專利名稱：設(shè)計電子束掩模的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在電子束曝光設(shè)備中使用的設(shè)計EB(電子束)掩模的方法和用于設(shè)計EB掩模的裝置，以便在半導(dǎo)體襯底上繪制預(yù)定圖形。
作為利用電子束的電子束制圖技術(shù)，已知的有局部會聚或完全會聚的曝光技術(shù)，用于縮小和投影EB掩模的圖形，然后在晶片上集中繪制單元區(qū)，例如存儲器單元等。
那些曝光方法通常采用兩個掩模。首先，采用第一掩模將電子束調(diào)整為矩形。其次，用調(diào)整好的電子束照射第二掩模。第二掩模具有多個矩形單元孔，在單元孔形成了局部圖形，其選取了待照射到晶片上的部分集成電路圖形。然后，通過電子光學(xué)系統(tǒng)，將這些單元孔縮小到數(shù)十分之一，并轉(zhuǎn)印到晶片上。據(jù)此，完成了集中曝光。這種局部會聚或完全會聚曝光方法不僅減少了照射的數(shù)量，以提高產(chǎn)量，而且提高了照射的連接精度、傾斜圖形的圖像質(zhì)量和圖形數(shù)據(jù)的壓縮能力。這樣，有一個優(yōu)點就是即使增加了超微細度，對晶片的繪圖時間也不會產(chǎn)生直接影響。
順便說一下，在用于上述會聚曝光方法的掩模中，有一種模版(Stencil)型EB掩模，其中將用于使電子束穿過的掩模孔做成與集成電路圖形相對應(yīng)，以及隔膜(membrane)型EB掩模，其中形成了與集成電路圖形對應(yīng)的、用于遮蔽電子束的膜。
如

圖1A所示，兩種型中的模版型EB掩模存在一個問題，即不能制備其周圍被掩?？?斜線部分)完全環(huán)繞的區(qū)，因為沒有用于支持它的部分(下文稱為環(huán)形(donut)問題)。如圖1B所示，在那些周邊除了很小的一部分之外，其余部分被掩?？?斜線部分)環(huán)繞的區(qū)中，不可能有哪部分具有足以支持它的強度。這樣，帶來一個問題是支持部分變形和損壞(下文稱為葉形(leaf)問題)。
因此，為了制備模版型EB掩模，按如下方式解決環(huán)形問題和葉形問題。即，設(shè)計EB掩模的傳統(tǒng)方法是將集成電路圖形分為兩個互補圖形，分別在兩個EB掩模中制作一個掩?？?。例如，按圖2A所示方式制備圖1A所示的集成電路圖形，按圖2B所示的方式制備圖1B所示的集成電路圖形。然后，利用其上形成了互補掩模的兩個EB掩模(下文稱為互補掩模)，通過順序曝光，將集成電路圖形縮小和轉(zhuǎn)印到晶片上。
當在模版型EB掩模上形成了互補圖形時，通常采用光刻技術(shù)在掩模上形成期望的抗蝕劑圖形，通過蝕刻制作掩?？?。這里，當在掩模上形成了抗蝕劑圖形時，對于線寬很大的圖形和線寬很窄的圖形，最佳曝光量是不同的。因此，應(yīng)該盡量避免大面積的開口(掩?？?圖形。
而且，當將集成電路圖形分為兩個互補圖形時，為了使最佳曝光量恒定，在縮小和轉(zhuǎn)印到晶片上時，減小由庫侖效應(yīng)而引起的電子束的模糊，希望使兩個互補掩模的掩?？椎拿娣e密度(area densities)彼此相等。
為此，設(shè)計EB掩模的傳統(tǒng)方法不僅要考慮環(huán)形問題和葉形問題，而且還要試圖除去存在的大面積掩?？?。同時，使得兩個互補掩模的掩?？椎拿娣e密度彼此相等。為此，傳統(tǒng)方法采用按預(yù)定長度來切分集成電路圖形的方法。
