本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種像素電路、驅(qū)動(dòng)方法及顯示裝置。
背景技術(shù):
有機(jī)發(fā)光二極管(organiclightemittingdiode,oled)是當(dāng)今顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一,與液晶顯示器(liquidcrystaldisplay,lcd)相比,oled具有低能耗、生產(chǎn)成本低、自發(fā)光、寬視角及響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn),目前,在手機(jī)、pda、數(shù)碼相機(jī)等顯示領(lǐng)域oled顯示屏已經(jīng)開(kāi)始取代傳統(tǒng)的lcd顯示屏。其中,像素電路設(shè)計(jì)是oled顯示器核心技術(shù)內(nèi)容,具有重要的研究意義。
與lcd利用穩(wěn)定的電壓控制亮度不同,oled屬于電流驅(qū)動(dòng),需要穩(wěn)定的電流來(lái)控制發(fā)光。由于工藝制程和器件老化等原因,會(huì)使像素電路的驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓vth存在不均勻性,這樣就導(dǎo)致了流過(guò)不同oled像素的電流發(fā)生變化使得顯示亮度不均,從而影響整個(gè)圖像的顯示效果。
例如現(xiàn)有的2m1c的像素電路中,如圖1所示,該電路由1個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管m2,一個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管m1和一個(gè)存儲(chǔ)電容cs組成,當(dāng)掃描線(xiàn)scan選擇某一行時(shí),掃描線(xiàn)scan輸入低電平信號(hào),p型的開(kāi)關(guān)晶體管m1導(dǎo)通,數(shù)據(jù)線(xiàn)data的電壓寫(xiě)入存儲(chǔ)電容cs;當(dāng)該行掃描結(jié)束后,掃描線(xiàn)scan輸入的信號(hào)變?yōu)楦唠娖剑琾型的開(kāi)關(guān)晶體管m1關(guān)斷,存儲(chǔ)電容cs存儲(chǔ)的電壓控制驅(qū)動(dòng)晶體管m2產(chǎn)生電流來(lái)驅(qū)動(dòng)oled像素,保證oled像素在一幀內(nèi)持續(xù)發(fā)光。其中,驅(qū)動(dòng)晶體管m2的飽和電流公式為ioled=k(vsg-vth)2,其中,vsg是驅(qū)動(dòng)晶體管m2源極和柵極之間的電壓差,k是結(jié)構(gòu)系數(shù),vth是驅(qū)動(dòng)晶體管m2的閾值電壓。正如前述,由于工藝制程和器件老化等原因,驅(qū)動(dòng)晶體管t2的閾值電壓vth會(huì)漂移,這樣就導(dǎo)致了流過(guò)不同oled像素的電流因驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓vth的變化而變化,從而導(dǎo)致圖像亮度不均勻。
現(xiàn)有技術(shù)中,通過(guò)在像素電路中增加晶體管數(shù)量來(lái)改善圖像亮度顯示不均勻的現(xiàn)象,但是在像素電路中增加晶體管就會(huì)使開(kāi)口率降低,不利于高像素顯示。
因此,如何實(shí)現(xiàn)在保證圖像亮度均勻的基礎(chǔ)上增大開(kāi)口率提高顯示質(zhì)量是一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
有鑒于此,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路、驅(qū)動(dòng)方法及顯示裝置,用以在保證圖像亮度均勻的基礎(chǔ)上增大開(kāi)口率提高顯示質(zhì)量。
因此,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素電路,所述像素電路包括兩個(gè)像素子電路,與所述像素電路對(duì)應(yīng)的一數(shù)據(jù)線(xiàn)、一第一掃描線(xiàn)、一第二掃描線(xiàn)、一第三掃描線(xiàn)和一發(fā)光控制線(xiàn);其中,所述像素子電路包括:發(fā)光控制模塊、節(jié)點(diǎn)重置模塊、驅(qū)動(dòng)控制模塊、寫(xiě)入模塊、穩(wěn)壓模塊和發(fā)光器件;其中,
所述發(fā)光控制模塊分別與第一電壓信號(hào)端、發(fā)光控制端和第一節(jié)點(diǎn)連接;所述發(fā)光控制模塊用于在所述發(fā)光控制端的控制下將所述第一電壓信號(hào)端的信號(hào)提供給所述第一節(jié)點(diǎn);
所述節(jié)點(diǎn)重置模塊分別與第一掃描信號(hào)端、所述第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)連接;所述節(jié)點(diǎn)重置模塊用于在所述第一掃描信號(hào)端的控制下使所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)導(dǎo)通;
所述寫(xiě)入模塊分別與第二掃描信號(hào)端、數(shù)據(jù)信號(hào)端和第二節(jié)點(diǎn)連接;所述寫(xiě)入模塊用于在所述第二掃描信號(hào)端的控制下,將所述數(shù)據(jù)信號(hào)端發(fā)出的數(shù)據(jù)信號(hào)和閾值電壓寫(xiě)入所述第二節(jié)點(diǎn);
