本發(fā)明涉及顯示驅(qū)動技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素驅(qū)動電路、驅(qū)動方法、顯示基板和顯示裝置。

背景技術(shù)：

在現(xiàn)有的像素驅(qū)動電路中，一根數(shù)據(jù)線Data僅為一列像素驅(qū)動單元提供顯示用的數(shù)據(jù)電壓，從而用于補償?shù)腡FT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)器件和數(shù)據(jù)線的個數(shù)沒有辦法有效的被減少，從而無法大幅縮減Pixel Pitch(像素間距)大小并降低IC(Integrated Circuit，集成電路)成本，進而導(dǎo)致無法空閑出更多的數(shù)據(jù)線以解放IC channel(通道)個數(shù)，不能在獲得更高的PPI(pixels per inch，每英寸所擁有的像素數(shù)目)的同時解決像素點驅(qū)動TFT由于工藝制程及長時間的操作造成閾值電壓不均一而導(dǎo)致顯示不均勻的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于提供一種像素驅(qū)動電路、驅(qū)動方法、顯示基板和顯示裝置，解決現(xiàn)有技術(shù)中一根數(shù)據(jù)線僅為一列像素驅(qū)動單元提供顯示用的數(shù)據(jù)電壓，從而用于補償?shù)腡FT數(shù)據(jù)線的個數(shù)沒有辦法有效的被減少，從而無法大幅縮減像素間距大小并降低IC成本，進而導(dǎo)致無法空閑出更多的數(shù)據(jù)線以解放IC通道個數(shù)，不能在獲得更高的PPI的同時完成像素補償驅(qū)動的問題。

為了達到上述目的，本發(fā)明提供了一種像素驅(qū)動電路，所述像素驅(qū)動電路包括都與同一數(shù)據(jù)線連接的N個像素驅(qū)動單元，第n像素驅(qū)動單元用于驅(qū)動第n像素單元包括的一發(fā)光元件發(fā)光；N為大于1的整數(shù)，n為小于或等于N的正整數(shù)；

第n像素驅(qū)動單元包括第n重置模塊、第n驅(qū)動晶體管、第n充放電模塊、第n補償控制模塊和第n發(fā)光控制模塊，其中，

所述第n重置模塊，分別與重置控制信號輸出端、第n起始信號輸出端和第n控制節(jié)點連接；

所述第n驅(qū)動晶體管的柵極與所述第n控制節(jié)點連接，所述第n驅(qū)動晶體管的第一極通過所述第n補償控制模塊與所述數(shù)據(jù)線連接，所述第n驅(qū)動晶體管的第二極通過所述第n補償控制模塊與所述第n充放電模塊的第一端連接；

所述第n充放電模塊的第一端與所述第n控制節(jié)點連接，所述第n充放電模塊的第二端與一電壓輸出端連接；

所述第n補償控制模塊與第n補償控制信號輸出端連接，用于在補償階段包括的第n補償時間段，在第n補償控制信號的控制下，控制所述第n驅(qū)動晶體管的第一極接入所述數(shù)據(jù)線上的第n數(shù)據(jù)電壓，并控制所述第n充放電模塊充電或放電直至所述第n控制節(jié)點的第一端的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值；

所述第n發(fā)光控制模塊，分別與所述第n驅(qū)動晶體管的第一極、所述第n驅(qū)動晶體管的第二極、高電平輸出端、發(fā)光控制線和所述第n像素單元包括的發(fā)光元件連接，用于在發(fā)光階段在所述發(fā)光控制線輸出的發(fā)光控制信號的控制下控制所述第n驅(qū)動晶體管導(dǎo)通，驅(qū)動所述第n像素單元包括的發(fā)光元件發(fā)光，并使得所述第n驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓。

實施時，所述第n重置模塊包括：第n重置晶體管，柵極與所述重置控制信號輸出端連接，第一極與所述第n起始信號輸出端連接，第二極與所述第n控制節(jié)點連接；

當所述第n驅(qū)動晶體管為p型晶體管時，所述第n起始信號輸出端輸出的第n起始信號與第n數(shù)據(jù)電壓的差值小于所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓；

