有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本文中描述的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備和有機(jī)發(fā)光二 極管顯示設(shè)備的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)發(fā)光顯示器使用多個(gè)像素產(chǎn)生圖像。每個(gè)像素包括有機(jī)發(fā)光二極管，并且每 個(gè)二極管由兩個(gè)電極之間的有機(jī)發(fā)射層形成。來自一個(gè)電極的電子和來自另一電極的空穴 在有機(jī)發(fā)射層中耦合，以產(chǎn)生激子。當(dāng)激子變化狀態(tài)時(shí)，則發(fā)光。
[0003] 每個(gè)像素使用薄膜晶體管和電容器，以驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管。晶體管包括開關(guān)晶 體管和驅(qū)動(dòng)晶體管。為了在每個(gè)像素中形成晶體管、電容器以及有機(jī)發(fā)光層，使用多個(gè)掩 模。每個(gè)掩模的成本非常昂貴。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004] 根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備包括：襯底；設(shè)置在襯底上 的開關(guān)薄膜晶體管的半導(dǎo)體；設(shè)置在襯底上并且具有一個(gè)或多個(gè)彎曲部分的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體 管的半導(dǎo)體；覆蓋開關(guān)薄膜晶體管的半導(dǎo)體和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的半導(dǎo)體的柵絕緣層；位于 柵絕緣層上并且與開關(guān)薄膜晶體管的半導(dǎo)體重疊的開關(guān)薄膜晶體管的柵電極；位于柵絕緣 層上并且與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的半導(dǎo)體重疊的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵電極；覆蓋開關(guān)薄膜晶體 管的柵電極和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵電極的層間絕緣層；設(shè)置在層間絕緣層上并且與開關(guān)薄 膜晶體管的半導(dǎo)體電連接的數(shù)據(jù)線；以及設(shè)置在層間絕緣層上的第一驅(qū)動(dòng)電壓線，其中，第 一驅(qū)動(dòng)電壓線包括在第一方向延伸的第一部分和在與第一方向垂直的第二方向具有比第 一部分的寬度更大的寬度的第二部分，以及第二部分與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵電極重疊，并 且層間絕緣層插設(shè)于第二部分和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的柵電極之間。
[0005] 根據(jù)一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施方式，有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備包括：襯底；設(shè)置在襯 底上且配置為傳送掃描信號(hào)的掃描線；配置為傳送數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線和配置為傳送驅(qū)動(dòng)電 壓的第一驅(qū)動(dòng)電壓線，第一驅(qū)動(dòng)電壓線包括在與在第一方向延伸的掃描線相交的方向延伸 的第一部分和連接至第一部分的第二部分；包括連接至掃描線的第一柵電極、連接至數(shù)據(jù) 線的第一源電極、和面向第一源電極的第一漏電極的開關(guān)薄膜晶體管；包括連接至第一漏 電極的第二源電極、面向第二源電極的第二漏電極、第二柵電極、和半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體 管；包括作為第一存儲(chǔ)端的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二柵電極并且包括作為第二存儲(chǔ)端的第一 驅(qū)動(dòng)電壓線的第二部分的存儲(chǔ)電容器；以及與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的第二漏電極電連接有機(jī)發(fā) 光二極管。
