線121來提供具有低電平的掃描信號Sn。然 后，根據(jù)具有低電平的掃描信號Sn來導(dǎo)通開關(guān)薄膜晶體管T2和補償薄膜晶體管T3。在該 情況下，通過導(dǎo)通的補償薄膜晶體管T3來二極管-連接驅(qū)動薄膜晶體管T1，并且驅(qū)動薄膜 晶體管T1在正向被偏置。
[0166] 然后，從數(shù)據(jù)線171提供的數(shù)據(jù)信號Dm中減去驅(qū)動薄膜晶體管T1的閾值電壓Vth 而得到的補償電壓Dm+Vth(Vth是負（-)值）被施加至驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極G1。驅(qū) 動電壓ELVDD和補償電壓Dm+Vth被施加至存儲電容器Cst的兩端，并且與兩端之間的電壓 差對應(yīng)的電荷存儲在存儲電容器Cst中。
[0167] 此后，在發(fā)射周期中，從發(fā)射控制線123提供的發(fā)射控制信號Em從高電平變化到 低電平。然后，在發(fā)射周期中，通過低電平的發(fā)射控制信號Em來導(dǎo)通操作控制薄膜晶體管 T5和發(fā)射控制薄膜晶體管T6。
[0168] 然后，根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極G1的電壓和驅(qū)動電壓ELVDD之間的電壓 差來生成驅(qū)動電流，并且0LED驅(qū)動電流IaED通過發(fā)射控制薄膜晶體管T6提供至有機發(fā)光 二極管0LED。在發(fā)射周期中，通過存儲電容器Cst將驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵-源電極電壓 Vgs保持在'（Dm+Vth)-ELVDD'，并且根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管T1的電流-電壓關(guān)系，驅(qū)動電流 Id與通過從源-柵電極電壓Vgs減去閾值電壓Vth而得到的值的平方'（Dm-ELVDD) 2'成正 比。因此，與驅(qū)動薄膜晶體管T1的閾值電壓Vth無關(guān)地確定驅(qū)動電流1。_。
[0169] 旁路薄膜晶體管T7從旁路控制線128接收旁路信號BP。旁路信號BP是具有預(yù)定 電平的電壓，其可以一直關(guān)斷旁路薄膜晶體管T7,旁路薄膜晶體管T7從柵電極G7接收具有 晶體管關(guān)斷電平的電壓，并且因此旁路薄膜晶體管T7-直被關(guān)斷，并且在關(guān)斷狀態(tài)中，驅(qū) 動電流。的一部分通過旁路薄膜晶體管T7流出，作為旁路電流Ibp。
[0170] 甚至在用于顯示黑色圖像的驅(qū)動薄膜晶體管T1的最小電流作為驅(qū)動電流流動的 情況下，當有機發(fā)光二極管0LED發(fā)光時，黑色圖像不會很好地顯示。因此，旁路薄膜晶體管 T7可以將驅(qū)動薄膜晶體管T1的最小電流的一部分作為旁路電流Ibp而分配至除了有機發(fā) 光二極管側(cè)的電流路徑之外的另一電流路徑。驅(qū)動薄膜晶體管T1的最小電流對應(yīng)于在驅(qū) 動薄膜晶體管T1關(guān)斷的情況下的電流，因為驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵-源電壓Vgs小于閾 值電壓Vth。驅(qū)動薄膜晶體管T1關(guān)斷情況下的最小驅(qū)動電流（例如等于或小于10pA的電 流）被傳送至有機發(fā)光二極管0LED，以表示為處于黑色亮度的圖像。
[0171] 當表示黑色圖像的最小驅(qū)動電流流動時，對旁路電流Ibp的旁路傳送的影響很大。 但是，當表不諸如正常圖像或白色圖像的圖像的大驅(qū)動電流流動時，可能對芳路電流Ibp有 很小的影響。因此，當顯示黑色圖像的驅(qū)動電流流動時，通過旁路電流\的電流量減小的 有機發(fā)光二極管的0LED驅(qū)動電流IaED具有作為可以精確表示黑色圖像的電平的最小電流 量，該旁路電流Ibp通過旁路薄膜晶體管T7從驅(qū)動電流Id流出。
[0172] 因此，通過使用旁路薄膜晶體管，精確地實現(xiàn)黑色亮度圖像，從而改進對比率。
[0173] 在圖16中，因為作為旁路信號BP，提供與先前掃描信號Sn-Ι相同的信號，所以代 替旁路控制線128,先前掃描線122可以連接至旁路薄膜晶體管T7。在該情況下，可以省略 旁路控制線128。