當所述第n驅(qū)動晶體管為n型晶體管時，所述第n起始信號輸出端輸出的第n起始信號與第n數(shù)據(jù)電壓的差值大于或等于所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓。

實施時，所述第n充放電模塊包括：第n存儲電容，第一端與所述第n補償控制模塊連接，第二端與所述電壓輸出端連接。

實施時，所述第n補償控制模塊包括：

第一補償控制晶體管，柵極與所述第n補償控制信號輸出端連接，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述第n驅(qū)動晶體管的第一極連接；以及，

第二補償控制晶體管，柵極與所述第n補償控制信號輸出端連接，第一極與所述第n充放電模塊的第一端連接，第二極與所述第n驅(qū)動晶體管的第二極連接。

實施時，所述第n發(fā)光控制模塊包括：

第一發(fā)光控制晶體管，柵極與所述發(fā)光控制線連接，第一極與所述第n驅(qū)動晶體管的第二極連接，第二極與所述高電平輸出端連接；以及，

第二發(fā)光控制晶體管，柵極與所述發(fā)光控制線連接，第一極與所述第n像素單元包括的發(fā)光元件連接，第二極與所述第n驅(qū)動晶體管的第一極連接。

本發(fā)明還提供給了一種像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，應(yīng)用于上述的像素驅(qū)動電路，每一顯示周期包括重置階段、補償階段和發(fā)光控制階段；所述補償階段包括N個補償時間段，N為所述像素驅(qū)動電路包括的像素驅(qū)動單元的個數(shù)；

所述驅(qū)動方法包括：在每一顯示周期，

在重置階段，在重置控制信號的控制下，重置控制模塊控制每一控制節(jié)點分別接入相應(yīng)的起始信號；

在補償階段包括的第n補償時間段，在第n補償控制信號的控制下，第n補償控制模塊控制所述第n驅(qū)動晶體管的第一極接入所述數(shù)據(jù)線上的第n數(shù)據(jù)電壓并控制第n控制節(jié)點與所述第n驅(qū)動晶體管的第二極連接，第n補償控制模塊控制所述第n充放電模塊充電或放電直至第n控制節(jié)點的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值；

在發(fā)光階段，在所述發(fā)光控制線輸出的發(fā)光控制信號的控制下，第n發(fā)光控制模塊控制所述第n驅(qū)動晶體管導(dǎo)通，驅(qū)動所述第n像素單元包括的發(fā)光元件發(fā)光，并使得所述第n驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓；

n為小于或等于N的正整數(shù)。

實施時，當所述第n驅(qū)動晶體管為p型晶體管時，第n起始信號與第n數(shù)據(jù)電壓的差值小于所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓；

所述第n補償控制模塊控制所述第n充放電模塊充電或放電直至所述第n充放電模塊的第一端的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值步驟具體包括：所述第n補償控制模塊控制所述第n充放電模塊充電，直至所述第n充放電模塊的第一端的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值。

實施時，當所述第n驅(qū)動晶體管為n型晶體管時，所述第n起始信號輸出端輸出的第n起始信號與第n數(shù)據(jù)電壓的差值大于或等于所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓；

所述第n補償控制模塊控制所述第n充放電模塊充電或放電直至所述第n充放電模塊的第一端的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值步驟具體包括：所述第n補償控制模塊控制所述第n充放電模塊放電，直至所述第n充放電模塊的第一端的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值。

