，估計(jì)點(diǎn)不需要被直接地布置在邊段上，可以使用多個(gè)估計(jì)點(diǎn)來(lái)用于給定的段。
在任何一種情況下，在步驟630，可以執(zhí)行光學(xué)接近校正。在一個(gè)實(shí)施例中，使用基于模型的OPC處理。在另一個(gè)實(shí)施例中，使用基于規(guī)則的OPC處理。在另一個(gè)實(shí)施例中，使用橋接(hybrid)或混合模式的OPC處理。在一個(gè)實(shí)施例中，在步驟630向該布局應(yīng)用下述美國(guó)專利申請(qǐng)的混合模式OPC處理被轉(zhuǎn)讓給本申請(qǐng)的受讓方的、2000年2月28日提交的、題目為“用于混合模式光學(xué)接近校正的方法和裝置”的申請(qǐng)?zhí)枮?9/514,551號(hào)的美國(guó)專利申請(qǐng)。
在步驟640，結(jié)果是可以被輸出到例如屏幕、盤、網(wǎng)絡(luò)附接的存儲(chǔ)器、因特網(wǎng)等的被校正的布局。輸出的布局可能甚至被直接地發(fā)送到掩模制造機(jī)，諸如被以GDS-II流格式輸入和以MEBES輸出以用于掩模制造。在本發(fā)明的一些實(shí)施例中可以使用其他的格式，包括由諸如Hitachi、Toshiba、Jeol、Leica等公司使用的專用格式。
在一個(gè)實(shí)施例中，布局的基于示例(IB)的表示被用于執(zhí)行圖6的處理。在被轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓方的、發(fā)明人是Chin-Hsen(Michael)Lin等的、2001年4月13日提交的、申請(qǐng)?zhí)?9/835,313號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)中更全面地說(shuō)明了IB表示。
現(xiàn)在參照幾個(gè)模擬來(lái)更詳細(xì)地說(shuō)明角OPC。
角OPC轉(zhuǎn)向圖7-8，示出了來(lái)自布局的一個(gè)角。具體上，圖7示出了布局700，圖8示出了布局800。除了移相器的配置之外，布局是相同的。在布局700中，使用由切口分離的兩個(gè)相對(duì)的移相器來(lái)限定角。在布局800中，使用單個(gè)未切割的移相器。仍沒有一個(gè)布局被利用OPC進(jìn)行校正。
圖10-11分別示出了兩個(gè)布局的模擬。使用相同的參數(shù)和相干性(σ)＝0.5來(lái)執(zhí)行兩個(gè)模擬。圖10示出了布局700的模擬1000，圖11示出了布局800的模擬1100。注意不應(yīng)用OPC，印刷圖像的圖像輪廓比布局800更接近布局700的目標(biāo)布局。(注意，在圖10-11中，移相器被示出為黃線，修整圖案輪廓被示出為深藍(lán)色/黑色線)
圖9還考慮在切口的數(shù)量和所需要的OPC的數(shù)量之間的折中。圖9圖解了用于著陸區(qū)的布局900；限定觸點(diǎn)的移相器已經(jīng)在每個(gè)角被切割。結(jié)果如圖12所示的更為尖銳的角輪廓(definitions)示出了用于那個(gè)未校正的布局900的模擬1200。
圖13-14還圖解了這一點(diǎn)，其中圖13示出了包括兩個(gè)著陸區(qū)、即左著陸區(qū)1310和右著陸區(qū)1320的布局1300。而且，通過(guò)最大化切口數(shù)量，右著陸區(qū)1320不使用包括模擬1400的如圖14所示的OPC也改善了角輪廓。
但是，可以存在如圖15-16所示的、其中剩余相位沖突可以產(chǎn)生更好的結(jié)果的情況。如圖所示，圖15包括布局1500，圖形的左手拷貝包括相位沖突1510，其中移相器不具有適當(dāng)?shù)南辔灰员憷麍D形的限定。將其與已經(jīng)去除了所有相位沖突的圖形的右手拷貝對(duì)比。用于兩種排列的分割和估計(jì)點(diǎn)也被示出。
使用分別指示最小段長(zhǎng)度、最大段長(zhǎng)度、外角段長(zhǎng)度和內(nèi)角段長(zhǎng)度的參數(shù)120nm/120nm/120nm/120nm來(lái)按照?qǐng)D6的處理分割和校正布局1500。OPC校正的輪廓在圖16的模擬1600結(jié)果內(nèi)以深藍(lán)色/黑色可見。(以深藍(lán)色/黑色示出校正的修整和校正的相移圖案)在此，具有相位沖突的布局產(chǎn)生更好的結(jié)果。因此，本發(fā)明的一些實(shí)施例當(dāng)限定相移圖案時(shí)試圖最大化觸點(diǎn)和角的切口的數(shù)量以降低對(duì)于OPC校正的需要。相反，其他的實(shí)施例可以執(zhí)行對(duì)于給定的圖形、結(jié)構(gòu)或圖案的模擬以選擇對(duì)于給定圖形的相位分配策略。例如，如果當(dāng)相移布局被限定時(shí)OPC參數(shù)是已知的，則用于產(chǎn)生圖10-12、14和16的類型的模擬可以被使用并且可以計(jì)算關(guān)鍵尺寸和角變化。但是，這個(gè)方案有可能對(duì)于實(shí)際世界設(shè)計(jì)的布局保持在計(jì)算上可行。同樣，其他的實(shí)施例可以使用規(guī)則或形狀表格來(lái)選擇策略。
例如，一個(gè)規(guī)則表可指定如果可能的話，觸點(diǎn)應(yīng)當(dāng)接收的最大數(shù)量的切口，而另一個(gè)更具體的規(guī)則可能識(shí)別像圖15的那些的形狀，其中應(yīng)當(dāng)保持相位沖突。
在一些實(shí)施例中，定義一個(gè)或多個(gè)價(jià)值函數(shù)以選擇何時(shí)和如何切割用于限定布局的圖形的相移區(qū)域。在一些實(shí)施例中，設(shè)計(jì)價(jià)值函數(shù)來(lái)最小化所使用的劃分的數(shù)量，諸如喜好右著陸區(qū)1320上象左著陸區(qū)1310的布局。但是本發(fā)明的一些實(shí)施例使用考慮到在其他層上的圖形和圖案的價(jià)值函數(shù)。例如，如果一個(gè)觸點(diǎn)位于右著陸區(qū)1320內(nèi)，則價(jià)值函數(shù)可能喜好最大化切口的數(shù)量以改善觸點(diǎn)的包含(containment)。