[0174] 圖17至圖19示出有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備的另一實施方式的詳細結(jié)構(gòu)。具體地， 圖17示出像素的另一布局實施方式，圖18是三個相鄰像素的另一布局實施方式，并且圖19 示出沿線XIX-XIX得到的圖17的有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備的剖視圖。
[0175] 如圖16所示，像素包括分別施加掃描信號Sn、先前掃描信號Sn-Ι、發(fā)射控制信號 Em、旁路信號BP和初始化電壓Vint的并且在行方向形成的掃描線121、先前掃描線122、 發(fā)射控制線123、旁路控制線128和初始化電壓線124,并且包括與掃描線121、先前掃描線 122、發(fā)射控制線123、旁路控制線128和初始化電壓線124都相交且施加數(shù)據(jù)信號Dm至像 素的數(shù)據(jù)線171。
[0176] 像素還包括用于施加驅(qū)動電壓ELVDD的驅(qū)動電壓線126/172。驅(qū)動電壓線126/172 通過與掃描線121平行的第一驅(qū)動電壓線126和與數(shù)據(jù)線171平行的第二驅(qū)動電壓線172 構(gòu)成。第一驅(qū)動電壓線126和第二驅(qū)動電壓線172彼此電連接。
[0177] 像素還包括驅(qū)動薄膜晶體管T1、開關(guān)薄膜晶體管T2、補償薄膜晶體管T3-1和 T3-2、初始化薄膜晶體管T4-1和T4-2、操作控制薄膜晶體管T5、發(fā)射控制薄膜晶體管T6、旁 路薄膜晶體管T7、存儲電容器Cst和有機發(fā)光二極管OLED。參照圖17的示例性實施方式， 補償薄膜晶體管T3-1和T3-2和初始化薄膜晶體管T4-1和T4-2具有雙柵結(jié)構(gòu)，并且以下 將被描述為彼此連接的晶體管。
[0178] 驅(qū)動薄膜晶體管T1、開關(guān)薄膜晶體管T2、補償薄膜晶體管T3-1和T3-2、初始化薄 膜晶體管T4-1和T4-2、操作控制薄膜晶體管T5和發(fā)射控制薄膜晶體管T6的溝道形成在一 個連接的半導(dǎo)體131內(nèi)部，并且半導(dǎo)體131形成為被彎曲成各種形狀。根據(jù)圖17的示例性 實施方式的半導(dǎo)體131包括垂直部分，該垂直部分在根據(jù)驅(qū)動薄膜晶體管T1的半導(dǎo)體131a 的左側(cè)和右側(cè)處在垂直方向（與數(shù)據(jù)線171平行的方向）中延伸，并且每個垂直部分的兩 端被彎曲。此外，額外延伸將被彎曲成'Π'形的部分包括在右側(cè)垂直部分之上，并且向下 額外延伸的部分包括在右側(cè)垂直部分之下。
[0179] 驅(qū)動薄膜晶體管T1的半導(dǎo)體131a具有反向'S'形，反向'Η'形的大部分構(gòu)成驅(qū) 動薄膜晶體管Τ1的半導(dǎo)體131a，并且驅(qū)動薄膜晶體管Τ1的源電極176a和漏電極177a分 別設(shè)置在與設(shè)置在左側(cè)和右側(cè)處的垂直部分相鄰的部分處。在示例性實施方式中驅(qū)動薄膜 晶體管T1的半導(dǎo)體131a具有反向4己'形。在另一實施方式中，半導(dǎo)體131a可以具有不 同的形狀和/或一個或多個彎曲部分。此外，驅(qū)動薄膜晶體管T1的半導(dǎo)體131a包括在第 一方向延伸的多個第一延伸部31和在與第一方向不同的第二方向延伸的多個第二延伸部 32,并且彎曲部分33可以具有連接第一延伸部31與第二延伸部32的結(jié)構(gòu)。
[0180] 在與驅(qū)動薄膜晶體管T1的源電極176a連接的左側(cè)垂直部分處，形成有設(shè)置在上 方的開關(guān)薄膜晶體管T2的半導(dǎo)體131b和設(shè)置在下方的操作控制薄膜晶體管T5的半導(dǎo)體 131e。在開關(guān)薄膜晶體管T2的半導(dǎo)體131b與操作控制薄膜晶體管T5的半導(dǎo)體131e之間， 開關(guān)薄膜晶體管T2的漏電極177b和操作控制薄膜晶體管T5的漏電極177e設(shè)置成與驅(qū)動 薄膜晶體管T1的源電極176a連接。
[0181] 開關(guān)薄膜晶體管T2的源電極176b設(shè)置在開關(guān)薄膜晶體管T2的半導(dǎo)體131b之上， 并且操作控制薄膜晶體管T5的源電極176e設(shè)置在操作控制薄膜晶體管T5的半導(dǎo)體131e 之下。