本發(fā)明還提供了一種顯示基板，包括多條數(shù)據(jù)線與像素結(jié)構(gòu)；

所述像素結(jié)構(gòu)包括陣列設(shè)置的多行多列像素單元和多個如權(quán)利要求1至6中任一權(quán)利要求所述的像素驅(qū)動電路；

所述像素驅(qū)動電路包括的N個像素驅(qū)動單元都與同一數(shù)據(jù)線連接；

所述N個像素驅(qū)動單元分別與位于同一行的N個像素單元包括的發(fā)光元件連接；N為大于1的整數(shù)。

實施時，本發(fā)明所述的顯示基板還包括硅基板，所述數(shù)據(jù)線、所述像素單元和所述像素驅(qū)動電路都設(shè)置于所述硅基板上。

本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述的顯示基板。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路包括都與同一數(shù)據(jù)線連接的位于同一行不同列的至少兩個像素驅(qū)動單元，通過同一根數(shù)據(jù)線為該至少兩個像素驅(qū)動單元提供數(shù)據(jù)電壓，從而可以壓縮用于補償?shù)腡FT器件和數(shù)據(jù)線的個數(shù)，這樣可大幅縮減Pixel Pitch(像素間距)大小并降低IC成本，通過這種方式可以空閑出更多的數(shù)據(jù)線以解放IC channel(通道)個數(shù)，從而獲得更高的PPI，可以通過補償控制模塊在補償階段控制相應(yīng)的充放電模塊的第一端的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值，從而可以使得在發(fā)光階段通過第n驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償相應(yīng)的第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以解決像素點驅(qū)動TFT由于工藝制程及長時間的操作造成閾值電壓不均一從而導(dǎo)致顯示不均勻的問題，使得流過每個發(fā)光元件的電流不受驅(qū)動晶體管的閾值電壓的影響，最終保證了圖像顯示的均勻性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路包括的一個像素驅(qū)動單元的結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)圖；

圖3是本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路的一具體實施例的電路圖；

圖4是本發(fā)明如圖3所示的像素驅(qū)動電路的工作時序圖；

圖5A是本發(fā)明如圖3所示的像素驅(qū)動電路在重置階段t1的電流流向示意圖；

圖5B是本發(fā)明如圖3所示的像素驅(qū)動電路在第一補償階段t21的電流流向示意圖；

圖5C是本發(fā)明如圖3所示的像素驅(qū)動電路在第二補償階段t22的電流流向示意圖；

圖5D是本發(fā)明如圖3所示的像素驅(qū)動電路在第三補償階段t23的電流流向示意圖；

圖5E是本發(fā)明如圖3所示的像素驅(qū)動電路在發(fā)光階段t3的電流流向示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明所有實施例中采用的晶體管均可以為薄膜晶體管或場效應(yīng)管或其他特性相同的器件。在本發(fā)明實施例中，為區(qū)分晶體管除柵極之外的兩極，將其中第一極可以為源極，第二極可以為漏極；或，第一極可以為漏極，第二極可以為源極。

本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路包括都與同一數(shù)據(jù)線連接的N個像素驅(qū)動單元，第n像素驅(qū)動單元用于驅(qū)動第n像素單元包括的一發(fā)光元件發(fā)光；N為大于1的整數(shù)，n為小于或等于N的正整數(shù)；

如圖1所示，第n像素驅(qū)動單元包括第n重置模塊11、第n驅(qū)動晶體管D-n、第n充放電模塊12、第n補償控制模塊13和第n發(fā)光控制模塊14，其中，

所述第n重置模塊11，分別與重置控制信號輸出端RS、輸出第n起始信號Vini-n的第n起始信號輸出端和第n控制節(jié)點Cn連接；

所述第n驅(qū)動晶體管D-n的柵極與所述第n控制節(jié)點Cn連接，所述第n驅(qū)動晶體管D-n的第一極通過所述第n補償控制模塊13與數(shù)據(jù)線Data連接，所述第n驅(qū)動晶體管D-n的第二極通過所述第n補償控制模塊13與所述第n充放電模塊12的第一端連接；

所述第n充放電模塊12的第一端與第n控制節(jié)點Cn連接，所述第n充放電模塊12的第二端與輸出第n電壓Vn的第n電壓輸出端連接；

所述第n補償控制模塊13與第n補償控制信號輸出端Scan-n連接，用于在補償階段包括的第n補償時間段，在第n補償控制信號輸出端Scan-n輸出的第n補償控制信號的控制下，控制所述第n驅(qū)動晶體管D-n的第一極接入所述數(shù)據(jù)線Data上的第n數(shù)據(jù)電壓，并控制所述第n充放電模塊12充電或放電直至所述第n控制節(jié)點Cn的電位為所述第n驅(qū)動晶體管D-n的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值；