最后，將考慮兩個(gè)附加的布局以及在光學(xué)接近校正后的相位掩模和修整掩模的詳細(xì)示例。
另外的示例示例1圖17示出了布局1700的一部分，布局1700延伸通過(guò)所示的區(qū)域。所述布局包括多個(gè)使用移相器限定的圖形。應(yīng)注意布局的幾個(gè)方面。
具體上，切口1710應(yīng)當(dāng)與切口1740對(duì)比。在切口1710的情況下，用于切口1740的類型的對(duì)角切割是不可能的，因此取代使用直線切割。而且，在切口1710中的用于接近校正的調(diào)整包括在相移圖案上與相鄰的線段1712正交的方向上的線段1711的補(bǔ)償。
在類似的脈絡(luò)中，適當(dāng)?shù)那闆r下，切口被延伸，例如切口1720是與封端(endcap)的不再清楚可見的切口鄰接的擴(kuò)展角切口。
完成的布局也包括幾個(gè)相位沖突，其中兩個(gè)、即相位沖突1750和相位沖突1760被調(diào)出。另一個(gè)相位沖突也靠近切口1730存在。如果切口1730已經(jīng)被從觸點(diǎn)的右下角向上右角移動(dòng)，則將去除在那個(gè)區(qū)域中的相位沖突。
在這個(gè)示例中，在布局中剩余的相位沖突將按照?qǐng)D6的處理盡可能地被OPC補(bǔ)償。在圖18中，示出了用于OPC校正的相移圖案的布局1800。僅僅在鄰接目標(biāo)布局的位置的相移圖案的部分執(zhí)行OPC。
類似地，圖19示出了用于OPC校正的修整布局的布局1900。
最后，圖20包括與修整布局1900組合使用的相位布局1800的印刷圖像的模擬2000。所述目標(biāo)布局被示出為深藍(lán)/黑線。
參看模擬2000，顯然當(dāng)定義布局中的圖形時(shí)相位沖突不是一個(gè)問(wèn)題。另外，可以采取措施來(lái)驗(yàn)證模擬的印刷圖像是否滿足規(guī)范。在這個(gè)示例中它滿足。
示例2圖21示出了布局2100的一部分，布局2100延伸出所示的邊。所述布局包括被示出的多個(gè)使用移相器所定義的圖形。所示布局的部分已被無(wú)沖突地完全相移。
圖22和23分別示出了在已經(jīng)執(zhí)行OPC之后的相移圖案和修整圖案。具體而言，圖22的布局2200圖解了在OPC之后的相移圖案，圖23中的布局2300圖解了在OPC之后的修整圖案。
最后，圖24包括與修整布局2300組合使用的相位布局2200的印刷圖像的模擬2400。目標(biāo)布局被示出為深藍(lán)/黑線。
查看模擬2400，顯然相位沖突不是一個(gè)問(wèn)題，因?yàn)椴季直幌薅ㄔ谝?guī)范內(nèi)。這可以通過(guò)根據(jù)模擬2400采取措施并將它們與要求相比較來(lái)確定，所述要求例如，可接受的CD變化、電連接性等。另外，有益的是應(yīng)注意，部分由于OPC的原因，在“T”結(jié)的角的切口的位置是不可以檢測(cè)的。
代表性的替換實(shí)施例本發(fā)明的實(shí)施例可以在這樣的布局上操作，其中相移布局的部分已經(jīng)以不同的關(guān)鍵尺寸大小為目標(biāo)。例如，圖25圖解了通過(guò)移相器2510、移相器2520、移相器2530、和移相器2540使用相移來(lái)限定圖形2500的布局的一部分。另外，指示區(qū)域2550移相器2510和移相器2540已經(jīng)被修改的地方，以產(chǎn)生比用于圖形2500的更小的關(guān)鍵尺寸(CD)。但是，在區(qū)域2550內(nèi)的相移圖案的估計(jì)和分割點(diǎn)的布置與上述的相同。
而且，在區(qū)域2550中印刷窄的關(guān)鍵尺寸圖形的同時(shí)，可以進(jìn)一步調(diào)整鄰近區(qū)域2550的移相器寬度以降低對(duì)于OPC的需要。例如，如果必要的話，可以使得移相器的外邊寬于未示出的周圍區(qū)域中的移相器?；蛘呦喾矗梢允沟迷趨^(qū)域2550內(nèi)的移相器寬度更窄，見圖26。更具體而言，圖26包括由移相器2520、移相器2530、移相器2610和移相器2640限定的圖形2500。移相器2610和移相器2640在期望縮小的關(guān)鍵尺寸的區(qū)域2650中更窄。
適當(dāng)?shù)拇笮?，諸如移相器寬度，可以依賴于可以獲得的場(chǎng)以及在區(qū)域2550中的移相器周圍的其他圖形。而且，在一些實(shí)施例中，可以選擇用于縮小的關(guān)鍵尺寸圖形的優(yōu)選的移相器寬度，例如nλ，其中n＞0.0。然后在基于該布局實(shí)用的程度上，在諸如區(qū)域2550的區(qū)域內(nèi)的移相器寬度被修改以便插入的控制鉻是較窄的尺寸，并且寬度對(duì)應(yīng)于優(yōu)選的移相器寬度。
在上述的實(shí)施例的變化方式中，可以在應(yīng)用相移處理之前，在期望縮小的圖形尺寸的關(guān)鍵區(qū)域縮小目標(biāo)布局。在這樣的情況下，結(jié)果產(chǎn)生的布局將看起來(lái)類似于圖25和/或圖26。
另外，雖然說(shuō)明主要著重于限定在IC內(nèi)的多晶硅或“poly”層的示例，但是可以使用相移來(lái)限定其他的材料層，諸如互相連接、金屬等。
本發(fā)明的實(shí)施例也可以用于除了上述之外的形狀的切口上，例如本發(fā)明可以應(yīng)用到切口，其中凹口是簡(jiǎn)單的對(duì)角開口而不加入方頭或基座。但是，實(shí)驗(yàn)性的測(cè)試運(yùn)行已經(jīng)顯示出這樣的布局經(jīng)常但不總是導(dǎo)致OPC連接到用于第一段的目標(biāo)布局內(nèi)。例如，返回圖3，如果移相器302從一條45度線接觸分割點(diǎn)316，則走向分割點(diǎn)312的第一OPC端將典型偏移向圖形300。這可能或不可能導(dǎo)致與移相器或修整、形狀一致的設(shè)計(jì)規(guī)則。盡管如此，可以對(duì)于如上所述的這樣的布局執(zhí)行OPC。
