本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路及其驅(qū)動(dòng)方法和有機(jī)發(fā)光顯示器。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)色域廣、對(duì)比度高、節(jié)能、并具有可折疊性，因而在新世代顯示器中具有強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng)力。有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)技術(shù)是柔性顯示重點(diǎn)發(fā)展方向之一。AMOLED的基本驅(qū)動(dòng)電路如圖1所示，其為2T1C模式，即包括兩個(gè)薄膜晶體管(TFT)和一個(gè)電容器，具體地，包括一個(gè)開關(guān)TFT T1、一個(gè)驅(qū)動(dòng)TFT T2和一個(gè)存儲(chǔ)電容器Cst。OLED的驅(qū)動(dòng)電流由驅(qū)動(dòng)TFT T2控制，其電流大小為：I_OLED＝k(V_gs-V_th)²，其中，k為驅(qū)動(dòng)TFT T2的電流放大系數(shù)，由驅(qū)動(dòng)TFT T2本身特性決定，Vth為驅(qū)動(dòng)TFTT2的閾值電壓。由于長時(shí)間的操作，驅(qū)動(dòng)TFT T2的閾值電壓Vth會(huì)發(fā)生漂移，從而導(dǎo)致OLED驅(qū)動(dòng)電流變化，使得OLED面板出現(xiàn)不良，影響畫質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

由于AMOLED的基本驅(qū)動(dòng)電路不具備閾值電壓Vth的補(bǔ)償功能，會(huì)影響產(chǎn)品特性。因此，本發(fā)明提出了一種能補(bǔ)償閾值電壓漂移的全P型像素電路，其能夠提供閾值電壓補(bǔ)償功能，從而改善AMOLED的顯示特性。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路，所述像素電路包括：復(fù)位模塊，其控制端接收第一控制信號(hào)，另外兩端分別與復(fù)位電壓端和補(bǔ)償模塊連接，復(fù)位電壓端具有復(fù)位電壓，復(fù)位模塊在第一控制信號(hào)的控制下將復(fù)位電壓傳遞至補(bǔ)償模塊；補(bǔ)償模塊，其接收第二控制信號(hào)和來自第一電壓端的第一電壓、并分別與復(fù)位模塊、寫入模塊和發(fā)光模塊連接，補(bǔ)償模塊在第二控制信號(hào)的控制下進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償；寫入模塊，其控制端接收第三控制信號(hào)，輸入端與數(shù)據(jù)信號(hào)端連接并接收來自數(shù)據(jù)信號(hào)端的數(shù)據(jù)信號(hào)，輸出端與補(bǔ)償模塊連接，寫入模塊在第三控制信號(hào)的控制下將數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)窖a(bǔ)償模塊；發(fā)光模塊，其一端與第二電壓端連接并接收來自第二電壓端的第二電壓，另一端與補(bǔ)償模塊連接，其控制端與發(fā)光控制信號(hào)連接，發(fā)光模塊在發(fā)光控制信號(hào)的控制下發(fā)光。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路，其中，復(fù)位模塊包括第五TFT，所述第五TFT的柵極接收第一控制信號(hào)，源極接收復(fù)位電壓，漏極與補(bǔ)償模塊連接；其中，第五TFT在第一控制信號(hào)的控制下將復(fù)位電壓輸出至補(bǔ)償模塊。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路，其中，補(bǔ)償模塊包括第一TFT、第三TFT、第四TFT、第一電容器和第二電容器，所述第一TFT的柵極連接復(fù)位模塊，源極接收第一電壓，漏極連接發(fā)光模塊；第三TFT的柵極接收第二控制信號(hào)，源極接收第一電壓，漏極連接寫入模塊；第四TFT的柵極連接第二控制信號(hào)，源極和漏極分別連接第一TFT的漏極和柵極；第一電容器兩端分別連接第一電壓端和寫入模塊，第二電容器兩端分別連接寫入模塊和第一TFT的柵極；其中，第二電容器在第二控制信號(hào)的控制下記錄第一TFT的閾值電壓。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路，其中，寫入模塊包括第二TFT，第二TFT的柵極接收第三控制信號(hào)，源極連接數(shù)據(jù)輸入端，漏極連接補(bǔ)償模塊；其中，第二TFT在第三控制信號(hào)S3的控制下將數(shù)據(jù)電壓輸出至補(bǔ)償模塊。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路，其中，發(fā)光模塊包括第六TFT和有機(jī)發(fā)光二極管，第六TFT的柵極連接發(fā)光控制信號(hào)，源極連接補(bǔ)償模塊，漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管；有機(jī)發(fā)光二極管的一端連接第六TFT的漏極，另一端連接第二電壓端，其中，第六TFT在發(fā)光控制信號(hào)的控制下使有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路，其中，復(fù)位電壓和第二電壓為低電平，第一電壓為高電壓。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的像素電路，其中，第一TFT、第二TFT、第三TFT、第四TFT、第五TFT和第六TFT均為P型TFT。