[0006] 根據(jù)一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施方式，用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的方法包括： 在襯底上形成驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體和開關(guān)半導(dǎo)體；在驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體和開關(guān)半導(dǎo)體上形成柵絕緣層；在 柵絕緣層上形成驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O和開關(guān)柵電極，并且驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O和開關(guān)柵電極分別與驅(qū)動(dòng)半導(dǎo) 體的溝道區(qū)和開關(guān)半導(dǎo)體的溝道區(qū)對(duì)應(yīng)；形成覆蓋驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O和開關(guān)柵電極的層間絕緣 層；以及在層間絕緣層上形成數(shù)據(jù)線和第一驅(qū)動(dòng)電壓線，第一驅(qū)動(dòng)電壓線包括在第一方向 大體延伸的第一部分和在與第一方向垂直的第二方向比第一部分更寬的第二部分；形成第 二驅(qū)動(dòng)電壓線，第二驅(qū)動(dòng)電壓線與第一驅(qū)動(dòng)電壓線處于不同的層中并且與第一驅(qū)動(dòng)電壓線 電連接，第二驅(qū)動(dòng)電壓線包括大體在第二方向延伸的部分，其中，第一驅(qū)動(dòng)電壓線的第二部 分與驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O重疊。
【附圖說明】
[0007] 通過參照附圖詳細(xì)地描述示例性實(shí)施方式，本發(fā)明的特征將對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人 員變得清楚，在附圖中：
[0008] 圖1示出像素的實(shí)施方式；
[0009] 圖2示出用于像素的控制信號(hào)的示例；
[0010] 圖3示出像素的布局實(shí)施方式；
[0011] 圖4示出包括三個(gè)相鄰像素的布局實(shí)施方式；
[0012] 圖5示出沿圖3的剖面線V-V的視圖；
[0013] 圖6至圖11示出制造方法的一個(gè)實(shí)施方式中的各階段；
[0014] 圖12示出像素的另一布局實(shí)施方式；
[0015] 圖13示出三個(gè)相鄰像素的另一實(shí)施方式；
[0016] 圖14示出沿圖12的剖面線XIV-XIV的視圖；
[0017] 圖15示出像素的另一實(shí)施方式；
[0018] 圖16示出用于圖15中的像素的控制信號(hào)的示例；
[0019] 圖17示出像素的另一布局實(shí)施方式；
[0020] 圖18不出三個(gè)相鄰像素的另一布局實(shí)施方式；
[0021] 圖19示出沿圖17的剖面線XIX-XIX的視圖；
[0022] 圖20示出像素的另一布局實(shí)施方式；
[0023] 圖21不出三個(gè)相鄰像素的另一布局實(shí)施方式；
[0024] 圖22示出沿圖20中的剖面線XXII-XXII的視圖；以及
[0025] 圖23至圖28示出兩個(gè)相鄰像素的布局實(shí)施方式。
【具體實(shí)施方式】
[0026] 下面將參照附圖在下文中更充分地描述示例性實(shí)施方式；但是，這些示例性實(shí)施 方式可以不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)解釋為限制本文中所描述的實(shí)施方式。相反地，為了使 本公開全面且完整而提供這些實(shí)施方式，并且這些實(shí)施方式將充分地向本領(lǐng)域的技術(shù)人員 傳達(dá)示例性實(shí)施。實(shí)施方式可以被組合來形成其他實(shí)施方式。
[0027] 還應(yīng)理解，當(dāng)層或元件被稱為位于另一層或襯底"上"時(shí)，其可直接位于該另一層 或襯底上，或者還可存在介入層。另外，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)層被稱為位于另一層"下"時(shí)，其可直接 位于另一層下，并且還可存在一個(gè)或多個(gè)插入的層。另外，還應(yīng)理解，當(dāng)層被稱為位于兩個(gè) 層"之間"時(shí)，其可以是這兩個(gè)層之間的唯一的層，或者還可存在一個(gè)或多個(gè)插入的層。在 整個(gè)說明書中，相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。
[0028] 圖1示出有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的像素的實(shí)施方式，以及圖2是示出用于像素 的控制信號(hào)的示例的時(shí)序圖。
