本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種AMOLED像素驅(qū)動電路及像素驅(qū)動方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Display，OLED)顯示裝置具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、發(fā)光效率高、響應(yīng)時(shí)間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實(shí)現(xiàn)柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)界公認(rèn)為是最有發(fā)展?jié)摿Φ娘@示裝置。

OLED顯示裝置按照驅(qū)動方式可以分為無源矩陣型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩陣型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，AMOLED具有呈陣列式排布的像素，屬于主動顯示類型，發(fā)光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸顯示裝置。

AMOLED是電流驅(qū)動器件，當(dāng)有電流流過有機(jī)發(fā)光二極管時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光，且發(fā)光亮度由流過有機(jī)發(fā)光二極管自身的電流決定。大部分已有的集成電路(Integrated Circuit，IC)都只傳輸電壓信號，故AMOLED的像素驅(qū)動電路需要完成將電壓信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏餍盘柕娜蝿?wù)。

傳統(tǒng)的AMOLED像素驅(qū)動電路通常為2T1C，即兩個薄膜晶體管加一個電容的結(jié)構(gòu)，將電壓轉(zhuǎn)換為電流。其中一個薄膜晶體管為開關(guān)薄膜晶體管，用于控制數(shù)據(jù)信號的進(jìn)入，另一個薄膜晶體管為驅(qū)動薄膜晶體管，用于控制通過有機(jī)發(fā)光二極管的電流，因此驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓的重要性便十分明顯，閾值電壓的正向或負(fù)向漂移都有會使得在相同數(shù)據(jù)信號下有不同的電流通過有機(jī)發(fā)光二極管。然而，目前由低溫多晶硅或氧化物半導(dǎo)體制作的薄膜晶體管因光照、源漏電極電壓應(yīng)力作用等因素，在使用過程中均會發(fā)生閾值電壓漂移現(xiàn)象。閾值電壓的漂移會導(dǎo)致通過有機(jī)發(fā)光二極管的電流不穩(wěn)定，面板產(chǎn)生亮度不均的問題。傳統(tǒng)的2T1C電路中，驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓漂移無法通過調(diào)節(jié)得到改善，因此需要使用添加新的薄膜晶體管或新的信號的方式來減弱甚至消除閾值電壓漂移帶來的影響，這種新的像素電路被稱為像素補(bǔ)償電路。常用的像素補(bǔ)償電路中通常會用到參考信號線或初始化信號線，其作用是為補(bǔ)償電路提供固定電壓值。

請參閱圖1，為現(xiàn)有的一種利用參考信號對閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償?shù)?T1C結(jié)構(gòu)的AMOLED像素驅(qū)動電路，包括第一薄膜晶體管T10、第二薄膜晶體管T20、第三薄膜晶體管T30、第四薄膜晶體管T40、第五薄膜晶體管T50、第一電容C10、及有機(jī)發(fā)光二極管D10。第一薄膜晶體管T10的柵極接入掃描信號Scan，源極接入數(shù)據(jù)信號Data，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)A’；第二薄膜晶體管T20的柵極接入發(fā)光信號Emit，源極接入?yún)⒖夹盘栯妷篤sus，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)A’；第三薄膜晶體管T30的柵極接入掃描信號Scan，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)C’，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)B’；第四薄膜晶體管T40的柵極電性連接第二節(jié)點(diǎn)B’，源極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管D10的陽極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)C’；第五薄膜晶體管T50的柵極接入發(fā)光信號Emit，源極接入電源正電壓VDD，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)C’；第一電容C10的一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)A’，另一端電性連接第二節(jié)點(diǎn)B’；有機(jī)發(fā)光二極管D10的陽極電性連接第四薄膜晶體管T40的源極，陰極接入電源負(fù)電壓VSS。