然而，在這種分割方法中，當大面積的圖形存在于集成電路圖形中時，如果它被分為兩個互補圖形，使得面積密度彼此相等，可能出現(xiàn)的一種情況就是產(chǎn)生在一點連接掩?？椎狞c接觸圖形，如圖3所示。而且，在微小尺寸的圖形中可能會產(chǎn)生連接掩?？椎奈⑿蚪訄D形，如圖4所示。
點接觸圖形和微小橋接圖形機械強度比較差。這樣，EB掩模有可能會毀壞。因此，不能制備這種互補掩模(這里稱為方格旗(checkeredflag)問題)。
用于設(shè)計EB掩模的傳統(tǒng)裝置不具有檢測點接觸圖形和微小橋接圖形的功能。為此，設(shè)計者以目檢的方式等來檢查點接觸圖形或微小橋接圖形。然后，如果出現(xiàn)點接觸圖形或微小橋接圖形，改變互補圖形的形狀，以應(yīng)對方格旗問題。
然而，如果人們檢查點接觸圖形或微小橋接圖形，并如上所述修正互補圖形，需要大量的設(shè)計步驟和昂貴的費用，TAT變長。而且，點接觸圖形或微小橋接圖形的漏檢不能使出現(xiàn)的方格旗問題得到圓滿的解決。
日本公開專利申請(JP-A-平11-237728)公開了下列繪圖方法和繪圖裝置。
第一種繪制方法包含如下步驟將包含重復(fù)圖形的制形分為格，格中邊界線向重復(fù)圖形的排列方向傾斜；利用帶電粒子束或激光束按照樣品對每個格進行繪制。
第二種繪制方法包含如下步驟將包含重復(fù)圖形的制形分為格，其中邊界線向重復(fù)圖形的排列方向傾斜；設(shè)置格的邊界線為鋸齒狀，然后利用帶電粒子束或激光束按照樣品對每個格進行繪制。
繪制設(shè)備是具有能完成第一種繪制方法兩個步驟的裝置的設(shè)備。
日本公開專利申請(JP-A-平10-284394)公開了下列用于曝光帶電束的方法和設(shè)備。
該曝光帶電束的方法將掩模設(shè)置在帶電束的光學(xué)柱形反射鏡的束通路中，至少將掩模上的部分圖形分為小區(qū)，并置于掩模上，然后改變照射束到掩模上側(cè)的小區(qū)，從而照到特別的小區(qū)，建立該小區(qū)的圖像并轉(zhuǎn)印到曝光的表面上，進一步在曝光表面上排列小區(qū)并配對，因此至少產(chǎn)生部分預(yù)定的大區(qū)圖形，這種曝光帶電束的方法的特征在于，它檢查置于曝光表面上的對準標記，從而檢查曝光表面上在旋轉(zhuǎn)方向上的定位誤差，然后利用安裝于掩模和曝光表面之間的投影透鏡系統(tǒng)中的旋轉(zhuǎn)透鏡，旋轉(zhuǎn)掩模圖形的轉(zhuǎn)印圖像，從而補償誤差，據(jù)此提高曝光表面上彼此相鄰的轉(zhuǎn)印圖形之間的連接精度。
而且，用于曝光帶電束的設(shè)備是用于曝光帶電束的設(shè)備，具有能完成上述曝光帶電束的方法的單元。
日本公開專利申請(JP-A-平9-129544)公開了下列轉(zhuǎn)印帶電粒子線的方法。
在該轉(zhuǎn)印帶電粒子線的方法中，將形成在掩模上的轉(zhuǎn)印圖形分為多個主視野，而且將每個主視野分為多個子視野，接著給每個子視野照射帶電粒子線，然后通過圖像建立透鏡系統(tǒng)將每個子視野的圖形轉(zhuǎn)印到襯底上，而且彼此同步移動掩模和襯底，據(jù)此將轉(zhuǎn)印圖形轉(zhuǎn)印到襯底上，這種轉(zhuǎn)印帶電粒子線的方法的特征在于，它補償了每個子視野轉(zhuǎn)印到襯底上的圖形的變形。
發(fā)明綜述鑒于上述問題完成了本發(fā)明。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種設(shè)計EB掩模的方法和裝置，能確保檢查到點接觸圖形和微小橋接圖形，以應(yīng)對方格旗問題。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種設(shè)計模版型EB掩模的方法和裝置，其中不僅能解決環(huán)形問題和葉形問題，而且能解決方格旗問題。