在一個(gè)實(shí)施例中，用于其中使用相移來(lái)限定布局的基本所有部分的布局的光學(xué)接近校正(OPC)包括執(zhí)行用于非關(guān)鍵圖形的二元層的OPC和執(zhí)行用于關(guān)鍵圖形的相移圖案的OPC。在每個(gè)情況下，僅僅的對(duì)各層鄰接目標(biāo)布局的邊執(zhí)行OPC。
本發(fā)明的一些實(shí)施例包括計(jì)算機(jī)程序，用于使用掩模來(lái)模擬步進(jìn)機(jī)曝光以計(jì)算在相位和修整/二元曝光之間的適當(dāng)?shù)南鄬?duì)劑量。在一個(gè)實(shí)施例中，由加利福尼亞的San Jose的數(shù)字技術(shù)公司生產(chǎn)的ICWorkbench(TM)軟件用于模擬諸如圖10所示等的曝光條件。在其他的實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)程序用于執(zhí)行光學(xué)接近校正。在一個(gè)實(shí)施例中，由數(shù)字技術(shù)公司生產(chǎn)的iN-Phase(TM)、iN-Tandem(TM)和/或Photolynx(TM)軟件程序用于執(zhí)行光學(xué)接近校正處理。在其他的實(shí)施例中，在光學(xué)接近校正處理中使用來(lái)自Avant！和/或MentorGraphics的合適的工具。在一些實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)程序被存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀媒體中，諸如CD-ROM、DVD等。在其他的實(shí)施例中，計(jì)算機(jī)程序被實(shí)現(xiàn)在電磁載波中。例如，電磁載波可以包括通過(guò)網(wǎng)絡(luò)被訪問(wèn)的程序。
在此使用的術(shù)語(yǔ)光學(xué)光刻表示這樣的處理，其中包括使用可視的、紫外線的、深紫外線的、遠(yuǎn)紫外線的、X射線的、電子束的和其他的輻射源來(lái)用于光刻的目的。
結(jié)論本發(fā)明的實(shí)施例的上述說(shuō)明已經(jīng)被提供用于圖解和說(shuō)明。所述說(shuō)明不意欲是窮盡的或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的準(zhǔn)確形式。許多改進(jìn)和變化將是明顯的。選擇和說(shuō)明實(shí)施例是為了最好地解釋本發(fā)明的原理和它的實(shí)際應(yīng)用，因此使得其他人明白本發(fā)明的適合于所考慮的特定用途的不同實(shí)施例和不同的修改。本發(fā)明的范圍意欲被所附的權(quán)利要求所限定。
權(quán)利要求
1.一種用于產(chǎn)生光刻掩模的計(jì)算機(jī)可讀定義的方法，所述光刻掩模用于在要使用該掩模形成的層中限定目標(biāo)圖案，其中所述圖案包括目標(biāo)圖形；所述方法包括布局第一掩模圖案和第二掩模圖案，所述第一掩模圖案包括具有由在第一掩模布局中的線段限定的邊界的相移窗口，所述第二掩模圖案包括具有在第二掩模圖案中的線段限定的邊界的修整形狀，其中，第一和第二掩模圖案的組合用于限定所述目標(biāo)圖案的所述目標(biāo)圖形，通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第一掩模圖案中的第一相移窗口，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接目標(biāo)圖形的線段，通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第一掩模圖案中的第二相移窗口，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接目標(biāo)圖形的線段，通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第二掩模圖案中的包括透射區(qū)域的修整形狀，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接目標(biāo)圖形的線段，其中通過(guò)在所述第二掩模圖案中的所述修整形狀中的所述投射區(qū)域來(lái)清除在第一掩模圖案中的所述第一和第二相移窗口之間的相變引起的形狀；調(diào)整在所述第一掩模圖案中的所述第一相移窗口的所述至少一個(gè)線段的位置，并且調(diào)整在所述第二掩模布局中的所述修整形狀的所述至少一個(gè)線段的位置，以提供接近校正；和在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中存儲(chǔ)所述布局和所述調(diào)整的結(jié)果。
2.按照權(quán)利要求1的方法，包括通過(guò)在按照所述第一相移窗口的形狀所選擇的分割點(diǎn)分割所述第一相移窗口的邊界來(lái)限定在第一掩模圖案中的所述至少一個(gè)線段，并通過(guò)在按照所述修整形狀的形狀所選擇的分割點(diǎn)分割所述修整形狀的邊界來(lái)限定在第二掩模圖案中的所述至少一個(gè)線段。
3.按照權(quán)利要求1的方法，其中所述第一掩模布局包括一對(duì)相移窗口，它們被布置使得在所述對(duì)中的每個(gè)相移窗口包括互補(bǔ)的相移窗口，通過(guò)這個(gè)互補(bǔ)的相移窗口產(chǎn)生相變，導(dǎo)致形成至少一個(gè)部分所述目標(biāo)圖形，所述方法并且包括通過(guò)在鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的至少一個(gè)所述相移窗口的一個(gè)角的分割點(diǎn)分割所述對(duì)中的至少一個(gè)相移窗口的邊界，來(lái)限定在該第一掩模圖案中的所述線段，并且包括通過(guò)在鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的所述修整形狀的一個(gè)角的分割點(diǎn)分割所述修整形狀的邊界，來(lái)限定在該第二掩模圖案中的線段。
