本發(fā)明涉及有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
：有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括具有快的響應(yīng)速度、高的發(fā)光效率和亮度以及寬的視角的自發(fā)光OLED。作為自發(fā)光元件的OLED具有與圖1中所示出結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。OLED包括陽極電極、陰極電極以及形成在其間的有機(jī)化合物層。有機(jī)化合物層包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)。一旦在陽極電極和陰極電極上施加驅(qū)動(dòng)電壓，則穿過HIL的空穴和穿過ETL的電子移動(dòng)至EML以形成激子，從而EML發(fā)射可見光。OLED顯示器具有矩陣形式的像素并且根據(jù)視頻數(shù)據(jù)的輝度調(diào)整像素的亮度，每個(gè)像素包括OLED。每個(gè)像素包括：用于控制在OLED中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流的薄膜晶體管(TFT)；用于將TFT的柵源電壓控制成在一個(gè)幀中處于恒定電平的存儲(chǔ)電容器；用于響應(yīng)于柵極信號(hào)對TFT的柵源電壓進(jìn)行編程的至少開關(guān)晶體管。驅(qū)動(dòng)電流通過基于數(shù)據(jù)電壓的TFT的柵源電壓確定并且每個(gè)像素的亮度與在OLED中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流成比例。OLED顯示器的缺點(diǎn)在于：由于工藝偏差或者隨著驅(qū)動(dòng)時(shí)間的推移而發(fā)生的柵極偏置應(yīng)力而使像素的驅(qū)動(dòng)TFT具有不同的閾值電壓。為了解決這個(gè)問題，OLED顯示器可以具有以下像素結(jié)構(gòu)：該像素結(jié)構(gòu)用于對驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓的變化進(jìn)行采樣并且用于防止這種變化影響驅(qū)動(dòng)電流。對于用于對閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償?shù)默F(xiàn)有的OLED顯示器，需要在數(shù)據(jù)電壓被充到像素中之前對驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓進(jìn)行采樣的采樣階段。因?yàn)橥ǔＪ褂镁哂懈叻直媛实娘@示面板，所以一個(gè)水平階段已經(jīng)變短，并且進(jìn)而采樣階段被減小。然而，短的采樣階段會(huì)劣化對驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償?shù)哪芰?，因而，?huì)嚴(yán)重地影響顯示面板的清晰度。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)本公開內(nèi)容的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括驅(qū)動(dòng)電路和布置在像素行上的像素。在第(j-1)個(gè)水平階段中，驅(qū)動(dòng)電路對布置在第(j-1)個(gè)像素行上的每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(DT)的閾值電壓進(jìn)行采樣，并且對布置在第j個(gè)像素行上的每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)TFT的柵電極的電壓進(jìn)行初始化。另外，在第j個(gè)水平階段中，驅(qū)動(dòng)電路對布置在第j個(gè)像素行上的每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓進(jìn)行采樣。根據(jù)本公開內(nèi)容的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器包括顯示面板、柵極驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器。顯示面板包括多個(gè)像素以及連接至所述像素的第一掃描線和第二掃描線、發(fā)射線、參考電壓線和數(shù)據(jù)線。柵極驅(qū)動(dòng)器分別向第一掃描線和第二掃描線提供第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)，并且向發(fā)射線提供發(fā)射信號(hào)。