本發(fā)明的再一個目的是提供一種設(shè)計EB掩模的方法和裝置，其中設(shè)計者不必檢查點接觸圖形和微小橋接圖形，不必修正互補圖形。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的一個方面，本發(fā)明提供一種設(shè)計EB(電子束)掩模的方法，包含步驟(a)-(d)。步驟(a)是將集成電路圖形分為兩個互補圖形。步驟(b)是圍繞包含在兩個互補圖形之一中的作為目標圖形的小圖形進行掃描，同時測量目標圖形與鄰近目標圖形的小圖形之間的距離。步驟(c)是記錄目標圖形與相鄰小圖形之間的最小距離。步驟(d)是基于最小距離改變至少一個小圖形的形狀。
在設(shè)計EB掩模的方法中，步驟(d)包含步驟(e)。步驟(e)是在目標圖形和最鄰近的一個相鄰小圖形之間添加輔助圖形的步驟。
在設(shè)計EB掩模的方法中，步驟(e)可以包含步驟(f)和(g)。步驟(f)是在一個互補圖形中添加輔助圖形。步驟(g)是在另一個互補圖形中，從與輔助圖形相對應(yīng)的位置刪除與輔助圖形形狀一樣的圖形。
在設(shè)計EB掩模的方法中，步驟(d)可以包含步驟(h)。步驟(h)是在預(yù)定的方向上移動一個互補圖形的一部分。
在設(shè)計EB掩模的方法中，步驟(h)可以包含步驟(i)和(j)。步驟(i)是在預(yù)定的方向上移動一個互補圖形的一部分。步驟(j)是在另一個互補圖形中，從與所述部分相對應(yīng)的位置刪除與該部分形狀一樣的圖形。
在設(shè)計EB掩模的方法中，步驟(b)可以包含步驟(k)。步驟(k)是如果所述距離超過閾值就停止掃描的步驟。
為了實現(xiàn)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供一種用于設(shè)計EB掩模的裝置，包含存儲器和處理器。存儲器存儲數(shù)據(jù)。處理器將集成電路圖形分為兩個互補圖形；圍繞包含在一個互補圖形中的作為目標圖形的一個小圖形進行掃描，同時測量從目標圖形到與該目標圖形相鄰的小圖形之間的距離；在存儲器中記錄從目標圖形到相鄰小圖形之間的最小距離；以及基于最小距離改變至少一個小圖形的形狀。
在用于設(shè)計EB掩模的裝置中，處理器可以在目標圖形和相鄰小圖形中最鄰近的一個小圖形之間添加輔助圖形。
在用于設(shè)計EB掩模的裝置中，處理器可以在一個互補圖形中添加輔助圖形；在另一個互補圖形中，從與輔助圖形相對應(yīng)的位置刪除與輔助圖形形狀相同的圖形。
在用于設(shè)計EB掩模的裝置中，處理器可以在預(yù)定的方向上移動一個互補圖形的一部分。
在用于設(shè)計EB掩模的裝置中，可以在預(yù)定的方向上移動一個互補圖形的一部分；在另一個互補圖形中，從與所述部分相對應(yīng)的位置刪除與該部分形狀相同的圖形。
在用于設(shè)計EB掩模的裝置中，如果距離超過閾值，則處理器可以停止掃描。
圖11是示意圖，顯示了通過利用本發(fā)明的設(shè)計EB掩模的方法，進行EB掩模的圖形劃分的例子。
最佳實施例說明下面將參考附圖描述本發(fā)明。
圖5是根據(jù)本發(fā)明用于設(shè)計EB掩模的裝置的一個配置方框圖實例。圖6是顯示EB掩模的一個構(gòu)形實例的側(cè)截面圖。