4.按照權(quán)利要求1的方法，其中所述目標(biāo)圖案包括“全相”設(shè)計(jì)圖樣，以便該第一掩模圖案包括“全相”掩模圖案。
5.按照權(quán)利要求1的方法，其中該目標(biāo)圖案在以下列中的一個(gè)或多個(gè)為特征的層上被曝光由相移圖案限定圖案的非存儲(chǔ)器部分的至少百分之八十(80％)；由相移圖案限定圖案中的平面布置圖的一部分的至少百分之八十(80％)；由相移圖案限定圖案的至少百分之九十(90％)；由相移圖案限定圖案的關(guān)鍵路徑中的所有圖形；由相移圖案限定在圖案中的所有圖形，除了由于相位沖突而導(dǎo)致不相移的那些圖形之外；由相移圖案限定除了測(cè)試結(jié)構(gòu)之外的圖案中的全部?jī)?nèi)容；和由相移圖案限定除了偽結(jié)構(gòu)之外的圖案中的全部?jī)?nèi)容。
6.按照權(quán)利要求1的方法，其中該目標(biāo)圖案的特征在于具有由相移圖案限定的目標(biāo)圖案的至少百分之九十五(95％)的圖形。
7.按照權(quán)利要求1的方法，其中所述第二掩模布局包括三色形狀、衰減的相移窗口和衰減的不透明形狀中的一個(gè)或多個(gè)。
8.一種制造的產(chǎn)品，包括計(jì)算機(jī)可讀的存儲(chǔ)介質(zhì)，其中存儲(chǔ)了用于定義光刻掩模的計(jì)算機(jī)可讀指令，所述光刻掩模用于在要使用該掩模形成的層中限定目標(biāo)圖案，其中所述圖案包括目標(biāo)圖形，所述計(jì)算機(jī)可讀指令包括用于下列的例程布局第一掩模圖案和第二掩模圖案，所述第一掩模圖案包括具有由在第一掩模布局中的線段限定的邊界的相移窗口，所述第二掩模圖案包括具有在第二掩模圖案中的線段限定的邊界的修整形狀，其中，該第一和第二掩模圖案的組合用于限定所述目標(biāo)圖案的所述目標(biāo)圖形，通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第一掩模圖案中的第一相移窗口，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接目標(biāo)圖形的線段，通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第一掩模圖案中的第二相移窗口，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接該目標(biāo)圖形的線段，并通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第二掩模圖案中的包括透射區(qū)域的修整形狀，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接該目標(biāo)圖形的線段，其中通過(guò)在所述第二掩模圖案中的所述修整形狀中的所述透射區(qū)域來(lái)清除在第一掩模圖案中的所述第一和第二相移窗口之間的相變引起的假象；調(diào)整在所述第一掩模圖案中的所述第一相移窗口的所述至少一個(gè)線段的位置，并且調(diào)整在所述第二掩模布局中的所述修整形狀的所述至少一個(gè)線段的位置，以提供接近校正；和存儲(chǔ)所述布局和所述調(diào)整的結(jié)果。
9.按照權(quán)利要求8的制造產(chǎn)品，其中所述計(jì)算機(jī)可讀指令包括用于下列的例程通過(guò)在按照所述第一相移窗口的形狀所選擇的分割點(diǎn)分割所述第一相移窗口的邊界，來(lái)限定在第一掩模圖案中的所述至少一個(gè)線段，通過(guò)在按照所述修整形狀的形狀所選擇的分割點(diǎn)分割所述修整形狀的邊界來(lái)限定在第二掩模圖案中的所述至少一個(gè)線段。
10.按照權(quán)利要求8的制造產(chǎn)品，其中所述第一掩模布局包括一對(duì)相移窗口，它們被布置使得在所述對(duì)中的每個(gè)相移窗口包括互補(bǔ)的相移窗口，通過(guò)這個(gè)互補(bǔ)的相移窗口產(chǎn)生相變，導(dǎo)致形成至少一個(gè)部分所述目標(biāo)圖形，其中所述計(jì)算機(jī)可讀指令包括用于下列的例程通過(guò)在鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的至少一個(gè)所述相移窗口的一個(gè)角的分割點(diǎn)分割在所述對(duì)中的所述至少一個(gè)相移窗口的邊界，來(lái)限定在該第一掩模圖案中的所述線段，并且通過(guò)在鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的所述修整形狀的一個(gè)角的分割點(diǎn)分割所述修整形狀的邊界，來(lái)限定在該第二掩模圖案中的線段。
11.按照權(quán)利要求8的制造產(chǎn)品，其中所述目標(biāo)圖案包括“全相”設(shè)計(jì)圖樣，以便該第一掩模圖案包括“全相”掩模圖案。
12.按照權(quán)利要求8的制造產(chǎn)品，其中該目標(biāo)圖案在以下列中的一個(gè)或多個(gè)為特征的層上被曝光由相移圖案限定圖案的非存儲(chǔ)器部分的至少百分之八十(80％)；由相移圖案限定圖案中的平面布置圖的一部分的至少百分至八十(80％)；由相移圖案限定圖案的至少百分之九十(90％)；由相移圖案限定圖案的關(guān)鍵路徑中的所有圖形；由相移圖案限定在圖案中的所有圖形，除了由于相位沖突而導(dǎo)致不相移的那些圖形之外；由相移圖案限定除了測(cè)試結(jié)構(gòu)之外的圖案中的全部?jī)?nèi)容；和由相移圖案限定除了偽結(jié)構(gòu)之外的圖案中的全部?jī)?nèi)容。
13.按照權(quán)利要求8的制造產(chǎn)品，其中該目標(biāo)圖案的特征在于具有由相移圖案限定的目標(biāo)圖案的至少百分之九十五(95％)的圖形。
