有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 平板顯示（FPD)裝置有利于其小型化和重量減輕，并且由此已經(jīng)被廣泛用于臺式 計(jì)算機(jī)以及便攜式計(jì)算機(jī)（諸如膝上型計(jì)算機(jī)和PDA)、移動(dòng)蜂窩電話等的監(jiān)視器。這些FPD 裝置是液晶顯示（LCD)裝置、等離子顯示板（PDP)裝置、場發(fā)射顯示（FED)裝置以及有機(jī)發(fā) 光二極管（0LED)顯示裝置。
[0003] 其中，0LED顯示裝置具有下述優(yōu)點(diǎn)：快速響應(yīng)速度、高發(fā)光效率的亮度以及大視 角。一般來說，就0LED顯示裝置而言，通過利用根據(jù)掃描信號導(dǎo)通的開關(guān)晶體管來向驅(qū)動(dòng) 晶體管的柵極施加數(shù)據(jù)電壓，并且有機(jī)發(fā)光二極管利用提供給驅(qū)動(dòng)晶體管的數(shù)據(jù)電壓來發(fā) 射光。即，提供給有機(jī)發(fā)光二極管的電流由施加至驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極的數(shù)據(jù)電壓來控制。然 而，形成在像素中的各驅(qū)動(dòng)晶體管由于制造工藝的特性而具有閾值電壓（Vth)偏差。提供 給有機(jī)發(fā)光二極管的電流由于驅(qū)動(dòng)晶體管之間的閾值電壓偏差而可以具有與設(shè)計(jì)電平不 同的電平，并且由此亮度的電平可以不同于希望電平。
[0004] 為解決該問題，已經(jīng)采用補(bǔ)償圖片質(zhì)量的方法，其中，通過感測用于各像素的驅(qū)動(dòng) 晶體管的特性參數(shù)（閾值電壓和遷移率）并且然后根據(jù)感測結(jié)果恰當(dāng)?shù)匦拚斎霐?shù)據(jù)來減 少亮度的不均勻性。
[0005]例如，根據(jù)在韓國專利公布No. 10-2013-0036659 (題名為'MethodofMeasuring CharacteristicsofTransistorinOrganicLightEmittingDiodeDisplayDevice"） 中公開的外部補(bǔ)償方法，將電流源定位在像素外，通過電流源向有機(jī)發(fā)光二極管施加預(yù)定 電流，測量所得電壓，并且補(bǔ)償有機(jī)發(fā)光二極管中的劣化偏差。
[0006] 就用于補(bǔ)償圖片質(zhì)量的廣泛已知技術(shù)而言，分別采用慢模式感測方法和快模式感 測方法，以便檢測驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓特性和遷移率特性。另外，各感測方法采用不同的 方式，并且需要用于存儲(chǔ)偏移值的附加存儲(chǔ)器。
[0007] 因此，已經(jīng)尋求用于更有效地檢測驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓特性和遷移率的新方 法。
[0008] 本申請要求保護(hù)2013年12月31日提交的韓國專利申請No. 10-2013-0169165的 優(yōu)先權(quán)，出于如同在此完全闡述的所有目的而通過引用將其并入這里。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 已經(jīng)做出本發(fā)明，以提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，該有機(jī)發(fā)光二極管顯示 裝置能夠在減少感測時(shí)段的同時(shí)檢測并補(bǔ)償閾值電壓特性和遷移率特性兩者。
【附圖說明】
[0010] 附圖被包括進(jìn)來以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且附圖被并入并構(gòu)成本說明書 的一部分，附圖例示本發(fā)明的實(shí)施方式，并與本描述一起用于說明本發(fā)明的原理。在圖中：
[0011] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的圖；
[0012] 圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的像素的圖；
[0013] 圖3是用于檢測驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓特性和遷移率特性的波形的時(shí)序圖；
[0014] 圖4是用于例示檢測驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓特性和遷移率特性的原理的視圖；
[0015] 圖5是用于例示像素之間的閾值電壓和遷移率的比較的視圖；以及
[0016] 圖6是用于正常驅(qū)動(dòng)的波形的時(shí)序圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017] 現(xiàn)在，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明，在附圖中例示了其示例。在可能的情況 下，在整個(gè)附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來指代相同或相似的部件。應(yīng)注意的是，如果確定已 知技術(shù)可能誤導(dǎo)本發(fā)明的實(shí)施方式，則將省略對該技術(shù)的詳細(xì)描述。
[0018] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的圖；而圖2是示出圖1中所 示的像素P的示例的圖。
[0019] 參照圖1和2,根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括：顯示板10,其具有以 矩陣型布置的像素P;數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12 ;選通驅(qū)動(dòng)器13 ;以及定時(shí)控制器11。
[0020] 顯示板10包括多個(gè)像素P。顯示板10要基于通過各像素P顯示的灰度級來顯示 圖像。所述多個(gè)像素P針對第一至第m水平線以預(yù)定間隔布置，使得像素P以矩陣型設(shè)置。
[0021] 各像素P設(shè)置在彼此正交的數(shù)據(jù)線14和選通線部分15的交叉區(qū)處。連接至各 像素P的選通線部分15中的每一條包括掃描線15a和感測線15b。像素P中的每一個(gè)包 括：有機(jī)發(fā)光二極管0LED;驅(qū)動(dòng)晶體管DT;第一晶體管T1和第二晶體管T2 ;以及存儲(chǔ)電容 器Cs。驅(qū)動(dòng)晶體管DT和第一晶體管T1與第二晶體管T2可以通過包括氧化物半導(dǎo)體層的 氧化物薄膜晶體管（下面，稱為TFT)來實(shí)現(xiàn)。考慮到包括電子遷移率、工藝變化（process variations)等的所有因素，氧化物TFT有利于增加顯示板10。然而，本發(fā)明不限于此，并 且TFT的半導(dǎo)體層可以由非晶硅、多晶硅等形成。