根據(jù)本發(fā)明，用于設(shè)計EB掩模的裝置由計算機、例如工作站等構(gòu)成。如圖5所示，它提供有用于依據(jù)程序執(zhí)行預(yù)定處理的處理器10；用于向處理器10輸入指令、信息、數(shù)據(jù)等的輸入單元20；和用于顯示或輸出由處理器10處理的結(jié)果的輸出單元30。
處理器10配置有CPU11；主存儲器12，用于瞬時地(暫時地)存儲CPU11處理所需要的信息(數(shù)據(jù))；記錄介質(zhì)13，用于記錄程序，指示CPU11執(zhí)行預(yù)定的程序；數(shù)據(jù)累加器14，用于記錄EB掩模等的各種圖形數(shù)據(jù)；存儲控制接口單元15，用于控制數(shù)據(jù)在主存儲器12、記錄介質(zhì)13和數(shù)據(jù)累加器14之間傳輸；以及I/O接口單元16，作為處理器10和輸入單元20之間、也作為處理器10和輸出單元30之間的接口單元。然后，通過總線18將它們連接。如下所述，根據(jù)記錄在記錄介質(zhì)13中的分割處理程序，處理器10執(zhí)行分割EB掩模圖形的過程。
順便說一下，記錄介質(zhì)13可以是磁盤、半導(dǎo)體存儲器、光盤或另外的記錄介質(zhì)。在存儲器10的外圍至少可以有一個主存儲器12、一個記錄介質(zhì)13和一個數(shù)據(jù)累加器14，他們彼此之間電連接。
例如，如圖6所示，構(gòu)造了模版型EB掩模。也就是說，在作為晶體管管座(stem)的第一硅薄膜1上形成了第二硅薄膜3，其中在第一和第二硅薄膜1、3之間設(shè)置有氧化硅膜(SiO2膜)2。在第二硅薄膜3中形成有掩?？?。
利用光、電子束等，將由本發(fā)明的用于設(shè)計EB掩模的裝置設(shè)計的EB掩模數(shù)據(jù)傳輸?shù)揭阎闹茍D裝置。然后，根據(jù)上述數(shù)據(jù)在涂敷了抗蝕劑的第二硅掩模3上制出互補圖形。此后，將第二硅薄膜3蝕刻成為所需要的形狀并除去，從而制成掩?？?。
順便說一下，在圖6所示的EB掩模的情況下，繪制抗蝕劑圖形，以在第一硅薄膜1上形成與第二硅薄膜3類似的臺階。然后，分別將第一硅薄膜1和SiO2膜2蝕刻成需要的形狀并除去，從而形成晶體管管座。
下面將參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明的用于設(shè)計EB掩模的過程。
圖7是顯示本發(fā)明的設(shè)計EB掩模的方法的流程圖。圖8是示意圖，顯示了通過利用本發(fā)明的設(shè)計EB掩模的方法，檢測點接觸圖形和微小橋接圖形的過程。圖9-11是利用本發(fā)明的設(shè)計EB掩模的方法，顯示出了EB掩模的圖形分割實例示意圖。
在圖7中，與傳統(tǒng)的設(shè)計EB掩模的方法類似，處理器10首先考慮環(huán)形問題和葉形問題，將集成電路圖形分為兩個互補圖形，然后進行設(shè)計，以便沒有大面積的掩?？住６姨幚砥?0將集成電路圖形切分為預(yù)定的長度，使得兩個互補掩模的掩?？椎拿娣e密度彼此相等(步驟S1)。
每個互補掩模包含圖8所示的多個小圖形，如用斜線所表示的部分。
將集成電路圖形分成兩個互補圖形之后，處理器10產(chǎn)生掃描線，在垂直于任何一個小圖形的側(cè)面的方向上，形成一個小圖形作為目標圖形，如圖8所示。
此時，它產(chǎn)生每個掃描線直至到達相鄰的小圖形。在緩沖器(主存儲器12)中寄存長度(距離)。順便說一下，如果從目標圖形到相鄰的小圖形的距離超出當前的預(yù)定閾值(第二閾值)，該預(yù)定閾值是小圖形之間要保持的足夠的長度，可以在到達相鄰小圖形之前停止產(chǎn)生掃描線。在這種條件下，能夠減少確定從目標圖形到相鄰的小圖形之間的距離所需的計算時間。