所述驅(qū)動(dòng)控制模塊分別與所述第一節(jié)點(diǎn)、所述第二節(jié)點(diǎn)和所述發(fā)光器件連接;所述驅(qū)動(dòng)控制模塊用于在所述第二節(jié)點(diǎn)的控制下驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光;
所述發(fā)光器件連接于所述驅(qū)動(dòng)控制模塊與第二電壓信號(hào)端之間;
所述穩(wěn)壓模塊連接于所述第二節(jié)點(diǎn)與第二電壓信號(hào)端之間,所述穩(wěn)壓模塊用于保持所述第二節(jié)點(diǎn)的電位;
兩個(gè)所述像素子電路的所述數(shù)據(jù)信號(hào)端均與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)相連,所述第一掃描信號(hào)端均與所述第一掃描信號(hào)線(xiàn)相連,所述發(fā)光控制端均與所述發(fā)光控制線(xiàn)相連;其中一個(gè)像素子電路的所述第二掃描信號(hào)端與所述第二掃描信號(hào)線(xiàn)相連,另一個(gè)像素子電路的所述第二掃描信號(hào)端與所述第三掃描信號(hào)線(xiàn)相連。
在一種可能的實(shí)施方式中,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,所述發(fā)光控制模塊具體包括:第一開(kāi)關(guān)晶體管;
所述第一開(kāi)關(guān)晶體管,其柵極與所述發(fā)光控制端連接,源極與所述第一電壓信號(hào)端連接,漏極分別與所述第一節(jié)點(diǎn)連接。
在一種可能的實(shí)施方式中,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,所述節(jié)點(diǎn)重置模塊具體包括:第二開(kāi)關(guān)晶體管;
所述第二開(kāi)關(guān)晶體管,其柵極與所述第一掃描信號(hào)端連接,源極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接,漏極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接。
在一種可能的實(shí)施方式中,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,所述寫(xiě)入模塊具體包括:第三開(kāi)關(guān)晶體管和第四開(kāi)關(guān)晶體管;
所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的柵極與所述第二掃描信號(hào)端連接,源極與所述數(shù)據(jù)信號(hào)端連接,漏極與所述第四開(kāi)關(guān)晶體管的源極連接;
所述第四開(kāi)關(guān)晶體管,其柵極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接,源極與所述第三開(kāi)關(guān)晶體管的漏極連接,漏極與所述所述第二節(jié)點(diǎn)連接。
較佳地,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊具體包括:驅(qū)動(dòng)晶體管;
所述驅(qū)動(dòng)晶體管,其柵極與所述第二節(jié)點(diǎn)連接,源極與所述第一節(jié)點(diǎn)連接,漏極與所述發(fā)光器件連接。
在一種可能的實(shí)施方式中,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,所述穩(wěn)壓模塊具體包括:第一電容;
所述第一電容連接于所述第二節(jié)點(diǎn)與第二電壓信號(hào)端之間。
較佳地,為了簡(jiǎn)化制作工藝,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,所有的開(kāi)關(guān)晶體管均為n型晶體管。
相應(yīng)地,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述任一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法,包括:
重置階段,針對(duì)每一所述像素子電路:所述發(fā)光控制模塊在所述發(fā)光控制端的控制下,將所述第一電壓信號(hào)端的信號(hào)提供給所述第一節(jié)點(diǎn);所述節(jié)點(diǎn)重置模塊在所述第一掃描信號(hào)端的控制下使所述第一節(jié)點(diǎn)與所述第二節(jié)點(diǎn)導(dǎo)通;
第一寫(xiě)入階段,與所述第二掃描線(xiàn)連接的所述像素子電路中的所述寫(xiě)入模塊在所述第二掃描線(xiàn)發(fā)出的信號(hào)的控制下將所述數(shù)據(jù)信號(hào)端發(fā)出的數(shù)據(jù)信號(hào)和閾值電壓寫(xiě)入所述第二節(jié)點(diǎn);
第二寫(xiě)入階段,與所述第三掃描線(xiàn)連接的所述像素子電路中的所述寫(xiě)入模塊在所述第三掃描線(xiàn)發(fā)出的信號(hào)的控制下將所述數(shù)據(jù)信號(hào)端發(fā)出的數(shù)據(jù)信號(hào)和閾值電壓寫(xiě)入所述第二節(jié)點(diǎn);
發(fā)光階段,針對(duì)每一所述像素子電路:所述發(fā)光控制模塊在所述發(fā)光控制端的控制下,將所述第一電壓信號(hào)端的信號(hào)提供給所述第一節(jié)點(diǎn);所述穩(wěn)壓模塊保持所述第二節(jié)點(diǎn)的電壓;所述驅(qū)動(dòng)控制模塊在所述第二節(jié)點(diǎn)的控制下驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。