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器向數(shù)據(jù)線提供數(shù)據(jù)電壓。所述多個(gè)像素中的每一個(gè)像素包括驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)、第一晶體管至第五晶體管和存儲(chǔ)電容器。驅(qū)動(dòng)晶體管包括連接至節(jié)點(diǎn)A的柵電極、連接至節(jié)點(diǎn)B的源電極和連接至高電勢驅(qū)動(dòng)電壓輸入端的漏電極。第一晶體管連接至節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B并且能夠由通過第一掃描線輸入的第一掃描信號(hào)接通。第二晶體管連接至節(jié)點(diǎn)B和與OLED的陽極電極連接的節(jié)點(diǎn)C，并且能夠由通過發(fā)射線輸入的發(fā)射信號(hào)接通。第三晶體管連接至節(jié)點(diǎn)C和參考電壓線，并且由第一掃描信號(hào)接通。第四晶體管連接至節(jié)點(diǎn)D和參考電壓線，并且由發(fā)射信號(hào)接通。第五晶體管連接至節(jié)點(diǎn)D和數(shù)據(jù)線，并且由通過第二掃描線輸入的第二掃描信號(hào)接通。存儲(chǔ)電容器包括連接至節(jié)點(diǎn)A的第一電極和連接至節(jié)點(diǎn)D的第二電極。柵極驅(qū)動(dòng)器分別向第一信號(hào)線和第二信號(hào)線提供第一掃描信號(hào)和第二掃描信號(hào)，并且向發(fā)射線提供發(fā)射信號(hào)。根據(jù)本公開內(nèi)容的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的驅(qū)動(dòng)方法包括：第一步驟，在第一步驟中，在第(j-1)個(gè)水平階段中，對布置在第(j-1)個(gè)像素行上的每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)的閾值電壓進(jìn)行采樣，并且對布置在第j個(gè)像素行上的每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)TFT的柵電極的電壓進(jìn)行初始化；第二步驟，在第二步驟中，在第j個(gè)水平階段中，對布置在第j個(gè)像素行上的每個(gè)像素的驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓進(jìn)行采樣，并且將數(shù)據(jù)電壓充載至布置在第j個(gè)像素行上的每個(gè)像素中；第三步驟，在第三步驟中，在第(j+1)個(gè)水平階段中，在被充載至布置在第j個(gè)像素行上的每個(gè)像素中的數(shù)據(jù)電壓的情況下，促使OLED發(fā)光。根據(jù)本公開內(nèi)容的用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的像素單元，包括：驅(qū)動(dòng)晶體管(DT)，其被配置成包括連接至節(jié)點(diǎn)A的柵電極、連接至節(jié)點(diǎn)B的源電極和連接至高電勢驅(qū)動(dòng)電壓輸入端的漏電極；第一晶體管，其被連接至所述節(jié)點(diǎn)A和所述節(jié)點(diǎn)B，并且能夠由第一掃描信號(hào)接通；第二晶體管，其被連接至所述節(jié)點(diǎn)B和與OLED的陽極電極連接的節(jié)點(diǎn)C，并且能夠由發(fā)射信號(hào)接通；第三晶體管，其被連接至所述節(jié)點(diǎn)C和參考電壓線并且能夠由所述第一掃描信號(hào)接通；第四晶體管，其被連接至節(jié)點(diǎn)D和所述參考電壓線，并且能夠由所述發(fā)射信號(hào)接通；第五晶體管，其被連接至所述節(jié)點(diǎn)D和數(shù)據(jù)線，并且能夠由第二掃描信號(hào)接通；以及存儲(chǔ)電容器，其被配置成包括連接至所述節(jié)點(diǎn)A的第一電極和連接至所述節(jié)點(diǎn)D的第二電極，其中，所述第一掃描信號(hào)、所述第二掃描信號(hào)以及所述發(fā)射信號(hào)分別通過第一掃描線、第二掃描線和發(fā)射線從所述OLED顯示器的柵極驅(qū)動(dòng)器中接收。