圖2為對應(yīng)于圖1所示電路的時(shí)序圖，該AMOLED像素驅(qū)動電路的工作過程按照時(shí)序依次分為兩個階段：編程階段10、及驅(qū)動發(fā)光階段20。在編程階段10，掃描信號Scan提供高電位，第一、及第三薄膜晶體管T10、T30打開，發(fā)光信號Emit提供低電位，第二、及第五薄膜晶體管T20、T50關(guān)閉，數(shù)據(jù)信號Data提供的電壓寫入第一節(jié)點(diǎn)A’，由于此時(shí)第四薄膜晶體管T40的柵極和漏極短接，第四薄膜晶體管T40的柵極電壓即第二節(jié)點(diǎn)B’的電壓為Vth+V_OLED+VSS，其中Vth為第四薄膜晶體管T40即驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓，V_OLED為有機(jī)發(fā)光二極管D10的閾值電壓，第四薄膜晶體管T40的源極電壓為V_OLED+VSS；在驅(qū)動發(fā)光階段20，掃描信號Scan提供低電位，第一、及第三薄膜晶體管T10、T30關(guān)閉，發(fā)光信號Emit提供高電位，第二、及第五薄膜晶體管T20、T50打開，第一節(jié)點(diǎn)A’寫入?yún)⒖夹盘栯妷篤sus，為保證第一電容C10兩端電壓差不變，第二節(jié)點(diǎn)B’也即第四薄膜晶體管T40的柵極的電壓變?yōu)閂th+V_OLED+VSS-Vdata+Vsus，Vdata為數(shù)據(jù)信號Data提供的電壓，第四薄膜晶體管T40的源極電壓變?yōu)閂_OLED+VSS+ΔV，ΔV為數(shù)據(jù)信號Data對第四薄膜晶體管T40的源極的電壓產(chǎn)生的影響，第四薄膜晶體管T40導(dǎo)通，有機(jī)發(fā)光二極管D10發(fā)光，計(jì)算流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管D10的電流的公式為：

I＝1/2Cox(μW/L)(Vgs－Vth)² (1)

其中I為流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管D10的電流、μ為驅(qū)動薄膜晶體管的載流子遷移率、W和L分別為驅(qū)動薄膜晶體管的溝道的寬度和長度、Vgs為驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與源極之間的電壓、Vth為驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓也即第四薄膜晶體管T40的閾值電壓。

而Vgs＝Vth+V_OLED+VSS-Vdata+Vsus-V_OLED-VSS-ΔV

＝Vth-Vdata+Vsus-ΔV (2)

將(2)式代入(1)式得：

I＝1/2Cox(μW/L)(Vth-Vdata+Vsus-ΔV－Vth)²

＝1/2Cox(μW/L)(Vsus-Vdata-ΔV)²

可見流過有機(jī)發(fā)光二極管D10的電流與第四薄膜晶體管T40的閾值電壓、有機(jī)發(fā)光二極管D10的閾值電壓、及電源負(fù)電壓VSS均無關(guān)，完成對閾值電壓漂移的補(bǔ)償。

通常在電路版圖設(shè)計(jì)時(shí)，參考信號線或初始化信號線上的信號通過外圍的集成電路(integrated circuit，IC)或柔性電路板(Flexible Printed Circuit，F(xiàn)PC)提供，提供參考信號或初始化信號的輸入點(diǎn)通常位于面板的四個角，并且通常以單純橫向或縱向的連線方式進(jìn)入面內(nèi)，這種連線方式可能造成參考信號或初始化信號在導(dǎo)線傳輸過程中的損耗，亦即，面板中央所接收到的參考信號或初始化信號值會小于面板邊緣所接收到的對應(yīng)信號，且導(dǎo)線的阻抗越大差異值越大，會影響面板的補(bǔ)償效果；同時(shí)，這種布線方式增加了面板中的走線數(shù)量，容易引起導(dǎo)線間的短路，導(dǎo)致整個面板失去補(bǔ)償效果。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種AMOLED像素驅(qū)動電路，能夠在補(bǔ)償閾值電壓漂移的同時(shí)，減少參考信號在面板傳輸過程中的損耗，使面板邊緣的補(bǔ)償效果與面板中央的補(bǔ)償效果保持一致，減少面板內(nèi)部的布線，降低制程中可能的短路幾率，提高面板良率。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種AMOLED像素驅(qū)動方法，能夠?qū)﹂撝惦妷旱钠七M(jìn)行有效補(bǔ)償，同時(shí)減少參考信號在面板傳輸過程中的損耗，使面板邊緣的補(bǔ)償效果與面板中央的補(bǔ)償效果保持一致，提高面板良率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種AMOLED像素驅(qū)動電路，包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第一電容、及有機(jī)發(fā)光二極管；

第一薄膜晶體管的柵極接入掃描信號，源極接入數(shù)據(jù)信號，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)；

第二薄膜晶體管的柵極接入發(fā)光信號，源極電性連接第六薄膜晶體管的源極，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)；