[0029] 如圖1所示，像素包括多個(gè)信號(hào)線、連接至信號(hào)線的多個(gè)薄膜晶體管、存儲(chǔ)電容器 Cst和有機(jī)發(fā)光二極管0LED。薄膜晶體管包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1、開關(guān)薄膜晶體管T2、補(bǔ) 償薄膜晶體管T3、初始化薄膜晶體管T4、操作控制薄膜晶體管T5、和發(fā)射控制薄膜晶體管 T6〇
[0030] 信號(hào)線包括傳送掃描信號(hào)Sn的掃描線121、將先前掃描信號(hào)Sn-1傳送至初始化薄 膜晶體管T4的先前掃描線122、將發(fā)射控制信號(hào)Em傳送至操作控制薄膜晶體管T5和發(fā)射 控制薄膜晶體管T6的發(fā)射控制線123、與掃描線121相交且傳送數(shù)據(jù)信號(hào)Dm的數(shù)據(jù)線171、 傳送驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線126/172、以及傳送用于初始化驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的初 始化電壓Vint的初始化電壓線124。驅(qū)動(dòng)電壓線126/172包括與掃描線121平行的第一驅(qū) 動(dòng)電壓線126、以及與數(shù)據(jù)線171平行的第二驅(qū)動(dòng)電壓線172,并且第一驅(qū)動(dòng)電壓線126和 第二驅(qū)動(dòng)電壓線172彼此電連接。
[0031] 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的柵電極G1與存儲(chǔ)電容器Cst的一端Cstl連接，驅(qū)動(dòng)薄膜晶 體管T1的源電極S1通過操作控制薄膜晶體管T5與驅(qū)動(dòng)電壓線126/172連接，驅(qū)動(dòng)薄膜晶 體管T1的漏電極D1通過發(fā)射控制薄膜晶體管T6與有機(jī)發(fā)光二極管0LED的陽極電連接。 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1根據(jù)開關(guān)薄膜晶體管T2的開關(guān)操作來接收數(shù)據(jù)信號(hào)Dm，以將0LED驅(qū)動(dòng) 電流1。_提供至有機(jī)發(fā)光二極管0LED。
[0032] 開關(guān)薄膜晶體管T2的柵電極G2與掃描線121連接，開關(guān)薄膜晶體管T2的源電極 S2與數(shù)據(jù)線171連接，以及開關(guān)薄膜晶體管T2的漏電極D2與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的源電極 S1連接并且同時(shí)通過操作控制薄膜晶體管T5與驅(qū)動(dòng)電壓線126/172連接。開關(guān)薄膜晶體 管T2根據(jù)通過掃描線121接收的掃描信號(hào)Sn被導(dǎo)通，以執(zhí)行開關(guān)操作，該開關(guān)操作將傳送 至數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號(hào)Dm傳送至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的源電極S1。
[0033] 補(bǔ)償薄膜晶體管T3的柵電極G3與掃描線121連接，補(bǔ)償薄膜晶體管T3的源電極 S3與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的漏電極D1連接并且同時(shí)通過發(fā)射控制薄膜晶體管T6與有機(jī)發(fā) 光二極管0LED的陽極連接，以及補(bǔ)償薄膜晶體管T3的漏電極D3與存儲(chǔ)電容器Cst的一端 Cstl、初始化薄膜晶體管T4的漏電極D4和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的柵電極G1-起連接。補(bǔ) 償薄膜晶體管T3根據(jù)通過掃描線121接收的掃描信號(hào)Sn被導(dǎo)通，以連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管 T1的柵電極G1和漏電極D1并且二極管-連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1。
[0034] 初始化薄膜晶體管T4的柵電極G4與先前掃描線122連接，初始化薄膜晶體管T4 的源電極S4與初始化電壓線124連接，并且初始化薄膜晶體管T4的漏電極D4同時(shí)與存儲(chǔ) 電容器Cst的一端Cst1、補(bǔ)償薄膜晶體管T3的漏電極D3和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的柵電極G1 連接。初始化薄膜晶體管T4根據(jù)通過先前掃描線122接收的先前掃描信號(hào)Sn-Ι被導(dǎo)通， 以將初始化電壓Vint傳送至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的柵電極G1，并且然后執(zhí)行初始化操作以 初始化驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的柵電極G1的電壓。