附圖說明本發(fā)明包括附圖以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解并且附圖被并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式并且與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中：圖1是示出有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)及其發(fā)光原理的圖；圖2是示出根據(jù)本公開內(nèi)容的OLED顯示器的圖；圖3是示出像素陣列的連接結(jié)構(gòu)的模擬圖；圖4是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖的圖；圖5是示出施加至像素的柵極信號(hào)的示例的圖；圖6A是與初始化時(shí)間段對應(yīng)的像素的等效電路圖；圖6B是與采樣時(shí)間段對應(yīng)的像素的等效電路圖；圖6C是與發(fā)光時(shí)間段期間對應(yīng)的像素的等效電路圖；以及圖7是根據(jù)第二實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。具體實(shí)施方式提供以下描述來幫助讀者獲得對本文中描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的全面理解。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以提出對本文所描述的方法、設(shè)備和/或系統(tǒng)的各種更改方式、變化方式及其替代物。另外，為了更清楚和簡明，可以省略對公知的功能和構(gòu)造的描述。圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器的圖，以及圖3是像素陣列與柵極驅(qū)動(dòng)器之間的連接關(guān)系。參照圖2，根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式的OLED顯示器包括其中像素PXL以矩陣的形式布置的顯示面板10、用于驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12、用于驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O線GL的柵極驅(qū)動(dòng)器13以及用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12和柵極驅(qū)動(dòng)器13的操作時(shí)序的時(shí)序控制器11。顯示面板10包括布置在n個(gè)像素行(R#j)和m個(gè)像素列上的多個(gè)像素PXL、第一至第m數(shù)據(jù)線DL1～DL[m]以及柵極線GL。柵極線GL包括n個(gè)第一掃描線SL1、n個(gè)第二掃描線SL2、第一至第n發(fā)射線EL[1]～EL[n]。第k個(gè)數(shù)據(jù)線DL[k]連接至第k行上的像素。第j個(gè)第一掃描線SL1[j]和第j個(gè)第二掃描線SL2[j]連接至第j個(gè)像素行R#j(這里，“j”是小于n的自然數(shù))。第j個(gè)發(fā)射線EL[j]連接至在第j個(gè)像素行上的像素R#j。可以由未示出的功率發(fā)生器向像素PXL提供高電勢驅(qū)動(dòng)電壓EVDD、低電勢驅(qū)動(dòng)電壓EVSS、初始電壓Vinit和參考電壓Vref。為了防止OLED的不必要的發(fā)光，初始電壓Vinit需要從比低電勢驅(qū)動(dòng)電壓EVSS足夠低的電壓范圍內(nèi)選擇。像素PXL的每個(gè)晶體管可以是包括氧化物半導(dǎo)體層的氧化物晶體管。在考慮電子遷移率、工藝偏差等方面的情況下，氧化物晶體管在制造大面積顯示面板10方面是有利的。然而，本公開內(nèi)容不限于此，并且晶體管的半導(dǎo)體層可以由非晶硅、多晶硅等制成。每個(gè)像素PXL包括多個(gè)晶體管和存儲(chǔ)電容器以補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)的閾值電壓的偏差。以下將詳細(xì)描述根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)。時(shí)序控制器11重新布置外部接收的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)RGB以適應(yīng)顯示面板10的分辨率，并且將重新布置的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)RGB提供至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12。另外，時(shí)序控制器11根據(jù)時(shí)序信號(hào)(例如，垂直同步信號(hào)Vsync、水平同步信號(hào)Hsync、像素時(shí)鐘信號(hào)DCLK和數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE)生成用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12的工作時(shí)序的數(shù)據(jù)控制信號(hào)DDC和用于控制柵極驅(qū)動(dòng)器13的工作時(shí)序的柵極控制信號(hào)GDC?