第三薄膜晶體管的柵極接入掃描信號，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)；

第四薄膜晶體管的柵極電性連接第二節(jié)點(diǎn)，源極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管的陽極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)；

第五薄膜晶體管的柵極接入發(fā)光信號，源極接入電源正電壓，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)；

第六薄膜晶體管的柵極與漏極短接，均接入電源正電壓，源極電性連接第二薄膜晶體管的源極；

第一電容的一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)，另一端電性連接第二節(jié)點(diǎn)；

有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電性連接第四薄膜晶體管的源極，陰極接入電源負(fù)電壓。

所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

所述掃描信號、及發(fā)光信號均通過外部時(shí)序控制器提供。

所述AMOLED像素驅(qū)動電路的驅(qū)動時(shí)序依次包括：編程階段、及驅(qū)動發(fā)光階段；

在所述編程階段，所述掃描信號提供高電位，所述發(fā)光信號提供低電位；

在所述驅(qū)動發(fā)光階段，所述掃描信號提供低電位，所述發(fā)光信號提供高電位，所述第六薄膜晶體管向第一節(jié)點(diǎn)提供參考信號電壓VDD-Vth₆，其中VDD為電源正電壓，Vth₆為第六薄膜晶體管的閾值電壓。

第六薄膜晶體管的溝道寬長比越小，其閾值電壓越大。

本發(fā)明還提供一種AMOLED像素驅(qū)動方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一AMOLED像素驅(qū)動電路；

所述AMOLED像素驅(qū)動電路包括：第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、第六薄膜晶體管、第一電容、及有機(jī)發(fā)光二極管；

第一薄膜晶體管的柵極接入掃描信號，源極接入數(shù)據(jù)信號，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)；

第二薄膜晶體管的柵極接入發(fā)光信號，源極電性連接第六薄膜晶體管的源極，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)；

第三薄膜晶體管的柵極接入掃描信號，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)；

第四薄膜晶體管的柵極電性連接第二節(jié)點(diǎn)，源極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管的陽極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)；

第五薄膜晶體管的柵極接入發(fā)光信號，源極接入電源正電壓，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)；

第六薄膜晶體管的柵極與漏極短接，均接入電源正電壓，源極電性連接第二薄膜晶體管的源極；

第一電容的一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)，另一端電性連接第二節(jié)點(diǎn)；

有機(jī)發(fā)光二極管的陽極電性連接第四薄膜晶體管的源極，陰極接入電源負(fù)電壓；

步驟2、進(jìn)入編程階段；

所述掃描信號提供高電位，第一、及第三薄膜晶體管打開，所述發(fā)光信號提供低電位，第二、及第五薄膜晶體管關(guān)閉，第一節(jié)點(diǎn)寫入數(shù)據(jù)信號提供的電壓，導(dǎo)通的第三薄膜晶體管短接第四薄膜晶體管的柵極與漏極，第二節(jié)點(diǎn)即第四薄膜晶體管的柵極的電壓達(dá)到Vth₄+V_OLED+VSS，其中Vth₄為第四薄膜晶體管的閾值電壓，V_OLED為有機(jī)發(fā)光二極管的閾值電壓，VSS為電源負(fù)電壓，第四薄膜晶體管的源極電壓達(dá)到V_OLED+VSS；

步驟3、進(jìn)入驅(qū)動發(fā)光階段；

所述掃描信號提供低電位，第一、及第三薄膜晶體管關(guān)閉，所述發(fā)光信號提供高電位，第二、及第五薄膜晶體管打開，第六薄膜晶體管向第一節(jié)點(diǎn)提供參考信號電壓VDD-Vth₆，其中VDD為電源正電壓，Vth₆為第六薄膜晶體管的閾值電壓；為保證第一電容兩端電壓差不變，第二節(jié)點(diǎn)的電壓變?yōu)閂th₄+V_OLED+VSS-Vdata+VDD-Vth₆，其中Vdata為數(shù)據(jù)信號提供的電壓，第四薄膜晶體管的源極電壓變?yōu)閂_OLED+VSS+ΔV，ΔV為數(shù)據(jù)信號提供的電壓對第四薄膜晶體管的源極電壓產(chǎn)生的影響，第四薄膜晶體管導(dǎo)通，有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光，且流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管的電流與所述第四薄膜晶體管的閾值電壓、有機(jī)發(fā)光二極管的閾值電壓、及電源負(fù)電壓均無關(guān)。