對于每個預(yù)定的間隔反復(fù)地產(chǎn)生掃描線，直到其圍繞著目標圖形的整個周圍掃描了一周為止，并測量從目標圖形到與該目標圖形相鄰的小圖形之間的距離。然后，每當測量完目標圖形各側(cè)的最小值，就更新寄存在緩沖器中的值。這種更新導(dǎo)致與相鄰小圖形最接近的位置的坐標數(shù)據(jù)和它的長度(最小距離)將被分別存儲(寄存)在緩沖器中(步驟S2)。順便說一下，在目標圖形的每個頂點處，以頂點為中心產(chǎn)生和轉(zhuǎn)動掃描線。
然后，對于目標圖形的每一側(cè)，判斷寄存在緩沖器中的最小距離是否等于或小于當前的預(yù)定閾值(第一閾值)(步驟S3)。如果最小距離等于或小于第一閾值，寄存在緩沖器中的坐標數(shù)據(jù)和距離數(shù)據(jù)保持為原始狀態(tài)，流程進入步驟S4。如果在圖形的每一側(cè)得到的所有最小距離都大于第一閾值，則分別刪除相應(yīng)的坐標數(shù)據(jù)和距離數(shù)據(jù)，然后處理結(jié)束。
順便說一下，第一閾值設(shè)為與最小尺寸相同的值，在該最小尺寸處，可以在不出現(xiàn)變形和毀壞的情況下，制備模版型EB掩模。
作為步驟3的處理結(jié)果，在最小距離被調(diào)整為等于或小于第一閾值的位置，可以認為點接觸圖形或微小橋接圖形出現(xiàn)在目標圖形和相鄰的小圖形之間。
如果從步驟S1-S3的處理中檢測出相鄰小圖形具有等于或小于閾值的最小距離時，處理器10執(zhí)行強化處理，用于保持點接觸圖形或微小橋接圖形出現(xiàn)的部分。處理器10基于最小距離改變至少一個小圖形的形狀。例如，除了在步驟S1(步驟S4)制備的互補圖形之外，處理器10在目標圖形和相鄰小圖形中最鄰近的一個小圖形之間還制備了圖9、10所示的輔助圖形5。
順便提一下，圖9、10中的每一張圖都顯示了與圖3所示的點接觸圖形相對應(yīng)所制備的輔助圖形的一個例子。
在圖9所示的互補掩模中，在一個互補掩模的點接觸部分中制備了矩形的輔助圖形5。然后在另一個互補掩模中，從與輔助圖形5相對應(yīng)的位置刪去與制備的矩形輔助圖形5形狀相同的圖形。
同樣，在另一個互補掩模的點接觸圖形部分中制備了矩形的輔助圖形5。然后，在所述一個互補掩模中，從與輔助圖形5相對應(yīng)位置刪去與制備的矩形輔助圖形5形狀相同的圖形。
在圖10所示的互補掩模中，在一個互補掩模的點接觸圖形部分中制備了三角形的輔助圖形5。然后在另一個互補圖形中，從與輔助圖形5相對應(yīng)位置刪去與制備的三角形輔助圖形5形狀相同的圖形。
同樣，在另一個互補掩模的點接觸圖形部分中制備了三角形的輔助圖形5。然后，在所述一個互補掩模中，從與輔助圖形5相對應(yīng)位置刪去與制備的輔助圖形5形狀相同的圖形。
上述過程是要使一個互補掩模和另一個互補掩模的互補圖形的面積密度基本上彼此相等。
順便說一下，輔助圖形5并不限于圖9、10所示的形狀。只要是有足夠的區(qū)域保持點接觸圖形或微小橋接圖形出現(xiàn)的任何形狀，則都可以采用。
然后，處理器10對包含在步驟S4制備的輔助圖形5的互補圖形重復(fù)步驟S2、S3處理。然后，對小圖形的每一側(cè)測量與相鄰的小圖形之間的距離，并確認未出現(xiàn)點接觸圖形或微小橋接圖形。
分別對構(gòu)成互補圖形的所有小圖形進行上述步驟S1-S4的處理。這樣能夠設(shè)計出沒有點接觸圖形和微小橋接圖形的互補掩模。