所述第n發(fā)光控制模塊14，分別與所述第n驅(qū)動晶體管D-n的第一極、所述第n驅(qū)動晶體管D-n的第二極、輸出高電平Vdd的高電平輸出端、發(fā)光控制線EM和所述第n像素單元包括的第n發(fā)光元件ELn連接，用于在發(fā)光階段在所述發(fā)光控制線EM輸出的發(fā)光控制信號的控制下控制所述第n驅(qū)動晶體管D-n導(dǎo)通，驅(qū)動所述第n像素單元包括的第n發(fā)光元件ELn發(fā)光，并使得所述第n驅(qū)動晶體管D-n的柵源電壓補償所述第n驅(qū)動晶體管D-n的閾值電壓。

在實際操作時，與同一數(shù)據(jù)線連接的N個像素驅(qū)動單元位于同一行不同列，用于分別驅(qū)動位于同一行不同列的N個發(fā)光元件發(fā)光。

在圖1中，以D-n為p型晶體管為例，但是在實際操作時，D-n也可以為n型晶體管，在此對驅(qū)動晶體管的類型不作限定。

在實際操作時，像素單元包括的發(fā)光元件可以為OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機發(fā)光二極管)。

在本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路中，分別與各個像素驅(qū)動單元包括的重置模塊連接的起始信號輸出端輸出的起始信號可以相等也可以不相等，該起始信號只需能夠使得在補償階段相應(yīng)的驅(qū)動晶體管能夠?qū)纯伞?/p>

并且，在本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路中，分別與各個像素驅(qū)動單元包括的充放電模塊的第二端連接的電壓輸出端輸出的電壓可以相等也可以不相等，只需能夠使得在補償階段相應(yīng)的充放電模塊的第一端的電位能夠通過充電或放電而達到相應(yīng)的數(shù)據(jù)線與相應(yīng)的驅(qū)動晶體管的閾值電壓的和值即可。

本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路包括都與同一數(shù)據(jù)線Data連接的位于同一行不同列的至少兩個像素驅(qū)動單元，通過同一根數(shù)據(jù)線Data為該至少兩個像素驅(qū)動單元提供數(shù)據(jù)電壓，從而可以壓縮用于補償?shù)腡FT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)器件和數(shù)據(jù)線的個數(shù)，這樣可大幅縮減Pixel Pitch(像素間距)大小并降低IC(Integrated Circuit，集成電路)成本，通過這種方式可以空閑出更多的數(shù)據(jù)線以解放IC channel(通道)個數(shù)，從而獲得更高的PPI(pixels per inch，每英寸所擁有的像素數(shù)目)，可以通過補償控制模塊在補償階段控制相應(yīng)的充放電模塊的第一端的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值，從而可以使得在發(fā)光階段通過第n驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償相應(yīng)的第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以解決像素點驅(qū)動TFT由于工藝制程及長時間的操作造成閾值電壓不均一的問題，使得流過每個像素點OLED的電流不受Vth的影響，最終保證了圖像顯示的均勻性。

下面結(jié)合附圖通過當本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路包括都與同一數(shù)據(jù)線Data連接的三個像素驅(qū)動單元：第一像素驅(qū)動單元PD1、第二像素驅(qū)動單元PD2和第三像素驅(qū)動單元PD3來說明：

如圖2所示，本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路的第一具體實施例包括與都與同一數(shù)據(jù)線Data連接的第一像素驅(qū)動單元PD1、第二像素驅(qū)動單元PD2和第三像素驅(qū)動單元PD3；

所述第一像素驅(qū)動單元PD1、第二像素驅(qū)動單元PD2和第三像素驅(qū)動單元PD3還都與輸出高電平Vdd的高電平輸出端、重置控制信號輸出端RS和發(fā)光控制線EM連接；

所述第一像素驅(qū)動單元PD1還分別與輸出第一起始信號Vini-1的第一起始信號輸出端、第一補償控制信號輸出端Scan-1、輸出第一電壓V1的第一電壓輸出端和第一有機發(fā)光二極管OLED1的陽極連接；