[0182] 在與驅(qū)動薄膜晶體管T1的漏電極177a連接的右側(cè)垂直部分處，形成有設(shè)置在上 方的補償薄膜晶體管T3-1和T3-2的半導(dǎo)體131c-l和131c-2和設(shè)置在下方的發(fā)射控制薄 膜晶體管T6的半導(dǎo)體131f。在補償薄膜晶體管T3-1和T3-2的半導(dǎo)體131c-l和131c-2 與發(fā)射控制薄膜晶體管T6的半導(dǎo)體131f之間，補償薄膜晶體管T3-1和T3-2的第二補償 薄膜晶體管T3-2的源電極176C-2和發(fā)射控制薄膜晶體管T6的源電極176f設(shè)置成與驅(qū)動 薄膜晶體管T1的漏電極177a連接。下面將更詳細地描述補償薄膜晶體管T3-1和T3-2的 結(jié)構(gòu)。
[0183] 補償薄膜晶體管T3-1和T3-2包括第一補償薄膜晶體管T3-1和第二補償薄膜晶 體管T3-2,并且第一補償薄膜晶體管T3-1根據(jù)掃描線121的突出進行設(shè)置，并且第二補償 薄膜晶體管T3-2根據(jù)掃描線121和半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分彼此重疊的位置處的部分 進行設(shè)置。首先，第二補償薄膜晶體管T3-2的源電極176C-2與發(fā)射控制薄膜晶體管T6的 源電極176f和驅(qū)動薄膜晶體管T1的漏電極177a連接，柵電極125c-2設(shè)置在掃描線121 的與右側(cè)垂直部分重疊的部分處，半導(dǎo)體131C-2設(shè)置在半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分的與掃 描線121重疊的部分處，并且漏電極177C-2設(shè)置在半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分的半導(dǎo)體 131c-2 之上。
[0184] 同時，第一補償薄膜晶體管T3-1的源電極176c_l與第二補償薄膜晶體管T3-2的 漏電極177c-2連接，柵電極125c-l設(shè)置在掃描線121的突出處，半導(dǎo)體131c-l設(shè)置在半 導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分的與掃描線121的突出重疊的部分處，并且漏電極177C-1設(shè)置在 根據(jù)半導(dǎo)體131C-1與源電極176C-1相對的一側(cè)處。第一補償薄膜晶體管T3-1設(shè)置在從 半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分以'Π'形額外延伸的部分處。
[0185] 發(fā)射控制薄膜晶體管T6的漏電極177f設(shè)置在發(fā)射控制薄膜晶體管T6的半導(dǎo)體 131f之下，并且初始化薄膜晶體管T4-1和T4-2的半導(dǎo)體131d-l和131d-2進一步形成于 在第二補償薄膜晶體管T3-2的半導(dǎo)體131C-2和漏電極177C-1之上額外延伸的'Π'形額 外延伸部處。在第一初始化薄膜晶體管T4-1的半導(dǎo)體131d-l與第一補償薄膜晶體管T3-1 的漏電極177c-l之間，第一初始化薄膜晶體管T4-1的漏電極177d-l被設(shè)置，并且第二初 始化薄膜晶體管T4-2的源電極176d-2被設(shè)置在額外延伸的'仁'形部分的一端處。下面 將更詳細地描述初始化薄膜晶體管T4-1和T4-2的結(jié)構(gòu)。
[0186] 初始化薄膜晶體管T4-1和T4-2包括第一初始化薄膜晶體管T4-1和第二初始化 薄膜晶體管T4-2,并且第一初始化薄膜晶體管T4-1根據(jù)先前掃描線122的突出進行設(shè)置， 并且第二初始化薄膜晶體管T4-2根據(jù)先前掃描線122和半導(dǎo)體131的'Π'形部分彼此重 疊位置處的部分進行設(shè)置。
[0187] 首先，第一初始化薄膜晶體管T4-1的源電極176d-l與第一補償薄膜晶體管T3-1 的漏電極177c-l連接，柵電極125d-l設(shè)置在先前掃描線122的與半導(dǎo)體131的'仁'形部 分重疊的部分處，半導(dǎo)體131d-l設(shè)置在半導(dǎo)體131的'仁'形部分的與先前掃描線122的 突出重疊的部分處，并且漏電極177d-l設(shè)置在根據(jù)半導(dǎo)體131d-l與源電極176d-l相對的 一側(cè)處。