相應(yīng)地,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示面板,包括呈矩陣排列的多個(gè)本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種像素電路;
其中,每一列所述像素電路共用一條數(shù)據(jù)線(xiàn),每一行所述像素電路共用一條第一掃描線(xiàn)、一條第二掃描線(xiàn)、一條第三掃描線(xiàn)和一條發(fā)光控制線(xiàn)。
相應(yīng)地,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種顯示面板。
本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路、驅(qū)動(dòng)方法及顯示裝置,像素電路中包括:兩個(gè)像素子電路,與像素電路對(duì)應(yīng)的一數(shù)據(jù)線(xiàn)、一第一掃描線(xiàn)、一第二掃描線(xiàn)、一第三掃描線(xiàn)和一發(fā)光控制線(xiàn);其中,像素子電路包括:發(fā)光控制模塊、節(jié)點(diǎn)重置模塊、驅(qū)動(dòng)控制模塊、寫(xiě)入模塊、穩(wěn)壓模塊和發(fā)光器件;通過(guò)兩個(gè)像素子電路共用一條數(shù)據(jù)線(xiàn),從而實(shí)現(xiàn)利用一個(gè)像素電路來(lái)完成兩個(gè)像素的驅(qū)動(dòng),大大縮減了像素之間的距離,增加了開(kāi)口率,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高像素顯示,以提高顯示質(zhì)量;同時(shí)針對(duì)各像素子電路,通過(guò)上述各模塊的配合工作該像素電路可以使驅(qū)動(dòng)控制模塊驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)控制模塊的閾值電壓以及第一電壓信號(hào)無(wú)關(guān),能避免驅(qū)動(dòng)控制模塊的閾值電壓對(duì)發(fā)光器件的影響,即在使用相同的數(shù)據(jù)信號(hào)加載到不同的像素單元時(shí),能夠得到亮度相同的圖像,提高了顯示裝置顯示區(qū)域圖像亮度的均勻性。
附圖說(shuō)明
圖1為現(xiàn)有的2t1c的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的具體結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為圖3所示的像素電路的電路時(shí)序示意圖;
圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的驅(qū)動(dòng)方法的流程示意圖;
圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的排布方式的具體結(jié)構(gòu)示意圖之一;
圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的排布方式的具體結(jié)構(gòu)示意圖之二。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路、驅(qū)動(dòng)方法及顯示裝置的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素電路,如圖2所示,像素電路包括兩個(gè)像素子電路10,與像素電路對(duì)應(yīng)的一數(shù)據(jù)線(xiàn)data、一第一掃描線(xiàn)scan1、一第二掃描線(xiàn)scan2、一第三掃描線(xiàn)scan3和一發(fā)光控制線(xiàn)em;其中,像素子電路10包括:發(fā)光控制模塊1、節(jié)點(diǎn)重置模塊2、驅(qū)動(dòng)控制模塊4、寫(xiě)入模塊3、穩(wěn)壓模塊5和發(fā)光器件6;其中,
發(fā)光控制模塊1分別與第一電壓信號(hào)端vdd、發(fā)光控制端和第一節(jié)點(diǎn)a連接;發(fā)光控制模塊用于在發(fā)光控制端的控制下將第一電壓信號(hào)端vdd的信號(hào)提供給第一節(jié)點(diǎn)a;
節(jié)點(diǎn)重置模塊2分別與第一掃描信號(hào)端、第一節(jié)點(diǎn)a和第二節(jié)點(diǎn)b連接;節(jié)點(diǎn)重置模塊用于在第一掃描信號(hào)端的控制下使第一節(jié)點(diǎn)a與第二節(jié)點(diǎn)b導(dǎo)通;
寫(xiě)入模塊3分別與第二掃描信號(hào)端、數(shù)據(jù)信號(hào)端和第二節(jié)點(diǎn)b連接;寫(xiě)入模塊3用于在第二掃描信號(hào)端的控制下,將數(shù)據(jù)信號(hào)端發(fā)出的數(shù)據(jù)信號(hào)和閾值電壓寫(xiě)入第二節(jié)點(diǎn)b;
驅(qū)動(dòng)控制模塊4分別與第一節(jié)點(diǎn)a、第二節(jié)點(diǎn)b和發(fā)光器件6連接;驅(qū)動(dòng)控制模塊4用于在第二節(jié)點(diǎn)b的控制下驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件6發(fā)光;
發(fā)光器件6連接于驅(qū)動(dòng)控制模塊4與第二電壓信號(hào)端vss之間;
穩(wěn)壓模塊5連接于第二節(jié)點(diǎn)與第二電壓信號(hào)端vss之間,穩(wěn)壓模塊5用于保持第二節(jié)點(diǎn)b的電位;