[0035] 操作控制薄膜晶體管T5的柵電極G5與發(fā)射控制線123連接，操作控制薄膜晶體 管T5的源電極S5與驅(qū)動(dòng)電壓線126/172連接，并且操作控制薄膜晶體管T5的漏電極D5 與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的源電極S1和開關(guān)薄膜晶體管T2的漏電極D2連接。
[0036] 發(fā)射控制薄膜晶體管T6的柵電極G6與發(fā)射控制線123連接，發(fā)射控制薄膜晶體 管T6的源電極S6與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的漏電極D1和補(bǔ)償薄膜晶體管T3的源電極S3連 接，并且發(fā)射控制薄膜晶體管T6的漏電極D6與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽極電連接。操作 控制薄膜晶體管T5和發(fā)射控制薄膜晶體管T6根據(jù)通過發(fā)射控制線123接收的發(fā)射控制信 號(hào)Em被同時(shí)導(dǎo)通，并且驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD被傳送至有機(jī)發(fā)光二極管0LED，并且因此0LED驅(qū)動(dòng) 電流1。_在有機(jī)發(fā)光二極管0LED中流動(dòng)。
[0037] 存儲(chǔ)電容器Cst的另一端Cst2與驅(qū)動(dòng)電壓線126/172連接，并且有機(jī)發(fā)光二極管 0LED的陰極與公用電壓ELVSS連接。因此，有機(jī)發(fā)光二極管0LED從驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1接 收0LED驅(qū)動(dòng)電流IaED以進(jìn)行發(fā)光，從而顯示圖像。
[0038] 參照?qǐng)D2,在初始化周期中，通過先前掃描線122來提供具有低電平的先前掃描信 號(hào)Sn-Ι。在該情況下，已經(jīng)通過發(fā)射控制線123施加處于低電平的發(fā)射控制信號(hào)Em。然后， 根據(jù)具有低電平的先前掃描信號(hào)Sn-Ι導(dǎo)通初始化薄膜晶體管T4,通過初始化薄膜晶體管 T4將初始化電壓Vint從初始化電壓線124提供至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的柵電極G1，并且通 過初始化電壓Vint初始化驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1。
[0039] 此后，在數(shù)據(jù)編程周期中，通過掃描線121來提供具有低電平的掃描信號(hào)Sn。然 后，根據(jù)具有低電平的掃描信號(hào)Sn來導(dǎo)通開關(guān)薄膜晶體管T2和補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和 T3-2。在該情況下，通過導(dǎo)通的補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和T3-2來二極管-連接驅(qū)動(dòng)薄膜晶 體管T1，并且驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1在正向被偏置。
[0040] 然后，從數(shù)據(jù)線171提供的數(shù)據(jù)信號(hào)Dm中減去驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的閾值電壓Vth 而得到的補(bǔ)償電壓Dm+Vth(Vth是負(fù)（-)值）被施加至驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的柵電極G1。
[0041] 驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD和補(bǔ)償電壓Dm+Vth被施加至存儲(chǔ)電容器Cst的各端，并且與各端 之間的電壓差對(duì)應(yīng)的電荷存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器Cst中。
[0042] 此后，在發(fā)射周期中，從發(fā)射控制線123提供的發(fā)射控制信號(hào)Em從高電平變化到 低電平。然后，在發(fā)射周期中，通過低電平的發(fā)射控制信號(hào)Em來導(dǎo)通操作控制薄膜晶體管 T5和發(fā)射控制薄膜晶體管T6。