本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種采用上述像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，所述方法包括：復(fù)位階段，將第一控制信號(hào)置為低電平，第五TFT導(dǎo)通，第五TFT將復(fù)位電壓輸出到第一TFT的柵極，將第一TFT的柵極電壓復(fù)位為復(fù)位電壓；閾值電壓補(bǔ)償階段，將第二控制信號(hào)置為低電平，第一TFT、第三TFT和第四TFT導(dǎo)通，第一電壓通過第一TFT和第四TFT對(duì)第一TFT的柵極進(jìn)行充電，直到第一TFT的柵極電位上升到VDD-|Vth|，第二電容器存儲(chǔ)第一TFT的閾值電壓，其中，VDD為第一電壓，Vth為第一TFT的閾值電壓；數(shù)據(jù)信號(hào)寫入階段，將第三控制信號(hào)置為低電平，第二TFT導(dǎo)通，第二TFT將數(shù)據(jù)電壓通過其漏極輸出，第一電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電壓，第一TFT的柵極電位通過第二電容器降為Vdata-|Vth|，其中，Vdata為數(shù)據(jù)電壓；發(fā)光階段，將發(fā)光控制信號(hào)置為低電平，第一TFT和第六TFT導(dǎo)通，有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)方法，其中，復(fù)位電壓和第二電壓為低電平，第一電壓為高電壓。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的驅(qū)動(dòng)方法，提供了一種包括如上所述像素電路的有機(jī)發(fā)光顯示器。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖對(duì)示例性實(shí)施例進(jìn)行的描述，本發(fā)明的這些和/或其他方面將變得清楚和更容易理解：

圖1是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的像素電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素電路的模塊結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素電路的具體電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是圖3所示像素電路的控制信號(hào)時(shí)序圖；以及

圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素電路的模擬結(jié)果圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明具體實(shí)施例提供的像素電路。

圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素電路的模塊結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路，所述像素電路包括：復(fù)位模塊01、補(bǔ)償模塊02、寫入模塊03和發(fā)光模塊04。

復(fù)位模塊01的控制端接收第一控制信號(hào)S1，另外兩端分別與復(fù)位電壓端和補(bǔ)償模塊02連接，復(fù)位電壓端具有復(fù)位電壓VI，復(fù)位模塊01能夠在第一控制信號(hào)S1的控制下將復(fù)位電壓VI傳遞至補(bǔ)償模塊02，其中，復(fù)位電壓VI為低電壓。

補(bǔ)償模塊02接收第二控制信號(hào)S2和來自第一電壓端的第一電壓VDD、并且分別與復(fù)位模塊01、寫入模塊03和發(fā)光模塊04連接。補(bǔ)償模塊02在第二控制信號(hào)S2的控制下進(jìn)行閾值電壓補(bǔ)償，其中，第一電壓VDD為高電壓。