；跀?shù)據(jù)控制信號(hào)DDC，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12將從時(shí)序控制器11接收的數(shù)字視頻數(shù)據(jù)RGB轉(zhuǎn)換成模擬數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器12向數(shù)據(jù)線DL提供數(shù)據(jù)電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器13基于柵極控制信號(hào)GDC生成掃描信號(hào)和發(fā)射信號(hào)。柵極驅(qū)動(dòng)器13依次地向掃描線SL提供掃描信號(hào)，并且依次地向發(fā)射線EL提供發(fā)射信號(hào)EM[j]。也就是說，柵極驅(qū)動(dòng)器13依次地向第一至第n掃描線SL提供掃描信號(hào)SCAN，并且依次地向第一至第n發(fā)射線EL提供發(fā)射信號(hào)EM[j]。柵極驅(qū)動(dòng)器13可以以面板內(nèi)柵極驅(qū)動(dòng)器(Gate-driverInPanel,GIP)的方法直接形成在顯示面板10的非顯示區(qū)上。柵極驅(qū)動(dòng)器13可以包括用于驅(qū)動(dòng)n個(gè)第一掃描線SL1[1]～SL1[n](這里“n”是自然數(shù))的第一掃描驅(qū)動(dòng)器131、用于驅(qū)動(dòng)n個(gè)第二掃描線SL2[1]～SL2[n]的第二掃描驅(qū)動(dòng)器132以及用于驅(qū)動(dòng)n個(gè)發(fā)射線EL[1]～EL[n]的發(fā)射驅(qū)動(dòng)器133。第一掃描驅(qū)動(dòng)器131生成第一掃描信號(hào)SCAN1，并且依次地向第一掃描線SL1[1]～SL1[n]提供第一掃描信號(hào)SCAN1。第二掃描驅(qū)動(dòng)器132生成第二掃描信號(hào)SCAN2，并且依次地向第二掃描線SL2[1]～SL2[n]提供第二掃描信號(hào)SCAN2。發(fā)射驅(qū)動(dòng)器133生成發(fā)射信號(hào)EM，并且依次地向發(fā)射線EL[1]～EL[n]提供發(fā)射信號(hào)EM。圖4是示出根據(jù)本公開內(nèi)容的實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的圖，以及圖5是示出向圖4中示出的像素提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的圖。參照圖4，將詳細(xì)描述布置在第j個(gè)像素行和第k個(gè)像素列上的像素PXL[j，k]。像素PXL[j，k]包括OLED、驅(qū)動(dòng)TFT(DT)、第一晶體管至第五晶體管(T1至T5)以及存儲(chǔ)電容器C。在本公開內(nèi)容的實(shí)施方式中每個(gè)晶體管是P型晶體管，但是每個(gè)晶體管的半導(dǎo)體類型不限于此。在第一晶體管至第五晶體管(T1至T5)是N型晶體管的情況下，在圖5中所示出的柵極信號(hào)SCAN1[j]、SCAN2[j]和EM[j]應(yīng)該反向。OLED由于由驅(qū)動(dòng)TFT(DT)提供的驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光。如圖1所示，在OLED的陽極電極與陰極電極之間形成有多個(gè)有機(jī)化合物層。所述多個(gè)有機(jī)化合物層包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。OLED的陽極電極連接至節(jié)點(diǎn)D，OLED的陰極電極連接至低電勢驅(qū)動(dòng)電壓(EVSS)輸入端。驅(qū)動(dòng)TFT(DT)基于其柵源電壓Vgs控制施加至OLED的驅(qū)動(dòng)電流。驅(qū)動(dòng)TFT(DT)包括連接至節(jié)點(diǎn)A的柵電極、連接至節(jié)點(diǎn)B的源電極以及連接至高電勢驅(qū)動(dòng)電壓(ELVDD)輸入端的漏電極。第一晶體管(T1)的第一電極和第二電極分別連接至節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B，并且第一晶體管(T1)的柵電極連接至第一掃描線SL1。也就是說，第一晶體管(T1)由第一掃描信號(hào)SCAN1接通以連接節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B。第二晶體管(T2)的第一電極和第二電極分別連接至節(jié)點(diǎn)B和節(jié)點(diǎn)C，并且第二晶體管(T2)的柵電極連接至發(fā)射線EL[j]。