所述第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管、第三薄膜晶體管、第四薄膜晶體管、第五薄膜晶體管、及第六薄膜晶體管均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

所述掃描信號、及發(fā)光信號均通過外部時(shí)序控制器提供。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種AMOLED像素驅(qū)動電路，采用6T1C結(jié)構(gòu)，其中第六薄膜晶體管的柵極與漏極短接，均接入電源正電壓，形成二極管，將第六薄膜晶體管源極輸出的電壓即電源正電壓與第六薄膜晶體管閾值電壓的差值作為參考信號電壓，在驅(qū)動發(fā)光階段寫入第一節(jié)點(diǎn)，以完成對第四薄膜晶體管即驅(qū)動薄膜晶體管閾值電壓漂移的補(bǔ)償，無需單獨(dú)設(shè)置參考信號電壓，該AMOLED像素驅(qū)動電路應(yīng)用于顯示面板時(shí)，參考信號電壓的輸入點(diǎn)的數(shù)量增加，能夠降低參考信號在傳輸過程中的損耗，保證閾值電壓補(bǔ)償效果，同時(shí)減少面板內(nèi)部的布線數(shù)量，降低制程中可能的短路幾率，可有效提升面板良率。本發(fā)明提供的一種AMOLED像素驅(qū)動方法，能夠?qū)﹂撝惦妷旱钠七M(jìn)行有效補(bǔ)償，同時(shí)減少參考信號在面板傳輸過程中的損耗，使面板邊緣的補(bǔ)償效果與面板中央的補(bǔ)償效果保持一致，提高面板良率。

附圖說明

為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

附圖中，

圖1為一種現(xiàn)有的5T1C的AMOLED像素驅(qū)動電路的電路圖；

圖2為圖1所示的AMOLED像素驅(qū)動電路的時(shí)序圖；

圖3為本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動電路的電路圖；

圖4為本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動電路的時(shí)序圖；

圖5為本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動方法的步驟2的示意圖；

圖6為本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動方法的步驟3的示意圖。

具體實(shí)施方式

為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參閱圖3及圖4，本發(fā)明提供一種AMOLED像素驅(qū)動電路，包括：第一薄膜晶體管T1、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6、第一電容C1、及有機(jī)發(fā)光二極管D1。

第一薄膜晶體管T1的柵極接入掃描信號Scan，源極接入數(shù)據(jù)信號Data，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)A；第二薄膜晶體管T2的柵極接入發(fā)光信號Emit，源極電性連接第六薄膜晶體管T6的源極，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)A；第三薄膜晶體管T3的柵極接入掃描信號Scan，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)C，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)B；第四薄膜晶體管T4的柵極電性連接第二節(jié)點(diǎn)B，源極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管D1的陽極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)C，該第四薄膜晶體管T4為驅(qū)動薄膜晶體管，用于驅(qū)動機(jī)發(fā)光二極管D1；第五薄膜晶體管T5的柵極接入發(fā)光信號Emit，源極接入電源正電壓VDD，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)C；第六薄膜晶體管T6的柵極與漏極短接，均接入電源正電壓VDD，源極電性連接第二薄膜晶體管T2的源極；第一電容C1的一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)A，另一端電性連接第二節(jié)點(diǎn)B；有機(jī)發(fā)光二極管D1的陽極電性連接第四薄膜晶體管T4的源極，陰極接入電源負(fù)電壓VSS。

具體地，所述第一薄膜晶體管T1、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、及第六薄膜晶體管T6均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

具體地，所述掃描信號Scan、及發(fā)光信號Emit均通過外部時(shí)序控制器提供。

具體地，所述AMOLED像素驅(qū)動電路的驅(qū)動時(shí)序依次包括：編程階段1、及驅(qū)動發(fā)光階段2。

進(jìn)一步地，在所述編程階段1，所述掃描信號Scan提供高電位，所述發(fā)光信號Emit提供低電位；在所述驅(qū)動發(fā)光階段2，所述掃描信號Scan提供低電位，所述發(fā)光信號Emit提供高電位。

