技術(shù)特征：

1.一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，包括：第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第五薄膜晶體管(T5)、第六薄膜晶體管(T6)、第一電容(C1)、及有機(jī)發(fā)光二極管(D1)；

第一薄膜晶體管(T1)的柵極接入掃描信號(hào)(Scan)，源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)(Data)，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(A)；

第二薄膜晶體管(T2)的柵極電性連接發(fā)光信號(hào)(Emit)，源極電性連接第六薄膜晶體管(T6)的源極，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(A)；

第三薄膜晶體管(T3)的柵極電性連接掃描信號(hào)(Scan)，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)(C)，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(B)；

第四薄膜晶體管(T4)的柵極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(B)，源極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的陽極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)(C)；

第五薄膜晶體管(T5)的柵極接入發(fā)光信號(hào)(Emit)，源極接入電源正電壓(VDD)，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)(C)；

第六薄膜晶體管(T6)的柵極與漏極短接，均接入電源正電壓(VDD)，源極電性連接第二薄膜晶體管(T2)的源極；

第一電容(C1)的一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)(A)，另一端電性連接第二節(jié)點(diǎn)(B)；

有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的陽極電性連接第四薄膜晶體管(T4)的源極，陰極接入電源負(fù)電壓(VSS)。

2.如權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第五薄膜晶體管(T5)、及第六薄膜晶體管(T6)均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

3.如權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述掃描信號(hào)(Scan)、及發(fā)光信號(hào)(Emit)均通過外部時(shí)序控制器提供。

4.如權(quán)利要求1所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)時(shí)序依次包括：編程階段(1)、及驅(qū)動(dòng)發(fā)光階段(2)；

在所述編程階段(1)，所述掃描信號(hào)(Scan)提供高電位，所述發(fā)光信號(hào)(Emit)提供低電位；

在所述驅(qū)動(dòng)發(fā)光階段(2)，所述掃描信號(hào)(Scan)提供低電位，所述發(fā)光信號(hào)(Emit)提供高電位，所述第六薄膜晶體管(T6)向第一節(jié)點(diǎn)(A)提供參考信號(hào)電壓VDD-Vth₆，其中VDD為電源正電壓，Vth₆為第六薄膜晶體管(T6)的閾值電壓。

5.如權(quán)利要求4所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，第六薄膜晶體管(T6)的溝道寬長(zhǎng)比越小，其閾值電壓越大。

6.一種AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟1、提供一AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路；

所述AMOLED像素驅(qū)動(dòng)電路包括：第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第五薄膜晶體管(T5)、第六薄膜晶體管(T6)、第一電容(C1)、及有機(jī)發(fā)光二極管(D1)；

第一薄膜晶體管(T1)的柵極接入掃描信號(hào)(Scan)，源極接入數(shù)據(jù)信號(hào)(Data)，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(A)；

第二薄膜晶體管(T2)的柵極接入發(fā)光信號(hào)(Emit)，源極電性連接第六薄膜晶體管(T6)的源極，漏極電性連接第一節(jié)點(diǎn)(A)；

第三薄膜晶體管(T3)的柵極接入掃描信號(hào)(Scan)，源極電性連接第三節(jié)點(diǎn)(C)，漏極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(B)；

第四薄膜晶體管(T4)的柵極電性連接第二節(jié)點(diǎn)(B)，源極電性連接有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的陽極，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)(C)；

第五薄膜晶體管(T5)的柵極接入發(fā)光信號(hào)(Emit)，源極接入電源正電壓(VDD)，漏極電性連接第三節(jié)點(diǎn)(C)；

第六薄膜晶體管(T6)的柵極與漏極短接，均接入電源正電壓(VDD)，源極電性連接第二薄膜晶體管(T2)的源極；

第一電容(C1)的一端電性連接第一節(jié)點(diǎn)(A)，另一端電性連接第二節(jié)點(diǎn)(B)；

有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的陽極電性連接第四薄膜晶體管(T4)的源極，陰極接入電源負(fù)電壓(VSS)；

步驟2、進(jìn)入編程階段(1)；

所述掃描信號(hào)(Scan)提供高電位，第一、及第三薄膜晶體管(T1、T3)打開，所述發(fā)光信號(hào)(Emit)提供低電位，第二、及第五薄膜晶體管(T2、T5)關(guān)閉，第一節(jié)點(diǎn)(A)寫入數(shù)據(jù)信號(hào)(Data)提供的電壓，導(dǎo)通的第三薄膜晶體管(T3)短接第四薄膜晶體管(T4)的柵極與漏極，第二節(jié)點(diǎn)(B)即第四薄膜晶體管(T4)的柵極的電壓達(dá)到Vth₄+V_OLED+VSS，其中Vth₄為第四薄膜晶體管(T4)的閾值電壓，V_OLED為有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的閾值電壓，VSS為電源負(fù)電壓，第四薄膜晶體管(T4)的源極電壓達(dá)到V_OLED+VSS；

步驟3、進(jìn)入驅(qū)動(dòng)發(fā)光階段(2)；

所述掃描信號(hào)(Scan)提供低電位，第一、及第三薄膜晶體管(T1、T3)關(guān)閉，所述發(fā)光信號(hào)(Emit)提供高電位，第二、及第五薄膜晶體管(T2、T5)打開，第六薄膜晶體管(T6)向第一節(jié)點(diǎn)(A)提供參考信號(hào)電壓VDD-Vth₆，其中VDD為電源正電壓，Vth₆為第六薄膜晶體管(T6)的閾值電壓；為保證第一電容(C1)兩端電壓差不變，第二節(jié)點(diǎn)(B)的電壓變?yōu)閂th₄+V_OLED+VSS-Vdata+VDD-Vth₆，其中Vdata為數(shù)據(jù)信號(hào)(Data)提供的電壓，第四薄膜晶體管(T4)的源極電壓變?yōu)閂_OLED+VSS+ΔV，ΔV為數(shù)據(jù)信號(hào)(Data)提供的電壓對(duì)第四薄膜晶體管(T4)的源極電壓產(chǎn)生的影響，第四薄膜晶體管(T4)導(dǎo)通，有機(jī)發(fā)光二極管(D1)發(fā)光，且流經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的電流與所述第四薄膜晶體管(T4)的閾值電壓、有機(jī)發(fā)光二極管(D1)的閾值電壓、及電源負(fù)電壓(VSS)均無關(guān)。

7.如權(quán)利要求6所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述第一薄膜晶體管(T1)、第二薄膜晶體管(T2)、第三薄膜晶體管(T3)、第四薄膜晶體管(T4)、第五薄膜晶體管(T5)、及第六薄膜晶體管(T6)均為低溫多晶硅薄膜晶體管、氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管、或非晶硅薄膜晶體管。

8.如權(quán)利要求6所述的AMOLED像素驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，所述掃描信號(hào)(Scan)、及發(fā)光信號(hào)(Emit)均通過外部時(shí)序控制器提供。