兩個(gè)像素子電路10的數(shù)據(jù)信號(hào)端均與數(shù)據(jù)線(xiàn)data相連,第一掃描信號(hào)端均與第一掃描信號(hào)線(xiàn)scan1相連,發(fā)光控制端均與發(fā)光控制線(xiàn)em相連;其中一個(gè)像素子電路10的第二掃描信號(hào)端與第二掃描信號(hào)線(xiàn)scan2相連,另一個(gè)像素子電路10的第二掃描信號(hào)端與第三掃描信號(hào)線(xiàn)scan3相連。
本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中包括:兩個(gè)像素子電路,與像素電路對(duì)應(yīng)的一數(shù)據(jù)線(xiàn)、一第一掃描線(xiàn)、一第二掃描線(xiàn)、一第三掃描線(xiàn)和一發(fā)光控制線(xiàn);其中,像素子電路包括:發(fā)光控制模塊、節(jié)點(diǎn)重置模塊、驅(qū)動(dòng)控制模塊、寫(xiě)入模塊、穩(wěn)壓模塊和發(fā)光器件;通過(guò)兩個(gè)像素子電路共用一條數(shù)據(jù)線(xiàn),從而實(shí)現(xiàn)利用一個(gè)像素電路來(lái)完成兩個(gè)像素的驅(qū)動(dòng),大大縮減了像素之間的距離,增加了開(kāi)口率,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高像素顯示,以提高顯示質(zhì)量;同時(shí)針對(duì)各像素子電路,通過(guò)上述各模塊的配合工作該像素電路可以使驅(qū)動(dòng)控制模塊驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)控制模塊的閾值電壓以及第一電壓信號(hào)無(wú)關(guān),能避免驅(qū)動(dòng)控制模塊的閾值電壓對(duì)發(fā)光器件的影響,即在使用相同的數(shù)據(jù)信號(hào)加載到不同的像素單元時(shí),能夠得到亮度相同的圖像,提高了顯示裝置顯示區(qū)域圖像亮度的均勻性。
下面結(jié)合具體實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例中是為了更好的解釋本發(fā)明,但不限制本發(fā)明。
較佳地,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,如圖3所示,發(fā)光控制模塊1具體包括:第一開(kāi)關(guān)晶體管t1;
第一開(kāi)關(guān)晶體管t1,其柵極與發(fā)光控制端連接,源極與第一電壓信號(hào)端vdd連接,漏極分別與第一節(jié)點(diǎn)a連接。
進(jìn)一步地,在具體實(shí)施時(shí),如圖3所示,第一開(kāi)關(guān)晶體管t1可以為n型晶體管,此時(shí),當(dāng)發(fā)光控制端發(fā)出的發(fā)光控制信號(hào)vem為高電平時(shí)第一開(kāi)關(guān)晶體管t1處于導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)發(fā)光控制端發(fā)出的發(fā)光控制信號(hào)vem為低電平時(shí)第一開(kāi)關(guān)晶體管t1處于截止?fàn)顟B(tài);第一開(kāi)關(guān)晶體管t1也可以為p型晶體管(在圖中未示出),此時(shí),當(dāng)發(fā)光控制端發(fā)出的發(fā)光控制信號(hào)vem為低電平時(shí)第一開(kāi)關(guān)晶體管t1處于導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)發(fā)光控制端發(fā)出的發(fā)光控制信號(hào)vem為高電平時(shí)第一開(kāi)關(guān)晶體管t1處于截止?fàn)顟B(tài);在此不作限定。
具體地,本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路,當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)晶體管在發(fā)光控制信號(hào)的控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),第一電壓信號(hào)端發(fā)出的第一電壓信號(hào)就通過(guò)導(dǎo)通的第一開(kāi)關(guān)晶體管傳輸給第一節(jié)點(diǎn)。
以上僅是舉例說(shuō)明像素電路中發(fā)光控制模塊的具體結(jié)構(gòu),在具體實(shí)施時(shí),發(fā)光控制模塊的具體結(jié)構(gòu)不限于本發(fā)明實(shí)施例提供的上述結(jié)構(gòu),還可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員可知的其他結(jié)構(gòu),在此不做限定。
較佳地,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,如圖3所示,節(jié)點(diǎn)重置模塊2具體包括:第二開(kāi)關(guān)晶體管t2;
第二開(kāi)關(guān)晶體管t2,其柵極與第一掃描信號(hào)端連接,源極與第一節(jié)點(diǎn)a連接,漏極與第二節(jié)點(diǎn)b連接。