請結(jié)合圖1及圖2，本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動電路的工作過程如下：

在編程階段1，所述掃描信號Scan提供高電位，第一、及第三薄膜晶體管T1、T3打開，所述發(fā)光信號Emit提供低電位，第二、及第五薄膜晶體管T2、T5關(guān)閉，第一節(jié)點(diǎn)A寫入數(shù)據(jù)信號Data提供的電壓，導(dǎo)通的第三薄膜晶體管T3短接第四薄膜晶體管T4的柵極與漏極，第二節(jié)點(diǎn)B也即第四薄膜晶體管T4的柵極的電壓達(dá)到Vth₄+V_OLED+VSS，其中Vth₄為第四薄膜晶體管T4的閾值電壓，V_OLED為有機(jī)發(fā)光二極管D1的閾值電壓，VSS為電源負(fù)電壓，第四薄膜晶體管T4的源極電壓達(dá)到V_OLED+VSS。

在驅(qū)動發(fā)光階段2，所述掃描信號Scan提供低電位，第一、及第三薄膜晶體管T1、T3關(guān)閉，所述發(fā)光信號Emit提供高電位，第二、及第五薄膜晶體管T2、T5打開，第六薄膜晶體管T6向第一節(jié)點(diǎn)A也即第一電容C1的一端提供參考信號電壓VDD-Vth₆，其中VDD為電源正電壓，Vth₆為第六薄膜晶體管T6的閾值電壓，為保證第一電容C1兩端電壓差不變，第二節(jié)點(diǎn)B也即第四薄膜晶體管T4的柵極的電壓變?yōu)閂th₄+V_OLED+VSS-Vdata+VDD-Vth₆，其中Vdata為數(shù)據(jù)信號Data提供的電壓，第四薄膜晶體管T4的源極電壓變?yōu)閂_OLED+VSS+ΔV，ΔV為數(shù)據(jù)信號Data提供的電壓對第四薄膜晶體管T4的源極電壓產(chǎn)生的影響，第四薄膜晶體管T4導(dǎo)通，有機(jī)發(fā)光二極管D1發(fā)光。

進(jìn)一步地，已知計(jì)算流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管D1的電流的公式為：

I＝1/2Cox(μW/L)(Vgs－Vth)² (3)

其中I為流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管D1的電流、μ為驅(qū)動薄膜晶體管的載流子遷移率、W和L分別為驅(qū)動薄膜晶體管的溝道的寬度和長度、Vgs為驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與源極之間的電壓、Vth為驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓也即第四薄膜晶體管T4的閾值電壓Vth₄；

而Vgs＝Vth₄+V_OLED+VSS-Vdata+VDD-Vth₆-V_OLED-VSS-ΔV

＝Vth₄-Vdata+VDD-Vth₆-ΔV (4)

將(4)式代入(3)式得：

I＝1/2Cox(μW/L)(Vth₄-Vdata+VDD-Vth₆-ΔV－Vth₄)²

＝1/2Cox(μW/L)(VDD-Vth₆-Vdata-ΔV)²

可見流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管D1的電流與所述第四薄膜晶體管T4的閾值電壓、有機(jī)發(fā)光二極管D1的閾值電壓、及電源負(fù)電壓VSS均無關(guān)，保證了流過有機(jī)發(fā)光二極管D1的電流的穩(wěn)定性，能夠保證有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度均勻，改善畫面的顯示效果。

值得注意的是，所述第六薄膜晶體管T6的柵極與漏極短接，均接入電源正電壓VDD，形成二極管，電源正電壓VDD經(jīng)過第六薄膜晶體管T6后會產(chǎn)生電壓降，該電壓降為第六薄膜晶體管T6的閾值電壓，因此第六薄膜晶體管T6源極輸出的電壓值為VDD-Vth₆，始終小于電源正電壓VDD，可將其作為參考信號電壓在驅(qū)動發(fā)光階段寫入第一節(jié)點(diǎn)A，以完成對第四薄膜晶體管T4即驅(qū)動薄膜晶體管閾值電壓漂移的補(bǔ)償，無需單獨(dú)設(shè)置參考信號電壓。該AMOLED像素驅(qū)動電路應(yīng)用于顯示面板時(shí)，參考信號電壓的輸入點(diǎn)的數(shù)量增加，能夠降低參考信號在傳輸過程中的損耗，保證閾值電壓補(bǔ)償效果，同時(shí)減少面板內(nèi)部的布線數(shù)量，降低制程中可能的短路幾率，可有效提升面板良率。