[0043] 然后，根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的柵電極G1的電壓和驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD之間的電 壓差來產(chǎn)生0LED驅(qū)動(dòng)電流IaED，并且0LED驅(qū)動(dòng)電流IaED通過發(fā)射控制薄膜晶體管T6提 供至有機(jī)發(fā)光二極管0LED。對(duì)于發(fā)射周期，通過存儲(chǔ)電容器Cst將驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的 柵-源電極電壓Vgs保持在' (Dm+Vth)-ELVDD'，并且根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的電流-電 壓關(guān)系，驅(qū)動(dòng)電流Id與通過從源-柵電極電壓Vgs減去閾值電壓Vth而得到的值的平方 '（Dm-ELVDD)2'成比例。因此，與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的閾值電壓Vth無關(guān)地確定0LED驅(qū)動(dòng) 電流IOLED。
[0044] 圖3示出像素的布局實(shí)施方式，圖4示出三個(gè)相鄰像素的布局實(shí)施方式，并且圖5 示出沿圖3的剖面線V-V得到的剖視圖。
[0045] 如圖3所示，像素包括在行方向并且分別施加掃描信號(hào)Sn、先前掃描信號(hào)Sn-Ι、發(fā) 射控制信號(hào)Em和初始化電壓Vint的掃描線121、先前掃描線122、發(fā)射控制線123、和初始 化電壓線124。像素還包括數(shù)據(jù)線171，該數(shù)據(jù)線171與掃描線121、先前掃描線122、發(fā)射 控制線123和初始化電壓線124相交并且將數(shù)據(jù)信號(hào)Dm施加至像素。
[0046] 像素還包括用于施加驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線。驅(qū)動(dòng)電壓線包括與掃描線 121平行的第一驅(qū)動(dòng)電壓線126和與數(shù)據(jù)線171平行的第二驅(qū)動(dòng)電壓線172。第一驅(qū)動(dòng)電 壓線126和第二驅(qū)動(dòng)電壓線172彼此電連接。第一驅(qū)動(dòng)電壓線126將兩個(gè)或多個(gè)在水平方 向中彼此相鄰的第二驅(qū)動(dòng)電壓線172電連接，以使驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD在水平方向進(jìn)行傳送。
[0047] 像素還包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1、開關(guān)薄膜晶體管T2、補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和 T3-2、初始化薄膜晶體管T4-1和T4-2、操作控制薄膜晶體管T5、發(fā)射控制薄膜晶體管T6、存 儲(chǔ)電容器Cst和有機(jī)發(fā)光二極管。參照?qǐng)D3,補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和T3-2和初始化薄膜晶 體管T4-1和T4-2可以具有雙柵結(jié)構(gòu)，并且以下將被描述為彼此連接的晶體管。
[0048] 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1、開關(guān)薄膜晶體管T2、補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和T3-2、初始化薄 膜晶體管T4-1和T4-2、操作控制薄膜晶體管T5和發(fā)射控制薄膜晶體管T6的溝道形成在一 個(gè)連接的半導(dǎo)體131內(nèi)部，并且半導(dǎo)體131形成為被彎曲成各種形狀。根據(jù)圖3的示例性 實(shí)施方式的半導(dǎo)體131包括垂直部分，垂直部分根據(jù)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的半導(dǎo)體131a(被 稱為驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體）在左側(cè)和右側(cè)處在垂直方向（與數(shù)據(jù)線171平行的方向）中延伸，并且 每個(gè)垂直部分的兩端被彎曲。在右側(cè)垂直部分上包括例如呈'Π'形的被彎曲的附加延伸 部分。
[0049] 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的半導(dǎo)體131a具有反向'Ξ'形Ξ'形相對(duì)于通過中心 的垂直線或水平線對(duì)稱的形狀），反向4 形的大部分構(gòu)成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的半導(dǎo)體 131a，并且驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管Τ1的源電極176a和漏電極177a分別設(shè)置在與位于左側(cè)和右側(cè) 處的垂直部分相鄰的部分處。雖然驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的半導(dǎo)體131a在示例性實(shí)施方式中 具有反向'S'形，但是半導(dǎo)體131a可以在另一實(shí)施方式中具有不同的形狀和/或可以具 有一個(gè)或多個(gè)彎曲部分。