所述第二像素驅(qū)動單元PD2還分別與輸出第二起始信號Vini-2的第二起始信號輸出端、第二補償控制信號輸出端Scan-2、輸出第二電壓V2的第二電壓輸出端和第二有機發(fā)光二極管OLED2的陽極連接；

所述第三像素驅(qū)動單元PD3還分別與輸出第三起始信號Vini-3的第三起始信號輸出端、第三補償控制信號輸出端Scan-3、輸出第三電壓V3的第三電壓輸出端和第三有機發(fā)光二極管OLED3的陽極連接；

OLED1的陰極、OLED2的陰極和OLED3的陰極都與地端GND連接。

具體的，所述第n重置模塊包括：第n重置晶體管，柵極與所述重置控制信號輸出端連接，第一極與所述第n起始信號輸出端連接，第二極與所述第n控制節(jié)點連接；

當所述第n驅(qū)動晶體管為p型晶體管時，所述第n起始信號輸出端輸出的第n起始信號與第n數(shù)據(jù)電壓的差值小于所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以使得在補償階段開始的時候第n驅(qū)動晶體管能夠?qū)ǎ?/p>

當所述第n驅(qū)動晶體管為n型晶體管時，所述第n起始信號輸出端輸出的第n起始信號與第n數(shù)據(jù)電壓的差值大于或等于所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以使得在補償階段開始的時候第n驅(qū)動晶體管能夠?qū)ā?/p>

在實際操作時，所述第n電壓的取值只需使得在補償階段第n充放電模塊的第一端的電位能通過充電或放電而至第n數(shù)據(jù)電壓與第n驅(qū)動晶體管的和值即可。

具體的，所述第n充放電模塊可以包括：第n存儲電容，第一端與所述第n補償控制模塊連接，第二端與所述電壓輸出端連接。

具體的，所述第n補償控制模塊可以包括：

第一補償控制晶體管，柵極與所述第n補償控制信號輸出端連接，第一極與所述數(shù)據(jù)線連接，第二極與所述第n驅(qū)動晶體管的第一極連接；以及，

第二補償控制晶體管，柵極與所述第n補償控制信號輸出端連接，第一極與所述第n充放電模塊的第一端連接，第二極與所述第n驅(qū)動晶體管的第二極連接。

具體的，所述第n發(fā)光控制模塊可以包括：

第一發(fā)光控制晶體管，柵極與所述發(fā)光控制線連接，第一極與所述第n驅(qū)動晶體管的第二極連接，第二極與所述高電平輸出端連接；以及，

第二發(fā)光控制晶體管，柵極與所述發(fā)光控制線連接，第一極與所述第n像素單元包括的發(fā)光元件連接，第二極與所述第n驅(qū)動晶體管的第一極連接。

下面通過一具體實施例來說明本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路。

如圖3所示，本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路的第二具體實施例包括與同一數(shù)據(jù)線Data連接的第一像素驅(qū)動單元PD1、第二像素驅(qū)動單元PD2和第三像素驅(qū)動單元PD3；

在圖3中，本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路的第二具體實施例包括由T1至T15依次編號的15個p型晶體管以及三個存儲電容(第一存儲電容C1、第二存儲電容C2和第三存儲電容C3)；

在如圖3所示的本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路的第二具體實施例中，三個起始信號輸出端都為地端GND，三個電壓輸出端都與輸出高電平Vdd的高電平輸出端連接；

第一像素驅(qū)動單元PD1包括第一重置模塊、第一驅(qū)動晶體管D-1、第一充放電模塊、第一補償控制模塊和第一發(fā)光控制模塊；

所述第一重置模塊包括第十晶體管T10；

所述第一充放電模塊包括第一存儲電容C1；

所述第一補償控制模塊包括：第四晶體管T4和第七晶體管T7；

所述第一發(fā)光控制模塊包括：第一晶體管T1和第十一晶體管T11；

D-1的柵極與第一控制節(jié)點a1連接，D-1的漏極通過第七晶體管T7與所述數(shù)據(jù)線Data連接，D-1的漏極還通過第十一晶體管T11與第一有機發(fā)光二極管OLED1的陽極連接，D-1的源極通過第一晶體管T1與輸出高電平Vdd的高電平輸出端，D-1的源極還通過第四晶體管T4與所述第一存儲電容C1的第一端連接；