[0188] 第二初始化薄膜晶體管T4-2的源電極176d-2與第一初始化薄膜晶體管T4-1的 漏電極177d-l連接，柵電極125d-2設(shè)置在先前掃描線122的與半導(dǎo)體131的'仁'形部分 重疊的部分處，半導(dǎo)體131d-2設(shè)置在半導(dǎo)體131的'Π'形部分的與先前掃描線122重疊 的部分處，并且漏電極177d-2設(shè)置在作為根據(jù)半導(dǎo)體131d-2與源電極176d-2相對的一側(cè) 的、半導(dǎo)體131的'仁'形部分的一端處。
[0189] 此外，向下額外延伸的部分設(shè)置在發(fā)射控制薄膜晶體管T6的漏電極177f之下。旁 路薄膜晶體管T7的源電極176g設(shè)置在與發(fā)射控制薄膜晶體管T6的漏電極177f相鄰的一 側(cè)處，并且接著順序地設(shè)置旁路薄膜晶體管T7的半導(dǎo)體131g和旁路薄膜晶體管T7的漏電 極 177g。
[0190] 在另一實施方式中，半導(dǎo)體131可以具有不同結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體131例如可以包括多 晶半導(dǎo)體材料?？梢詢H摻雜相應(yīng)區(qū)域來形成在半導(dǎo)體131中形成的源電極/漏電極。此 外，在半導(dǎo)體131中，在不同晶體管的源電極和漏電極之間的區(qū)域被摻雜，并且因此源電極 和漏電極可以彼此電連接。
[0191] 半導(dǎo)體131形成在絕緣襯底110上，并且緩沖層111可以設(shè)置在絕緣襯底110與 半導(dǎo)體131之間。緩沖層111可以用于通過在形成多晶半導(dǎo)體的結(jié)晶過程中阻止來自絕緣 襯底110的雜質(zhì)來改進多晶半導(dǎo)體的特性，并且可以用于減少施加至絕緣襯底110的應(yīng)力。
[0192] 覆蓋半導(dǎo)體131的柵絕緣層141形成在半導(dǎo)體131上。柵絕緣層141可以由無機 絕緣層形成。
[0193] 在行方向形成的掃描線121、先前掃描線122、發(fā)射控制線123、初始化電壓線124、 第一驅(qū)動電壓線126、旁路控制線128和驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極125a被形成在柵絕緣 層141上。
[0194] 掃描線121和先前掃描線122分別具有突出，并且掃描線121的突出向先前掃描 線122突出，以及先前掃描線122的突出向掃描線121突出。
[0195] 首先，掃描線121的突出在掃描線121的向上方向突出，與第一補償薄膜晶體管 T3-1的半導(dǎo)體131c-l重疊，并且構(gòu)成第一補償薄膜晶體管T3-1的柵電極125c-l。第一補 償薄膜晶體管T3-1的源電極176c-l和漏電極177c-l不與第一補償薄膜晶體管T3-1的柵 電極125c-l重疊。
[0196] 先前掃描線122的突出在先前掃描線122的向下方向突出，與第一初始化薄膜晶 體管T4-1的半導(dǎo)體131d-l重疊，并且構(gòu)成第一初始化薄膜晶體管T4-1的柵電極125d-l。 第一初始化薄膜晶體管T4-1的源電極176d-l和漏電極177d-l不與第一初始化薄膜晶體 管T4-1的柵電極125d-l重疊。
[0197] 發(fā)射控制線123設(shè)置在掃描線121之下，并且發(fā)射控制線123分別與左側(cè)垂直部 分和右側(cè)垂直部分重疊。發(fā)射控制線123與半導(dǎo)體131的左側(cè)垂直部分的操作控制薄膜晶 體管T5的半導(dǎo)體131e重疊，但不與操作控制薄膜晶體管T5的源電極176e和漏電極177e 重疊。此外，發(fā)射控制線123與半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分的發(fā)射控制薄膜晶體管T6的半 導(dǎo)體131f重疊，但不與發(fā)射控制薄膜晶體管T6的源電極176f和漏電極177f重疊。
[0198] 初始化電壓線124設(shè)置在先前掃描線122之上，并且初始化電壓線124具有部分 擴張區(qū)域。初始化電壓線124的擴張區(qū)域?qū)⒈粩U張，以容易地接觸另一導(dǎo)線。
[0199] 第一驅(qū)動電壓線126設(shè)置在初始化電壓線124之上，并且第一驅(qū)動電壓線126還 具有部分擴張區(qū)域，以容易地接觸另一導(dǎo)線。
[0200] 初始化電壓線124和第一驅(qū)動電壓線126不與半導(dǎo)體131重疊。