進(jìn)一步地,在具體實(shí)施時(shí),如圖3所示,第二開(kāi)關(guān)晶體管t2可以為n型晶體管,此時(shí),當(dāng)?shù)谝粧呙栊盘?hào)端發(fā)出的第一掃描信號(hào)vscan1為高電平時(shí)第二開(kāi)關(guān)晶體管t2處于導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)?shù)谝粧呙栊盘?hào)端發(fā)出的第一掃描信號(hào)vscan1為低電平時(shí)第二開(kāi)關(guān)晶體管t2處于截止?fàn)顟B(tài);第二開(kāi)關(guān)晶體管t2也可以為p型晶體管(在圖中未示出),此時(shí),當(dāng)?shù)谝粧呙栊盘?hào)端發(fā)出的第一掃描信號(hào)vscan1為低電平時(shí)第二開(kāi)關(guān)晶體管t2處于導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)?shù)谝粧呙栊盘?hào)端發(fā)出的第一掃描信號(hào)vscan1為高電平時(shí)第二開(kāi)關(guān)晶體管t2處于截止?fàn)顟B(tài);在此不作限定。
具體地,本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路,當(dāng)?shù)诙_(kāi)關(guān)晶體管在第一掃描信號(hào)的控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),第一節(jié)點(diǎn)處的第一電壓信號(hào)就通過(guò)導(dǎo)通的第二開(kāi)關(guān)晶體管傳輸給第二節(jié)點(diǎn)。
以上僅是舉例說(shuō)明像素電路中節(jié)點(diǎn)重置模塊的具體結(jié)構(gòu),在具體實(shí)施時(shí),節(jié)點(diǎn)重置模塊的具體結(jié)構(gòu)不限于本發(fā)明實(shí)施例提供的上述結(jié)構(gòu),還可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員可知的其他結(jié)構(gòu),在此不做限定。
較佳地,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,如圖3所示,寫(xiě)入模塊3具體包括:第三開(kāi)關(guān)晶體管t3和第四開(kāi)關(guān)晶體管t4;
第三開(kāi)關(guān)晶體管t3的柵極與第二掃描信號(hào)端連接,源極與數(shù)據(jù)信號(hào)端連接,漏極與第四開(kāi)關(guān)晶體管t4的源極連接;
第四開(kāi)關(guān)晶體管t4,其柵極與第二節(jié)點(diǎn)b連接,源極與第三開(kāi)關(guān)晶體管t3的漏極連接,漏極與第二節(jié)點(diǎn)b連接。
進(jìn)一步地,在具體實(shí)施時(shí),如圖3所示,第三開(kāi)關(guān)晶體管t3可以為n型晶體管,此時(shí),當(dāng)?shù)诙呙栊盘?hào)端發(fā)出的信號(hào)為高電平時(shí)第三開(kāi)關(guān)晶體管t3處于導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)?shù)诙呙栊盘?hào)端發(fā)出的信號(hào)為低電平時(shí)第三開(kāi)關(guān)晶體管t3處于截止?fàn)顟B(tài);第三開(kāi)關(guān)晶體管t3也可以為p型晶體管(在圖中未示出),此時(shí),當(dāng)?shù)诙呙栊盘?hào)端發(fā)出的信號(hào)為低電平時(shí)第三開(kāi)關(guān)晶體管t3處于導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)?shù)诙呙栊盘?hào)端發(fā)出的信號(hào)為高電平時(shí)第三開(kāi)關(guān)晶體管t3處于截止?fàn)顟B(tài);在此不作限定。
進(jìn)一步地,在具體實(shí)施時(shí),如圖3所示,第四開(kāi)關(guān)晶體管t4可以為n型晶體管,此時(shí),當(dāng)?shù)诙?jié)點(diǎn)b處的電壓為高電平時(shí)第四開(kāi)關(guān)晶體管t4處于導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)?shù)诙?jié)點(diǎn)b處的電壓為低電平時(shí)第四開(kāi)關(guān)晶體管t4處于截止?fàn)顟B(tài)。
具體地,本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路,當(dāng)?shù)谌_(kāi)關(guān)晶體管在第一掃描信號(hào)的控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),數(shù)據(jù)信號(hào)就通過(guò)導(dǎo)通的第三開(kāi)關(guān)晶體管傳輸給第四開(kāi)關(guān)晶體管的源極;當(dāng)?shù)谒拈_(kāi)關(guān)晶體管在第二節(jié)點(diǎn)處的電壓的控制下處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),將數(shù)據(jù)信號(hào)和第四開(kāi)關(guān)晶體管的閾值電壓寫(xiě)入第二節(jié)點(diǎn)。
以上僅是舉例說(shuō)明像素電路中寫(xiě)入模塊的具體結(jié)構(gòu),在具體實(shí)施時(shí),寫(xiě)入模塊的具體結(jié)構(gòu)不限于本發(fā)明實(shí)施例提供的上述結(jié)構(gòu),還可以是本領(lǐng)域技術(shù)人員可知的其他結(jié)構(gòu),在此不做限定。
較佳地,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,如圖3所示,驅(qū)動(dòng)控制模塊4具體包括:驅(qū)動(dòng)晶體管dt1;
驅(qū)動(dòng)晶體管dt1,其柵極與第二節(jié)點(diǎn)b連接,源極與第一節(jié)點(diǎn)a連接,漏極與發(fā)光器件6連接。