寫入模塊03的控制端接收第三控制信號(hào)S3，輸入端與數(shù)據(jù)信號(hào)端連接并接收來自數(shù)據(jù)信號(hào)端的數(shù)據(jù)信號(hào)Data，輸出端與補(bǔ)償模塊02連接。寫入模塊03在第三控制信號(hào)S3的控制下將數(shù)據(jù)信號(hào)Data傳輸?shù)窖a(bǔ)償模塊02。

發(fā)光模塊04的一端與第二電壓端連接并接收來自第二電壓端的第二電壓VSS，另一端與補(bǔ)償模塊02連接，其控制端接收發(fā)光控制信號(hào)EM。發(fā)光模塊04在發(fā)光控制信號(hào)EM的控制下發(fā)光。其中，第二電壓VSS為低電壓。

圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素電路的具體電路結(jié)構(gòu)的示意圖。

如圖3所示，像素電路包括6個(gè)TFT和兩個(gè)電容器，其中，T1為驅(qū)動(dòng)TFT，T2-T5為開關(guān)TFT。

復(fù)位模塊01包括第五TFT T5，第五TFT T5的柵極接收第一控制信號(hào)S1，漏極與補(bǔ)償模塊02連接，源極接收復(fù)位電壓VI，第五TFT T5在第一控制信號(hào)S1的控制下導(dǎo)通，將復(fù)位電壓VI輸出至補(bǔ)償模塊02。

補(bǔ)償模塊02包括第一TFT T1、第三TFT T3、第四TFT T4、第一電容器C1和第二電容器C2。第一TFT T1的柵極連接復(fù)位模塊01，源極接收第一電壓VDD，漏極連接發(fā)光模塊04；第三TFT T3的柵極接收第二控制信號(hào)S2，源極接收第一電壓VDD，漏極連接寫入模塊03；第四TFT T4的柵極連接第二控制信號(hào)S2，源極和漏極分別連接第一TFT的漏極和柵極；第一電容器C1的兩端分別連接第一電壓端和寫入模塊03，第二電容器C2的兩端分別連接寫入模塊03和第一TFT的柵極。在控制信號(hào)S2的控制下，第一TFT T1、第三TFT T3和第四TFT T4導(dǎo)通，第二電容器C2記錄第一TFT T1的閾值電壓Vth。

寫入模塊03包括第二TFT T2，第二TFT T2的柵極接收第三控制信號(hào)S3，源極連接數(shù)據(jù)輸入端，漏極連接補(bǔ)償模塊02。第二TFT T2在第三控制信號(hào)S3的控制下導(dǎo)通，將數(shù)據(jù)電壓Vdata輸出至補(bǔ)償模塊02。

發(fā)光模塊04包括第六TFT T6和有機(jī)發(fā)光二極管OLED。第六TFT T6的柵極接收發(fā)光控制信號(hào)EM，源極連接補(bǔ)償模塊02，漏極連接有機(jī)發(fā)光二極管OLED；有機(jī)發(fā)光二極管OLED的一端連接第六TFT T6的漏極，另一端連接第二電壓端。在發(fā)光控制信號(hào)EM的控制下第六TFT T6導(dǎo)通，進(jìn)而有機(jī)發(fā)光二極管OLED導(dǎo)通發(fā)光。

優(yōu)選地，本發(fā)明具體實(shí)施例中的第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3、第四TFT T4、第五TFT T5和第六TFT T6為P型TFT。因此，當(dāng)控制信號(hào)置為低電平時(shí)相應(yīng)的薄膜晶體管導(dǎo)通。當(dāng)然，在實(shí)際電路設(shè)計(jì)時(shí)，本發(fā)明具體實(shí)施例中的所用薄膜晶體管還可以采用N型薄膜晶體管或者N型薄膜晶體管與P型薄膜晶體管的混合方式，并且所用薄膜晶體管的源極和漏極根據(jù)薄膜晶體管的類型以及信號(hào)段的信號(hào)的不同，其功能可以互換，在此不做具體區(qū)分。