14.按照權(quán)利要求8的制造產(chǎn)品，其中所述第二掩模布局包括三色形狀、衰減的相移窗口和衰減的不透明形狀中的一個(gè)或多個(gè)。
15.一種用于制造集成電路的方法，所述集成電路包括具有目標(biāo)圖案的材料層，其中所述目標(biāo)圖案包括目標(biāo)圖形，所述方法包括布局第一掩模圖案和第二掩模圖案，所述第一掩模圖案包括具有由在第一掩模布局中的線段限定的邊界的相移窗口，所述第二掩模圖案包括具有在第二掩模圖案中的線段限定的邊界的修整形狀，其中，該第一和第二掩模圖案的組合用于限定所述目標(biāo)圖案的所述目標(biāo)圖形，通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第一掩模圖案中的第一相移窗口，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接該目標(biāo)圖形的線段，通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第一掩模圖案中的第二相移窗口，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接該目標(biāo)圖形的線段，和通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第二掩模圖案中的包括透射區(qū)域的修整形狀，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接該目標(biāo)圖形的線段，其中通過(guò)在所述第二掩模圖案中的所述修整形狀中的所述透射區(qū)域來(lái)清除在第一掩模圖案中的所述第一和第二相移窗口之間的相變引起的假象；調(diào)整在所述第一掩模圖案中的所述第一相移窗口的所述至少一個(gè)線段的位置，并且調(diào)整在所述第二掩模布局中的所述修整形狀的所述至少一個(gè)線段的位置，以提供接近校正；產(chǎn)生所述第一和第二掩模圖案的計(jì)算機(jī)可讀定義；使用所述第一和第二掩模布局的所述計(jì)算機(jī)可讀定義來(lái)產(chǎn)生至少一個(gè)掩模；和使用所述至少一個(gè)掩模來(lái)形成所述層。
16.按照權(quán)利要求15的方法，包括通過(guò)在按照所述第一相移窗口的形狀所選擇的分割點(diǎn)分割所述第一相移窗口的邊界，來(lái)限定在第一掩模圖案中的所述至少一個(gè)線段，通過(guò)在按照所述修整形狀的形狀所選擇的分割點(diǎn)分割所述修整形狀的邊界，來(lái)限定在第二掩模圖案中的所述至少一個(gè)線段。
17.按照權(quán)利要求15的方法，其中所述第一掩模布局包括一對(duì)相移窗口，它們被布置使得在所述對(duì)中的每個(gè)相移窗口包括互補(bǔ)的相移窗口，通過(guò)這個(gè)互補(bǔ)的相移窗口產(chǎn)生相變，導(dǎo)致形成至少一個(gè)部分所述目標(biāo)圖形，所述方法并且包括通過(guò)在鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的至少一個(gè)所述相移窗口的一個(gè)角的分割點(diǎn)分割在所述對(duì)中的所述至少一個(gè)相移窗口的邊界，來(lái)限定所述第一掩模圖案中的所述線段，并且包括通過(guò)在鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的所述修整形狀的一個(gè)角的分割點(diǎn)分割所述修整形狀的邊界，來(lái)限定在所述第二掩模圖案中的線段。
18.按照權(quán)利要求15的方法，其中該目標(biāo)圖案包括“全相”設(shè)計(jì)圖樣，以便該第一掩模圖案包括“全相”掩模圖案。
19.按照權(quán)利要求15的方法，其中該目標(biāo)圖案在以下列中的一個(gè)或多個(gè)為特征的層上被曝光由相移圖案限定圖案的非存儲(chǔ)器部分的至少百分之八十(80％)；由相移圖案限定圖案中的平面布置圖的一部分的至少百分之八十(80％)；由相移圖案限定圖案的至少百分之九十(90％)；由相移圖案限定圖案的關(guān)鍵路徑中的所有圖形；由相移圖案限定在圖案中的所有圖形，除了由于相位沖突而導(dǎo)致不相移的那些圖形之外；由相移圖案限定除了測(cè)試結(jié)構(gòu)之外的圖案中的全部?jī)?nèi)容；和由相移圖案限定除了偽結(jié)構(gòu)之外的圖案中的全部?jī)?nèi)容。
20.按照權(quán)利要求15的方法，其中該目標(biāo)圖案的特征在于具有由相移圖案限定的目標(biāo)圖案的至少百分之九十五(95％)的圖形。
21.按照權(quán)利要求15的方法，其中所述第二掩模布局包括三色形狀、衰減的相移窗口和衰減的不透明形狀中的一個(gè)或多個(gè)。
22.一種光刻掩模組，包括一個(gè)或多個(gè)掩模，用于制造具有目標(biāo)圖案的材料層，所述目標(biāo)圖案包括目標(biāo)圖形，所述光刻掩模組包括在所述掩模組中的一個(gè)掩模上的第一掩模圖案，該第一掩模圖案包括具有由該第一掩模布局中的線段限定的邊界的相移窗口，和第二掩模圖案，該第二掩模圖案包括具有在第二掩模圖案中的線段限定的邊界的修整形狀，其中，該第一和第二掩模圖案的組合用于限定所述目標(biāo)圖案的所述目標(biāo)圖形，通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第一掩模圖案中的第一相移窗口，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接該目標(biāo)圖形的線段，通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第一掩模圖案中的第二相移窗口，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接該目標(biāo)圖形的線段，和通過(guò)多個(gè)線段來(lái)限定在第二掩模圖案中的包括透射區(qū)域的修整形狀，所述多個(gè)線段包括至少一個(gè)鄰接該目標(biāo)圖形的線段，其中通過(guò)在所述第二掩模圖案中的所述修整形狀中的所述透射區(qū)域來(lái)清除在第一掩模圖案中的所述第一和第二相移窗口之間的相變引起的假象；在所述第一掩模圖案中的所述第一相移窗口的所述至少一個(gè)線段的位置以及在所述第二掩模布局中的所述修整形狀的所述至少一個(gè)線段的位置分別偏移限定所述相移窗口和所述修整形狀的相鄰線段，用于提供接近校正。
