技術(shù)編號(hào)：2783420
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及在電子束曝光設(shè)備中使用的設(shè)計(jì)EB(電子束)掩模的方法和用于設(shè)計(jì)EB掩模的裝置，以便在半導(dǎo)體襯底上繪制預(yù)定圖形。作為利用電子束的電子束制圖技術(shù)，已知的有局部會(huì)聚或完全會(huì)聚的曝光技術(shù)，用于縮小和投影EB掩模的圖形，然后在晶片上集中繪制單元區(qū)，例如存儲(chǔ)器單元等。那些曝光方法通常采用兩個(gè)掩模。首先，采用第一掩模將電子束調(diào)整為矩形。其次，用調(diào)整好的電子束照射第二掩模。第二掩模具有多個(gè)矩形單元孔，在單元孔形成了局部圖形，其選取了待照射到晶片上的部分集成電路圖...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。