[0022] 定時(shí)控制器11要控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12和選通驅(qū)動(dòng)器13的驅(qū)動(dòng)時(shí)序。為此，定時(shí)控 制器11根據(jù)顯示板10的分辨率重新布置外部輸入的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)（RGB)，并且然后將該數(shù) 據(jù)提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12。另外，定時(shí)控制器11基于諸如垂直同步信號（Vsync)、水平同步 信號（Hsync)、點(diǎn)時(shí)鐘信號（DCLK)以及數(shù)據(jù)使能信號DE這樣的時(shí)序信號，生成用于控制數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器12的操作時(shí)序的數(shù)據(jù)控制信號DDC，并且生成用于控制選通驅(qū)動(dòng)器13的操作時(shí)序 的選通控制信號⑶C。
[0023] 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12要驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線14。為此，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12基于數(shù)據(jù)控制信號DDC，將 從定時(shí)控制器11輸入的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)RGB轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)電壓，并將該模擬數(shù)據(jù)電壓提供 給數(shù)據(jù)線14。
[0024] 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12包括：第一電流源21與第二電流源22 ;和模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器（下 面，稱為ADC) 25。第一電流源21向驅(qū)動(dòng)晶體管DT的第三電極和第二電極提供第一電流，而 第二電流源22向驅(qū)動(dòng)晶體管DT的第三電極和第二電極提供第二電流。ADC25在接收到第 一電流時(shí)，感測從驅(qū)動(dòng)晶體管DT的第二電極流向第一電極的電流的電平。另外，ADC25在 接收到第二電流時(shí)，感測從驅(qū)動(dòng)晶體管DT的第二電極流向第一電極的電流的電平。
[0025] 選通驅(qū)動(dòng)器13要驅(qū)動(dòng)選通線部分15,并且通過利用從定時(shí)控制器11提供的選通 控制信號⑶C來生成第一至第三選通信號。選通控制信號⑶C包括：選通起始脈沖GSP，其 用于指示掃描所開始的起始掃描線；選通移位時(shí)鐘GSC，其用于順序地移位選通起始脈沖 GSP;以及選通輸出使能G0E，其用于指示選通驅(qū)動(dòng)器的輸出。
[0026] 根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的像素P中的每一個(gè)包括：有機(jī)發(fā)光二極管0LED、可變驅(qū)動(dòng) 電壓源V_VDD、驅(qū)動(dòng)晶體管DT、第一晶體管ST1和第二晶體管ST2、以及存儲(chǔ)電容器Cs。
[0027] 有機(jī)發(fā)光二極管0LED通過從驅(qū)動(dòng)晶體管DT提供的驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)射光。多個(gè)有機(jī) 化合物層形成在有機(jī)發(fā)光二極管0LED中的陽極電極與陰極電極之間。該有機(jī)化合物層包 括：空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EML、電子傳輸層ETL以及電子注入層EIL。有 機(jī)發(fā)光二極管0LED的陽極電極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DT的源極，而其陰極電極連接至低壓驅(qū) 動(dòng)電壓VSS。
[0028] 可變驅(qū)動(dòng)電壓源V_VDD選擇性地提供低電平電壓和高電平電壓。
[0029] 提供給有機(jī)發(fā)光二極管0LED的驅(qū)動(dòng)電流通過驅(qū)動(dòng)晶體管DT的第一電極nl和第 二電極n2之間的電壓來控制。這里，第一電極nl和第二電極n2可以分別是漏極（源極） 和源極（漏極）。因?yàn)轵?qū)動(dòng)晶體管DT的第一電極nl連接至可變驅(qū)動(dòng)電壓源V_VDD，所以根 據(jù)可變驅(qū)動(dòng)電壓源的電壓電平，第一電極nl可以是漏極或源極。類似地，根據(jù)可變驅(qū)動(dòng)電 壓源V_VDD的電壓電平，驅(qū)動(dòng)晶體管DT的第二電極n2可以是源極或漏極。
[0030] 驅(qū)動(dòng)晶體管DT的第三電極n3連接至數(shù)據(jù)電壓Vdata的輸入端子；其第一電極nl 連接至可變驅(qū)動(dòng)電壓V_VDD的輸入端子；而其第二電極n2連接至有機(jī)發(fā)光二極管0LED。
[0031] 第一晶體管T1響應(yīng)于掃描信號SCAN,控制數(shù)據(jù)線14與驅(qū)動(dòng)晶體管DT的第三電極 n3之間的電流路徑。為此，第一晶體管T1的第三電極連接至掃描線15a;第一晶體管T1的 漏極連接至數(shù)據(jù)線14 ;而第一晶體管T1的源極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管D1的第三電極n3。
[0032] 第二晶體管T2響應(yīng)于感測信號SENSE，控制數(shù)據(jù)線14與驅(qū)動(dòng)晶體管DT的第二電 極n2之間的電流路徑。為此，第二晶體管T2的第三電極連接至感測線15b;第二晶體管T2 的漏極連接至數(shù)據(jù)線14 ;而第二晶體管T2的源極連接至驅(qū)動(dòng)晶體管D1的第二電極n2。
[0033] 存儲(chǔ)電容器Cs在一個(gè)幀期間保持從數(shù)據(jù)線14提供的數(shù)據(jù)電壓Vdata，使得驅(qū)動(dòng)晶 體管DT保持預(yù)定電壓。為此，存儲(chǔ)電容器Cs連接至驅(qū)動(dòng)晶體管DT的第三電極n3和第二 電極n2。
[0034] 對用于檢測形成在具有前述結(jié)構(gòu)的像素