在具體實(shí)施時(shí),本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,驅(qū)動(dòng)晶體管dt1為n型晶體管。為了保證驅(qū)動(dòng)晶體管dt1能正常工作,對(duì)應(yīng)的第一電壓信號(hào)的電壓一般為正電壓,第二電壓信號(hào)的電壓一般接地或?yàn)樨?fù)值。
較佳地,在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,如圖3所示,穩(wěn)壓模塊5具體包括:第一電容c1;第一電容c1連接于第二節(jié)點(diǎn)b與第二電壓信號(hào)端vss之間。在具體實(shí)施時(shí),第一電容c1用于穩(wěn)定第二節(jié)點(diǎn)b處的電壓。
在具體實(shí)施時(shí),在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中,所有的開(kāi)關(guān)晶體管均為n型晶體管,在此不作限定。
最佳地,本發(fā)明實(shí)施例提供的上述像素電路中提到的驅(qū)動(dòng)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管可以全部采用n型晶體管設(shè)計(jì),這樣既可以減少像素的遲滯效應(yīng),還可以簡(jiǎn)化像素電路的制作工藝流程。
需要說(shuō)明的是本發(fā)明上述實(shí)施例中是以驅(qū)動(dòng)晶體管為n型晶體管為例進(jìn)行說(shuō)明的,對(duì)于驅(qū)動(dòng)晶體管為p型晶體管且采用相同設(shè)計(jì)原理的情況也屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
在具體實(shí)施時(shí),驅(qū)動(dòng)晶體管和開(kāi)關(guān)晶體管可以是薄膜晶體管(tft,thinfilmtransistor),也可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(mos,metaloxidescmiconductor),在此不做限定。在具體實(shí)施中,這些晶體管的源極和漏極根據(jù)晶體管類(lèi)型以及輸入信號(hào)的不同,其功能可以互換,在此不做具體區(qū)分。
下面分別以圖3所示的像素電路為例對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路的工作過(guò)程作以描述。且下述描述中以1表示高電平信號(hào),0表示低電平信號(hào)。
在圖3所示的像素電路中,驅(qū)動(dòng)晶體管dt1和所有開(kāi)關(guān)晶體管均為n型晶體管,各n型晶體管在低電平作用下截止,在高電平作用下導(dǎo)通;對(duì)應(yīng)的輸入時(shí)序圖如圖4所示。具體地,選取如圖4所示的輸入時(shí)序圖中的t1、t2、t3和t4四個(gè)階段,vscan1表示第一掃描信號(hào)線(xiàn)發(fā)出的第一掃描信號(hào),vscan2表示第二掃描信號(hào)線(xiàn)發(fā)出的第二掃描信號(hào),vscan3表示第三掃描信號(hào)線(xiàn)發(fā)出的第三掃描信號(hào)。
在t1階段,vem=1,vscan1=1,vscan2=0,vscan3=0,vdata=0。
針對(duì)像素電路中的每一像素子電路10,第一開(kāi)關(guān)晶體管t1和第二開(kāi)關(guān)晶體管t2處于導(dǎo)通狀態(tài),驅(qū)動(dòng)晶體管dt1、第三開(kāi)關(guān)晶體管t3和第四開(kāi)關(guān)晶體管t4處于截止?fàn)顟B(tài)。第一電壓信號(hào)端vdd發(fā)出的第一電壓信號(hào)通過(guò)導(dǎo)通的第一開(kāi)關(guān)晶體管t1提供給第一節(jié)點(diǎn)a,因此,此階段,第一節(jié)點(diǎn)a的電壓為第一電壓信號(hào);第一節(jié)點(diǎn)a處的電壓通過(guò)導(dǎo)通的第二開(kāi)關(guān)晶體管t2提供給第二節(jié)點(diǎn)b,對(duì)第二節(jié)點(diǎn)b處的電壓進(jìn)行重置,此階段,第二節(jié)點(diǎn)b的電壓為第一電壓信號(hào)。
在t2階段,vem=0,vscan1=0,vscan2=1,vscan3=0,vdata=1。
針對(duì)與第二掃描信號(hào)線(xiàn)scan2連接的像素子電路10,在第二掃描信號(hào)vscan2的控制下第三開(kāi)關(guān)晶體管t3處于導(dǎo)通狀態(tài),同時(shí),在第二節(jié)點(diǎn)b的電壓的控制下第四開(kāi)關(guān)晶體管t4也處于導(dǎo)通狀態(tài),第一開(kāi)關(guān)晶體管t1、第二開(kāi)關(guān)晶體管t2和驅(qū)動(dòng)晶體管dt1處于截止?fàn)顟B(tài)。數(shù)據(jù)信號(hào)端data發(fā)出的第一數(shù)據(jù)信號(hào)vdata1通過(guò)導(dǎo)通的第三開(kāi)關(guān)晶體管t3提供給第四開(kāi)關(guān)晶體管t4的源極,由于第四開(kāi)關(guān)晶體管t4為二極管連接結(jié)構(gòu),第一數(shù)據(jù)信號(hào)vdata1通過(guò)二極管連接結(jié)構(gòu)的第四開(kāi)關(guān)晶體管t4傳輸至第二節(jié)點(diǎn)b,此階段第二節(jié)點(diǎn)b的電壓由第一電壓信號(hào)變化到vdata1+vth1,即將第一數(shù)據(jù)信號(hào)vdata1和閾值電壓vth1寫(xiě)入到第二節(jié)點(diǎn)b,其中vth1為第四開(kāi)關(guān)晶體管t4的閾值電壓。