23.按照權(quán)利要求22的掩模組，其中所述第一掩模布局包括一對(duì)相移窗口，它們被布置使得在所述對(duì)中的每個(gè)相移窗口包括互補(bǔ)的相移窗口，通過(guò)這個(gè)互補(bǔ)的相移窗口產(chǎn)生相變，導(dǎo)致形成至少一個(gè)部分所述目標(biāo)圖形，并且在第一掩模圖案中的所述至少一個(gè)線段在鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的至少一個(gè)所述相移窗口的一個(gè)角具有一個(gè)端點(diǎn)，并且在第二掩模圖案中的所述至少一個(gè)線段在鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的所述修整形狀的一個(gè)角具有一個(gè)端點(diǎn)。
24.按照權(quán)利要求22的掩模組，其中該目標(biāo)圖案包括“全相”設(shè)計(jì)圖樣，以便該第一掩模圖案包括“全相”掩模圖案。
25.按照權(quán)利要求22的掩模組，其中該目標(biāo)圖案在以下列中的一個(gè)或多個(gè)為特征的層上被曝光由相移圖案限定圖案的非存儲(chǔ)器部分的至少百分之八十(80％)；由相移圖案限定圖案中的平面布置圖的一部分的至少百分之八十(80％)；由相移圖案限定圖案的至少百分之九十(90％)；由相移圖案限定圖案的關(guān)鍵路徑中的所有圖形；由相移圖案限定在圖案中的所有圖形，除了由于相位沖突而導(dǎo)致不相移的那些圖形之外；由相移圖案限定除了測(cè)試結(jié)構(gòu)之外的圖案中的全部?jī)?nèi)容；和由相移圖案限定除了偽結(jié)構(gòu)之外的圖案中的全部?jī)?nèi)容。
26.按照權(quán)利要求22的掩模組，其中該目標(biāo)圖案的特征在于具有由相移圖案限定的目標(biāo)圖案的至少百分之九十五(95％)的圖形。
27.按照權(quán)利要求22的掩模組，其中所述第二掩模布局包括三色形狀、衰減的相移窗口和衰減的不透明形狀中的一個(gè)或多個(gè)。
28.一種用于使用全相圖案來(lái)執(zhí)行對(duì)于集成電路布局的目標(biāo)圖形的光學(xué)接近校正的方法，所述全相圖案包括第一和第二相移窗口，所述第一和第二相移窗口具有各邊，所述各邊包括鄰接所述目標(biāo)圖形的至少一個(gè)線段，其中在第一和第二相移窗口之間的相變引起要被修整的假象，所述全相圖案還包括修整形狀，所述修整形狀包括鄰接該目標(biāo)圖形和用于修整所述假象的至少一個(gè)線段，所述方法包括識(shí)別鄰接所述目標(biāo)圖形的、第一相移窗口的所述至少一個(gè)線段和修整形狀的所述至少一個(gè)線段；和執(zhí)行接近校正以調(diào)整所述第一相移窗口的所述至少一個(gè)線段和該修整形狀的所述至少一個(gè)線段的位置。
29.按照權(quán)利要求28的方法，其中所述調(diào)整包括從限定所述圖形的邊界的相鄰線段偏移該相移窗口的所述至少一個(gè)線段和該修整形狀的所述至少一個(gè)線段。
30.按照權(quán)利要求28的方法，其中所述調(diào)整包括從限定所述圖形的邊界的相鄰線段正交地偏移該相移窗口的所述至少一個(gè)線段和該修整形狀的所述至少一個(gè)線段。
31.一種用于產(chǎn)生光刻掩模的計(jì)算機(jī)可讀定義的方法，所述光刻掩模限定在使用該掩模將要形成的層中的目標(biāo)圖案，其中所述圖案包括目標(biāo)圖形；所述方法包括布局第一掩模圖案和第二掩模圖案，所述第一掩模圖案包括具有由在第一掩模布局中的線段限定的邊界的相移窗口，所述第二掩模圖案包括具有在第二掩模圖案中的線段限定的邊界的修整形狀，其中，該第一和第二掩模圖案的組合用于限定所述目標(biāo)圖案，其中通過(guò)在該第二掩模圖案中的所述修整形狀中的所述透射區(qū)域來(lái)清除在第一掩模圖案中的一對(duì)相移窗口之間的相變引起的至少一部分曝光圖形，以限定所述目標(biāo)圖形的一部分；調(diào)整用于限定在所述第一掩模圖案中的所述一對(duì)相移窗口的邊界的一個(gè)線段的位置，并且調(diào)整用于限定在所述第二掩模布局中的所述透射區(qū)域的邊界的一個(gè)線段的位置，以提供對(duì)于所述目標(biāo)圖形的接近校正；和在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中存儲(chǔ)所述布局和所述調(diào)整的結(jié)果。
32.按照權(quán)利要求31的方法，其中所述調(diào)整包括調(diào)整用于限定在第一掩模圖案中的所述一對(duì)相移窗口中的一個(gè)相移窗口的一部分的線段的位置，并且調(diào)整用于限定在第二掩模圖案中的所述透射區(qū)域的一部分的線段的位置。
33.按照權(quán)利要求31的方法，包括通過(guò)在按照所述相移窗口之一的形狀所選擇的分割點(diǎn)分割所述一對(duì)相移窗口中的至少一個(gè)相移窗口的邊界，來(lái)限定在第一掩模圖案中的所述線段，通過(guò)在按照所述透射區(qū)域的形狀所選擇的分割點(diǎn)分割所述透射區(qū)域的邊界，來(lái)限定在第二掩模圖案中的所述線段。