圖4是圖3所示像素電路的控制信號(hào)時(shí)序圖。下面結(jié)合圖3所示的像素電路以及圖4所示的控制信號(hào)時(shí)序圖描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素電路的工作原理。像素電路的工作過程可分為四個(gè)階段：驅(qū)動(dòng)TFT柵極復(fù)位階段、閾值電壓補(bǔ)償階段、數(shù)據(jù)信號(hào)寫入階段和發(fā)光階段。現(xiàn)具體分析如下：

第一階段為驅(qū)動(dòng)TFT T1柵極復(fù)位階段。在第一階段中，將第一控制信號(hào)S1置為低電平，第二控制信號(hào)S2、第三控制信號(hào)S3和發(fā)光控制信號(hào)EM置為高電平。此時(shí)，第五TFT T5導(dǎo)通，其他TFT截止，從第五TFT T5的源極接收的復(fù)位電壓VI經(jīng)第五TFT T5的漏極輸出，第一TFT T1的柵極與第五TFT T5的漏極連接，因此第一TFT T1的柵極被復(fù)位到較低電位VI。

第二階段為閾值電壓補(bǔ)償階段。在第二階段中，將第二控制信號(hào)S2置為低電平，第一控制信號(hào)S1、第三控制信號(hào)S3和發(fā)光控制信號(hào)EM置為高電平。第一TFT T1、第三TFT T3和第四TFT T4導(dǎo)通，其他TFT截止。此時(shí)，由于第三TFT T3的導(dǎo)通，第一電容器C1的兩端均連接第一電壓VDD，第一電容器C1兩端的電位均為VDD。此時(shí)，第二電容器C2的左端連接第一電壓VDD，右端連接第一TFT T1的柵極，經(jīng)過第一階段后第一TFT T1的柵極具有電位VI。在第二階段中，第一電壓VDD通過第一TFT T1和第四TFT T4對(duì)第一TFT T1的柵極進(jìn)行充電，直到第一TFT T1的柵極電位上升到VDD-|Vth|為止，其中，Vth為第一TFT T1的閾值電壓。此時(shí)，第二電容器C2的右側(cè)電位為VDD-|Vth|，左端電位仍為VDD，第二電容器C2兩端的電壓差為|Vth|，因此，第二電容器C2將存儲(chǔ)第一TFT T1的閾值電壓Vth的電壓值。

第三階段為數(shù)據(jù)信號(hào)寫入階段。在第三階段中，將第三控制信號(hào)S3置為低電平，第一控制信號(hào)S1、第二控制信號(hào)S2和發(fā)光控制信號(hào)EM置為高電平。第二TFT T2和第一TFT T1導(dǎo)通，其他TFT截止。第二TFT T2導(dǎo)通后將數(shù)據(jù)電壓Vdata輸出至第二TFT T2的漏極，第二電容器C2左端與第二TFT T2的漏極連接因而電位變?yōu)閂data，根據(jù)電荷守恒原理，第二電容器C2右端的電位跳變?yōu)?Vdata-|Vth|)。在第三階段中，第一電容器C1也將存儲(chǔ)Data的信號(hào)。

第四階段為發(fā)光階段。在第四階段中，將發(fā)光控制信號(hào)EM置為低電平，第一控制信號(hào)至第三控制信號(hào)S1～S3置為高電平。第一TFT T1和第六TFT T6導(dǎo)通，其他TFT截止。此時(shí)，第一TFT T1的源極電位為VDD，柵極電位為(Vdata-|Vth|)，因而第一TFT T1的有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電流為：I_OLED＝k(V_GS-|Vth|)²＝k(VDD-(Vdata-|Vth|)-|Vth|)²＝k(VDD-Vdata)²，其中，k為第一TFT T1的電流放大系數(shù)。

因而，OLED驅(qū)動(dòng)電流將與第一TFT T1的閾值電壓Vth無關(guān)。這樣可以消除第一TFT T1的閾值電壓漂移引起AMOLED畫面顯示不良的問題。

圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素電路的模擬結(jié)果圖。從圖5可以看出，OLED的驅(qū)動(dòng)電流I_OLED穩(wěn)定，沒有受到驅(qū)動(dòng)TFT T1的閾值電壓漂移的影響。

本發(fā)明還提供了一種上述像素電路的驅(qū)動(dòng)方法，所述方法包括復(fù)位階段、閾值電壓補(bǔ)償階段、數(shù)據(jù)信號(hào)寫入階段和發(fā)光階段。

在復(fù)位階段中，將第一控制信號(hào)S1置為低電平，復(fù)位模塊01在第一控制信號(hào)S1的控制下，將復(fù)位電壓V1輸出至補(bǔ)償模塊02；在閾值電壓補(bǔ)償階段中，將第二控制信號(hào)S2置為低電平，補(bǔ)償模塊02在第二控制信號(hào)S2的控制下記錄閾值電壓；在數(shù)據(jù)信號(hào)寫入階段，將第三控制信號(hào)S3置為低電平，寫入模塊03在第三控制信號(hào)S3的控制下將數(shù)據(jù)電壓Vdata輸出至補(bǔ)償模塊02；在發(fā)光階段中，將發(fā)光控制信號(hào)EM置為低電平，發(fā)光模塊04在發(fā)光控制信號(hào)EM的控制下發(fā)光。

具體地，在復(fù)位階段中，將第一控制信號(hào)S1置為低電平，第五TFT T5導(dǎo)通，復(fù)位電壓VI經(jīng)第五TFT T5的漏極輸出，將第一TFT T1的柵極電壓復(fù)位到電位V1；在閾值電壓補(bǔ)償階段中，將第二控制信號(hào)S2置為低電平，第一TFT T1、第三TFT T3和第四TFT T4導(dǎo)通，第一電壓VDD通過第一TFT T1和第四TFTT4對(duì)第一TFT T1的柵極進(jìn)行充電，直到第一TFT T1的柵極電位升為VDD-|Vth|，第二電容器C2存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)TFT T1的閾值電壓Vth；在數(shù)據(jù)信號(hào)寫入階段，將第三控制信號(hào)S3置為低電平，第二TFT T2導(dǎo)通，第二TFT T2導(dǎo)通后將數(shù)據(jù)電壓Vdata輸出至其漏極，第一電容器C1存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電壓Vdata，第一TFTT1的柵極電位通過第二電容器C2降為(Vdata-|Vth|)；在發(fā)光階段中，發(fā)光控制信號(hào)EM置為低電平，第一TFT T1和第六TFT T6導(dǎo)通，有機(jī)發(fā)光二極管OLED發(fā)光。此時(shí)，第一TFT T1的有機(jī)發(fā)光二極管驅(qū)動(dòng)電流為：

I_OLED＝k(V_GS-|Vth|)²＝k(VDD-(Vdata-|Vth|)-|Vth|)²＝k(VDD-Vdata)²，其中，k為第一TFT T1的電流放大系數(shù)，從上式可看出，驅(qū)動(dòng)電流與第一TFT T1的閾值電壓無關(guān)。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素方法的驅(qū)動(dòng)方法中，通過復(fù)位階段實(shí)現(xiàn)第一TFT T1的柵極電壓的復(fù)位，通過閾值電壓補(bǔ)償階段記錄第一TFT T1的閾值電壓，通過數(shù)據(jù)信號(hào)的寫入在發(fā)光階段實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光。其中，閾值電壓補(bǔ)償階段可以記錄第一TFT T1的閾值電壓，從而在后面的寫入和發(fā)光階段消除閾值電壓的影響，因而可以輸出穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流。

應(yīng)理解的是，在此描述的示例性實(shí)施例應(yīng)僅以描述性含義來考慮，而不是出于限制的目的。在每個(gè)示例性實(shí)施例中對(duì)特征或方面的描述通常應(yīng)被認(rèn)為可用于其它示例性實(shí)施例中的其它相似特征或方面。

雖然已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的技術(shù)，但是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，可以對(duì)其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)的各種改變。