T7的柵極和T4的柵極都與第一補償控制信號輸出端Scan-1連接；

T1的柵極和T11的柵極都與發(fā)光控制線EM連接；

T10的柵極與重置控制信號輸出端RS連接，T10的漏極與地端GND連接，T10的源極與所述第一控制節(jié)點a1連接；

OLED1的陰極與地端GND連接；

第二像素驅(qū)動單元PD2包括第二重置模塊、第二驅(qū)動晶體管D-2、第二充放電模塊、第二補償控制模塊和第二發(fā)光控制模塊；

所述第二重置模塊包括第十三晶體管T13；

所述第二充放電模塊包括第二存儲電容C2；

所述第二補償控制模塊包括：第五晶體管T5和第八晶體管T8；

所述第二發(fā)光控制模塊包括：第二晶體管T2和第十二晶體管T12；

D-2的柵極與第二控制節(jié)點a2連接，D-2的漏極通過第八晶體管T8與所述數(shù)據(jù)線Data連接，D-2的漏極還通過第十二晶體管T12與第二有機發(fā)光二極管OLED2的陽極連接，D-2的源極通過第二晶體管T2與輸出高電平Vdd的高電平輸出端，D-2的源極還通過第五晶體管T5與所述第二存儲電容C2的第一端連接；

T5的柵極和T8的柵極都與第二補償控制信號輸出端Scan-2連接；

T2的柵極和T12的柵極都與發(fā)光控制線EM連接；

T13的柵極與重置控制信號輸出端RS連接，T13的漏極與地端GND連接，T13的源極與所述第二控制節(jié)點a2連接；

OLED2的陰極與地端GND連接；

第三像素驅(qū)動單元PD3包括第三重置模塊、第三驅(qū)動晶體管D-3、第三充放電模塊、第三補償控制模塊和第三發(fā)光控制模塊；

所述第三重置模塊包括第十五晶體管T15；

所述第三充放電模塊包括第三存儲電容C3；

所述第三補償控制模塊包括：第六晶體管T6和第九晶體管T9；

所述第三發(fā)光控制模塊包括：第三晶體管T3和第十四晶體管T14；

D-3的柵極與第三控制節(jié)點a3連接，D-3的漏極通過第九晶體管T9與所述數(shù)據(jù)線Data連接，D-3的漏極還通過第十四晶體管T14與第三有機發(fā)光二極管OLED3的陽極連接，D-3的源極通過第三晶體管T3與輸出高電平Vdd的高電平輸出端，D-3的源極還通過第六晶體管T6與所述第三存儲電容C3的第一端連接；

T6的柵極和T9的柵極都與第三補償控制信號輸出端Scan-3連接；

T3的柵極和T14的柵極都與發(fā)光控制線EM連接；

T15的柵極與重置控制信號輸出端RS連接，T15的漏極與地端GND連接，T15的源極與所述第三控制節(jié)點a3連接；

OLED2的陰極與地端GND連接；

C1的第二端b1、C2的第二端b2和C3的第二端b3都與輸出高電平Vdd的高電平輸出端連接。

在圖3所示的具體實施例中，所有的晶體管都為p型晶體管，但是在實際操作時本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路中的晶體管也可以為n型晶體管，只需相應(yīng)調(diào)整接入其柵極的信號的電位以及各控制信號的電位即可。

下面通過時序圖和晶體管導(dǎo)通示意圖來說明本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路的第二具體實施例的工作過程：

如圖4、圖5A所示，在每一顯示周期的重置階段t1，RS輸出的重置控制信號的電位為低電位，除了T10、T13、T15導(dǎo)通，其余晶體管均斷開，a1、a2和a3同時接地，b1與b2及b3都接入Vdd；