34.按照權(quán)利要求31的方法，其中所述一對(duì)相移窗口被布置使得在所述對(duì)中的每個(gè)所述相移窗口包括互補(bǔ)的相移窗口，通過(guò)這個(gè)互補(bǔ)的相移窗口產(chǎn)生相變，導(dǎo)致在該層中形成至少一個(gè)部分所述目標(biāo)圖形，所述方法并且包括通過(guò)在鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的一個(gè)相移窗口的一個(gè)角的分割點(diǎn)分割所述對(duì)中的至少一個(gè)相移窗口的邊界，來(lái)限定在所述第一掩模圖案中的所述線段，并且包括通過(guò)在鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的所述透射區(qū)域的一個(gè)角的分割點(diǎn)分割所述透射區(qū)域的邊界，來(lái)限定在所述第二掩模圖案中的線段。
35.按照權(quán)利要求31的方法，其中限定所述第一和第二相移窗口的邊界和所述透射區(qū)域的邊界的所述線段在分割點(diǎn)具有端點(diǎn)，所述分割點(diǎn)鄰接在按照設(shè)計(jì)規(guī)則所選擇的所述目標(biāo)圖形的邊，所述設(shè)計(jì)規(guī)則包括作為變?cè)?、第一和第二相移窗口的形狀以及所述透射區(qū)域的形狀。
36.按照權(quán)利要求35的方法，其中所述線段包括第一線段，用于限定在所述一對(duì)相移窗口中的第一相移窗口的邊界，并且具有在分割點(diǎn)的端點(diǎn)，所述分割點(diǎn)位于第一相移窗口的一端鄰接所述目標(biāo)圖形的邊的位置；和第二線段，用于限定所述透射區(qū)域的邊界，并且具有在分割點(diǎn)的端點(diǎn)，所述分割點(diǎn)位于所述透射區(qū)域的一側(cè)鄰接所述邊的位置。
37.按照權(quán)利要求36的方法，其中所述第一線段的所述端點(diǎn)和所述第二線段的所述端點(diǎn)基本上覆蓋了所述目標(biāo)圖形上的相同位置。
38.按照權(quán)利要求36的方法，其中所述第一線段的所述端點(diǎn)和所述第二線段的所述端點(diǎn)位于所述目標(biāo)圖形上的不同位置。
39.按照權(quán)利要求31的方法，其中該目標(biāo)圖案包括“全相”設(shè)計(jì)圖樣，以便該第一掩模圖案包括“全相”掩模圖案。
40.按照權(quán)利要求31的方法，其中該目標(biāo)圖案在以下列中的一個(gè)或多個(gè)為特征的層上被曝光由相移圖案限定圖案的非存儲(chǔ)器部分的至少百分之八十(80％)；由相移圖案限定圖案中的平面布置圖的一部分的至少百分之八十(80％)；由相移圖案限定圖案的至少百分之九十(90％)；由相移圖案限定圖案的關(guān)鍵路徑中的所有圖形；由相移圖案限定在圖案中的所有圖形，除了由于相位沖突而導(dǎo)致不相移的那些圖形之外；由相移圖案限定除了測(cè)試結(jié)構(gòu)之外的圖案中的全部?jī)?nèi)容；和由相移圖案限定除了偽結(jié)構(gòu)之外的圖案中的全部?jī)?nèi)容。
41.按照權(quán)利要求31的方法，其中該目標(biāo)圖案的特征在于具有由相移圖案限定的目標(biāo)圖案的至少百分之九十五(95％)的圖形。
42.一種用于產(chǎn)生光刻掩模的計(jì)算機(jī)可讀定義的方法，所述光刻掩模限定使用該掩模將要形成的層中的目標(biāo)圖案，其中所述圖案包括一個(gè)目標(biāo)圖形，所述目標(biāo)圖形具有由該目標(biāo)圖形的第一和第二邊的交叉點(diǎn)形成的內(nèi)角；所述方法包括布局第一掩模圖案和第二掩模圖案，所述第一掩模圖案包括具有由在第一掩模布局中的線段限定的邊界的相移窗口，所述第二掩模圖案包括具有在第二掩模圖案中的線段限定的邊界的修整形狀，其中，該第一和第二掩模圖案組合用于限定所述目標(biāo)圖形的內(nèi)角，所述第一掩模圖案包括第一和第二相移窗口，所述相移窗口具有相反的相位并且鄰接靠近所述內(nèi)角的圖形的第一和第二邊，以便在靠近內(nèi)角的位置的第一和第二相移窗口之間發(fā)生相變，所述第二掩模圖案包括修整形狀，所述修整形狀具有對(duì)應(yīng)于相位的位置的透射區(qū)域，用于清除由相變引起的曝光圖形的至少一部分；調(diào)整用于限定在所述第一掩模圖案中的所述第一和第二相移窗口的邊界的線段的位置，并且調(diào)整用于限定在所述第二掩模布局中的所述修整形狀的邊界的線段的位置，以提供接近校正；和在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中存儲(chǔ)所述布局和所述調(diào)整的結(jié)果。
43.按照權(quán)利要求42的方法，其中限定所述第一和第二相移窗口的邊界和所述透射區(qū)域的邊界的所述線段在分割點(diǎn)具有靠近所述內(nèi)角的端點(diǎn)，所述分割點(diǎn)鄰接在按照設(shè)計(jì)規(guī)則所選擇的所述第一和第二邊，所述設(shè)計(jì)規(guī)則包括作為變?cè)?、第一和第二相移窗口的形狀和所述透射區(qū)域的形狀。
44.按照權(quán)利要求42的方法，其中所述線段包括第一線段，用于限定所述第一相移窗口的邊界，并且具有在分割點(diǎn)的端點(diǎn)，所述分割點(diǎn)位于鄰近所述內(nèi)角的第一相移窗口的一端鄰接所述第一邊的位置；第二線段，用于限定所述透射區(qū)域的邊界，并且具有在分割點(diǎn)的端點(diǎn)，所述分割點(diǎn)位于所述透射區(qū)域的一側(cè)鄰接所述第一邊的位置。
45.按照權(quán)利要求44的方法，其中所述第一線段的所述端點(diǎn)和所述第二線段的所述端點(diǎn)基本上覆蓋了所述目標(biāo)圖形上的相同位置。
46.按照權(quán)利要求44的方法，其中所述第一線段的所述端點(diǎn)和所述第二線段的所述端點(diǎn)位于所述目標(biāo)圖形上的不同位置。