針對(duì)與第三掃描信號(hào)線(xiàn)scan3連接的像素子電路10,所有的開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管均未導(dǎo)通。
在t3階段,vem=0,vscan1=0,vscan2=0,vscan3=1,vdata=1。
針對(duì)與第三掃描信號(hào)線(xiàn)scan3連接的像素子電路10,在第三掃描信號(hào)vscan3的控制下第三開(kāi)關(guān)晶體管t3處于導(dǎo)通狀態(tài),同時(shí),在第二節(jié)點(diǎn)b的電壓的控制下第四開(kāi)關(guān)晶體管t4也處于導(dǎo)通狀態(tài),第一開(kāi)關(guān)晶體管t1、第二開(kāi)關(guān)晶體管t2和驅(qū)動(dòng)晶體管dt1處于截止?fàn)顟B(tài)。數(shù)據(jù)信號(hào)端data發(fā)出的第二數(shù)據(jù)信號(hào)vdata2通過(guò)導(dǎo)通的第三開(kāi)關(guān)晶體管t3提供給第四開(kāi)關(guān)晶體管t4的源極,由于第四開(kāi)關(guān)晶體管t4為二極管連接結(jié)構(gòu),第二數(shù)據(jù)信號(hào)vdata2通過(guò)二極管連接結(jié)構(gòu)的第四開(kāi)關(guān)晶體管t4傳輸至第二節(jié)點(diǎn)b,此階段第二節(jié)點(diǎn)b的電壓由第一電壓信號(hào)變化到vdata2+vth1,即將第二數(shù)據(jù)信號(hào)vdata2和閾值電壓vth1寫(xiě)入到第二節(jié)點(diǎn)b,其中vth1為第四開(kāi)關(guān)晶體管t4的閾值電壓。
針對(duì)另一與第二掃描信號(hào)線(xiàn)scan2連接的像素子電路10,,所有的開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管均未導(dǎo)通。
在t4階段,vem=1,vscan1=0,vscan2=0,vscan3=0,vdata=0。
針對(duì)像素電路中的每一像素子電路,第一開(kāi)關(guān)晶體管t1和驅(qū)動(dòng)晶體管dt1處于導(dǎo)通狀態(tài),第二開(kāi)關(guān)晶體管t2、第三開(kāi)關(guān)晶體管t3和第四開(kāi)關(guān)晶體管t4處于截止?fàn)顟B(tài)。在發(fā)光控制端的控制下,第一電壓信號(hào)端vdd發(fā)出的第一電壓信號(hào)通過(guò)導(dǎo)通的第一開(kāi)關(guān)晶體管t1將第一電壓信號(hào)提供給第一節(jié)點(diǎn)a,以通過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管dt1驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件6進(jìn)行發(fā)光,其中,發(fā)光器件6為有機(jī)發(fā)光二極管oled。此時(shí),驅(qū)動(dòng)晶體管dt1柵極和漏極之間的電壓差為vdata1+vth1-voled,流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的電流為:
ioled=k(vgs–vth2)2
=k[vdata1+vth1–voled–vth2]2
其中,ioled為流過(guò)驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的電流,k為運(yùn)算系數(shù),vgs為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1柵極和漏極之間的電壓差,vth2為驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的閾值電壓,vdata1為在t2階段的數(shù)據(jù)信號(hào),vth1為第四開(kāi)關(guān)晶體管t4的閾值電壓,voled為發(fā)光器件的分壓。
由于vth1和vth2分別是第四開(kāi)關(guān)晶體管t4的閾值電壓和驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的閾值電壓,由于第四開(kāi)關(guān)晶體管t4和驅(qū)動(dòng)晶體管dt1距離比較近,在制備過(guò)程中應(yīng)用同一工藝進(jìn)行制備,因此認(rèn)為vth1與vth2近似相等,即vth1=vth2,因此,ioled=k(vdata1–voled)2。
同理,流過(guò)另一像素子電路中驅(qū)動(dòng)晶體管dt1的電流為:ioled=k(vdata2–voled)2,其中,vdata2為在t3階段數(shù)據(jù)信號(hào)端data發(fā)出的數(shù)據(jù)信號(hào)。
此時(shí),驅(qū)動(dòng)控制模塊驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光的驅(qū)動(dòng)電流僅與數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓和發(fā)光器件的電壓有關(guān),與驅(qū)動(dòng)控制模塊中的閾值電壓無(wú)關(guān),能避免驅(qū)動(dòng)控制模塊的閾值電壓對(duì)發(fā)光器件的影響,即在使用相同的數(shù)據(jù)信號(hào)加載到不同的像素單元時(shí),能夠得到亮度相同的圖像,提高了顯示裝置顯示區(qū)域圖像亮度的均勻性。并且,本發(fā)明實(shí)施例提供的像素電路中,每個(gè)像素子電路中僅需要5個(gè)晶體管和1個(gè)電容就可以實(shí)現(xiàn),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,有利于實(shí)現(xiàn)高像素的顯示面板。