[0050] 此外，驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的半導(dǎo)體131a包括在第一方向的多個(gè)第一延伸部31和 在與第一方向不同的第二方向的多個(gè)第二延伸部32,并且彎曲部分33可以具有連接第一 延伸部31和第二延伸部32的結(jié)構(gòu)。
[0051] 在與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的源電極176a連接的左側(cè)垂直部分處，形成有設(shè)置在上 方的開關(guān)薄膜晶體管T2的半導(dǎo)體131b(被稱為開關(guān)半導(dǎo)體）和設(shè)置在下方的操作控制薄 膜晶體管T5的半導(dǎo)體131e。在開關(guān)薄膜晶體管T2的半導(dǎo)體131b和操作控制薄膜晶體管 T5的半導(dǎo)體131e之間，開關(guān)薄膜晶體管T2的漏電極177b和操作控制薄膜晶體管T5的漏 電極177e設(shè)置成與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的源電極176a連接。
[0052] 開關(guān)薄膜晶體管T2的源電極176b設(shè)置在開關(guān)薄膜晶體管T2的半導(dǎo)體131b之上， 并且操作控制薄膜晶體管T5的源電極176e設(shè)置在操作控制薄膜晶體管T5的半導(dǎo)體131e 之下。
[0053] 在與驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的漏電極177a連接的右側(cè)垂直部分處，形成有設(shè)置在上 方的補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和T3-2的半導(dǎo)體131c-l和131c-2和設(shè)置在下方的發(fā)射控制薄 膜晶體管T6的半導(dǎo)體131f。在補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和T3-2的半導(dǎo)體131c-l和131c-2 與發(fā)射控制薄膜晶體管T6的半導(dǎo)體131f之間，補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和T3-2的第二補(bǔ)償 薄膜晶體管T3-2的源電極176C-2和發(fā)射控制薄膜晶體管T6的源電極176f設(shè)置成與驅(qū)動(dòng) 薄膜晶體管T1的漏電極177a連接。下面將更詳細(xì)地描述補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和T3-2的 結(jié)構(gòu)。
[0054] 補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和T3-2包括第一補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1和第二補(bǔ)償薄膜晶 體管T3-2,并且第一補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1根據(jù)掃描線121的突出進(jìn)行設(shè)置，并且第二補(bǔ)償 薄膜晶體管T3-2根據(jù)掃描線121與半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分彼此重疊的位置處的部分 進(jìn)行設(shè)置。
[0055] 首先，第二補(bǔ)償薄膜晶體管T3-2的源電極176c-2與發(fā)射控制薄膜晶體管T6的源 電極176f和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的漏電極177a連接，柵電極125c-2設(shè)置在掃描線121的與 右側(cè)垂直部分重疊的部分處，半導(dǎo)體131C-2設(shè)置在半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分的與掃描線 121重疊的部分處，并且漏電極177C-2設(shè)置在半導(dǎo)體131的右側(cè)垂直部分的半導(dǎo)體131C-2 之上。