47.一種用于產(chǎn)生光刻掩模的計(jì)算機(jī)可讀定義的方法，所述光刻掩模限定使用該掩模將要形成的層中的目標(biāo)圖案，其中所述圖案包括一個(gè)目標(biāo)圖形，所述目標(biāo)圖形具有由該目標(biāo)圖形的第一和第二邊的交叉點(diǎn)形成的外角；所述方法包括布局第一掩模圖案和第二掩模圖案，所述第一掩模圖案包括具有由在第一掩模布局中的線段限定的邊界的相移窗口，所述第二掩模圖案包括具有由在第二掩模圖案中的線段限定的邊界的修整形狀，其中，該第一和第二掩模圖案組合用于限定所述目標(biāo)圖形的外角，所述第一掩模圖案包括第一和第二相移窗口，它們具有相反的相位并且鄰接靠近所述外角的圖形的第一和第二邊，以便在靠近外角的位置的第一和第二相移窗口之間發(fā)生相變，并且所述第二掩模圖案包括修整形狀，所述修整形狀具有對(duì)應(yīng)于相位的位置的透射區(qū)域，用于清除由該相變引起的曝光圖形的至少一部分；調(diào)整用于限定在所述第一掩模圖案中的所述第一和第二相移窗口的邊界的線段的位置，并且調(diào)整用于限定在所述第二掩模布局中的所述修整形狀的邊界的線段的位置，以提供接近校正；和在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中存儲(chǔ)所述布局和所述調(diào)整的結(jié)果。
48.按照權(quán)利要求47的方法，其中限定所述第一和第二相移窗口的邊界和所述透射區(qū)域的邊界的所述線段具有在分割點(diǎn)的靠近所述外角的端點(diǎn)，所述分割點(diǎn)鄰接在按照設(shè)計(jì)規(guī)則所選擇的所述第一和第二邊，所述設(shè)計(jì)規(guī)則包括作為變?cè)摹⒌谝缓偷诙嘁拼翱诘男螤詈退鐾干鋮^(qū)域的形狀。
49.按照權(quán)利要求47的方法，其中所述線段包括第一線段，用于限定所述第一相移窗口的邊界，并且具有在分割點(diǎn)的端點(diǎn)，所述分割點(diǎn)位于鄰近所述外角的第一相移窗口的一端鄰接所述第一邊的位置；和第二線段，用于限定所述透射區(qū)域的邊界，并且具有在分割點(diǎn)的端點(diǎn)，所述分割點(diǎn)位于所述透射區(qū)域的一側(cè)鄰接所述第一邊的位置。
50.按照權(quán)利要求49的方法，其中所述第一線段的所述端點(diǎn)和所述第二線段的所述端點(diǎn)基本上覆蓋了所述目標(biāo)圖形上的相同位置。
51.按照權(quán)利要求49的方法，其中所述第一線段的所述端點(diǎn)和所述第二線段的所述端點(diǎn)位于所述目標(biāo)圖形上的不同位置。
52.一種用于產(chǎn)生光刻掩模的計(jì)算機(jī)可讀定義的方法，所述光刻掩模限定使用該掩模將要形成的層中的目標(biāo)圖案，其中所述圖案包括一個(gè)目標(biāo)圖形，所述目標(biāo)圖形具有由該目標(biāo)圖形的第一、第二和第三邊的交叉點(diǎn)形成的第一和第二外角；所述方法包括布局第一掩模圖案和第二掩模圖案，所述第一掩模圖案包括具有由在第一掩模布局中的線段限定的邊界的相移窗口，所述第二掩模圖案包括具有由在第二掩模圖案中的線段限定的邊界的修整形狀，其中，該第一和第二掩模圖案組合用于限定所述目標(biāo)圖形的第一和第二外角，所述第一掩模圖案包括第一和第二相移窗口，它們具有相反的相位并且鄰接靠近所述第一外角的圖形的第一和第二邊，所述第一掩模圖案包括第三相移窗口，它具有與第一相移窗口相同的相位并且鄰接靠近所述第二外角的圖形的第三邊，以便在靠近第一外角的位置的第一和第二相移窗口之間發(fā)生第一相變，所述第一相變引起趨向于從所述第一外角向外延伸一條線的一個(gè)曝光圖形，在靠近第二外角的位置的第二和第三相移窗口之間發(fā)生第二相變，所述第二相變引起趨向于從所述第二外角向外延伸一條線的一個(gè)曝光圖形，所述第二掩模圖案包括修整形狀，所述修整形狀具有對(duì)應(yīng)于第一相變的位置的第一透射區(qū)域，用于清除由第一相變引起的曝光圖形的至少一部分，以便所述第一外角在所產(chǎn)生的圖像中更為尖銳，所述修整形狀具有對(duì)應(yīng)于第二相變的位置的第二透射區(qū)域，用于清除由第二相變引起的曝光圖形的至少一部分，以便所述第二外角在所產(chǎn)生的圖像中更為尖銳；向第一和第二掩模圖案的一個(gè)或兩個(gè)提供接近校正調(diào)整；和在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中存儲(chǔ)所述布局和所述調(diào)整的結(jié)果。
53.按照權(quán)利要求52的方法，其中所述提供接近校正的步驟包括調(diào)整用于限定在所述第一掩模圖案中的所述第一、第二和第三相移窗口的邊界的一個(gè)或多個(gè)線段的位置，并且調(diào)整用于限定在所述第二掩模布局中的修整形狀中的所述第一和第二透射區(qū)域的邊界的一個(gè)或多個(gè)線段的位置。
全文摘要
提供了一種用于產(chǎn)生用于限定目標(biāo)圖案的光刻掩模的計(jì)算機(jī)可讀定義的方法。該相移掩模圖案包括相移窗口，修整掩模圖案包括修整形狀，他們具有由這樣的線段組限定的邊界。對(duì)于用于限定目標(biāo)圖案中的目標(biāo)圖形的特定的一對(duì)相移窗口，在所述對(duì)中的每個(gè)相移窗口可以被考慮為具有包括與所述目標(biāo)圖形相鄰的至少一個(gè)線段的邊界。同樣，例如通過(guò)包括用于清除在特定對(duì)的相移窗口之間的不需要的相變的透射區(qū)域，而限定目標(biāo)圖形的互補(bǔ)修整形狀包括可以被考慮為靠近該目標(biāo)圖形的至少一個(gè)線段。通過(guò)調(diào)整在靠近該目標(biāo)圖形的所述對(duì)中的相移窗口的邊界上的至少一個(gè)線段的位置、并且通過(guò)調(diào)整在靠近該目標(biāo)圖形的互補(bǔ)修整形狀的邊界上的至少一個(gè)線段的位置來(lái)提供接近校正。
文檔編號(hào)G03F1/14GK1620632SQ02811550
公開日2005年5月25日 申請(qǐng)日期2002年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月8日
發(fā)明者克里斯托夫·皮拉特, 米歇爾·L·科特 申請(qǐng)人:數(shù)字技術(shù)公司