[0201] 旁路控制線128在像素底部處在水平方向延伸并且與半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分 之下的額外延伸部重疊，并且旁路薄膜晶體管T7的半導(dǎo)體131g設(shè)置在被重疊的額外延伸 部處。
[0202] 驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極125a形成為四邊形的形狀，并且與半導(dǎo)體131的反 向<Ξ|形部分（即驅(qū)動薄膜晶體管T1的半導(dǎo)體131a)重疊。驅(qū)動薄膜晶體管T1的源電 極176a和漏電極177a不與驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極125a重疊。
[0203] 層間絕緣層160覆蓋在掃描線121、先前掃描線122、發(fā)射控制線123、初始化電壓 線124、第一驅(qū)動電壓線126、旁路控制線128、驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極125a、和暴露的 柵絕緣層141上。層間絕緣層160可以由無機絕緣層形成。
[0204]多個接觸孔 161、162、163、164、165、166、167、168 和 169 形成在層間絕緣層 160 中。第一接觸孔161暴露第一驅(qū)動電壓線126的擴張區(qū)域，第二接觸孔162暴露初始化電壓 線124的擴張區(qū)域，并且第三接觸孔163暴露半導(dǎo)體131的額外延伸的'Π'形部分的端部 (第二初始化薄膜晶體管T4-2的源電極176d-2)。第四接觸孔164暴露半導(dǎo)體131的左側(cè) 垂直部分的上端（開關(guān)薄膜晶體管T2的源電極176b)，第五接觸孔165暴露半導(dǎo)體131的 左側(cè)垂直部分的下端（操作控制薄膜晶體管T5的源電極176e)，第六接觸孔166暴露第一 補償薄膜晶體管T3-1的漏電極177c-l，該漏電極177c-l是從半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分 額外延伸的'Π'形部分的一部分。第七接觸孔167暴露驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極125a 的部分區(qū)域，并且第八接觸孔168暴露半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分的下端（發(fā)射控制薄膜 晶體管T6的源電極176f)。此外，第九接觸孔169暴露半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分之下的 額外延伸部的端部（旁路薄膜晶體管T7的漏電極177g)。
[0205] 數(shù)據(jù)線171、具有擴張區(qū)域175的第二驅(qū)動電壓線172、第一連接部件173、第二連 接部件174和第三連接部件178形成在層間絕緣層160上。
[0206] 數(shù)據(jù)線171穿過第四接觸孔164以在垂直方向延伸，并且通過第四接觸孔164與 開關(guān)薄膜晶體管T2的源電極176b連接。因此，在數(shù)據(jù)線171中流動的數(shù)據(jù)電壓被傳送至 開關(guān)薄膜晶體管T2的源電極176b。
[0207] 第二驅(qū)動電壓線172在垂直方向延伸，并且通過第一接觸孔161與第一驅(qū)動電壓 線126連接。第一驅(qū)動電壓線126在水平方向傳送驅(qū)動電壓ELVDD，并且第二驅(qū)動電壓線 172在垂直方向傳送驅(qū)動電壓ELVDD。第二驅(qū)動電壓線172具有擴張區(qū)域175,并且對于每 一個像素形成一個擴張區(qū)域。第二驅(qū)動電壓線172的擴張區(qū)域175構(gòu)成存儲電容器Cst的 第二電極175。驅(qū)動電壓ELVDD被施加至存儲電容器Cst的第二電極175。存儲電容器Cst 的第二電極175與驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極125a和具有反向形的驅(qū)動薄膜晶體管 Τ1的半導(dǎo)體131a重疊。存儲電容器Cst通過驅(qū)動薄膜晶體管Τ1的柵電極125a、存儲電容 器Cst的第二電極175、和該柵電極125a與第二電極175之間的層間絕緣層160構(gòu)成。