如圖4、圖5B所示，在每一顯示周期的第一補償階段t21，該第一補償階段t21也為第一像素充電階段，此時Scan-1輸出低電平，T4和T7導(dǎo)通，第一像素驅(qū)動單元包括的第一存儲電容C1沿圖5B中路徑充電，由于此時數(shù)據(jù)線Data輸出第一數(shù)據(jù)電壓V1，所以充電的最終結(jié)果是：a1點電勢為V1+Vth1，b1點電勢為Vdd，Vth1為D-1的閾值電壓，由于D-1為p型晶體管，所以Vth1為負值；

如圖4、圖5C所示，在每一顯示周期的第二補償階段t22，該第二補償階段t22也為第二像素充電階段，此時Scan-2輸出低電平，T5和T8導(dǎo)通，第二像素驅(qū)動單元包括的第二存儲電容C2沿圖5C中路徑充電，由于此時數(shù)據(jù)線Data輸出第二數(shù)據(jù)電壓V2，所以充電的最終結(jié)果是：a2點電勢為V2+Vth2，b1點電勢為Vdd，Vth2為D-2的閾值電壓，由于D-2為p型晶體管，所以Vth2為負值；

如圖4、圖5D所示，在每一顯示周期的第三補償階段t23，該第三補償階段t23也為第三像素充電階段，此時Scan-3輸出低電平，T6和T9導(dǎo)通，第三像素驅(qū)動單元包括的第三存儲電容C3沿圖中路徑充電，由于此時數(shù)據(jù)線Data輸出第三數(shù)據(jù)電壓V3,所以充電的最終結(jié)果是：a3點電勢為V3+Vth3，b3點電勢為Vdd，Vth3為D-3的閾值電壓，由于D-3為p型晶體管，所以Vth3為負值；

如圖4、圖5E所示，在每一顯示周期的發(fā)光階段t3，

在t3，AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩陣有機發(fā)光二極管)像素正式發(fā)光，Em輸出低電平，EM信號拉低，D-1的源極、D-2的源極和D-3的源極同時接入Vdd，三像素通過各自路徑進行發(fā)光，根據(jù)驅(qū)動晶體管的飽和電流公式，流入OLED1的電流I_OLED1和OLED2以及OLED3的電流為：

I_OLED1＝K1×(V_GS1–V_th1)²＝K1×[V1+Vth1-Vdd–Vth1]²＝K1×(Vdd-V1)²

同理可以得到，I_OLED2＝K2×(Vdd–V2)²；IOLED3＝K3×(Vdd–V3)²。

其中，K1為D-1的電流系數(shù)，K2為D-2的電流系數(shù)，K3為D-3的電流系數(shù)，V_GS1為D-1的柵源電壓，V_GS2為D-2的柵源電壓，V_GS3為D-3的柵源電壓。

由上式中可以看到此時OLED的工作電流已經(jīng)不受相應(yīng)的驅(qū)動晶體管的影響，只與數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓有關(guān)，徹底解決了驅(qū)動晶體管由于工藝制程及長時間的操作造成閾值電壓漂移的問題，消除該閾值電壓對OLED的工作電流的影響，保證OLED的正常工作。

本發(fā)明所述的像素驅(qū)動電路的第二具體實施例同時保證了使用1個補償電路來完成三個像素的驅(qū)動，以這種方式來壓縮補償?shù)腡FT器件個數(shù)，這樣可大幅縮減Pixel Pitch大小并降低IC成本，從而獲得更高的畫質(zhì)品質(zhì)獲得更高的PPI。

在實際操作時，在本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路中，當驅(qū)動晶體管更改為n型TFT時，第一補償階段、第二補償階段和第三補償階段實際為相應(yīng)存儲電容放電的階段。

本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路的驅(qū)動方法，應(yīng)用于上述的像素驅(qū)動電路，每一顯示周期包括重置階段、補償階段和發(fā)光控制階段；所述補償階段包括N個補償時間段，N為所述像素驅(qū)動電路包括的像素驅(qū)動單元的個數(shù)；