這樣，根據(jù)本發(fā)明的設(shè)計EB掩模的方法，通過掃描線測量與相鄰小圖形的距離，檢測微小橋接圖形和點接觸圖形的出現(xiàn)部分，然后分別在檢測到的微小橋接圖形和點接觸圖形出現(xiàn)的部分制備輔助圖形5來保持他們。為此能夠得到模版型EB掩模，其中不僅可以解決環(huán)形問題和葉形問題，而且可以解決方格旗問題。特別是設(shè)計者不必檢測點接觸圖形和微小橋接圖形，也不必修正互補圖形。因此，能夠確保檢測到點接觸圖形和微小橋接圖形，從而解決由點接觸圖形和微小橋接圖形的誤差而引起的方格旗問題。
順便說一下，作為在步驟S4對點接觸圖形和微小橋接圖形的強化處理，可以用下列方法代替添加圖9、10所示的輔助圖形。即，如圖11所示，一個互補掩模的部分互補圖形移動預(yù)定的距離L，另一個互補掩模的部分互補圖形同樣移動預(yù)定的距離L。上述關(guān)于在點接觸圖形和微小橋接圖形出現(xiàn)的部分中改變圖形的處理提供了足夠的圖形區(qū)域來保持它們。然而，在這種情況下，也試圖使一個互補掩模和另一個互補掩模的互補圖形的區(qū)域密度彼此相等。即使如上所述移動了部分互補圖形，也可以解決點接觸圖形和微小橋接圖形的出現(xiàn)，從而得到與添加輔助圖形5的情況相同的效果。
由于其具有上述結(jié)構(gòu)，本發(fā)明可以提供下列效果。
對于構(gòu)成互補圖形的所有小圖形，在垂直于小圖形的側(cè)邊的方向上產(chǎn)生掃描線。然后測量與相鄰小圖形的距離，寄存最小距離，該最小距離指的是每一側(cè)邊與最鄰近的小圖形之間的距離。如果該最小距離等于或小于閾值(該閾值指的是模版型EB掩模能夠被制備的距離)，則在以最小的距離彼此相接的圖形之間的相鄰部分中，添加具有足夠面積的輔助圖形，來保持所述相鄰部分?；蛘?，在預(yù)定的方向上移動部分互補圖形，使得在最小距離處彼此連接的圖形之間的相鄰部分在最小距離處彼此連接，所述相鄰部分具有足夠的面積來保持相鄰部分。具有這樣的結(jié)構(gòu)，能夠得到模版型EB掩模，其中不僅可以解決環(huán)形和葉形問題，而且可以解決方格旗問題。特別是，設(shè)計者不必檢測點接觸圖形和微小橋接圖形，也不必修正互補圖形。因此能夠確保檢測到點接觸圖形和微小橋接圖形，從而解決由點接觸圖形和微小橋接圖形的誤差而引起的方格旗問題。
而且，如果與相鄰小圖形的距離超過第二閾值(該第二閾值指的是用以支持小圖形的相鄰部分的足夠的長度)，則在到達相鄰小圖形之前就停止產(chǎn)生掃描線。由此，能夠減少確定與相鄰小圖形之間的距離所需要的計算時間。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)計電子束(EB)掩模的方法，包括步驟(a)將集成電路圖形分為兩個互補圖形；(b)圍繞包含在所述兩個互補圖形之一中的一個作為目標圖形的小圖形進行掃描，同時測量從所述目標圖形到與所述目標圖形相鄰的所述小圖形的距離；(c)記錄從所述目標圖形到所述相鄰小圖形之間的最小距離；和(d)基于所述最小距離改變至少一個所述小圖形的形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)計EB掩模的方法，其特征在于，所述步驟(d)包括如下步驟(e)在所述目標圖形和最接近的一個所述相鄰小圖形之間添加輔助圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)計EB掩模的方法，其特征在于，所述步驟(e)包括如下步驟(f)在所述一個互補圖形中添加輔助圖形；和(g)在所述互補圖形中的另一個互補圖形中，從與所述輔助圖形相對應(yīng)的