[0056] 第一補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1的源電極176c-l與第二補(bǔ)償薄膜晶體管T3-2的漏電 極177c-2連接，柵電極125c-l設(shè)置在掃描線121的突出處，半導(dǎo)體131c-l設(shè)置在半導(dǎo)體 131的右側(cè)垂直部分的與掃描線121的突出重疊的部分處，并且漏電極177C-1設(shè)置在根據(jù) 半導(dǎo)體131c-l與源電極176c-l相對(duì)的一側(cè)處。第一補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1設(shè)置在從半導(dǎo) 體131的右側(cè)垂直部分以'Π'形額外延伸的部分處。
[0057] 發(fā)射控制薄膜晶體管T6的漏電極177f設(shè)置在發(fā)射控制薄膜晶體管T6的半導(dǎo) 體131f之下。初始化薄膜晶體管T4-1和T4-2的半導(dǎo)體131d-l和131d-2進(jìn)一步形成在 'Π'形額外延伸部處，該額外延伸部在第二補(bǔ)償薄膜晶體管T3-2的半導(dǎo)體131C-2和漏電 極177c-l之上額外延伸。在第一初始化薄膜晶體管T4-1的半導(dǎo)體131d-l與第一補(bǔ)償薄 膜晶體管T3-1的漏電極177c-l之間，第一初始化薄膜晶體管T4-1的漏電極177d-l被設(shè) 置，并且第二初始化薄膜晶體管T4-2的源電極176d-2設(shè)置在額外延伸的'仁'形部分的一 端處。下面將更詳細(xì)地描述初始化薄膜晶體管T4-1和T4-2的結(jié)構(gòu)。
[0058] 初始化薄膜晶體管T4-1和T4-2包括第一初始化薄膜晶體管T4-1和第二初始化 薄膜晶體管T4-2,并且第一初始化薄膜晶體管T4-1根據(jù)先前掃描線122的突出進(jìn)行設(shè)置， 并且第二初始化薄膜晶體管T4-2根據(jù)先前掃描線122與半導(dǎo)體131的'Π'形部分彼此重 疊位置處的部分進(jìn)行設(shè)置。
[0059] 首先，第一初始化薄膜晶體管T4-1的源電極176d-l與第一補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1 的漏電極177c-l連接，柵電極125d-l設(shè)置在先前掃描線122的與半導(dǎo)體131的'仁'形部 分重疊的一部分處，半導(dǎo)體131d-l設(shè)置在半導(dǎo)體131的'仁'形部分的與先前掃描線122的 突出重疊的一部分處，并且漏電極177d-l設(shè)置在根據(jù)半導(dǎo)體131d-l與源電極176d-l相對(duì) 的一側(cè)處。
[0060] 第二初始化薄膜晶體管T4-2的源電極176d-2與第一初始化薄膜晶體管T4-1的 漏電極177d-l連接，柵電極125d-2設(shè)置在先前掃描線122的與半導(dǎo)體131的'仁'形部分 重疊的一部分處，半導(dǎo)體131d-2設(shè)置在半導(dǎo)體131的'Π'形部分的與先前掃描線122重 疊的部分處，并且漏電極177d-2設(shè)置在作為根據(jù)半導(dǎo)體131d-2與源電極176d-2相對(duì)的一 側(cè)的、半導(dǎo)體131的'仁'形部分的一端處。
[0061] 在另一實(shí)施方式中，半導(dǎo)體131可以具有不同結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體131例如可以形成為包 括多晶半導(dǎo)體材料?？梢詢H摻雜相應(yīng)區(qū)域來形成半導(dǎo)體131中的源電極/漏電極。另外， 在半導(dǎo)體131中，不同晶體管的源電極與漏電極之間的區(qū)域被摻雜。因此，源電極和漏電極 可以彼此電連接。
[0062] 半導(dǎo)體131形成在絕緣襯底110上，并且緩沖層111可以設(shè)置在絕緣襯底110與 半導(dǎo)體131之間。緩沖層111可以用于通過在形成多晶半導(dǎo)體的結(jié)晶過程中阻止來自絕緣 襯底110的雜質(zhì)來改進(jìn)多晶半導(dǎo)體的特性，并且可以用于減少施加至絕緣襯底110的應(yīng)力。
[0063] 覆蓋半導(dǎo)體131的柵絕緣層141形成在半導(dǎo)體131上。柵絕緣層141可以由無機(jī) 絕緣層形成。
[0064] 在行方向形成的掃描線121、先前掃描線122、發(fā)射控制線123、初始化電壓線124、 第一驅(qū)動(dòng)電壓線126和驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管T1的柵電極125a被形成在柵絕緣層141上。
[0065] 掃描線121和先前掃描線122分別具有突出，并且掃描線121的突出向先前掃描 線122突出，以及先前掃描線122的突出向掃描線121突出。
[0066] 首先，掃描線121的突出在掃描線121的向上方向突出，與第一補(bǔ)償薄膜晶體管 T3-1的半導(dǎo)體131c-l重疊，并且構(gòu)成第一補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1的柵電極125c-l。第一補(bǔ) 償薄膜晶體管T3-1的源電極176c-l和漏電極177c-l不與第一補(bǔ)償薄膜晶體管T3-1的柵 電極125