也就是說，響應(yīng)于發(fā)射信號(hào)EM[j]，第二晶體管(T2)連接驅(qū)動(dòng)TFT(DT)和OLED。第三晶體管(T3)的第一電極和第二電極分別連接至節(jié)點(diǎn)C和參考電壓線VRL，第三晶體管(T3)的柵電極連接至第一掃描線SL1。也就是說，響應(yīng)于第一掃描線SL1，第三晶體管(T3)向節(jié)點(diǎn)C提供參考電壓Vref。第四晶體管(T4)的第一電極和第二電極連接至節(jié)點(diǎn)D和參考電壓線VRL，并且第四晶體管(T4)的柵電極連接至發(fā)射線EL[j]。也就是說，響應(yīng)于發(fā)射信號(hào)EM，第四晶體管(T4)向節(jié)點(diǎn)D提供參考電壓。第五晶體管(T5)的第一電極和第二電極分別被連接至數(shù)據(jù)線DL[k]和節(jié)點(diǎn)D，并且第五晶體管(T5)的柵電極連接至第二掃描線SL2。也就是說，響應(yīng)于第二掃描信號(hào)SCAN2[j]，第五晶體管(T5)向節(jié)點(diǎn)D提供數(shù)據(jù)電壓Vdata。存儲(chǔ)電容器C被連接在節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)D之間。存儲(chǔ)電容器C被用于以源極跟隨的方法對驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的閾值電壓進(jìn)行采樣。參照圖5和圖6A至圖6C以及[表1]描述了在第一實(shí)施方式中布置在第j個(gè)像素行上的每個(gè)像素的操作。圖6A至圖6C為根據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的像素的等效電路圖，并且[表1]示出了在像素的不同操作階段中的各個(gè)節(jié)點(diǎn)的相位。在第一實(shí)施方式中第一晶體管至第五晶體管(T1至T5)是N型晶體管，所以每個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的低電平電壓表示晶體的接通電壓，并且高電平電壓表示晶體管的斷開電壓。每個(gè)像素的操作被分成初始化階段Ti、采樣階段Ts和發(fā)光階段Te。初始化階段Ti是用于將連接至驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的柵電極的節(jié)點(diǎn)A的電壓初始化的時(shí)間階段。在初始化階段Ti期間，參考電壓Vref可以被用作對節(jié)點(diǎn)A進(jìn)行初始化的電壓。采樣階段Ts是用于對驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的閾值電壓進(jìn)行采樣并且用于將數(shù)據(jù)電壓Vdata充電到連接至存儲(chǔ)電容器Cst的節(jié)點(diǎn)D的時(shí)間階段。發(fā)光階段Te是用于使OLED發(fā)光而不影響閾值電壓的時(shí)間階段。初始化階段Ti、采樣階段Ts和發(fā)光階段Te中的每一個(gè)階段在一個(gè)水平階段1H中執(zhí)行。第j個(gè)水平階段jH可以被限定為第j個(gè)掃描信號(hào)SCAN[j]被施加至第j個(gè)像素行(R#j)的時(shí)間階段。[表1]初始化階段采樣階段發(fā)光階段節(jié)點(diǎn)AVrefELVDD-VthELVEE-Vth(Vdata-Vref)節(jié)點(diǎn)BVrefVrefVdata布置在第j個(gè)像素行上的像素的初始化階段Ti在其中數(shù)據(jù)電壓被施加至第(j-1)像素行上的第(j-1)個(gè)水平階段[j-1]H中執(zhí)行。在初始化階段Ti中，輸入接通電平的第一掃描信號(hào)SCAN1和接通電平的發(fā)射信號(hào)EM，并且輸入斷開電平的第二掃描信號(hào)SCAN2。因此，由發(fā)射信號(hào)EM[j]接通第四晶體管(T4)以將參考電壓Vref充電至節(jié)點(diǎn)D。第一晶體管(T1)和第三晶體管(T3)由第一掃描信號(hào)SCAN1[j]接通，并且第二晶體管(T2)由發(fā)射信號(hào)EM[j]接通。因此，在初始化階段Ti中第一晶體管(T1)至第三晶體管(T3)連接參考電壓線VRL和節(jié)點(diǎn)A，因而，以參考電壓Vref對節(jié)點(diǎn)A進(jìn)行充電。在其中數(shù)據(jù)電壓被輸入至布置在第j個(gè)像素行上的像素的第j個(gè)水平階段jH中執(zhí)行采樣階段Ts。在采樣階段Ts中，第二掃描信號(hào)SCAN2[j]被反向至接通電平電壓，而發(fā)射信號(hào)EM[j]被反向至斷開電平電壓。當(dāng)發(fā)射信號(hào)EM[j]被反向至低電平電壓時(shí)，第二晶體管(T2)被斷開并且節(jié)點(diǎn)B與節(jié)點(diǎn)C之間的電流路徑被切斷。