位置刪除與所述輔助圖形形狀一樣的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)計EB掩模的方法，其特征在于，所述步驟(d)包括如下步驟(h)在預(yù)定的方向上移動所述一個互補圖形的一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的設(shè)計EB掩模的方法，其特征在于，所述步驟(h)包括(i)在所述預(yù)定的方向上移動所述一個互補圖形的所述部分；和(j)在所述兩個互補圖形中的另一個互補圖形中，從與所述部分相對應(yīng)的位置刪除與該部分形狀一樣的圖形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的設(shè)計EB掩模的方法，其特征在于，所述步驟(b)包括如下步驟(k)如果所述距離超過閾值，則停止所述掃描。
7.一種用于設(shè)計EB掩模的裝置，包括存儲器(12)；和處理器(10)，該處理器將集成電路圖形分為兩個互補圖形；圍繞包含在所述兩個互補圖形之一中的一個作為目標圖形的小圖形進行掃描，同時測量從所述目標圖形到與所述目標圖形相鄰的所述小圖形之間的距離；將從所述目標圖形到所述相鄰小圖形之間的最小距離寄存到存儲器(12)中；和基于所述最小距離改變至少一個所述小圖形的形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的用于設(shè)計EB掩模的裝置，其特征在于，所述處理器(10)在所述目標圖形和所述相鄰小圖形中最鄰近的一個小圖形之間添加輔助圖形。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的用于設(shè)計EB掩模的裝置，其特征在于，所述處理器(10)在所述一個互補圖形中添加所述輔助圖形；和在所述兩個互補圖形中的另一個互補圖形中，從與所述輔助圖形相對應(yīng)的位置刪除與所述輔助圖形形狀相同的圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的用于設(shè)計EB掩模的裝置，其特征在于，所述處理器(10)在預(yù)定的方向上移動所述一個互補圖形的一部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的用于設(shè)計EB掩模的裝置，其特征在于，處理器(10)在所述預(yù)定的方向上移動所述一個互補圖形的所述部分；和在所述兩個互補圖形中的另一個互補圖形中，從與所述部分相對應(yīng)的位置去除與所述部分形狀相同的圖形。
12.根據(jù)權(quán)利要求7的用于設(shè)計EB掩模的裝置，其特征在于，如果所述距離超過閾值，則所述處理器(10)停止所述掃描。
全文摘要
在設(shè)計EB(電子束)掩模的方法中,包含步驟(a)－(d)。步驟(a)將集成電路圖形分為兩個互補圖形。步驟(b)圍繞包含在所述兩個互補圖形之一中的一個作為目標圖形的小圖形進行掃描,并測量從所述目標圖形到與所述目標圖形鄰近的小圖形之間的距離。步驟(c)寄存從所述目標圖形到所述相鄰小圖形之間的最小距離。步驟(d)基于所述最小距離改變至少一個所述小圖形的形狀。
文檔編號G03F1/20GK1347012SQ0114225
公開日2002年5月1日 申請日期2001年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2000年9月22日
發(fā)明者小日向秀夫 申請人:日本電氣株式會社