進(jìn)一步地，可通過改變電源正電壓VDD的大小，或改變第六薄膜晶體管T6的閾值電壓來調(diào)節(jié)第六薄膜晶體管T6源極輸出的電壓即參考信號電壓。更進(jìn)一步地，可通過改變第六薄膜晶體管T6的溝道寬長比的途徑來改變第六薄膜晶體管T6的閾值電壓，第六薄膜晶體管T6的溝道寬長比越小，其閾值電壓越大。

請結(jié)合圖3至圖6，基于上述AMOLED像素驅(qū)動電路，本發(fā)明還提供一種AMOLED像素驅(qū)動方法，包括如下步驟：

步驟1、提供一AMOLED像素驅(qū)動電路。

所述AMOLED像素驅(qū)動電路包括：第一薄膜晶體管T1、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、第六薄膜晶體管T6、第一電容C1、及有機(jī)發(fā)光二極管D1。

第一薄膜晶體管T1的柵極接入掃描信號Scan，源極接入數(shù)據(jù)信號Data，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)A；第二薄膜晶體管T2的柵極接入發(fā)光信號Emit，源極電性連接第六薄膜晶體管T6的源極，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)A；第三薄膜晶體管T3的柵極接入掃描信號Scan，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)C，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)B；第四薄膜晶體管T4的柵極電性連接第二節(jié)點(diǎn)B，源極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管D1的陽極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)C，該第四薄膜晶體管T4為驅(qū)動薄膜晶體管，用于驅(qū)動機(jī)發(fā)光二極管D1；第五薄膜晶體管T5的柵極接入發(fā)光信號Emit，源極接入電源正電壓VDD，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)C；第六薄膜晶體管T6的柵極與漏極短接，均接入電源正電壓VDD，源極電性連接第二薄膜晶體管T2的源極；第一電容C1的一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)A，另一端電性連接第二節(jié)點(diǎn)B；有機(jī)發(fā)光二極管D1的陽極電性連接第四薄膜晶體管T4的源極，陰極接入電源負(fù)電壓VSS。

具體地，所述第一薄膜晶體管T1、第二薄膜晶體管T2、第三薄膜晶體管T3、第四薄膜晶體管T4、第五薄膜晶體管T5、及第六薄膜晶體管T6均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

具體地，所述掃描信號Scan、及發(fā)光信號Emit均通過外部時(shí)序控制器提供。

步驟2、進(jìn)入編程階段1。

結(jié)合圖4及圖5，所述掃描信號Scan提供高電位，第一、及第三薄膜晶體管T1、T3打開，所述發(fā)光信號Emit提供低電位，第二、及第五薄膜晶體管T2、T5關(guān)閉，第一節(jié)點(diǎn)A寫入數(shù)據(jù)信號Data提供的電壓，導(dǎo)通的第三薄膜晶體管T3短接第四薄膜晶體管T4的柵極與漏極，第二節(jié)點(diǎn)B也即第四薄膜晶體管T4的柵極的電壓達(dá)到Vth₄+V_OLED+VSS，其中Vth₄為第四薄膜晶體管T4的閾值電壓，V_OLED為有機(jī)發(fā)光二極管D1的閾值電壓，VSS為電源負(fù)電壓，第四薄膜晶體管T4的源極電壓達(dá)到V_OLED+VSS。

步驟3、進(jìn)入驅(qū)動發(fā)光階段2。

結(jié)合圖4及圖6，所述掃描信號Scan提供低電位，第一、及第三薄膜晶體管T1、T3關(guān)閉，所述發(fā)光信號Emit提供高電位，第二、及第五薄膜晶體管T2、T5打開，第六薄膜晶體管T6向第一節(jié)點(diǎn)A也即第一電容C1的一端提供參考信號電壓VDD-Vth₆，其中VDD為電源正電壓，Vth₆為第六薄膜晶體管T6的閾值電壓，為保證第一電容C1兩端電壓差不變，第二節(jié)點(diǎn)B也即第四薄膜晶體管T4的柵極的電壓變?yōu)閂th₄+V_OLED+VSS-Vdata+VDD-Vth₆，其中Vdata為數(shù)據(jù)信號Data提供的電壓，第四薄膜晶體管T4的源極電壓變?yōu)閂_OLED+VSS+ΔV，ΔV為數(shù)據(jù)信號Data提供的電壓對第四薄膜晶體管T4的源極電壓產(chǎn)生的影響，第四薄膜晶體管T4導(dǎo)通，有機(jī)發(fā)光二極管D1發(fā)光。