在采樣階段Ts中，第一晶體管(T1)由第一掃描信號(hào)SCAN1接通，并且節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B被彼此連接。因此，節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)B二極管連接，并且節(jié)點(diǎn)A被充電至“ELVDD-Vth”電平電壓，“ELVDD-Vth”電平電壓對應(yīng)于高電勢驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD與驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的閾值電壓之間的差。在采樣階段Ts中，第五晶體管(T5)由第二掃描信號(hào)SCAN2[j]接通，使得由數(shù)據(jù)線DL提供的數(shù)據(jù)電壓被充電至節(jié)點(diǎn)D。發(fā)光階段Te開始于編程階段Tp之后并且結(jié)束于下一幀的初始化階段Ti之前。在發(fā)光階段Te中，第一掃描信號(hào)SCAN1和第二掃描信號(hào)SCAN2被反向至斷開電平電壓，并且發(fā)射信號(hào)EM[j]被反向至接通電平電壓。第四晶體管(T4)由發(fā)射信號(hào)EM[j]接通以將參考電壓Vref充載至節(jié)點(diǎn)D。因此，在采樣階段Ts中被充電至數(shù)據(jù)電壓Vdata的節(jié)點(diǎn)D在發(fā)光階段Te中被充電至參考電壓Vref。也就是說，當(dāng)采樣階段Ts行進(jìn)至發(fā)光階段Te時(shí)，節(jié)點(diǎn)D的電壓電平被改變了“Vdata-Vref”之多，“Vdata-Vref”對應(yīng)于數(shù)據(jù)電壓Vdata與參考電壓Vref之間的差。響應(yīng)于在節(jié)點(diǎn)D的電壓電平方面的變化，節(jié)點(diǎn)A的電壓電平改變。也就是說，通過所反映的“Vdata-Vref”，節(jié)點(diǎn)A的電壓電平從“ELVDD-Vth”變成“ELVDD-Vth-(Vdata-Vref)”?？傊诎l(fā)光階段Te中在OLED中流動(dòng)的驅(qū)動(dòng)電流Ioled由等式1表示?！镜仁?】Ioled＝(k/2)(Vsg-Vth)^2＝(k/2)(ELVDD-ELVDD+Vth+Vdata-Vref-Vth)^2＝(k/2)(Vdata-Vref)^2在等式1中，k表示由驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的電子遷移率、寄生電容和溝道能力確定的比例因子?；谝陨向?qū)動(dòng)電流等式OLED發(fā)光并且因此能夠顯示期望的灰度。換言之，關(guān)于OLED的驅(qū)動(dòng)電流Ioled的公式是k/2(Vsg-Vth)^2，但是在編程階段Tp中編程的Vsg已經(jīng)包括了對應(yīng)于Vth的分量，因此，從關(guān)于驅(qū)動(dòng)電流Ioled的最終公式中去除Vth。意味著閾值電壓的任何改變都不會(huì)影響驅(qū)動(dòng)電流Ioled。因此，在根據(jù)本公開內(nèi)容的OLED顯示器中，第j個(gè)像素行的初始化階段與第(j-1)個(gè)像素行的采樣階段重疊。也就是說，初始化階段和采樣階段均在一個(gè)水平階段1H中執(zhí)行。在第一實(shí)施方式中，驅(qū)動(dòng)TFT的初始化階段和采樣階段在不同的水平階段中執(zhí)行，使得可以確保足夠長的采樣階段，因而可以有效地補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓。因此，本公開內(nèi)容可以有效地改善亮度失真。圖7是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)的圖。參照圖7，詳細(xì)地描述布置在第j個(gè)像素行和第k個(gè)像素列上的像素PXL[j，k]。下文中，將不再詳細(xì)描述與在第二實(shí)施方式中已經(jīng)描述的那些部件基本相同的部件。參照圖7，詳細(xì)地描述布置在第j個(gè)像素行和第k個(gè)像素列上的像素PXL[j，k]。像素PXL[j，k]包括OLED、驅(qū)動(dòng)TFT(DT)、第一晶體管至第五晶體管(T1至T5)和存儲(chǔ)電容器C。在本公開內(nèi)容的實(shí)施方式中每個(gè)晶體管是P型晶體管，但是每個(gè)晶體管的半導(dǎo)體類型不限于此。在第一晶體管至第五晶體管(T1至T5)是N型晶體管的情況下，在圖5中所示出的柵極信號(hào)SCAN1[j]、SCAN2[j]和EM[j]應(yīng)該反向。OLED通過由驅(qū)動(dòng)TFT(DT)提供的驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光。