[0208] 根據(jù)第二驅(qū)動電壓線172的上述結(jié)構(gòu)，因為第二驅(qū)動電壓線172和存儲電容器Cst 的第二電極175由相同材料一起形成，所以存儲電容器Cst的電極不需要形成在單獨的層 上。因此，減少制造中使用的掩模數(shù)量。當考慮掩模的單位價格時，減少了制造成本并且縮 短了制造時間。
[0209] 第一連接部件173通過第二接觸孔162、第三接觸孔163和第九接觸孔169來連 接初始化電壓線124、第二初始化薄膜晶體管T4-2的源電極176d-2和旁路薄膜晶體管T7 的漏電極177g。因此，初始化電壓Vint被施加至第二初始化薄膜晶體管T4-2的源電極 176d-2和旁路薄膜晶體管T7的漏電極177g。這里因為第一和第二初始化薄膜晶體管T4-1 和T4-2可以表示為具有雙柵結(jié)構(gòu)的一個薄膜晶體管，所以可以理解初始化電壓Vint被施 加至初始化薄膜晶體管T4的源電極S4。
[0210] 第二連接部件174通過第六接觸孔166和第七接觸孔167連接第一補償薄膜晶體 管T3-1的漏電極177c-l和驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極125a。因此，第一補償薄膜晶體管 T3-1的漏電極177C-1的電壓被施加至驅(qū)動薄膜晶體管T1的柵電極125a。驅(qū)動薄膜晶體 管T1的柵電極125a的一部分具有暴露區(qū)域，該暴露區(qū)域不與第二驅(qū)動電壓線172的擴張 區(qū)域175重疊，并且該暴露區(qū)域通過第二連接部件174與第一補償薄膜晶體管T3-1的漏電 極177c-l連接。
[0211] 第三連接部件178形成在第八接觸孔168上，以與發(fā)射控制薄膜晶體管T6的源電 極176f連接。平面化層180設(shè)置在第三連接部件178上。第一上接觸孔181包括在平面 化層180中，以暴露第三連接部件178。像素電極191設(shè)置在平面化層180上，并且像素電 極191和第三連接部件178通過平面化層180的第一上接觸孔181彼此連接。因此，像素電 極191與發(fā)射控制薄膜晶體管T6的源電極176f連接。有機發(fā)射層370設(shè)置像素電極191 上，并且公共電極270設(shè)置在有機發(fā)射層370上。像素電極191、有機發(fā)射層370和公共電 極270構(gòu)成有機發(fā)光二極管70,并且像素電極191是有機發(fā)光二極管70的陽極。
[0212] 驅(qū)動薄膜晶體管T1通過柵電極125a、半導(dǎo)體131a、源電極176a和漏電極177a構(gòu) 成，開關(guān)薄膜晶體管T2通過柵電極125b、半導(dǎo)體131b、源電極176b和漏電極177b構(gòu)成，補 償薄膜晶體管T3-1和T3-2分別通過柵電極125c-l、半導(dǎo)體131c-l、源電極176c-l和漏電 極177c-l、和柵電極125c-2、半導(dǎo)體131c-2、源電極176c-2和漏電極177c-2構(gòu)成，初始化 薄膜晶體管T4-1和T4-2分別通過柵電極125d-l、半導(dǎo)體131d-l、源電極176d-l和漏電極 177d-l、和柵電極125d-2、半導(dǎo)體131d-2、源電極176d-2和漏電極177d-2構(gòu)成，操作控制 薄膜晶體管T5通過柵電極125e、半導(dǎo)體131e、源電極176e和漏電極177e構(gòu)成，發(fā)射控制 薄膜晶體管T6通過柵電極125f、半導(dǎo)體131f、源電極176f和漏電極177f構(gòu)成，并且旁路 薄膜晶體管T7通過柵電極125g、半導(dǎo)體131g、源電極176g和漏電極177g構(gòu)成。此外，存 儲電容器Cst通過柵電極125a和擴張區(qū)域175構(gòu)成。
[0213] 甚至在圖17至圖19的示例性實施方式中，可以根據(jù)圖3至圖5的示例性實施方 式的制造方法來制造有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備。
[0214] 圖20至圖22示出有機發(fā)光二極管顯示設(shè)備的另一實施方式。在圖20至圖22中， 包括與圖15相同的電路結(jié)構(gòu)。但是，與圖17至圖19不同，存在以下區(qū)別：第一驅(qū)動電壓線 不與掃描線121形成在相同的層上，而與像素電極191形成在