所述驅(qū)動方法包括：在每一顯示周期，

在重置階段，在重置控制信號的控制下，重置控制模塊控制每一控制節(jié)點分別接入相應(yīng)的起始信號；

在補償階段包括的第n補償時間段，在第n補償控制信號的控制下，第n補償控制模塊控制所述第n驅(qū)動晶體管的第一極接入所述數(shù)據(jù)線上的第n數(shù)據(jù)電壓并控制第n控制節(jié)點與所述第n驅(qū)動晶體管的第二極連接，第n補償控制模塊控制所述第n充放電模塊充電或放電直至所述第n控制節(jié)點的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值；

在發(fā)光階段，在所述發(fā)光控制線輸出的發(fā)光控制信號的控制下，第n發(fā)光控制模塊控制所述第n驅(qū)動晶體管導(dǎo)通，驅(qū)動所述第n像素單元包括的發(fā)光元件發(fā)光，并使得所述第n驅(qū)動晶體管的柵源電壓補償所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓；

n為小于或等于N的正整數(shù)。

具體的，當所述第n驅(qū)動晶體管為p型晶體管時，第n起始信號與第n數(shù)據(jù)電壓的差值小于所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以保證在補償階段所述第n驅(qū)動晶體管在開始的時候?qū)ǎ?/p>

所述第n補償控制模塊控制所述第n充放電模塊充電或放電直至所述第n控制節(jié)點的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值步驟具體包括：所述第n補償控制模塊控制所述第n充放電模塊充電，直至所述第n控制節(jié)點的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值。

具體的，當所述第n驅(qū)動晶體管為n型晶體管時，所述第n起始信號輸出端輸出的第n起始信號與第n數(shù)據(jù)電壓的差值大于或等于所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓，以保證在補償階段所述第n驅(qū)動晶體管在開始的時候?qū)ǎ?/p>

所述第n補償控制模塊控制所述第n充放電模塊充電或放電直至所述第n控制節(jié)點的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值步驟具體包括：所述第n補償控制模塊控制所述第n充放電模塊放電，直至所述第n控制節(jié)點的電位為所述第n驅(qū)動晶體管的閾值電壓與第n數(shù)據(jù)電壓的和值。

本發(fā)明實施例所述的顯示基板，包括多條數(shù)據(jù)線與像素結(jié)構(gòu)；

所述像素結(jié)構(gòu)包括陣列設(shè)置的多行多列像素單元和多個上述的像素驅(qū)動電路；

所述像素驅(qū)動電路包括的N個像素驅(qū)動單元都與同一數(shù)據(jù)線連接；

所述N個像素驅(qū)動單元分別與位于同一行的N個像素單元包括的發(fā)光元件連接；N為大于1的整數(shù)。

在實際操作時，當N＝3時，本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路包括的三個像素驅(qū)動單元可以為分別驅(qū)動位于同一行的從左至右排列的紅色亞像素、綠色亞像素、藍色亞像素的像素驅(qū)動單元，或者，本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路包括的三個像素驅(qū)動單元可以為分別驅(qū)動位于同一行的從左至右排列的綠色亞像素、藍色亞像素、紅色亞像素的像素驅(qū)動單元，或者，本發(fā)明實施例所述的像素驅(qū)動電路包括的三個像素驅(qū)動單元也可以為分別驅(qū)動位于同一行的從左至右排列的藍色亞像素、紅色亞像素、綠色亞像素的像素驅(qū)動單元。

優(yōu)選的，本發(fā)明實施例所述的顯示基板，還包括硅基板，所述數(shù)據(jù)線、所述像素單元和所述像素驅(qū)動電路都設(shè)置于所述硅基板上。

本發(fā)明實施例所述的顯示基板采用單晶硅基板作為襯底，并將包括像素驅(qū)動電路的陣列電路層中若干個晶體管的有源區(qū)形成在單晶硅基板內(nèi)，由于單晶硅的載流子遷移率高，因此像素驅(qū)動電路內(nèi)部的晶體管都可以具有足夠高的性能，并在保障性能的同時在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上縮小尺寸，使得像素驅(qū)動電路不會占用很大的基板面積，實現(xiàn)像素驅(qū)動電路在基板上的整合制作。

本發(fā)明實施例所述的顯示裝置包括上述的顯示基板。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護范圍。