需要說(shuō)明的是,在t2階段和t3階段第二節(jié)點(diǎn)電壓發(fā)生變化時(shí),電壓處于不穩(wěn)定狀態(tài),發(fā)光器件不進(jìn)行發(fā)光,所有發(fā)光器件均在t4階段進(jìn)行統(tǒng)一的發(fā)光,以提高oled的使用壽命。
基于同一發(fā)明構(gòu)思,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述任一種像素電路的驅(qū)動(dòng)方法,如圖5所示,包括:
s501、重置階段,針對(duì)每一像素子電路:發(fā)光控制模塊在發(fā)光控制端的控制下,將第一電壓信號(hào)端的信號(hào)提供給第一節(jié)點(diǎn);節(jié)點(diǎn)重置模塊在第一掃描信號(hào)端的控制下使第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)導(dǎo)通;
s502、第一寫(xiě)入階段,與第二掃描線(xiàn)連接的像素子電路中的寫(xiě)入模塊在第二掃描線(xiàn)發(fā)出的信號(hào)的控制下將數(shù)據(jù)信號(hào)端發(fā)出的數(shù)據(jù)信號(hào)和閾值電壓寫(xiě)入第二節(jié)點(diǎn);
s503、第二寫(xiě)入階段,與第三掃描線(xiàn)連接的像素子電路中的寫(xiě)入模塊在第三掃描線(xiàn)發(fā)出的信號(hào)的控制下將數(shù)據(jù)信號(hào)端發(fā)出的數(shù)據(jù)信號(hào)和閾值電壓寫(xiě)入第二節(jié)點(diǎn);
s504、發(fā)光階段,針對(duì)每一像素子電路:發(fā)光控制模塊在發(fā)光控制端的控制下,將第一電壓信號(hào)端的信號(hào)提供給第一節(jié)點(diǎn);穩(wěn)壓模塊保持第二節(jié)點(diǎn)的電壓;驅(qū)動(dòng)控制模塊在第二節(jié)點(diǎn)的控制下驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件發(fā)光。
像素電路的驅(qū)動(dòng)方法的時(shí)序如圖4所示,t1階段為重置階段、t2階段為第一寫(xiě)入階段、t3階段為第二寫(xiě)入階段和t4階段為發(fā)光階段,具體工作原理參見(jiàn)對(duì)上述描述像素電路結(jié)構(gòu)時(shí)對(duì)圖4進(jìn)行的說(shuō)明,在此不再詳述。
基于同一發(fā)明構(gòu)思,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板,包括呈矩陣排列的多個(gè)本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種像素電路。由于該顯示面板解決問(wèn)題的原理與前述一種像素電路相似,因此該顯示面板中的像素電路的實(shí)施可以參見(jiàn)前述實(shí)例中像素電路的實(shí)施,重復(fù)之處不再贅述。
在具體實(shí)施時(shí),每一列像素電路共用一條數(shù)據(jù)線(xiàn),每一行像素電路共用一條第一掃描線(xiàn)、一條第二掃描線(xiàn)、一條第三掃描線(xiàn)和一條發(fā)光控制線(xiàn)。
在具體實(shí)施時(shí),在本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板中,如圖6所示,數(shù)據(jù)線(xiàn)data可以設(shè)置在同一像素電路的兩像素子電路10之間,如圖7所示,數(shù)據(jù)線(xiàn)data還可以設(shè)置在同一像素電路中的兩個(gè)像素子電路10的同一側(cè),在此不作限定。
由于每一個(gè)像素電路中的第一掃描線(xiàn)、第二掃描線(xiàn)和第三掃描線(xiàn)是根據(jù)時(shí)序依次進(jìn)行掃描的,因此,不同行中的像素電路中的第一掃描線(xiàn)、第二掃描線(xiàn)和第三掃描線(xiàn)之間可以相互共用,以第n行和第n+1行像素電路為例進(jìn)行說(shuō)明,如圖6和圖7所示,gaten為第n行像素電路的第一掃描線(xiàn),gaten+1為第n行像素電路的第二掃描線(xiàn),gaten+2為第n行像素電路的第三掃描線(xiàn);gaten+1為第n+1行像素電路的第一掃描線(xiàn),gaten+2為第n+1行像素電路的第二掃描線(xiàn),gaten+3為第n+1行像素電路的第三掃描線(xiàn),以此類(lèi)推,不再詳述。
基于同一發(fā)明構(gòu)思,本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置,包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述顯示面板。該顯示裝置可以是顯示器、手機(jī)、電視、筆記本電腦、電子紙、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀、一體機(jī)等,對(duì)于顯示裝置的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的,在此不做贅述,也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。
顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。