驅(qū)動(dòng)TFT(DT)基于其柵源電壓Vgs控制要施加至OLED的驅(qū)動(dòng)電流。驅(qū)動(dòng)TFT(DT)包括連接至節(jié)點(diǎn)A的柵電極、連接至節(jié)點(diǎn)B的源電極以及連接至高電勢驅(qū)動(dòng)電壓(ELVDD)輸入端的漏電極。第一晶體管(T1)的第一電極和第二電極分別連接至節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B，并且第一晶體管(T1)的柵電極連接至第一掃描線SL1。也就是說，由第一掃描信號(hào)SCAN1接通第一晶體管(T1)以將節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B彼此連接。第一晶體管(T1)可以是雙柵極結(jié)構(gòu)以減少漏電流。在第一晶體管(T1)斷開、電流泄露的情況下，存儲(chǔ)電容器C的相位改變。如果存儲(chǔ)電容器C的相位改變，則驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的柵源相位改變。因?yàn)轵?qū)動(dòng)TFT(DT)的柵源相位確定OLED的亮度，所以第一晶體管(T1)的漏電流影響亮度。因此，在連接至存儲(chǔ)電容器C的第一晶體管(T1)以雙柵極結(jié)構(gòu)設(shè)置的情況下，可以減小第一晶體管(T1)的漏電流并且防止亮度失真。第二晶體管(T2)的第一電極和第二電極分別連接至節(jié)點(diǎn)B和節(jié)點(diǎn)C，并且第二晶體管(T2)的柵電極連接至發(fā)射線EL[j]。也就是說，響應(yīng)于發(fā)射信號(hào)EM[j]，第二晶體管(T2)連接驅(qū)動(dòng)TFT(DT)和OLED。第三晶體管(T3)的第一電極和第二電極分別連接至節(jié)點(diǎn)C和參考電壓線VRL，第三晶體管(T3)的柵電極連接至第一掃描線SL1。也就是說，響應(yīng)于第一掃描線SL1，第三晶體管(T3)向節(jié)點(diǎn)C提供參考電壓Vref。第四晶體管(T4)的第一電極和第二電極分別連接至節(jié)點(diǎn)D和參考電壓線VRL，并且第四晶體管(T4)的柵電極連接至發(fā)射線EL[j]。也就是說，響應(yīng)于發(fā)射信號(hào)EM，第四晶體管(T4)向節(jié)點(diǎn)D提供參考電壓Vref。第五晶體管(T5)的第一電極和第二電極分別被連接至數(shù)據(jù)線DL和節(jié)點(diǎn)D，并且第五晶體管(T5)的柵電極連接至第二掃描線SL2。也就是說，響應(yīng)于第二掃描信號(hào)SCAN2[j]，第五晶體管(T5)向節(jié)點(diǎn)D提供數(shù)據(jù)電壓Vdata。存儲(chǔ)電容器C被連接在節(jié)點(diǎn)A與節(jié)點(diǎn)D之間。存儲(chǔ)電容器C被用于以源極跟隨的方法對驅(qū)動(dòng)TFT(DT)的閾值電壓進(jìn)行采樣。第二實(shí)施方式示出了第一晶體管(T1)是雙柵極結(jié)構(gòu)的情況。當(dāng)在連接至存儲(chǔ)電容器C的晶體管中的電流泄露時(shí)，會(huì)發(fā)生亮度失真。為此，連接至存儲(chǔ)電容器C的其他晶體管也可以具有雙柵極結(jié)構(gòu)。例如，盡管在附圖中未示出，但是第四晶體管(T4)也可以具有雙柵極結(jié)構(gòu)。在其他的示例中，第一晶體管(T1)或者第四晶體管(T4)可以具有雙柵極結(jié)構(gòu)?？傊?，第一晶體管(T1)和第四晶體管(T4)的柵極結(jié)構(gòu)可以選自在[表2]中示出的下面的示例中之一?！颈?】如上所述，本公開內(nèi)容在之前的水平階段對驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓進(jìn)行采樣，使得可以確保有足夠長的時(shí)間用于采樣。因此，本公開內(nèi)容可以有效地補(bǔ)償驅(qū)動(dòng)TFT的閾值電壓。另外，在本公開內(nèi)容中連接至存儲(chǔ)電容器的晶體管以雙柵極結(jié)構(gòu)形成，使得可以防止由于漏電流而發(fā)生的亮度失真。盡管已經(jīng)參照大量示例性實(shí)施方式對實(shí)施方式進(jìn)行了描述，但是應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出落在本公開內(nèi)容的原則的范圍內(nèi)的許多其他修改方式和實(shí)施方式。更具體地，可以在本公開內(nèi)容、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)對主題組合布置的部件部分和/或布置方面進(jìn)行各種變形和修改。除了在部件部分和/或布置方面的變型和修改之外，替代性用途對本領(lǐng)域技術(shù)人員也將是明顯。當(dāng)前第1頁1 2 3