進(jìn)一步地，已知計(jì)算流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管D1的電流的公式為：

I＝1/2Cox(μW/L)(Vgs－Vth)² (3)

其中I為流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管D1的電流、μ為驅(qū)動薄膜晶體管的載流子遷移率、W和L分別為驅(qū)動薄膜晶體管的溝道的寬度和長度、Vgs為驅(qū)動薄膜晶體管的柵極與源極之間的電壓、Vth為驅(qū)動薄膜晶體管的閾值電壓也即第四薄膜晶體管T4的閾值電壓Vth₄；

而Vgs＝Vth₄+V_OLED+VSS-Vdata+VDD-Vth₆-V_OLED-VSS-ΔV

＝Vth₄-Vdata+VDD-Vth₆-ΔV (4)

將(4)式代入(3)式得：

I＝1/2Cox(μW/L)(Vth₄-Vdata+VDD-Vth₆-ΔV－Vth₄)²

＝1/2Cox(μW/L)(VDD-Vth₆-Vdata-ΔV)²

可見流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管D1的電流與所述第四薄膜晶體管T4的閾值電壓、有機(jī)發(fā)光二極管D1的閾值電壓、及電源負(fù)電壓VSS均無關(guān)，保證了流過有機(jī)發(fā)光二極管D1的電流的穩(wěn)定性，能夠保證有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光亮度均勻，改善畫面的顯示效果。

值得注意的是，所述第六薄膜晶體管T6的柵極與漏極短接，均接入電源正電壓VDD，形成二極管，電源正電壓VDD經(jīng)過第六薄膜晶體管T6后會產(chǎn)生電壓降，該電壓降為第六薄膜晶體管T6的閾值電壓，因此第六薄膜晶體管T6源極輸出的電壓值為VDD-Vth₆，始終小于電源正電壓VDD，可將其作為參考信號電壓在驅(qū)動發(fā)光階段寫入第一節(jié)點(diǎn)A，以完成對第四薄膜晶體管T4即驅(qū)動薄膜晶體管閾值電壓漂移的補(bǔ)償，無需單獨(dú)設(shè)置參考信號電壓。所述AMOLED像素驅(qū)動電路應(yīng)用于顯示面板時(shí)，參考信號電壓的輸入點(diǎn)的數(shù)量增加，能夠降低參考信號在傳輸過程中的損耗，保證閾值電壓補(bǔ)償效果，同時(shí)減少面板內(nèi)部的布線數(shù)量，降低制程中可能的短路幾率，可有效提升面板良率。

進(jìn)一步地，可通過改變電源正電壓VDD的大小，或改變第六薄膜晶體管T6的閾值電壓來調(diào)節(jié)第六薄膜晶體管T6源極輸出的電壓即參考信號電壓。更進(jìn)一步地，可通過改變第六薄膜晶體管T6的溝道寬長比的途徑來改變第六薄膜晶體管T6的閾值電壓，第六薄膜晶體管T6的溝道寬長比越小，其閾值電壓越大。

綜上所述，本發(fā)明的AMOLED像素驅(qū)動電路，采用6T1C結(jié)構(gòu)，其中第六薄膜晶體管的柵極與漏極短接，均接入電源正電壓，形成二極管，將第六薄膜晶體管源極輸出的電壓即電源正電壓與第六薄膜晶體管閾值電壓的差值作為參考信號電壓，在驅(qū)動發(fā)光階段寫入第一節(jié)點(diǎn)，以完成對第四薄膜晶體管即驅(qū)動薄膜晶體管閾值電壓漂移的補(bǔ)償，無需單獨(dú)設(shè)置參考信號電壓，該AMOLED像素驅(qū)動電路應(yīng)用于顯示面板時(shí)，參考信號電壓的輸入點(diǎn)的數(shù)量增加，能夠降低參考信號在傳輸過程中的損耗，保證閾值電壓補(bǔ)償效果，同時(shí)減少面板內(nèi)部的布線數(shù)量，降低制程中可能的短路幾率，可有效提升面板良率。本發(fā)明提供的一種AMOLED像素驅(qū)動方法，能夠?qū)﹂撝惦妷旱钠七M(jìn)行有效補(bǔ)償，同時(shí)減少參考信號在面板傳輸過程中的損耗，使面板邊緣的補(bǔ)償效果與面板中央的補(bǔ)償效果保持一致，提高面板良率。

以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。